JP2001083521A

JP2001083521A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP2001083521A
Application number: JP26233699A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Kawada; 靖川田; Takashi Yamaguchi; 剛史山口; Hitoshi Hado; 仁羽藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1999-09-16
Filing date: 1999-09-16
Publication date: 2001-03-30

Abstract

(57)【要約】【課題】光透過率が高く信頼性の良好なマルチドメイン
型の液晶表示装置を提供することにある。【解決手段】液晶をマトリクス状に駆動するための能
動素子を有する能動素子基板１と、これに対向して配置
された対向基板２と、を備え、対向基板上には、チルト
方向を制御するための畝状構造体４が形成されている。
能動素子基板と対向基板とを位置合わせるするための位
置合わせマーク９と、畝状構造体を形成する材料と、同
一の材料により、同一のプロセスによって形成されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マルチドメイン型
の液晶表示装置に関し、特に、薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと称する）などの能動素子により駆動される
高精細型の液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶素子を用いた表示装置は、軽量、薄
型、低消費電力などの特徴を有するため、ＯＡ機器、情
報端末、時計、テレビ等さまざまな分野に応用されてい
る。特に、ＴＦＴ素子を用いた液晶表示装置は、その応
答性から携帯テレビやコンピュータなどの多くの情報を
含むデータの表示用モニタに用いられている。

【０００３】近年、情報量の増加に伴い、画像の精細度
や表示速度の一層の向上が要求され始めている。精細度
の向上には、ＴＦＴアレイ構造の微細化により対応がな
されている。一方、光のスイッチングを行う液晶層で
は、画素の微細化に伴い、単位時間辺りの動作速度が短
くなるため、液晶材料の応答速度が現在のモードより２
倍〜数十倍速いものが要求されている。

【０００４】これらの要求を満たす液晶モードとしてネ
マチック液晶を用いたＯＣＢ方式、ＶＡＮ方式、ＢＡＮ
方式、π配列方式、スメクチック液晶を用いた界面安定
型強誘電性液晶（ＳＳＦＬＣ）方式、反強誘電性液晶方
式が検討されている。

【０００５】特に、ＶＡＮ型配向モードは、従来のツイ
ストネマチック型（ＴＮ）モードより速い応答性が得ら
れることや、垂直配向処理の採用により、従来静電気破
壊など不良原因の発生が危惧されていたラビンク配向処
理工程を削減可能なことから、近年注目されている液晶
表示モードである。更に、ＶＡＮ配向型モードでは、視
野角の補償設計が比較的容易なことから、広い視野角を
実現するためのマルチドメイン型ＶＡＮモードが注目さ
れている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このマルチドメイン型
垂直配向モード（以下ＭＶＡと称する）は、液晶に電界
を印加する電極と液晶分子を配列させる配向膜との間に
畝状の構造物を形成することにより配向領域を分割する
方式、液晶分子に電界を印加する電極の一部を欠落させ
ることにより、その部位での液晶分子の電界変形を制御
して配向分割をする方式、および基板面に対して横方向
に電界を発生させるような電極構造により配向分割する
方式などが代表的である。

【０００７】これらの方式では、液晶をマトリクス状に
駆動するための能動素子基板上と、これに対向して配置
される対向コモン電極付きの基板上のそれぞれに畝構造
物や電極欠落部が設けられ、配向分割位置とマトリクス
を構成する画素電極構造とが所定の配置で向かい合うよ
うに、能動素子基板と対向基板とを位置合わせして貼り
合わせている。

【０００８】ここで、一般的な構成では、対向基板上に
形成された着色層であるカラーフィルタ材料や、これを
補助するために設けられた遮光層としてのＢＭ（ブラッ
クマトリックス）層材料により、位置合わせ用の目印が
形成されるため、配向分割を司る畝状構造体を所定位置
に形成し易く、基板貼り合せ時の位置合わせも容易とな
る。

【０００９】一方、マトリクス構成を精細化し、かつ、
高い光透過率を確保し易くするために、従来対向基板上
に形成されていたカラーフィルタ層や遮光層を能動素子
基板上に形成した新しい構造（ＣＯＡ構造）の液晶表示
装置が提案され、実用化され始めている。この構造で
は、基板貼り合せ時の位置合わせが不要となり、対向基
板には透明電極層のみ形成されている。

【００１０】このため、対向基板上に配向分割を司る畝
状構造体を形成する場合には、基板面上の座標基準が存
在していないことから、所定位置への畝状構造の形成が
困難であった。また、組み立て時の位置合わせ目印も無
いため、配向分割位置と能動素子基板上のマトリクス位
置とを正確に合わせることが困難であった。

【００１１】更に、配向分割を司る畝状構造体が、液晶
層に電場を印加する電極と液晶層を配列させる配向層と
の間に介在していることから、上下基板間の電気的な対
称性が崩れ、表示ムラなどを生じ信頼性の低下等も懸念
されている。

【００１２】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、基板貼り合せ時の位置合わせが
不可能であったＣＯＡ構造の液晶表示装置においても位
置合わせが可能となり、高精細で高い光透過率を実現
し、表示ムラなどの信頼性低下を回避可能なマルチドメ
イン型の液晶示装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明に係る液晶表示装置は、液晶をマトリクス
状に駆動するための能動素子を有した能動素子基板と、
上記能動素子基板に対向配置された対向基板と、上記能
動素子基板と対向基板との間に挟持された液晶材料と、
上記対向基板に形成され、液晶分子配向のチルト方向を
制御するチルト制御部と、上記能動素子基板と対向基板
との位置合わせをするための目印と、を備え、上記チル
ト制御部を形成した材料と、上記目印を形成した材料と
は同一であり、上記チルト制御部と目印とは同一のプロ
セスにより形成されていることを特徴としている。

【００１４】また、この発明の液晶表示装置によれば、
上記チルト制御部と目印とを形成する材料は、波長３５
０ｎｍから８２０ｎｍの範囲において光の吸収または反
射を示すことを特徴としている。

【００１５】更に、この発明の液晶表示装置によれば、
上記チルト制御部と目印とを形成する材料の比抵抗値ρ
は、ρ_Lcを液晶材料の比抵抗値とした場合、ρ_Lc×１０
^３Ω・cm＜ρ＜ρ_LcΩ・cmの範囲に設定されていること
を特徴としている。

【００１６】ここで、液晶分子のチルト方向を制御する
ための手段としては、液晶分子に電場を印加するための
電極の一部または周囲が電気的な欠落を示す構造（以
下、スリット構造と称する）、あるいは液晶層と直接接
する配向膜と液晶層に電界を印加するための電極間に形
成された畝状構造物が挙げられる。

【００１７】この場合、スリット上またはその近傍で
は、液晶表示装置の基板間に印加される電場の揺らぎに
より液晶分子を構成する材料の誘電異方性に対応した液
晶分子の傾き方向を一義的に決定することが提案されて
いる。これらの電場の揺らぎ多方向成分を持つことでド
メインを形成し、液晶表示装置の視野角を広げることが
できる。

【００１８】また、後者の畝状構造物の場合には、畝状
構造体自身の傾斜面による液晶分子の傾斜（プレチル
ト）と、畝状構造体による電圧降下により液晶分子の傾
き方向を一義的に決定することができる。

【００１９】スリット構造の形成には、一般的にＰＥＰ
工程が用いられる。この工程では、液晶層に電界を印加
するＩＴＯ電極を形成する際に、レジストにより所望の
パターンを形成しエッチング工程により電極パターンを
形成する。

【００２０】一方、畝状構造体を形成する際もスリット
と同様に、レジストによるパターニングが用いられる。
この場合には、所望の畝状構造体をレジスト材料により
形成するのみで実現できるため、スリットを形成する場
合と比較して、時間的にもコスト的にも有利となる。

【００２１】畝状構造体を形成する材料は、有機材料ま
たは無機材料のいずれでも良い。一般的には、絶縁性を
示す材料であれば使用可能である。特に、本発明におけ
る畝状構造体を構成する材料の比抵抗値がρ_Lc×１０^３
Ω・cm＜ρ＜ρ_LcΩ・cmを満足する範囲では、ＭＶＡモ
ードの表示装置において問題となる表示画質の信頼性低
下を引き起こすことが少なく、この条件を満たす畝状材
料であれば、有機、無機を問わず使用可能である。

【００２２】畝状構造体の着色性に関して、一般的に、
透過率を考慮すると、可視光領域に吸収または反射が存
在しない材料が用いられる。本発明においては、畝状構
造材料自身によりセル組み立て時の合わせマーク形成を
行うことから、一般的な畝状構造材料と異なり、３５０
ｎｍから８２０ｎｍの間において光の吸収または反射を
示す材料を用いることが可能となる。

【００２３】上記波長領域に吸収または反射を示す材料
系を用いることにより、従来透明な材料した用いること
ができなかった場合と比較して、材料選択範囲を広げる
ことができる。

【００２４】更に、着色材料を使用することが可能とな
ることにより、本発明の特徴である畝状構造体の比抵抗
値を所定の範囲に設定するための材料設計範囲を広げる
ことが可能になることを確認した。

【００２５】これらの観点より、本発明の畝状構造体材
料としては、上記仕様範囲を満たす材料であり、かつ、
所定の処理工程により畝状構造に加工可能な材料であれ
ば使用可能である。特に、使用可能な代表的な材料とし
ては、感光性を有するノボラック系レジスト材料、アク
リル系材料、エポキシ系材料をベースとするネガまたは
ポジ型材料と、これらの樹脂材料の比抵抗を最適化する
ために添加されるカーボンなどの導電性微粒子材料が好
ましい。

【００２６】更に、樹脂自体に導電性を示すようなポリ
アニリン、ポリピロール、ＴＣＮＱ、ポリアセチレンな
どの有機導電性高分子材料などを用いることも可能であ
る。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明の実施の形態に係る液晶表示装置およびその画素構
成を詳細に説明する。

【００２８】図１に示すように、液晶表示装置は、所定
の隙間を置いて対向配置された能動素子１および対向基
板２と、これらの基板間に挟持された液晶層１０とを備
えている。アレイ基板１上には、ＴＦＴ２３、信号配線
２４、２５、画素電極２６、および画素電極２６の下部
に位置した絶縁層２７が形成され、各画素電極２６は、
コンタクト部１１を介して信号線２５に接続されてい
る。また、各画素電極２６には、配向分割用のスリット
部６が形成されている。

【００２９】また、対向基板２には、透明電極３が表示
領域全面に亘って形成されているとともに、透明電極上
には、能動素子基板１上の各画素電極２６の所定位置に
対向側の畝状構造体の所定位置が配置されるようにパタ
ーニングされた畝状構造４が形成されている。アレイ基
板１および対向基板２の液晶層１０と直接接触する界面
には、それぞれ液晶分子に配向を与えるための配向膜
７、８がそれぞれ形成されている。

【００３０】対向基板２において、畝状構造体４の外周
部には、能動素子基板１上の画素電極２６と対向基板２
上の畝状構造体４との位置合わせを行うための位置合わ
せマーク９が、畝状構造体４をパターニングする工程と
同じ工程により形成されている。そして、能動素子基板
１と対向基板２とを対向配置する際、これらの位置合わ
せマーク９を、能動素子基板１上に予め形成された位置
合わせマーク１２と重ね合わせることにより、精度良く
配向分割領域を形成することができる。

【００３１】能動素子基板１の各画素電極２７には配向
分割用のスリット部６が形成され、対向基板２に設けら
れた畝状構造体４との相互作用により、所定の配向分割
領域が形成される。そして、能動素子基板１と対向基板
２との間に、液晶層１０が充填されることにより、電気
的に制御可能な液晶表示装置が形成される。

【００３２】図２は、上記構成の液晶表示装置におい
て、画素内ドメインを分割する際に畝状構造体４の比抵
抗値による電化蓄積の回避、および配向分割時の電界の
様子を模式的に示している。

【００３３】対向基板２上の畝状構造体４が、能動素子
基板１上の画素電極２６に対して所定位置で対向するこ
とにより、畝状構造体４と画素電極２６のスリット部６
との相互作用により、配向分割領域が形成される。

【００３４】ここで、能動素子基板１および対向基板２
に形成された畝構造体の比抵抗が液晶層１０の比抵抗値
に対して特定の関係を満たすと、畝状構造体周辺では、
上下の電極間に形成される電気力線の密度が変化し、電
界離散領域２９、２０１を形成する。

【００３５】更に、スリット部６および畝状構造体４近
傍の液晶分子配向は、画素電極２６に形成されたスリッ
ト部６により形成される漏れ電界と、畝状構造体４の傾
斜面によって誘起される傾きとにより、それぞれ初期配
向チルト（以下、プレチルトと称する）２０２、２０３
を形成する。このプレチルト２０２、２０３方向と、電
界離散領域２９、２０１によって形成される湾曲した電
気力線２０４、２０５と、は、互いに同じ方向への液晶
分子の傾斜を形成する働きを生じする。これらの相乗効
果により、配向分割領域２０６、２０７が安定に形成さ
れる。

【００３６】一方、畝状構造物としての畝状構造体４お
よびスリット部６は、電気的特性としては液晶層１０よ
り一桁ほど低い抵抗性を示すが、能動素子基板１上の画
素電極２６や対向基板２上の透明電極３と比較すると絶
縁体に近い。そのため、液晶素子構成を電気的な等価回
路で構成した場合を考えると、配向膜と電極との間に絶
縁層を介在させた回路構成となる。

【００３７】配向膜の厚さと畝状構造物の厚さとでは、
畝状構造物の厚さの法が約二桁ほど大きいことから、畝
状構造物の比抵抗値が液晶材料の比抵抗値ρ_LcΩ・cm
（一般値としては１０¹³〜１０¹⁴Ω・cm）より大きい場
合、液晶層／配向膜層／畝状構造物層間における電荷の
移動は、畝状構造物層の絶縁性により支配され、局所的
な電界蓄積を起こすことが確認された。

【００３８】更に、畝状構造物の比抵抗値がρ_Lc×１０
^３Ω・cm以下の場合、畝状構造物による電圧降下が小さ
いため、畝状構造物近傍での電界離散が発生せず、畝状
構造物の傾斜面により制御された液晶分子のチルト方向
への傾斜を補助できず、安定な配向分割領域が形成され
ないことも確認された。

【００３９】従って、畝状構造物材料の比抵抗値をρ_Lc
×１０^３Ω・cm＜ρ＜ρ_LcΩ・cmの範囲に設定すること
により、局所的な電荷蓄積を生じることなく、表示ムラ
などの信頼性低下を回避できる液晶表示装置を得ること
ができる。

【００４０】上記のように構成された液晶表示装置によ
れば、従来液晶素子組み立て時に能動素子基板と対向基
板との位置合わせが不可能であった表示装置構造におい
て、畝状構造物と位置合わせマークとを同時に、かつ、
同一材料で形成することにより、畝状構造物の位置合わ
せ、および液晶素子組み立て時の位置合わせを容易に行
うことができる。これにより、液晶表示装置の生産性お
よび表示性能の向上を図ることができる。

【００４１】更に、着色材料を用いるために、従来困難
であった比抵抗値の設計範囲が拡大し、表示ムラなどの
信頼性低下を回避可能な液晶表示装置を得ることができ
る。

【００４２】次に、本発明の複数の実施例および比較例
について説明する。実施例１図３を参照しながら、実施例１に係る液晶表示装置をそ
の製造工程に沿って説明する。まず、能動素子基板１上
にＴＦＴ２３、信号配線２４、２５、絶縁膜２７を形成
した後、画素ＩＴＯ膜をスパッタ蒸着装置を用いて成膜
し、所定のマスクパターンを用いてＩＴＯ電極の一部が
欠落した幅５μｍのスリット部６を有する画素電極２６
を形成する。能動素子基板１と対向して配置される対向
基板２上には、透明電極としての厚さ１００ｎｍのＩＴ
Ｏ膜をスパッタ蒸着装置を用いて形成する。

【００４３】また、アクリル系感光性樹脂にフタロシア
ニン系色素を混合した有色樹脂膜をＩＴＯ膜上に厚さ
１．２μｍで成膜した後、所定のマスクパターンを用い
て畝状構造体４、および液晶素子組み立て時に用いる位
置合わせマーク９を同時に形成する。

【００４４】能動素子基板１および対向基板２の液晶層
１０と接する界面に、それぞれ液晶分子を垂直方向に配
向させるための配向膜を厚さ７０ｎｍとなるように成膜
し、１８０℃で３０分焼成することにより、配向膜７，
８を形成する。

【００４５】次に、能動素子基板１と対向基板２を厚さ
４μｍの間隔を保つように、直径４μｍの樹脂スペーサ
を介して貼り合せ、液晶表示素子用の空セルを形成す
る。この時、畝状構造体４と同時に対向基板２に形成さ
れた位置合わせマーク９と、能動素子基板１に予め形成
された位置合わせマーク１２とをそれぞれ合わせ込むこ
とにより、配向分割位置のずれを５μｍ以下とした。

【００４６】その後、通常の方法により、能動素子基板
１と対向基板２との間に、誘電異方性が負である液晶材
料を注入することにより、液晶表示素子を構成する。続
いて、偏光軸が互いに直交するように設定された偏光フ
ィルム３１、３２を、それぞれ能動素子基板１および対
向基板２の外面に貼付することにより、液晶表示装置を
構成した。

【００４７】上記のように構成された液晶表示装置にお
いて、対向基板２の透明電極３と能動素子基板１の画素
電極２６との間に電場を印加することにより、液晶分子
は基板面に平行な配列へと変形した。そして、対向基板
２の透明電極３上に形成された畝状構造体４と、能動素
子基板１上の画素電極２６とのそれぞれ効果により、液
晶分子のチルト方向が制御された配向分割領域３０３、
３０４が形成された。また、液晶表示装置を通常の方法
によって駆動し光透過率を測定したところ、液晶表示素
子の開口率が６０％の構造において、トータルの光透過
率は５．５％であった。

【００４８】比較例１として、以下に示す液晶表示装置
を作成した。図４を参照して、その構成を製造工程に沿
って説明する。比較例１まず、能動素子基板１上にＴＦＴ２３、信号配線２４、
２５、絶縁膜２７を形成した後、画素ＩＴＯ膜をスパッ
タ蒸着装置を用いて成膜し、所定のマスクパターンを用
いてＩＴＯ電極の一部が欠落した幅５μｍのスリット部
６を有した画素電極２６を形成する。能動素子基板１と
対向して配置される対向基板２上には、予め有効表示範
囲を決定しセル組み立て時の位置合わせを行うための遮
光部および位置合わせマーク４３を形成しておき、更
に、透明電極としての厚さ１００ｎｍのＩＴＯ膜をスパ
ッタ蒸着装置を用いて形成する。

【００４９】また、アクリル系感光性樹脂をＩＴＯ膜上
に厚さ１．２μｍで成膜した後、所定のマスクパターン
を用いて畝状構造体４４を形成する。ここで、畝状構造
体４４の位置合わせは、予め対向基板２上に形成されて
いるアライメントマークを用いて行い、合わせずれは２
μｍ以下に制御した。

【００５０】能動素子基板１および対向基板２の液晶層
１０と接する界面に、それぞれ液晶分子を垂直方向に配
向させるための配向膜を厚さ７０ｎｍとなるように成膜
し、１８０℃で３０分焼成することにより、配向膜７，
８を形成する。

【００５１】次に、能動素子基板１と対向基板２とを厚
さ４μｍの間隔を保つように、直径４μｍの樹脂スペー
サを介して貼り合せ、液晶表示素子用の空セルを形成す
る。この時、対向基板２上に予め形成されたセル組み立
て用の合わせマークと能動素子基板１上に予め形成され
た位置合わせマークとを、５μｍ以下のずれで合わせ込
むことによりセル組み立てを行った。このため、畝状構
造体４４と能動素子基板１上の画素電極２６とにより構
成される配向分割位置のずれ量は、セル組み立て時の５
μｍと畝状構造体４４形成時のずれ量２μｍとの和であ
る７μｍであった。

【００５２】その後、通常の方法により、能動素子基板
１と対向基板２との間に、誘電異方性が負である液晶材
料を注入することにより、液晶表示素子を構成する。続
いて、偏光軸が互いに直交するように設定された偏光フ
ィルム３１、３２を、それぞれ能動素子基板１および対
向基板２の外面に貼付することにより、液晶表示装置を
構成した。

【００５３】上記のように構成された液晶表示装置にお
いて、対向基板２の透明電極３と能動素子基板１の画素
電極２６との間に電場を印加することにより、液晶分子
は基板面に平行な配列へと変形した。そして、対向基板
２の透明電極３上に形成された畝状構造体４４と、能動
素子基板１上の画素電極２６とのそれぞれ効果により、
液晶分子のチルト方向が制御された配向分割領域４０
３、４０４が形成された。また、液晶表示装置を通常の
方法によって駆動し光透過率を測定したところ、液晶表
示素子の開口率が６０％の構造において、トータルの光
透過率は４．５％であった。

【００５４】実施例２前述した実施例１と同様のプロセスにより、図５に示す
液晶表示装置を構成した。ここで、対向基板２上に形成
した畝状構造体５１の材料には、アクリル系感光性樹脂
にカーボンブラックを０．０１％混合した材料を用いる
ことで、畝状構造体５１の比抵抗値を３．９×１０¹²Ω
・cmに設定した。

【００５５】このように構成された液晶表示装置を通常
の方法によって駆動し光透過率を測定したところ、液晶
表示素子の開口率が６０％の構造において、トータルの
光透過率は５．５％であった。更に、特定の表示状態を
８時間保持した後に、表示画面を切り替えた時、前の表
示状態が残る具合（一般的には焼き付きと称される）を
評価した結果、殆ど確認できない画質レベルであった。

【００５６】比較例２−１前述した実施例１と同様のプロセスにより液晶表示装置
し、ただし、対向基板２上に形成した畝状構造体の材料
には、アクリル系感光性樹脂にカーボンブラックを０．
０００１％混合した材料を用いることで、畝状構造体の
比抵抗値を５．４×１０¹⁴Ω・cmに設定した。

【００５７】このように構成された液晶表示装置を通常
の方法によって駆動し光透過率を測定したところ、液晶
表示素子の開口率が６０％の構造において、トータルの
光透過率は５．５％であった。更に、特定の表示状態を
８時間保持した後に、表示画面を切り替えた時、前の表
示状態が残る具合を評価した結果、明かに前の表示状態
が確認できる画質レベルであった。

【００５８】比較例２−２前述した実施例１と同様のプロセスにより、図６に示す
液晶表示装置を構成した。ここで、対向基板６０上に形
成した畝状構造体６１の材料には、アクリル系感光性樹
脂にカーボンブラックを１０％混合した材料を用いるこ
とで、畝状構造体６１の比抵抗値を７．２×１０¹⁰Ω・
cmに設定した。

【００５９】このように構成された液晶表示装置を通常
の方法によって駆動し光透過率を測定したところ、畝状
構造体６１による液晶分子のチルト制御は形成されてお
らず、シュリーレン組織と呼ばれる不規則な配向分割状
態６２が形成された。この時の液晶表示素子の開口率が
６０％の構造において、トータルの光透過率は４．５％
であった。ただし、特定の表示状態を８時間保持した後
に、表示画面を切り替えた時、前の表示状態が残る具合
を評価した結果、殆ど確認できない画質レベルであっ
た。

【００６０】実施例３前述した実施例１と同様のプロセスにより液晶表示装置
を構成した。ここで、対向基板２上に形成した配向層に
は、垂直配向膜に０．０１％の酸化アンチモンを加え比
抵抗値を４×１０¹³Ω・cmに設定した材料を用いて厚さ
６０ｎｍに成膜し、配向膜６，８を形成した。

【００６１】このように構成された液晶表示装置を通常
の方法によって駆動し光透過率を測定したところ、液晶
表示素子の開口率が６０％の構造において、トータルの
光透過率は５．３％であった。更に、特定の表示状態を
８時間保持した後に、表示画面を切り替えた時、前の表
示状態が残る具合を評価した結果、殆ど確認できない画
質レベルであった。

【００６２】比較例３前述した実施例１と同様のプロセスにより液晶表示装置
を構成した。ここで、対向基板２上に形成した配向層に
は、垂直配向膜を用いて厚さ６０ｎｍに成膜し、配向膜
６，８を形成した。

【００６３】このように構成された液晶表示装置を通常
の方法によって駆動し光透過率を測定したところ、液晶
表示素子の開口率が６０％の構造において、トータルの
光透過率は５．５％であった。更に、特定の表示状態を
８時間保持した後に、表示画面を切り替えた時、前の表
示状態が残る具合を評価した結果、殆ど確認できない画
質レベルであった。

【００６４】上記のように構成された実施例１、２、
３、および比較例１、２−１、２−２、３に係る液晶表
示装置の表示特性を以下の表１に示す。

【００６５】

【表１】

【００６６】この表１からも分かるように、実施例１、
２、３に係る液晶表示装置では、パターンの合わせずれ
による透過率の低下が生じず、また、所定の比抵抗値を
示す畝状構造体材料と配向膜材料とを用いることによ
り、画質低下の無い信頼性の高い液晶表示装置を提供す
ることができる。特に、実施例１、２、３の相互効果に
より、畝状構造体材料および配向膜材料の選択範囲が広
がり、液晶表示装置の表示特性の向上および生産性の向
上に大きく寄与することができることが分かる。

【００６７】

【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、一方またはそれぞれ基板面に形成された液晶分子の
チルト方向を制御するための手段を備えたマルチドメイ
ン型の液晶表示装置において、従来からの素子形態を大
きく変更することなく、畝状構造体と位置合わせマーク
とを特定波長範囲の吸収または反射を満たす材料により
同時に形成し、更に、畝状構造体材料と配向膜材料との
比抵抗値を所定範囲に設定することにより、組み立て時
の合わせ精度と比抵抗値設計による信頼性向上により、
高い光透過率と画質の信頼性を確保した液晶表示装置を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態に係る液晶表示装置を示
す断面図。

【図２】上記液晶表示装置の電界状態を模式的に示す
図。

【図３】この発明の実施例１に係る液晶表示装置を示す
断面図。

【図４】比較例１に係る液晶表示装置を示す断面図。

【図５】この発明の実施例２に係る液晶表示装置を示す
断面図。

【図６】比較例２−２に係る液晶表示装置を示す断面
図。

【符号の説明】

１…能動素子基板２…対向基板３…透明電極４、４４、５１、６１…畝状構造体６…スリット部７、８…配向膜９…位置合わせマーク１０…液晶層２３…ＴＦＴ２４、２５…信号配線２６…画素電極２９、２０１…電界離散領域２０２、２０３…プレチルト２０６、２０７…配向分割領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者羽藤仁埼玉県深谷市幡羅町１丁目９番２号株式会社東芝深谷工場内Ｆターム(参考） 2H090 HA03 HA08 HA16 HB07X HD11 KA04 LA01 MA01 MA15 2H092 GA17 HA04 JA24 KB21 MA14 NA01 PA01 PA02 QA06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶をマトリクス状に駆動するための能動
素子を有した能動素子基板と、上記能動素子基板に対向配置された対向基板と、上記能動素子基板と対向基板との間に挟持された液晶材
料と、上記対向基板に形成され、液晶分子配向のチルト方向を
制御するチルト制御部と、上記能動素子基板と対向基板との位置合わせをするため
の目印と、を備え、上記チルト制御部を形成した材料と、上記目印を形成し
た材料とは同一であり、上記チルト制御部と目印とは同一のプロセスにより形成
されていることを特徴とするマルチドメイン型の液晶表
示装置。
【請求項２】上記チルト制御部と目印とを形成する材料
は、波長３５０ｎｍから８２０ｎｍの範囲において光の
吸収または反射を示すことを特徴とする請求項１に記載
の液晶表示装置。
【請求項３】上記チルト制御部と目印とを形成する材料
の比抵抗値ρは、ρ_Lcを液晶材料の比抵抗値とした場
合、以下の範囲に設定されていることを特徴とする請求
項１に記載の液晶表示装置。 ρ_Lc×１０^３Ω・cm＜ρ＜ρ_LcΩ・cm
【請求項４】上記能動素子基板および対向基板は、上記
液晶材料と接する配向膜をそれぞれ備え、上記配向膜の
比抵抗値は、上記範囲に設定されていることを特徴とす
る請求項３に記載の液晶表示装置。