JP2002268066A - 液晶装置および投射型液晶装置並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 斜方蒸着により配向膜を形成する際に、陰と
なる領域に配向膜が形成されないことに起因するコント
ラスト比の低下を防止して、高コントラスト表示ができ
る液晶装置を提供する。 【解決手段】 一対の基板のうち一方の基板には、画素
電極９ａと、前記画素電極９ａに電気的に接続された信
号線３ａ、３ｂ、６ａと、無機斜方蒸着膜からなる配向
膜１６とが備えられ、前記信号線３ａ、３ｂ、６ａが設
けられている部分と前記信号線３ａ、３ｂ、６ａが設け
られていない部分とによって段差Ｈが形成され、前記配
向膜１６を斜方蒸着により形成する際の蒸着方向Ｅにお
いて、前記段差Ｈの陰となる領域に対応して遮光膜２３
が設けられている、あるいは前記配向膜１６を斜方蒸着
により形成する際の蒸着方向Ｅの順方向に対応する画素
の縁部の領域に対応して遮光膜２３が設けられているも
のとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置および投
射型液晶装置並びに電子機器に関し、特に、高コントラ
スト表示ができる液晶装置および投射型液晶装置並びに
電子機器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶プロジェクタ等の投射型液晶装置に
は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色に対
応して液晶パネルを３枚使用する３板式のものと、１枚
の液晶パネルと色生成手段とから構成される単板式のも
のがある。この投射型液晶装置の構成要素である液晶パ
ネルは、例えば、アクティブマトリクス型液晶ライトバ
ルブとその前後に配置される偏光板とから構成されてい
る。図１１は、この種の液晶ライトバルブの構成の一例
を示す断面図である。

【０００３】液晶ライトバルブは、ガラス基板、石英基
板等の透明な２枚の基板間に液晶が封入されたものであ
り、図１１に示すように、一方の基板をなす薄膜トラン
ジスタ（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと略記す
る）アレイ基板１０と、これに対向配置された他方の基
板をなす対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基
板１０全体は、液晶装置の画像表示領域を構成するマト
リクス状に形成された複数の画素を有している。ＴＦＴ
アレイ基板１０には、画素電極９ａと当該画素電極９ａ
を制御するための画素スイッチング用ＴＦＴ３０がマト
リクス状に複数形成されており、画像信号を供給するデ
ータ線６ａがコンタクトホール５を通じて当該ＴＦＴ３
０のソース領域１ｄに電気的に接続されている。また、
ＴＦＴ３０のゲートを形成する走査線３ａが半導体層１
ａに交差されており、所定のタイミングで、走査線３ａ
にパルス的に走査信号を順次印加するように構成されて
いる。画素電極９ａは、コンタクトホール８を通じて画
素スイッチング用ＴＦＴ３０のドレイン領域１ｅに電気
的に接続されており、スイッチング素子である画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉
じることにより、データ線６ａから供給される画像信号
を所定のタイミングで書き込むようになっている。

【０００４】画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた
所定レベルの画像信号は、対向基板２０に形成された対
向電極２１との間で一定期間保持されるが、通常、保持
された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極
９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列
に蓄積容量７０を付加している。ここでは、蓄積容量７
０を形成する方法として、容量形成用の配線である容量
線３ｂが設けられている。また、画素電極９ａ上には、
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６
が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（In
dium Tin Oxide)膜等の透明導電性膜から形成されてい
る。配向膜１６は、ポリイミド膜等の有機膜から形成さ
れるのが一般的である。

【０００５】他方、対向基板２０には、その全面にわた
って対向電極（共通電極）２１が設けられており、その
下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された
配向膜２２が設けられている。対向電極２１も画素電極
９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成
されている。また、配向膜２２もＴＦＴアレイ基板１０
側の配向膜１６と同様、ポリイミド膜等の有機膜から形
成されている。さらに対向基板２０には、各画素の表示
領域以外の領域に遮光膜３３が設けられている。この遮
光膜３３は、対向基板２０の側からの入射光が画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’、ソース領域１ｂ、１ｄ、ドレイン領域１ｃ、１ｅ
等に侵入するのを防止するためのものである。さらに、
遮光膜３３は、コントラスト比の向上、色材の混色防止
などの機能を有しており、いわゆるブラックマトリクス
とも呼ばれている。

【０００６】各基板はこのような構成であり、画素電極
９ａと対向電極２１とが対向するように配置されたＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０とがそれぞれ基板の周
縁部においてシール材を介して所定間隔で貼着され、こ
のＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０間とシール材に
より囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層５０が形成
されている。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が
印加されていない状態で配向膜の作用により所定の配向
状態をとる。液晶プロジェクタでは、高いコントラスト
比を実現するために垂直配向モードを採用する場合は、
配向膜１６、２２は垂直配向状態をとる有機膜（以下、
垂直配向膜という）をラビング処理し、電界無印加状態
で液晶分子は数度のプレチルト角を持った垂直配向状態
となっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、近年、液晶
プロジェクタの高精細化、高輝度化、低価格化に伴う液
晶ライトバルブの小型化に伴って、ライトバルブに入射
させる光の強度が強くなってきている。そのためポリイ
ミド膜等の有機配向膜を使用した液晶ライトバルブで
は、光や熱によって配向膜が劣化し、その結果、配向膜
による液晶分子の配向規制力が低下して、液晶分子の配
向状態が乱れ、コントラスト比が低下する等の表示不良
が生じることがある。このような問題が生じる原因は、
ポリイミド等の有機膜は４００ｎｍから４５０ｎｍ付近
の可視光領域で若干の吸収があるため、この吸収に起因
して配向膜が劣化し、配向膜の劣化した付近で液晶の配
向異常が生じ、これが表示不良につながるからである。

【０００８】そこで、このような問題を解決するため
に、配向膜を、ポリイミド等の有機膜でなく、液晶分子
を配向させることが可能な所定の表面形状を有する、酸
化シリコン（ＳｉＯ）などの無機材料からなる無機斜方
蒸着膜により構成することが提案されている。無機斜方
蒸着膜は、無機材料からなる蒸着物質を基板に対して斜
め方向から蒸着する方法（以下、「斜方蒸着」とい
う。）によって得られる。無機斜方蒸着膜からなる配向
膜は、無機材料からなるため耐光性や耐熱性に優れ、液
晶ライトバルブの耐久性を向上することができるという
利点を有している。

【０００９】ところが、図１１に示すように、ＴＦＴア
レイ基板１０上の配向膜１６の下には、データ線６ａ、
走査線３ａ、画素電極９ａなどが設けられている。この
ため、配向膜１６を斜方蒸着により形成する際、ＴＦＴ
アレイ基板１０上には、データ線６ａ、走査線３ａおよ
び容量線３ｂが設けられている部分とデータ線６ａ、走
査線３ａおよび容量線３ｂが設けられていない部分とに
よって形成された段差Ｈが存在している。この段差Ｈ
が、図１１において矢印Ｅで示した配向膜１６を斜方蒸
着により形成する際の蒸着ビームの方向（以下、「蒸着
方向」という。）において、陰となる領域Ｂを形成して
しまう。この陰となる領域Ｂは、斜方蒸着の際に蒸着物
質が段差Ｈにより妨げられるので、配向膜１６が形成さ
れない領域となる。その結果、図１１の符号５９で示し
た箇所のように、液晶がランダムに配向する部分が形成
されてしまう。したがって、図１１に示す液晶ライトバ
ルブでは、誘電異方性が負の液晶を用いた場合、ノーマ
リブラックモードの電界無印加時に光抜け状態となって
しまうため、高品位な黒表示ができない。また、電界印
加時には、液晶の配向方向が規定されていないランダム
配向が存在することによって透過率の低下が起こるた
め、高品位な白表示ができない。したがって、高コント
ラスト表示ができないという問題があった。

【００１０】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、陰となる領域に配向膜が形成され
ないことに起因するコントラスト比の低下を防止するこ
とができ、高コントラスト表示ができる液晶装置および
投射型液晶装置を提供することを目的とする。また、上
記の高コントラスト表示ができる液晶装置を備えた電子
機器を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の液晶装置は、互いに対向する一対の基板
間に液晶層が狭持されてなる液晶装置であって、前記一
対の基板のうち一方の基板には、画素電極と、スイッチ
ング素子を介して前記画素電極に電気的に接続された信
号線と、無機斜方蒸着膜からなる配向膜とが備えられ、
前記信号線が設けられている部分と前記信号線が設けら
れていない部分とによって段差が形成され、前記配向膜
を斜方蒸着により形成する際の蒸着方向において、前記
段差の陰となる領域に対応して遮光膜が設けられている
ことを特徴とする。さらに、本発明の液晶装置は、互い
に対向する一対の基板間に液晶層が狭持されてなる液晶
装置であって、前記一対の基板のうち一方の基板には、
画素電極と、スイッチング素子を介して前記画素電極に
電気的に接続された信号線と、無機斜方蒸着膜からなる
配向膜とが備えられ、前記信号線が設けられている部分
と前記信号線が設けられていない部分とによって段差が
形成され、前記配向膜を斜方蒸着により形成する際の蒸
着方向の順方向に対応する画素の縁部の領域に対応して
遮光膜が設けられていることを特徴とする。

【００１２】本発明の液晶装置によれば、配向膜を斜方
蒸着により形成する際の蒸着方向において、段差の陰と
なる領域に対応して遮光膜が設けられているので、陰と
なる領域に配向膜が形成されないことによって生じる光
抜け状態を防止することができ、光の透過率が低い高品
位な黒表示が得られる。また、液晶の配向方向が規定さ
れていないランダム配向が形成されないので、高品位な
白表示が得られる。したがって、陰となる領域に配向膜
が形成されないことに起因するコントラスト比の低下を
防止することができ、高コントラスト表示ができる液晶
装置とすることができる。

【００１３】また、上記の液晶装置においては、遮光膜
の幅ｄ１は、段差をＨ、前記一対の基板のうち一方の基
板表面に対する法線と蒸着方向とのなす角である蒸着角
度をθｅとしたとき、下記の式で示される液晶装置とす
ることが望ましい。 ｄ１＝Ｈ／ｔａｎ（９０°−θｅ） 上式についての詳細は後述するが、このような液晶装置
とすることにより、陰となる領域に正確に対応して遮光
膜が設けられているものとなるので、陰となる領域に配
向膜が形成されないことによって生じる光抜け状態やラ
ンダム配向の形成による透過率の低下をより一層確実に
防止することができ、配向膜が形成されないことに起因
するコントラスト比の低下をより一層確実に防止するこ
とができる。

【００１４】また、上記の液晶装置においては、遮光膜
の幅ｄ２は、一対の基板間の距離をＧ、液晶装置に入射
する光の基板表面に対する法線方向からの角度をθｉと
したとき、下記の式で示される液晶装置とすることが望
ましい。 ｄ２＝ｄ１＋α α＝Ｇ×ｔａｎθｉ 上式についての詳細は後述するが、このような液晶装置
とすることにより、陰となる領域に確実に対応すること
に加え、陰となる領域に液晶装置に入射する光の斜め光
が進入するのを防ぐことができるように遮光膜が設けら
れているものとなるので、陰となる領域に配向膜が形成
されないことによって生じる光抜け状態やランダム配向
の形成による透過率の低下をより一層確実に防止するこ
とができ、配向膜が形成されないことに起因するコント
ラスト比の低下をより一層確実に防止することができ
る。

【００１５】また、上記の液晶装置においては、液晶層
が配向分散性の高分子により安定化されたものであるこ
とが望ましい。このような液晶装置とすることで、例え
ば、配向膜が長時間強い光にさらされて劣化したり変質
したりし、配向膜自体の配向規制力が低下した場合に
も、配向分散性の高分子が当初の配向状態を記憶してい
るために、電圧印加時および無印加時の液晶分子の所定
の配向動作を維持させることが可能なものとなるため、
耐光信頼性を向上させることができる。

【００１６】また、上記の液晶装置においては、遮光膜
の幅を０．１〜１μｍ広くすることが望ましい。液晶層
が配向分散性の高分子により安定化された上記の液晶装
置とした場合、配向膜が形成されないことによって光抜
け状態となった部分の周囲では、液晶の配向変化に高分
子の配向が追従しきれず、液晶と高分子との間に屈折率
差が発生し、不要な散乱を引き起こす領域（以下、「不
要散乱領域」という。）が形成される場合がある。通
常、この領域の幅は０．１〜１μｍと言われている。不
要散乱領域が形成されると、コントラスト比が低下する
という不都合が生じる。上記の液晶装置においては、遮
光膜の幅を０．１〜１μｍ広くしたので、光抜け状態と
なった部分の周囲に進入する散乱光も遮光することがで
き、液晶層を配向分散性の高分子により安定化して耐光
信頼性を向上させても、不要散乱領域が形成されにく
く、高コントラスト表示ができる液晶装置とすることが
できる。

【００１７】また、上記の液晶装置において、上記遮光
膜は、隣接する画素間の信号線を遮光する画素間遮光膜
と別体でも良いが、一体に形成されていることがより望
ましい。このような液晶装置とすることで、遮光膜と画
素間遮光膜とを同時に形成することができ、遮光膜を形
成するために新たに工程を増やす必要がないので、容易
に形成することができる液晶装置とすることができる。

【００１８】また、本発明の投射型液晶装置は、上記の
液晶装置を備えた投射型液晶装置であって、光源と、該
光源から出射された光を変調する前記液晶装置と、該液
晶装置により変調された光を投射面に拡大投影する拡大
投影光学系とを有することを特徴とする。このような投
射型液晶装置は、上記の液晶装置を備えたものであるの
で、高コントラスト表示ができる投射型液晶装置とする
ことができる。

【００１９】また、本発明の電子機器は、上記の液晶装
置を備えたことを特徴とする。このような電子機器とす
ることで、高コントラスト表示ができる液晶装置を備え
た電子機器とすることができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】［第１の実施形態の液晶装置の構
成］本発明の第１の実施形態の液晶装置の構成につい
て、図１から図４を参照して以下説明する。図１は、液
晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素における各種素子、配線等の等価回路で
ある。図２は、信号線、画素電極等が形成されたＴＦＴ
アレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
図３は、図２のＡ−Ａ’断面図であり、図４は、図２上
の遮光膜の配置を説明するための図である。なお、図２
〜図４においては、各層や各部材を図面上で認識可能な
程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異な
らしめてある。また、図４においては、遮光膜の配置を
説明する際に必要な図２上の部材のみを示し、その他の
各部材等は省略して示してある。

【００２１】図１に示すように、本実施形態の液晶装置
において、画像表示領域を構成するマトリクス状に形成
された複数の画素は、画素電極９ａと当該画素電極９ａ
を制御するための画素スイッチング用ＴＦＴ３０がマト
リクス状に複数形成されており、画像信号を供給するデ
ータ線（特許請求の範囲における「信号線」に含まれ
る）６ａが当該ＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続
されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ
２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わない
し、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グル
ープ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０
のゲートに走査線（特許請求の範囲における「信号線」
に含まれる）３ａが電気的に接続されており、所定のタ
イミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ
２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成
されている。画素電極９ａは、画素スイッチング用ＴＦ
Ｔ３０のドレイン領域に電気的に接続されており、スイ
ッチング素子である画素スイッチング用ＴＦＴ３０を一
定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線
６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所
定のタイミングで書き込む。

【００２２】画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた
所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基
板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との
間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号
がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極
との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付
加する。例えば画素電極９ａの電圧は、蓄積容量７０に
よりソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間
だけ保持される。これにより、保持特性はさらに改善さ
れ、コントラスト比の高い液晶装置が実現できる。本実
施の形態では、蓄積容量７０を形成する方法として、半
導体層との間で容量を形成するための配線である容量線
３ｂ（特許請求の範囲における「信号線」に含まれる）
を設けている。また、容量線３ｂを設ける代わりに、画
素電極９ａと前段の走査線３ａとの間で容量を形成して
も良い。

【００２３】図２に示すように、液晶装置のＴＦＴアレ
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９
ａが設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々
沿ってデータ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが設
けられている。データ線６ａは、コンタクトホール５を
介してポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち後述
のソース領域に電気的に接続されており、画素電極９ａ
は、コンタクトホール８を介して半導体層１ａのうち後
述のドレイン領域に電気的に接続されている。また、半
導体層１ａのうち後述のチャネル領域（図中右下がりの
斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されて
いる。

【００２４】次に、断面構造を見ると、図３に示すよう
に、液晶装置は、一対の透明基板を有しており、その一
方の基板をなすＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配
置される他方の基板をなす対向基板２０とを備えてい
る。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板からな
り、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板から
なるものである。ＴＦＴアレイ基板１０には、例えばＩ
ＴＯ膜等の透明導電性膜からなる画素電極９ａが設けら
れ、ＴＦＴアレイ基板１０上の各画素電極９ａに隣接す
る位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素
スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（LightlyDoped Drai
n）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａか
らの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチ
ャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁
する絶縁薄膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度
ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体
層１ａの高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領
域１ｅを備えている。

【００２５】また、走査線３ａ上、絶縁薄膜２上を含む
ＴＦＴアレイ基板１０上には、高濃度ソース領域１ｄへ
通じるコンタクトホール５および高濃度ドレイン領域１
ｅへ通じるコンタクトホール８が各々形成された第１層
間絶縁膜４が形成されている。つまり、データ線６ａ
は、第１層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を
介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されてい
る。さらに、データ線６ａ上および第１層間絶縁膜４上
には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホー
ル８が形成された第２層間絶縁膜７が形成されている。
つまり、高濃度ドレイン領域１ｅは、第１層間絶縁膜４
および第２層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８
を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。な
お、画素電極９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとは、デー
タ線６ａと同一のＡｌ膜や走査線３ａと同一のポリシリ
コン膜、データ線６ａと画素電極９ａ間に形成された導
電膜、走査線３ａとデータ線６ａとの間に形成された導
電膜を中継して電気的に接続する構成としてもよい。

【００２６】画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好まし
くは上述のようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領
域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃに不純物イオンの
打ち込みを行わないオフセット構造を採っても良いし、
ゲート電極をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち
込み、自己整合的に高濃度ソースおよびドレイン領域を
形成するセルフアライン型のＴＦＴであっても良い。ま
た本実施の形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の
走査線３ａの一部からなるゲート電極をソース・ドレイ
ン領域間に１個のみ配置したシングルゲート構造とした
が、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよ
い。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加さ
れるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲ
ート）あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれ
ば、チャネルとソース・ドレイン領域接合部のリーク電
流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。
これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造ある
いはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減で
き、安定したスイッチング素子を得ることができる。

【００２７】また、ゲート絶縁膜となる絶縁薄膜２を走
査線３ａの一部からなるゲート電極に対向する位置から
延設して誘電体膜として用い、半導体層１ａを延設して
第１蓄積容量電極１ｆとし、さらにこれらに対向する容
量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、
蓄積容量７０が構成されている。より詳細には、半導体
層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅが、データ線６ａおよ
び走査線３ａの下に延設され、同じくデータ線６ａおよ
び走査線３ａに沿って延びる容量線３ｂ部分に絶縁薄膜
２を介して対向配置されて、第１蓄積容量電極１ｆとさ
れている。特に、蓄積容量７０の誘電体としての絶縁薄
膜２は、高温酸化によりポリシリコン膜上に形成される
画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜の場合、
薄くかつ高耐圧の絶縁膜とすることができ、蓄積容量７
０は比較的小面積で大容量の蓄積容量とすることができ
る。また、半導体層１ａの下層には、絶縁膜１２を介し
て金属などで形成された遮光膜１１が配置されている。

【００２８】ＴＦＴアレイ基板１０の画素スイッチング
用ＴＦＴ３０、データ線６ａおよび走査線３ａの形成領
域にあたる第２層間絶縁膜７上および画素電極９ａ上に
垂直配向膜１６が設けられている。この垂直配向膜１６
は、有効表示領域（画素領域）に形成され、酸化シリコ
ン等の無機斜方蒸着膜からなる。垂直配向膜１６は、基
板をある角度で固定して一方向から無機材料を蒸着さ
せ、基板に対して所定の角度で配列された柱状結晶を成
長させる斜方蒸着により形成されたものである。この垂
直配向膜１６の厚みは、１０〜５０ｎｍ程度である。

【００２９】他方、対向基板２０には、第１の遮光膜２
３ａ（特許請求の範囲における「画素間遮光膜」に相
当）と第２の遮光膜２３ｂ（特許請求の範囲における
「遮光膜」に相当）とからなる遮光膜２３が設けられて
いる。遮光膜２３を構成する第１の遮光膜２３ａと第２
の遮光膜２３ｂとは、一体に形成されている。

【００３０】第１の遮光膜２３ａは、隣接する画素間を
遮光するものであり、図２および図３に示すように、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０上のデータ線６ａ、走査線３ａ、容
量線３ｂ、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成領域に
対向する領域、すなわち各画素の非表示領域に設けられ
ている。第１の遮光膜２３ａの存在により、対向基板２
０の側からの入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の
半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域
領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することはな
い。さらに、第１の遮光膜２３ａは、コントラストの向
上、色材の混色防止などの機能、いわゆるブラックマト
リクスとしての機能を有している。

【００３１】第２の遮光膜２３ｂは、図３および図４に
示すように、配向膜１６を斜方蒸着により形成する際の
蒸着方向Ｅにおいて、データ線６ａ、走査線３ａ、容量
線３ｂが設けられている部分とデータ線６ａ、走査線３
ａ、容量線３ｂが設けられていない部分とによって形成
された段差Ｈの陰となる領域Ｂ（あるいは蒸着方向Ｅの
順方向に対応する画素の縁部の領域）に対応して設けら
れている。なお、図４では、説明のために第１の遮光膜
２３ａと第２の遮光膜２３ｂとを実線で区別している。
第２の遮光膜２３ｂの幅ｄ１は、段差の高さをＨ、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０および対向基板２０の表面に対する法
線と蒸着方向Ｅとのなす角である蒸着角度をθｅとした
とき、下記の式で示される寸法とすることが望ましい。 ｄ１＝Ｈ／ｔａｎ（９０°−θｅ） 上記の式を一般的な液晶装置に適応した場合、第２の遮
光膜２３ｂの幅ｄ１は、具体的には、０．２〜２．９μ
ｍ程度とされる。

【００３２】また、図３および図４に示す第２の遮光膜
２３ｂの幅ｄ２は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２
０との距離をＧ、図３において符号Ｆで示す液晶装置に
入射する光の基板表面に対する法線方向からの角度をθ
ｉとしたとき、下記の式で示される寸法とすることがよ
り望ましい。 ｄ２＝ｄ１＋α α＝Ｇ×ｔａｎθｉ 液晶装置に入射する光の斜め光Ｆの入射角度θｉは、一
般に１０°程度であり、最大で３０°程度である。この
ため、θｉ＝１０°とすることにより、陰となる領域Ｂ
に進入する斜め光Ｆの多くを遮光することが可能な第２
の遮光膜２３ｂの幅ｄ２となり、θｉ＝３０°とするこ
とにより、前記斜め光Ｆのすべてを遮光することが可能
な第２の遮光膜２３ｂの幅ｄ２となる。上記の式を一般
的な液晶装置に適応した場合、第２の遮光膜２３ｂの幅
ｄ２は、具体的には、０．７〜３．４μｍ程度とされ
る。さらに、本実施形態においては後述するように、液
晶層５０に配向分散性の高分子により安定化処理がなさ
れており、第２の遮光膜２３ｂの幅を、図３において符
号βで示すようにさらに０．１〜１μｍ広くすることが
望ましい。

【００３３】遮光膜２３上を含む対向基板２０上には、
その全面にわたって対向電極（共通電極）２１が設けら
れている。対向電極２１もＴＦＴアレイ基板１０の画素
電極９ａと同様、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成さ
れている。また、ＴＦＴアレイ基板１０側の垂直配向膜
１６と対向する位置にあたる対向基板２０の対向電極２
１上には、垂直配向膜１６と同様の材料からなる垂直配
向膜２２が設けられている。この垂直配向膜２２は、有
効表示領域（画素領域）に形成された酸化シリコン等の
無機斜方蒸着膜からなる。垂直配向膜２２は、上記の垂
直配向膜１６と同様に斜方蒸着に形成されたものであ
る。この垂直配向膜２２の厚みは、１０〜５０ｎｍ程度
である。

【００３４】なお、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２
０とは、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けた無機斜方蒸着
膜からなる垂直配向膜１６の斜方蒸着方向と、対向基板
２０側に設けた無機斜方蒸着膜からなる垂直配向膜２２
の斜方蒸着方向が反対（１８０°ずらす）になるように
配置されている。これらＴＦＴアレイ基板１０と対向基
板２０は、画素電極９ａと対向電極２１とが対向するよ
うに配置され、これら基板１０、２０とシール材により
囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層５０が形成され
る。そして、液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が
印加されていない状態で配向膜１６、２２の作用により
所定の配向状態をとる。

【００３５】本実施形態においては、液晶層５０は、配
向分散性の高分子により安定化されている。ここでの配
向分散性の高分子による安定化としては、例えば、液晶
層５０内の液晶に液晶性紫外線硬化型モノマーなどのモ
ノマーを混入し分散させて、液晶層５０内の液晶分子を
所定の方向に配向させた状態で、液晶層５０内に混入し
分散させた液晶性モノマーを液晶分子と伴に配向させな
がら紫外線照射で重合させることにより液晶層５０内に
ポリマーネットワークを形成する方法などによって行わ
れる。

【００３６】このような液晶装置では、垂直配向膜１６
を斜方蒸着により形成する際の蒸着方向Ｅにおいて、段
差Ｈの陰となる領域Ｂに対応して第２の遮光膜２３ｂが
設けられているので、陰となる領域Ｂに垂直配向膜１６
が形成されないことによって生じる光抜け状態を防止す
ることができ、光の透過率が低い高品位な黒表示が得ら
れる。また、液晶の配向方向が規定されていないランダ
ム配向が形成されないので、透過率の低下が起こらず高
品位な白表示が得られる。したがって、陰となる領域Ｂ
に垂直配向膜１６が形成されないことに起因するコント
ラスト比の低下を防止することができ、高コントラスト
表示ができる液晶装置とすることができる。

【００３７】また、第２の遮光膜２３ｂの幅ｄ１を、段
差をＨ、蒸着角度をθｅとしたとき、ｄ１＝Ｈ／ｔａｎ
（９０°−θｅ）で示される寸法とすることにより、陰
となる領域Ｂに正確に対応して遮光膜２３が設けられて
いるものとなる。このため、陰となる領域Ｂに垂直配向
膜１６が形成されないことによって生じる光抜け状態や
ランダム配向の形成による透過率の低下をより一層確実
に防止することができ、垂直配向膜１６が形成されない
ことに起因するコントラスト比の低下をより一層確実に
防止することができる。

【００３８】さらに、第２の遮光膜２３ｂの幅ｄ２を、
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との距離をＧとし
たとき、ｄ２＝ｄ１＋α、α＝Ｇ×ｔａｎθｉで示され
る寸法とすることにより、陰となる領域Ｂに確実に対応
することに加え、陰となる領域Ｂに、液晶装置に入射す
る光の斜め光Ｆが進入するのを防ぐことができるように
遮光膜２３が設けられているものとなる。このため、陰
となる領域Ｂに垂直配向膜１６が形成されないことによ
って生じる光抜け状態やランダム配向の形成による透過
率の低下をより一層確実に防止することができ、垂直配
向膜１６が形成されないことに起因するコントラスト比
の低下をより一層確実に防止することができる。

【００３９】また、液晶層５０が配向分散性の高分子に
より安定化されたものであるので、例えば、垂直配向膜
１６、２２が長時間強い光にさらされて劣化したり変質
したりし、配向膜自体の配向規制力が低下した場合に
も、配向分散性の高分子が当初の配向状態を記憶してい
るために、電圧印加時および無印加時の液晶分子の所定
の配向動作を維持させることが可能なものとなるため、
耐光信頼性に優れた液晶装置とすることができる。さら
に、第２の遮光膜２３ｂの幅を０．１〜１μｍ広くした
ので、液晶層５０が配向分散性の高分子により安定化さ
れたものであっても、光抜け状態となった部分の周囲に
進入する散乱光も遮光することができるため、不要散乱
領域が形成されにくく、高コントラスト表示ができる液
晶装置とすることができる。

【００４０】また、遮光膜２３を構成する第２の遮光膜
２３ｂが第１の遮光膜２３ａと一体に形成されているの
で、第１の遮光膜２３ａと第２の遮光膜２３ｂとを同時
に形成することができ、遮光膜のマスクパターン設計時
にパターンの幅を広げるだけで済み、第２の遮光膜２３
ｂを設けるために新たに工程を増やす必要がなく、従来
の液晶装置と同様に製造することができる。

【００４１】なお、本発明の液晶装置において、段差
は、信号線が設けられている部分と前記信号線が設けら
れていない部分とによって形成されるものであり、段差
のうち陰となる領域を形成する段差は、蒸着方向に応じ
て決定されるものである。したがって、陰となる領域Ｂ
を形成する段差Ｈは、上記の実施形態に示した例のよう
に、容量線３ｂが設けられている部分によって形成され
ている場合もあるが、この例に限定されるものではな
い。さらに、本発明の液晶装置においては、段差の陰と
なる領域も、陰となる領域に対応して設けられる遮光膜
の位置も、蒸着方向に応じて決定されるものであり、上
記の実施形態に示した例に限定されるものではない。

【００４２】また、上記実施形態の液晶装置において
は、遮光膜２３を構成する第２の遮光膜２３ｂを第１の
遮光膜２３ａと一体に形成したが、第１の遮光膜２３ａ
と第２の遮光膜２３ｂとは一体に形成しなくてもよく、
別々の層に設けることも可能である。さらに、第１の遮
光膜２３ａおよび第２の遮光膜２３ｂは、ＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０のいずれの基板上に設けられて
いてもよく、各々別々の基板上に設けられていてもよ
い。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０上の、データ線６
ａや、走査線３ａと同一層に形成した遮光膜や、データ
線６ａと画素電極９ａ間や、走査線３ａとデータ線６ａ
との間に形成された遮光膜であってもよい。その場合に
は、遮光膜が形成される基板の領域に、少なくとも遮光
膜の厚さの溝を形成して、遮光膜分の高さを相殺しても
よい。

【００４３】また、上記実施形態の液晶装置において
は、本発明をＴＦＴ素子に代表される３端子型素子を用
いるアクティブマトリクス型の液晶装置とその製造方法
に適用した場合について説明したが、ＴＦＤ素子に代表
される２端子型素子を用いるアクティブマトリクス型の
液晶装置およびその製造方法や、パッシブマトリクス型
の液晶装置及びその製造方法にも適用できる。

【００４４】［液晶装置の全体構成］次に、上記構成の
液晶装置の全体構成を図５および図６を参照して説明す
る。なお、図５は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形
成された各構成要素とともに対向基板２０の側から見た
平面図であり、図６は、対向基板２０を含めて示す図５
のＨ−Ｈ’断面図である。なお、図５及び図６では、垂
直配向膜の記載は省略されている。

【００４５】図５において、ＴＦＴアレイ基板１０の上
には、シール材５１がその縁に沿って設けられており、
その内側に並行して、例えば遮光膜２３と同じかあるい
は異なる材料からなる額縁としての遮光膜５３が設けら
れている。シール材５１の外側の領域には、データ線駆
動回路１０１および外部回路接続端子１０２がＴＦＴア
レイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆
動回路１０４がこの一辺に隣接する２辺に沿って設けら
れている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題
にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけ
でも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回
路１０１を画像表示領域の辺に沿って両側に配列しても
よい。例えば、奇数列のデータ線６ａは画像表示領域の
一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像
信号を供給し、偶数列のデータ線は上記画像表示領域の
反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画
像信号を供給するようにしてもよい。このようにデータ
線６ａを櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動
回路の占有面積を拡張することができるため、複雑な回
路を構成することが可能となる。さらに、ＴＦＴアレイ
基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けら
れた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線
１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナ
ー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板
１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための導
通材１０６が設けられている。そして、図６に示すよう
に、図５に示したシール材５１とほぼ同じ輪郭を持つ対
向基板２０が当該シール材５１によりＴＦＴアレイ基板
１０に固着されている。

【００４６】以上、図１から図６を参照して説明した液
晶装置においては、ＴＦＴアレイ基板１０上に、さらに
製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査
するための検査回路等を形成してもよい。また、データ
線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４をＴＦＴ
アレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ
（Tape Automated Bonding)基板上に実装された駆動用
ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた
異方性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続
するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が
入射する側およびＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射
する側には各々、例えば、ＴＮ（TwistedNematic)モー
ド、ＶＡ（Vertically Aligned)モード、ＰＤＬＣ(Pol
ymer Dipersed Liquid Crystal)モード等の動作モード
や、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモ
ードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏
光手段などが所定の方向で配置される。

【００４７】また、上記の液晶装置においては、例えば
カラー液晶プロジェクタ（投射型液晶装置）に適用する
ことができる。その場合、３枚の液晶装置がＲＧＢ用の
ライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには
各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分
解された各色の光が投射光として各々入射されることに
なる。したがって、上記の実施形態では、対向基板２０
に、カラーフィルタは設けられていない。しかしなが
ら、遮光膜２３の形成されていない画素電極９ａに対向
する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と
ともに、対向基板２０上に形成してもよい。このように
すれば、液晶プロジェクタ以外の直視型のカラー液晶テ
レビなどのカラー液晶装置に各実施形態における液晶装
置を適用できる。さらに、対向基板２０上に１画素に１
個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。こ
のようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、
明るい液晶装置が実現できる。さらにまた、対向基板２
０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積するこ
とで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイク
ロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイッ
クフィルタ付対向基板によれば、より明るいカラー液晶
装置が実現できる。

【００４８】［電子機器］上記実施形態の液晶装置を備
えた電子機器の例について説明する。図７は、本発明の
投射型液晶装置の一例を示した概略構成図である。図７
において、投射型液晶装置１１００は、上述した液晶装
置を３個用意し、夫々ＲＧＢ用の液晶装置９６２Ｒ、９
６２Ｇおよび９６２Ｂとして用いた投射型液晶装置の光
学系の概略構成図を示す。本例の投射型液晶装置の光学
系には、光源装置９２０と、均一照明光学系９２３が採
用されている。そして、投射型液晶装置は、この均一照
明光学系９２３から出射される光束Ｗを赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）に分離する色分離手段としての色分離
光学系９２４と、各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂを変調する変調手
段としての３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９
２５Ｂと、変調された後の色光束を再合成する色合成手
段としての色合成プリズム９１０と、合成された光束を
投射面１００の表面に拡大投射する投射手段としての投
射レンズユニット９０６を備えている。また、青色光束
Ｂを対応するライトバルブ９２５Ｂに導く導光系９２７
をも備えている。

【００４９】均一照明光学系９２３は、２つのレンズ板
９２１、９２２と反射ミラー９３１を備えており、反射
ミラー９３１を挟んで２つのレンズ板９２１、９２２が
直交する状態に配置されている。均一照明光学系９２３
の２つのレンズ板９２１、９２２は、それぞれマトリク
ス状に配置された複数の矩形レンズを備えている。光源
装置９２０から出射された光束は、第１のレンズ板９２
１の矩形レンズによって複数の部分光束に分割される。
そして、これらの部分光束は、第２のレンズ板９２２の
矩形レンズによって３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２
５Ｇ、９２５Ｂ付近で重畳される。したがって、均一照
明光学系９２３を用いることにより、光源装置９２０が
出射光束の断面内で不均一な照度分布を有している場合
でも、３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５
Ｂを均一な照明光で照明することが可能となる。

【００５０】各色分離光学系９２４は、青緑反射ダイク
ロイックミラー９４１と、緑反射ダイクロイックミラー
９４２と、反射ミラー９４３から構成される。まず、青
緑反射ダイクロイックミラー９４１において、光束Ｗに
含まれている青色光束Ｂおよび緑色光束Ｇが直角に反射
され、緑反射ダイクロイックミラー９４２の側に向か
う。赤色光束Ｒはこのミラー９４１を通過して、後方の
反射ミラー９４３で直角に反射されて、赤色光束Ｒの出
射部９４４から色合成プリズム９１０の側に出射され
る。次に、緑反射ダイクロイックミラー９４２におい
て、青緑反射ダイクロイックミラー９４１において反射
された青色、緑色光束Ｂ、Ｇのうち、緑色光束Ｇのみが
直角に反射されて、緑色光束Ｇの出射部９４５から色合
成光学系の側に出射される。緑反射ダイクロイックミラ
ー９４２を通過した青色光束Ｂは、青色光束Ｂの出射部
９４６から導光系９２７の側に出射される。本例では、
均一照明光学素子の光束Ｗの出射部から、色分離光学系
９２４における各色光束の出射部９４４、９４５、９４
６までの距離がほぼ等しくなるように設定されている。

【００５１】色分離光学系９２４の赤色、緑色光束Ｒ、
Ｇの出射部９４４、９４５の出射側には、それぞれ集光
レンズ９５１、９５２が配置されている。したがって、
各出射部から出射した赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、これら
の集光レンズ９５１、９５２に入射して平行化される。
このように平行化された赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、ライ
トバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇに入射して変調され、各色
光に対応した画像情報が付加される。すなわち、これら
の液晶装置は、図示しない駆動手段によって画像情報に
応じてスイッチング制御されて、これにより、ここを通
過する各色光の変調が行われる。一方、青色光束Ｂは、
導光系９２７を介して対応するライトバルブ９２５Ｂに
導かれ、ここにおいて、同様に画像情報に応じて変調が
施される。なお、本例のライトバルブ９２５Ｒ、９２５
Ｇ、９２５Ｂは、それぞれさらに入射側偏光手段９６０
Ｒ、９６０Ｇ、９６０Ｂと、出射側偏光手段９６１Ｒ、
９６１Ｇ、９６１Ｂと、これらの間に配置された液晶装
置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂとからなる液晶ライト
バルブである。

【００５２】導光系９２７は、青色光束Ｂの出射部９４
６の出射側に配置した集光レンズ９５４と、入射側反射
ミラー９７１と、出射側反射ミラー９７２と、これらの
反射ミラーの間に配置した中間レンズ９７３と、ライト
バルブ９２５Ｂの手前側に配置した集光レンズ９５３と
から構成されている。集光レンズ９４６から出射された
青色光束Ｂは、導光系９２７を介して液晶装置９６２Ｂ
に導かれて変調される。各色光束の光路長、すなわち、
光束Ｗの出射部から各液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９
６２Ｂまでの距離は青色光束Ｂが最も長くなり、したが
って、青色光束の光量損失が最も多くなる。しかし、導
光系９２７を介在させることにより、光量損失を抑制す
ることができる。各ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、
９２５Ｂを通って変調された各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂは、色
合成プリズム９１０に入射され、ここで合成される。そ
して、この色合成プリズム９１０によって合成された光
が投射レンズユニット９０６を介して所定の位置にある
投射面１００の表面に拡大投射されるようになってい
る。

【００５３】このような投射型液晶装置は、本発明の実
施形態の液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂが備え
られているものであるので、高コントラスト表示ができ
る投射型液晶装置とすることができる。

【００５４】図８は、携帯電話の一例を示した斜視図で
ある。図８において、符号１０００は携帯電話本体を示
し、符号１００１は上記の液晶装置を用いた液晶表示部
を示している。

【００５５】図９は、腕時計型電子機器の一例を示した
斜視図である。図９において、符号１１００は時計本体
を示し、符号１１０１は上記の液晶装置を用いた液晶表
示部を示している。

【００５６】図１０は、ワープロ、パソコンなどの携帯
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０に
おいて、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２は
キーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置
本体、符号１２０６は上記の液晶装置を用いた液晶表示
部を示している。

【００５７】図８〜図１０に示す電子機器は、上記実施
の形態の液晶装置を用いた液晶表示部を備えているの
で、高コントラスト表示ができる表示部を有する電子機
器を実現することができる。なお、本発明の技術範囲は
上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣
旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが
可能である。

【００５８】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
液晶装置によれば、配向膜を斜方蒸着により形成する際
の蒸着方向において、段差の陰となる領域に対応して遮
光膜が設けられている、あるいは配向膜を斜方蒸着によ
り形成する際の蒸着方向の順方向に対応する画素の縁部
の領域に対応して遮光膜が設けられているので、陰とな
る領域に配向膜が形成されないことによって生じる光抜
け状態を防止することができ、光の透過率が低い高品位
な黒表示が得られる。したがって、陰となる領域に配向
膜が形成されないことに起因するコントラスト比の低下
を防止することができ、高コントラスト表示ができる液
晶装置とすることができる。そして、本発明の液晶装置
を備えたものとすることにより、高コントラスト表示が
できる表示品位の高い投射型液晶装置および電子機器を
実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施形態の液晶装置の画像表
示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられ
た各種素子、配線等の等価回路を示す図である。

【図２】 同、液晶装置のＴＦＴアレイ基板の相隣接す
る複数の画素群を示す平面図である。

【図３】 図２のＡ−Ａ’断面図である。

【図４】 図２上の遮光膜の配置を説明するための図で
ある。

【図５】 各実施形態の液晶装置のＴＦＴアレイ基板を
その上に形成された各構成要素とともに対向基板の側か
ら見た平面図である。

【図６】 図１０のＨ−Ｈ’断面図である。

【図７】 本発明の投射型液晶装置の一例を示した概略
構成図である。

【図８】 本発明の電子機器の一例を示した斜視図であ
る。

【図９】 本発明の電子機器の他の例を示した斜視図で
ある。

【図１０】 本発明の電子機器の他の例を示した斜視図
である。

【図１１】 従来の液晶装置の一例を示した断面図であ
る。

【符号の説明】

３ａ 走査線 ６ａ データ線 ９ａ 画素電極 １０ ＴＦＴアレイ基板 １６，２２ 配向膜 ２０ 対向基板 ２１ 対向電極 ３０ 画素スイッチング用ＴＦＴ ５０ 液晶層 Ｈ 段差 Ｂ 陰となる領域 ２３ 遮光膜 ２３ａ 第１の遮光膜 ２３ｂ 第２の遮光膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｂ 21/00 Ｇ０３Ｂ 21/00 Ｅ Ｆターム(参考） 2H088 EA12 HA01 HA03 HA08 HA10 HA12 HA13 HA14 HA16 HA18 HA21 HA24 HA28 JA05 MA02 2H090 HB08Y JB02 KA05 LA05 LA06 LA09 LA12 LA15 LA16 MA01 MA10 MB01 MB06 2H091 FA02Y FA05X FA08X FA08Z FA11X FA11Z FA14X FA26X FA34Y FA41Z GA01 GA06 GA13 HA07 LA03 LA17 MA07 2H092 GA29 JA24 JA46 JB22 JB31 JB61 KA04 KB25 NA25 PA01 PA02 PA07 PA08 PA09 PA10 PA11 PA12 PA13 QA07 RA05

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに対向する一対の基板間に液晶層が
   狭持されてなる液晶装置であって、 前記一対の基板のうち一方の基板には、画素電極と、ス
   イッチング素子を介して前記画素電極に電気的に接続さ
   れた信号線と、無機斜方蒸着膜からなる配向膜とが備え
   られ、 前記信号線が設けられている部分と前記信号線が設けら
   れていない部分とによって段差が形成され、 前記配向膜を斜方蒸着により形成する際の蒸着方向にお
   いて、前記段差の陰となる領域に対応して遮光膜が設け
   られていることを特徴とする液晶装置。
2. 【請求項２】 互いに対向する一対の基板間に液晶層が
   狭持されてなる液晶装置であって、 前記一対の基板のうち一方の基板には、画素電極と、ス
   イッチング素子を介して前記画素電極に電気的に接続さ
   れた信号線と、無機斜方蒸着膜からなる配向膜とが備え
   られ、 前記信号線が設けられている部分と前記信号線が設けら
   れていない部分とによって段差が形成され、 前記配向膜を斜方蒸着により形成する際の蒸着方向の順
   方向に対応する画素の縁部の領域に対応して遮光膜が設
   けられていることを特徴とする液晶装置。
3. 【請求項３】 前記遮光膜の幅ｄ１は、前記段差の高さ
   をＨ、前記一対の基板のうち一方の基板表面に対する法
   線と蒸着方向とのなす角である蒸着角度をθｅとしたと
   き、下記の式で示されることを特徴とする請求項１また
   は請求項２に記載の液晶装置。 ｄ１＝Ｈ／ｔａｎ（９０°−θｅ）
4. 【請求項４】 前記遮光膜の幅ｄ２は、前記一対の基板
   間の距離をＧ、液晶装置に入射する光の基板表面に対す
   る法線方向からの角度をθｉとしたとき、下記の式で示
   されることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。 ｄ２＝ｄ１＋α α＝Ｇ×ｔａｎθｉ
5. 【請求項５】 前記液晶層が、配向分散性の高分子によ
   り安定化されたものであることを特徴とする請求項１な
   いし請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置。
6. 【請求項６】 前記遮光膜の幅をさらに０．１〜１μｍ
   広くしたことを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
7. 【請求項７】 前記遮光膜が、隣接する画素間の信号線
   を遮光する画素間遮光膜と一体に形成されていることを
   特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記
   載の液晶装置。
8. 【請求項８】 請求項１ないし請求項７のいずれか一項
   に記載の液晶装置を備えた投射型液晶装置であって、 光源と、該光源から出射された光を変調する前記液晶装
   置と、該液晶装置により変調された光を投射面に拡大投
   影する拡大投影光学系とを有することを特徴とする投射
   型液晶装置。
9. 【請求項９】 請求項１ないし請求項７のいずれか一項
   に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。