JP3712774B2 - 液晶表示素子 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明はIPS(イン・プレイン・スイッチング)方式の液晶表示素子(パッシブ型及びアクティブ型)に関し、特に白輝度の低下と、コントラスト及び視角特性の劣化の防止に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、液晶表示素子(以下LCDと言う)は軽量・薄型・低消費電力などの特性を生かし、各種情報機器端末やビデオ機器などに使用されている。これらのLCDはTN(ツイスト・ネマチック)やSTN(スーパー・ツイスト・ネマチック)形に代表されるLCDが大部分であった。しかしこの従来のLCDは実用化されているが、視野角が比較的狭いという問題があった。
【0003】
このような点から、イン・プレイン・スイッチング(IPS:In−Plane−Switching)方式のLCDの提案がなされている(例えば文献JAPAN DISPLAY ’92−547〜550 R.Kiefer他、“P2−30 In−Plane Switching of Nematic Liquid Crystals”)。このIPS方式のLCDは走査電極と信号電極が櫛歯状に形成された基板と、電極が形成されていない基板との間に液晶が封入された構造をしている。
【0004】
例えば図3に示すように、ガラスのような透明基板11,12の周囲がシール材13で封止固定され、これら基板11,12、シール材13によって形成された空間内にn形液晶(誘電率異方性が負の液晶)14が封入される。一方の基板12の内面に、図4Aに示すような一対の櫛歯状の画素電極15と対向電極16とが互いに噛みあった状態で形成され、他方の基板11には電極は形成されていない。基板11,12の各内面に配向膜17,18がそれぞれ形成され、これら配向膜17,18はそれぞれ、電極15,16の各歯の長手方向と直交する方向に配向処理がなされている。その配向方向をそれぞれ印19,20で示す。従って液晶14の液晶分子14aの長軸は電極15,16の各歯の長手方向と直角な方向で、かつ基板11,12とそれぞれ平行に配向されている。基板11,12の外面にそれぞれ偏光板21,22が形成され、一方の偏光板21の偏光方向23は配向方向19と同一とされているが、他方の偏光板22の偏光方向24は配向方向20、偏光方向23と直交する方向とされている。また、液晶は電極15,16の各歯の長手方向と平行な方向で、かつ基板11,12とそれぞれ平行に配向されたp形液晶(誘電率異方性が正の液晶)でもよい。
【0005】
図3に示した電極15,16間に電圧を印加しない状態では、このLCDに入射された光はその入射側の偏光板例えば21により直線偏光とされ、その偏光方向と液晶分子14aの長軸方向とが一致しているから、偏光方向を変えられることなく液晶14を透過するため、出射側の偏光板22に達した光の偏向方向はその偏光板22の偏向方向と直交し、遮断される。
【0006】
しかし電極15,16間に電圧を印加すると、これら電極15,16の間の電界により液晶分子14aの長軸方向が、図4Bに示すように電極の歯の長手方向と平行する方向に曲げられる。よって基板11側から入射され、偏光板21により直線偏光とされた光は液晶14を透過中に液晶14の複屈折により楕円偏光に変化し、偏光板22を透過する。
【0007】
このようなLCDにより画像を表示するには、例えば図4Aに示した一対の電極15,16を、各画素対応に設け、その各一対の電極の一方を走査電極とし、他方を信号電極とする。即ち従来の単純マトリクス(XYマトリックス)方式と同様の表示方法である。この他図5に示すように各画素に対応して電極15,16と共にスイッチング素子としてTFT(薄膜トランジスタ)33を形成し、列状のソースバス35を信号電極、行状のゲートバス36を走査電極として各画素を選択的に表示する現行のTFTアクティブマトリクス方式と同様の表示方法もある。また、TFTのような三端子スイッチング素子以外にダイオードやバリスタ等の二端子スイッチング素子を用いる場合もある。
【0008】
このIPS方式LCDは図3Bに示すように、基板11,12間の真中における基板11,12と平行な面に対し、対称構造になっているため、視野角が広いと云われ、前記英文の文献において、電子計算機によるシミュレーションの結果は従来のTNやSTN形のLCDよりも視角依存性が小さいことが示されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
(1)画素電極15及び対向電極16をクロムまたは酸化クロムなどを用いた遮光層で形成した場合には、透明基板12上に画素電極15と対向電極16とが各画素に対応して形成されているため、両電極間の表示領域(1画面分の合計)の画面全体に対する割合、つまり開口率が従来のIPS方式でない普通のLCD(対向電極が透明基板11の内面に形成されている)に比べて可なり小さいので、白輝度が低くなる問題があった。
【0010】
即ち、図2のBに示すように、画素電極15及び対向電極16の幅及び両電極の間隔をいずれも10μmとした実験モデルでは、黒輝度は0.5cd/m2 と低く問題ないが、白輝度が84cd/m2 と低い値を示している。
(2)一方、両電極をITOなどの透明層で形成した場合には、開口率は上述と変らないが、両電極を光が透過するので白輝度が高くなる。しかし黒輝度も同時に高くなり、コントラストが低下する問題があった。即ち、図2のCに示すように、上記と同じ寸法で両電極を形成したモデルでは、白輝度が110cd/m2 、黒輝度が1.0cd/m2 と両者共高い値を示し、これらの比で与えられるコントラストは110となり、Bの場合のコントラスト168に比べて可なり低いことが分る。
【0011】
また透明層で電極を形成した場合、画面の光の透過率が高いため、偏光板特性(2枚の偏光板の軸角度を直交させる構造では、画面の斜め方向から見た場合光ぬけが起こる性質がある)の影響を受け易くなり、この結果視角特性が劣化する問題があった。
(3)この発明は、従来の電極に遮光層のみを用いる場合のような白輝度の低下や、透明層のみを用いる場合のようなコントラスト及び視角特性の劣化のないLCDを提供することを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】
(1)この発明は、2枚の透明基板が液晶層を挟んで近接対向して配され、その一方の透明基板の内面に画素電極及び対向電極が各画素に対応して形成されているIPS(イン・プレイン・スイッチング)方式液晶表示素子に関する。請求項1の発明では特に、画素電極及び対向電極が、透明層の上に遮光層を重ねた二層構造とされ、その遮光層の幅が透明層の幅の25〜75%の範囲に選定される。
【0013】
(2)請求項2の発明では、画素電極及び対向電極は、幅方向の中心部に遮光層が、その両端に透明層がそれぞれ形成され、その遮光層の幅の合計が電極幅(全体の幅)の25〜75%の範囲に選定される。
【0014】
【発明の実施の形態】
図1の実施例を参照して発明の実施の形態を説明する。ただし図1には図3、図4と対応する部分に同じ符号を付け、重複説明を省略する。
請求項1の発明では、画素電極15及び対向電極16が、透明層40の上に遮光層41を重ねた二層構造とされ、その遮光層41の幅が電極幅(この場合は透明層の幅に等しい)の25〜75%の範囲に選定される。
【0015】
このようにすると、図2Aに示すように白輝度、黒輝度及びコントラストがBの従来の遮光層のみの場合とCの従来の透明層のみの場合のほぼ中間の値となるので、遮光層のみの場合の白輝度の低下や透明層のみの場合のコントラスト及び視角特性の劣化が抑えられる。図2Aは遮光層41の幅を5μm、透明層40の幅及び両層の間隔を共に10μmとしている。遮光層41の幅を電極幅の25%以下にすると遮光層41を併用した効果が小さくなりすぎ、また75%以上にすると透明層40を併用した効果が小さくなりすぎ、いずれの場合も中間の特性が得られなくなる。
【0016】
他の構造として遮光層41の両側に透明層40を設け(図1C)、遮光層41の幅を電極幅の25〜75%に選定することによって、前記図1A,Bの二層構造の場合とほぼ同じ特性が得られる。
前記いずれの場合も、透明層40にITOを、遮光層41にクロムまたは酸化クロムを用いれば、これらの材料は安価に得られるので、画素電極及び対向電極を経済的に形成することができる。
【0017】
【発明の効果】
以上述べたように、この発明では、画素電極及び対向電極は、透明層40と遮光層41を用いそれぞれが電極幅全体の25〜75%の範囲に選定されているので、白輝度及びコントラストは従来の遮光層のみの場合と、透明層のみの場合との中間の値となる。よって、従来の遮光層のみの場合の白輝度の低下及び透明層のみの場合のコントラストや視角特性の劣化(斜め方向の光ぬけ)が防止される。
【0018】
この発明は白輝度を高くできるため、バックライトの低消費電力化にも効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例を示す図で、Aは断面図、BはAの画素電極15及び対向電極16の1画素分の形状の一例を示す平面図、CはAの画素電極15及び対向電極16の他の構造を示す断面図。
【図2】図1Aの実施例の白輝度、黒輝度及びコントラスト特性の一例を従来例と比較して示した図。
【図3】従来のIPS方式LCDの説明に供する図で、Aは要部の分解斜視図、Bは断面図。
【図4】Aは図3の透明基板12上の電極15,16の一例を示す平面図、Bは図3Bの電極15,16間に電界を印加した状態を示す断面図。
【図5】Aは図3のLCDがTFTアクティブマトリクスLCDである場合に、透明基板12の内面に形成された電極15,16を含むTFTアレイの要部の平面図、BはAのa−a′断面図。

Claims (2)

  1. 2枚の基板が液晶層を挟んで近接対向して配され、その一方の基板の内面に画素電極及び対向電極が各画素に対応して形成されているIPS(イン・プレイン・スイッチング)方式の液晶表示素子において、
    前記画素電極及び対向電極が、透明層の上に遮光層を重ねた二層構造とされ、その遮光層の幅が透明層の幅の25〜75%の範囲に選定されていることを特徴とする液晶表示素子。
  2. 2枚の基板が液晶層を挟んで近接対向して配され、その一方の基板の内面に各画素に対応して画素電極及び対向電極が形成されているIPS(イン・プレイン・スイッチング)方式の液晶表示素子において、
    前記画素電極及び対向電極は、幅方向の中心部に遮光層が、その両端に透明層がそれぞれ形成され、その遮光層の幅が電極幅(全体の幅)の25〜75%の範囲に選定されていることを特徴とする液晶表示素子。
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