JPH11352469A

JPH11352469A - 電気光学装置及びこれを用いた電子機器

Info

Publication number: JPH11352469A
Application number: JP10174107A
Authority: JP
Inventors: Osamu Murakami; 治村上
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1998-06-05
Filing date: 1998-06-05
Publication date: 1999-12-24

Abstract

(57)【要約】【課題】薄膜トランジスタに光が照射されることによ
り発生する画像表示性能の劣化を防止する。【解決手段】第１の基板と、第１の基板に対向する第
２の基板と、第１、第２の基板に挟持された電気光学材
料とを備える。前記第１の基板は、マトリクス状に形成
された複数のスイッチング素子および前記複数のスイッ
チング素子にそれぞれ接続された複数の画素電極と、前
記複数のスイッチング素子と前記第１の基板との間に形
成された遮光層と、前記遮光層を挟んで前記複数のスイ
ッチング素子と反対側に前記複数の画素電極にそれぞれ
対応して形成された複数の第１のマイクロレンズと、を
有する。前記第２の基板は、前記複数の画素電極にそれ
ぞれ対応して形成された複数の第２のマイクロレンズを
有する。前記遮光層は、前記第１の基板を平面的に見た
ときに少なくとも前記スイッチング素子の領域を覆うよ
うに形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、与えられた画像
情報に応じて光を変調する電気光学装置及びこれを用い
た電子機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】与えられた画像情報に応じて光を変調す
る電気光学装置は、各種電子機器における直視型の表示
装置として、あるいは、投写型表示装置のライトバルブ
（光変調器）として多く利用されている。このような電
気光学装置の一つとして、液晶を電気光学材料として利
用したアクティブマトリクス方式の液晶パネルがある。
アクティブマトリクス方式の液晶パネルは、個々の画素
にスイッチの役割を果たす薄膜トランジスタ（以下、
「ＴＦＴ」と呼ぶ。）が設けられており、各画素が独立
して制御される。

【０００３】この液晶装置（液晶パネル）は、一般に、
ＴＦＴが実装されたＴＦＴアレイ基板と、これに対向配
置される対向基板と、ＴＦＴアレイ基板と対向基板とに
挟まれた液晶層と、対向基板およびＴＦＴアレイ基板の
液晶層と反対側に設けられた偏光板とを備えている。液
晶装置は、対向基板の側から入射された照明光が液晶層
を通過する際に、画像情報に応じて強度変調し、画像を
表す光を射出する。射出された変調光が結像されて画像
が表示される。

【０００４】ここで、液晶装置に入射した照明光が、Ｔ
ＦＴのチャネル領域やチャネル領域とソースやドレイン
との接合部（以下、「ＴＦＴ領域」と呼ぶこともあ
る。）に入射すると、ＴＦＴ領域において光電変換効果
により電流（以下、「光リーク電流」と呼ぶ。）が発生
してしまいＴＦＴが誤動作する。通常、このようなＴＦ
Ｔ領域への光入射を防止するために、アクティブマトリ
クス方式の液晶装置では、対向基板上の、ＴＦＴに向き
合う部分に、Ｃｒ（クロム）やＡｌ（アルミニウム）等
の金属材料や樹脂ブラックなどからなる遮光層が形成さ
れている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、液晶層を通過
した光のうち一部は、ＴＦＴアレイ基板の界面や、偏光
板等で反射してＴＦＴアレイ基板に再び入射し、このよ
うな反射光（戻り光）のうち一部はＴＦＴ領域を照射す
る場合がある。これにより、ＴＦＴに光リーク電流が発
生して、コントラスト比の低下、表示の色ムラや誤表示
等が発生するという問題がある。また、このような問題
は、液晶以外の電気光学材料、例えば、ＰＬＺＴ（ジル
コン酸チタン酸ランタン）等を用いたアクティブマトリ
クス方式の電気光学装置において共通する問題である。

【０００６】この発明は、従来技術における上述の課題
を解決するためになされたものであり、薄膜トランジス
タに光が照射されることにより発生する画像表示性能の
劣化を防止した電気光学装置及びこれを用いた電子機器
を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
述の課題の少なくとも一部を解決するため、本発明の電
気光学装置は、第１の基板と、前記第１の基板に対向す
る第２の基板と、前記第１、第２の基板に挟持された電
気光学材料と、を備え、前記第１の基板は、マトリクス
状に形成された複数のスイッチング素子および前記複数
のスイッチング素子にそれぞれ接続された複数の画素電
極と、前記複数のスイッチング素子と前記第１の基板と
の間に形成された遮光層と、前記遮光層を挟んで前記複
数のスイッチング素子と反対側に前記複数の画素電極に
それぞれ対応して形成された複数の第１のマイクロレン
ズと、を有しており、前記第２の基板は、前記複数の画
素電極にそれぞれ対応して形成された複数の第２のマイ
クロレンズを有しており、前記遮光層は、前記第１の基
板を平面的に見たときに少なくとも前記スイッチング素
子の領域を覆うように形成されている、ことを特徴とす
る。

【０００８】上記電気光学装置によれば、第１の基板側
から光が入射しても、第１の基板に形成された複数の第
１のマイクロレンズによって集光されてスイッチング素
子に入射する光を抑制することができる。また、第１の
基板上に形成されたスイッチング素子と第１の基板との
間には、第１の基板を平面的に見たときに少なくともス
イッチング素子の領域を覆うように遮光層が形成されて
いる。これにより、第１のマイクロレンズによって集光
しきれずにスイッチング素子に入射する光は遮光層によ
って遮光される。従って、第１の基板側から光が入射し
た場合でも、スイッチング素子に光が入射するのを防止
し、光が入射することによって発生するリーク電流の発
生を抑制することができ、コントラスト比の低下、色む
らや誤表示等の表示性能の劣化を抑制することができ
る。

【０００９】また、第１の基板側から入射した光は第１
のマイクロレンズによって集光され、その一部は電気光
学材料を通過して第２の基板から出射される。通常、透
過型電気光学装置は照明光学系を備えており、この照明
光学系はリフレクタ等の反射手段を備えている。従っ
て、第２の基板から出射して照明光学系に到達した光
を、このリフレクタ等の反射ミラーにより再び反射して
照明光として電気光学装置に入射させることができる。

【００１０】上記電気光学装置において、前記第１の基
板には、さらに、前記マトリクス状に形成されたスイッ
チング素子が接続される複数のデータ線および複数の走
査線が形成されており、前記遮光層は、前記第１の基板
を平面的に見たときに前記複数のデータ線と前記複数の
走査線との少なくとも一方の領域を覆うように形成され
ている、ことが好ましい。

【００１１】上記電気光学装置によれば、第１の基板側
から光が入射した場合であっても、スイッチング素子に
光が入射することを、より確実に防止することができ
る。また、画素電極間の画像情報に応じて制御されない
電気光学材料を透過した光が漏れて、コントラスト比を
低下させることを防止することができる。

【００１２】上記各電気光学装置において、さらに、前
記第１の基板の光出射側に、いずれか一つの偏光軸成分
の光を主に透過し、他の偏光軸成分の光を主に反射する
反射型偏光板を備える、ようにしても良い。

【００１３】通常、第１の基板の光出射側には、いずれ
か一つの偏光軸成分の光を主に透過し、他の偏光軸成分
を主に吸収する吸収型偏光板を備える。上記構成によれ
ば、従来、吸収型偏光板で発生していた光吸収に起因す
る発熱による温度上昇を抑制することができる。また、
偏光板で吸収されて損失していた光を積極的に反射して
照明光学系に戻し、前述のようにそこで反射させて再び
照明光として再利用することもできるので、明るい画像
表示を得ることができる。

【００１４】また、前記第２の基板の光入射側に、いず
れか一つの偏光軸成分の光を主に透過し、他の偏光軸成
分の光を主に反射する反射型偏光板を備える、ようにし
ても良い。

【００１５】第２の基板の光入射側にも、通常、いずれ
か一つの偏光軸成分の光を主に透過し、他の偏光軸成分
を主に吸収する吸収型偏光板を備える。上記構成によれ
ば、同様に、吸収型偏光板で発生していた光吸収に起因
する発熱による温度上昇を抑制することができる。ま
た、偏光板で吸収されて損失していた光を積極的に反射
して照明光学系に戻し、前述のようにそこで反射させて
再び照明光として再利用することもできるので、明るい
画像表示を得ることができる。

【００１６】上記各電気光学装置は、種々の電子機器に
適用することができる。例えば、投写型表示装置の光変
調手段として適用することができる。すなわち、光源
と、光変調手段としての上記各電気光学装置と、前記電
気光学装置から出射された光を投写する投写光学系とを
備えるようにすれば良い。

【００１７】上記電子機器によれば、上記各電気光学装
置を備えているので、スイッチング素子に光が入射する
のを防止し、光が入射することによって発生するリーク
電流の発生を抑制することができる。これにより、コン
トラスト比、色むらや誤表示等の表示性能の劣化を抑制
することができる。また、第１のマイクロレンズで集光
された光の一部を、電気光学装置の照明光として再び利
用することができるので、明るい画像表示を得ることが
できる。特に、電気光学装置の出射側に備える偏光板や
プリズムなどの光学要素で発生する反射光が電気光学装
置の第１の基板に入射して、スイッチング素子に入射す
ることを防止することができる。また、このような光を
照明光として再び利用することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を用いて説明する。なお、以下に示す図は、特に明記
しない限りノンスケールで表されている。

【００１９】Ａ．液晶装置：図１は本発明を適用した電
気光学装置の平面図、図２はそのＨ−Ｈ’線における断
面図である。図１に示すように、液晶装置１００は、液
晶装置用基板３００と、これに対向配置される対向基板
２００と、液晶装置用基板３００および対向基板２００
に挟まれた液晶（液晶層）４００とを備えている。対向
基板２００や液晶装置用基板３００は、板ガラスやネオ
セラム、あるいは石英ガラス等を用いた透明基板であ
る。

【００２０】液晶装置用基板３００の対向基板２００に
対向する面には、後述する画素１２０がマトリクス状に
形成された矩形の表示領域１１０（画面表示領域）と、
この表示領域１１０の外側領域に形成されたデータ線駆
動回路３０２（周辺駆動回路）と、表示領域１１０の両
側に形成された一対の走査線駆動回路３０４（周辺駆動
回路）とを備える。表示領域１１０の各画素には、図２
に示すように、ＩＴＯ膜（Indium Thin Oxide）からな
る画素電極７１５が形成されている。対向基板２００の
液晶装置用基板３００に対向する面には、略全面に対向
電極２１０が形成され、かつ、各画素１２０に対応して
対向側遮光膜（入射側遮光膜）７１７が形成されてい
る。対向電極２１０は、ＩＴＯ膜等の透明導電膜で形成
されている。さらに、対向基板２００には、液晶装置１
００をモジュールとして組み立てた際に光が漏れないよ
うにするために、表示領域１１０の外側縁に沿って周辺
見切り用の遮光膜２３０（「表示画面見切り用の遮光
膜」、「周辺見切り」とも呼ぶ）が形成されている。周
辺見切り２３０は、例えば後に表示領域１１０に対向し
て開口部が設けられた遮光性のケースに液晶装置用基板
３００が入れられた場合に、当該表示領域が製造誤差等
により当該ケースの開口の縁に隠れてしまわないように
構成されている。このため、周辺見切り２３０は、例え
ば液晶装置用基板３００のケースに対する数百μｍ程度
のずれを許容するように、表示領域の周囲に少なくとも
５００μｍ以上の幅を持つ帯状の遮光性材料から形成さ
れている。

【００２１】対向基板２００と液晶装置用基板３００と
は、表示領域１１０の外側で周辺見切り用の遮光膜２３
０の外周縁に沿って形成されたギヤップ材含有のシール
材２４０によって所定のセルギヤップを隔てて貼り合わ
されている。このシール材２４０の内側領域には、液晶
４００が封入されている。シール材２４０は、表示領域
１１０とデータ線駆動回路３０２との間は後述するデー
タ線の上で封止されており、また、表示領域１１０と走
査線駆動回路３０４との間は後述する走査線の上で封止
されている。シール材２４０は、図１に示すように部分
的に途切れており、この途切れ部分に液晶注入口２４１
が構成されている。液晶装置１００の組み立て時には、
対向基板２００と液晶装置用基板３００とを貼り合わせ
た後、シール材２４０の内側領域を減圧状態にして、液
晶注入口２４１から液晶４００を減圧注入する。液晶４
００を封入した後には、液晶注入口２４１は封止剤２４
２で塞がれる。

【００２２】シール材２４０としてはエポキシ樹脂や各
種の紫外線硬化樹脂などが用いられており、グラスファ
イバーやガラスビーズなどからなるギヤップ材が配合さ
れている。液晶４００としては周知のＴＮ（Twisted Ne
matic ）型液晶が用いられるが、これに限らず、水平配
向型、垂直配向型、高分子分散型、強誘電などのメモリ
ー型などの種々のタイプの液晶を適宜用いることができ
る。例えば、液晶４００として、高分子中に微小粒とし
て分散させた高分子分散型液晶を用いれば、配向膜も偏
光板も不要になるため、光利用効率が高くなり、明るい
アクティブマトリクス型の液晶装置１００を提供でき
る。

【００２３】本形態において、対向基板２００は液晶装
置用基板３００よりも小さいので、液晶装置用基板３０
０は、周辺駆動回路が対向基板２００の外周縁よりはみ
出た状態で貼り合わされる。従って、走査線駆動回路３
０４及びデータ線駆動回路３０２は対向基板２００の外
側に位置しており、対向基板２００とは対向していない
ので、ポリイミド等の配向膜や液晶が直流成分によって
劣化するのを防ぐことができる。シール材２４０は、対
向基板２００からみれば基板外周縁に沿って形成されて
いるが、液晶装置用基板３００からみれば内側に形成さ
れている。液晶装置用基板３００には、対向基板２００
より外側の部分に多数の実装端子３０６が形成されてお
り、これらの端子３０６上で、ワイヤボンディング、あ
るいはＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）圧着等
の方法によりフレキシブルプリント配線基板が接続され
る。

【００２４】なお、データ線駆動回路３０２と、走査線
駆動回路３０４と、後述する種々の制御回路（例えば、
プリチャージ回路やサンプリング回路）とは、通常、上
述した液晶装置用基板３００に形成されているが、液晶
装置用基板３００上に必ず設けられている必要はなく、
液晶装置用基板３００とは別の基板等に設けるように構
成しても良い。

【００２５】図３は、本発明の液晶装置の電気的な構成
を示す回路図である。この液晶装置１００は、複数の画
素１２０と、データ線駆動回路３０２と、２つの走査線
駆動回路３０４と、プリチャージ回路３１０と、サンプ
リング回路３２０とを備えている。複数の画素１２０
は、水平方向に伸びる複数本の走査線３３０と、これに
垂直に伸びる複数本のデータ線３３２とに囲まれて、マ
トリクス状に構成されている。これらの複数の画素１２
０は、図１に示した表示領域１１０内に形成されてい
る。複数の走査線３３０は、２つの走査線駆動回路３０
４に接続されている。また、複数のデータ線３３２は、
サンプリング回路３２０を介して画像信号線３２４に接
続されている。なお、プリチャージ回路３１０は、本発
明に必須の要件ではないが、これらの回路を設けると、
輝度むら、コントラストむらを無くすのに有利である。

【００２６】走査線駆動回路３０４は、外部制御回路か
ら供給される電源、基準クロック等に基づいて、所定タ
イミングで走査線３３０（ゲート電極線）に走査信号を
パルス的に線順次で印加する。

【００２７】プリチャージ回路３１０は、複数のデータ
線３３２に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信
号に先行してそれぞれ供給する。プリチャージ回路３１
０は、ＴＦＴ３１２を各データ線３３２毎に備えてお
り、プリチャージ信号線３１４がＴＦＴ３１２のソース
電極に接続されており、プリチャージ回路駆動信号線３
１６がＴＦＴ３１２のゲート電極に接続されている。プ
リチャージ信号線３１４には、プリチャージ信号を書き
込むために必要な所定電圧の電源ＶＳＳＹが外部電源か
ら供給される。プリチャージ回路駆動信号線３１６に
は、プリチャージ回路駆動信号ＰＣＧが外部制御回路か
ら供給される。このとき、プリチャージ回路駆動信号Ｐ
ＣＧは、各データ線３３２について画像信号ＶＩＤに先
行するタイミングでプリチャージ信号を書き込むように
供給される。プリチャージ回路３１０は、好ましくは中
間階調レベルの画素データに相当するプリチャージ信号
（画像補充信号）を供給する。

【００２８】サンプリング回路３２０は、画像信号線３
２４に供給される画像信号ＶＩＤをサンプリングして複
数のデータ線３３２にそれぞれ供給する機能を有する。
サンプリング回路３２０は、ＴＦＴ３２２を各データ線
３３２毎に備えており、画像信号ＶＩＤの供給が行われ
る画像信号線３２４が、ＴＦＴ３２２のソース電極に接
続されており、サンプリング回路駆動信号線３２６がＴ
ＦＴ３２２のゲート電極に接続されている。そして、画
像信号線３２４を介して、画像信号ＶＩＤが入力される
と、この画像信号ＶＩＤをサンプリングする。

【００２９】データ線駆動回路３０２は、外部制御回路
から供給される電源、基準クロック等に基づいて、画像
信号線３２４に画像信号ＶＩＤが供給される際に、走査
線駆動回路３０４が走査信号を印加するタイミングに合
わせて、各データ線３３２毎のサンプリング回路駆動信
号線３２６を介してサンプリング回路３２０にサンプリ
ング駆動信号を供給する。

【００３０】図４は、画素１２０の詳細な構成を示すブ
ロック図である。画素１２０は、画素スイッチング用Ｔ
ＦＴ７２０と、液晶セルＣＥと、蓄積容量ＣＡＰとで構
成されている。このＴＦＴ７２０のソース電極はデータ
線３３２に接続され、ゲート電極は走査線３３０に接続
され、ドレイン電極は画素電極７１５に接続される。液
晶セルＣＥは、画素電極７１５と対向基板２００の対向
電極２１０との間に挟まれた液晶４００により構成さ
れ、画素電極７１５を介してＴＦＴ７２０に接続され
る。蓄積容量ＣＡＰは、ひとつ前の行の走査線３３０
（例えば、ｎ番目の走査線３３０（ｎ）に接続された画
素の場合は、ｎ−１番目の走査線３３０（ｎ−１））
と、画素電極７１５又はＴＦＴ７２０のドレイン電極と
の間に接続される。

【００３１】上記のように、走査線駆動回路３０４およ
びデータ線駆動回路３０２によって選択された走査線３
３０およびデータ線３３２に接続されている画素１２０
がアクティブ状態となる。このとき、サンプリング回路
３２０およびデータ線３３２を介して供給された画像信
号ＶＩＤに応じて、この画素１２０の液晶層４００を通
過する光が偏光軸の回転や光散乱などの変調が施され
て、画像を表す変調光が生成される。これにより、この
液晶装置１００は、入射する光を画像情報に応じて変調
し、画像を表す光を生成する。

【００３２】図５は本発明の液晶装置の概略断面図、図
６はこの液晶装置の液晶装置用基板側からみた概略平面
図を示している。図５は図６のＡ−Ａ’断面図に相当す
る。なお、各図は、以下の説明上特に必要のない構成要
素を省略して示している。また、図１および図２で説明
した構成要素と同じ構成要素であっても、説明の便宜
上、違う符合を付している場合がある。

【００３３】液晶装置１００は、対向基板２００と液晶
装置用基板３００の一対の基板間に、例えばＴＮ型など
の液晶４００を挟持する。本実施例では、対向基板２０
０はマイクロレンズ７３１が形成された入射側マイクロ
レンズ板７３０と、この液晶側４００側に配置されたカ
バーガラス７００とを備えている。一方、液晶装置用基
板３００は、スイッチング素子等が形成された素子基板
７０１と、この外側（液晶４００と反対側）に配置され
た出射側マイクロレンズ板７４０とを備えている。カバ
ーガラス７００および素子基板７０１及びレンズ板７３
０，７４０は、板ガラスやネオセラム、あるいは石英ガ
ラス等を用いて形成される。

【００３４】入射側マイクロレンズ板７３０の内面（液
晶４００側）には、カバーガラス７００が接着剤７３２
で隙間なく貼り付けられている。また、素子基板７０１
の外面（液晶４００を挟持しない面）には出射側マイク
ロレンズ板７４０が接着剤７４２で隙間なく貼り付けら
れている。上述した液晶装置用基板３００（図１または
図２）は、素子基板７０１および出射側マイクロレンズ
板７４０を含んでおり、対向基板２００は、カバーガラ
ス７００および入射側マイクロレンズ板７３０を含んで
いる。

【００３５】なお、複数の入射側マイクロレンズ７３１
や出射側マイクロレンズ７４１は、それぞれカバーガラ
ス７００の外面や素子基板７０１の外面側に離間して形
成されるようにしても良い。

【００３６】素子基板７０１の内面（液晶４００を挟持
する面）には、遮光膜（出射側遮光膜）７０３が格子状
に形成されており、その上には第１の層間絶縁膜７０４
が全面に形成されている。遮光膜７０３は、例えばクロ
ムあるいはチタン等の金属から形成される。第１の層間
絶縁膜７０４は、窒化シリコンあるいは酸化シリコン等
から形成される。

【００３７】第１の層間絶縁膜７０４の上には、チャネ
ル７０７と、ソース７０５と、ドレイン７０６とを有す
るＴＦＴ７２０が形成されている。チャネル７０７の上
には、ゲート絶縁膜７０８と、ゲート電極７０９とがこ
の順に形成されている。ゲート電極７０９は液晶パネル
の画素領域に格子状に形成される走査線（図３の走査線
３３０）に相当しており、多結晶シリコンや、アルミニ
ウム，タンタル等の金属などにより形成されている。な
お、ゲート電極７０９の材料として多結晶シリコンを用
いた場合はゲート電極７０９の上に高融点金属が積層さ
れてもよい。

【００３８】図５に示すＴＦＴ７２０は、例えば以下の
ようにして形成することができる。まず、基板７０１の
上に遮光膜７０３を形成し、さらに、その上に第１の層
間絶縁膜７０４を形成する。次に、第１の層間絶縁膜７
０４の上に、ＴＦＴ素子となるシリコン層を島状に形成
する。このシリコン層の上にゲート絶縁膜７０８を形成
し、さらにその上に金属製のゲート電極７０９を形成す
る。次に、ゲート電極７０９の表面を陽極酸化して形成
した絶縁膜でゲート電極７０９を覆った後、ゲート電極
７０９及びこの陽極酸化膜をマスクとして不純物イオン
をシリコン層に注入し、ソース７０５，ドレイン７０６
を自己整合的に形成する。なお、チャネル７０７とソー
ス７０５，ドレイン７０６との間のシリコン層に、ソー
ス・ドレインよりも低不純物濃度の領域を前もって形成
すれば、ＬＤＤ（Lightly DoupedDrain）構造とするこ
とができる。このような製造工程によって、各画素ごと
にスイッチング素子となる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
７２０が構成される。この薄膜トランジスタは、本発明
のスイッチング素子に相当している。

【００３９】次に、ＴＦＴ７２０の上に全面に窒化シリ
コンあるいは酸化シリコン等からなる第２の層間絶縁膜
７１０が形成される。ここにコンタクトホール７１２が
形成され、アルミニウム等の金属からなるデータ信号線
７１１（図３のデータ線３３２）が、コンタクトホール
７１２を介してソース７０５に接続されるように形成さ
れる。次に、窒化シリコンあるいは酸化シリコン等から
なる第３の層間絶縁膜７１４が形成され、第２及び第３
の層間絶縁膜に同時にコンタクトホール７１３が形成さ
れる。そして、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極
７１５がコンタクトホール７１２を介してドレイン７０
６に接続されるように形成される。なお、図示しない
が、この後、最上層として配向膜が形成され、この膜に
ラビング処理がなされる。

【００４０】一方、カバーガラス７００の内面には、ク
ロム等の金属や黒色樹脂などからなる入射側遮光膜７１
７（対向側遮光膜）が格子状に形成される。さらに入射
側遮光膜７１７とカバーガラス７００の表面を覆うよう
にＩＴＯ等の透明導電膜からなる対向電極７１６が形成
される。なお、図示しないが、この後、最上層として配
向膜が形成され、この膜にもラビング処理がなされる。

【００４１】液晶装置１００には、走査線７０９（図４
の走査線３３０）とデータ線７１１（図４のデータ線３
３２）が格子状に形成されており、各画素は、１個のＴ
ＦＴ７２０と、ＴＦＴ７２０のドレイン７０６に接続さ
れた画素電極７１５とから構成される。各画素では、デ
ータ線７１１からＴＦＴ７２０を介して画素電極７１５
に画像信号が与えられ、画素電極７１５と対向電極７１
６により挟持される液晶層４００にこの画像信号に応じ
た電圧が印加され、印加電圧に応じて液晶分子の向きが
制御される。また、各画素のドレイン７０６のシリコン
層は、図６に示すように、前段の走査線７０９の位置ま
で広がっており、コンデンサ７１８を形成している。こ
こで、「前段の走査線」とは、一つ前の水平走査期間に
選択電位が印加される走査線を意味しており、本画素の
選択時から一垂直走査期間は非選択電位のままに維持さ
れる。コンデンサ７１８は、ドレイン７０６から広がっ
たシリコン層と、前段の走査線７０９と、これらの間に
介挿されている図示しない絶縁膜とで構成されている。
このコンデンサ７１８は、図４に示す蓄積容量ＣＡＰ
（図４）として機能する。この蓄積容量ＣＡＰはＴＦＴ
が非導通となった非選択期間においても、液晶への印加
電圧を保持できるようにするためのものである。なお、
蓄積容量７１８は、ドレインのシリコン層と走査線で形
成するのではなく、新たに、走査線に平行配置される容
量線を設け、これと層間絶縁膜を介して対向する画素電
極７１５により形成しても構わない。

【００４２】図７は、対向基板２００側からこの液晶装
置１００を見た概略平面図である。但し、図７では、入
射側マイクロレンズ７３１と、入射側遮光膜７１７と、
画素電極７１５と、出射側遮光膜７０３のみが示されて
おり、他の構成は省略されている。１つの画素電極７１
５は破線で囲まれた矩形の領域であり、各画素電極７１
５の間には隙間がある。矩形の画素電極７１５は、縦横
に規則的に配列されているので、画素電極７１５の隙間
は格子状の領域を形成している。入射側遮光膜７１７の
領域には、図示の便宜上、砂目模様が付されている。入
射側遮光膜７１７は、少なくとも各画素電極７１５の隙
間を覆うように形成されており、各画素電極７１５にほ
ぼ等しい開口部が設けられている。

【００４３】出射側遮光膜７０３は、図６に斜線の領域
で示すように、データ線７１１と、走査線７０９と、Ｔ
ＦＴのソース７０５、ドレイン７０６およびゲート７０
７と、を覆うように格子状に形成されている。さらに、
出射側遮光膜７０３は、蓄積容量７１８を形成するため
の領域も覆うように形成されている。従って、出射側遮
光膜７０３は、図７に示すように、平面的に見たときに
入射側遮光膜７１７を覆うように形成されており、入射
側遮光膜７１７に設けられている開口部よりもさらに内
側に開口部を有している。従って、この液晶装置１００
に入射した光のうち、入射側遮光膜７１７の開口部を通
過して画素電極７１５に入射し、さらに、出射側遮光膜
７０３の開口部を通過した光のみが液晶装置１００から
出射される。

【００４４】入射側マイクロレンズ板７３０には、図５
に示すようにカバーガラス７００側の内面に複数の入射
側マイクロレンズ７３１が形成されている。また、出射
側マイクロレンズ板７４０にも、同様に、素子基板７０
１側の内面に複数の出射側マイクロレンズ７４１が形成
されている。これらの入射側マイクロレンズ７３１，７
４１は、板ガラスやネオセラム、あるいは石英ガラス等
を用いた入射側マイクロレンズ板７３０や出射側マイク
ロレンズ板７４０をエッチング処理することにより形成
することができる。

【００４５】入射側マイクロレンズ板７３０は、図７に
示すように、各入射側マイクロレンズ７３１の光軸が出
射側遮光膜７０３の開口部中心に一致するように配置さ
れている。なお、出射側マイクロレンズ板７４０も、入
射側マイクロレンズ板７３０と同様に、各出射側マイク
ロレンズ７４１の光軸が出射側遮光膜７０３の開口部中
心に一致するように配置されている。また、入射側マイ
クロレンズ板７３０と出射側マイクロレンズ板７４０と
は、互いの焦点位置を一致させるように形成されてい
る。

【００４６】なお、入射側マイクロレンズ板７３０およ
び出射側マイクロレンズ板７４０の外面側（それぞれ液
晶の存在する側と反対の面）には、図示しない入射側偏
光板および出射側偏光板が設けられている。これらの偏
光板は、必要に応じて、入射側マイクロレンズ板７３０
または出射側マイクロレンズ板７４０の外面に密着して
設けられたり、または貼り付けられたり、あるいは、あ
る程度間隔を空けて配置される場合もある。これらの位
置関係は、使用状態に応じて適宜選択される。

【００４７】この液晶装置１００は、図５に示すよう
に、入射側マイクロレンズ板７３０側が光の入射面側で
あり、出射側マイクロレンズ板７４０側が光の出射面側
となる。光入射面側に配置された照明光学系から出射さ
れた照明光は、いずれかの偏光軸成分の光を透過する図
示しない入射側偏光板を介して入射側マイクロレンズ板
７３０に入射する。入射側マイクロレンズ板７３０に入
射した照明光は、各入射側マイクロレンズ７３１によっ
て各画素に対応した光束に分割されるとともに、各入射
側マイクロレンズ７３１の集光作用によって各入射側マ
イクロレンズ７３１の焦点位置に集光される。各入射側
マイクロレンズ７３１の焦点位置は、各入射側マイクロ
レンズ７３１の出射光束が入射側遮光膜７１７および出
射側遮光膜７０３の開口部を通過するように調整されて
いる。これにより、本来であれば入射側遮光膜７１７や
出射側遮光膜７０３によって遮光されてしまう光を有効
に利用することができるので、各画素の光の開口率を実
質的に向上させることができる。なお出射側マイクロレ
ンズ７４１は、画素電極７１５を透過してきた光を集光
して平行光化して出射することが好ましいが、用途に応
じて拡大させたり、収束させたりしてもかまわない。

【００４８】出射側遮光膜７０３を通過して出射側マイ
クロレンズ板７４０に入射した光束のうち一部は、出射
側マイクロレンズ７４１の界面で反射する場合がある。
また、図示しない出射側偏光板は、通常、いずれか一つ
の偏光軸成分の光を主に透過し、他の偏光軸成分の光を
主に吸収する。実際には、透過あるいは吸収しきれずに
反射する光が存在する。従って、出射側マイクロレンズ
板７４０を出射して出射側偏光板に入射した光のうち一
部は、反射して再び出射側マイクロレンズ板７４０に入
射する。これらの反射光は、各出射側マイクロレンズ７
４１で集光されて、一部は再び出射側遮光膜７０３及び
入射側遮光膜７１７の開口部を通過して、図示しない液
晶装置の照明光学系に到達する。通常、照明光学系は、
リフレクタ等の反射ミラーを備えており、照明光学系に
到達した反射光は、このリフレクタ等の反射ミラーで再
び反射して照明光として液晶装置に入射させることがで
きる。ここで、液晶装置から出射した反射光は、液晶装
置によって変調された光であるが、液晶装置と照明光学
系との間の光路上で拡散し、さらには光源光と合成され
るので、照明光として再び利用することができる。な
お、照明光学系が光源ランプと光源から発せられた光を
反射するリフレクタからなる場合には、リフレクタによ
り上記反射光を反射する。光源ランプからの光の偏光軸
を一つの直線偏光軸の光に揃えて液晶装置に出射する偏
光変換素子を配置した場合には、この偏光変換素子と光
源のリフレクタとの少なくとも一方により上記反射光を
液晶装置側に反射する。

【００４９】各出射側マイクロレンズ７４１で集光しき
れずに出射側遮光膜７０３の開口部を通過できない反射
光も存在するが、このような反射光は、出射側遮光膜７
０３によって遮光される。ここで、液晶装置１００にお
いて、ＴＦＴ７２０、特にそのチャネル７０７に光が入
射すると、非導通状態時（非選択時）にもＴＦＴ７２０
に電流が流れる。そうすると、蓄積容量７１８に蓄積さ
れていた電荷はＴＦＴ７２０を介して放電してしまい、
液晶への印加電圧が変化する。このようになると、液晶
パネルのコントラストは大きく低下することになる。

【００５０】本実施例においては、光出射側のいずれか
で発生する反射光がＴＦＴ７２０に入射しないように、
ＴＦＴ７２０の光出射側にＴＦＴ７２０を覆うように出
射側遮光膜７０３が形成されている。これにより、光出
射側のいずれかで発生する反射光によってＴＦＴ７２０
が誤動作し、液晶装置の特性が劣化することを防止する
ことができる。

【００５１】なお、光入射側に設けた入射側遮光膜７１
７は、入射側マイクロレンズ板７３０の各入射側マイク
ロレンズ７３１から射出した光のうち、各入射側マイク
ロレンズ７３１で集光しきれずにＴＦＴ７２０に入射し
てしまうような光を遮光する。また、データ線７１１を
構成する金属層は、ＴＦＴ７２０のゲート電極７０９を
覆うように延在して重なり、ＴＦＴ７２０のチャネル７
０７を遮光している。このデータ線７１１のオーバラッ
プによりＴＦＴ７２０を光入射側から十分に遮光できる
場合には、入射側遮光膜７１７は不要とできる。

【００５２】なお、遮光膜７０３の構成は、図６に示す
構成に限定されるものではない。図８及び図９は、遮光
膜７０３の他の構成を示す平面図である。遮光膜７０３
は、図８に示すように、蓄積容量７１８を構成するため
のシリコン層やデータ線７１１、走査線７０９、ＴＦＴ
７２０に沿ってこれを覆うように形成してもよい。この
ときは、遮光膜７０３の開口部は矩形ではなく、これら
の要素の形状に沿った外形を有することになる。また、
蓄積容量７１８を出射側遮光膜７０３で覆わないように
してもよい。このときには、遮光膜７０３を、図９に示
すように、各画素電極７１５の隙間とＴＦＴ７２０のみ
を覆うようにしてもよい。この遮光膜７０３は、格子状
ではなく上下方向に平行に伸びる帯状の形状を有してい
る。これらの構成によれば、遮光膜により遮光される領
域を少しでも減らすことができるので、液晶装置の光の
開口率を向上させることができる。なお、図９では上下
方向に伸びる帯状の形状をなす遮光膜７０３としている
が、走査線７０９と重ねて左右方向に平行に伸びる帯状
の遮光膜としてもかまわない。遮光膜７０３は、少なく
ともＴＦＴ７２０を覆うように形成されていればよい。

【００５３】上記説明からわかるように、液晶装置用基
板は本発明の第１の基板に相当し、対向基板は本発明の
第２の基板に相当している。また、出射側マイクロレン
ズ板は本発明の第１のマイクロレンズ板に相当し、出射
側マイクロレンズは本発明の第１のマイクロレンズに相
当している。さらに、入射側マイクロレンズ板は本発明
の第２のマイクロレンズ板に相当し、入射側マイクロレ
ンズは本発明の第２のマイクロレンズに相当している。
また、出射側遮光膜は、本発明の遮光層に相当してい
る。

【００５４】ところで、入射側偏光板や出射側偏光板と
しては、通常、一方の偏光軸を主に透過し、他方の偏光
軸を主に吸収するタイプの吸収型偏光板が用いられる。
上記構成の液晶装置１００においては、少なくとも出射
側偏光板として、一方の偏光軸を主に透過し、他方の偏
光軸を主に反射するタイプの反射型偏光板を用いること
ができる。これにより、吸収型偏光板で発生していた光
吸収に起因する発熱による温度上昇を抑制することがで
きる。また、偏光板で吸収されて損失していた光を積極
的に反射して利用することもできる。特に、入射側と出
射側の一対の偏光板にこのような反射型偏光板を用いれ
ば、照明光を照明光学系側に反射し、照明光学系で再反
射して照明光として再利用できるので、光源光の光利用
効率がより一層向上し、液晶装置での発熱も低下する。

【００５５】図１０は、この反射型偏光板の構成を示す
説明図である。この反射型偏光板は、多層構造フィルム
で構成される。多層構造フィルムは、重合体を延伸形成
したフィルムの積層からなるものであり、異なる２種類
の層６０１（Ａ層），６０２（Ｂ層）が交互にＺ軸方向
に積層された多層構造を有している。この反射偏光板の
Ａ層６０１には例えば、ポリエチレンナフタレート（Ｐ
ＥＮ；polyethylene napthalate ）を延伸したものを用
い、Ｂ層６０２には、ナフサレン・ジ・カルボン酸とテ
レフタル酸とのコポリエステル（ｃｏＰＥＮ；copolyes
ter of napthalene dicarboxylic acid and terephthal
lic or isothalic acid）を用いることができる。もち
ろん、本発明に用いる反射型偏光板の材質はこれに限定
されるものではなく、適宜その材質を選択できる。

【００５６】Ａ層６０１のＸ軸方向の屈折率（ｎＡＸ）
とＹ軸方向の屈折率（ｎＡＹ）は互いに異なる。一方、
Ｂ層６０２のＸ軸方向の屈折率（ｎＢＸ）とＹ軸方向の
屈折率（ｎＢＹ）とはほぼ等しくなるように設定してい
る。また、Ａ層６０１のＹ軸方向の屈折率（ｎＡＹ）と
Ｂ層６０２のＹ軸方向の屈折率（ｎＢＹ）とはほぼ等し
くなるように設定されている。つまり、これをまとめる
と、（ｎＡＸ）≠（ｎＡＹ），（ｎＢＸ）≒（ｎＢＹ）
≒（ｎＡＹ）となる。

【００５７】このように、多層構造フィルムに入射した
光のうちＹ軸方向の直線偏光（実施例においてはＳ偏
光）の光は、各積層間に屈折率の差が実質的に無い状態
であるため、この多層構造フィルムを、その偏光軸のま
ま透過する。

【００５８】一方、Ａ層６０１のＺ軸方向の層厚をｔ
Ａ、Ｂ層６０２のＺ軸方向の膜厚をｔＢとし、入射光の
波長をλとしたとき、（１）式の関係が得られるとうに
設定する。

【００５９】ｔＡ・ｎＡＸ＋ｔＢ・ｎＢＸ≒λ／２・・・（１）

【００６０】これにより、波長λの光のうちＸ軸方向の
直線偏光（実施例においてはＰ偏光）の光は、隣接する
Ａ層とＢ層の界面にて、Ｘ軸方向の偏光の光として反射
されることになる。Ａ層６０１とＢ層６０２の層厚ｔ
Ａ，ｔＢを種々変化させ、それを積層し、全可視光の波
長あるいは液晶装置により変調させたい色光の波長の広
範囲にわたって上記（１）式が成立するようにして、透
過波長帯域を広げれば、Ｘ軸方向の直線偏光（Ｐ偏光）
の白色光や入射する色光を反射することができる。尚、
多層構造フィルムは、厚みの異なる層を順次積層させて
形成するようにしても良いし、互いに厚みの等しい層が
数層積層された積層体を複数積層することによって形成
するようにしても良い。また、上記（１）式において、
完全に等号が成立することが好ましい。

【００６１】上記液晶装置１００は、データ線および走
査線ならびにＴＦＴを遮光するために、マトリクス状に
配置された画素電極の間を覆うように出射側遮光膜（本
発明の遮光層）を有しているが、これに限定されるもの
ではない。出射側遮光膜は、平面的に見て少なくともＴ
ＦＴ（本発明のスイッチング素子）を含むように形成さ
れていれば良い。このようにすれば、液晶装置用基板側
から光が入射しても、複数の出射側マイクロレンズによ
って集光しきれずにＴＦＴに入射する光を少なくとも遮
光することができる。従って、これにより、コントラス
トの低下や、色むら、誤表示等の表示性能の劣化を抑制
することができる。

【００６２】Ｂ．電子機器：次に、本発明の液晶装置を
適用した電子機器の実施の形態について説明する。図１
１は、本発明の液晶装置を備えた電子機器を示す概略構
成図である。この電子機器は、表示情報出力源１０００
と、表示情報処理回路１００２と、液晶装置５００と、
クロック発生回路１００８と、電源回路１０１０とを備
えて構成されている。液晶装置５００は、前述の液晶装
置１００のうちデータ線駆動回路３０２や走査線駆動回
路３０４などを除く液晶パネル１００６と、データ線駆
動回路３０２や走査線駆動回路３０４などの駆動回路１
００４とから構成されている。表示情報出力源１０００
は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Acc
ess Memory）、光ディスク装置などのメモリと、同調回
路等を含み、クロック発生回路１００８からのクロック
に基づいて、所定フォーマットのビデオ信号などの表示
情報を表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報
処理回路１００２は、増幅・極性反転回路、相展開回
路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回
路等の周知の各種処理回路を含んで構成されており、ク
ロックに基いて入力された表示情報からデジタル信号を
順次生成し、クロックＣＬＫと共に駆動回路１００４に
出力する。駆動回路１００４は、走査線駆動回路３０４
及びデータ線駆動回路３０２によって液晶パネル１００
６を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回路に所
定電源を供給する。

【００６３】図１２は、図１１の電子機器の具体例とし
て示す液晶プロジェクタ（投写型表示装置）の概略構成
図である。この液晶プロジェクタ１１００は、投写型の
液晶プロジェクタであり、光源１１１０と、ダイクロイ
ックミラー１１１３，１１１４と、反射ミラー１１１
５，１１１６，１１１７と、入射レンズ１１１８，リレ
ーレンズ１１１９，出射レンズ１１２０と、液晶ライト
バルブ１１２２，１１２３，１１２４と、クロスダイク
ロイックプリズム１１２５と、投射レンズ１１２６とを
備えて構成されている。液晶ライトバルブ１１２２，１
１２３，１１２４は、上述した本発明の液晶装置１００
を含む液晶表示モジュールを３個用意し、それぞれ液晶
ライトバルブとして用いたものである。また、光源１１
１０はメタルハライド等のランプ１１１１とランプ１１
１１の光を反射するリフレクタ１１１２とからなる。

【００６４】この液晶プロジェクタ１１００において、
青色光・緑色光反射のダイクロイックミラー１１１３
は、光源１１１０からの白色光束のうちの赤色光を透過
させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過し
た赤色光は反射ミラー１１１７で反射されて、赤色光用
液晶ライトバルブ１１２２に入射される。一方、ダイク
ロイックミラー１１１３で反射された色光のうち緑色光
は緑色光反射のダイクロイックミラー１１１４によって
反射され、緑色光用液晶ライトバルブ１１２３に入射さ
れる。また、青色光は第２のダイクロイックミラー１１
１４も透過する。青色光に対しては、長い光路による光
損失を防ぐため、入射レンズ１１１８、リレーレンズ１
１１９、出射レンズ１１２０を含むリレーレンズ系から
なる導光手段１１２１が設けられ、これを介して青色光
が青色光用液晶ライトバルブ１１２４に入射される。各
ライトバルブにより変調された３つの色光はクロスダイ
クロイックプリズム１１２５に入射する。このプリズム
は４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光
を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜
とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜に
よって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が
形成される。合成された光は、投射光学系である投射レ
ンズ１１２６によってスクリーン１１２７上に投射さ
れ、画像が拡大されて表示される。

【００６５】以上のような液晶プロジェクタ１１００に
おいては、本発明の液晶装置を用いることにより、さら
に、以下に示す効果がある。図１３は、液晶ライトバル
ブから出射された光の様子を示す説明図である。赤色光
用液晶ライトバルブ１１２２から出射した光ＲＯのほと
んどは、クロスダイクロイックプリズム１１２５の赤光
反射膜１１２５Ｒで反射して投射レンズ１１２６の方に
出射される。しかし、赤色光用液晶ライトバルブ１１２
２から出射した光ＲＯの一部は、赤光反射膜１１２５Ｒ
や青光反射膜１１２５Ｂを透過して青色光用液晶ライト
バルブ１１２４に出射面側から入射する。また、青色
光用液晶ライトバルブ１１２４から出射した光ＢＯのほ
とんどは、青光反射膜１１２５Ｂで反射して投射レンズ
１１２６の方に出射される。しかし、青色光用液晶ライ
トバルブ１１２４から出射した光ＢＯの一部も、青光反
射膜１１２５Ｂや赤光反射膜１１２５Ｒを透過して赤色
光用液晶ライトバルブ１１２２に出射面側から入射す
る。さらに、クロスダイクロイックプリズム１１２５の
入射面や投射レンズ１１２６の入射面においても光が反
射し、液晶ライトバルブ１１２２，１１２３，１１２４
に入射する。

【００６６】従来の液晶装置を用いた場合には、液晶ラ
イトバルブの出射面側から入射した光によって画素スイ
ッチング用のＴＦＴが誤動作するという問題があった。
特に、青光の光強度は大きく、ＴＦＴの誤動作を招きや
すい。この投写型表示装置に適用される本発明の液晶装
置では、このような光がＴＦＴに入射しないように、液
晶装置の出射面側に設けられた遮光膜で遮光している。
また、出射面側から入射した光を出射側マイクロレンズ
板で集光することによって、ＴＦＴに入射するような光
を低減することができる。これにより、クロスダイクロ
イックプリズム１１２５で反射して液晶ライトバルブ１
１２２，１１２３，１１２４に入射する光によって発生
する誤動作を防止することができる。さらに、出射側マ
イクロレンズ板で集光されて遮光膜の開口部を通過した
光を、再び反射して照明光として再利用することができ
る。これにより、光の利用効率を向上させることができ
るので、明るい投写画像を得ることができる。

【００６７】以上、図１２を参照して説明した電子機器
の他にも、液晶テレビ、ビューファインダー型又はモニ
タ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション
装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、パーソナル
コンピュータ、ワークステーション、携帯電話、テレビ
電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が図１
２に示した電子機器の例として挙げられる。

【００６８】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。例えば、以下のような変形も可能である。

【００６９】上記実施例では、電気光学材料として液晶
を用いた液晶装置を例に説明しているが、これに限定さ
れるものではない。液晶以外の電気光学材料、例えば、
ＰＬＺＴ（ジルコン酸チタン酸ランタン）等の種々の電
気光学材料を用いたアクティブマトリクス方式の電気光
学装置に適用可能である。また、エレクトロルミネッセ
ンス、プラズマディスプレ一装置にも適用可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した液晶装置の平面図である。

【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線における断面
図である。

【図３】本発明の液晶装置の電気的な構成を示す回路図
である。

【図４】画素１２０の詳細なブロック図である。

【図５】本発明の液晶装置の概略断面図である。

【図６】本発明の液晶装置の液晶装置用基板側からみた
概略平面図である。

【図７】本発明の液晶装置の対向基板側からみた概略平
面図である。

【図８】遮光膜７０３の他の構成を示す平面図である。

【図９】遮光膜７０３の他の構成を示す平面図である。

【図１０】この反射型偏光板の構成を示す説明図であ
る。

【図１１】本発明の液晶装置を備えた電子機器を示す概
略構成図である。

【図１２】図１１の電子機器の具体例として示す液晶プ
ロジェクタ（投写型表示装置）の概略構成図である。

【図１３】液晶ライトバルブから出射された光の様子を
示す説明図である。

【符号の説明】

１００…液晶装置１０４…走査線駆動回路１１０…表示領域１１２…ＴＦＴ１１４…画素電極１２０…画素２００…対向基板２１０…対向電極２３０…遮光膜（周辺見切り）２４０…シール材２４１…液晶注入口２４２…封止剤３００…液晶装置用基板３０２…データ線駆動回路３０４…走査線駆動回路３０６…実装端子３１０…プリチャージ回路３１２…ＴＦＴ３１４…プリチャージ信号線３１６…プリチャージ回路駆動信号線３２０…サンプリング回路３２２…ＴＦＴ３２４…画像信号線３２６…サンプリング回路駆動信号線３３０…走査線３３２…データ線４００…液晶（液晶層，ＴＮ型液晶）５００…液晶装置６０１…Ａ層６０２…Ｂ層７００…光入射側基板７０１…光出射側基板７０３…遮光膜（出射側遮光膜）７０４…第１の層間絶縁膜７０５…ソース７０６…ドレイン７０７…ゲート７０７…チャネル７０８…ゲート絶縁膜７０９…ゲート電極７０９…走査線７１０…第２の層間絶縁膜７１１…データ信号線（データ線）７１２…コンタクトホール７１３…コンタクトホール７１４…第３の層間絶縁膜７１５…画素電極７１６…対向電極７１７…遮光膜（入射側遮光膜）７１８…コンデンサ７２０…ＴＦＴ７３０…入射側マイクロレンズ板７３１…マイクロレンズ７４０…出射側マイクロレンズ板７４１…マイクロレンズ１０００…表示情報出力源１００２…表示情報処理回路１００４…駆動回路１００６…液晶パネル１００８…クロック発生回路１０１０…電源回路１１００…液晶プロジェクタ１１１０…光源１１１１…ランプ１１１２…リフレクタ１１１３，１１１４…ダイクロイックミラー１１１５，１１１６，１１１７…反射ミラー１１１８…入射レンズ１１１９…リレーレンズ１１２０…出射レンズ１１２１…導光手段１１２２…赤色光用液晶ライトバルブ１１２３…緑色光用液晶ライトバルブ１１２４…青色光用液晶ライトバルブ１１２５…クロスダイクロイックプリズム１１２５Ｂ…青光反射膜１１２５Ｒ…赤光反射膜１１２６…投射レンズ１１２７…スクリーンＣＡＰ…蓄積容量

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】与えられた画像情報に応じて光を変調す
る電気光学装置であって、第１の基板と、前記第１の基板に対向する第２の基板
と、前記第１、第２の基板に挟持された電気光学材料
と、を備え、前記第１の基板は、マトリクス状に形成された複数のス
イッチング素子および前記複数のスイッチング素子にそ
れぞれ接続された複数の画素電極と、前記複数のスイッ
チング素子と前記第１の基板との間に形成された遮光層
と、前記遮光層を挟んで前記複数のスイッチング素子と
反対側に前記複数の画素電極にそれぞれ対応して形成さ
れた複数の第１のマイクロレンズと、を有しており、前記第２の基板は、前記複数の画素電極にそれぞれ対応
して形成された複数の第２のマイクロレンズを有してお
り、前記遮光層は、前記第１の基板を平面的に見たときに少
なくとも前記スイッチング素子の領域を覆うように形成
されている、ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】請求項１記載の電気光学装置であって、前記第１の基板には、さらに、前記マトリクス状に形成されたスイッチング素子が接続
される複数のデータ線および複数の走査線が形成されて
おり、前記遮光層は、前記第１の基板を平面的に見たときに前
記複数のデータ線と前記複数の走査線との少なくとも一
方の領域を覆うように形成されている、ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】請求項１または請求項２記載の電気光学
装置であって、さらに、前記第１の基板の光出射側に、いずれか一つの偏光軸成
分の光を主に透過し、他の偏光軸成分の光を主に反射す
る反射型偏光板を備える、ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】請求項３記載の電気光学装置であって、前記第２の基板の光入射側に、いずれか一つの偏光軸成
分の光を主に透過し、他の偏光軸成分の光を主に反射す
る反射型偏光板を備える、ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】請求項１ないし請求項４のいずれかに記
載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項６】請求項５記載の電子機器であって、光源と、前記電気光学装置から射出された光を投写する投写光学
系とを備える、ことを特徴とする電子機器。