JP2001133750A - 電気光学装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、液晶等
に面する基板上表面の段差に起因する液晶等の配向不良
と横電界による液晶等の配向不良とを低減することで、
画素の開口率が高く且つ高コントラスト比で明るい高品
位の画像表示を行う。 【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板（１０）上に画素電極
（９ａ）を備え、対向基板（２０）上に対向電極（２
１）を備える。ＴＦＴアレイ板上における画素電極の下
地面、あるいは対向基板上における対向電極の下地面
は、反転駆動時に相互に逆極性の駆動電圧で駆動される
相隣接する画素電極間の間隙に対向する領域で、盛り上
がっている。この盛上り部に、相隣接する画素電極の縁
が位置する。この下地面は、反転駆動時に相互に同一極
性の駆動電圧で駆動される相隣接する画素電極間の間隙
に対向する領域では、平坦に形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置等の電気
光学装置の技術分野に属し、特に列方向又は行方向に相
隣接する画素電極に印加される電圧の極性が逆となるよ
うに画素行毎又は画素列毎に電位極性を周期的に反転さ
せる反転駆動方式を採用する薄膜トランジスタ（Thin F
ilm Transistor:以下適宜、ＴＦＴと称す）によるアク
ティブマトリクス駆動型の液晶装置等の電気光学装置の
技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】一般に液晶装置等の電気光学装置は、一
対の基板間に液晶等の電気光学物質が挟持されており、
この電気光学物質の配向状態は、電気光学物質の性質及
び基板の電気光学物質側の面上に形成された配向膜によ
り規定されている。従って配向膜の表面に段差があると
（即ち、配向膜下にある画素電極の表面或いは画素電極
の下地となる層間絶縁膜の表面に段差があると）、この
段差の度合いに応じて電気光学物質には配向不良（ディ
スクリネーション）が生じる。このように配向不良が生
じると、この部分では、電気光学物質を良好に駆動する
ことが困難となり、電気光学装置の光抜け等によりコン
トラスト比が低下してしまう。しかるに、ＴＦＴアクテ
ィブマトリクス駆動型の電気光学装置の場合には、ＴＦ
Ｔアレイ基板上に、走査線、データ線、容量線等の各種
配線や画素電極をスイッチング制御するためのＴＦＴな
どが各所に形成されているため、何らかの平坦化処理を
施さなければ、これらの配線や素子の存在に応じて配向
膜の表面には必然的に段差が生じてしまう。

【０００３】そこで従来は、このような段差が生じてい
る基板上領域を、相隣接する画素電極間の間隙に対応さ
せると共に、対向基板又はＴＦＴアレイ基板に設けたブ
ラックマスク或いはブラックマトリクスと称される遮光
膜により、このように段差が生じている領域（即ち、画
素電極間の間隙）を覆い隠すことで、この段差により配
向不良を生じる電気光学物質部分については見えないよ
うに又は表示光に寄与しないようにしている。

【０００４】或いは従来は、このような各種配線やＴＦ
Ｔの存在に起因する段差自体を生じさせないように、画
素電極下の層間絶縁膜を例えば有機ＳＯＧ（Spin On Gl
ass）膜等の平坦化膜から構成して、画素電極の下地面
を平坦にする技術も開発されている。

【０００５】他方、一般にこの種の電気光学装置では、
直流電圧印加による電気光学物質の劣化防止、表示画像
におけるクロストークやフリッカの防止などのために、
各画素電極に印加される電位極性を所定規則で反転させ
る反転駆動方式が採用されている。このうち一のフレー
ム又はフィールドの画像信号に対応する表示を行う間
は、奇数行に配列された画素電極を対向電極の電位を基
準として正極性の電位で駆動すると共に偶数行に配列さ
れた画素電極を対向電極の電位を基準として負極性の電
位で駆動し、これに続く次のフレーム又はフィールドの
画像信号に対応する表示を行う間は、逆に偶数行に配列
された画素電極を正極性の電位で駆動すると共に奇数行
に配列された画素電極を負極性の電位で駆動する（即
ち、同一行の画素電極を同一極性の電位により駆動しつ
つ、係る電位極性を行毎にフレーム又はフィールド周期
で反転させる）１Ｈ反転駆動方式が、制御が比較的容易
であり高品位の画像表示を可能ならしめる反転駆動方式
として用いられている。また、同一列の画素電極を同一
極性の電位により駆動しつつ、係る電位極性を列毎にフ
レーム又はフィールド周期で反転させる１Ｓ反転駆動方
式も、制御が比較的容易であり高品位の画像表示を可能
ならしめる反転駆動方式として用いられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た段差を遮光膜により覆い隠す技術によれば、段差のあ
る領域の広さに応じて画素の開口領域が狭くなってしま
うため、限られた画像表示領域内において、画素の開口
率を高めて、より明るい画像表示を行うという当該電気
光学装置の技術分野における基本的な要請を満たすこと
は困難である。特に、高精細な画像表示を行うための画
素ピッチの微細化に伴って単位面積当たりの配線数やＴ
ＦＴ数が増加するが、これらの配線やＴＦＴの微細化に
一定の限度があることに起因して、画像表示領域内にお
いて段差の有る領域が占める割合が相対的に高くなるた
め、この問題は電気光学装置の高精細化が進む程深刻化
してしまう。

【０００７】他方、前述した画素電極下の層間絶縁膜を
平坦化する技術によれば、ＴＦＴアレイ基板上において
相隣接する画素電極が同一極性の場合には、特に問題は
生じないが、前述した１Ｈ反転駆動方式や１Ｓ反転駆動
方式のように、これらの電圧（即ち、１Ｈ反転駆動方式
では列方向に相隣接する画素電極に印加される電圧又は
１Ｓ反転駆動方式では行方向に相隣接する画素電極に印
加される電圧）の位相が逆極性にある場合には、平坦化
により画素電極と対向電極との間隔が、配線やＴＦＴの
上方に位置する画素電極の縁付近において、平坦化しな
い場合よりも広くなるため、相隣接する画素電極間に生
じる横電界（即ち、基板面に平行な電界或いは基板面に
平行な成分を含む斜めの電界）が相対的に増加してしま
うという問題点が生じる。相対向する画素電極と対向電
極との間の縦電界（即ち、基板面に垂直な方向の電界）
の印加が想定されている電気光学物質に対して、このよ
うな横電界が印加されると、電気光学物質の配向不良が
生じ、この部分における光抜け等が発生してコントラス
ト比が低下してしまうという問題が生じる。これに対
し、横電界が生じる領域を遮光膜により覆い隠すことは
可能であるが、これでは横電界が生じる領域の広さに応
じて画素の開口領域が狭くなってしまうという問題点が
生じる。特に、画素ピッチの微細化により相隣接する画
素電極間の距離が縮まるのに伴って、このような横電界
は大きくなるため、これらの問題は電気光学装置の高精
細化が進む程深刻化してしまう。

【０００８】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
のであり、液晶等の電気光学物質に面する基板上表面の
段差に起因する電気光学物質の配向不良と横電界による
電気光学物質の配向不良とを総合的に低減することによ
り、画素の開口率が高く且つ高コントラスト比で明るい
高品位の画像表示が可能となる液晶装置等の電気光学装
置を提供することを課題とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の第１電気光学装
置は上記課題を解決するために、複数の画素電極を有す
る第１基板と、前記画素電極に対向配置された対向電極
を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板で挟
持された電気光学物質とからなり、前記電気光学物質
は、互いに異なる極性で駆動される隣接した前記画素電
極間の前記電気光学物質の層厚を、互いに同じ極性で駆
動される隣接した前記画素電極間の前記電気光学物質の
層厚より薄くしたことを特徴とする。

【００１０】また、本発明の第１電気光学装置は、複数
の画素電極は行あるいは列毎に反転駆動される。そし
て、反転駆動される行あるいは列に対して交差する画素
電極間の前記電気光学物質の層厚を、前記反転駆動され
る行あるいは列の画素電極間の前記電気光学物質の層厚
より薄くしたことを特徴とする。

【００１１】この反転駆動として、例えば、１Ｈ反転駆
動方式や１Ｓ反転駆動方式が有効である。

【００１２】以上の構成によれば、互いに異なる極性で
駆動される隣接した画素電極間の電気光学物質の層厚が
薄いので、画素電極と対向電極との間に発生する縦電界
を強めることができる。よって、横電界が発生する領域
において、横電界に対して縦電界を相対的に強くでき、
横電界による電気光学物質の配向不良の発生を低減する
ことができる。

【００１３】また、本発明の第１電気光学装置は、前記
第１基板に、互いに異なる極性で駆動される隣接した画
素電極間に対応する部位であって、前記画素電極下に形
成された盛上り部を有することを特徴とする。

【００１４】あるいは、前記第２基板に、互いに異なる
極性で駆動される隣接した前記画素電極間に対応する部
位であって、前記対向電極下に形成された盛上り部を有
することを特徴とする。

【００１５】第１基板に形成される盛上がり部は、平坦
な前記第１基板上に絶縁層と配線層を積層して形成され
るとよい。

【００１６】また、第２基板に形成される盛上り部は、
遮光膜を形成してもよい。

【００１７】盛上り部は、土手状に形成され、その長手
軸に垂直に切った断面形状としては、例えば、台形、三
角形、半円形等の各種の形状が考えられる。

【００１８】また、盛上り部を形成するのに、配線や薄
膜トランジスタを形成する導電膜や層間絶縁膜等を利用
したり、積層プロセス中に第１基板と画素電極との間に
盛上り部形成用の膜を局所的に追加形成してもよい。

【００１９】また、液晶等の電気光学装置の性質に応じ
て生じる電気光学物質の配向不良が小さくて済むような
断面形状であれば、盛上り部分において部分的に電気光
学物質の層厚が厚くなるものであっても、本発明の趣旨
を妨げないものである。

【００２０】また、隣接した各々の画素電極の縁部は、
盛上り部上に位置するとよい。

【００２１】この場合、隣接した各々の画素電極の縁部
の幅は、第２基板の対向電極と画素電極の縁部までの距
離とほぼ等しいことが望ましい。

【００２２】また、前記隣接した各々の画素電極の縁部
の幅は、セルギャップの半分の厚みより長いことが望ま
しい。

【００２３】この態様によれば、横電界による悪影響が
実用上表面化しない程度にまで、縦電界を横電界に対し
て大きくできる。したがって、電気光学物質の層厚を薄
くすること無しに画素電極の間隔を狭めることができる
ため、画素ピッチが微細になっても開口率が維持できる
ばかりでなく電気光学物質の層厚を制御することが出来
る。

【００２４】また、盛上り部の厚みは、少なくとも３０
０ｎｍの厚みを有することが望ましい。

【００２５】この態様によれば、横電界が生じる領域で
は縦電界は膜厚が小さくなるのに応じて強められるが、
画素電極群とが隣り合う領域では、段差が３００ｎｍ以
上となるまで盛り上げられているため、膜厚はこれに応
じて小さくなり、横電界による悪影響が実用上表面化し
ない程度にまで、この領域における縦電界を横電界に対
して大きくできる。

【００２６】また、電気光学物質がＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅ
ｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶からなる場合、盛上り部は、
側面に傾斜面を備え、前記ＴＮ液晶のプレティルト角の
傾き方向と、前記盛上り部の傾斜面の傾き方向とを一致
させることが望ましい。

【００２７】この態様によれば、ＴＮ液晶は、電圧無印
加状態では各液晶分子が基本的に基板面にほぼ平行な状
態で第１基板から第２基板に向けて徐々に捻じれるよう
に配向するため、このように下地面の境界にテーパが付
けられていれば、画素電極端におけるＴＮ液晶の層厚が
側面に沿って徐々に小さくなっても、画素電極略中心に
おけるＴＮ液晶の層厚が一定している場合に近い良好な
液晶配向状態が得られる。即ち、横電界に起因した液晶
配向不良を低減するために層厚が局所的に薄くされた液
晶部分で段差により生じる液晶配向不良を極力抑えるこ
とができる。

【００２８】また、この態様では、ＴＮ液晶の第１基板
上におけるプレティルト角の傾き方向と盛上り部の傾斜
面の傾き方向とが合わせられているので、ＴＮ液晶は、
電圧無印加状態では各液晶分子が基本的に基板面にほぼ
平行な状態であって基板面に対して例えば数度程度のプ
レティルト角だけ傾いた状態となるように配向する。こ
こで、このようにテーパの傾き方向と、プレティルト角
の傾き方向とが合わせられていれば、このテーパに沿っ
て画素電極端におけるＴＮ液晶の層厚が側面に沿って徐
々に小さくなっても、画素電極のほぼ中心における液晶
の層厚が一定している場合に非常に近い良好な液晶配向
状態が得られる。尚、ここに“傾き方向が合わせられて
いる”とは、ＴＮ液晶の層厚が一定している場合に非常
に近い良好な液晶配向状態が得られる程度に、これら両
者の傾きが一致していることをいい、その許容範囲は、
実験的、経験的及び理論的に適宜定められる。

【００２９】また、電気光学物質がＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃ
ａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）液晶からなる場合、盛上り
部は、前記第１基板の平面に対して略垂直な側面を有す
ることが望ましい。

【００３０】この態様によれば、ＶＡ液晶は、電圧無印
加状態では各液晶分子が基本的に基板面にほぼ垂直な状
態となるように配向するため、高さの異なる下地面の境
界が存在する領域では、液晶配向が乱れざるを得ない
が、下地面の境界が垂直に切り立っていれば、係る境界
で配向が乱れる液晶部分を極力小さくできる。従って、
相対的に高い下地面の頂上付近におけるほぼ平らな個所
にある画素電極の部分と、相対的に低い下地面に有る平
坦な画素電極の部分との両者で、ＶＡ液晶の層厚が一定
している場合に近い良好な液晶配向状態が得られる。即
ち、横電界に起因した液晶配向不良を低減するために層
厚が局所的に薄くされた液晶部分で段差により生じる液
晶配向不良を極力抑えることができる。

【００３１】また、本発明の第１電気光学装置の第１基
板に、互いに同じ極性で駆動される隣接した前記画素電
極間に対応する部位であって、前記電気光学物質側表面
に形成された平坦部を有することを特徴とする。

【００３２】この平坦部は、前記第１基板の表面に溝を
形成し、前記溝に対応する領域に配線を設けて形成する
ことが望ましい。

【００３３】この態様によれば、データ線や走査線等の
配線の下方に位置する第１基板や層間絶縁膜にエッチン
グ処理等により溝を掘って、データ線や走査線を埋め込
むことにより、この領域における平坦化処理を比較的容
易に施すことができる。

【００３４】本発明の第２電気光学装置は、複数の画素
電極を有する第１基板と、前記画素電極に対向配置され
た対向電極を有する第２基板と、前記第１基板と前記第
２基板で挟持された電気光学物質と、互いに異なる極性
で駆動される隣接した前記画素電極間に対応し、前記第
１基板の前記画素電極下に形成された盛上り部と、を具
備すること特徴とする。

【００３５】本発明の第３電気光学装置は、複数の画素
電極を有する第１基板と、前記画素電極に対向配置され
た対向電極を有する第２基板と、前記第１基板と前記第
２基板で挟持された電気光学物質と、互いに異なる極性
で駆動される隣接した前記画素電極間に対応し、前記第
２基板の前記対向電極下に形成された盛上り部と、を具
備すること特徴とする。

【００３６】本発明の第４電気光学装置は、複数の画素
電極を有する第１基板と、前記画素電極に対向配置され
た対向電極を有する第２基板と、前記第１基板と前記第
２基板で挟持された電気光学物質と、互いに同じ極性で
駆動される隣接した前記画素電極間に対応し、前記第1
基板の前記電気光学物質側表面に形成された平坦部と、
を具備すること特徴とする。

【００３７】本発明の第５電気光学装置は、複数本のデ
ータ線と、前記データ線に交差する複数本の走査線と、
前記データ線と前記走査線で囲まれた領域に形成されマ
トリクス状に配置された複数の画素電極と、前記データ
線と前記走査線に接続され画像信号を前記画素電極に出
力するスイッチング素子と、を有する素子基板と、前記
画素電極に対向配置された対向電極を有する対向基板
と、前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた電
気光学物質と、前記素子基板の前記データ線に沿った領
域の電気光学物質側表面に形成された平坦部と、前記素
子基板の前記走査線に沿った領域の電気光学物質側表面
に形成された盛上り部とを備え、前記走査線に沿う方向
の画素電極はライン毎に反転駆動されることを特徴とす
る。

【００３８】前記盛上り部は、前記走査線に沿う容量線
の領域に形成してもよい。

【００３９】また、前記盛上り部は、頂上付近が平坦に
形成されるとよい。

【００４０】前記容量線は、走査線と同層に形成した
り、走査線の領域上に絶縁膜を介して形成することがで
きる。

【００４１】また、前記平坦部は、前記素子基板の前記
データ線に沿った領域に溝を形成して構成されることが
望ましい。

【００４２】本発明の第６電気光学装置は、複数本のデ
ータ線と、前記データ線に交差する複数本の走査線と、
前記データ線と前記走査線で囲まれた領域に形成されマ
トリクス状に配置された複数の画素電極と、前記データ
線と前記走査線に接続され画像信号を前記画素電極に出
力するスイッチング素子と、を有する素子基板と、前記
画素電極に対向配置された対向電極を有する対向基板
と、前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた電
気光学物質と、前記素子基板の前記データ線に沿った領
域の電気光学物質側表面に形成された盛上り部と、前記
素子基板の前記走査線に沿った領域の電気光学物質側表
面に形成された平坦部とを備え、前記データ線に沿う方
向の画素電極はライン毎に反転駆動されることを特徴と
する。

【００４３】前記平坦部は、前記走査線に沿った容量線
の領域に形成してもよい。

【００４４】また、前記盛上り部は、頂上付近が平坦に
形成されるとよい。

【００４５】前記容量線は、走査線と同層に形成した
り、走査線の領域上に絶縁膜を介して形成することがで
きる。

【００４６】また、前記平坦部は、前記素子基板の前記
走査線及び前記容量線に沿った領域に溝を形成して構成
されることが望ましい。

【００４７】本発明の第７電気光学装置は、複数本のデ
ータ線と、前記データ線に交差する複数本の走査線と、
前記データ線と前記走査線で囲まれた領域に形成されマ
トリクス状に配置された複数の画素電極と、前記データ
線と前記走査線に接続され画像信号を前記画素電極に出
力するスイッチング素子と、を有する素子基板と、前記
画素電極に対向配置された対向電極を有する対向基板
と、前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた電
気光学物質と、前記素子基板の前記データ線に沿った領
域に対応する前記対向基板の電気光学物質側表面に形成
された平坦部と、前記素子基板の前記走査線に沿った領
域に対応する前記対向基板の電気光学物質側表面に形成
された盛上り部とを備え、前記走査線に沿う方向の画素
電極はライン毎に反転駆動されることを特徴とする。

【００４８】前記盛上り部は、前記走査線に沿う容量線
の領域に形成してもよい。

【００４９】前記容量線は、走査線と同層に形成した
り、走査線の領域上に絶縁膜を介して形成することがで
きる。

【００５０】また、前記素子基板は、前記素子基板の表
面に前記データ線が延びる領域に対応した溝を形成し、
前記素子基板の電気光学物質側表面を平坦にすることが
望ましい。

【００５１】また、前記素子基板は、前記素子基板の表
面に前記走査線が延びる領域に対応した溝を形成し、前
記素子基板の電気光学物質側表面を平坦にすることが望
ましい。

【００５２】本発明の第８電気光学装置は、複数本のデ
ータ線と、前記データ線に交差する複数本の走査線と、
前記データ線と前記走査線で囲まれた領域に形成されマ
トリクス状に配置された複数の画素電極と、前記データ
線と前記走査線に接続され画像信号を前記画素電極に出
力するスイッチング素子と、を有する素子基板と、前記
画素電極に対向配置された対向電極を有する対向基板
と、前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた電
気光学物質と、前記素子基板の前記データ線に沿った領
域に対応する前記対向基板の電気光学物質側表面に形成
された盛上り部と、前記素子基板の前記走査線に沿った
領域に対応する前記対向基板の電気光学物質側表面に形
成された平坦部とを備え、前記データ線に沿う方向の画
素電極はライン毎に反転駆動されることを特徴とする。

【００５３】前記盛上り部は、前記走査線に沿う容量線
の領域に形成してもよい。

【００５４】前記容量線は、走査線と導層に形成した
り、走査線の領域上に絶縁膜を介して形成することがで
きる。

【００５５】また、前記素子基板は、前記素子基板の表
面に前記データ線が延びる領域に対応した溝を形成し、
前記素子基板の電気光学物質側表面を平坦にすることが
望ましい。

【００５６】また、前記素子基板は、前記素子基板の表
面に前記走査線が延びる領域に対応した溝を形成し、前
記素子基板の電気光学物質側表面を平坦にすることが望
ましい。

【００５７】本発明の第９電気光学装置は、複数本のデ
ータ線と、前記データ線に交差する複数本の走査線と、
前記データ線と前記走査線で囲まれた領域に形成された
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記デー
タ線と前記走査線に接続され画像信号を前記画素電極に
出力するスイッチング素子と、を有する素子基板と、前
記画素電極に対向配置された対向電極を有する対向基板
と、前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた電
気光学物質と、前記素子基板の電気光学物質側表面と前
記対向基板の電気光学物質側表面に少なくとも部分的に
形成された盛上り部とを備えたことを特徴とする。

【００５８】前記盛上り部は、前記素子基板上の横電界
発生領域に形成されることが望ましい。

【００５９】また、前記盛上り部は、互いに異なる極性
で駆動される隣接した前記画素電極間に対応する領域に
形成されることが望ましい。

【００６０】また、前記素子基板側の盛り上がり部と、
前記対向基板側の盛上り部とは、対向して形成してもよ
いし、各々異なる部位に形成してもよい。

【００６１】以上の本発明の電気光学装置によれば、横
電界による電気光学物質の配向不良と段差による電気光
学物質の配向不良を総合的に低減することが可能とな
り、電気光学物質の配向不良個所を隠すための遮光膜も
小さくできる。よって、光抜け等の画像不良を起こさず
に各画素の開口率を高めることができ、最終的にコント
ラスト比が高く且つ明るく高品位の画像表示が可能とな
る。

【００６２】そして、本発明のこのような作用及び他の
利得は後述する実施例から明らかにされる。

【００６３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。以下の各実施形態は、本発明の電気
光学装置を液晶装置に適用したものである。

【００６４】（第１実施形態）本発明の第１実施形態に
おける電気光学装置の構成について、図１から図８を参
照して説明する。図１は、電気光学装置の画像表示領域
を構成するマトリクス状に形成された複数の画素におけ
る各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図３は、図
２のＡ−Ａ’断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ’断
面図であり、図５は、図２のＣ−Ｃ’断面図である。ま
た図６は、１Ｈ反転駆動方式における各電極における電
位極性と横電界が生じる領域とを示す画素電極の図式的
平面図であり、図７は、ＴＮ液晶を用いた場合の液晶分
子の配向の様子を示す図式的断面図であり、図８は、Ｖ
Ａ液晶を用いた場合の液晶分子の配向の様子を示す図式
的断面図である。尚、図３から図５においては、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００６５】図１において、第１実施形態における電気
光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成
された複数の画素は、画素電極９ａと当該画素電極９a
を制御するためのＴＦＴ３０がマトリクス状に複数形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ
線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、こ
の順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数
のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するよ
うにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３
ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走
査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍ
を、この順に線順次で印加するように構成されている。
画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続
されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定
期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６
ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定
のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光
学物質の一例として液晶に書き込まれた所定レベルの画
像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）
に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保
持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集
合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階
調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれ
ば、印加された電圧に応じて液晶部分の入射光の透過光
量が減少され、ノーマリーブラックモードであれば、印
加された電圧に応じて液晶部分の入射光の透過光量が増
加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じ
たコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持され
た画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａ
と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容
量７０を付加する。

【００６６】第１実施形態では、前述した従来の各種の
反転駆動方式のうち、１Ｈ反転駆動方式を用いて駆動が
行われる（図６参照）。これにより、直流電圧印加によ
る液晶の劣化を避けつつ、フレーム或いはフィールド周
期で発生するフリッカや特に縦クロストークの低減され
た画像表示を行える。

【００６７】図２において、電気光学装置のＴＦＴアレ
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９
ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けら
れており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデー
タ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられてい
る。データ線６ａは、コンタクトホール５を介して例え
ばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち後述のソ
ース領域に電気接続されている。画素電極９ａは、コン
タクトホール８を介して半導体層１ａのうち後述のドレ
イン領域に電気接続されている。また、半導体層１ａの
うち図中右下がりの斜線領域で示したチャネル領域１
ａ’に対向するように走査線３ａが配置されており、走
査線３ａはゲート電極として機能する。このように、走
査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チ
ャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向
配置された画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられて
いる。

【００６８】容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直
線状に伸びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所か
らデータ線６ａに沿って図中上方に突出した突出部とを
有する。

【００６９】第１実施形態では特に、ＴＦＴアレイ基板
１０上において各データ線６ａや各ＴＦＴ３０を含む各
データ線６ａに沿った領域（図中太線でその輪郭が示さ
れた領域）に溝２０１が設けられ、ストライプ状の溝を
形成している。これにより、データ線６ａに対する平坦
化処理が施されている。

【００７０】次に図３の断面図に示すように、電気光学
装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配
置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴア
レイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコ
ン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や
石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電
極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理
等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられて
いる。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（IndiumTin Oxid
e）膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜１６
は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。

【００７１】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミ
ド薄膜などの有機薄膜からなる。

【００７２】ＴＦＴアレイ基板１０には、各画素電極９
ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制
御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられてい
る。

【００７３】対向基板２０には、更に図３に示すよう
に、各画素の非開口領域に、一般にブラックマスク或い
はブラックマトリクスと称される遮光膜２３が設けられ
ている。このため、対向基板２０の側から入射光が画素
スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領
域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領
域１ｃに侵入することはない。更に、遮光膜２３は、コ
ントラスト比の向上、カラーフィルタを形成した場合に
おける色材の混色防止などの機能を有する。尚、本実施
形態では、Ａｌ等からなる遮光性のデータ線６ａで、各
画素の非開口領域のうちデータ線６ａに沿った部分を遮
光することにより、各画素の開口領域のうちデータ線６
ａに沿った輪郭部分を規定してもよいし、このデータ線
６ａに沿った非開口領域についても冗長的に又は単独で
対向基板２０に設けられた遮光膜２３で遮光するように
構成してもよい。

【００７４】このように構成され、画素電極９ａと対向
電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基
板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材によ
り囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入
され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電
極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６
及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、
例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液
晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対
向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例え
ば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、
両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー
或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。

【００７５】更に、ＴＦＴアレイ基板１０と複数の画素
スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、下地絶縁膜１２
が設けられている。下地絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基
板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基
板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚
れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防
止する機能を有する。下地絶縁膜１２は、例えば、ＮＳ
Ｇ（ノンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシ
リケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラ
ス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの
高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜
等からなる。

【００７６】第１実施形態では、半導体層１ａを高濃度
ドレイン領域１ｅから延設して第１蓄積容量電極１ｆと
し、これに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電
極とし、ゲート絶縁膜を含んだ絶縁薄膜２を走査線３ａ
に対向する位置から延設してこれらの電極間に挟持され
た誘電体膜とすることにより、蓄積容量７０が構成され
ている。

【００７７】図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ
３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有して
おり、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチ
ャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜を含む絶縁薄膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの
低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半
導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイ
ン領域１ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１ｅに
は、複数の画素電極９ａのうちの対応する一つがコンタ
クトホール８を介して接続されている。また、走査線３
ａ及び容量線３ｂの上には、高濃度ソース領域１ｄへ通
じるコンタクトホール５及び高濃度ドレイン領域１ｅへ
通じるコンタクトホール８が各々形成された第１層間絶
縁膜４が形成されている。更に、データ線６ａ及び第１
層間絶縁膜４の上には、高濃度ドレイン領域１ｅへのコ
ンタクトホール８が形成された第２層間絶縁膜７が形成
されている。前述の画素電極９ａは、このように構成さ
れた第２層間絶縁膜７の上面に設けられている。

【００７８】図４に示すように、図２で左右に相隣接す
る画素電極９ａの間隙に位置する各画素の非開口領域に
は、データ線６ａが設けられており、データ線６ａによ
り各画素の開口領域の輪郭のうちデータ線６ａに沿った
部分が規定されており、且つデータ線６ａにより当該非
開口領域における光抜けが防止されている。また、デー
タ線６ａの下には、容量線３ｂの本線部からデータ線６
ａの下に沿って突出した部分を利用して、蓄積容量７０
が形成されており、非開口領域の有効利用が図られてい
る。

【００７９】図３及び図４に示すように第１実施形態で
は特に、ＴＦＴアレイ基板１０上において各データ線６
ａや各ＴＦＴ３０を含む各データ線６ａに沿った領域
に、溝２０１が複数設けられている。これにより、デー
タ線６ａに対する平坦化処理が施されている。

【００８０】図５に示すように、図２で上下に相隣接す
る画素電極９ａの間隙に位置する各画素の非開口領域に
は、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられており、対向
基板２０に設けられた遮光膜２３により各画素の開口領
域の輪郭のうち走査線３ａに沿った部分が規定されてお
り、且つ遮光膜２３により当該非開口領域における光抜
けが防止されている。

【００８１】図３及び図５に示すように第１実施形態で
は特に、ＴＦＴアレイ基板１０上においてデータ線と交
差する領域及びその付近を除いた走査線３ａに沿った領
域に、溝２０１は設けられていない。また、図に示すよ
うに容量線３ｂに沿った領域に溝２０１を設けないよう
にしても良い。尚、容量線３ｂ領域においては、積層が
厚くなる場合は、光透過領域に沿って、少なくとも一部
に溝２０１を設けるようにすると良い。これにより段差
による光抜けを防止することが出来る。以上、少なくと
も走査線３ａに対する平坦化処理は施されておらず、画
素電極９ａの下地面（第１実施形態では、第２層間絶縁
膜７の表面からなる）は、この走査線３ａ等が配置され
た画素電極９ａの間隙において土手状に盛り上がってお
り、盛上り部３０１が形成されている。そして、画素電
極９ａの縁は、この盛上り部３０１上に形成されてい
る。

【００８２】ここで図６を参照して、第１実施形態で採
用する１Ｈ反転駆動方式における、相隣接する画素電極
９ａの電位極性と横電界の発生領域との関係について説
明する。

【００８３】即ち、図６（ａ）に示すように、ｎ（但
し、ｎは自然数）番目のフィールド或いはフレームの画
像信号を表示する期間中には、画素電極９ａ毎に＋又は
−で示す液晶駆動電位の極性は反転されず、行毎に同一
極性で画素電極９ａが駆動される。その後図６（ｂ）に
示すように、ｎ＋１番目のフィールド或いは１フレーム
の画像信号を表示するに際し、各画素電極９ａにおける
液晶駆動電位の電位極性は反転され、このｎ＋１番目の
フィールド或いは１フレームの画像信号を表示する期間
中には、画素電極９ａ毎に＋又は−で示す液晶駆動電位
の極性は反転されず、行毎に同一極性で画素電極９ａが
駆動される。そして、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示し
た状態が、１フィールド又は１フレームの周期で繰り返
されて、１Ｈ反転駆動方式による駆動が行われる。この
結果、直流電圧印加による液晶の劣化を避けつつ、クロ
ストークやフリッカの低減された画像表示を行える。
尚、１Ｈ反転駆動方式によれば、１Ｓ反転駆動方式と比
べて、縦方向のクロストークが殆ど無い点で有利であ
る。

【００８４】図６（ａ）及び図６（ｂ）から分かるよう
に、１Ｈ反転駆動方式では、横電界の発生領域Ｃ１は常
時、縦方向（Ｙ方向）に相隣接する画素電極９ａ間の間
隙付近となる。

【００８５】そこで図３及び図５に示すように第１実施
形態では、走査線３ａに沿った領域に盛上り部３０１を
形成し、この盛上り部３０１上に配置された画素電極９
ａの縁付近における縦電界を強めるようにする。より具
体的には、図５に示すように、盛上り部３０１上に配置
された画素電極９ａの縁付近と対向電極２１との距離ｄ
１を盛上り部３０１の段差（高さ）の分だけ狭める。こ
れに対し図４に示すように、データ線６ａに対しては、
平坦化処理が施されており、画素電極９ａの縁付近と対
向電極２１との間の距離ｄ２は、画素電極の大部分を占
める中央領域における画素電極９ａと対向電極２１との
間の距離Ｄとがほぼ同じになるように溝２０１を形成す
る。ここで、平坦化した部分における画素電極９ａの縁
付近と対向電極２１との距離ｄ２は、画素電極の略中心
上における液晶層５０のセルギャップＤとの間にＤ−ｄ
２≦±３００ｎｍの関係が成り立つようにする。すなわ
ち、横電界が発生しない領域において、液晶のセルギャ
ップＤとの間に３００ｎｍ以上の段差が生じると光抜け
が発生する可能性があるためである。

【００８６】従って、図６に示した横電界の発生領域Ｃ
１において、画素電極９ａと対向電極２１との間におけ
る縦電界を強めることができるのである。そして、図５
において、距離ｄ１が狭まっても、相隣接する画素電極
９ａ間の間隙Ｗ１は一定であるため、間隙Ｗ１が狭まる
程に強まる横電界の大きさを一定にできる。このため、
図６に示した横電界の発生領域Ｃ１において局所的に、
横電界よりも縦電界を強めることができ、この結果とし
て縦電界をより支配的にすることにより、横電界の発生
領域Ｃ１における液晶の配向不良を防止できるのであ
る。

【００８７】尚、図４に示すように、データ線６ａに対
しては、平坦化処理が施されているので、この部分にお
いてデータ線６ａ等による段差に起因した液晶の配向不
良の発生を低減可能である。ここでは平坦化処理が施さ
れているため、画素電極９ａと対向電極２１との間の距
離ｄ２が短くなることにより縦電界が強められることは
ないが、この部分では、図６に示したように相隣接する
画素電極９ａ間に横電界は発生しない。従って、この部
分では、横電界に対する対策を講ずることなく、平坦化
処理により液晶の配向状態を極めて良好にできるのであ
る。

【００８８】以上の結果、第１実施形態によれば、１Ｈ
反転駆動方式において発生する横電界の特性に着目し
て、横電界の発生領域Ｃ１では、盛上り部３０１に画素
電極９ａの縁を配置することで、縦電界を強めることに
より横電界による悪影響を低減すると同時に、横電界の
発生しない領域では、平坦化を行うことで、画素電極９
ａ表面の段差による悪影響を低減する。このように横電
界による液晶の配向不良と段差による液晶の配向不良を
総合的に低減することにより、液晶の配向不良個所を隠
すための遮光膜２３も小さくて済む。従って、光抜け等
の画質不良を起こさずに各画素の開口率を高めることが
でき、最終的にコントラスト比が高く且つ明るく高品位
の画像表示が可能となる。

【００８９】因みに本願発明者の研究によれば、液晶層
５０の層厚は、耐光性をある程度のレベルに維持し、液
晶５０の注入プロセスを困難にせず、動作中における電
界印加により液晶分子が良好に動くようにするために、
ある程度の層厚（例えば、現行の技術によれば３μｍ程
度）が必要である。他方、相隣接する画素電極９ａ間の
間隙Ｗ１（図５参照）を、この部分における画素電極９
ａと対向電極２１との間の距離ｄ１より短く（即ち、Ｗ
１＜ｄ１に）してしまうと、横電界による悪影響が顕在
化し始めることが判明している。従って微細ピッチな画
素の高開口率化を図るために、単純に液晶層５０の層厚
Ｄ（図４及び図５参照）を全体に薄くしたのでは、液晶
の層厚制御の困難化、耐光性の低下、注入プロセスの困
難化、液晶分子の動作不良等が発生してしまう。逆に微
細ピッチな画素の高開口率化を図るために、液晶層５０
を薄くすること無く単純に相隣接する画素電極９ａ間の
間隙Ｗ１を狭めたのでは、縦電界と比べて横電界が大き
くなるため、当該横電界による液晶の配向不良が顕在化
してしまう。このような液晶装置における特質を勘案す
れば、上述した第１実施形態のように、横電界が生じる
領域においてのみ液晶層５０の層厚ｄ１を（例えば１．
５μｍ程度にまで）狭めると共に画素電極９ａの大部分
を占めるその他の領域においては液晶層５０の層厚Ｄを
狭めないことにより、液晶層５０の光透過領域における
層厚Ｄを十分に（例えば３μｍ程度に）確保可能とし且
つ横電界を相対的に強めないようにしつつ相隣接する画
素電極９ａ間の間隙Ｗ１を狭められる構成は、微細ピッ
チな画素の高開口率化及び表示画像の高精細化を図る上
で非常に有効である。

【００９０】第１実施形態では特に、図５において好ま
しくは、０．５Ｄ ＜ Ｗ１なる関係を満足するように
画素電極９ａを平面配置する。これは、液晶の層厚Ｄが
画素電極９ａ間の間隔Ｗ１の２倍以上に制御しないと、
横電界による液晶の配向不良が顕在化するからである。
更に、ｄ１＋３００ｎｍ（ナノメータ） ≦ Ｄ なる
関係を満足するように盛上り部３０１を形成する。即
ち、盛上り部３０１を段差が３００ｎｍ以上となるまで
盛り上げれば、横電界による悪影響が実用上表面化しな
い程度にまで、この領域における縦電界を横電界に対し
て大きくできる。また微細ピッチな画素の高開口率化及
び表示画像の高精細化を図るためには、間隙Ｗ１や間隙
Ｗ２をなるべく小さくするのが有効であるが、横電界の
悪影響を顕在化させないためには、むやみにこの間隙Ｗ
１を小さくすることはできない。ここで、Ｗ１≒ｄ１と
なるまで間隙Ｗ１を小さく設定すれば、画質を落とさず
微細ピッチな画素の高開口率化を図るためには最も効果
的である。

【００９１】更に第１実施形態では、盛上り部３０１に
おける長手状に伸びる上面の幅方向の縁に、画素電極９
ａの縁が位置するように構成するのが好ましい。このよ
うに構成すれば、当該画素電極９ａ内の周辺部と対向電
極２１との間の距離ｄ１を盛上り部３０１の高さを最大
限に利用して短くすることができる。同時に、盛上り部
３０１における上面の幅を最大限に生かして横電界が生
じる相隣接する画素電極９ａ間の間隔Ｗ１を狭めること
ができる。これらにより、盛上り部３０１の形状を極め
て効率的に利用して、横電界の発生領域Ｃ１において横
電界に対して縦電界を強めることが可能となる。

【００９２】尚、以上説明した盛上り部３０１は、走査
線３ａやＴＦＴ３０を形成する導電膜や層間絶縁膜を利
用して形成しているが、積層プロセス中にＴＦＴアレイ
基板１０と画素電極９ａとの間に盛上り部形成用の膜を
局所的に追加形成したり、ＴＦＴアレイ基板１０上の表
面をエッチング処理等により土手状に形成したり、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０の表面と画素電極９ａとの間に介在す
る層間絶縁膜等の表面をエッチング処理等により土手状
に形成したりすることにより形成される。また盛上り部
３０１のその長手軸に垂直に切った断面形状としては、
例えば台形、三角形、半円形、半楕円形、頂上付近が平
坦とされた半円形又は半楕円形、若しくは側辺の傾斜が
頂上に向かうに連れて徐々に増す２次曲線や３次曲線状
の略台形、略三角形など各種の形状が考えられる。更
に、図５に示した走査線３ａや容量線３ｂの本線部に対
して、部分的にのみ平坦化処理を施すことも可能であ
る。例えば、これらの配線をＴＦＴアレイ基板１０や層
間絶縁膜に形成された溝内に部分的に埋め込んで所望の
領域に所望の高さの盛上り部を形成するようにしてもよ
い。従って実践的には、液晶の性質に応じて段差により
生じる液晶の配向不良が小さくて済むような断面形状を
適宜採用するのが望ましい。

【００９３】ここで図７（ｂ）に示すように、第１実施
形態では好ましくは、液晶層５０はＴＮ（Twisted Nema
tic）液晶から構成されており、盛上り部３０１の側面
にはテーパが付けられている。しかも、係るＴＮ液晶の
ＴＦＴアレイ基板１０上におけるプレティルト角θの傾
き方向とテーパの傾き方向とを合せるようにすると良
い。

【００９４】即ち、図７（ａ）に示すように、ＴＮ液晶
の液晶分子５０ａは、電圧無印加状態では各液晶分子５
０ａが基本的に基板面にほぼ平行な状態となるように、
且つＴＦＴアレイ基板１０から対向基板２０に向けて徐
々に捻じれるように配向すると共に電圧印加状態では、
矢印で夫々示したように各液晶分子５０ａが基板面から
垂直に立ち上がるように配向する。このため、図７
（ｂ）に示すように、盛上り部３０１の側面にテーパが
付けられており、しかもＴＮ液晶のプレティルト角θの
傾き方向とテーパの傾き方向とが合わせられていれば、
盛上り部３０１と対向基板２０との間においては、液晶
の層厚ｄ１が側面に沿って徐々に小さくなっても、液晶
の層厚Ｄが一定している場合に近い良好な液晶配向状態
が得られる。即ち、横電界に起因した液晶配向不良を低
減する盛上り部３０１の存在により生じる段差に起因し
た液晶配向不良を極力抑えることができる。仮に、図７
(ｃ)に示すようにＴＮ液晶のプレティルト角θの傾き方
向とテーパの傾き方向とが合わせられていなければ、盛
上り部３０１と対向基板２０との間においては、他の液
晶分子５０ａとは反対方向に立ち上がる液晶分子５０ｂ
が盛上り部３０１の付近に発生し、これにより配向状態
が不連続な液晶配向不良が生じてしまうのである。した
がって、このような領域は対向基板２０やＴＦＴアレイ
基板１０に遮光膜を形成して隠すようにすると良い。

【００９５】或いは図８（ｂ）に示すように、第１実施
形態では、液晶層５０’は、ＶＡ（Vertically Aligne
d）液晶からなり、テーパがほとんど付けられていない
盛上り部３０１’を設けるようにしてもよい。

【００９６】即ち、図８（ａ）に示すように、ＶＡ液晶
は、電圧無印加状態では各液晶分子５０ａ’が基本的に
基板面にほぼ垂直な状態となるように配向するため、平
面的に見て盛上り部３０１’の側面にテーパが存在する
領域では、液晶配向が乱れざるを得ないが、このように
盛上り部３０１’の側面にテーパがほとんど付けられて
いなければ、係る側面で配向が乱れる液晶部分を極力小
さくできる。従って、盛上り部３０１’の頂上付近にお
けるほぼ平坦な個所にある画素電極９ａの部分と、盛上
り部３０１’の下に有るほぼ平坦な個所にある画素電極
９ａの部分との両者で、図８（ａ）における液晶の層厚
Ｄが一定している場合に近い良好な液晶配向状態が図８
（ｂ）のように得られる。

【００９７】以上説明した第１実施形態では、溝２０１
を掘って、データ線６ａ等を埋め込むことにより平坦化
処理を行ったが、データ線６ａの上方に位置する層間絶
縁膜７や１２の上面の段差をＣＭＰ（Chemical Mechani
cal Polishing）処理等により平らに削ることにより、
或いは有機ＳＯＧを用いて平らに形成することにより、
当該平坦化処理を行ってもよい。

【００９８】この平坦化処理の後に、データ線６ａ方向
や走査線３ａ方向に部分的に盛上り部を形成してもよ
い。方法としては、盛上り部を形成する領域を省いた層
間絶縁膜に対してエッチングすることにより、容易に形
成することができる。これにより、横電界が発生する領
域に容易に盛上り部を設けることができる。

【００９９】更に以上説明した第１実施形態では、画素
スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示した
ようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び
低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わない
オフセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部から
なるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込
み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成
するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また第
１実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲー
ト電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域
１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造とした
が、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよ
い。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以
上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイ
ン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電
流を低減することができる。

【０１００】（第１実施形態の製造プロセス）次に、以
上のような構成を持つ第１実施形態における電気光学装
置を構成するＴＦＴアレイ基板側の製造プロセスについ
て、図９を参照して説明する。尚、図９は各工程におけ
るＴＦＴアレイ基板側の各層を、図４及び図５と同様に
図２のＢ−Ｂ’断面及び図２のＣ−Ｃ’断面に対応させ
て示す工程図である。

【０１０１】先ず図９の工程（ａ）に示すように、先ず
石英基板、ハードガラス基板、シリコン基板等のＴＦＴ
アレイ基板１０を用意し、データ線６ａを形成すべき領
域に溝２０１を形成する。

【０１０２】次に図９の工程（ｂ）に示すように、薄膜
形成技術を用いて、ＴＦＴアレイ基板１０上に、走査線
３ａ及び容量線３ｂを形成する。これと平行して、図３
に示した如きＴＦＴ３０及び蓄積容量７０を形成する。

【０１０３】より具体的には、溝２０１が形成されたＴ
ＦＴアレイ基板１０上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ
法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケ
ート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）
ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレー
ト）ガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳ
Ｇなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シ
リコン膜等からなり、膜厚が約５００〜２０００ｎｍの
下地絶縁膜１２を形成する。次に、下地絶縁膜１２の上
に、減圧ＣＶＤ等によりアモルファスシリコン膜を形成
し熱処理を施すことにより、ポリシリコン膜を固相成長
させる。或いは、アモルファスシリコン膜を経ないで、
減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を直接形成する。
次に、このポリシリコン膜に対し、フォトリソグラフィ
工程、エッチング工程等を施すことにより、図２に示し
た如き第1蓄積容量電極１ｆを含む所定パターンを有す
る半導体層１ａを形成する。次に、熱酸化すること等に
より、図３に示したＴＦＴ３０のゲート絶縁膜と共に蓄
積容量形成用の誘電体膜を含む絶縁薄膜２を形成する。
この結果、半導体層１ａの厚さは、約３０〜１５０ｎｍ
の厚さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、絶
縁薄膜２の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好まし
くは約３０〜１００ｎｍの厚さとなる。次に、減圧ＣＶ
Ｄ法等によりポリシリコン膜を約１００〜５００ｎｍの
厚さに堆積し、更にＰ（リン）を打ち込んだり、熱拡散
して、このポリシリコン膜を導電化した後、フォトリソ
グラフィ工程、エッチング工程等により、図２に示した
如き所定パターンの走査線３ａ及び容量線３ｂを形成す
る。尚、走査線３ａ及び容量線３ｂは、高融点金属や金
属シリサイド等の金属合金膜で形成しても良いし、ポリ
シリコン膜等と組み合わせた多層配線としても良い。次
に、低濃度及び高濃度の２段階で不純物をドープするこ
とにより、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領
域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域
１ｅを含む、ＬＤＤ構造の画素スイッチング用ＴＦＴ３
０を形成する。

【０１０４】尚、図９の工程（ｂ）と並行して、ＴＦＴ
から構成されるデータ線駆動回路、走査線駆動回路等の
周辺回路を構成するＴＦＴをＴＦＴアレイ基板１０上の
周辺部に形成してもよい。

【０１０５】次に図９の工程（ｃ）に示すように、走査
線３ａ、容量線３ｂ、絶縁薄膜２及び下地絶縁膜１２か
らなる積層体を覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶ
Ｄ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳ
Ｇ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン
膜や酸化シリコン膜等からなる層間絶縁膜４を形成す
る。層間絶縁膜４は、例えば１０００〜２０００ｎｍ程
度の膜厚とされる。尚、この熱焼成と並行して或いは相
前後して、半導体層１ａを活性化するために約１０００
℃の熱処理を行ってもよい。そして、図３に示したデー
タ線６ａと半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄを電気
接続するためのコンタクトホール５を第１層間絶縁膜４
及び絶縁薄膜２に開孔し、また、走査線３ａや容量線３
ｂを基板周辺領域において図示しない配線と接続するた
めのコンタクトホールも、コンタクトホール５と同一の
工程により開孔することができる。続いて、第１層間絶
縁膜４の上に、スパッタリング工程等により、Ａｌ等の
低抵抗金属膜や金属シリサイド膜を約１００〜５００ｎ
ｍの厚さに堆積した後、フォトリソグラフィ工程及びエ
ッチング工程等により、データ線６ａを形成する。

【０１０６】次に図９の工程（ｄ）に示すように、デー
タ線６ａ上に第２層間絶縁膜７が形成される。また、図
３に示したように、画素電極９ａと高濃度ドレイン領域
１ｅとを電気接続するためのコンタクトホール８を、反
応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング
等のドライエッチング或いはウエットエッチングにより
形成する。続いて、第２層間絶縁膜７の上に、スパッタ
リング工程等により、ＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜を、
約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積し、更にフォトリソグ
ラフィ工程及びエッチング工程等により、画素電極９ａ
を形成する。尚、当該電気光学装置を反射型として用い
る場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料から画
素電極９ａを形成してもよい。

【０１０７】以上のように第１実施形態の製造方法によ
れば、ＴＦＴアレイ基板１０に溝２０１を掘ってデータ
線６ａを形成して、データ線６ａに対する平坦化処理を
施すと共に、走査線３ａ及び容量線３ｂの一部に対して
は平坦化処理を施さないので、横電界の発生しない領域
では段差による液晶配向不良を低減し、横電界の発生す
る領域では盛上り部３０１により横電界による液晶配向
不良を低減する第１実施形態の液晶装置を比較的容易に
製造できる。

【０１０８】（第２実施形態）本発明の第２実施形態に
おける電気光学装置の構成について、図１０から図１４
を参照して説明する。図１０は、データ線、走査線、画
素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複
数の画素群の平面図であり、図１１は、図１０のＡ−
Ａ’断面図であり、図１２は、図１０のＢ−Ｂ’断面図
であり、図１３は、図１０のＣ−Ｃ’断面図である。ま
た図１４は、１Ｓ反転駆動方式における各電極における
電位極性と横電界が生じる領域とを示す画素電極の図式
的平面図である。尚、図１１から図１３においては、各
層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするた
め、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、
図１０から図１４に示した第２実施形態において図２か
ら図６に示した第１実施形態と同様の構成要素について
は、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。

【０１０９】第２実施形態における回路構成について
は、図１に示した第１実施形態の場合と同様である。

【０１１０】図１０に示すように、第２実施形態では、
第１実施形態で溝２０１がデータ線６ａに沿った領域に
掘られていたのに対し、走査線３ａ及び容量線３ｂに沿
った領域（図中、太線で囲まれた領域）に溝２０２が掘
られている。そして第２実施形態では、図１１及び図１
２に示すように、データ線６ａに沿ってデータ線６ａ及
びこれに沿った蓄積容量７０部分（即ち、容量線３ｂの
うち平面的に見て本線部からデータ線６ａに沿って突出
した部分並びにこれに対向する絶縁薄膜２及び蓄積容量
電極１ｆ部分）から盛上り部３０２が形成されており、
図１２及び図１３に示すように、走査線３ａ及び容量線
３ｂに対して平坦化処理が施されている。更に、図１４
に示すように第２実施形態では、１Ｓ反転駆動方式によ
り駆動される。第２実施形態におけるその他の構成及び
動作については、第１実施形態の場合と同様である。

【０１１１】即ち第２実施形態では、図１４（ａ）に示
すように、ｎ（但し、ｎは自然数）番目のフィールド或
いはフレームの画像信号を表示する期間中には、画素電
極９ａ毎に＋又は−で示す液晶駆動電位の極性は反転さ
れず、列毎に同一極性で画素電極９ａが駆動される。そ
の後図１４（ｂ）に示すように、ｎ＋１番目のフィール
ド或いは１フレームの画像信号を表示するに際し、各画
素電極９ａにおける液晶駆動電位の極性は反転され、こ
のｎ＋１番目のフィールド或いは１フレームの画像信号
を表示する期間中には、画素電極９ａ毎に＋又は−で示
す液晶駆動電位の極性は反転されず、列毎に同一極性で
画素電極９ａが駆動される。そして、図１４（ａ）及び
図１４（ｂ）に示した状態が、１フィールド又は１フレ
ームの周期で繰り返されて、本実施形態における１Ｓ反
転駆動方式による駆動が行われる。この結果、本実施形
態によれば、直流電圧印加による液晶の劣化を避けつ
つ、クロストークやフリッカの低減された画像表示を行
える。

【０１１２】図１４（ａ）及び図１４（ｂ）から分かる
ように、１Ｓ反転駆動方式では、横電界の発生領域Ｃ２
は常時、横方向（Ｘ方向）に相隣接する画素電極９ａ間
の間隙付近となる。

【０１１３】そこで図１１及び図１２に示すように第２
実施形態では、盛上り部３０２を形成し、この盛上り部
３０２上に配置された画素電極９ａの縁付近における縦
電界を強めるようにする。より具体的には、図１２に示
すように、盛上り部３０２上に配置された画素電極９ａ
の縁付近と対向電極２１との距離ｄ２を盛上り部３０２
の段差（高さ）の分だけ狭める。これに対し図１３に示
すように、走査線３ａ及び容量線３ｂの本線部に対して
は、平坦化処理が施されており、画素電極９ａの縁付近
と対向電極２１との間の距離ｄ１は、画素電極９ａの大
部分を占める中央領域と対向電極２１との間の距離Ｄと
ほぼ同じとなる。

【０１１４】従って、図１４に示した横電界の発生領域
Ｃ２において、画素電極９ａと対向電極２１との間にお
ける縦電界を強めることができるのである。そして、図
１２において、距離ｄ２が狭まっても、相隣接する画素
電極９ａ間の間隙Ｗ２は一定であるため、間隙Ｗ２が狭
まる程に強まる横電界の大きさを一定にできる。このた
め、図１４に示した横電界の発生領域Ｃ２において局所
的に、横電界に対する縦電界を強めることができ、この
結果として縦電界をより支配的にすることにより、横電
界の発生領域Ｃ２における横電界による液晶の配向不良
を防止できるのである。

【０１１５】尚、図１３に示すように、走査線３ａ及び
容量線３ｂの本線部に対しては、平坦化処理が施されて
いるので、この部分において走査線３ａ及び容量線３ｂ
による段差に起因した液晶の配向不良の発生を低減可能
である。ここでは平坦化処理が施されているため、画素
電極９ａと対向電極２１との間の距離ｄ１が短くなるこ
とにより縦電界が強められることはないが、この部分で
は、図１４に示したように相隣接する画素電極９ａ間に
横電界は発生しない。従って、この部分では、横電界に
対する対策を講ずることなく、平坦化処理により液晶の
配向状態を極めて良好にできるのである。また第２実施
形態では、走査線３ａ及び容量線３ｂに対向する液晶層
５０の部分では、段差による配向不良が殆ど生じないた
め、この部分を隠す遮光膜２３の幅は、第１実施形態の
場合よりも細くてよい。

【０１１６】以上の結果、第２実施形態によれば、１Ｓ
反転駆動方式において発生する横電界の特性に着目し
て、横電界の発生領域Ｃ２では、盛上り部３０２に画素
電極９ａの縁を配置することで、縦電界を強めることに
より横電界による悪影響を低減すると同時に、横電界の
発生しない領域では、平坦化を行うことで、画素電極９
ａ表面の段差による悪影響を低減できる。

【０１１７】（第３実施形態）本発明の第３実施形態に
おける電気光学装置の構成について、図１５から図２２
を参照して説明する。図１５は、データ線、走査線、画
素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複
数の画素群の平面図であり、図１６は、図１５のＡ−
Ａ’断面図であり、図１７は、図１５のＢ−Ｂ’断面図
であり、図１８は、図１５のＣ−Ｃ’断面図である。図
１９及び図２０は、盛上り部の各種の断面形状を示す断
面図である。また、図２１は、ＴＮ液晶を用いた場合の
液晶分子の配向の様子を示す図式的断面図であり、図２
２は、ＶＡ液晶を用いた場合の液晶分子の配向の様子を
示す図式的断面図である。尚、図１６から図１８並びに
図１９及び図２０においては、各層や各部材を図面上で
認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に
縮尺を異ならしめてある。第１実施形態と同様の構成要
素については、同様の参照符号を付し、その説明は省略
する。

【０１１８】第３実施形態では特に、ＴＦＴアレイ基板
上において、データ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ及
びＴＦＴ３０が形成された画素電極９ａの間隙部分に
は、溝が形成されており、この溝にデータ線６ａ、走査
線３ａ、容量線３ｂ及びＴＦＴ３０が埋め込まれてい
る。即ちＴＦＴアレイ基板側における平坦化が行われて
いる。そして、このように平坦化処理が施されたＴＦＴ
アレイ基板に対向する対向基板側には、走査線３ａ及び
容量線３ｂに沿った領域（図中太線でその輪郭が示され
た領域）に複数の盛上り部３０３が設けられ、ストライ
プ状の盛上り部を形成している。

【０１１９】次に図１６の断面図に示すように、電気光
学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向
配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴ
アレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリ
コン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板
や石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素
電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処
理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられ
ている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（Indium Tin O
xide）膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜１
６は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。

【０１２０】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミ
ド薄膜などの有機薄膜からなる。

【０１２１】ＴＦＴアレイ基板１０には、各画素電極９
ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制
御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられてい
る。

【０１２２】第３実施形態では特に、対向基板２０には
図１６に示すように、対向基板２０と対向電極２１との
間において、各画素の非開口領域に、遮光膜２３からな
る盛上り部３０３が設けられている。ここで盛上り部３
０３による横電界を低減する作用及び効果について後で
詳述するが、この盛上り部３０３は遮光膜２３から構成
されているため、所謂ブラックマスク或いはブラックマ
トリクスとしても機能し、対向基板２０の側から入射光
が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャ
ネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレ
イン領域１ｃに侵入することはない。更に、遮光膜２３
からなる盛上り部３０３は、コントラスト比の向上、カ
ラーフィルタを形成した場合における色材の混色防止な
どの機能を有する。尚、第３実施例では、Ａｌ等からな
る遮光性のデータ線６ａで、各画素の非開口領域のうち
データ線６ａに沿った部分を遮光することにより、各画
素の開口領域のうちデータ線６ａに沿った輪郭部分を規
定してもよいし、このデータ線６ａに沿った非開口領域
についても冗長的に又は単独で対向基板２０に設けられ
た遮光膜２３からなる盛上り部３０３で遮光するように
構成してもよい。

【０１２３】このように構成され、画素電極９ａと対向
電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基
板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材によ
り囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入
され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電
極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６
及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、
例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液
晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対
向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例え
ば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、
両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー
或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。

【０１２４】更に、ＴＦＴアレイ基板１０と複数の画素
スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、下地絶縁膜１２
が設けられている。下地絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基
板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基
板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚
れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の変化を防
止する機能を有する。下地絶縁膜１２は、例えば、ＮＳ
Ｇ（ノンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシ
リケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラ
ス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの
高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜
等からなる。

【０１２５】第３実施形態では、半導体層１ａを高濃度
ドレイン領域１ｅから延設して第１蓄積容量電極１ｆと
し、これに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電
極とし、ゲート絶縁膜を含んだ絶縁薄膜２を走査線３ａ
に対向する位置から延設してこれらの電極間に挟持され
た誘電体膜とすることにより、蓄積容量７０が構成され
ている。

【０１２６】図１６において、画素スイッチング用ＴＦ
Ｔ３０は、ＬＤＤ構造を有しており、走査線３ａ、当該
走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導
体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層
１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁薄膜２、デー
タ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低
濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領
域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。高
濃度ドレイン領域１ｅには、複数の画素電極９ａのうち
の対応する一つがコンタクトホール８を介して接続され
ている。また、走査線３ａ及び容量線３ｂの上には、高
濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５及び高
濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が各
々形成された第１層間絶縁膜４が形成されている。更
に、データ線６ａ及び第１層間絶縁膜４の上には、高濃
度ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８が形成され
た第２層間絶縁膜７が形成されている。前述の画素電極
９ａは、このように構成された第２層間絶縁膜７の上面
に設けられている。

【０１２７】図１６から図１８に示すように、ＴＦＴア
レイ基板１０上において、各データ線６ａ、各走査線３
ａ、各容量線３ｂ及び各ＴＦＴ３０が形成される領域に
は、溝２０１が設けられており、これにより、ＴＦＴア
レイ基板１０上における平坦化処理が施されている。

【０１２８】図１５乃至図１７に示すように、左右に相
隣接する画素電極９ａの間隙に位置する各画素の非開口
領域には、データ線６ａが設けられている。データ線６
ａにより各画素の開口領域の輪郭のうちデータ線６ａに
沿った部分が規定されており、且つデータ線６ａにより
当該非開口領域における光抜けが防止されている。ま
た、データ線６ａの下には、容量線３ｂの本線部からデ
ータ線６ａの下に沿って突出した部分を利用して、蓄積
容量７０が形成されており、非開口領域の有効利用が図
られている。

【０１２９】図１６及び図１８に示すように、図１５で
上下に相隣接する画素電極９ａの間隙に位置する各画素
の非開口領域には、走査線３ａ及び容量線３ｂの本線部
が設けられている。

【０１３０】第３実施形態では特に、図１５に示すよう
に、左右に相隣接する画素電極９ａの間隙に対向する対
向基板２０における対向電極２１の下地面には、盛上り
部は設けられておらず、図１７に示すように対向電極２
１は平坦に形成されている。これに対し、図１５に示す
ように、上下に相隣接する画素電極９ａの間隙に対向す
る対向基板２０における対向電極２１の下地面は、図１
８に示すように土手状に盛り上がっている。即ち、遮光
膜２３からなる盛上り部３０３が形成されており、対向
電極２１は、画素電極９ａ側に向かって突出して形成さ
れている。尚、盛上り部３０３により各画素の開口領域
の輪郭のうち走査線３ａに沿った部分が規定されてお
り、且つ遮光膜２３からなる盛上り部３０１により当該
非開口領域における光抜けが防止されている。

【０１３１】図１６及び図１８に示すように第３実施形
態では、走査線３ａに沿った領域に盛上り部３０３を形
成し、この盛上り部３０３上に配置された対向電極２１
の突出部付近における縦電界を強めるようにする。より
具体的には、図１８に示すように、盛上り部３０３上に
配置された対向電極２１と画素電極９ａとの距離ｄ１を
盛上り部３０３の段差（高さ）の分だけ狭める。これに
対し図１７に示すように、データ線６ａに対向する領域
には盛上り部３０３が形成されておらず、画素電極９ａ
の縁付近と対向電極２１との間の距離ｄ２は、画素電極
の大部分を占める中央領域における画素電極９ａと対向
電極２１との間の距離Ｄとがほぼ同じとなる。

【０１３２】従って、図６に示した横電界の発生領域Ｃ
１において、画素電極９ａと対向電極２１との間におけ
る縦電界を強めることができるのである。そして、図１
８において、距離ｄ１が狭まっても、相隣接する画素電
極９ａ間の間隙Ｗ１は一定であるため、間隙Ｗ１が狭ま
る程に強まる横電界の大きさを一定にできる。このた
め、図６に示した横電界の発生領域Ｃ１において局所的
に、横電界に対する縦電界を強めることができ、この結
果として縦電界をより支配的にすることにより、横電界
の発生領域Ｃ１における横電界による液晶の配向不良を
防止できるのである。

【０１３３】尚、図１７に示すように、データ線６ａに
対向する領域には盛上り部３０３が形成されておらず対
向電極２１は平坦であるので、この部分において盛上り
部３０３の存在による段差に起因した液晶の配向不良の
発生を低減可能である。ここでは平坦なため、画素電極
９ａと対向電極２１との間の距離ｄ２が短くなることに
より縦電界が強められることはないが、この部分では、
図６に示したように相隣接する画素電極９ａ間に横電界
は発生しない。従って、この部分では、横電界に対する
対策を講ずることなく、平坦化処理により液晶の配向状
態を極めて良好にできるのである。

【０１３４】以上の結果、第３実施形態によれば、１Ｈ
反転駆動方式において発生する横電界の特性に着目し
て、横電界の発生領域Ｃ１では、盛上り部３０３で対向
電極２１を突出させることで、縦電界を強めることによ
り横電界による悪影響を低減すると同時に、横電界の発
生しない領域では、対向電極２１を平坦にすることで、
対向電極２１表面の段差による悪影響を低減する。この
ように横電界による液晶の配向不良と段差による液晶の
配向不良を総合的に低減することにより、液晶の配向不
良個所を隠すための遮光膜２３からなる盛上り部３０３
の幅も小さくて済む（但し、盛上り部３０３における段
差に起因した液晶の配向不良個所を覆い隠すためには、
盛上り部３０３の幅よりも若干広めの幅を持つ遮光膜２
３を一体的に又は別体から形成するのが望ましい）。従
って、光抜け等の画質不良を起こさずに各画素の開口率
を高めることができ、最終的にコントラスト比が高く且
つ明るく高品位の画像表示が可能となる。

【０１３５】因みに本願発明者の研究によれば、液晶層
５０の層厚Ｄは、耐光性をある程度のレベルに維持し、
液晶５０の注入プロセスを困難にせず、動作中における
電界印加により液晶分子が良好に動くようにするため
に、ある程度の層厚（例えば、現行の技術によれば３μ
ｍ程度）が必要である。他方、相隣接する画素電極９ａ
間の間隙Ｗ１（図１８参照）を、この部分における画素
電極９ａと対向電極２１との間の距離ｄ１より短く（即
ち、Ｗ１＜ｄ１に）してしまうと、横電界による悪影響
が顕在化し始めることが判明している。従って微細ピッ
チな画素の高開口率化を図るために、単純に液晶層５０
の層厚Ｄ（図１７及び図１８参照）を全体に薄くしたの
では、液晶層厚制御の均一化が困難になり、耐光性が低
下し、注入プロセスが困難になり、液晶分子の動作不良
等が発生してしまう。逆に微細ピッチな画素の高開口率
化を図るために、液晶層５０を薄くすること無く単純に
相隣接する画素電極９ａ間の間隙Ｗ１を狭めたのでは、
縦電界と比べて横電界が大きくなるため、当該横電界に
よる悪影響（即ち液晶の配向不良）が顕在化してしま
う。このような液晶装置における特質を勘案すれば、上
述した本実施形態のように、横電界が生じる領域におい
てのみ液晶層５０の層厚ｄ１を（例えば１．５μｍ程度
にまで）狭めると共に、画素電極９ａの大部分を占める
その他の領域においては液晶層５０の層厚Ｄを狭めない
ことにより横電界を相対的に強めないようにする。これ
により相隣接する画素電極９ａ間の間隙Ｗ１を狭められ
るため、微細ピッチな画素の高開口率化及び表示画像の
高精細化を図る上で非常に有効である。

【０１３６】第３実施形態では特に、図１８において好
ましくは、０．５Ｄ ＜ Ｗ１なる関係を満足するよう
に画素電極９ａを平面配置し、更に、ｄ１＋３００ｎｍ
（ナノメータ） ≦ Ｄ なる関係を満足するように盛
上り部３０３を形成する。即ち、画素電極９ａ間を余り
近づけないようにし且つ盛上り部３０３を段差が３００
ｎｍ以上となるまで盛り上げれば、横電界による悪影響
が実用上表面化しない程度にまで、この領域における縦
電界を横電界に対して大きくできる。また微細ピッチな
画素の高開口率化及び表示画像の高精細化を図るために
は、間隙Ｗ１や間隙Ｗ２をなるべく小さくするのが有効
であるが、横電界の悪影響を顕在化させないためには、
むやみにこの間隙Ｗ１を小さくすることはできない。こ
こで、Ｗ１≒ｄ１となるまで間隙Ｗ１を小さく設定すれ
ば、画質を落とさず微細ピッチな画素の高開口率化を図
るためには最も効果的である。

【０１３７】尚、以上説明した盛上り部３０３は、遮光
膜２３を利用して形成しているが、積層プロセス中に対
向基板２０と対向電極２１との間に有機膜やレジストな
どの土手形成用の膜を局所的に追加形成することにより
形成してもよい。また盛上り部３０３のその長手軸に垂
直に切った断面形状としては、例えば台形、三角形、半
円形、半楕円形、頂上付近が平坦とされた半円形又は半
楕円形、若しくは側辺の傾斜が頂上に向かうに連れて徐
々に増す２次曲線や３次曲線状の略台形、略三角形など
各種の形状が考えられる。従って実践的には、液晶の性
質に応じて段差により生じる液晶の配向不良が小さくて
済むような断面形状を適宜採用するのが望ましい。更
に、盛上り部３０３を形成することにより、段差による
液晶配向不良が発生するため、盛上り部３０３よりも若
干幅広の遮光膜２３を盛上り部３０３と対向基板２０と
の間に配置したり、盛上り部３０３と画素電極との間に
配置することが望ましい。

【０１３８】例えば、長手方向に垂直な平面で切った断
面形状が三角形である盛上り部３０３を、図１９（ａ）
に示すように、遮光膜２３から形成してもよいし、図１
９（ｂ）に示すように、盛上り部３０３より若干幅広の
遮光膜２３上にレジストや有機膜からなる盛上り部形成
用膜３１３から形成してもよいし、図１９（ｃ）に示す
ように、対向基板２０上にレジストや有機膜からなる盛
上り部形成用膜３１３を形成してその上を遮光膜２３で
若干広めに覆うようにしてもよいし、図１９（ｄ）に示
すように、対向基板２０上にレジストや有機膜からなる
盛上り部形成用膜３１３を形成してその上に遮光膜を形
成しないようにしてもよい（但し、この場合には、ＴＦ
Ｔアレイ基板側に、この部分を覆う遮光膜を形成す
る）。

【０１３９】更に、盛上り部３０３における長手方向に
垂直な平面で切った断面形状を、図２０（ａ）に示すよ
うに矩形としてもよいし、図２０（ｂ）に示すように半
円形としてもよいし、図２０（ｃ）に示すように台形と
してもよいし、図２０（ｄ）に示すように略台形として
もよい。図２０に示したこれらの積層構造は、図１９
（ａ）と同様に対向基板２０上に設けた遮光膜２３から
盛上り部３０３を形成するようにしたが、これらは図１
９（ａ）〜図１９（ｄ）に示したいずれの積層構造であ
ってもよい。更に、対向基板２０上には、カラーフィル
タ、保護膜、絶縁膜等が形成されてもよいため、実際の
積層構造としては、更に各種のバリエーションが考えら
れる。

【０１４０】ここで図２１（ｂ）に示すように、第３実
施形態では好ましくは、液晶層５０はＴＮ液晶から構成
されており、盛上り部３０３の側面にはテーパが付けら
れている。しかも、係るＴＮ液晶の対向基板２０上にお
けるプレティルト角θの傾き方向とテーパの傾き方向と
が合わせられている。

【０１４１】即ち、図２１（ａ）に示すように、ＴＮ液
晶の液晶分子５０ａは、電圧無印加状態では各液晶分子
５０ａが基本的に基板面にほぼ平行な状態でＴＦＴアレ
イ基板１０から対向基板２０に向けて徐々に捻じれるよ
うに配向すると共に電圧印加状態では、矢印で夫々示し
たように各液晶分子５０ａが基板面から垂直に立ち上が
るように配向する。このため、図２１（ｂ）に示すよう
に、盛上り部３０３の側面にテーパが付けられており、
しかもＴＮ液晶のプレティルト角θの傾き方向とテーパ
の傾き方向とが合わせられていれば、盛上り部３０３と
ＴＦＴアレイ基板１０との間においては、液晶の層厚ｄ
１が側面に沿って徐々に小さくなっても、液晶の層厚Ｄ
が一定している場合に近い良好な液晶配向状態が得られ
る。即ち、横電界に起因した液晶配向不良を低減する盛
上り部３０３の存在により生じる段差に起因した液晶配
向不良を極力抑えることができる。仮に、図２１（ｃ）
に示すようにＴＮ液晶のプレティルト角θの傾き方向と
テーパの傾き方向とが合わせられていなければ、盛上り
部３０３とＴＦＴアレイ基板１０との間においては、他
の液晶分子５０ａとは反対方向に立ち上がる液晶分子５
０ｂが盛上り部３０３の付近に発生し、これにより配向
状態が不連続な液晶配向不良が生じてしまうのである。
このような場合は対向基板２０あるいはＴＦＴアレイ基
板１０の少なくとも一方に遮光膜を形成して光抜けを抑
制するようにすると良い。

【０１４２】或いは図２２（ｂ）に示すように、第３実
施形態では、液晶層５０’は、ＶＡ液晶からなり、テー
パがほとんど付けられていない盛上り部３０３’を設け
るようにしてもよい。

【０１４３】即ち、図２２（ａ）に示すように、ＶＡ液
晶は、電圧無印加状態では各液晶分子５０ａ’が基本的
に基板面にほぼ垂直な状態となるように配向するため、
平面的に見て盛上り部３０３’の側面にテーパが存在す
る領域では、液晶配向が乱れざるを得ないが、このよう
に盛上り部３０３’の側面にテーパがほとんど付けられ
ていなければ、係る側面で配向が乱れる液晶部分を極力
小さくできる。従って、盛上り部３０３’の頂上付近に
おけるほぼ平坦な個所にある画素電極９ａの部分と、盛
上り部３０３’の下に有るほぼ平坦な個所にある画素電
極９ａの部分との両者で、図２２（ａ）における液晶の
層厚Ｄが一定している場合に近い良好な液晶配向状態が
図２２（ｂ）のように得られる。

【０１４４】以上説明した第１実施形態から第３実施形
態では、ＴＦＴアレイ基板１０上に溝２０１を掘って、
走査線３ａ等を埋め込むことにより平坦化処理を行った
が、走査線３ａの上方に位置する層間絶縁膜７や１２の
上面の段差をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishin
g）処理等により平らに削ることにより、或いは有機Ｓ
ＯＧを用いて平らに形成することにより、当該平坦化処
理を行ってもよい。

【０１４５】この平坦化処理の後に、データ線６ａ方向
や走査線３ａ方向に部分的に盛上り部を形成してもよ
い。方法としては、盛上り部を形成する領域を省いた層
間絶縁膜に対してエッチングすることにより、容易に形
成することができる。これにより、横電界が発生する領
域に容易に盛上り部を設けることができる。このよう
に、横電界が発生する領域に対して、ＴＦＴアレイ基板
１０と対向基板２０の両方の基板に盛上り部を形成して
もよいということは言うまでもない。

【０１４６】（第３実施形態の製造プロセス）次に、以
上のような構成を持つ第３実施形態における電気光学装
置を構成する対向基板側の製造プロセスについて、図２
３を参照して説明する。尚、図２３は各工程における対
向基板側の各層を、図１８と同様に図１５のＣ−Ｃ’断
面に対応させて示す工程図である。

【０１４７】先ず図２３の工程（ａ）に示すように、先
ず対向基板２０として、所定形状のガラス基板、石英基
板を用意する。

【０１４８】次に図２３の工程（ｂ）に示すように、有
機膜、金属膜等の遮光膜２３’を３００ｎｍ程度の膜厚
に形成する。

【０１４９】次に図２３の工程（ｃ）に示すように、フ
ォトリソグラフィ処理及びエッチング処理を用いたパタ
ーニングにより、ＴＦＴアレイ基板上で横電界が発生す
る領域に、帯状の遮光膜２３を盛上り部形成用の膜とし
て形成することにより、盛上り部３０３を形成する。

【０１５０】次に図２３の工程（ｄ）に示すように、盛
上り部３０３上に、ＩＴＯ（IndiumTin Oxide）膜など
の透明導電性薄膜から対向電極を形成し、更に、その上
に、ポリイミド薄膜などの有機薄膜から配向膜２２を形
成し、所定のラビング方向にラビングする。

【０１５１】尚、工程（ｂ）及び工程（ｃ）に代えて、
印刷技術により、遮光膜からなる盛上り部３０３を形成
してもよい。

【０１５２】以上のように第３実施形態の製造方法によ
れば、横電界の発生する領域では盛上り部３０３により
横電界による液晶配向不良を低減する液晶装置を比較的
容易に製造できる。

【０１５３】次に、上述した第３実施形態における対向
基板２０上に形成される盛上り部３０３と遮光膜との平
面レイアウトの具体例について、図２４及び図２５を参
照して説明する。尚、これらの具体例は夫々、ＴＦＴア
レイ基板１０側で、データ線６ａに沿うＹ方向に伸びる
画素電極間９ａの間隙をデータ線６ａ等により遮光し、
対向基板２０側の遮光膜により走査線３ａに沿うＸ方向
に伸びる画素電極９ａの間隙を覆うものである。

【０１５４】図２４（ａ）に示すように、盛上り部３０
３ａ及び遮光膜２３ａは共に、複数の画素電極９ａに跨
ってＸ方向にストライプ状に伸びるように形成されても
よい。図２４（ｂ）に示すように、盛上り部３０３ａ
は、複数の画素電極９ａに跨ってＸ方向にストライプ状
に伸びるように形成されると共に遮光膜２３ｂは、画素
電極９ａ毎に島状に形成されてもよい。図２５（ａ）に
示すように、盛上り部３０３ｂは、画素電極９ａ毎に島
状に形成されると共に遮光膜２３ａは、複数の画素電極
９ａに跨ってＸ方向にストライプ状に伸び形成されても
よい。或いは、図２５（ｂ）に示すように、盛上り部３
０３ｂ及び遮光膜２３ｂは共に、画素電極９ａ毎に島状
に形成されてもよい。図２４及び図２５に示した何れの
場合にも、盛上り部３０３ａ又は３０３ｂにより、横電
界が発生する領域における縦電界を強めることができ
る。同時に盛上り部３０３ａ又は３０３ｂの存在による
液晶配向不良を、遮光膜２３ａ又は２３ｂにより隠すこ
とができる。

【０１５５】このように、横電界が発生する領域におい
て、対向基板上の遮光膜及び盛上り部の配置を工夫する
ことで、画素ピッチが微細化しても高開口率な液晶装置
を実現できる。

【０１５６】（第４実施形態）本発明の第４実施形態に
おける電気光学装置の構成について、図２６から図２９
を参照して説明する。図２６は、データ線、走査線、画
素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複
数の画素群の平面図であり、図２７は、図２６のＡ−
Ａ’断面図であり、図２８は、図２６のＢ−Ｂ’断面図
であり、図２９は、図２６のＣ−Ｃ’断面図である。
尚、図２７から図２９においては、各層や各部材を図面
上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材
毎に縮尺を異ならしめてある。また、図２６から図２９
に示した第４実施形態において図１５から図１８に示し
た第３実施形態と同様の構成要素については、同様の参
照符号を付し、その説明は省略する。

【０１５７】図１４から図１６に示すように、第４実施
形態では、第３実施形態で盛上り部３０３が走査線３ａ
に沿って形成されていたのに対し、対向基板２０上にお
けるデータ線６ａに沿った領域（図１４中、太線で囲ま
れた領域）に盛上り部３０４が形成されている。この場
合、データ線６ａが遮光膜として機能するので、盛上り
部３０４は、遮光膜から形成されてもよいし、透明な材
料膜から形成されてもよい。図２７及び図２９に示すよ
うに、走査線３ａ及び容量線３ｂの本線部に対向する個
所では、対向基板２０は平坦に形成されている。また、
対向基板２０上における、走査線３ａ及び容量線３ｂの
本線部に対向する個所には、これらに沿って遮光膜２３
が形成されており、この遮光膜２３により各画素の開口
領域のうち少なくとも走査線３ａに沿った部分が規定さ
れている。尚、このような遮光膜２３を対向基板２０上
におけるデータ線６ａに沿った領域に形成してもよい。
そして、図１４に示すように第４実施形態では、１Ｓ反
転駆動方式により駆動される。第４実施形態におけるそ
の他の構成及び動作については、第３実施形態の場合と
同様である。

【０１５８】即ち第４実施形態では、図１４（ａ）に示
すように、ｎ（但し、ｎは自然数）番目のフィールド或
いはフレームの画像信号を表示する期間中には、画素電
極９ａ毎に＋又は−で示す液晶駆動電位の極性は反転さ
れず、列毎に同一極性で画素電極９ａが駆動される。そ
の後図１４（ｂ）に示すように、ｎ＋１番目のフィール
ド或いは１フレームの画像信号を表示するに際し、各画
素電極９ａにおける液晶駆動電位の極性は反転され、こ
のｎ＋１番目のフィールド或いは１フレームの画像信号
を表示する期間中には、画素電極９ａ毎に＋又は−で示
す液晶駆動電位の極性は反転されず、列毎に同一極性で
画素電極９ａが駆動される。そして、図１４（ａ）及び
図１４（ｂ）に示した状態が、１フィールド又は１フレ
ームの周期で繰り返されて、第４実施形態における１Ｓ
反転駆動方式による駆動が行われる。この結果、第４実
施形態によれば、直流電圧印加による液晶の劣化を避け
つつ、クロストークやフリッカの低減された画像表示を
行える。

【０１５９】図１４（ａ）及び図１４（ｂ）から分かる
ように、１Ｓ反転駆動方式では、横電界の発生領域Ｃ２
は常時、横方向（Ｘ方向）に相隣接する画素電極９ａ間
の間隙付近となる。

【０１６０】そこで図２７及び図２８に示すように第４
実施形態では、盛上り部３０４を形成し、この盛上り部
３０４上に配置された対向電極２１を突出させて縦電界
を強めるようにする。より具体的には、図２８に示すよ
うに、盛上り部３０４上に配置された対向電極２１と画
素電極９ａとの距離ｄ２を盛上り部３０４の段差（高
さ）の分だけ狭める。これに対し図２９に示すように、
走査線３ａ及び容量線３ｂに対向する個所では対向基板
２０は平坦なので、対向電極２１と画素電極９ａとの間
の距離ｄ１は、画素電極の大部分を占める中央領域にお
ける画素電極９ａと対向電極２１との間の距離Ｄとほぼ
同じとなる。

【０１６１】従って、図１４に示した横電界の発生領域
Ｃ２において、画素電極９ａと対向電極２１との間にお
ける縦電界を強めることができるのである。そして、図
２８において、距離ｄ２が狭まっても、相隣接する画素
電極９ａ間の間隙Ｗ２は一定であるため、間隙Ｗ２が狭
まる程に強まる横電界の大きさも一定である。このた
め、図１４に示した横電界の発生領域Ｃ２において局所
的に、横電界に対する縦電界を強めることができ、この
結果として縦電界をより支配的にすることにより、横電
界の発生領域Ｃ２における横電界による液晶の配向不良
を防止できるのである。

【０１６２】尚、図２９に示すように、走査線３ａ及び
容量線３ｂの本線部に対向する個所では、対向基板２１
は平坦なので、この部分において盛上り部３０４の存在
による段差に起因した液晶の配向不良の発生を低減可能
である。ここでは平坦なため、画素電極９ａと対向電極
２１との間の距離ｄ１が短くなることにより縦電界が強
められることはないが、この部分では、図１４に示した
ように相隣接する画素電極９ａ間に横電界は発生しな
い。従って、この部分では、横電界に対する対策を講ず
ることなく、平坦化処理により液晶の配向状態を極めて
良好にできるのである。また第４実施形態では、このよ
うに走査線３ａ及び容量線３ｂの本線部に対向する液晶
層５０の部分では、段差による配向不良が殆ど生じない
ため、この部分を隠す遮光膜の幅は、第３実施形態の場
合よりも細くてよい。

【０１６３】以上の結果、第４実施形態によれば、１Ｓ
反転駆動方式において発生する横電界の特性に着目し
て、横電界の発生領域Ｃ２では、盛上り部３０４に画素
電極９ａの端に配置することで、縦電界を強めることに
より横電界による悪影響を低減すると同時に、横電界の
発生しない領域では、平坦化を行うことで、画素電極９
ａ表面の段差による悪影響を低減できる。

【０１６４】更に上述した第３実施形態及び第４実施形
態において、上述の如く対向基板２０側に盛上り部３０
３や３０４を形成するのに加えて、ＴＦＴアレイ基板１
０上における画素電極９ａの下地面が、走査線３ａ及び
容量線３ｂの本線部に対向する領域で、或いはデータ線
６ａに対向する領域で、土手状に盛り上がっているよう
に構成してもよい。この様に構成しても横電界が発生す
る領域において各画素電極９ａと対向電極２１との間の
距離が短くなるので、上述と同様の効果が得られる。更
にまた、データ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ及びＴ
ＦＴ３０に対して、部分的にのみ平坦化処理を施すこと
も可能である。例えば、これらの配線やＴＦＴをＴＦＴ
アレイ基板１０や層間絶縁膜に形成された溝内に部分的
に埋め込んで所望の領域に所望の高さの盛上り部を形成
するようにしてもよい。

【０１６５】（第５実施形態）本発明の第５実施形態に
おける電気光学装置の構成について、図３０を参照して
説明する。図３０は、走査線及び容量線が延びる部位の
断面図である。第１実施形態と同様の構成要素について
は、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。

【０１６６】図３０に示すように、第５実施形態では、
第１実施形態で走査線３ａと容量線３ｂは同層に隣接し
て形成されたのに対し、容量線３ｂは、走査線３ａの領
域上に第１層間絶縁膜４を介して配置されている。容量
線３ｂには絶縁薄膜６１を介して第１蓄積容量電極６２
が配置され蓄積容量７０が形成される。容量線３ｂは高
融点金属の遮光性材料でなり、走査線３ｂを遮光する。

【０１６７】そして、容量線３ｂ上に盛上り部３０５が
形成し、この盛上り部３０５上に配置された画素電極９
ａの縁付近における縦電界を強めるようにしている。

【０１６８】なお、容量線３ｂは、走査線３ａの領域下
に層間絶縁膜を介して配置してもよい。

【０１６９】（第６実施形態）本発明の第６実施形態に
おける電気光学装置の構成について、図３１を参照して
説明する。図３１は、走査線及び容量線が延びる部位の
断面図である。第１実施形態と同様の構成要素について
は、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。

【０１７０】図３１に示すように、第６実施形態では、
液晶の層厚Ｄを薄くするために、ＴＦＴアレイ基板１０
に形成した盛上り部３０６と、対向基板２０に設けた盛
上り部３０７で形成される。盛上り部３０６、３０７の
構成は、第１実施形態の盛上り部３０１と第３実施形態
の盛上り部３０３と同様である。そして、対向する盛上
り部３０６、３０７で、盛上り部３０６上に配置された
画素電極９ａの縁付近における縦電界を強めるようにし
ている。

【０１７１】なお、第６実施形態では、各盛上り部３０
６、３０７は対向するように配置したが、それぞれ異な
る領域で形成してもよい。

【０１７２】尚、以上述べた本発明における１Ｈ反転駆
動方式では駆動電位の極性を、一行毎に反転させてもよ
いし、相隣接する２行毎に或いは複数行毎に反転させて
もよい。同様に本発明における１Ｓ反転駆動方式では駆
動電位の極性を、一列毎に反転させてもよいし、相隣接
する２列毎に或いは複数列毎に反転させてもよい。

【０１７３】（電気光学装置の全体構成）以上のように
構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成
を図３２及び図３３を参照して説明する。尚、図３２
は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成
要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図
３３は、図３２のＨ−Ｈ’断面図である。

【０１７４】図３２において、ＴＦＴアレイ基板１０の
上には、シール材５２がその縁に沿って設けられてお
り、その内側に並行して、例えば遮光膜２３と同じ或い
は異なる材料から成る画像表示領域の周辺を規定する額
縁５３が設けられている。シール材５２の外側の領域に
は、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給す
ることによりデータ線６ａを駆動するデータ線駆動回路
１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板
１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査
信号を所定タイミングで供給することにより走査線３ａ
を駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接す
る２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給され
る走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動
回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。
また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域の辺に沿
って両側に配列してもよい。例えば奇数列のデータ線は
画像表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆
動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線は前記
画像表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線
駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。こ
の様にデータ線６ａを櫛歯状に駆動するようにすれば、
データ線駆動回路１０１の占有面積を拡張することがで
きるため、複雑な回路を構成することが可能となる。更
にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域
の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐた
めの複数の配線１０５が設けられている。また、対向基
板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導
通をとるための導通材１０６が設けられている。そし
て、図３３に示すように、図３２に示したシール材５２
とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２
によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。

【０１７５】尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これら
のデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に
加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミ
ングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａ
に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行
して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時
の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検
査回路等を形成してもよい。

【０１７６】以上説明した各実施形態では、データ線駆
動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ
基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape A
utomated bonding)基板上に実装された駆動用ＬＳＩ
に、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性
導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するよう
にしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する
側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には
各々、例えば、ＴＮモード、ＶＡモード、ＰＤＬＣ(Pol
ymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モード
や、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモ
ードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏
光板などが所定の方向で配置される。

【０１７７】以上説明した各実施形態における電気光学
装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光
学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、
各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイッ
クミラーを介して分解された各色の光が投射光として各
々入射されることになる。従って、各実施形態では、対
向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。し
かしながら、遮光膜２３の形成されていない画素電極９
ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその
保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。この
ようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカ
ラー電気光学装置に各実施形態における電気光学装置を
適用できる。

【０１７８】更に、以上の各実施形態において、ＴＦＴ
アレイ基板１０上において画素スイッチング用ＴＦＴ３
０に対向する位置（即ち、画素スイッチング用ＴＦＴ３
０の下側）にも、例えば高融点金属からなる遮光膜を設
けてもよい。このように画素スイッチング用ＴＦＴ３０
の下側にも遮光膜を設ければ、ＴＦＴアレイ基板１０の
側からの裏面反射（戻り光）や複数のライトバルブをプ
リズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する
場合に、他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けて
来る投射光が当該電気光学装置の画素スイッチング用Ｔ
ＦＴ３０に入射するのを未然に防ぐことができる。ま
た、対向基板２０上に１画素1個対応するようにマイク
ロレンズを形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基
板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレ
ジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能であ
る。このようにすれば、入射光の集光効率を向上するこ
とで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対
向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆
積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出
すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイ
クロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るい
カラー電気光学装置が実現できる。

【０１７９】（電子機器の構成）上述の実施形態の電気
光学装置を用いて構成される電子機器は、図３４に示す
表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００２、
表示駆動回路１００４、液晶装置などの電気光学装置１
００、クロック発生回路１００８及び電源回路１０１０
を含んで構成される。表示情報出力源１０００は、ＲＯ
Ｍ、ＲＡＭなどのメモリ、テレビ信号を同調して出力す
る同調回路などを含んで構成され、クロック発生回路１
００８からのクロックに基づいて、ビデオ信号などの表
示情報を出力する。表示情報処理回路１００２は、クロ
ック発生回路１００８からのクロックに基づいて表示情
報を処理して出力する。この表示情報処理回路１００２
は、例えば増幅・極性反転回路、シリアル-パラレル変
換回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路あるいは
クランプ回路等を含むことができる。表示駆動回路１０
０４は、走査線駆動回路及びデータ線駆動回路を含んで
構成され、液晶装置１００を表示駆動する。電源回路１
０１０は、上述の各回路に電力を供給する。

【０１８０】このような構成の電子機器として、図３５
に示す投射型表示装置、図３６に示すマルチメディア対
応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリ
ング・ワークステーション（ＥＷＳ）などを挙げること
ができる。

【０１８１】図３５は、投射型表示装置の要部を示す概
略構成図である。図中、１１０２は光源、１１０８はダ
イクロイックミラー、１１０６は反射ミラー、１１２２
は入射レンズ，１１２３はリレーレンズ、１１２４は出
射レンズ、１００Ｒ，１００Ｇ，１００はライトバル
ブ、１１１２はダイクロイックプリズム、１１１４は投
射レンズを示す。光源１１０２はメタルハライド等のラ
ンプとランプの光を反射するリフレクタとからなる。青
色光・緑色光反射のダイクロイックミラー１１０８は、
光源１１０２からの光束のうちの赤色光を透過させると
ともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光
は反射ミラー１１０６で反射されて、赤色光用ライトバ
ルブ１００Ｒに入射される。一方、ダイクロイックミラ
ー１１０８で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射
のダイクロイックミラー１１０８によって反射され、緑
色光用ライトバルブ１００Ｇに入射される。一方、青色
光は第２のダイクロイックミラー１１０８も透過する。
青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、
入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３、出射レン
ズ１１２４を含むリレーレンズ系からなる導光手段１１
２１が設けられ、これを介して青色光が青色光用ライト
バルブ１００Ｂに入射される。各光変調装置により変調
された３つの色光はダイクロイックプリズム１１１２に
入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合
わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光
を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。
これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され
て、カラー画像を表す光が形成される。合成された光
は、投射光学系である投射レンズ１１１４によってスク
リーン１１２０上に投射され、画像が拡大されて表示さ
れる。

【０１８２】図３６に示すパーソナルコンピュータ１２
００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４
と、液晶表示画面を形成する電気光学装置１００とを有
する。

【０１８３】本発明は、上述した各実施形態に限られる
ものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れ
る発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能
であり、そのような変更を伴なう電気光学装置の製造方
法或いは電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含ま
れるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態の電気光学装置における画像表示
領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた
各種素子、配線等の等価回路である。

【図２】第１実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図３】図２のＡ−Ａ’断面図である。

【図４】図２のＢ−Ｂ’断面図である。

【図５】図２のＣ−Ｃ’断面図である。

【図６】第１実施形態及び第３実施形態で用いられる１
Ｈ反転駆動方式における各電極における電位極性と横電
界が生じる領域とを示す画素電極の図式的平面図であ
る。

【図７】第１実施形態でＴＮ液晶を用いた場合の液晶分
子の配向の様子を示す図式的断面図である。

【図８】第１実施形態で、ＶＡ液晶を用いた場合の液晶
分子の配向の様子を示す図式的断面図である。

【図９】第１実施形態の電気光学装置の製造プロセスを
順を追って示す工程図である。

【図１０】本発明の第２実施形態の電気光学装置におけ
るデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴア
レイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図１１】図１０のＡ−Ａ’断面図である。

【図１２】図１０のＢ−Ｂ’断面図である。

【図１３】図１０のＣ−Ｃ’断面図である。

【図１４】第２実施形態及び第４実施形態で用いられる
１Ｓ反転駆動方式における各電極における電位極性と横
電界が生じる領域とを示す画素電極の図式的平面図であ
る。

【図１５】第３実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図１６】図１５のＡ−Ａ’断面図である。

【図１７】図１５のＢ−Ｂ’断面図である。

【図１８】図１５のＣ−Ｃ’断面図である。

【図１９】第３実施形態における盛上り部の各種の断面
形状を示す断面図である。

【図２０】第３実施形態における盛上り部の各種の断面
形状を示す断面図である。

【図２１】第３実施形態でＴＮ液晶を用いた場合の液晶
分子の配向の様子を示す図式的断面図である。

【図２２】第３実施形態でＶＡ液晶を用いた場合の液晶
分子の配向の様子を示す図式的断面図である。

【図２３】第３実施形態の電気光学装置の製造プロセス
を順を追って示す工程図である。

【図２４】第３実施形態における対向基板上に形成され
る盛上り部と遮光膜との平面レイアウトの各種具体例を
示す一の平面図である。

【図２５】第３実施形態における対向基板上に形成され
る盛上り部と遮光膜との平面レイアウトの各種具体例を
示す他の平面図である。

【図２６】図２６は、本発明の第４実施形態の電気光学
装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成され
たＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図
である。

【図２７】図２６のＡ−Ａ’断面図である。

【図２８】図２６のＢ−Ｂ’断面図である。

【図２９】図２６のＣ−Ｃ’断面図である。

【図３０】第５実施形態における走査線及び容量線が延
びる部位の断面図である。

【図３１】第６実施形態における走査線及び容量線が延
びる部位の断面図である。

【図３２】各実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴア
レイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基
板の側から見た平面図である。

【図３３】図３０のＨ−Ｈ’断面図である。

【図３４】本実施形態を用いた電子機器の実施例であ
る。

【図３５】本実施形態を用いた応用例としての投射型表
示装置の実施例である。

【図３６】本実施形態を用いた応用例としてのパーソナ
ルコンピュータの実施例である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ’…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 １ｆ…第１蓄積容量電極 ２…絶縁薄膜 ３ａ…走査線 ３ｂ…容量線 ４…第１層間絶縁膜 ５…コンタクトホール ６ａ…データ線 ７…第２層間絶縁膜 ８…コンタクトホール ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １２…下地絶縁膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ２３…遮光膜 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ５０ａ…液晶分子 ７０…蓄積容量 ２０１、２０２…溝 ３０１、３０２、３０３、３０４、３０５、３０６、３
０７…盛上り部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６２１ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６２２Ｍ ６２２ ６８０Ｃ ６８０ ６８０Ｈ 3/36 3/36 Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００

Claims (47)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の画素電極を有する第１基板と、前
   記画素電極に対向配置された対向電極を有する第２基板
   と、前記第１基板と前記第２基板で挟持された電気光学
   物質とを有する電気光学装置において、 前記電気光学物質は、互いに異なる極性で駆動される隣
   接した前記画素電極間の前記電気光学物質の層厚を、互
   いに同じ極性で駆動される隣接した前記画素電極間の前
   記電気光学物質の層厚より薄くしたことを特徴とする電
   気光学装置。
2. 【請求項２】 前記画素電極は行あるいは列毎に反転駆
   動されると共に、反転駆動される前記画素電極の行ある
   いは列に対して交差する画素電極間の前記電気光学物質
   の層厚を、前記反転駆動される行あるいは列の画素電極
   間の前記電気光学物質の層厚より薄くしたことを特徴と
   する請求項１記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記第１基板は、互いに異なる極性で駆
   動される隣接した前記画素電極間に対応する部位であっ
   て、前記画素電極下に形成された盛上り部を有すること
   を特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記盛上り部は、平坦な前記第１基板上
   に絶縁層と配線層を積層して形成されることを特徴とす
   る請求項３記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記第２基板は、互いに異なる極性で駆
   動される隣接した前記画素電極間に対応する部位であっ
   て、前記対向電極下に形成された盛上り部を有すること
   を特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記盛上り部は、遮光膜を形成すること
   を特徴とする請求項５記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記隣接した各々の画素電極の縁部は、
   前記盛上り部上に位置することを特徴とする請求項３ま
   たは５記載の電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記隣接した各々の画素電極の縁部の幅
   は、前記第２基板の対向電極と前記画素電極の縁部まで
   の距離とほぼ等しいことを特徴とする請求項７記載の電
   気光学装置。
9. 【請求項９】 前記隣接した各々の画素電極の縁部の幅
   は、セルギャップの半分の厚みより長いことを特徴とす
   る請求項７記載の電気光学装置。
10. 【請求項１０】 前記盛上り部は、少なくとも３００ｎ
    ｍの厚みを有することを特徴とする請求項７記載の電気
    光学装置。
11. 【請求項１１】 前記電気光学物質はＴｗｉｓｔｅｄ
    Ｎｅｍａｔｉｃ液晶からなり、前記盛上り部は側面に傾
    斜面を有し、前記Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ液晶
    のプレティルト角の傾き方向と前記盛上り部の傾斜面の
    傾き方向とが一致することを特徴とする請求項３または
    ５記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 前記電気光学物質はＶｅｒｔｉｃａｌ
    ｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ液晶からなり、前記盛上り部は前
    記第１基板の平面に対して略垂直な側面を有することを
    特徴とする請求項３または５記載の電気光学装置。
13. 【請求項１３】 前記第１基板は、互いに同じ極性で駆
    動される隣接した前記画素電極間に対応する部位であっ
    て、前記電気光学物質側表面に形成された平坦部を有す
    ることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
14. 【請求項１４】 前記平坦部は、前記第１基板の表面に
    溝を形成し、前記溝に対応する領域に配線を設けて形成
    することを特徴とする請求項１３記載の電気光学装置。
15. 【請求項１５】 複数の画素電極を有する第１基板と、
    前記画素電極に対向配置された対向電極を有する第２基
    板と、前記第１基板と前記第２基板で挟持された電気光
    学物質と、互いに異なる極性で駆動される隣接した前記
    画素電極間に対応し、前記第１基板の前記画素電極下に
    形成された盛上り部とを具備すること特徴とする電気光
    学装置。
16. 【請求項１６】 複数の画素電極を有する第１基板と、
    前記画素電極に対向配置された対向電極を有する第２基
    板と、前記第１基板と前記第２基板で挟持された電気光
    学物質と、互いに異なる極性で駆動される隣接した前記
    画素電極間に対応し、前記第２基板の前記対向電極下に
    形成された盛上り部とを具備すること特徴とする電気光
    学装置。
17. 【請求項１７】 複数の画素電極を有する第１基板と、
    前記画素電極に対向配置された対向電極を有する第２基
    板と、前記第１基板と前記第２基板で挟持された電気光
    学物質と、互いに同じ極性で駆動される隣接した前記画
    素電極間に対応し、前記第1基板の前記電気光学物質側
    表面に形成された平坦部とを具備すること特徴とする電
    気光学装置。
18. 【請求項１８】 複数本のデータ線と、前記データ線に
    交差する複数本の走査線と、前記データ線と前記走査線
    で囲まれた領域に形成されマトリクス状に配置された複
    数の画素電極と、前記データ線と前記走査線に接続され
    画像信号を前記画素電極に出力するスイッチング素子と
    を有する素子基板と、 前記画素電極に対向配置された対向電極を有する対向基
    板と、 前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた電気光
    学物質と、 前記素子基板の前記データ線に沿った領域の電気光学物
    質側表面に形成された平坦部と、 前記素子基板の前記走査線に沿った領域の電気光学物質
    側表面に形成された盛上り部とを備え、 前記走査線に沿う方向の画素電極はライン毎に反転駆動
    されることを特徴とする電気光学装置。
19. 【請求項１９】 さらに、前記走査線に沿う容量線を備
    えると共に、前記盛上り部は前記容量線の領域に形成さ
    れることを特徴とする請求項１８記載の電気光学装置。
20. 【請求項２０】 前記容量線は、前記走査線と同層で形
    成されることを特徴とする請求項１９記載の電気光学装
    置。
21. 【請求項２１】 前記容量線は、前記走査線の領域上に
    絶縁膜を介して形成されることを特徴とする請求項１９
    記載の電気光学装置。
22. 【請求項２２】 前記盛上り部は、頂上付近が平坦に形
    成されることを特徴とする請求項１８記載の電気光学装
    置。
23. 【請求項２３】 前記平坦部は、前記素子基板の前記デ
    ータ線に沿った領域に溝を形成して構成されることを特
    徴とする請求項１８記載の電気光学装置。
24. 【請求項２４】 複数本のデータ線と、前記データ線に
    交差する複数本の走査線と、前記データ線と前記走査線
    で囲まれた領域に形成されマトリクス状に配置された複
    数の画素電極と、前記データ線と前記走査線に接続され
    画像信号を前記画素電極に出力するスイッチング素子
    と、を有する素子基板と、 前記画素電極に対向配置された対向電極を有する対向基
    板と、 前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた電気光
    学物質と、 前記素子基板の前記データ線に沿った領域の電気光学物
    質側表面に形成された盛上り部と、 前記素子基板の前記走査線に沿った領域の電気光学物質
    側表面に形成された平坦部とを備え、 前記データ線に沿う方向の画素電極はライン毎に反転駆
    動されることを特徴とする電気光学装置。
25. 【請求項２５】 さらに、前記走査線に沿う容量線を備
    え、前記平坦部は前記容量線の領域に形成されているこ
    とを特徴とする請求項２４記載の電気光学装置。
26. 【請求項２６】 前記容量線は、前記走査線と同層で形
    成されることを特徴とする請求項２５記載の電気光学装
    置。
27. 【請求項２７】 前記容量線は、前記走査線の領域上に
    絶縁膜を介して形成されることを特徴とする請求項２５
    記載の電気光学装置。
28. 【請求項２８】 前記盛上り部は、頂上付近が平坦に形
    成されることを特徴とする請求項２４記載の電気光学装
    置。
29. 【請求項２９】 前記平坦部は、前記素子基板の前記走
    査線及び前記容量線に沿った領域の少なくとも一部に溝
    を形成して構成されることを特徴とする請求項２５記載
    の電気光学装置。
30. 【請求項３０】 複数本のデータ線と、前記データ線に
    交差する複数本の走査線と、前記データ線と前記走査線
    で囲まれた領域に形成されマトリクス状に配置された複
    数の画素電極と、前記データ線と前記走査線に接続され
    画像信号を前記画素電極に出力するスイッチング素子
    と、を有する素子基板と、 前記画素電極に対向配置された対向電極を有する対向基
    板と、 前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた電気光
    学物質と、 前記素子基板の前記データ線に沿った領域に対応する前
    記対向基板の電気光学物質側表面に形成された平坦部
    と、 前記素子基板の前記走査線に沿った領域に対応する前記
    対向基板の電気光学物質側表面に形成された盛上り部と
    を備え、 前記走査線に沿う方向の画素電極はライン毎に反転駆動
    されることを特徴とする電気光学装置。
31. 【請求項３１】 さらに、前記走査線に沿う容量線を備
    え、前記盛上り部は前記容量線の領域に形成されている
    ことを特徴とする請求項３０記載の電気光学装置。
32. 【請求項３２】 前記容量線は、前記走査線と同層で形
    成されることを特徴とする請求項３１記載の電気光学装
    置。
33. 【請求項３３】 前記容量線は、前記走査線の領域上に
    絶縁膜を介して形成されることを特徴とする請求項３１
    記載の電気光学装置。
34. 【請求項３４】 前記素子基板は、前記素子基板の表面
    に前記データ線が延びる領域に対応した溝を形成し、前
    記素子基板の電気光学物質側表面を平坦にすることを特
    徴とする請求項３０記載の電気光学装置。
35. 【請求項３５】 前記素子基板は、前記素子基板の表面
    に前記走査線が延びる領域に対応した溝を形成し、前記
    素子基板の電気光学物質側表面を平坦にすることを特徴
    とする請求項３０記載の電気光学装置。
36. 【請求項３６】 複数本のデータ線と、前記データ線に
    交差する複数本の走査線と、前記データ線と前記走査線
    で囲まれた領域に形成されマトリクス状に配置された複
    数の画素電極と、前記データ線と前記走査線に接続され
    画像信号を前記画素電極に出力するスイッチング素子
    と、を有する素子基板と、 前記画素電極に対向配置された対向電極を有する対向基
    板と、 前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた電気光
    学物質と、 前記素子基板の前記データ線に沿った領域に対応する前
    記対向基板の電気光学物質側表面に形成された盛上り部
    と、 前記素子基板の前記走査線に沿った領域に対応する前記
    対向基板の電気光学物質側表面に形成された平坦部とを
    備え、 前記データ線に沿う方向の画素電極はライン毎に反転駆
    動されるたことを特徴とする電気光学装置。
37. 【請求項３７】 さらに、前記走査線に沿う容量線を備
    え、前記盛上り部は前記容量線の領域に形成されている
    ことを特徴とする請求項３６記載の電気光学装置。
38. 【請求項３８】 前記容量線は、前記走査線と同層で形
    成されることを特徴とする請求項３７記載の電気光学装
    置。
39. 【請求項３９】 前記容量線は、前記走査線の領域上に
    絶縁膜を介して形成されることを特徴とする請求項３７
    記載の電気光学装置。
40. 【請求項４０】 前記素子基板は、前記素子基板の表面
    に前記データ線が延びる領域に対応した溝を形成し、前
    記素子基板の電気光学物質側表面を平坦にすることを特
    徴とする請求項３６記載の電気光学装置。
41. 【請求項４１】 前記素子基板は、前記素子基板の表面
    に前記走査線が延びる領域に対応した溝を形成し、前記
    素子基板の電気光学物質側表面を平坦にすることを特徴
    とする請求項３６記載の電気光学装置。
42. 【請求項４２】 複数本のデータ線と、前記データ線に
    交差する複数本の走査線と、前記データ線と前記走査線
    で囲まれた領域に形成されたマトリクス状に配置された
    複数の画素電極と、前記データ線と前記走査線に接続さ
    れ画像信号を前記画素電極に出力するスイッチング素子
    と、を有する素子基板と、 前記画素電極に対向配置された対向電極を有する対向基
    板と、 前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた電気光
    学物質と、 前記素子基板の電気光学物質側表面と前記対向基板の電
    気光学物質側表面に少なくとも部分的に形成された盛上
    り部と、を備えたことを特徴とする電気光学装置。
43. 【請求項４３】 前記盛上り部は、前記素子基板上の横
    電界発生領域に形成されることを特徴とする請求項４２
    記載の電気光学装置。
44. 【請求項４４】 前記盛上り部は、互いに異なる極性で
    駆動される隣接した前記画素電極間に対応する領域に形
    成されることを特徴とする請求項４２記載の電気光学装
    置。
45. 【請求項４５】 前記素子基板側の盛り上がり部と、前
    記対向基板側の盛上り部とは、対向して形成されること
    を特徴とする請求項４２記載の電気光学装置。
46. 【請求項４６】 前記素子基板側の盛り上がり部と、前
    記対向基板側の盛上り部は、異なる部位に形成されるこ
    とを特徴とする請求項４２記載の電気光学装置。
47. 【請求項４７】 請求項１乃至４６のいずれか１つの電
    気光学装置からなるライトバルブと、投射光学系を備え
    たことを特徴とするプロジェクタ。