JPH0445427A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH0445427A JPH0445427A JP2154574A JP15457490A JPH0445427A JP H0445427 A JPH0445427 A JP H0445427A JP 2154574 A JP2154574 A JP 2154574A JP 15457490 A JP15457490 A JP 15457490A JP H0445427 A JPH0445427 A JP H0445427A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非線形抵抗素子を用いた薄膜二端子素子型ア
クティブマトリクス液晶表示素子に関する。
クティブマトリクス液晶表示素子に関する。
近年、ツィステッド・ネマチック型（ＴＮ型）を中心と
した液晶表示素子（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や
電卓の分野で大量に用いられている。それに加え、文字
図形等の任意の表示が可能なマトリクス型も使われ始め
ている。この画素をマトリクス状に配したマトリクス型
ＬＣＤの応用分野を広げるためには、表示容量の増大が
必要である。しかし、従来のＬＣＤの電圧−透過率特性
の立上りはあまり急峻ではないので、表示容量を増加さ
せるためにマルチプレックス駆動の走査本数を増加させ
ると、選択画素と非選択画素との各々にかかる実効電圧
比は低下し、選択がその透過率低下と非選択画素の透過
率増加というクロストークが生じる（偏光板をパラレル
に配置したノーマリブラックの場合）。その結果、表示
コントラストが著しく低下し、ある程度のコントラスト
が得られる視野角も狭くなり、従来のＬＣＤでは、走査
本数は６０本ぐらいが高画質の限界である。
した液晶表示素子（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や
電卓の分野で大量に用いられている。それに加え、文字
図形等の任意の表示が可能なマトリクス型も使われ始め
ている。この画素をマトリクス状に配したマトリクス型
ＬＣＤの応用分野を広げるためには、表示容量の増大が
必要である。しかし、従来のＬＣＤの電圧−透過率特性
の立上りはあまり急峻ではないので、表示容量を増加さ
せるためにマルチプレックス駆動の走査本数を増加させ
ると、選択画素と非選択画素との各々にかかる実効電圧
比は低下し、選択がその透過率低下と非選択画素の透過
率増加というクロストークが生じる（偏光板をパラレル
に配置したノーマリブラックの場合）。その結果、表示
コントラストが著しく低下し、ある程度のコントラスト
が得られる視野角も狭くなり、従来のＬＣＤでは、走査
本数は６０本ぐらいが高画質の限界である。
最近、スーパー・ツィステッド・ネマチック型（ＳＴＮ
型）といわれるものがあるが、コントラストはＴＮ型よ
りも優れているものの応答が遅いという大きな欠点があ
る。
型）といわれるものがあるが、コントラストはＴＮ型よ
りも優れているものの応答が遅いという大きな欠点があ
る。
このマトリクス型ＬＣＤの表示容量を大幅に増加させる
ために、ＬＣＤの各画素にスイッチング素子を直列に配
置したアクティブマトリクスＬＣＤが提案されている。
ために、ＬＣＤの各画素にスイッチング素子を直列に配
置したアクティブマトリクスＬＣＤが提案されている。
これまでに発表されたアクティブマトリクスＬＣＤの試
作品のスイッチング素子には、アモルファスＳｉやポリ
Ｓｉを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子（ＴＰＴ
）が多く用いられている。また一方では、製造及び構造
が比較的簡単であるため、製造工程が簡略化でき、高歩
留り、低コスト化が期待される薄膜二端子素子（以下Ｔ
ＦＤと略す）を用いたアクティブマトリクスも注目され
ている。このＴＦＤは回路的には非線形抵抗素子である
。
作品のスイッチング素子には、アモルファスＳｉやポリ
Ｓｉを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子（ＴＰＴ
）が多く用いられている。また一方では、製造及び構造
が比較的簡単であるため、製造工程が簡略化でき、高歩
留り、低コスト化が期待される薄膜二端子素子（以下Ｔ
ＦＤと略す）を用いたアクティブマトリクスも注目され
ている。このＴＦＤは回路的には非線形抵抗素子である
。
このような薄膜二端子素子型アクティブマトリクスＬＣ
Ｄ （以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において一番実用化
に近いと考えられているＬＣＤはＴＦＤに金属−非線形
抵抗体−金属構造を有する素子（以下ＭＩＭ素子または
ＭＩＭと略す）を用いたＬＣＤ （以下ＭＩ Ｍ−ＬＣ
Ｄと略す）である。ＭＩＭのようなＴＦＤを液晶と直列
に接続することにより、ＴＦＤの電圧−電流特性の高非
線形により、ＴＦＤ−液晶の電圧−透過率変化特性の立
上がりは急峻になり、液晶表示素子の走査本数を大幅に
増やすことが可能になる。このＴＦＤＬＣＤの等価回路
を第５図に示す。
Ｄ （以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において一番実用化
に近いと考えられているＬＣＤはＴＦＤに金属−非線形
抵抗体−金属構造を有する素子（以下ＭＩＭ素子または
ＭＩＭと略す）を用いたＬＣＤ （以下ＭＩ Ｍ−ＬＣ
Ｄと略す）である。ＭＩＭのようなＴＦＤを液晶と直列
に接続することにより、ＴＦＤの電圧−電流特性の高非
線形により、ＴＦＤ−液晶の電圧−透過率変化特性の立
上がりは急峻になり、液晶表示素子の走査本数を大幅に
増やすことが可能になる。このＴＦＤＬＣＤの等価回路
を第５図に示す。
ＭＩＭ素子において、最も重要な材料は非線形抵抗体の
材料である。最も知られている非線形抵抗体材料として
は酸化タンタルが知られている。
材料である。最も知られている非線形抵抗体材料として
は酸化タンタルが知られている。
このようなＭＩＭを用いたＬＣＤの従来例は、論文では
、例えば、Ｄ、Ｒ，Ｂａｒａｆｆ、ｅｔ ａｌ、、 ”
ＴｈｅＯｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ＭｅｔａトＩ
ｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｎｏｎ１ｉｎｅａｒ
Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏｒ Ｕｓｅ ｉｎ Ｍｕｌｔｉｐ
ｌｅｘｅｄ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌ
ａｙ″ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ、ｖｏｌ、ＥＤ−２８，ＰＰ７３６−７３
９（１９８１）、及び両角伸冶、他、著２５０Ｘ２４０
画素のラテラルＭＩＭ−ＬＣＤテレビジョン学会技術報
告（ＩＰＤ８Ｂ−８＞、ｐ３９−４４．１９８３年１２
月発行）に代表的に示される。
、例えば、Ｄ、Ｒ，Ｂａｒａｆｆ、ｅｔ ａｌ、、 ”
ＴｈｅＯｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ＭｅｔａトＩ
ｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｎｏｎ１ｉｎｅａｒ
Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏｒ Ｕｓｅ ｉｎ Ｍｕｌｔｉｐ
ｌｅｘｅｄ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌ
ａｙ″ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ、ｖｏｌ、ＥＤ−２８，ＰＰ７３６−７３
９（１９８１）、及び両角伸冶、他、著２５０Ｘ２４０
画素のラテラルＭＩＭ−ＬＣＤテレビジョン学会技術報
告（ＩＰＤ８Ｂ−８＞、ｐ３９−４４．１９８３年１２
月発行）に代表的に示される。
このようなＭＩＭ素子を大容量のデイスプレィに適用す
るときに要求される特性は、素子を流れる電流（Ｉ）と
印加電圧（Ｖ）をＩ ＝Ａ −Ｖ’（ａは定数）と表し
たときの非線形係数ａが大きいこと、電流電圧特性が印
加電圧の極性に無関保に正負対称であること及びＭＩＭ
素子の容量が小さいことである。ところが、非線形抵抗
体として酸化タンタルを用いたＭＩＭ素子は対象性は良
いが非線形係数が５〜６とそれほど大きくなく、また誘
電率も大きいため素子容量が大きい等の欠点を有してい
る。
るときに要求される特性は、素子を流れる電流（Ｉ）と
印加電圧（Ｖ）をＩ ＝Ａ −Ｖ’（ａは定数）と表し
たときの非線形係数ａが大きいこと、電流電圧特性が印
加電圧の極性に無関保に正負対称であること及びＭＩＭ
素子の容量が小さいことである。ところが、非線形抵抗
体として酸化タンタルを用いたＭＩＭ素子は対象性は良
いが非線形係数が５〜６とそれほど大きくなく、また誘
電率も大きいため素子容量が大きい等の欠点を有してい
る。
そこで、誘電率の小さい窒化シリコンがＭＩＭ素子用非
線形抵抗体として開発されている。例えば、Ｍ、 ５ｕ
ｚｕｋｉ ｅｔ ａｔ Ａ Ｎｅｗ Ａｃｔｉｖｅ
ＤｉｏｄｅＭａｔｒｉｘ ＬＣＤ ｕｓｉｎｇ Ｏ
ｆｆ ｓｔｏｉｃｈｏｍｅｔｒｉｃ ５ｉＮｘＬａｙ
ｅｒ″Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ
、 Ｖｏｌ、２８ ｐ１０１１０４．１９８７を参照。
線形抵抗体として開発されている。例えば、Ｍ、 ５ｕ
ｚｕｋｉ ｅｔ ａｔ Ａ Ｎｅｗ Ａｃｔｉｖｅ
ＤｉｏｄｅＭａｔｒｉｘ ＬＣＤ ｕｓｉｎｇ Ｏ
ｆｆ ｓｔｏｉｃｈｏｍｅｔｒｉｃ ５ｉＮｘＬａｙ
ｅｒ″Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ
、 Ｖｏｌ、２８ ｐ１０１１０４．１９８７を参照。
これまでの従来型のＭＩＭ−ＬＣＤの構造を次に示す。
窒化シリコン系ＭＩＭ素子を用いた構造の断面図を第６
図に示し、ＭＩＭ素子が形成されている基板の平面図を
第７図に示し、ＭＩＭ−Ｌ ＣＤの一部の透視構造平面
図を第８図に示す。
図に示し、ＭＩＭ素子が形成されている基板の平面図を
第７図に示し、ＭＩＭ−Ｌ ＣＤの一部の透視構造平面
図を第８図に示す。
第６図は、薄膜二端子素子接続電極２を下部電極とし、
その上に非線形抵抗体３の窒化シリコンが成膜され、リ
ード電極４及び画素接続電極１２が上部電極として成膜
されている。また、画素室ｆｉ７は画素接続電極１２と
接続されている。
その上に非線形抵抗体３の窒化シリコンが成膜され、リ
ード電極４及び画素接続電極１２が上部電極として成膜
されている。また、画素室ｆｉ７は画素接続電極１２と
接続されている。
方、第８図に示すようにリード電極４は液晶セルの外ま
で引出され、駆動回路に接続される。対向透明電極１０
は、リード電極４と直交し、画素電極７にほぼ対応する
幅でストライブ状にパターン化され、駆動回路に接続さ
れる。リード電極４は第５図に示すデータ電極１３才た
は走査電極１７のいずれか一方に対応し、対向透明電極
１０はデータ電極１３または走査電極１７の残りに対応
する。
で引出され、駆動回路に接続される。対向透明電極１０
は、リード電極４と直交し、画素電極７にほぼ対応する
幅でストライブ状にパターン化され、駆動回路に接続さ
れる。リード電極４は第５図に示すデータ電極１３才た
は走査電極１７のいずれか一方に対応し、対向透明電極
１０はデータ電極１３または走査電極１７の残りに対応
する。
薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示素子は
ＴＦＴ型アクティブマトリクス液晶表示素子に比べ構造
が簡単なため作製が容易であり、さらに単純マトリクス
液晶表示素子に比べ大容量の表示ができることで注目さ
れている。
ＴＦＴ型アクティブマトリクス液晶表示素子に比べ構造
が簡単なため作製が容易であり、さらに単純マトリクス
液晶表示素子に比べ大容量の表示ができることで注目さ
れている。
しかし、従来の薄膜二端子素子では液晶を駆動させるた
めに長時間電圧を印加すると非線形抵抗体の電流−電圧
特性が変化し表示が変化してしまう。
めに長時間電圧を印加すると非線形抵抗体の電流−電圧
特性が変化し表示が変化してしまう。
本発明の目的は、非線形抵抗体の電流−電圧特性が変化
しても液晶表示素子の表示特性は変化しない薄膜二端子
素子型液晶表示素子を提供することにある。
しても液晶表示素子の表示特性は変化しない薄膜二端子
素子型液晶表示素子を提供することにある。
本発明によれば、非線形抵抗素子を介してリード電極と
画素電極とが接続されてなる下部基板と、画素電極と対
応して対向透明径を設けた上部基板と、この上部下部基
板に挟まれた液晶とからなる液晶表示素子において、非
線形抵抗素子と直列に定抵抗体を設けたことを特徴とす
る液晶表示素子が得られる。
画素電極とが接続されてなる下部基板と、画素電極と対
応して対向透明径を設けた上部基板と、この上部下部基
板に挟まれた液晶とからなる液晶表示素子において、非
線形抵抗素子と直列に定抵抗体を設けたことを特徴とす
る液晶表示素子が得られる。
本発明における薄膜二端子素子型アクティブマトリクス
液晶素子を、その１画素の例を示した第１図に基づいて
説明する。
液晶素子を、その１画素の例を示した第１図に基づいて
説明する。
薄膜二端子素子の構造は下部電極として２つの非線形抵
抗体３を接続する薄膜二端子素子接続電極２を用いてい
る。この薄膜二端子素子接続電極２の上に非線形抵抗体
３を設け、その上に下部電極と直交する形で下部電極の
両端にリード電極４と定抵抗接続電極５を下部電極との
交差面積を同一にするように形成している。さらに定抵
抗接続電極５は定抵抗体６を通して画素電極７と接続し
ている。これにより、２つの薄膜二端子素子と定抵抗体
及び画素電極が直列に接続された構造になっている。
抗体３を接続する薄膜二端子素子接続電極２を用いてい
る。この薄膜二端子素子接続電極２の上に非線形抵抗体
３を設け、その上に下部電極と直交する形で下部電極の
両端にリード電極４と定抵抗接続電極５を下部電極との
交差面積を同一にするように形成している。さらに定抵
抗接続電極５は定抵抗体６を通して画素電極７と接続し
ている。これにより、２つの薄膜二端子素子と定抵抗体
及び画素電極が直列に接続された構造になっている。
これにより第４図の電流−電圧特性に示すように非線形
抵抗体の電流電圧特性が変化しなとしても、非線形抵抗
体と定抵抗体を合わせた電流−電圧特性の駆動電圧付近
での電流−電圧特性は変らない、したがって、この薄膜
二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示素子は、非
線形抵抗体の電流−電圧特性が変化しても液晶の表示特
性は変化することがない。
抵抗体の電流電圧特性が変化しなとしても、非線形抵抗
体と定抵抗体を合わせた電流−電圧特性の駆動電圧付近
での電流−電圧特性は変らない、したがって、この薄膜
二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示素子は、非
線形抵抗体の電流−電圧特性が変化しても液晶の表示特
性は変化することがない。
以下に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図および第２図は、本実施例により得られる８Ｍ二
端子素子を用いたアクティブマトリクスＬＣＤの１画素
の断面図およびその下部基板面上の平面図である。下部
ガラス基板１を５ｉ０２等のガラス保護層で被覆するこ
とも多いが、不可欠なものではないので省略することも
でき、本実施例では省略している。まず下部電極として
Ｃｒを３００から６００Ａ程度形成し、通常のフォトリ
ソグラフィ法により薄膜二端子素子の下部電極となる薄
膜二端子素子接続電！！ｉ２を形成する。
端子素子を用いたアクティブマトリクスＬＣＤの１画素
の断面図およびその下部基板面上の平面図である。下部
ガラス基板１を５ｉ０２等のガラス保護層で被覆するこ
とも多いが、不可欠なものではないので省略することも
でき、本実施例では省略している。まず下部電極として
Ｃｒを３００から６００Ａ程度形成し、通常のフォトリ
ソグラフィ法により薄膜二端子素子の下部電極となる薄
膜二端子素子接続電！！ｉ２を形成する。
次に非線形抵抗体３としてＳｉＨ４ガスとＮ２ガスを用
いてグロー放電分解法により窒化シリコン層を８０ＯＡ
から２０００Ａ程度形成する。続いて上部電極としてＣ
ｒを１００ＯＡ形成し、フォトリングラフィ法によりパ
ターン化し、リード電極４と定抵抗接続電極５となる。
いてグロー放電分解法により窒化シリコン層を８０ＯＡ
から２０００Ａ程度形成する。続いて上部電極としてＣ
ｒを１００ＯＡ形成し、フォトリングラフィ法によりパ
ターン化し、リード電極４と定抵抗接続電極５となる。
その後窒化シリコンをフォトリソグラフィ法によりパタ
ーン化する。
ーン化する。
さらにＴａを約１０ＯＡ形成し、フォトリングラフィ法
により蛇行型の細長い形にパターン化し定抵抗体６を形
成する。その後、画素電［７として酸化インジウム−ス
ズ（通常ＩＴＯとよばれている）をパターン化形成する
。
により蛇行型の細長い形にパターン化し定抵抗体６を形
成する。その後、画素電［７として酸化インジウム−ス
ズ（通常ＩＴＯとよばれている）をパターン化形成する
。
上部ガラス基板上にＩＴＯ膜を形成、パターン化し、対
向透明電極１０とした。これは第６図に示した従来例の
薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶パネルと同
様であり、また通常の単純マトリクスＬＣＤともほとん
ど同一である。下部ガラス基板１と上部ガラス基板１１
とは配向処理をほどこした後ガラスファイバ等のスペー
サを介して張合わされ、通常のエポキシ系接着剤により
シールした。セル厚は５μｍとした。
向透明電極１０とした。これは第６図に示した従来例の
薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶パネルと同
様であり、また通常の単純マトリクスＬＣＤともほとん
ど同一である。下部ガラス基板１と上部ガラス基板１１
とは配向処理をほどこした後ガラスファイバ等のスペー
サを介して張合わされ、通常のエポキシ系接着剤により
シールした。セル厚は５μｍとした。
その後ＴＮ型液晶を注入し液晶層９とした。これを封止
して薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶素子を
完成しな。
して薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶素子を
完成しな。
実施例では非線形抵抗体を窒化シリコンに限ったが、こ
の化シリコンカーバイドや酸化シリコンなどでも同様な
効果が得られた。
の化シリコンカーバイドや酸化シリコンなどでも同様な
効果が得られた。
本発明を適用するならば非線形抵抗体の電流−電圧特性
が変化しても薄膜二端子素子全体の駆動電圧付近での電
流−電圧特性は変化しない。これにより、非線形抵抗体
の電流−電圧特性が変化しても液晶の表示はほとんど変
化しなくなった。
が変化しても薄膜二端子素子全体の駆動電圧付近での電
流−電圧特性は変化しない。これにより、非線形抵抗体
の電流−電圧特性が変化しても液晶の表示はほとんど変
化しなくなった。
第１図は本発明による薄膜二端子素子型アクティブマト
リクス液晶素子の実施例の断面図、第２図は平面図、第
３図は本発明による薄膜二端子素子型アクティブマトリ
クス液晶素子の等価回路、贅４図は前記薄膜二端子素子
の電流−電圧特性を示す図、第５図はＴＦＤ−ＬＣＤの
一般的な等価回路、第６図、第７図、第８図は従来の薄
膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶素子の例を示
した断面図、平面図、透視構造平面図である。 １・・・下部ガラス電極、２・・・薄膜二端子素子接続
電極、４・・・リード電極、５・・・定抵抗接続電極、
６・・・定抵抗体、７・・・画素電極、８・・・配向膜
、９・・・液晶層、１０・・・対向透明電極、１１・・
・上部ガラス電極、１２・・・画素接続電極、１３・・
・データ電極、１４・・・非線形抵抗素子、１５・・・
定抵抗素子、１６・・・液晶素子、１７・・・走査電極
、１８・・・端子部。
リクス液晶素子の実施例の断面図、第２図は平面図、第
３図は本発明による薄膜二端子素子型アクティブマトリ
クス液晶素子の等価回路、贅４図は前記薄膜二端子素子
の電流−電圧特性を示す図、第５図はＴＦＤ−ＬＣＤの
一般的な等価回路、第６図、第７図、第８図は従来の薄
膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶素子の例を示
した断面図、平面図、透視構造平面図である。 １・・・下部ガラス電極、２・・・薄膜二端子素子接続
電極、４・・・リード電極、５・・・定抵抗接続電極、
６・・・定抵抗体、７・・・画素電極、８・・・配向膜
、９・・・液晶層、１０・・・対向透明電極、１１・・
・上部ガラス電極、１２・・・画素接続電極、１３・・
・データ電極、１４・・・非線形抵抗素子、１５・・・
定抵抗素子、１６・・・液晶素子、１７・・・走査電極
、１８・・・端子部。
Claims (1)
- 非線形抵抗素子を介してリード電極と画素電極とが接続
されてなる下部基板と、前記画素電極と対応して対向透
明電極を設けた上部基板と、この上下部基板に挟まれた
液晶とからなる液晶表示素子において、前記非線形抵抗
素子と直列に定抵抗体を設けたことを特徴とする液晶表
示素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154574A JPH0445427A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 液晶表示素子 |
| DE69124642T DE69124642T2 (de) | 1990-06-13 | 1991-06-13 | Nachbildfreie Matrix-Flüssigkristallanzeige mit Metall-Isolator-Metall-Elementen |
| US07/714,967 US5299040A (en) | 1990-06-13 | 1991-06-13 | Metal-insulator-metal type active matrix liquid crystal display free from image sticking |
| EP91109700A EP0461648B1 (en) | 1990-06-13 | 1991-06-13 | Metal-insulator-metal type matrix liquid cristal display free from image sticking |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154574A JPH0445427A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445427A true JPH0445427A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15587204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2154574A Pending JPH0445427A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0445427A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58172690A (ja) * | 1982-04-01 | 1983-10-11 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶電気光学装置 |
| JPS63250627A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-18 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 電気光学装置 |
| JPS63303322A (ja) * | 1987-06-03 | 1988-12-09 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS6476038A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-22 | Seiko Instr & Electronics | Electrooptical device |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP2154574A patent/JPH0445427A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58172690A (ja) * | 1982-04-01 | 1983-10-11 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶電気光学装置 |
| JPS63250627A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-18 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 電気光学装置 |
| JPS63303322A (ja) * | 1987-06-03 | 1988-12-09 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS6476038A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-22 | Seiko Instr & Electronics | Electrooptical device |
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