JP5141536B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、第1基板と、前記第1基板に対向するように配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に電気光学物質と、を含み、前記第1基板は、画素電極と、前記画素電極に対応して設けられた薄膜トランジスタと、前記画素電極に対応して設けられた蓄積容量と、前記薄膜トランジスタに画像信号を供給するデータ線と、前記薄膜トランジスタに走査信号を供給すると共に前記データ線と交差する走査線と、導電性の遮光膜であり、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域と平面的に重なる領域に形成され、本線部と前記本線部の延設方向と交差する方向に前記本線部から突出する突出部とを有し、前記蓄積容量に固定電位を供給する容量線と、 を備え、前記第2基板は、前記チャネル領域と平面的に重なる領域に形成され、前記データ線及び前記走査線に沿って格子状に形成された第1遮光膜を備え、前記容量線は、前記画素電極に対応する画素の開口領域の四隅をそれぞれ前記本線部から前記突出部に延びる一つの辺で隅切る第1張り出し部を有し、前記第1遮光膜は、前記開口領域の四隅をそれぞれ一つの辺で隅切る第2張り出し部を有することを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、前記第2張り出し部の一つの辺は、前記第1張り出し部の一つの辺に沿って形成されていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、前記画素の中心と前記マイクロレンズの中心とは平面視で重なることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする。
また本発明の参考例に係る電気光学装置は、一対の第1及び第2基板間に挟持された電気光学物質と、前記第1基板上に、画素電極と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに画像信号を供給するデータ線と、前記薄膜トランジスタに走査信号を供給すると共に前記データ線と交差する走査線と、を備えており、前記第2基板上に、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域を上側から覆う第1遮光膜を備えており、前記第1遮光膜は、平面的に見て前記データ線及び前記走査線が相交差する交差領域において、前記画素電極に対応する各画素の開口領域に隅切りを規定するように張り出した張り出し部を有し、前記チャネル領域は、前記交差領域内に配置されていることを特徴とする。
よって、各開口領域の隅における光抜けの防止等により、コントラスト比を効率的に高めることができる。同時に、動作不良が小さい隅については、正常動作或いは正常に近い動作が行われるので、この部分を隠さないことで開口領域の一部として利用し、張り出し部の存在による各画素の開口率の低下を抑制することも可能となる。
また、本発明の電気光学装置は、一対の第1及び第2基板間に挟持された電気光学物質と、前記第1基板上に、画素電極と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに画像信号を供給するデータ線と、前記薄膜トランジスタに走査信号を供給すると共に前記データ線と交差する走査線と、を備えており、前記第2基板上に、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域を上側から覆う第1遮光膜を備えており、前記第1遮光膜は、平面的に見て前記データ線及び前記走査線が相交差する交差領域において、前記画素電極の角部を遮光する遮光領域を有し、前記チャネル領域は、前記交差領域内に配置されていると良い。
先ず本発明の実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図1から図4を参照して説明する。図1は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図2は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図3は、図2のA−A’断面図である。図4は、実施形態における対向基板上の遮光膜の平面パターンを抽出して示す部分平面図である。尚、図3においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
先ず、上述した実施形態で採用可能な対向基板20上の遮光膜23の平面パターンの各種変形形態について、図5から図13を参照して説明する。図5から図11は夫々、実施形態において採用可能な、対向基板20側の遮光膜23の平面パターンに係る変形形態を示す部分平面図である。また、図12は、図4の実施形態及び図5から図7の変形形態に係る入射光等の経路と各種遮光膜との関係を図式的に示したものであり、図13は、図8から図11の変形形態に係る入射光等の経路と各種遮光膜との関係を図式的に示したものである。尚、図5から図13においては、図1から図4に示したものと同様の構成要素には同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
以上のように構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成を図16及び図17を参照して説明する。尚、図16は、TFTアレイ基板10をその上に形成された各構成要素と共に対向基板20の側から見た平面図であり、図17は、図16のH−H’断面図である。
更にまた、対向基板20上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、RGB色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに図18は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
Claims (3)
- 第1基板と、
前記第1基板に対向するように配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に電気光学物質と、を含み、
前記第1基板は、
画素電極と、
前記画素電極に対応して設けられた薄膜トランジスタと、
前記画素電極に対応して設けられた蓄積容量と、
前記薄膜トランジスタに画像信号を供給するデータ線と、
前記薄膜トランジスタに走査信号を供給すると共に前記データ線と交差する走査線と、
導電性の遮光膜であり、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層の少なくともチャネル領域と平面的に重なる領域に形成され、本線部と前記本線部の延設方向と交差する方向に前記本線部から突出する突出部とを有し、前記蓄積容量に固定電位を供給する容量線と、
を備え、
前記第2基板は、
前記チャネル領域と平面的に重なる領域に形成され、前記データ線及び前記走査線に沿って格子状に形成された第1遮光膜と、
前記画素電極に対向するように配置されたマイクロレンズと、を備え、
画素の中心と前記マイクロレンズの中心とは平面視で重なり、
前記容量線は、
前記画素電極に対応する画素の開口領域の四隅をそれぞれ前記本線部から前記突出部に延びる一つの辺で隅切る第1張り出し部を有し、
前記第1遮光膜は、
前記開口領域の四隅をそれぞれ一つの辺で隅切る第2張り出し部を有し、前記第1遮光膜の第1方向に延びる第1部分及び前記第1方向に交差する第2部分に対して前記第2張り出し部は略対称となるよう配置されることを特徴とする電気光学装置。 - 前記第2張り出し部の一つの辺は、前記第1張り出し部の一つの辺に沿って形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 請求項1または2に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
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