JP2002277879A - 液晶装置及び液晶装置用基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画素ピッチが２０μｍ以下であっても、配向
膜の下地層の段差部の近傍に無機材料の蒸着不良領域が
生じることがなく、蒸着不良領域の発生に起因する液晶
の配向不良が起こることを防止し得る液晶装置の提供。 【解決手段】 互いに対向する一対の基板１０、２０に
挟持された液晶層５０側の表面に無機配向膜３６、４２
がそれぞれ設けられ、無機配向膜３６の下地層は表面に
段差部８０を有し、無機配向膜３６は傾斜した無機材料
の柱状構造物からなる第一の無機斜方蒸着膜３６ａと、
段差部８０の近傍領域８０ａと第一の無機斜方蒸着膜３
６ａ上に形成された傾斜した無機材料の柱状構造物から
なる第二の無機斜方蒸着膜３６ｂとからなり、第一の無
機斜方蒸着膜３６ａを構成する無機材料の柱状構造物の
傾斜方向と、第二の無機斜方蒸着膜３６ｂを構成する無
機材料の柱状構造物の傾斜方向とは少なくとも上記基板
の面内方向に沿った方位角方向が異なる液晶装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置及び液晶
装置用基板の製造方法に関し、特に、液晶プロジェクタ
の投射型ライトバルブ等に用いて好適な液晶装置及び液
晶装置用基板の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶プロジェクタ等の投射型液晶表示装
置には、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色
に対応して液晶パネルを３枚使用する３板式のものと、
１枚の液晶パネルと色生成手段とから構成される単板式
のものがある。この投射型液晶表示装置の構成要素であ
る液晶パネルは、例えば、アクティブマトリクス型液晶
ライトバルブとその前後に配置される偏光板とから構成
されている。図１８は、この種の液晶ライトバルブの構
成の一例を示す断面図である。

【０００３】液晶ライトバルブは、図１８に示すよう
に、透明な２枚の基板間に液晶が封入されたものであ
り、一方の基板をなす薄膜トランジスタ（Thin Film Tr
ansistor、以下、ＴＦＴと略記する）アレイ基板１０
と、これに対向配置された他方の基板をなす対向基板２
０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、複数本の
走査線３ａに対して複数本のデータ線６ａが交差して格
子状に配設されている。走査線３ａとデータ線６ａの交
差部に対応して画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けら
れている。該ＴＦＴ３０の半導体層１ａ上には絶縁薄膜
２を介して走査線３ａが交差し、半導体層１ａとの交差
領域にはチャネル領域１ａ’が形成されている。走査線
３ａ上を交差するデータ線６ａは、コンタクトホール５
を介して半導体層１ａのソース領域１ｄに電気的に接続
されている。また、データ線６ａの上層には、走査線３
ａとデータ線６ａ等で囲まれた領域に画素電極９ａが形
成され、コンタクトホール８を介して半導体層１ａのド
レイン領域１ｅに電気的に接続されている。そして、画
素電極９ａ上にはラビング処理で配向処理された配向膜
１６が形成されている。なお、配向膜１６はポリイミド
の有機膜から形成されている。

【０００４】このようなＴＦＴアレイ基板１０は、画素
電極９ａが形成される領域と比較して、非画素領域でも
ある、ＴＦＴ３０が形成される領域、走査線３ａが形成
される領域、データ線６ａが形成される領域は、配線や
それらを絶縁するための層間絶縁膜４、７等が積層され
ているために層厚が厚くなり、配向膜１６の表面に段差
部が形成される。特に、ＴＦＴ３０が形成される領域と
画素電極９ａが形成される領域との段差が大きい。ま
た、表示品位を高めるために、容量線３ｂや、ＴＦＴ３
０を遮光するためにＴＦＴ３０の下層に第１遮光膜１１
ａを形成すると、段差部も顕著に現れる傾向となる。

【０００５】近年、液晶プロジェクタの高精細化、高輝
度化に伴う液晶ライトバルブの小型化に伴って、画素電
極等の画素ピッチを微細化するようになってきている。
ところが、画素ピッチが２０μｍ程度に微細になってく
ると、ポリイミド膜の有機膜から構成した配向膜を使用
した液晶ライトバルブでは、配向膜の下地層の段差部に
起因して配向膜にラビングがかからない領域（ラビング
不良領域）が生じてしまい、この付近で液晶の配向乱れ
が生じ、これが表示不良の原因となることがあった。こ
のような問題は、画素ピッチをさらに微細化すると、一
層顕著に生じてしまう。

【０００６】また、液晶プロジェクタの高輝度化等に伴
う液晶ライトバルブの小型化に伴って、ライトバルブに
入射させる光の強度が強くなってきている。そのためポ
リイミド膜等の有機膜から構成した配向膜は、光や熱に
よって劣化し、その結果、配向膜による液晶分子の配向
規制力が低下して、液晶分子の配向状態が乱れ、コント
ラスト比が低下する等の表示不良が生じることがある。
このような問題が生じる原因は、ポリイミドの有機膜は
４００ｎｍから４５０ｎｍ付近の可視光領域で若干の吸
収があるため、この吸収に起因して配向膜が劣化し、図
１８の符号５９で示した箇所のように配向膜の劣化した
付近で液晶の配向乱れが生じ、これが表示不良につなが
るからである。

【０００７】そこで、このような問題を解決するため
に、配向膜を、ポリイミドの有機膜でなく、酸化シリコ
ン（ＳｉＯ）などの無機材料からなる無機斜方蒸着膜に
より構成し、この無機斜方蒸着膜の表面形状効果により
液晶分子を配向させるようにした液晶ライトバルブが提
案されている。この無機斜方蒸着膜からなる配向膜は、
基板をある角度で固定して一方向から無機材料を蒸着、
具体的には基板から１０度から３０度程度傾けた方向か
ら無機材料を蒸着させて、基板に対して所定の角度で配
列された柱状結晶を成長させる斜方蒸着法により形成す
ることができる。このようして形成した配向膜は無機斜
方蒸着膜から構成されているため、ポリイミド等の有機
膜から構成したものに比べて、耐光性や耐熱性に優れて
おり、液晶ライトバルブの耐久性を向上することがで
き、また、画素ピッチが２０μｍ以下と微細になっても
ポリイミド等の有機膜から構成したもののようにラビン
グ不良部分に起因する液晶配向乱れがないという利点を
有している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのアク
ティブマトリクス型の液晶ライトバルブにおいても、図
１９に示すように無機斜方蒸着膜から構成した配向膜２
６の下地層としての画素電極９等の配線や第３層間絶縁
膜７は段差部４０を有したものとなっている。この段差
部４０は、高さ（段差）ｈの大きいところでは２００ｎ
ｍから６００ｎｍ程度となっている。

【０００９】このような段差部４０がある下地層表面に
上記のように一方向Ｓから無機材料を斜方蒸着すると、
図１９に示すように段差部４０の近傍には図１９の符号
６０で示した箇所のように無機材料の蒸着ムラや蒸着さ
れない蒸着不良領域ができてしまうことがあり、この蒸
着不良領域が配向膜の不良領域となってしまう。上記の
ような無機材料の蒸着不良領域がある無機配向膜を使用
した液晶ライトバルブでは、この蒸着不良領域付近で図
１８の符号５９で示した箇所と同様の液晶の配向乱れが
生じ、コントラスト比の低下等の表示不良が生じるとい
う問題があった。

【００１０】以上の問題は、ＴＦＴ素子に代表される３
端子型素子を用いるアクティブマトリクス型の液晶装置
に限った問題ではなく、ＴＦＤ（Thin-Film Diode）素
子に代表される２端子型素子を用いるアクティブマトリ
クス型の液晶装置など、表面に段差部がある下地層上に
形成した無機斜方蒸着膜からなる配向膜を使用した液晶
装置においても生じる問題である。

【００１１】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、画素ピッチが２０μｍ程度以下と
微細であっても、配向膜の下地層の段差部の近傍に無機
材料の蒸着不良領域が生じることがなく、無機材料の蒸
着不良領域による配向膜異常に起因して液晶の配向不良
が起こることを防止し、表示不良の発生を抑制し得る液
晶装置およびこのような液晶装置用基板の製造方法を提
供することを目的とする。また、上記のような無機材料
の蒸着不良領域に起因する液晶の配向不良による表示不
良の発生を抑制し得る液晶装置を用いた表示品位の高い
投射型表示装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者は、無機斜方蒸
着膜から形成した配向膜の下地層の段差部やその近傍に
生じた無機材料の蒸着不良領域による配向膜異常を防止
すべく、種々の実験及び検討を重ねた結果、上記のよう
な問題が起こる原因は、複数の配線や複数の絶縁膜を形
成した素子基板をある角度で固定して一方向から無機材
料を蒸着して配向膜を形成する際に、配向膜の下地層表
面の段差部の影となる領域は無機材料が蒸着されにく
く、蒸着不良領域となってしまうことが分かった。

【００１３】さらに、本発明者は、種々の実験及び検討
を重ねた結果、基板上に形成した無機斜方蒸着膜からな
る無機配向膜の下地層が表面に段差部を有するものであ
る場合に、無機材料の斜方蒸着を二回以上行い、その
際、斜方蒸着方向の少なくとも基板の面内方向に沿った
方位角方向を変更することにより、詳細には、表面に段
差部を有する下地層が形成された基板に一方向から無機
材料を斜方蒸着して第一の無機斜方蒸着膜を形成し、上
記第一の斜方蒸着膜の形成工程の無機材料の斜方蒸着方
向とは少なくとも上記基板の面内方向に沿った方位角方
向が異なる方向から無機材料を斜方蒸着して上記段差部
の近傍領域と上記第一の無機斜方蒸着膜上に第二の無機
斜方蒸着膜を形成することにより、上記第一と第二の無
機斜方蒸着膜はそれぞれ傾斜した無機材料の柱状構造物
から形成されてなり、上記第一の無機斜方蒸着膜を構成
する無機材料の柱状構造物の傾斜方向と、上記第二の無
機斜方蒸着膜を構成する無機材料の柱状構造物の傾斜方
向とは、少なくとも上記基板の面内方向に沿った方位角
方向が異なるものが得られ、このような第一と第二の無
機斜方蒸着膜を有する無機配向膜が形成された液晶装置
によれば、上記の問題を解決できることを究明し、本発
明を完成したのである。

【００１４】なお、液晶パネルの配向膜をＳｉＯの斜方
蒸着膜から形成する場合に、斜方蒸着を２回行う方法と
しては、M. R. Johnson and P. A. Penz: IEEE Trans.
Electron devices, Vol. ED-24(7), 805(1977) が知ら
れているが、この技術が対象とする液晶装置は単純マト
リックス方式の直視型液晶パネルであり、本発明のよう
に液晶プロジェクタの投射型ライトバルブ用液晶装置の
ように小型で、画素電極等の画素ピッチが２０μｍ程度
以下と微細で、配向膜の下地層が走査線やデータ線等に
よる段差部を有するようなアクティブマトリックス方式
の液晶パネルを対象とするものではない。また、上記の
斜方蒸着を２回行う技術の課題は、単純マトリックス方
式の直視型液晶パネルにおいて液晶分子のプレティルト
角を２０度より小さくすることであり、本発明のように
無機配向膜の下地層表面の段差が大きい場合に、この段
差部の近傍に無機材料の蒸着不良領域が生じることを防
止することを課題とするものでない。

【００１５】上記の目的を達成するために、本発明の液
晶装置は、互いに対向する一対の基板間に液晶層が挟持
されてなり、上記一対の基板の液晶層側の表面に無機配
向膜がそれぞれ設けられ、これら無機配向膜のうち少な
くとも一方の無機配向膜の下地層は表面に段差部を有す
るものであり、該段差部を有する下地層上に形成された
無機配向膜は、第一の無機斜方蒸着膜と、上記段差部の
近傍領域と上記第一の無機斜方蒸着膜上に形成された第
二の無機斜方蒸着膜とからなり、上記第一と第二の無機
斜方蒸着膜はそれぞれ傾斜した無機材料の柱状構造物か
ら形成されてなり、上記第一の無機斜方蒸着膜を構成す
る無機材料の柱状構造物の傾斜方向と、上記第二の無機
斜方蒸着膜を構成する無機材料の柱状構造物の傾斜方向
とは、少なくとも上記基板の面内方向に沿った方位角方
向が異なることを特徴とする。

【００１６】かかる構成の液晶装置によれば、上記段差
部を有する下地層上に形成された無機配向膜が、傾斜し
た無機材料の柱状構造物から形成された第一の無機斜方
蒸着膜と、第一の無機斜方蒸着膜の柱状構造物の傾斜方
向とは無機材料の柱状構造物の傾斜方向が少なくとも方
位角方向が異なる第二の無機斜方蒸着膜とから構成され
ており、しかもこの第二の無機斜方蒸着膜は上記段差部
の近傍領域に形成されているので、画素ピッチが２０μ
ｍ程度以下と微細化されていても、上記段差部の近傍領
域に無機材料の蒸着ムラや蒸着されない蒸着不良領域が
生じるのが改善でき、従って、画素ピッチが２０μｍ程
度以下と微細であっても、表面に段差部を有する下地層
上に形成した無機配向膜に異常がなく、配向膜異常に起
因する液晶の配向不良を防止でき、コントラスト比の低
下等の表示不良の発生を防止できる。このような効果
は、画素ピッチが１５μｍ以下とさらに微細になっても
同様に得られる。

【００１７】また、本発明の液晶装置は、互いに対向す
る一対の基板間に液晶が挟持されてなり、該一対の基板
のうちの一方の基板上に、マトリクス状に配置された複
数の画素電極と、該複数の画素電極をそれぞれ駆動する
複数のスイッチング手段と、該複数のスイッチング手段
にそれぞれ接続された複数のデータ線および複数の走査
線が備えられるとともに、該一対の基板のうちの他方の
基板上には対向電極が備えられ、上記一対の基板の液晶
層側の表面に無機配向膜がそれぞれ設けられ、これら無
機配向膜のうち少なくともスイッチング手段が設けられ
た基板側の無機配向膜の下地層は表面に段差部を有する
ものであり、該段差部を有する下地層上に形成された無
機配向膜は、第一の無機斜方蒸着膜と、上記段差部の近
傍領域と上記第一の無機斜方蒸着膜上に形成された第二
の無機斜方蒸着膜とからなり、上記第一と第二の無機斜
方蒸着膜はそれぞれ傾斜した無機材料の柱状構造物から
形成されてなり、上記第一の無機斜方蒸着膜を構成する
無機材料の柱状構造物の傾斜方向と、上記第二の無機斜
方蒸着膜を構成する無機材料の柱状構造物の傾斜方向と
は、少なくとも上記基板の面内方向に沿った方位角方向
が異なることを特徴とする。

【００１８】かかる構成の液晶装置においても、上記段
差部を有する下地層上に形成された無機配向膜が、傾斜
した無機材料の柱状構造物から形成された第一の無機斜
方蒸着膜と、第一の無機斜方蒸着膜の柱状構造物の傾斜
方向とは無機材料の柱状構造物の傾斜方向が少なくとも
方位角方向が異なる第二の無機斜方蒸着膜とから構成さ
れており、しかもこの第二の無機斜方蒸着膜は上記段差
部の近傍領域に形成されているので、上記段差部の近傍
領域に無機材料の蒸着ムラや蒸着されない蒸着不良領域
が生じるのを低減でき、従って、画素ピッチが２０μｍ
程度以下と微細になっても、表面に段差部を有する下地
層上に形成した無機配向膜に異常がなく、配向膜異常に
起因する液晶の配向不良を防止でき、コントラスト比の
低下等の表示不良の発生を防止できる。このような効果
は、画素ピッチが１５μｍ以下とさらに微細になっても
同様に得られる。なお、本発明において画素構成要素
は、例えば、スイッチング手段が設けられた基板側は、
走査線（ゲート）及びデータ線、それらに接続されたス
イッチング手段、画素電極、および補助容量（蓄積容
量）等であり、対向電極が設けられた基板側は、遮光膜
（ブラックマトリックス）、対向電極等である。画素ピ
ッチは、例えば、画素電極ピッチ等である。

【００１９】また、上記のいずれかの構成の本発明の液
晶装置において、上記第一の無機斜方蒸着膜を構成する
無機材料の柱状構造物の傾斜方向と、上記第二の無機斜
方蒸着膜を構成する無機材料の柱状構造物の傾斜方向と
は、上記方位角方向が略９０度異なるものであってもよ
い。通常のアクティブマトリクス型液晶装置の場合、デ
ータ線と走査線が略直交してマトリクス状に形成されて
いるので、方位角方向が９０度異なる方向から２回の蒸
着を行うことにより、互いに直交する各段差部の近傍に
確実に配向膜を形成できる。

【００２０】また、上記のいずれかの構成の本発明の液
晶装置において、上記第一の無機斜方蒸着膜の厚みは５
ｎｍ〜１６ｎｍの範囲内であり、上記第二の無機斜方蒸
着膜の厚みは１０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることが
好ましい。上記第一の無機斜方蒸着膜の厚みが５ｎｍ未
満であると液晶分子にプレティルト角が付与されず、デ
ィスクリネーションの要因となってしまい、１６ｎｍを
越えると第二の無機斜方蒸着膜の効果が薄れて液晶分子
のプレティルト角が２０度以上となってしまう。

【００２１】上記第二の無機斜方蒸着膜の厚みが１０ｎ
ｍ未満であるとこの第二の無機斜方蒸着膜の柱状構造物
が第一の無機斜方蒸着膜を構成する無機材料の柱状構造
物の隙間を埋めるという効果が小さく、液晶分子のプレ
ティルト角が２０度以上となってしまい、４０ｎｍを越
えると第一の無機斜方蒸着膜を構成する無機材料の柱状
構造物の隙間が埋め尽くされて液晶分子にプレティルト
が付与されず、プレティルトのない配向状態となってし
まう。

【００２２】また、上記のいずれかの構成の本発明の液
晶装置において、上記液晶層の液晶分子の平均プレティ
ルト角が５度〜１５度の範囲内であることが好ましい。
また、上記のいずれかの構成の本発明の液晶装置におい
て、上記無機配向膜としては、酸化シリコンからなる斜
方蒸着膜を用いることができる。

【００２３】本発明の液晶装置用基板の製造方法は、基
板上に形成した表面に段差部を有する下地層に無機材料
を斜方蒸着して無機配向膜を形成する液晶装置用基板の
製造方法において、表面に段差部を有する下地層が形成
された基板に一方向から無機材料を斜方蒸着して第一の
無機斜方蒸着膜を形成する第一の斜方蒸着工程と、上記
第一の斜方蒸着工程の無機材料の斜方蒸着方向とは少な
くとも上記基板の面内方向に沿った方位角方向が異なる
方向から無機材料を斜方蒸着して上記段差部の近傍領域
と上記第一の無機斜方蒸着膜上に第二の無機斜方蒸着膜
を形成する第二の斜方蒸着工程とを有することを特徴と
する。かかる構成の液晶装置用基板の製造方法では、第
一と第二の斜方蒸着工程を設け、この第一の斜方蒸着工
程の無機材料の斜方蒸着向と第二の斜方蒸着工程の無機
材料の斜方蒸着向が少なくとも上記基板の面内方向に沿
った方位角方向が異なるようにしたことにより、第一の
斜方蒸着工程で無機材料が蒸着されていない領域があっ
ても、この領域には第二の斜方蒸着工程により無機材料
を蒸着できる。それは、第一の斜方蒸着工程では上記段
差部の近傍領域は段差部の影となって第一の無機斜方蒸
着膜が形成されていない領域ができてしまうことがある
が、第二の斜方蒸着工程で、無機材料の斜方蒸着方向を
上記第一の斜方蒸着工程とは少なくとも方位角方向を変
更して斜方蒸着することにより、第一の斜方蒸着工程で
段差部の影となって無機斜方蒸着膜が形成されていない
領域に無機材料を蒸着して第二の無機斜方蒸着膜を形成
することができる。また、この第二の斜方蒸着工程で
は、第二の無機斜方蒸着膜は、上記段差部の近傍領域だ
けでなく、少なくとも上記段差部の両側の第一の無機斜
方蒸着膜上にも形成される。かかる構成の液晶装置用基
板の製造方法によれば、上記のいずれかの構成の本発明
の液晶装置に備えることができる液晶装置用基板を製造
できる。

【００２４】また、上記の構成の本発明の液晶装置用基
板の製造方法においては、上記第一の斜方蒸着工程の無
機材料の斜方蒸着方向と、上記第二の斜方蒸着工程の無
機材料の斜方蒸着方向とは上記方位角方向が略９０度異
なるようにすることが、第一の無機斜方蒸着膜を良好に
形成でき、上記段差部の近傍領域と上記第一の無機斜方
蒸着膜上に第二の無機斜方蒸着膜を良好に形成できる点
で好ましい。通常のアクティブマトリクス型液晶装置の
場合、データ線と走査線が略直交してマトリクス状に形
成されているので、方位角方向が９０度異なる方向から
２回の蒸着を行うことにより、互いに直交する各段差部
の近傍に確実に配向膜を形成できる。

【００２５】また、上記のいずれかの構成の本発明の液
晶装置用基板の製造方法においては、上記第一の斜方蒸
着工程の無機材料の斜方蒸着方向の基板からの蒸着角度
は５度〜１０度の範囲内とし、上記第二の斜方蒸着工程
の無機材料の斜方蒸着方向の基板からの蒸着角度は２５
度〜３０度の範囲内とすることが好ましい。上記第一の
斜方蒸着工程の斜方蒸着方向の基板からの蒸着角度が５
度未満であると、形成される柱状構造物の密度が低すぎ
るために液晶分子の配向方向が不安定となり、基板の面
内方向に沿った面内での配向方向のばらつきが大となっ
てしまい、斜方蒸着方向の基板からの蒸着角度が１０度
を越えると形成される柱状構造物の密度が高くなるため
に第二の無機斜方蒸着膜の柱状構造物で第一の無機斜方
蒸着膜の柱状構造物の隙間を埋めるという効果が得られ
難くなり、その結果、この基板を用いて液晶装置を作製
すると液晶分子の配向にプレティルトの全くない領域が
大きくなってしまう。上記第二の斜方蒸着工程の斜方蒸
着方向の基板からの蒸着角度が２５度未満であると、第
二の無機斜方蒸着膜の柱状構造物で第一の無機斜方蒸着
膜の柱状構造物の隙間を埋めるという効果が得られ難
く、斜方蒸着方向の基板からの蒸着角度が３０度を越え
ると形成される膜表面の異方性が乏しくなり、液晶分子
を配向させる機能がなくなってしまう。

【００２６】また、上記のいずれかの構成の本発明の液
晶装置用基板の製造方法においては、上記第一の斜方蒸
着工程と第二の斜方蒸着工程のうち少なくとも一方の工
程において、無機材料を斜方蒸着する際、上記下地層の
表面に形成された段差部の構造または配置位置に応じて
斜方蒸着方向を選択することが無機斜方蒸着膜を分けて
形成する効果（斜方蒸着を２回行う効果）を高めること
ができる点で好ましい。例えば、下地層の表面に高さが
大きい段差部と高さが小さい段差部がある場合、第一の
斜方蒸着工程では高さが小さい段差部側の方向から無機
材料を斜方蒸着し、第二の斜方蒸着工程では上記第一の
斜方蒸着工程の無機材料の斜方蒸着方向とは少なくとも
上記基板の面内方向に沿った方位角方向が異なる方向か
ら無機材料を斜方蒸着すると良い。上述したように第一
の斜方蒸着工程は基板面に対して小さい角度で、第二の
斜方蒸着工程は基板面に対して大きい角度で蒸着を行う
場合があり、その場合には、上の方法を用いれば、第一
の斜方蒸着工程で蒸着の影になる部分（蒸着膜が形成さ
れない領域）が小さくなるので、より確実に配向膜が形
成される。

【００２７】また、上記の例のような方法により斜方蒸
着を行うのが好ましい理由は、以下のデータからもわか
る。図１６に示すように基板１０ｄの表面に、配線９ｃ
を形成し、この基板１０ａの表面に一方向Ｓから酸化珪
素（ＳｉＯ)を斜方蒸着を形成するときの、酸化珪素の
蒸着角度θと、配線９ｃと基板表面１０ａの段差の高さ
ΔＺと、この段差の影となって無機斜方蒸着膜が形成さ
れない領域（無配向領域）の幅ΔＬとの関係について調
べた。その結果を図１７に示す。ここでの斜方蒸着方向
Ｓは、配線９ｃと直交する方向である。図１７から斜方
蒸着方向Ｓがいずれの蒸着角度であっても段差の高さΔ
Ｚが大きくなるにつれて無機斜方蒸着膜が形成されない
領域（無配向領域）の幅ΔＬが大きくなっていることか
ら、第一の斜方蒸着工程では高さが小さい段差部側の方
向から無機材料を斜方蒸着すれば、無機斜方蒸着膜が形
成されない領域の幅ΔＬを小さくでき、すなわち、第一
の斜方蒸着工程でできるだけ広い範囲に配向膜を形成で
き、第二の斜方蒸着工程で補う必要がある領域を少なく
できるからである。

【００２８】また、上記のいずれかの構成の本発明の液
晶装置用基板の製造方法においては、上記第一の斜方蒸
着工程において形成する無機斜方蒸着の厚みを５ｎｍ〜
１６ｎｍの範囲内とし、上記第二の斜方蒸着工程におい
て形成する第二の無機斜方蒸着膜の厚みを１０ｎｍ〜４
０ｎｍの範囲内とすることが好ましい。上記第一の無機
斜方蒸着膜の厚みが５ｎｍ未満であると液晶分子にプレ
ティルト角が付与されず、ディスクリネーションの要因
となってしまい、１６ｎｍを越えると第二の無機斜方蒸
着膜の効果が薄れて液晶分子のプレティルト角が２０度
以上となってしまう。上記第二の無機斜方蒸着膜の厚み
が１０ｎｍ未満であるとこの第二の無機斜方蒸着膜の柱
状構造物が第一の無機斜方蒸着膜を構成する無機材料の
柱状構造物の隙間を埋めるという効果が小さく、液晶分
子のプレティルト角が２０度以上となってしまい、４０
ｎｍを越えると第一の無機斜方蒸着膜を構成する無機材
料の柱状構造物の隙間が埋め尽くされて液晶分子にプレ
ティルトが付与されず、プレティルトのない配向状態と
なってしまう。

【００２９】また、上記のいずれかの構成の本発明の液
晶装置用基板の製造方法においては上記無機材料として
酸化シリコンを好適に用いることができる。

【００３０】また、本発明の投射型表示装置は、上記の
いずれかの構成の本発明の液晶装置を備えた投射型表示
装置であって、光源と、該光源から出射された光を変調
する上記液晶装置と、該液晶装置により変調された光を
投射面に拡大投影する拡大投影光学系とを有することを
特徴とする。かかる構成の本発明の投射型表示装置によ
れば、上記のいずれかの構成の本発明の液晶装置を用い
たことにより、無機材料の蒸着不良領域に起因する液晶
の配向不良によるコントラスト比の低下等がなく、表示
品位の高い表示装置を実現することができる。

【００３１】

【発明の実施の形態】［第１の実施形態の液晶装置の構
成］本発明の第１の実施形態の液晶装置の構成につい
て、図１から図３を参照して以下説明する。図１は、液
晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素における各種素子、配線等の等価回路で
ある。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成さ
れたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面
図である。図３は、図２のＡ−Ａ’線断面図であり、図
４は、図２のＣ−Ｃ’線断面図である。なお、図３と図
４においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度
の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならし
めてある。また、図３においては、液晶層の液晶分子の
配向状態は符号６１の破線で囲まれた部分のみ模式的示
し、他の部分の液晶分子の配向状態は図示を略した。

【００３２】図１に示すように、本実施形態の液晶装置
において、画像表示領域を構成するマトリクス状に形成
された複数の画素は、画素電極９ａと当該画素電極９ａ
を制御するための画素スイッチング用ＴＦＴ３０がマト
リクス状に複数形成されており、画像信号を供給するデ
ータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接
続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、
Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わな
いし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グ
ループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３
０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所
定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ
１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するよう
に構成されている。画素電極９ａは、画素スイッチング
用ＴＦＴ３０のドレイン領域に電気的に接続されてお
り、スイッチング素子である画素スイッチング用ＴＦＴ
３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、
データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、
Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。

【００３３】画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた
所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基
板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との
間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号
がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極
との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付
加する。例えば画素電極９ａの電圧は、蓄積容量７０に
よりソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間
だけ保持される。蓄積容量７０を形成する方法として、
半導体層との間で容量を形成するための配線である容量
線３ｂを設けている。また、容量線３ｂを設ける代わり
に、画素電極９ａと前段の走査線３ａとの間で容量を形
成しても良い。

【００３４】次に、図２に基づいて、本実施形態の液晶
装置のＴＦＴアレイ基板の画素部（画像表示領域）内の
平面構造について詳細に説明する。図２に示すように、
液晶装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複
数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示
されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の
境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａおよび容量
線３ｂが設けられている。データ線６ａは、コンタクト
ホール５を介してポリシリコン膜からなる半導体層１ａ
のうち後述のソース領域に電気的に接続されており、画
素電極９ａは、コンタクトホール８を介して半導体層１
ａのうち後述のドレイン領域に電気的に接続されてい
る。画素電極ピッチは、２０μｍ程度以下、好ましくは
１５μｍ程度以下とされている。また、半導体層１ａの
うち後述のチャネル領域（図中右上がりの斜線の領域）
に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線
３ａはゲート電極として機能する。

【００３５】容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直
線状に伸びる本線部（即ち、平面的に見て、走査線３ａ
に沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差
する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中、上向
き）に突出した突出部（即ち、平面的に見て、データ線
６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。そし
て、図２中右上がりの斜線で示した領域には、複数の第
１遮光膜１１１が設けられている。より具体的には、第
１遮光膜１１１は、夫々、画素部において半導体層１ａ
のチャネル領域を含むＴＦＴをＴＦＴアレイ基板の側か
ら見て覆う位置に設けられており、更に、容量線３ｂの
本線部に対向して走査線３ａに沿って直線状に伸びる本
線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａ
に沿って隣接する後段側（即ち、図中下向き）に突出し
た突出部とを有する。第１遮光膜１１１の各段（画素
行）における下向きの突出部の先端は、データ線６ａ下
において次段における容量線３ｂの上向きの突出部の先
端と重ねられている。この重なった箇所には、第１遮光
膜１１１と容量線３ｂとを相互に電気的接続するコンタ
クトホール１３が設けられている。即ち、本実施形態で
は、第１遮光膜１１１は、コンタクトホール１３により
前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続されてい
る。

【００３６】次に、断面構造を見ると、図３に示すよう
に、本実施形態の液晶装置は、一対の透明基板を有して
おり、その一方の基板をなすＴＦＴアレイ基板１０と、
これに対向配置される他方の基板をなす対向基板２０と
を備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基
板やハードガラスからなり、対向基板２０は、例えばガ
ラス基板や石英基板からなるものである。ＴＦＴアレイ
基板１０には、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からな
る画素電極９ａが設けられ、ＴＦＴアレイ基板１０上の
各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをス
イッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設
けられている。画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤ
Ｄ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線
３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成
される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａ
と半導体層１ａとを絶縁する絶縁薄膜２、データ線６
ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度
ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１
ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。

【００３７】また、上記走査線３ａ上、絶縁薄膜２上を
含むＴＦＴアレイ基板１０上には、高濃度ソース領域１
ｄへ通じるコンタクトホール５および高濃度ドレイン領
域１ｅへ通じるコンタクトホール８が各々形成された第
２層間絶縁膜４が形成されている。つまり、データ線６
ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５
を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されてい
る。さらに、データ線６ａ上および第２層間絶縁膜４上
には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホー
ル８が形成された第３層間絶縁膜７が形成されている。
つまり、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４
および第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８
を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。これ
ら第３層間絶縁膜７や画素電極９ａは後述する無機配向
膜３６の下地層となっており、この下地層の表面は走査
線３ａや容量線３ｂによる段差部８０を有している。下
地層の表面にできる段差部８０の高さＺは、画素ピッチ
が１５μｍ程度の場合、２００ｎｍから６００ｎｍ程度
のものができている。なお、画素電極９ａと高濃度ドレ
イン領域１ｅとは、データ線６ａと同一のＡｌ膜や走査
線３ｂと同一のポリシリコン膜を中継して電気的に接続
する構成としてもよい。

【００３８】画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好まし
くは上述のようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領
域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃに不純物イオンの
打ち込みを行わないオフセット構造を採っても良いし、
ゲート電極をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち
込み、自己整合的に高濃度ソースおよびドレイン領域を
形成するセルフアライン型のＴＦＴであっても良い。ま
た本実施の形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の
走査線３ａの一部からなるゲート電極をソース・ドレイ
ン領域間に１個のみ配置したシングルゲート構造とした
が、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよ
い。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加さ
れるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲ
ート）あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれ
ば、チャネルとソース・ドレイン領域接合部のリーク電
流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。
これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造ある
いはオフセット構造にしてもよい。また、半導体層はポ
リシリコンに限らず単結晶シリコン等でもよい。単結晶
シリコンでは、薄膜単結晶層を絶縁層上に形成したＳＯ
Ｉ（Silicon on Insulator）構造が好ましい。

【００３９】また、ゲート絶縁膜となる絶縁薄膜２を走
査線３ａの一部からなるゲート電極に対向する位置から
延設して誘電体膜として用い、半導体層１ａを延設して
第１蓄積容量電極１ｆとし、さらにこれらに対向する容
量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、
蓄積容量７０が構成されている。より詳細には、半導体
層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅが、データ線６ａおよ
び走査線３ａの下に延設され、同じくデータ線６ａおよ
び走査線３ａに沿って延びる容量線３ｂ部分に絶縁薄膜
２を介して対向配置されて、第１蓄積容量電極１ｆとさ
れている。特に、蓄積容量７０の誘電体としての絶縁薄
膜２は、高温酸化によりポリシリコン膜上に形成される
画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜の場合、
薄くかつ高耐圧の絶縁膜とすることができ、蓄積容量７
０は比較的小面積で大容量の蓄積容量とすることができ
る。

【００４０】また、図３に示すようにＴＦＴアレイ基板
１０表面の各画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対応する
位置には、第１遮光膜１１１が設けられている。第１遮
光膜１１１は、ＴＦＴアレイ基板１０上に設けられたメ
タル層Ｍ１と、メタル層Ｍ１の上に設けられたバリア層
Ｂ１とからなるものである。バリア層Ｂ１は、酸素元素
の無い無酸素系の高融点の金属単体または金属化合物か
らなるものであり、具体的には、窒素化合物、シリコン
化合物、タングステン化合物、タングステン、シリコン
のうちの１種からなるものとされる。また、メタル層Ｍ
１は、遮光性のある高融点の金属単体または金属化合物
であり、ＳｉＯ2からなる絶縁層との化学反応により酸
素化合物になると遮光性の劣化が見られる金属単体また
は金属化合物のいずれか一方からなるものである。

【００４１】また、第１遮光膜１１１と複数の画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１層間絶縁膜（絶
縁体層）１２が設けられている。第１層間絶縁膜１２
は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層
１ａを第１遮光膜１１１から電気的に絶縁するために設
けられるものである。さらに、第１層間絶縁膜１２は、
ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されており、第１遮
光膜１１１パターンの段差を解消するために表面を研磨
し、平坦化処理を施してある。第１層間絶縁膜１２は、
例えば、高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シ
リコン膜等からなる。この第１層間絶縁膜１２により、
第１遮光膜１１１が画素スイッチング用ＴＦＴ３０等を
汚染する事態を未然に防ぐこともできる。本実施形態で
は、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延
設して誘電体膜として用い、半導体膜１ａを延設して第
１蓄積容量電極１ｆとし、更にこれらに対向する容量線
３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積
容量７０が構成されている。

【００４２】より詳細には、半導体層１ａの高濃度ドレ
イン領域１ｅが、データ線６ａ及び走査線３ａの下に延
設されて、同じくデータ線６ａ及び走査線３ａに沿って
伸びる容量線３ｂ部分に絶縁膜２を介して対向配置され
て、第１蓄積容量電極（半導体層）１ｆとされている。
特に、蓄積容量７０の誘電体としての絶縁膜２は、高温
酸化により単結晶シリコン層上に形成されるＴＦＴ３０
のゲート絶縁膜２に他ならないので、薄く且つ高耐圧の
絶縁膜とすることができ、蓄積容量７０は比較的小面積
で大容量の蓄積容量として構成できる。さらに、蓄積容
量７０においては、図２および図３から分かるように、
第１遮光膜１１１は、第２蓄積容量電極としての容量線
３ｂの反対側において第１蓄積容量電極１ｆに第１層間
絶縁膜１２を介して第３蓄積容量電極として対向配置さ
れることにより（図３の右側の蓄積容量７０参照）、蓄
積容量が更に付与されるように構成されている。すなわ
ち、本実施形態では、第１蓄積容量電極１ｆを挟んで両
側に蓄積容量が付与されるダブル蓄積容量構造が構築さ
れており、蓄積容量がより増加する。

【００４３】上記第１遮光膜１１１（およびこれに電気
的に接続された容量線３ｂ）は、定電位源に電気的に接
続されており、第１遮光膜１１１および容量線３ｂは、
定電位とされる。したがって、第１遮光膜１１１に対向
配置される画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対して、第
１遮光膜１１１の電位変動が悪影響を及ぼすことはな
い。また、容量線３ｂは、蓄積容量７０の第２蓄積容量
電極として良好に機能し得る。この場合、定電位源とし
ては、当該液晶装置を駆動するための周辺回路（例え
ば、走査線駆動回路、データ線駆動回路等）に供給され
る負電源、正電源等の定電位源、接地電源、対向電極２
１に供給される定電位源等が挙げられる。このように周
辺回路等の電源を利用すれば、専用の電位配線や外部入
力端子を設ける必要なく、第１遮光膜１１１および容量
線３ｂを定電位にすることができる。

【００４４】また、図２および図３に示したように、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０に第１遮光膜１１１を設けるのに加
えて、コンタクトホール１３を介して第１遮光膜１１１
は、前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続する
ように構成されている。したがって、各第１遮光膜１１
１が、次段の容量線に電気的に接続される場合と比較し
て、画素部の開口領域の縁に沿って、データ線６ａに重
ねて容量線３ｂおよび第１遮光膜１１１が形成される領
域の他の領域に対する段差が少なくて済む。このように
画素部の開口領域の縁に沿った段差が少ないと、当該段
差に応じて引き起こされる液晶のディスクリネーション
（配向不良）を低減できるので、画素部の開口領域を広
げることが可能となる。また、第１遮光膜１１１は、前
述のように直線状に伸びる本線部から突出した突出部に
コンタクトホール１３が開孔されている。ここで、コン
タクトホール１３の開孔箇所としては、縁に近い程、ス
トレスが縁から発散される等の理由により、クラックが
生じ難いことが判明されている。

【００４５】また、前述のように、画素スイッチング用
ＴＦＴ３０の下側には、第１遮光膜１１１が設けられて
いるので、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃへの戻り光の入射を効果
的に防ぐことが出来る。なお、この実施形態では、相隣
接する前段あるいは後段の画素に設けられた容量線３ｂ
と第１遮光膜１１１とを接続しているため、最上段ある
いは最下段の画素に対して第１遮光膜１１１に定電位を
供給するための容量線３ｂが必要となる。そこで、容量
線３ｂの数を垂直画素数に対して１本余分に設けておく
ようにすると良い。

【００４６】他方、対向基板２０には、ＴＦＴアレイ基
板１０上のデータ線６ａ、走査線３ａ、画素スイッチン
グ用ＴＦＴ３０の形成領域に対向する領域、すなわち各
画素部の開口領域以外の領域に第２遮光膜２３が設けら
れている。さらに、第２遮光膜２３上を含む対向基板２
０上には、その全面にわたって対向電極（共通電極）２
１が設けられている。対向電極２１もＴＦＴアレイ基板
１０の画素電極９ａと同様、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜
から形成されている。第２遮光膜２３の存在により、対
向基板２０の側からの入射光が画素スイッチング用ＴＦ
Ｔ３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソ
ース領域領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに侵入する
ことはない。さらに、第２遮光膜２３は、コントラスト
比の向上、色材の混色防止などの機能、いわゆるブラッ
クマトリクスとしての機能を有している。

【００４７】そして、本実施の形態の場合、ＴＦＴアレ
イ基板１０の画素スイッチング用ＴＦＴ３０、データ線
６ａおよび走査線３ａの形成領域にあたる第３層間絶縁
膜７上および画素電極９ａ上、すなわち表面に段差部８
０を有する上記の下地層上に無機斜方蒸着膜からなる無
機配向膜３６が設けられている。ここでの段差部８０
は、具体的には容量線３ｂ上に形成された画素電極９ａ
の凸部８１とこの凸部８１の近傍の画素電極９の凹部８
２による段差等である。この無機配向膜３６は、第一の
無機斜方蒸着膜３６ａと、第二の無機斜方蒸着膜３６ｂ
とからなるものである。

【００４８】第一の無機斜方蒸着膜３６ａは、第１遮光
膜１１１、第１層間絶縁膜１２、ＴＦＴ３０、第２と第
３層間絶縁膜４、７、画素電極９等を形成したＴＦＴア
レイ基板１０をある角度で固定して一方向から酸化シリ
コン等の無機材料を蒸着させ、基板に対して所定の角度
で配列された柱状構造物を成長させる第一の斜方蒸着工
程により形成されたものである。図２と図４中、符号Ｓ
Ａは第一の斜方蒸着工程で第一の無機斜方蒸着膜３６ａ
を形成した際の無機材料の斜方蒸着方向である。この斜
方蒸着方向ＳＡは、走査線３ａや容量線３ｂと直交する
方向で、図２の平面図の下側からの方向である。また、
斜方蒸着方向ＳＡは、図８に示すようにＴＦＴアレイ基
板１０とのなす角度（蒸着角度）θ１が５度〜１０度の
範囲内が好ましい。

【００４９】第一の無機斜方蒸着膜３６ａは、段差部８
０の近傍領域８０ａ（段差部８０の影となる領域）を除
いた領域８０ｂに形成されている。この第一の無機斜方
蒸着膜３６ａは、段差部８０の近傍領域８０ａには殆ど
形成されていない。それは、上記のような斜方蒸着方向
ＳＡから無機材料を斜方蒸着すると、段差部８０の近傍
領域８０ａ（凸部８１の斜方蒸着方向ＳＡに沿った方向
側の斜面及びその近傍）は、段差部８０の影となって無
機材料が蒸着されにくいからである。

【００５０】第二の無機斜方蒸着膜３６ｂは、図２、図
８に示すように上記第一の斜方蒸着工程の無機材料の斜
方蒸着方向ＳＡとは少なくとも上記基板の面内方向に沿
った方位角方向φが異なる方向ＳＢから無機材料を斜方
蒸着させ、基板に対して所定の角度で配列された柱状構
造物を成長させる第二の斜方蒸着工程により形成された
ものである。この斜方蒸着方向ＳＢは、走査線３ａや容
量線３ｂに沿った方向で、図２の平面図の右側からの方
向である。この斜方蒸着方向ＳＢ と斜方蒸着方向ＳＡ
とは、方位角方向φが９０度異なっていることが好まし
い。また、斜方蒸着方向ＳＢは図８に示すようにＴＦＴ
アレイ基板１０とのなす角度（蒸着角度）θ２が２５度
〜３０度の範囲内が好ましい。

【００５１】この第二の無機斜方蒸着膜３６ｂは、上記
第一の無機斜方蒸着膜３６ａが形成されていない上記段
差部８０の近傍領域８０ａに形成されている。この第二
の無機斜方蒸着膜３６ｂは、第一の無機斜方蒸着膜３６
ａが形成されていない上記段差部８０の近傍領域８０ａ
に形成されているが、上記下地層表面の段差部８０の形
状や配置によっては第二の斜方蒸着工程で蒸着の影とな
る部分も生じることがあるため、第二の無機斜方蒸着膜
３６ｂは第一の無機斜方蒸着膜３６ａの表面の全面に形
成されていない場合もある。すなわち第二の無機斜方蒸
着膜３６ｂは、上記段差部８０の近傍領域８０と、少な
くとも段差部８０の両側の第一の無機斜方蒸着膜３６ａ
上に形成されていればよい。従って、上記下地層上に形
成される無機斜方蒸着膜３６は、実際には、第一の無機
斜方蒸着膜３６ａのみが形成されている部分と、第一の
無機斜方蒸着膜３６ａ上に第二の無機斜方蒸着膜３６ｂ
が形成されている部分と、第二の無機斜方蒸着膜３６ｂ
のみが形成されている部分が混在している。

【００５２】図５は、実施形態の液晶装置の第一の無機
斜方蒸着膜３６ａのみが形成されている部分およびその
近傍部分の斜方蒸着方向ＳＡに沿った断面構造を模式的
に示す図である。図６は、実施形態の液晶装置の段差部
８０の近傍領域８０ａに形成された第一の無機斜方蒸着
膜３６ａが形成されている部分及びその近傍部分の斜方
蒸着方向ＳＢに沿った断面構造を模式的に示す図であ
る。なお、第一の無機斜方蒸着膜３６ａ上に第二の無機
斜方蒸着膜３６ｂが形成されている部分の断面構造は、
形状が複雑になるため図示を略した。第一の無機斜方蒸
着膜３６ａは、図５に示すように傾斜した無機材料の柱
状構造物が疎に形成されており、隣接する柱状構造物間
に隙間３７があいている。第二の無機斜方蒸着膜３６ｂ
は、図６に示すように傾斜した無機材料の柱状構造物が
密に形成されて後述の液晶層５０側となる表面に溝構造
３８を有している。また、この第二の無機斜方蒸着膜３
６ｂは少なくとも段差部８０の両側の第一の無機斜方蒸
着膜３６ａ上にも形成されており、この部分は、図５に
示す柱状構造物間の隙間３７が第二の無機斜方蒸着膜３
６ｂの柱状構造物で埋められたような構造になってい
る。第一の無機斜方蒸着膜３６ａを構成する無機材料の
柱状構造物の傾斜方向と、第二の無機斜方蒸着膜３６ｂ
を構成する無機材料の柱状構造物の傾斜方向とは、少な
くとも上記基板の面内方向に沿った方位角度方向φが異
なっており、好ましくは方位角方向が９０度異なってい
ることが望ましい。

【００５３】第一の無機斜方蒸着膜３６ａの厚みは５ｎ
ｍ〜１６ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ま
しくは８ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内である。第一の無機斜
方蒸着膜３６ａの厚みが５ｎｍ未満であると液晶分子５
０ａにプレティルト角θｐが付与されず、ディスクリネ
ーションの要因となってしまい、１６ｎｍを越えると第
二の無機斜方蒸着膜３６ｂの効果が薄れて液晶分子５０
ａのプレティルト角θｐが２０度以上となってしまう。

【００５４】また、第二の無機斜方蒸着膜３６ｂの厚み
は１０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
第二の無機斜方蒸着膜３６ｂの厚みが１０ｎｍ未満であ
ると第二の無機斜方蒸着膜３６ｂの柱状構造物が第一の
無機斜方蒸着膜３６ａを構成する無機材料の柱状構造物
の隙間３７を埋めるという効果が小さく、液晶分子５０
ａのプレティルト角θｐが２０度以上となってしまい、
４０ｎｍを越えると第一の無機斜方蒸着膜３６ａを構成
する無機材料の柱状構造物の隙間３７が埋め尽くされて
液晶分子５０ａにプレティルトが付与されず、プレティ
ルトのない配向状態となってしまう。無機配向膜３６の
平均の厚みは、１６〜２２ｎｍ程度である。

【００５５】他方、ＴＦＴアレイ基板１０側の無機配向
膜３６と対向する位置にあたる対向基板２０の対向電極
２１上にも、同様の材料からなる無機配向膜４２が設け
られている。この無機配向膜４２は、第２遮光膜２３や
対向電極２１等を形成した対向基板２０をある角度で固
定して一方向から酸化シリコン等の無機材料を蒸着さ
せ、基板に対して所定の角度で配列された柱状構造物を
成長させる斜方蒸着に形成されたものである。

【００５６】図２と図４中、符号ＳＣは対向基板２０側
の無機配向膜４２を形成した際の無機材料の斜方蒸着方
向である。この斜方蒸着方向ＳＣは、図１１に示すよう
に対向基板２０とのなす角度θ３が５度〜１０度の範囲
内のものである。

【００５７】この無機配向膜４２の厚みは、５〜１６ｎ
ｍ程度である。この無機配向膜４２の下地層は、表面の
段差部の高さが小さいものであるので、無機材料を斜方
蒸着する際に段差部が影となっておらず、蒸着不良領域
が生じないため、ＴＦＴアレイ基板１０側の無機配向膜
３６のように無機材料の斜方蒸着を２回行わなくてもよ
い。

【００５８】これらＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２
０は、画素電極９ａと対向電極２１とが対向するように
配置されている。そして、これら基板１０、２０と後述
するシール材５１（図１３および図１４参照）により囲
まれた空間に液晶が封入され、液晶層５０が形成され
る。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加され
ていない状態（電圧無印加時）で無機配向膜３６、４２
の作用により所定の配向状態をとる。なお、本明細書に
おいて、「電圧無印加時」、「電圧印加時」とは、それ
ぞれ「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧未満で
あるとき」、「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電
圧以上であるとき」を意味している。

【００５９】第一の無機斜方蒸着膜３６ａのみが形成さ
れている部分の近傍の液晶分子５０ａは、電界が印加さ
れていない状態（電圧無印加時）では図５に示すように
液晶分子５０ａの長軸は斜方蒸着方向ＳＡ に沿った方
向を含む面に配向しており、プレティルト角θｐ が２
５度から４５度の範囲内が好ましい。このように液晶分
子５０ａが配向するのは、第一の無機斜方蒸着膜３６ａ
は、先に述べたように傾斜した柱状構造物間に隙間３７
を有する構造であり、この第一の無機斜方蒸着膜３６ａ
の液晶層５０側の表面形状効果によるものである。第二
の無機斜方蒸着膜３６ｂが形成されている段差部８０の
近傍領域の液晶分子５０ａは、電界が印加されていない
状態では図６に示すように液晶分子５０ａの長軸は斜方
蒸着方向ＳＢ に沿った方向を含む面に配向しており、
プレティルト角θｐ がほぼ０度の平行配向となってい
る。このように液晶分子５０ａが配向するのは、第二の
無機斜方蒸着膜３６ｂは、先に述べたように傾斜した無
機材料の柱状構造物が密に形成されて得られた溝構造３
８が液晶層５０側となる表面に有する構造であり、この
第二の無機斜方蒸着膜３６ｂの液晶層５０側の表面形状
効果によるものである。また、この第二の無機斜方蒸着
膜３６ｂが第一の無機斜方蒸着膜３６ａ上に形成された
部分（少なくとも段差部８０の両側部分）の近傍の液晶
分子５０ａは、第一の無機斜方蒸着膜３６ａの近傍の液
晶分子５０ａのプレティルトと第二の無機斜方蒸着膜３
６ｂの液晶分子５０ａのプレティルトの間のティルト角
を有しているが、この部分の液晶分子５０ａのプレティ
ルト角度は第一と第二の無機斜方蒸着膜３６ａ、３６ｂ
の膜厚比に依存する。このように液晶分子５０ａが配向
するのは、第二の無機斜方蒸着膜３６ｂが第一の無機斜
方蒸着膜３６ａ上に形成された部分は、先に述べたよう
に図５に示す柱状構造物間の隙間３７が第二の無機斜方
蒸着膜３６ｂの柱状構造物で埋められたような構造にな
っており、この構造の液晶層５０側の表面形状効果によ
るものである。

【００６０】上記液晶層５０の液晶分子５０ａの平均プ
レティルト角θｐが、５〜１５度の範囲内、好ましくは
１２度〜１４度の範囲内とされていることが好ましい。
液晶分子５０ａの平均プレティルト角θｐは、第一と第
二の無機斜方蒸着膜３６ａ、３６ｂの膜厚比や斜方蒸着
角度θ１、θ２をコントロールすることにより調整する
ことができる。上記液晶層５０の液晶分子５０ａは、電
圧印加時には、配向状態を変化させ、これを光学的に識
別することにより表示をすることが可能な構造となって
いる。シール材５１は、例えば、光硬化性樹脂や熱硬化
性樹脂からなる接着材であり、両基板間の距離を所定値
とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等
のスペーサが混入されている。

【００６１】本実施形態の液晶装置は、段差部８０を有
する下地層上に形成された無機配向膜３６が、傾斜した
無機材料の柱状構造物から形成された第一の無機斜方蒸
着膜３６ａと、第一の無機斜方蒸着膜３６ａの柱状構造
物の傾斜方向とは無機材料の柱状構造物の傾斜方向が少
なくとも方位角方向が異なる第二の無機斜方蒸着膜３６
ｂとから構成されており、しかも第二の無機斜方蒸着膜
３６ｂは上記段差部８０の近傍領域８０ａに形成されて
いるので、上記段差部８０の近傍領域８０ａに無機材料
の蒸着ムラや蒸着されない蒸着不良領域が生じるのを低
減でき、従って、画素ピッチが２０μｍ以下と微細にな
っても、表面に段差部を有する下地層上に形成した無機
配向膜に異常がなく、配向膜異常に起因する液晶の配向
不良を防止でき、コントラスト比の低下等の表示不良の
発生を防止できる。このような効果は、画素ピッチが１
５μｍ以下とさらに微細になっても同様に得られる。ま
た、無機配向膜３６、４２は、無機斜方蒸着膜から構成
されているので、ポリイミド等の有機膜から構成したも
のに比べて、耐光性や耐熱性が優れているので、耐久性
が向上した液晶装置とすることができる。

【００６２】［第１実施形態の液晶装置の製造プロセ
ス］次に、上記構成を有する液晶装置の第１実施形態の
製造プロセスについて、図７から図１２を参照して説明
する。なお、図７と図９は各工程におけるＴＦＴアレイ
基板１０側の各層を、図１０と図１２は各工程における
対向基板２０側の各層を、図３と同様に図２のＡ−Ａ’
断面に対応させて示す工程図である。

【００６３】図７に示すように、石英基板、ハードガラ
スなどからなるＴＦＴアレイ基板１０上にメタル層Ｍ１
とバリア層Ｂ１とからなる第１遮光膜１１１、第１層間
絶縁膜１２、コンタクトホール１３、半導体層１ａ、チ
ャネル領域１ａ’、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレ
イン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン
領域１ｅ、第１蓄積容量電極１ｆ、絶縁薄膜２、走査線
３ａ、容量線３ｂ、第２層間絶縁膜４、データ線６ａ、
第３層間絶縁膜７、コンタクトホール８、画素電極９ａ
を従来と同様の方法などにより形成したものを用意す
る。画素電極９ａ等が形成されたＴＦＴアレイ基板１０
の表面（後述の無機配向膜３６の下地層の表面）は段差
部８０が形成されている。

【００６４】次に、図８に示すように、表面に段差部８
０を有するＴＦＴアレイ基板１０の上面に一方向ＳＡか
ら無機材料を斜方蒸着して図５に示すような第一の無機
斜方蒸着膜３６ａを厚みが５ｎｍ〜１６ｎｍの範囲内に
なるように形成する第一の斜方蒸着工程を行う。この第
一の無機斜方蒸着工程では、蒸着の影となる部分、すな
わち、段差部８０の近傍領域８０ａには第一の無機斜方
蒸着膜３６ａが形成されいない。この第一の無機斜方蒸
着膜３６ａは段差部８０の近傍領域８０ａを除いた領域
８０ｂに形成されている。なお、図８は画素電極９ａ等
が形成されたＴＦＴアレイ基板１０を上面側（配向膜の
下地層の表面側）から見た図であり、画素電極９ａやコ
ンタクトホール８、第３層間絶縁膜７の記載は省略され
ている。この斜方蒸着方向ＳＡは、走査線３ａや容量線
３ｂと直交する方向で、図２の平面図の下側からの方向
である。ここで斜方蒸着方向ＳＡ を走査線３ａや容量
線３ｂと直交する方向で、図２の平面図の下側の方向と
したのは、図２のＣ−Ｃ’線付近の下地層表面の段差部
より、Ｂ−Ｂ’線付近の下地層表面の段差部の方が段差
が大きいため、図２の平面図の下側の方向から斜方蒸着
を行うことにより、段差部８０の影となって無機斜方蒸
着膜が蒸着されない領域を少なくするためである。

【００６５】また、この斜方蒸着方向ＳＡは、図８に示
すようにＴＦＴアレイ基板１０とのなす角度（蒸着角
度）θ１が５度〜１０度の範囲内が好ましい。第一の斜
方蒸着工程の無機材料の蒸着角度θ１が５度未満である
と、形成される柱状構造物の密度が低すぎるために液晶
分子５０ａの配向方向が不安定となり、基板の面内方向
に沿った面内での配向方向のばらつきが大となってしま
い、蒸着角度θ１が１０度を越えると形成される柱状構
造物の密度が高くなるために第二の無機斜方蒸着膜３６
ｂの柱状構造物で第一の無機斜方蒸着膜３６ａの柱状構
造物の隙間３７を埋めるという効果が得られ難くなり、
その結果、この基板を用いて液晶装置を作製すると液晶
分子の配向にプレティルトの全くない領域が大きくなっ
てしまうからである。

【００６６】次に、図８に示すように上記第一の斜方蒸
着工程の無機材料の斜方蒸着方向ＳＡとは少なくとも上
記基板の面内方向に沿った方位角方向φが異なる方向Ｓ
Ｂから無機材料を斜方蒸着して上記第一の無機斜方蒸着
膜３６ａが形成されていない上記段差部８０の近傍領域
８０ａと上記第一の無機斜方蒸着膜３６ａ上に図６に示
すような第二の無機斜方蒸着膜３６ｂを膜厚が１０ｎｍ
〜４０ｎｍの範囲内となるように形成する第二の斜方蒸
着工程を行う。

【００６７】この斜方蒸着方向ＳＢは、走査線３ａや容
量線３ｂに沿った方向で、図２の平面図の右側からの方
向である。この斜方蒸着方向ＳＢ と斜方蒸着方向ＳＡ
とは、方位角方向φが９０度異なっていることが上記段
差部８０の近傍領域８０ａを除いた領域８０ｂに第一の
無機斜方蒸着膜３６ａを良好に形成でき、第一の無機斜
方蒸着膜３６ａが形成されていない上記段差部８０の近
傍領域８０ａと第一の無機斜方蒸着膜３６ａ上に第二の
無機斜方蒸着膜３６ｂを良好に形成できる点で好まし
い。

【００６８】また、斜方蒸着方向ＳＢは図８に示すよう
にＴＦＴアレイ基板１０とのなす角度（蒸着角度）θ２
が２５度〜３０度の範囲内が好ましい。上記第二の斜方
蒸着工程の斜方蒸着方向ＳＢの蒸着角度θ２が２５度未
満であると、第二の無機斜方蒸着膜３６ｂの柱状構造物
で第一の無機斜方蒸着膜３６ａの柱状構造物の隙間３７
を埋めるという効果が得られ難く、蒸着角度θ２が３０
度を越えると形成される膜表面の異方性が乏しくなり、
液晶分子を配向させる機能がなくなってしまう。このよ
うな第一の斜方蒸着工程と第二の斜方蒸着工程により図
９に示すような無機配向膜３６が形成されたＴＦＴアレ
イ基板１０が得られる。

【００６９】他方、図３の対向基板２０については、ガ
ラス基板等が先ず用意され、第２遮光膜２３および後述
の額縁としての第３遮光膜５３（図１３および図１４参
照）を、例えば金属クロムをスパッタリングした後、フ
ォトリソグラフィー工程、エッチング工程を経て形成す
る。なお、これら遮光膜は、Ｃｒ、Ｎｉ（ニッケル）、
Ａｌなどの金属材料の他、カーボンやＴｉをフォトレジ
ストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成しても
よい。

【００７０】その後、図１０に示すように対向基板２０
の全面にスパッタリング等により、ＩＴＯ等の透明導電
性膜を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積することによ
り、対向電極２１を形成する。次に、図１１に示すよう
に第２遮光膜２３や対向電極２１等を形成した対向基板
２０をある角度で固定して一方向ＳＣから酸化シリコン
等の無機材料を蒸着させ、基板に対して所定の角度で配
列された柱状構造物を成長させる斜方蒸着を行う。な
お、図１１は対向電極２１等が形成された対向基板２０
を上面側（配向膜の下地層の表面側）から見た図であ
り、対向電極２１の記載は省略されている。図１１中、
符号ＳＣは対向基板２０側の無機配向膜４２を形成する
際の無機材料の斜方蒸着方向である。この斜方蒸着方向
ＳＣは、図１１に示すように対向基板２０とのなす角度
θ３が５度〜１０度の範囲内のものである。このように
すると図１２に示ように対向電極２１上に無機配向膜４
２が設けられた対向基板２０が得られる。ここでの斜方
蒸着方向ＳＣは第一の無機配向膜３６ａを形成する際の
斜方蒸着方向ＳＡと１８０度異なる方向である。

【００７１】最後に、上述のように各層が形成されたＴ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを斜方蒸着方向が
反対（１８０°ずらす）になるように配置（ＴＦＴアレ
イ基板１０と対向基板２０とを所定の角度で配列された
柱状構造物の配列方向が反対になるように配置）し、セ
ル厚が４μｍになるように後述のシール材５１により貼
り合わせ、空パネルを作製する。液晶としてはフッ素系
のポジ型の液晶を使用し、この液晶をパネル内に封入
し、本実施形態の液晶装置が得られる。なお、本実施形
態では、対向基板１０上に基板側から第２遮光膜２３、
対向電極２１、配向膜４２の順に設けたため、液晶駆動
電圧を高くしなくて済むという利点がある。この構成に
代えて、対向電極２１、第２遮光膜２３、配向膜４２の
順に設けても良い。その場合、第２遮光膜２３と配向膜
４２のパターニングを一括して行うことができ、製造工
程の簡略化が図れる、という利点が得られる。

【００７２】本実施形態の液晶装置用基板の製造方法に
よれば、第一と第二の斜方蒸着工程を設け、この第一の
斜方蒸着工程の無機材料の斜方蒸着方向ＳＡと第二の斜
方蒸着工程の無機材料の斜方蒸方向ＳＢが少なくとも上
記基板の面内方向に沿った方位角方向φが異なるように
したことにより、第一の斜方蒸着工程で無機斜方蒸着膜
を形成できなかった領域に、第二の斜方蒸着工程で無機
斜方所着膜を形成できる。第一の斜方蒸着工程では上記
段差部８０の近傍領域８０ａを除いた領域８０ｂに第一
の無機斜方蒸着膜３６ａが形成されるが、上記段差部８
０の近傍領域８０ａは段差部８０の影となって第一の無
機斜方蒸着膜３６ａが形成されていない領域ができてし
まう。そして、第二の斜方蒸着工程では、無機材料の斜
方蒸着方向ＳＢを上記第一の斜方蒸着工程とは少なくと
も方位角方向φを変更することにより、第一の斜方蒸着
工程で段差部８０の影となって無機斜方蒸着膜が形成さ
れていない領域８０ａに無機材料を蒸着して第二の無機
斜方蒸着膜３６ｂを形成することができる。また、この
第二の斜方蒸着工程では、第二の無機斜方蒸着膜３６ｂ
は、少なくとも段差部８０ａの両側の第一の無機斜方蒸
着膜３６ａ上にも形成される。かかる構成の液晶装置用
基板の製造方法によれば、本実施形態の液晶装置に備え
ることができる基板を製造できる。

【００７３】なお、上記実施形態の液晶装置およびこの
液晶装置用基板の製造方法においては、本発明をＴＦＴ
素子に代表される３端子型素子を用いるアクティブマト
リクス型の液晶装置とこの液晶装置用基板の製造方法に
適用した場合について説明したが、ＴＦＤ素子に代表さ
れる２端子型素子を用いるアクティブマトリクス型の液
晶装置およびこの液晶装置用基板の製造方法や、パッシ
ブマトリクス型の液晶装置及びこの液晶装置用基板の製
造方法にも適用できる。また、本発明は透過型の液晶装
置だけでなく、反射型の液晶装置にも適用可能である。

【００７４】なお、上記実施形態の液晶装置の製造方法
においては、ＴＦＴアレイ基板１０側の無機配向膜３６
を第一と第二の斜方蒸着工程（方位角方向を変更して２
回蒸着する方法）により形成する場合について説明した
が、対向基板２０側の無機配向膜４２の下地層の表面の
段差部の高さが大きい場合には、無機配向膜３６と同様
にを第一と第二の斜方蒸着工程（方位角方向を変更して
２回蒸着する方法）により形成してもよく、例えば、図
１１に示すように対向電極２１等を形成した対向基板２
０をある角度で固定して一方向ＳＣから酸化シリコン等
の無機材料を蒸着させ、基板２０に対して所定の角度で
配列された柱状構造物を成長させる斜方蒸着工程により
形成した後、上記斜方蒸着方向ＳＣとは少なくとも上記
基板２０の面内方向に沿った方位角方向φが異なる方向
ＳＤ 、好ましくは方位角方向φが略９０度異なる方向
から無機材料を斜方蒸着させ、基板に対して所定の角度
で配列された柱状構造物を成長させる斜方蒸着工程によ
り形成すればよい。その場合の斜方蒸着方向ＳＣの蒸着
角度θ３は５度〜１０度の範囲内とし、斜方蒸着方向Ｓ
Ｄの蒸着角度θ３は２５度〜３０度の範囲内とすること
が好ましい。

【００７５】また、本実施形態においてはＴＦＴアレイ
基板上に形成された表面に段差部がある下地層上に無機
配向膜を形成する場合に本発明を適用した場合について
説明したが、素子側の基板が配線層等を埋め込んだもの
であり、無機配向膜の下地層が平滑な表面にコンタクト
ホール等による凹部（段差部）を有するものである場合
にも本発明を適用することができる。

【００７６】［液晶装置の全体構成］次に、上記構成の
液晶装置の全体構成を図１３および図１４を参照して説
明する。なお、図１３は、ＴＦＴアレイ基板１０をその
上に形成された各構成要素とともに対向基板２０の側か
ら見た平面図であり、図１４は、対向基板２０を含めて
示す図１１のＨ−Ｈ’断面図である。なお、図１３及び
図１４では、無機配向膜３６、４２の記載は省略されて
いる。

【００７７】図１３において、ＴＦＴアレイ基板１０の
上には、シール材５１がその縁に沿って設けられてお
り、その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ
かあるいは異なる材料からなる額縁としての第３遮光膜
５３が設けられている。シール材５１の外側の領域に
は、データ線駆動回路１０１および外部回路接続端子１
０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられて
おり、走査線駆動回路１０４がこの一辺に隣接する２辺
に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査
信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１
０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。

【００７８】また、データ線駆動回路１０１を画像表示
領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば、奇数
列のデータ線６ａは画像表示領域の一方の辺に沿って配
設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数
列のデータ線は上記画像表示領域の反対側の辺に沿って
配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するよ
うにしてもよい。このようにデータ線６ａを櫛歯状に駆
動するようにすれば、データ線駆動回路の占有面積を拡
張することができるため、複雑な回路を構成することが
可能となる。さらに、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺
には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路
１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられて
おり、更に、週辺見切りとしての第３遮光膜５３の下に
隠れてプリチャージ回路を設けてもよい。また、対向基
板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通
をとるための導通材１０６が設けられている。そして、
図１４に示すように、図１３に示したシール材５１とほ
ぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５１によ
りＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。

【００７９】以上、図１から図１４を参照して説明した
各実施形態における液晶装置のＴＦＴアレイ基板１０上
には、さらに製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、
欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
また、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１
０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例
えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding)基板上に実装さ
れた駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に
設けられた異方性導電フィルムを介して電気的および機
械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０
の投射光が入射する側およびＴＦＴアレイ基板１０の出
射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Ne
matic)モード、ＶＡ（Vertically Aligned)モード、Ｐ
ＤＬＣ(Polymer Dipersed Liquid Crystal)モード等の
動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリー
ブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フ
ィルム、偏光手段などが所定の方向で配置される。

【００８０】以上説明した各実施形態における液晶装置
は、例えばカラー液晶プロジェクタ（投射型表示装置）
に適用することができる。その場合、３枚の液晶装置が
ＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライト
バルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラー
を介して分解された各色の光が投射光として各々入射さ
れることになる。したがって、各実施形態では、対向基
板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかし
ながら、第２遮光膜２３の形成されていない画素電極９
ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその
保護膜とともに、対向基板２０上に形成してもよい。こ
のようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射
型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に各実施形
態における液晶装置を適用できる。さらに、対向基板２
０上に１画素に１個対応するようにマイクロレンズを形
成してもよい。このようにすれば、入射光の集光効率を
向上することで、明るい液晶装置が実現できる。さらに
また、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干
渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色
を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。
このダイクロイックフィルタ付対向基板によれば、より
明るいカラー液晶装置が実現できる。また、各画素に設
けられるスイッチング素子としては、正スタガ型又はコ
プラナー型のポリシリコンＴＦＴであるとして説明した
が、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファスシリコンＴＦＴ
等の他の形式のＴＦＴに対しても、各実施形態は有効で
ある。

【００８１】［電子機器］上記の本発明の実施形態の液
晶装置を用いた電子機器の一例として、投射型表示装置
の構成について、図１５を参照して説明する。図１５に
おいて、投射型表示装置１１００は、上述した実施形態
の液晶装置を３個用意し、夫々ＲＧＢ用の液晶装置９６
２Ｒ、９６２Ｇおよび９６２Ｂとして用いた投射型液晶
装置の光学系の概略構成図を示す。本例の投射型表示装
置の光学系には、光源装置９２０と、均一照明光学系９
２３が採用されている。そして、投射型表示装置は、こ
の均一照明光学系９２３から出射される光束Ｗを赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に分離する色分離手段とし
ての色分離光学系９２４と、各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂを変調
する変調手段としての３つのライトバルブ９２５Ｒ、９
２５Ｇ、９２５Ｂと、変調された後の色光束を再合成す
る色合成手段としての色合成プリズム９１０と、合成さ
れた光束を投射面１００の表面に拡大投射する投射手段
としての投射レンズユニット９０６を備えている。ま
た、青色光束Ｂを対応するライトバルブ９２５Ｂに導く
導光系９２７をも備えている。

【００８２】均一照明光学系９２３は、２つのレンズ板
９２１、９２２と反射ミラー９３１を備えており、反射
ミラー９３１を挟んで２つのレンズ板９２１、９２２が
直交する状態に配置されている。均一照明光学系９２３
の２つのレンズ板９２１、９２２は、それぞれマトリク
ス状に配置された複数の矩形レンズを備えている。光源
装置９２０から出射された光束は、第１のレンズ板９２
１の矩形レンズによって複数の部分光束に分割される。
そして、これらの部分光束は、第２のレンズ板９２２の
矩形レンズによって３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２
５Ｇ、９２５Ｂ付近で重畳される。したがって、均一照
明光学系９２３を用いることにより、光源装置９２０が
出射光束の断面内で不均一な照度分布を有している場合
でも、３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５
Ｂを均一な照明光で照明することが可能となる。

【００８３】各色分離光学系９２４は、青緑反射ダイク
ロイックミラー９４１と、緑反射ダイクロイックミラー
９４２と、反射ミラー９４３から構成される。まず、青
緑反射ダイクロイックミラー９４１において、光束Ｗに
含まれている青色光束Ｂおよび緑色光束Ｇが直角に反射
され、緑反射ダイクロイックミラー９４２の側に向か
う。赤色光束Ｒはこのミラー９４１を通過して、後方の
反射ミラー９４３で直角に反射されて、赤色光束Ｒの出
射部９４４から色合成プリズム９１０の側に出射され
る。次に、緑反射ダイクロイックミラー９４２におい
て、青緑反射ダイクロイックミラー９４１において反射
された青色、緑色光束Ｂ、Ｇのうち、緑色光束Ｇのみが
直角に反射されて、緑色光束Ｇの出射部９４５から色合
成光学系の側に出射される。緑反射ダイクロイックミラ
ー９４２を通過した青色光束Ｂは、青色光束Ｂの出射部
９４６から導光系９２７の側に出射される。本例では、
均一照明光学素子の光束Ｗの出射部から、色分離光学系
９２４における各色光束の出射部９４４、９４５、９４
６までの距離がほぼ等しくなるように設定されている。

【００８４】色分離光学系９２４の赤色、緑色光束Ｒ、
Ｇの出射部９４４、９４５の出射側には、それぞれ集光
レンズ９５１、９５２が配置されている。したがって、
各出射部から出射した赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、これら
の集光レンズ９５１、９５２に入射して平行化される。
このように平行化された赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、ライ
トバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇに入射して変調され、各色
光に対応した画像情報が付加される。すなわち、これら
の液晶装置は、図示しない駆動手段によって画像情報に
応じてスイッチング制御されて、これにより、ここを通
過する各色光の変調が行われる。一方、青色光束Ｂは、
導光系９２７を介して対応するライトバルブ９２５Ｂに
導かれ、ここにおいて、同様に画像情報に応じて変調が
施される。なお、本例のライトバルブ９２５Ｒ、９２５
Ｇ、９２５Ｂは、それぞれさらに入射側偏光手段９６０
Ｒ、９６０Ｇ、９６０Ｂと、出射側偏光手段９６１Ｒ、
９６１Ｇ、９６１Ｂと、これらの間に配置された液晶装
置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂとからなる液晶ライト
バルブである。

【００８５】導光系９２７は、青色光束Ｂの出射部９４
６の出射側に配置した集光レンズ９５４と、入射側反射
ミラー９７１と、出射側反射ミラー９７２と、これらの
反射ミラーの間に配置した中間レンズ９７３と、ライト
バルブ９２５Ｂの手前側に配置した集光レンズ９５３と
から構成されている。集光レンズ９５４から出射された
青色光束Ｂは、導光系９２７を介して液晶装置９６２Ｂ
に導かれて変調される。各色光束の光路長、すなわち、
光束Ｗの出射部から各液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９
６２Ｂまでの距離は青色光束Ｂが最も長くなり、したが
って、青色光束の光量損失が最も多くなる。しかし、導
光系９２７を介在させることにより、光量損失を抑制す
ることができる。各ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、
９２５Ｂを通って変調された各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂは、色
合成プリズム９１０に入射され、ここで合成される。そ
して、この色合成プリズム９１０によって合成された光
が投射レンズユニット９０６を介して所定の位置にある
投射面１００の表面に拡大投射されるようになってい
る。

【００８６】本例において、液晶装置９６２Ｒ、９６２
Ｇ、９６２Ｂは、図１乃至図１４を用いて説明した本発
明の実施形態の液晶装置である。さらに、液晶装置を投
射型表示装置のライトバルブに用いる場合、直視型液晶
表示装置として用いる場合に比べて入射光の強度が高
く、配向膜がポリイミド等の有機配向膜から構成されて
いると配向膜の劣化が顕著に起こりやすいが、配向膜を
酸化シリコン等の無機斜方蒸着膜から構成することによ
って、配向膜の劣化に起因する表示不良の発生を低減し
た本実施形態の液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂ
が設けられているので、長時間の使用によっても表示品
位の高い投射型表示装置を実現することができる。ま
た、実施形態の液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂ
は、上記したように段差部８０を有する下地層上に無機
配向膜３６を形成する際、無機材料を蒸着し易い領域
（上記段差部８０の近傍領域８０ａを除いた領域８０
ｂ）と無機材料の蒸着不良領域ができやすい段差部８０
の近傍領域８０ｂに分けて形成したことにより、上記段
差部８０の近傍領域を除いた領域８０ｂに上記の第一の
無機斜方蒸着膜３６ａが形成されており、上記段差部８
０の近傍領域８０ａには第二の無機斜方蒸着膜３６ｂが
形成されているので、上記段差部８０の近傍領域８０に
無機材料の蒸着ムラや蒸着されない蒸着不良領域が生じ
ることがない。従ってこのような液晶装置９６２Ｒ、９
６２Ｇ、９６２Ｂが設けられた投射型表示装置によれ
ば、配向膜異常に起因する液晶の配向不良によるコント
ラスト比の低下等がなく、表示品位の高い表示装置を実
現することができる。

【００８７】

【実施例】本発明者は、本発明の液晶装置の効果を実証
する実験を行った。以下、この実験結果について説明す
る。 （実験例１）第１の実施形態で示したＴＦＴ素子と画素
電極等が形成され、表面に段差部を有するＴＦＴアレイ
基板の表面に一方向ＳＡから酸化珪素（ＳｉＯ)を膜厚
が１０ｎｍになるように斜方蒸着を行って第一の無機斜
方蒸着膜を形成する際、ＳｉＯの蒸着角度（蒸着方向と
基板とのなす角度）θ１を２．５度から１５度の範囲で
変更し、次に、上記斜方蒸着方向ＳＡとは方位角方向φ
が異なる方向ＳＢから酸化珪素（ＳｉＯ)を膜厚が２０
ｎｍになるように斜方蒸着を行って第二の無機斜方蒸着
膜を形成する際、ＳｉＯの蒸着角度（蒸着方向と基板と
のなす角度）θ２を２５度から３０度の範囲で変更し
た。ここでの斜方蒸着方向ＳＡは、図２の走査線３ａや
容量線３ｂと直交する方向で、図２の平面図の下側から
の方向とした。また、斜方蒸着方向ＳＢは、図２の走査
線３ａや容量線３ｂに沿った方向で、図２の平面図の右
側からの方向とした。ここでの斜方蒸着方向ＳＢ と斜
方蒸着方向ＳＡとは、方位角方向φが９０度異なる方向
とした。一方、第１の実施形態で示したブラックマトリ
ックス（遮光膜）と対向電極等が形成された対向基板の
表面に一方向ＳＣから酸化珪素（ＳｉＯ)を膜厚が１０
ｎｍになるように斜方蒸着を行って無機斜方蒸着膜を形
成した。ここでの斜方蒸着方向ＳＣの蒸着角度（蒸着方
向と基板とのなす角度）θ３は５度とした。次に、上記
の無機斜方蒸着膜を形成した一方の基板の液晶層側とな
る側の面にシール印刷により液晶注入口を残してシール
部を形成し、ＴＦＴアレイ基板と対向基板を貼り合わせ
液晶パネルを作製し、液晶注入口からフッ素系のポジ型
の液晶をパネル内に注入し、注入口を封止材で塞ぐこと
により、種々の液晶装置を作製した。このように作製し
た種々の液晶装置の液晶の配向状態について調べた。そ
の結果を表１に示す。

【００８８】 「表１」 １回目の斜方蒸着角度（°） ２．５ ５ １０ １５ ２回目の斜方蒸着角度（°） ２０ × × × × ２５ × ○ ○ × ３０ × ○ ○ × ３５ × × × ×

【００８９】表１中、○は、酸化珪素が蒸着されない蒸
着不良領域がなく、配向膜異常に起因する液晶分子の配
向乱れがないもの、×は、酸化珪素が蒸着されない蒸着
不良領域があり、配向膜異常に起因する液晶分子の配向
乱れがあったものを示す。

【００９０】表１の結果から第一の無機斜方蒸着膜を形
成するときの蒸着角度（１回目の蒸着角度）を２．５度
又は１５度としたもの（５度から１０度の範囲外とした
もの）は、第二の無機斜方蒸着膜を形成するときの蒸着
角度（２回目の蒸着角度）がいずれの角度であっても、
液晶分子の配向方向が乱れており、配向状態が不良であ
ることがわかる。第二の無機斜方蒸着膜を形成するとき
の蒸着角度（２回目の蒸着角度）を２０度又は３５度と
したもの（２５度から３０度の範囲外としたもの）は、
第一の無機斜方蒸着膜を形成するときの蒸着角度（１回
目の蒸着角度）がいずれの角度であっても、液晶分子の
配向方向が乱れており、配向状態が不良であることがわ
かる。

【００９１】これに対して第一の無機斜方蒸着膜を形成
するときの蒸着角度（１回目の蒸着角度）を５度から１
０度の範囲とし、しかも、第二の無機斜方蒸着膜を形成
するときの蒸着角度（２回目の蒸着角度）を２５度から
３０度の範囲とした無機配向膜が備えられた液晶装置
は、液晶分子の配向方向に乱れがなく、配向状態が良好
であることがわかる。

【００９２】（実験例２）第１の実施形態で示したＴＦ
Ｔ素子と画素電極等が形成され、表面に段差部を有する
ＴＦＴアレイ基板の表面に一方向ＳＡから酸化珪素（Ｓ
ｉＯ)を斜方蒸着して第一の無機斜方蒸着膜を形成する
際、膜厚が２．５ｎｍ〜２０ｎｍになるように変更し、
次に、上記斜方蒸着方向ＳＡとは方位角方向φが異なる
方向ＳＢから酸化珪素（ＳｉＯ)を斜方蒸着を行って第
二の無機斜方蒸着膜を形成する際、膜厚が８ｎｍ〜４５
ｎｍになるように変更した。ここでの斜方蒸着方向ＳＡ
は、図２の走査線３ａや容量線３ｂと直交する方向で、
図２の平面図の下側からの方向とし、ＳｉＯの蒸着角度
（蒸着方向と基板とのなす角度）θ１ は２５度とし
た。また、斜方蒸着方向ＳＢは、図２の走査線３ａや容
量線３ｂに沿った方向で、図２の平面図の右側からの方
向とし、また、ＳｉＯの蒸着角度（蒸着方向と基板との
なす角度）θ２を２５度とした。ここでの斜方蒸着方向
ＳＢ と斜方蒸着方向ＳＡとは、方位角方向φが９０度
異なる方向とした。一方、第１の実施形態で示したブラ
ックマトリックス（遮光膜）と対向電極等が形成された
対向基板の表面に一方向ＳＣから酸化珪素（ＳｉＯ)を
膜厚が１０ｎｍになるように斜方蒸着を行って無機斜方
蒸着膜を形成した。ここでの斜方蒸着方向ＳＣの蒸着角
度（蒸着方向と基板とのなす角度）θ３は５度とした。
次に、上記の無機斜方蒸着膜を形成した一方の基板の液
晶層側となる側の面にシール印刷により液晶注入口を残
してシール部を形成し、ＴＦＴアレイ基板と対向基板を
貼り合わせ液晶パネルを作製し、液晶注入口からフッ素
系のポジ型の液晶をパネル内に注入し、注入口を封止材
で塞ぐことにより、種々の液晶装置を作製した。このよ
うに作製した種々の液晶装置の液晶分子の配向状態につ
いて調べた。その結果を表２に示す。

【００９３】 「表２」 第一の無機斜方蒸着膜の膜厚（ｎｍ）２．５ ５ １０ １６ ２０ 第一の無機斜方蒸着膜の膜厚（ｎｍ） ８ × Ｌ Ｌ Ｌ Ｌ １０ Ｓ ○ ○ ○ Ｌ ４０ Ｓ ○ ○ ○ Ｌ ４５ Ｓ Ｓ Ｓ Ｓ Ｓ

【００９４】表２中、Ｌは液晶分子の平均プレティルト
角が３度未満の低プレティルトの不良であるもの、Ｓは
液晶分子の平均プレティルト角が２０度を越えた高プレ
ティルトの不良であるもの、○は、液晶分子の配向乱れ
がなく、平均プレティルト角が５〜１５度の範囲内の良
好な配向状態であるもの、×は、液晶分子の配向乱れが
あったものを示す。

【００９５】表２の結果から第一の無機斜方蒸着膜を形
成するときの膜厚を２．５ｎｍ又は２０ｎｍとしたもの
（５ｎｍから１６ｎｍの範囲外としたもの）は、第二の
無機斜方蒸着膜を形成するときの膜厚がいずれの膜厚で
あっても、液晶分子が低プレティルトあるいは高いプレ
ティルトあるいは液晶分子の配向方向が乱れており、配
向状態が不良であることがわかる。第二の無機斜方蒸着
膜を形成するときの膜厚を８ｎｍ又は４５ｎｍとしたも
の（１０ｎｍから４０ｎｍの範囲外としたもの）は、第
一の無機斜方蒸着膜を形成するときの膜厚がいずれの膜
厚であっても、液晶分子が低プレティルトあるいは高い
プレティルトあるいは液晶分子の配向方向が乱れてお
り、配向状態が不良であることがわかる。

【００９６】これに対して第一の無機斜方蒸着膜を形成
するときの膜厚を５ｎｍから１６ｎｍの範囲とし、しか
も、第二の無機斜方蒸着膜を形成するときの膜厚を１０
ｎｍから４０ｎｍの範囲とした無機配向膜が備えられた
液晶装置は、液晶分子の配向乱れがなく、平均プレティ
ルト角が５〜１０度の範囲内の良好な配向状態であるこ
とがわかる。

【００９７】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
液晶装置によれば、上記段差部を有する下地層上に形成
された無機配向膜が、傾斜した無機材料の柱状構造物か
ら形成された第一の無機斜方蒸着膜と、第一の無機斜方
蒸着膜の柱状構造物の傾斜方向とは無機材料の柱状構造
物の傾斜方向が少なくとも方位角方向が異なる第二の無
機斜方蒸着膜とから構成されており、しかも上記の第二
の無機斜方蒸着膜は上記段差部の近傍領域に形成されて
いるので、上記段差部の近傍領域に無機材料の蒸着ムラ
や蒸着されない蒸着不良領域が生じるのを低減でき、従
って、画素ピッチが２０μｍ程度以下と微細であって
も、表面に段差部を有する下地層上に形成した無機配向
膜に異常がなく、配向膜異常に起因する液晶の配向不良
を防止でき、コントラストの低下等の表示不良の発生を
防止できる。このような効果は、画素ピッチが１５μｍ
程度以下とさらに微細になっても同様に得られる。そし
て、本液晶装置の採用により、表示品位の高い投射型表
示装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施形態の液晶装置の画像表
示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられ
た各種素子、配線等の等価回路を示す図である。

【図２】 同、液晶装置のＴＦＴアレイ基板の相隣接す
る複数の画素群を示す平面図である。

【図３】 図２のＡ−Ａ’線断面図である。

【図４】 図２のＣ−Ｃ’線断面図である。

【図５】 実施形態の液晶装置の第一の斜方蒸着膜が形
成された部分およびその近傍部分の斜方蒸着方向ＳＡに
沿った断面構造を模式的に示す図である。

【図６】 実施形態の液晶装置の段差部の近傍領域の第
二の斜方蒸着膜が形成された部分及びその近傍部分の斜
方蒸着方向ＳＢに沿った断面構造を模式的に示す図であ
る。

【図７】 同、液晶装置の製造プロセスを順を追って示
す工程図である。

【図８】 同、工程図の続きである。

【図９】 同、工程図の続きである。

【図１０】 同、工程図の続きである。

【図１１】 同、工程図の続きである。

【図１２】 同、工程図の続きである。

【図１３】 各実施形態の液晶装置のＴＦＴアレイ基板
をその上に形成された各構成要素とともに対向基板の側
から見た平面図である。

【図１４】 図１３のＨ−Ｈ’断面図である。

【図１５】 液晶装置を用いた電子機器の一例である投
射型表示装置の概略構成図である。

【図１６】 酸化珪素の蒸着角度θと、段差の高さΔＺ
と、無機斜方蒸着膜が形成されない領域の幅ΔＬとの関
係を調べるときの説明図である。

【図１７】 酸化珪素の蒸着角度θと、段差の高さΔＺ
と、無機斜方蒸着膜が形成されない領域の幅ΔＬとの関
係を示す図である。

【図１８】 従来の液晶装置の一例を示す断面図であ
る。

【図１９】 無機斜方蒸着膜からなる配向膜を形成した
従来の液晶装置用基板の段差部近傍を示す概略図であ
る。

【符号の説明】

３ａ 走査線 ６ａ データ線 ９ａ 画素電極 １０ ＴＦＴアレイ基板 ２０ 対向基板 ３０ 画素スイッチング用ＴＦＴ ３６，４２ 無機配向膜 ３６ａ 第一の無機斜方蒸着膜 ３６ｂ 第二の無機斜方蒸着膜 ５０ａ 液晶分子 ５０ 液晶層 ８０ 段差部 ８０ａ 段差部の近傍領域 ８０ｂ 段差部の近傍領域を除いた領域 ＳＡ 斜方蒸着方向 ＳＢ 斜方蒸着方向 θ１ 蒸着角度 θ２ 蒸着角度 φ 方位角方向 θｐ プレティルト角

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 EA15 HA03 HA10 HA13 HA21 HA23 HA24 HA28 MA18 2H090 HB02Y HB03Y HB08Y MA06 MA11 MB01 MB06 2H092 JA25 JA26 JA34 JA37 JA41 JA46 JB22 JB31 KA05 MA04 NA01 NA04 NA25 NA29 PA02 PA07 PA08 PA09 PA11 PA12 PA13

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに対向する一対の基板間に液晶層が
   挟持されてなり、前記一対の基板の液晶層側の表面に無
   機配向膜がそれぞれ設けられ、これら無機配向膜のうち
   少なくとも一方の無機配向膜の下地層は表面に段差部を
   有するものであり、該段差部を有する下地層上に形成さ
   れた無機配向膜は、第一の無機斜方蒸着膜と、前記段差
   部の近傍領域と前記第一の無機斜方蒸着膜上に形成され
   た第二の無機斜方蒸着膜とからなり、 前記第一と第二の無機斜方蒸着膜はそれぞれ傾斜した無
   機材料の柱状構造物から形成されてなり、前記第一の無
   機斜方蒸着膜を構成する無機材料の柱状構造物の傾斜方
   向と、前記第二の無機斜方蒸着膜を構成する無機材料の
   柱状構造物の傾斜方向とは、少なくとも前記基板の面内
   方向に沿った方位角方向が異なることを特徴とする液晶
   装置。
2. 【請求項２】 互いに対向する一対の基板間に液晶が挟
   持されてなり、該一対の基板のうちの一方の基板上に、
   マトリクス状に配置された複数の画素電極と、該複数の
   画素電極をそれぞれ駆動する複数のスイッチング手段
   と、該複数のスイッチング手段にそれぞれ接続された複
   数のデータ線および複数の走査線が備えられるととも
   に、該一対の基板のうちの他方の基板上には対向電極が
   備えられ、前記一対の基板の液晶層側の表面に無機配向
   膜がそれぞれ設けられ、これら無機配向膜のうち少なく
   ともスイッチング手段が設けられた基板側の無機配向膜
   の下地層は表面に段差部を有するものであり、該段差部
   を有する下地層上に形成された無機配向膜は、第一の無
   機斜方蒸着膜と、前記段差部の近傍領域と前記第一の無
   機斜方蒸着膜上に形成された第二の無機斜方蒸着膜とか
   らなり、 前記第一と第二の無機斜方蒸着膜はそれぞれ傾斜した無
   機材料の柱状構造物から形成されてなり、前記第一の無
   機斜方蒸着膜を構成する無機材料の柱状構造物傾斜方向
   と、前記第二の無機斜方蒸着膜を構成する無機材料の柱
   状構造物の傾斜方向とは、少なくとも前記基板の面内方
   向に沿った方位角方向が異なることを特徴とする液晶装
   置。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の液晶装置におい
   て、前記第一の無機斜方蒸着膜を構成する無機材料の柱
   状構造物の傾斜方向と、前記第二の無機斜方蒸着膜を構
   成する無機材料の柱状構造物の傾斜方向とは、前記方位
   角方向が略９０度異なることを特徴とする液晶装置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の
   液晶装置において、前記第一の無機斜方蒸着膜の厚みは
   ５ｎｍ〜１６ｎｍの範囲内であり、前記第二の無機斜方
   蒸着膜の厚みは１０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であること
   を特徴とする液晶装置。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の
   液晶装置において、前記液晶層の液晶分子の平均プレテ
   ィルト角が５度〜１５度の範囲内であることを特徴とす
   る液晶装置。
6. 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の
   液晶装置において、前記無機配向膜は、酸化シリコンか
   らなる斜方蒸着膜であることを特徴とする液晶装置。
7. 【請求項７】 基板上に形成した表面に段差部を有する
   下地層に無機材料を斜方蒸着して無機配向膜を形成する
   液晶装置用基板の製造方法において、 表面に段差部を有する下地層が形成された基板に一方向
   から無機材料を斜方蒸着して第一の無機斜方蒸着膜を形
   成する第一の斜方蒸着工程と、前記第一の斜方蒸着工程
   の無機材料の斜方蒸着方向とは少なくとも前記基板の面
   内方向に沿った方位角方向が異なる方向から無機材料を
   斜方蒸着して前記段差部の近傍領域と前記第一の無機斜
   方蒸着膜上に第二の無機斜方蒸着膜を形成する第二の斜
   方蒸着工程とを有することを特徴とする液晶装置用基板
   の製造方法。
8. 【請求項８】 前記第一の斜方蒸着工程の無機材料の斜
   方蒸着方向と、前記第二の斜方蒸着工程の無機材料の斜
   方蒸着方向とは前記方位角方向が略９０度異なるように
   することを特徴とする請求項７記載の液晶装置用基板の
   製造方法。
9. 【請求項９】 前記第一の斜方蒸着工程の無機材料の斜
   方蒸着方向の基板からの蒸着角度は５度〜１０度の範囲
   内とし、前記第二の斜方蒸着工程の無機材料の斜方蒸着
   方向の基板からの蒸着角度は２５度〜３０度の範囲内と
   することを特徴とする請求項７又は８に記載の液晶装置
   用基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記第一の斜方蒸着工程と第二の斜方
    蒸着工程のうち少なくとも一方の工程において、無機材
    料を斜方蒸着する際、前記下地層の表面に形成された段
    差部の構造または配置位置に応じて斜方蒸着方向を選択
    することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に
    記載の液晶装置用基板の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記第一の斜方蒸着工程において形成
    する無機斜方蒸着の厚みを５ｎｍ〜１６ｎｍの範囲内と
    し、前記第二の斜方蒸着工程において形成する第二の無
    機斜方蒸着膜の厚みを１０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内とす
    ることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一項に
    記載の液晶装置用基板の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記無機材料は、酸化シリコンである
    ことを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか一項に記
    載の液晶装置用基板の製造方法。
13. 【請求項１３】 請求項１乃至６のいずれか一項に記載
    の液晶装置を備えた投射型表示装置であって、光源と、
    該光源から出射された光を変調する前記液晶装置と、該
    液晶装置により変調された光を投射面に拡大投影する拡
    大投影光学系とを有することを特徴とする投射型表示装
    置。