JPH03122618A - 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置 - Google Patents
薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置Info
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- JPH03122618A JPH03122618A JP1258724A JP25872489A JPH03122618A JP H03122618 A JPH03122618 A JP H03122618A JP 1258724 A JP1258724 A JP 1258724A JP 25872489 A JP25872489 A JP 25872489A JP H03122618 A JPH03122618 A JP H03122618A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非線形抵抗素子を用いた薄膜二端子素子型ア
クティブマトリクス液晶表示装置、特に、その冗長構造
に関するものである。
クティブマトリクス液晶表示装置、特に、その冗長構造
に関するものである。
近年ツィステッド・ネマチック型（ＴＮ型）を中心とし
た液晶表示装置（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や電
卓の分野で大量に用いられている。
た液晶表示装置（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や電
卓の分野で大量に用いられている。
それに加え、近年、文字図形等の任意の表示が可能なマ
トリクス型も使われ始めている。このマトリクス型ＬＣ
Ｄの応用分野を広げるためには、表示容量の増大が必要
である。しかし、従来のＬＣＤの電圧−透過率変化特性
の立ち上がりはあまり急峻ではないので、表示容量を増
加させるためにマルチプレックス駆動の走査本数を増加
させると、選択画素と非選択画素との各々にかがる実効
電圧比は低下し、選択画素の透過率低下と非選択画素の
透過率増加というクロストークが佳じる（偏光板をパラ
レルに配置したノーマリブラックの場合）。
トリクス型も使われ始めている。このマトリクス型ＬＣ
Ｄの応用分野を広げるためには、表示容量の増大が必要
である。しかし、従来のＬＣＤの電圧−透過率変化特性
の立ち上がりはあまり急峻ではないので、表示容量を増
加させるためにマルチプレックス駆動の走査本数を増加
させると、選択画素と非選択画素との各々にかがる実効
電圧比は低下し、選択画素の透過率低下と非選択画素の
透過率増加というクロストークが佳じる（偏光板をパラ
レルに配置したノーマリブラックの場合）。
その結果、表示コントラストが著しく低下し、ある程度
のコントラストが得られる視野角も狭くなり、従来のＬ
ＣＤでは、走査本数は６０本ぐらいが高画質の限界であ
る。最近、スーパー・ツィステッド・ネマチック型（Ｓ
ＴＮ型）といわれるものがあるが、コントラストはＴＮ
型よりも優れているものの応答が遅いという大きな欠点
がある。
のコントラストが得られる視野角も狭くなり、従来のＬ
ＣＤでは、走査本数は６０本ぐらいが高画質の限界であ
る。最近、スーパー・ツィステッド・ネマチック型（Ｓ
ＴＮ型）といわれるものがあるが、コントラストはＴＮ
型よりも優れているものの応答が遅いという大きな欠点
がある。
このマトリクス型ＬＣＤの表示容量を大幅に増加させる
ために、ＬＣＤの各画素にスイッチング素子を直列に配
置したアクティブマトリクスＬＣＤが考案されている。
ために、ＬＣＤの各画素にスイッチング素子を直列に配
置したアクティブマトリクスＬＣＤが考案されている。
これまでに発表されたアクティブマトリクスＬＣＤの試
作品のスイッチング素子には、アモルファスＳｉやポリ
Ｓｉを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子（ＴＰＴ
）が多く用いられている。また一方では、製造および構
造が比較的簡単であるため、製造工程が簡略化でき、高
歩留まり、低コストが期待される薄膜二端子素子（以下
ＴＦＤと略す）を用いたアクティブマトリクスＬＣＤも
注目されている。このＴＦＤは回路的には非線形抵抗素
子である。
作品のスイッチング素子には、アモルファスＳｉやポリ
Ｓｉを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子（ＴＰＴ
）が多く用いられている。また一方では、製造および構
造が比較的簡単であるため、製造工程が簡略化でき、高
歩留まり、低コストが期待される薄膜二端子素子（以下
ＴＦＤと略す）を用いたアクティブマトリクスＬＣＤも
注目されている。このＴＦＤは回路的には非線形抵抗素
子である。
このような薄膜二端子素子型アクティブマトリクスＬＣ
Ｄ （以下Ｔ Ｆ Ｄ −Ｌ ＣＤと略す）において、
一番実用化に近いと考えられてい５るＬＣＤは、ＴＦＤ
に金属−絶縁体−金属素子（以下ＭＩＭ素子またはＭＩ
Ｍと略す）を用いたＬＣＤ （以下ＭＩＭ−ＬＣＤと略
す）である。ＴＦＤを液晶と直列に接続することにより
、ＴＦＤの電圧−電流特性の高非線形性により、ＴＦＤ
−液晶素子の電圧透過率変化特性の立ち上がりは急峻に
なり、液晶表示装置の走査本数を大幅に増やすことが可
能になる。このＴＦＤ−ＬＣＤの１画素の等価回路を第
３図に示す。この等価回路は、直列に接続された非線形
抵抗素子１２および液晶素子１３と、両端に接続された
データ信号線１１および走査信号線１４とで表される。
Ｄ （以下Ｔ Ｆ Ｄ −Ｌ ＣＤと略す）において、
一番実用化に近いと考えられてい５るＬＣＤは、ＴＦＤ
に金属−絶縁体−金属素子（以下ＭＩＭ素子またはＭＩ
Ｍと略す）を用いたＬＣＤ （以下ＭＩＭ−ＬＣＤと略
す）である。ＴＦＤを液晶と直列に接続することにより
、ＴＦＤの電圧−電流特性の高非線形性により、ＴＦＤ
−液晶素子の電圧透過率変化特性の立ち上がりは急峻に
なり、液晶表示装置の走査本数を大幅に増やすことが可
能になる。このＴＦＤ−ＬＣＤの１画素の等価回路を第
３図に示す。この等価回路は、直列に接続された非線形
抵抗素子１２および液晶素子１３と、両端に接続された
データ信号線１１および走査信号線１４とで表される。
なお等価回路としては、データ信号線１１と走査信号線
１４とが逆であってもよい。
１４とが逆であってもよい。
このようにＭＩＭ素子の絶縁体層は、完全な絶縁体では
なく、非線形抵抗層とでも呼ぶべきものである。
なく、非線形抵抗層とでも呼ぶべきものである。
ＴＦＤ素子において、最も重要な材料は非線形抵抗層の
材料であり、その中で、酸化タンタルがよく知られてい
る。このようなＴＦＤを用いたしＣＤの従来例は、論文
では、例えば、デイ・アールバラフ他著（ジ・オプチマ
イゼイション・オン・メタル・インシュレータ・メタル
・ノンリニア・デバイシズ・フォア・ユース・イン・マ
ルチプレクスド・リキッド・クリスタル・デイスプレィ
ズ）、アイ・イー・イー・イー・トランザクション・オ
ン・エレクトロン・デバイシズ、２８巻、６号１頁７３
６−７３９．１９８１年発行） （Ｄ、Ｒ，Ｂａｒａ
ｆｆ、 ｅｔａｔ、、 ”Ｔｈｅ Ｏｐｔｉｍｉｚａｔ
ｉｏｎ ｏｆ Ｍｅｔａ１４ｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔ
ａｌ Ｎｏｎ−１ｉｎｅａｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏｒ
Ｕｓｅ ｉｎ ＭｕｌｔｉｐｌｅｘｅｄＬｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ’ ＩＥＥＥ Ｔ
ｒａｎｓ、 ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓ、 ｖｏ
ｌ、ＨＤ−２８，ｐｐ７３６−７３９ （１９８１））
、および、両角伸治他著、２５０ Ｘ ２４０画素の
ラテラルＭＩＭ−ＬＣＤ テレビジョン学会技術報告
（ＩＰＤ８３−８）、 ｐｐ３９−４４．１９８３年１
２月発行）に代表的に示される。
材料であり、その中で、酸化タンタルがよく知られてい
る。このようなＴＦＤを用いたしＣＤの従来例は、論文
では、例えば、デイ・アールバラフ他著（ジ・オプチマ
イゼイション・オン・メタル・インシュレータ・メタル
・ノンリニア・デバイシズ・フォア・ユース・イン・マ
ルチプレクスド・リキッド・クリスタル・デイスプレィ
ズ）、アイ・イー・イー・イー・トランザクション・オ
ン・エレクトロン・デバイシズ、２８巻、６号１頁７３
６−７３９．１９８１年発行） （Ｄ、Ｒ，Ｂａｒａ
ｆｆ、 ｅｔａｔ、、 ”Ｔｈｅ Ｏｐｔｉｍｉｚａｔ
ｉｏｎ ｏｆ Ｍｅｔａ１４ｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔ
ａｌ Ｎｏｎ−１ｉｎｅａｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏｒ
Ｕｓｅ ｉｎ ＭｕｌｔｉｐｌｅｘｅｄＬｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ’ ＩＥＥＥ Ｔ
ｒａｎｓ、 ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓ、 ｖｏ
ｌ、ＨＤ−２８，ｐｐ７３６−７３９ （１９８１））
、および、両角伸治他著、２５０ Ｘ ２４０画素の
ラテラルＭＩＭ−ＬＣＤ テレビジョン学会技術報告
（ＩＰＤ８３−８）、 ｐｐ３９−４４．１９８３年１
２月発行）に代表的に示される。
このようなＴＦＤ素子を大容量のデイスプレィに適用す
るときに要求される特性は、素子を流れる電流（１）と
印加電圧（Ｖ）をＩ＝Ａ・■３と表したときの非線形係
数ａが大きいこと、電流電圧特性が印加電圧の極性に無
関係に正負対称であることおよびＴＦＤ素子の容量が小
さいことである。ところが、酸化タンタルを用いたＴＦ
Ｄ素子は対称性はよいが非線形係数が５〜６とそれほど
大きくなく、また誘電率も大きいため素子容量が大きい
等の欠点を有している。
るときに要求される特性は、素子を流れる電流（１）と
印加電圧（Ｖ）をＩ＝Ａ・■３と表したときの非線形係
数ａが大きいこと、電流電圧特性が印加電圧の極性に無
関係に正負対称であることおよびＴＦＤ素子の容量が小
さいことである。ところが、酸化タンタルを用いたＴＦ
Ｄ素子は対称性はよいが非線形係数が５〜６とそれほど
大きくなく、また誘電率も大きいため素子容量が大きい
等の欠点を有している。
そこで、誘電率の小さい窒化シリコンが、ＴＦＤ素子用
絶縁体材料として、開発されており、例えばエム スズ
キ他（ア ニュー アクティブダイオード マトリクス
エルシープイー ユージング オフ ストイキオメト
リツク Ｓ ｉＮｘレイヤー プロシーデインゲス オ
ン ザ ニスアイデイ−２８巻１０１−１０４頁、 １
９８７年発行）（門。
絶縁体材料として、開発されており、例えばエム スズ
キ他（ア ニュー アクティブダイオード マトリクス
エルシープイー ユージング オフ ストイキオメト
リツク Ｓ ｉＮｘレイヤー プロシーデインゲス オ
ン ザ ニスアイデイ−２８巻１０１−１０４頁、 １
９８７年発行）（門。
５ｕｚｕｋｉ ｅｔ ａ＋、、 “八 Ｎｅｗ
Ａｃｔｉｖｅ Ｄｉｏｄｅ Ｍａｔｒｉｘ Ｌ
ＣＤＵｓｉｎｇ Ｏｆｆ−ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉ
ｃ ＳｉＮｘ Ｌａｙｅｒ” Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ
ｏｆ ｔｈｅ Ｓ１０． Ｖｏｌ、２８ ｐｌｏｌ−
１０４，１９８７））に記述されている。
Ａｃｔｉｖｅ Ｄｉｏｄｅ Ｍａｔｒｉｘ Ｌ
ＣＤＵｓｉｎｇ Ｏｆｆ−ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉ
ｃ ＳｉＮｘ Ｌａｙｅｒ” Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ
ｏｆ ｔｈｅ Ｓ１０． Ｖｏｌ、２８ ｐｌｏｌ−
１０４，１９８７））に記述されている。
これらの文献に示された従来型のＴＦＤ−ＬＣＤパネル
の構造の一例を以下に示す。窒化シリコン系ＴＦＤ素子
を用いた構造の断面図を第４図に示し、酸化タンタル系
ＴＦＤ素子を用いた構造のうち、ＴＦＤ素子が形成され
ている基板の平面図を第５図に示し、ＴＦＤ−ＬＣＤの
パネルの一部の透視構造平面図を第６図に示す。
の構造の一例を以下に示す。窒化シリコン系ＴＦＤ素子
を用いた構造の断面図を第４図に示し、酸化タンタル系
ＴＦＤ素子を用いた構造のうち、ＴＦＤ素子が形成され
ている基板の平面図を第５図に示し、ＴＦＤ−ＬＣＤの
パネルの一部の透視構造平面図を第６図に示す。
第４図は、非線形抵抗層６に窒化シリコンを用いたＴＦ
Ｄ−ＬＣＤパネルの例であり、窒化シリコンは成膜後、
エツチングにより所定の形にパターン化しである。なお
第４図において、１は下部ガラス基板、２は画素電極、
３はリード電極、４は画素接続電極、９は液晶層、８は
対向ストライプ電極、７は上部ガラス基板である。
Ｄ−ＬＣＤパネルの例であり、窒化シリコンは成膜後、
エツチングにより所定の形にパターン化しである。なお
第４図において、１は下部ガラス基板、２は画素電極、
３はリード電極、４は画素接続電極、９は液晶層、８は
対向ストライプ電極、７は上部ガラス基板である。
第５図に示すように、陽極酸化による酸化タンタルを用
いた場合は非線形抵抗層６はリード電極３を覆う形にな
る。なお第５図において、ＩＯは上部電極である。第６
図に示すように、リード電極３は液晶セルの外まで引き
出され、端子部５を介して駆動回路に接続される。対向
ストライプ電極８は、リード電極３と直交し、画素電極
２にほぼ対応する幅でストライプ上にパターン化され、
駆動回路に接続される。リード電極３は、第３図に示す
データ信号線１１または走査信号線１４のいずれか一方
に対応し、対向ストライプ電極８はデータ信号線１１ま
たは走査信号線１４の他方に対応する。
いた場合は非線形抵抗層６はリード電極３を覆う形にな
る。なお第５図において、ＩＯは上部電極である。第６
図に示すように、リード電極３は液晶セルの外まで引き
出され、端子部５を介して駆動回路に接続される。対向
ストライプ電極８は、リード電極３と直交し、画素電極
２にほぼ対応する幅でストライプ上にパターン化され、
駆動回路に接続される。リード電極３は、第３図に示す
データ信号線１１または走査信号線１４のいずれか一方
に対応し、対向ストライプ電極８はデータ信号線１１ま
たは走査信号線１４の他方に対応する。
薄膜二端子素子（ＴＦＤ）を用いたアクティブマトリク
スＬＣＤは、製造および構造が比較的簡単であるため、
製造工程が簡略化でき、低コスト化が期待され注目され
ている。
スＬＣＤは、製造および構造が比較的簡単であるため、
製造工程が簡略化でき、低コスト化が期待され注目され
ている。
しかし、非線形抵抗層の薄膜の欠陥、および、レジスト
露光プロセスで生じた点欠陥を完全に除去することは難
しい。
露光プロセスで生じた点欠陥を完全に除去することは難
しい。
本発明の目的は、ＴＦＤ素子を用いたＬＧＤ（ＴＦＤ−
ＬＣＤ）の点欠陥の無いアクティブマトリクス液晶表示
装置を提供することにある。
ＬＣＤ）の点欠陥の無いアクティブマトリクス液晶表示
装置を提供することにある。
本発明は、薄膜二端子素子の一方の端子が画素電極に接
続され、他方の端子がリード電極に接続され、これら全
てが素子基板上に形成され、この素子基板が、液晶を介
して、対向ストライプ電極が形成されている対向基板と
、直交する形で張り合わされた構造の薄膜二端子素子型
アクティブマトリクス液晶表示装置において、 同一のリード電極に薄膜２端子素子を通して接続される
３個以上の隣接する画素電極が、１本の対向ストライプ
電極と対向していることを特徴とする。
続され、他方の端子がリード電極に接続され、これら全
てが素子基板上に形成され、この素子基板が、液晶を介
して、対向ストライプ電極が形成されている対向基板と
、直交する形で張り合わされた構造の薄膜二端子素子型
アクティブマトリクス液晶表示装置において、 同一のリード電極に薄膜２端子素子を通して接続される
３個以上の隣接する画素電極が、１本の対向ストライプ
電極と対向していることを特徴とする。
本発明により得られたＴＦＤ−ＬＣＤでは、周辺の駆動
回路を複雑にせずに、また、開口率も高く保ったまま、
冗長度を上げている。
回路を複雑にせずに、また、開口率も高く保ったまま、
冗長度を上げている。
３個以上の画素電極で１画素を構成すると、そのうちの
１画素電極が欠陥になっても、他の２画素電極が正常に
動作するならば、これらの３画素電極で構成される画素
は、殆ど正常に動作する。
１画素電極が欠陥になっても、他の２画素電極が正常に
動作するならば、これらの３画素電極で構成される画素
は、殆ど正常に動作する。
以下に本発明の実施例を示す。
（実施例Ｉ）
本実施例により得られる薄膜二端子素子を用いたアクテ
ィブマトリクスＬＣＤの１画素の平面図を第１図に示し
、断面図を第２図に示す。
ィブマトリクスＬＣＤの１画素の平面図を第１図に示し
、断面図を第２図に示す。
本実施例は、４００ Ｘ ６４０画素、対角９．３イン
チのカラー液晶デイスプレィに本発明を適用したもので
ある。このデイスプレィの場合、画素ピッチは、縦横共
に、０．３１２ｍｍである。カラーフィルタは、縦スト
ライプ型のカラーフィルタを使用したので、１画素は縦
長になっている。第１図は、非線形抵抗層６を含むＴＦ
Ｄ素子が形成されている素子基板上に形成された、縦長
の１画素分の平面構造と、それと液晶層９を介して対向
する対向基板上の対向ストライプ電極８とを示している
。このように、１画素は３画素電極２に分割され、各画
素電極に、画素接続電極４を介してＴＦＤ素子が接続さ
れている。これらの３ＴＦＤ素子は全て同一のリード電
極３に接続され、また、３画素電極も液晶層９を介して
、同一の対向ストライプ電極８に接続される。このよう
な構造により、周辺の駆動回路を複雑にせずに、また、
開口率も高く保ったまま、冗長度を上げている。なお第
２図において、１は下部ガラス基板、１０は上部ガラス
基板である。下部ガラス基板１を５ｉｎ２等のガラス保
護層で被覆することも多いが、不可欠なものではないの
で被覆を省略することもでき、本実施例では省略してい
る。
チのカラー液晶デイスプレィに本発明を適用したもので
ある。このデイスプレィの場合、画素ピッチは、縦横共
に、０．３１２ｍｍである。カラーフィルタは、縦スト
ライプ型のカラーフィルタを使用したので、１画素は縦
長になっている。第１図は、非線形抵抗層６を含むＴＦ
Ｄ素子が形成されている素子基板上に形成された、縦長
の１画素分の平面構造と、それと液晶層９を介して対向
する対向基板上の対向ストライプ電極８とを示している
。このように、１画素は３画素電極２に分割され、各画
素電極に、画素接続電極４を介してＴＦＤ素子が接続さ
れている。これらの３ＴＦＤ素子は全て同一のリード電
極３に接続され、また、３画素電極も液晶層９を介して
、同一の対向ストライプ電極８に接続される。このよう
な構造により、周辺の駆動回路を複雑にせずに、また、
開口率も高く保ったまま、冗長度を上げている。なお第
２図において、１は下部ガラス基板、１０は上部ガラス
基板である。下部ガラス基板１を５ｉｎ２等のガラス保
護層で被覆することも多いが、不可欠なものではないの
で被覆を省略することもでき、本実施例では省略してい
る。
本実施例のＴＦＤ−ＬＣＤは、次のようにして製作した
。すなわち、まず下部ガラス基板Ｉ上にクロムＣｒを１
１００ｎ形成し、通常のフォトリソグラフィ法によりパ
ターン化し、画素接続電極４を形成する。
。すなわち、まず下部ガラス基板Ｉ上にクロムＣｒを１
１００ｎ形成し、通常のフォトリソグラフィ法によりパ
ターン化し、画素接続電極４を形成する。
続いて非線形抵抗層６として、ＳｉＨ４ガスとＮ２ガス
を用いてグロー放電分解法により下部ガラス基板ｌおよ
び画素接続電極４上に窒化シリコン層を１５０ｎｍ形成
した。このときの窒化シリコン層を形成するときのガス
混合比Ｓ ｉ Ｈａ／ Ｎ ｚは０．０８であった。
を用いてグロー放電分解法により下部ガラス基板ｌおよ
び画素接続電極４上に窒化シリコン層を１５０ｎｍ形成
した。このときの窒化シリコン層を形成するときのガス
混合比Ｓ ｉ Ｈａ／ Ｎ ｚは０．０８であった。
その後、Ｃｒを１１００ｎ形成しフォトリソグラフィ法
によりパターン化し、リード電極３を形成した。ここで
、第６図に示された従来例と同じく、リード電極は外部
に引き出されて、同時に形成された端子部に接続される
。
によりパターン化し、リード電極３を形成した。ここで
、第６図に示された従来例と同じく、リード電極は外部
に引き出されて、同時に形成された端子部に接続される
。
続いて、画素電極２として酸化インジウム−スズ（通常
ｆＴＯとよばれている）をパターン化し形成する。
ｆＴＯとよばれている）をパターン化し形成する。
続いて、上部ガラス基板７上にＩＴＯ膜を形成、パター
ン化し、対向ストライプ電極８とした。これは第６図に
示した従来例のＴＦＤ−ＬＣＤパネルと同様であり、ま
た通常の単純マルチプレックスＬＣＤとも殆ど同一であ
る。下部ガラス基板ｌと上部ガラス基板７とは配向処理
を施したのち、ガラスファイバ等のスペーサを介して張
り合わし、通常のエポキシ接着剤によりシールした。セ
ル厚は５μｍとした。
ン化し、対向ストライプ電極８とした。これは第６図に
示した従来例のＴＦＤ−ＬＣＤパネルと同様であり、ま
た通常の単純マルチプレックスＬＣＤとも殆ど同一であ
る。下部ガラス基板ｌと上部ガラス基板７とは配向処理
を施したのち、ガラスファイバ等のスペーサを介して張
り合わし、通常のエポキシ接着剤によりシールした。セ
ル厚は５μｍとした。
その後、ＴＮ型液晶、・を注入し液晶層９とした。
これを封止してＴＦＤ−ＬＣＤを完成した。
このデイスプレィの画像評価を行ったところ、コントラ
ストは３０：１以上あったが、駆動電圧は２５Ｖであっ
た。
ストは３０：１以上あったが、駆動電圧は２５Ｖであっ
た。
欠陥画素の評価は、本実施例によるパネルでは、１画素
を構成する３画素電極のうち、２画素電極以上が欠陥に
なれば、欠陥パネルとした。試作り。
を構成する３画素電極のうち、２画素電極以上が欠陥に
なれば、欠陥パネルとした。試作り。
た１００パネル中、欠陥パネルは５であった。本実施例
と同一表示規模の従来型のＴＦＤ−ＬＣＤパネルでは、
１００パネル試作中、１個以上の点欠陥を有するパネル
は５６パネルであった。ここで従来型と呼ぶ構造は、１
画素を３分割せずに、１画素に１画素電極を対応させる
構造のものである。
と同一表示規模の従来型のＴＦＤ−ＬＣＤパネルでは、
１００パネル試作中、１個以上の点欠陥を有するパネル
は５６パネルであった。ここで従来型と呼ぶ構造は、１
画素を３分割せずに、１画素に１画素電極を対応させる
構造のものである。
このように、本発明により、パネルの欠陥率は一桁以上
改善された。
改善された。
（実施例２）
本実施例は、１画素を３画素電極で構成する代わりに、
１画素を５画素電極で構成し、各画素電極にＴＦＤ素子
を接続させた以外は、実施例１と全く同一である。コン
トラスト、駆動電圧共に、実施例１と同一であった。
１画素を５画素電極で構成し、各画素電極にＴＦＤ素子
を接続させた以外は、実施例１と全く同一である。コン
トラスト、駆動電圧共に、実施例１と同一であった。
欠陥画素の評価は、本実施例によるパネルでは、１画素
を構成する５画素電極のうち、３画素以上が欠陥になれ
ば、欠陥パネルとした。試作した１００パネル中、欠陥
パネルは、２パネルであった。
を構成する５画素電極のうち、３画素以上が欠陥になれ
ば、欠陥パネルとした。試作した１００パネル中、欠陥
パネルは、２パネルであった。
パネル欠陥率は、実施例１の１／２以下になった。
以上の各実施例においては、非線形性材料として窒化シ
リコン系のみを述べたが、本発明はそれに限定されず、
種々の酸化物、窒化物、炭化物の非線形材料に適用でき
る。
リコン系のみを述べたが、本発明はそれに限定されず、
種々の酸化物、窒化物、炭化物の非線形材料に適用でき
る。
以上説明したように、本発明によれば、ＴＦＤＬＣＤの
画素欠陥の発生が非常に少なくなり、パネルの欠陥率が
著しく低下する。従って、パネルの低コスト化が容易に
なる。
画素欠陥の発生が非常に少なくなり、パネルの欠陥率が
著しく低下する。従って、パネルの低コスト化が容易に
なる。
第１図は本発明によるＴＦＤ−ＬＣＤの一実施例の断面
図、 第２図は第１図の実施例によるＴＦＤ基板の断面図、 第３図はＴＦＤ−ＬＣＤの一般的な等価回路を示す図、 第４図〜第６図は従来のＴＦＤ−ＬＣＤの例を示したも
のであり、窒化シリコン系ＴＦＤ素子を用いた構造の断
面図を第４図に示し、酸化タンタル系ＴＦＤ素子を・用
いた構造のうち、ＴＦＤ素子が形成されている基板の平
面図を第５図に示し、Ｔ Ｆ Ｄ −Ｌ ＣＤパネルの
一部の透視構造平面図を第６図に示す。 ・下部ガラス基板 ・画素電極 ・リード電極 ・画素接続電極 ・端子部 ・非線形抵抗層 ・上部ガラス基板 ・対向ストライプ電極 ・液晶層 ・上部電極 ・データ信号線 ・非線形抵抗素子 ・液晶素子 ・走査信号線
図、 第２図は第１図の実施例によるＴＦＤ基板の断面図、 第３図はＴＦＤ−ＬＣＤの一般的な等価回路を示す図、 第４図〜第６図は従来のＴＦＤ−ＬＣＤの例を示したも
のであり、窒化シリコン系ＴＦＤ素子を用いた構造の断
面図を第４図に示し、酸化タンタル系ＴＦＤ素子を・用
いた構造のうち、ＴＦＤ素子が形成されている基板の平
面図を第５図に示し、Ｔ Ｆ Ｄ −Ｌ ＣＤパネルの
一部の透視構造平面図を第６図に示す。 ・下部ガラス基板 ・画素電極 ・リード電極 ・画素接続電極 ・端子部 ・非線形抵抗層 ・上部ガラス基板 ・対向ストライプ電極 ・液晶層 ・上部電極 ・データ信号線 ・非線形抵抗素子 ・液晶素子 ・走査信号線
Claims (1)
- （１）薄膜二端子素子の一方の端子が画素電極に接続さ
れ、他方の端子がリード電極に接続され、これら全てが
素子基板上に形成され、この素子基板が、液晶を介して
、対向ストライプ電極が形成されている対向基板と、直
交する形で張り合わされた構造の薄膜二端子素子型アク
ティブマトリクス液晶表示装置において、 同一のリード電極に薄膜２端子素子を通して接続される
３個以上の隣接する画素電極が、１本の対向ストライプ
電極と対向していることを特徴とする薄膜２端子素子型
アクティブマトリクス液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1258724A JPH03122618A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1258724A JPH03122618A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03122618A true JPH03122618A (ja) | 1991-05-24 |
Family
ID=17324208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1258724A Pending JPH03122618A (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03122618A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997034190A1 (fr) * | 1996-03-12 | 1997-09-18 | Seiko Epson Corporation | Dispositif d'affichage a cristaux liquides |
| US9736921B2 (en) | 2015-10-06 | 2017-08-15 | Tokyo Electron Limited | Method for impedance matching of plasma processing apparatus |
-
1989
- 1989-10-05 JP JP1258724A patent/JPH03122618A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997034190A1 (fr) * | 1996-03-12 | 1997-09-18 | Seiko Epson Corporation | Dispositif d'affichage a cristaux liquides |
| US9736921B2 (en) | 2015-10-06 | 2017-08-15 | Tokyo Electron Limited | Method for impedance matching of plasma processing apparatus |
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