JP2002149089A - 電気光学装置及び投射型表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、遮光膜
の膜厚増大を抑えつつ、耐光性を高め、高品位の画像を
表示する。 【解決手段】 電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１
０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦ
Ｔ（３０）と、これに接続された遮光性の導電膜からな
るデータ線（６ａ）と、データ線に対して層間絶縁膜
（４２）を介して積層形成されており平面的に見てデー
タ線と交差する方向に伸びる本線部分を含む容量線（３
００）とを備える。平面的に見てＴＦＴの少なくともチ
ャネル領域（１ａ’）に重なる領域で、データ線と容量
線の本線部分とが交差している。これらにより、チャネ
ル領域を二重に遮光する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス駆動方式の電気光学装置の技術分野に属し、特に画
素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Tran
sistor:以下適宜、ＴＦＴと称す）を、基板上の積層構
造中に備えた形式の電気光学装置の技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】ＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の
電気光学装置では、各画素に設けられた画素スイッチン
グ用ＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると光に
よる励起で電流が発生してＴＦＴの特性が変化する。特
に、プロジェクタのライトバルブ用の電気光学装置の場
合には、入射光の強度が高いため、ＴＦＴのチャネル領
域やその周辺領域に対する入射光の遮光を行うことは重
要となる。そこで従来は、対向基板に設けられた各画素
の開口領域を規定する遮光膜により、或いはＴＦＴの上
を通過すると共にＡｌ（アルミニウム）等の金属膜から
なるデータ線により、係るチャネル領域やその周辺領域
を遮光するように構成されている。

【０００３】また特開平９−３３９４４号公報には、屈
折率が大きいａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）から形
成された遮光膜で、チャネル領域に入射する光を減少さ
せる技術が開示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、対向基
板上やＴＦＴアレイ基板上に遮光膜を形成する技術によ
れば、一般に０．１〜０．０１％程度の光透過率を持つ
遮光膜が、Ｔｉ（チタン）やＷＳｉ（タングステンシリ
サイド）から形成される。或いは、ＴＦＴアレイ基板上
のデータ線で遮光膜を兼ねる技術によれば、一般に０．
０１％程度の光透過率を持つ遮光膜が、Ａｌから形成さ
れる。これに対して、プロジェクタ用途の光源の光は、
およそ１０Ｍ（メガ）ルクスである。ここで本願発明者
の研究によれば、ＴＦＴでは、１０００ルクス程度で、
５Ｅ−１１［Ａ］程度の光リーク電流が生じる。従っ
て、特に近年の表示画像の高品位化という一般的要請に
沿うべく電気光学装置の高精細化或いは画素ピッチの微
細化を図るに連れて、上述の如き遮光膜ではこれを透過
する僅かな光に起因する光リーク電流の発生、即ちトラ
ンジスタ特性の変化が表示画面上における画質の劣化と
して視認可能な程度まで顕在化しまうという問題点があ
る。

【０００５】この対策として、遮光膜やデータ線を厚く
して遮光性能を高めることが考えられるが、これらを厚
くしたのでは、基板上の積層構造内にストレスが極度に
発生し、基板の反り、その成膜やエッチング処理の処理
時間の増大等、実践上は様々な問題が生じる。

【０００６】また特開平９−３３９４４号公報に記載の
技術によれば、ａ−Ｓｉの透過率は上記Ｔｉ、ＷＳｉ、
Ａｌ等と比べても遥かに高い。このため、このようなａ
−Ｓｉから形成された遮光膜では、電気光学装置の高精
細化或いは画素ピッチの微細化を図る中で、特にプロジ
ェクタ用途の光源の光を十分に遮光することは一層困難
になるという問題点がある。

【０００７】本発明は上述の問題点に鑑みなされたもの
であり、遮光膜の膜厚増加を抑えつつ、耐光性に優れて
おり高品位の画像表示が可能な電気光学装置を提供する
ことを課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置は
上記課題を解決するために、一対の基板と、前記一対の
基板で挟持された電気光学物質と、前記一方の基板に、
マトリクス状に配置された画素電極と、前記画素電極に
電気的に接続された薄膜トランジスタと、前記一方の基
板に、前記複数の薄膜トランジスタの上方に配置され、
前記薄膜トランジスタに面する側に形成された光吸収層
と、前記薄膜トランジスタと反対側の面に形成された遮
光層とが積層された遮光膜と、前記薄膜トランジスタに
電気的に接続され、前記遮光膜に交差する遮光性のデー
タ線と、前記遮光膜と前記データ線との交差領域とが重
なる領域内で形成された前記薄膜トランジスタのチャネ
ル領域の接合部とを備えることを特徴とする。

【０００９】本発明の電気光学装置によれば、画素電極
に接続された薄膜トランジスタの少なくともチャネル領
域の上方で、データ線と内蔵遮光膜の本線部分とが交差
しているので、遮光性の導電膜からなるデータ線と遮光
膜とにより、薄膜トランジスタのチャネル領域は二重に
遮光される。即ち、これらのデータ線及び遮光膜が配置
された側を、入射光（例えば、プロジェクタ用途の場合
の投射光など）が入射する側に向けて当該電気光学装置
を用いれば、入射光から薄膜トランジスタのチャネル領
域を二重に遮光可能である。従って、膜厚との関係で光
を若干透過してしまう（例えば０．１％程度の透過率を
持つ）データ線と、同じく膜厚との関係で光を若干透過
してしまう（例えば０．１％程度の透過率を持つ）遮光
膜とを用いても、両者が二重に遮光することにより極め
て高い遮光性（例えば、０．００００１〜０．００００
０１％程度の透過率）が得られる。

【００１０】また、前記遮光膜は、前記薄膜トランジス
タに面して配置された光吸収層により、基板側から薄膜
トランジスタの脇を抜けて遮光層の内面に至る光（即
ち、当該電気光学装置の裏面反射光や、複数の電気光学
装置をライトバルブとして構成した複板式のプロジェク
タにおいて他の電気光学装置から出射され合成光学系を
突き抜けてくる光等の戻り光）は、光吸収層により吸収
される。従って、遮光膜の外面（薄膜トランジスタの反
対に向いた面）側に、反射率の高いＡｌ膜やＣｒ膜等の
金属膜からなる遮光層を含み且つ遮光膜の内面（薄膜ト
ランジスタに向いた面）側に光吸収層を含む多層構造の
遮光膜を設けることにより、当該遮光膜の外面に入射す
る入射光に対する遮光性能を高めつつ、当該遮光膜の内
面で発生する内面反射光を低減できる。これらの結果、
薄膜トランジスタのチャネル領域に到達する光を低減で
きる。

【００１１】他方で一般には、基板上にこのような遮光
膜を余り厚く積むと、前述の如くストレスによる基板の
反りを招く等の問題があることに加えて、この種の電気
光学装置では、例えば、画素電極の下地となる最上層に
おける凹凸や段差が大きいと（液晶の配向不良の如き）
動作不良を起こし易くなったり、基板上の積層構造が余
り厚いと画素電極等とのコンタクトをとるのが困難にな
ったりする。このため、基板上に作りこむ遮光膜や積層
体全体の膜厚を厚くすることは基本的に望ましくないの
で、単独では十分な遮光性能が得られない程度に薄い膜
を二重に重ねて必要な遮光性能を得、更に専用の遮光膜
以外の膜を遮光膜としても機能させる本発明の構成は極
めて有利である。特にプロジェクタ用途など強力な入射
光に対しては、非常に高い遮光性能が必要とされるた
め、このように交差個所で二重に遮光する構成は極めて
有効である。

【００１２】しかも、基板面に垂直な光ではなく、デー
タ線に沿った方向に傾斜した斜めの光は、データ線の存
在により、薄膜トランジスタのチャネル領域に侵入する
ことは困難となり、他方、遮光膜の本線部分に沿った方
向（即ちデータ線に交差する方向）に傾斜した斜めの光
は、当該本線部分の存在により、薄膜トランジスタのチ
ャネル領域に侵入することは困難となる。そして、強力
な入射光は基板面に垂直な成分が主であり、このような
斜めの光は例えば電気光学装置内の内面反射や多重反射
を伴う比較的低強度の光であるので、後者を遮光するた
めには、前者を遮光する程の遮光性能は必要とされな
い。従って、基板面に対して斜めに進入する光は、いず
れにせよデータ線及び遮光膜により（一重であっても）
極めて有効に遮光される。これらの結果、強力な入射光
を用いた場合にも、該入射光の薄膜トランジスタのチャ
ネル領域への入射に起因した光リークによるトランジス
タ特性の劣化を効果的に防ぐことができる。更に遮光層
及びデータ線により、画像表示領域で光抜けが生じてコ
ントラス比が低下するのを防止することも可能であり、
同時に各画素の開口領域を規定すること（例えば、伝統
的な対向基板に設けられる遮光膜を省略すること）も可
能となる。

【００１３】加えて、このような遮光を、例えば伝統的
な対向基板に設けられる遮光膜により行う場合と比較し
て、薄膜トランジスタに比較的近接して行うことが可能
となり、これにより不必要に遮光膜の形成領域を広げる
ことを避けつつ（即ち、各画素の非開口領域を不必要に
狭めることなく）且つ遮光専用の膜の形成領域や膜厚の
増加を抑えつつ、遮光性能を向上させることができる。

【００１４】以上の結果、遮光膜の膜厚増加を抑えつ
つ、高い耐光性により薄膜トランジスタの光リークによ
る特性劣化が低減されており、しかもコントラスト比が
高く高品位の画像表示が可能な電気光学装置が実現され
る。

【００１５】本発明の電気光学装置の一の態様では、前
記遮光膜は、前記データ線と前記薄膜トランジスタの間
に設けられていることを特徴とする。

【００１６】この態様によれば、薄膜トランジスタのチ
ャネル領域の接合部は、その上方から先ず遮光膜により
覆われ、更にその上方からデータ線により覆われるの
で、高い遮光性能が得られる。特に、このように構成す
れば、データ線とチャネル領域との間には遮光膜が介在
するので、データ線とチャネル領域との間における容量
カップリングの悪影響を低減できる。

【００１７】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記データ線は、前記遮光膜と前記薄膜トランジスタの間
に設けられていることを特徴とする。

【００１８】この態様では、薄膜トランジスタのチャネ
ル領域の接合部は、その上方から先ずデータ線により覆
われ、更にその上方から遮光膜により覆われるので、高
い遮光性能が得られる。

【００１９】この態様では、前記データ線は、２層以上
を含む多層構造を持ってもよい。

【００２０】このような構成によれば、データ線に必要
とされる導電率、遮光性能（透過率）、化学的性質、膜
厚等を得るための材料選択の自由度が高まる。

【００２１】さらに上記態様では、前記データ線は、前
記薄膜トランジスタに面する側に光吸収層が積層されて
いることを特徴とする。

【００２２】この態様では、電気光学装置内の内面反射
や多重反射の光をデータ線の光吸収層で吸収するので、
薄膜トランジスタの光リークによる特性劣化が低減する
ことができる。

【００２３】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記遮光膜は、一方の電極が前記画素電極に電気的に接続
された保持容量を構成することを特徴とする。

【００２４】この態様によれば、遮光膜は、遮光機能の
みならず、保持容量の画素電位側電極としても機能する
ので、全体として遮光膜の膜厚増加を抑えつつ、更に遮
光膜及び蓄積容量を別々に作り込むことにより基板上の
積層構造及び製造工程が複雑化するのを効果的に防げ
る。

【００２５】さらに上記態様では、前記保持容量は、前
記薄膜トランジスタに面する側に前記光吸収層でなる容
量電極と、前記光吸収層の容量電極に対して誘電体膜を
介して形成された前記遮光層の容量電極とを有すること
を特徴とする。

【００２６】この態様によれば、保持容量は、保持容量
の機能のみならず、遮光及び光吸収としても機能するの
で、全体として遮光膜の膜厚増加を抑えつつ、更に遮光
膜及保持容量を別々に作り込むことにより基板上の積層
構造及び製造工程が複雑化するのを効果的に防げる。

【００２７】さらに上記態様では、前記遮光層の容量電
極は、前記薄膜トランジスタに面する側に光吸収層が積
層されていることを特徴とする。

【００２８】この態様によれば、光吸収層でなる容量電
極と遮光層の容量電極に設けた光吸収層とにより、電気
光学装置内の内面反射や多重反射の光の吸収効果を向上
できる。また、容量電極の遮光層を光が突き抜けても２
層の光吸収層で確実に吸収することができる。

【００２９】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記遮光膜は、前記画素電極が配置された画素表示領域の
周辺に位置する周辺領域の定電位線に接続されたことを
特徴とする。

【００３０】この態様によれば、基板上でチャネル領域
及びデータ線に夫々に対向する遮光膜は、定電位に落と
されるので、当該遮光膜の電位変動がチャネル領域に悪
影響を及ぼすことを未然防止できる。しかも、このよう
な遮光膜は、周辺領域で定電位に落とされるので、画像
表示領域内における積層構造が当該遮光膜を定電位に落
とすために複雑化することも効果的に防止できる。特
に、前述の如く当該遮光膜が固定電位側容量電極と同一
であれば、固定電位に落とすことで良好な蓄積容量を構
築できる。遮光膜を接続する定電位源としては、薄膜ト
ランジスタを駆動するための周辺駆動回路に供給される
正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板の対向
電極に供給される定電位でも構わない。

【００３１】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記一方の基板に、前記複数の薄膜トランジスタの下方に
格子状に配置され、前記上側遮光膜の形成領域より内側
で形成され、前記薄膜トランジスタのチャネル領域の接
合部を覆う下側遮光膜を、更に備えたことを特徴とす
る。

【００３２】このように構成すれば、下側遮光膜によ
り、薄膜トランジスタの下側から来る戻り光に対する遮
光を行うことができ、薄膜トランジスタの上下から遮光
を行うことができる。尚、下側遮光層は例えば、Ｔｉ、
Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうち少な
くとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、
ポリシリサイド、これらを積層したものから構成すれば
よく、下側遮光膜も周辺領域で定電位に落としてもよ
い。

【００３３】上述した内蔵遮光膜或いはデータ線が光吸
収層を含む態様では、前記光吸収層は、シリコン膜から
なってもよい。

【００３４】このように構成すれば、シリコン膜からな
る光吸収層により、内蔵遮光膜或いはデータ線における
内面反射を低減できる。係るシリコンとしては、ポリシ
リコン、アモルファスシリコン、単結晶シリコンのいず
れでもよい。特に、薄膜トランジスタのチャネル領域を
シリコン膜から構成すれば、当チャネル領域に吸収され
やすい周波数成分の光を光吸収層が吸収することになる
ので好都合である。

【００３５】本発明の投射型表示装置は上記課題を解決
するために、光源と、本発明の電気光学装置でなるライ
トバルブと、前記光源から発生した光を前記ライトバル
ブに導光する導光部材と、前記ライトバルブで変調され
た光を投射する投射光学部材とを備えることを特徴とす
る。

【００３６】この態様によれば、電気光学装置内の薄膜
トランジスタの光リークの発生を防止できるので、高品
位の画像を投射することができる。

【００３７】尚、本発明に係る薄膜トランジスタとして
は、走査線の一部からなるゲート電極がチャネル領域の
上側に位置する所謂トップゲート型でもよいし、走査線
の一部からなるゲート電極がチャネル領域の下側に位置
する所謂ボトムゲート型でもよい。また、画素電極の層
間位置も、基板上で走査線の上方でも下方でもよい。

【００３８】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。

【００３９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光
学装置を液晶装置に適用したものである。

【００４０】（第１実施形態）先ず本発明の第１実施形
態における電気光学装置の構成について、図１から図３
を参照して説明する。図１は、電気光学装置の画像表示
領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素に
おける各種素子、配線等の等価回路である。図２は、デ
ータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ
基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図３
は、図２のＡ−Ａ’断面図である。尚、図３において
は、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさと
するため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００４１】図１において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極
９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ
線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、こ
の順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数
のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するよ
うにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３
ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走
査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍ
を、この順に線順次で印加するように構成されている。
画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続
されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定
期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６
ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定
のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光
学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの
画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述す
る）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期
間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分
子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調
し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモード
であれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射
光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモード
であれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射
光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置
からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射す
る。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐ
ために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液
晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。

【００４２】図２において、電気光学装置のＴＦＴアレ
イ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９
ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けら
れており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデー
タ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。

【００４３】また、半導体層１ａのうち図中右上がりの
斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように
走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極
として機能する（特に、本実施形態では、走査線３ａ
は、当該ゲート電極となる部分において幅広に形成され
ている）。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの
交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３
ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング
用のＴＦＴ３０が設けられている。尚、走査線３ａはポ
リシリコンやアモルファスシリコン、単結晶シリコン膜
等のシリコン膜や、ポリサイドやシリサイドを用いても
よい。

【００４４】図２及び図３に示すように、本実施形態で
は特に、蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン
領域１ｅ（及び画素電極９ａ）に接続された画素電位側
容量電極としての中継層７１ａと、固定電位側容量電極
としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介し
て対向配置されることにより形成されている。画素電位
側容量電極としての中継層７１ａは導電性のポリシリコ
ン膜等からなる。固定電位側容量電極としての容量線３
００は導電性のポリシリコン膜や非晶質、単結晶からな
るシリコン膜等からなる第１膜７２と、高融点金属を含
む金属シリサイド膜等からなる第２膜７３とが積層形成
された多層膜からなる。

【００４５】この蓄積容量は遮光膜として機能してい
る。ポリシリコン膜等からなる中継層７１ａは第２膜７
３と比較して光吸収性が高く、第２膜７３とＴＦＴ３０
との間に配置された光吸収層として機能を持つ。また、
容量線３００は、それ自体で遮光膜として機能し、ポリ
シリコン膜等からなる第１膜７２は第２膜７３とＴＦＴ
３０との間に配置された光吸収層として機能を持ち、高
融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜７３
はＴＦＴ３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮
光する遮光層として機能を持つ。すなわち、入射光側か
らの光は第２膜７３で遮光され、第２膜７３とＴＦＴ３
０との間に入った光は中継層７１ａと第１膜７２で吸収
される。

【００４６】容量線３００は平面的に見て、走査線３ａ
に沿ってストライプ状に伸びる本線部分を含み、この本
線部分からＴＦＴ３０に重なる個所が図２中上下に突出
している。そして、図２中縦方向に夫々伸びるデータ線
６ａと図２中横方向に夫々伸びる容量線３００とが交差
する領域に、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３
０が配置されている。即ち、ＴＦＴ３０は、対向基板側
から見て、データ線６ａと内蔵遮光膜の一例たる容量線
３００とにより二重に覆われている。そして、このよう
に相交差するデータ線６ａと容量線３００とにより、平
面的に見て格子状の遮光層が構成されており、各画素の
開口領域を規定している。

【００４７】他方、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴ
ＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設け
られている。

【００４８】本実施形態では特に、格子状の下側遮光膜
１１ａの形成領域は、同じく格子状の上側の遮光層（即
ち、容量電極３００及びデータ線６ａ）の形成領域内に
位置する（即ち、一回り小さく形成され、下側遮光膜１
１ａは、容量線３００及びデータ線６ａの幅より狭く形
成されている）。そして、ＴＦＴ３０のチャネル領域１
ａは、その低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領
域１ｃ（即ち、ＬＤＤ領域）との接合部を含めて、この
ような格子状の下側遮光膜１１ａの交差領域内に（従っ
て、格子状の上側遮光膜の交差領域内に）位置する。

【００４９】これらの遮光層の一例を構成する第２膜７
３及び下側遮光膜１１ａは夫々、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、
Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうちの少なくと
も一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリ
シリサイド、これらを積層したもの等からなる。あるい
はＡｌ等の高融点金属でない金属を用いても良い。

【００５０】また、このような第２膜７３を含んでなる
内蔵遮光膜の一例たる容量線３００は、多層構造を有
し、その第１膜７２が導電性のポリシリコン膜であるた
め、係る第２膜７３については、導電性材料から形成す
る必要はないが、第１膜７２だけでなく第２膜７３をも
導電膜から形成すれば、容量線３００をより低抵抗化で
きる。

【００５１】また図３において、容量電極としての中継
層７１ａと容量線３００との間に配置される誘電体膜７
５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴ
Ｏ膜、ＬＴＯ膜等の酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、
窒化酸化膜等や、それらの積層膜から構成される。蓄積
容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に
得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄い程良い。

【００５２】光吸収層として機能するのみならず容量線
３００の一部を構成する第１膜７２は、例えば膜厚５０
ｎｍ〜１５０ｎｍ程度のポリシリコン膜又は非晶質、単
結晶からなるシリコン膜からなる。また、遮光層として
機能するのみならず容量線３００の他の一部を構成する
第２膜７３は、例えば膜厚１５０ｎｍ程度のタングステ
ンシリサイド膜からなる。このように誘電体膜７５に接
する側に配置される第１膜７２をポリシリコン膜から構
成し、誘電体膜７５に接する中継層７１ａをポリシリコ
ン膜から構成することにより、誘電体膜７５の劣化を阻
止できる。例えば、仮に金属シリサイド膜を誘電体膜７
５に接触させる構成を採ると、誘電体膜７５に重金属等
の金属が入り込んで、誘電体膜７５の性能を劣化させて
しまう。更に、このような容量線３００を誘電体膜７５
上に形成する際に、誘電体膜７５の形成後にフォトレジ
スト工程を入れることなく、連続で容量線３００を形成
すれば、誘電体膜７５の品質を高められるので、当該誘
電体膜７５を薄く成膜することが可能となり、最終的に
蓄積容量７０を増大できる。

【００５３】図２及び図３に示すように、データ線６ａ
は、コンタクトホール８１を介して中継接続用の中継層
７１ｂに接続されており、更に中継層７１ｂは、コンタ
クトホール８２を介して、例えばポリシリコン膜からな
る半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的に
接続されている。尚、中継層７１ｂは、前述した諸機能
を持つ中継層７１ａと同一膜から同時形成される。

【００５４】また容量線３００は、画素電極９ａが配置
された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源
と電気的に接続されて、固定電位とされる。係る定電位
源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号を走
査線３ａに供給するための走査線駆動回路（後述する）
や画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路
を制御するデータ線駆動回路（後述する）に供給される
正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の
対向電極２１に供給される定電位でも構わない。更に、
下側遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３
０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量線
３００と同様に、画像表示領域からその周囲に延設して
定電位源に接続するとよい。

【００５５】画素電極９ａは、中継層７１ａを中継する
ことにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半
導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接
続されている。即ち、本実施形態では、中継層７１ａ
は、蓄積容量７０の画素電位側容量電極としての機能及
び光吸収層としての機能に加えて、画素電極９ａをＴＦ
Ｔ３０へ中継接続する機能を果たす。このように中継層
７１ａ及び７１ｂを中継層として利用すれば、層間距離
が例えば１０００ｎｍ〜２０００ｎｍ程度に長くても、
両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難
性を回避しつつ比較的小径の二つ以上の直列なコンタク
トホールで両者間を良好に接続でき、画素開口率を高め
ること可能となり、コンタクトホール開孔時におけるエ
ッチングの突き抜け防止にも役立つ。

【００５６】図２及び図３において、電気光学装置は、
透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される
透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板
１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板か
らなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板
からなる。

【００５７】ＴＦＴアレイ基板１０には、平面的に見て
格子状の溝１０ｃｖが掘られている（図２中右下がりの
斜線領域で示されている）。走査線３ａ、データ線６
ａ、ＴＦＴ３０等の配線や素子等は、この溝１０ｃｖ内
に埋め込まれている。これにより、配線、素子等が存在
する領域と存在しない領域との間における段差が緩和さ
れており、最終的には段差に起因した液晶の配向不良等
の画像不良を低減できる。

【００５８】図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０
には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、
ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６
が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（In
dium Tin Oxide）膜などの透明導電性膜からなる。また
配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からな
る。

【００５９】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド
膜などの有機膜からなる。

【００６０】対向基板２０には、格子状又はストライプ
状の遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成
を採ることで、前述の如く遮光層を構成する容量線３０
０及びデータ線６ａと共に当該対向基板２０上の遮光膜
により、対向基板２０側からの入射光がチャネル領域１
ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１
ｃに侵入するのを、より確実に阻止できる。更に、この
ような対向基板２０上の遮光膜は、少なくとも入射光が
照射される面を高反射な膜で形成することにより、電気
光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。尚、このように
対向基板２０上の遮光膜は好ましくは、平面的に見て容
量線３００とデータ線６ａとからなる遮光層の内側に位
置するように形成する。これにより、対向基板２０上の
遮光膜により、各画素の開口率を低めることなく、この
ような遮光及び温度上昇防止の効果が得られる。

【００６１】このように構成された、画素電極９ａと対
向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材に
より囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封
入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素
電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１
６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０
は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合し
た液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及
び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、
例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であ
り、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイ
バー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されてい
る。

【００６２】更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下
には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１
２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する
機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されるこ
とにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時におけ
る荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用Ｔ
ＦＴ３０の特性の変化を防止する機能を有する。

【００６３】図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ
３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有して
おり、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチ
ャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜を含む絶縁薄膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領
域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高
濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備
えている。

【００６４】走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄ
へ通じるコンタクトホール８２及び高濃度ドレイン領域
１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第
１層間絶縁膜４１が形成されている。

【００６５】第１層間絶縁膜４１上には中継層７１ａ及
び７１ｂ並びに容量線３００が形成されており、これら
の上には、中継層７１ａ及び７１ｂへ夫々通じるコンタ
クトホール８１及びコンタクトホール８５が各々開孔さ
れた第２層間絶縁膜４２が形成されている。

【００６６】尚、本実施形態では、第１層間絶縁膜４１
に対しては、１０００℃の焼成を行うことにより、半導
体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜（又は
非晶質シリコン、単結晶シリコンからなるシリコン層）
に注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２
層間絶縁膜４２に対しては、このような焼成を行わない
ことにより、容量線３００の界面付近に生じるストレス
の緩和を図るようにしてもよい。

【００６７】第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが
形成されており、これらの上には、中継層７１ａへ通じ
るコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４
３が形成されている。画素電極９ａは、このように構成
された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられている。

【００６８】以上のように構成された本実施形態によれ
ば、対向基板２０側からＴＦＴ３０のチャネル領域１
ａ’及びその付近に入射光が入射しようとすると、デー
タ線６ａ及び内蔵遮光膜の一例たる容量線３００（特
に、その第２膜７３）で遮光を行う。他方、ＴＦＴアレ
イ基板１０側から、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及
びその付近に戻り光が入射しようとすると、下側遮光膜
１１ａで遮光を行う（特に、複板式のカラー表示用のプ
ロジェクタ等で複数の電気光学装置をプリズム等を介し
て組み合わせて一つの光学系を構成する場合には、他の
電気光学装置からプリズム等を突き抜けて来る投射光部
分からなる戻り光は強力であるので、有効である。）。

【００６９】例えば、対向基板２０上の遮光膜のよう
に、斜めの入射光や、高反射率のＡｌ膜からなるデータ
線６ａや反射率の比較的高い高融点金属からなる第２膜
の内面、すなわち、ＴＦＴ３０に面する側の表面に、斜
めの戻り光が入射することにより発生する内面反射光、
多重反射光などをＴＦＴ３０から層間距離を隔てて遮光
するのでは、遮光効果は低い。

【００７０】これに比べて第１実施形態では、半導体層
１ａに対する層間距離が比較的小さくなるように配置可
能な容量線３００及びデータ線６ａ並びに下側遮光膜１
１ａによりＴＦＴ３０を遮光することができる。また、
内面反射光、多重反射光などは、光吸収層としての第１
膜７２及び中継層７１ａにより吸収除去される。これら
の結果、ＴＦＴ３０の特性が光リークにより劣化するこ
とは殆ど無くなり、当該電気光学装置では、非常に高い
耐光性が得られる。

【００７１】特に本実施形態では、光吸収層としての第
１膜７２及び中継層７１ａは、導体化したポリシリコン
膜（又はアモルファスシリコン等のシリコン膜）からな
り、チャネル領域も閾値電圧Ｖｔｈ制御のためにＰ、
Ｂ、Ａｓ等をドープした又はノンドープのポリシリコン
膜（又はアモルファスシリコン等のシリコン膜）からな
るので、チャネル領域における光吸収特性（周波数依存
性等）と類似或いは同一の光吸収特性を、当該光吸収層
が有する。従って、チャネル領域１ａ’で吸収されるこ
とにより光リークの原因となる周波数成分を中心とし
て、第１膜７２及び中継層７１ａにより光を吸収除去で
きるので好都合である。すなわち、ＴＦＴチャネルと光
吸収層を同一の主材料で形成することにより光吸収性効
果を高めている。

【００７２】以上説明したように第１実施形態の電気光
学装置によれば、ＴＦＴ３０の上方で、データ線６ａと
内蔵遮光膜の一例たる容量線３００とが交差しているの
で、これらによりＴＦＴ３０は二重に遮光される。従っ
て、例えば０．１％程度の透過率を持つＡｌ膜からなる
データ線と、例えば０．１％程度の透過率を持つ高融点
金属膜からなる第２膜７３を含む容量線３００とを用い
ても、両者が二重に遮光することにより、例えば、０．
００００１〜０．０００００１％程度の極めて高い透過
率が得られる。しかも、このように単独では十分な遮光
性能が得られない程度に薄いデータ線６ａと容量線３０
０とを二重に重ねて必要な遮光性能を得、更に遮光以外
の諸機能を有するデータ線６ａ及び容量線３００を遮光
膜として用いるので、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構
造を厚くせず、且つその構造を単純化する上で、大変有
利である。更に、基板面に垂直な光ではなく、データ線
６ａに沿った方向（図２で縦方向）に傾斜して斜めにＴ
ＦＴ３０のチャネル領域１ａ’に向かう光を、データ線
６ａで遮光でき、容量線３００の本線部分に沿った方向
（図２で横方向）に傾斜して斜めにＴＦＴ３０のチャネ
ル領域１ａ’に向かう光は、当該本線部分で遮光でき
る。

【００７３】本実施形態では特に、内蔵遮光膜の一例た
る容量線３００は、データ線６ａよりも下側に積層され
ている。即ち、データ線６ａとチャネル領域１ａ’との
間には定電位とされる容量線３００が介在するので、デ
ータ線６ａとチャネル領域１ａ’との間における容量カ
ップリングの悪影響を低減できる。

【００７４】次に、図４及び図６を参照して、本実施形
態における遮光及び光吸収について更に説明を加える。
ここに、図４は、画像表示領域におけるデータ線６ａ及
び容量線３００からなる格子状の上側遮光膜、並びに単
独で格子状の下側遮光膜１１ａを抽出し且つ拡大して示
す図式的な平面図であり、図５及び図６は、図４のＢ−
Ｂ’断面における、遮光及び光吸収の様子を示す図式的
な断面図である。

【００７５】図４に示すように、本実施形態では各画素
の非開口領域は、主に容量線３００と、（コンタクトホ
ール８１及び８２の形成用に容量線３００が途切れてい
る個所における）データ線６ａとからなる遮光層により
格子状に規定される。従ってこれらの容量線３００及び
データ線６ａにより、光抜けが生じてコントラス比が低
下するのを効果的に防止できる。

【００７６】ここでＴＦＴ３０の上側には、これらの容
量線３００及びデータ線６ａが格子状に存在し、ＴＦＴ
３０の下側には、格子状に配置された下側遮光膜１１ａ
が存在し、下側遮光膜１１ａの形成領域は、容量線３０
０及びデータ線６ａからなる格子状の遮光層の形成領域
内に位置している。

【００７７】従って図５に示すように、当該電気光学装
置における上側（即ち、入射光の入射側）から入射する
入射光Ｌ１に対しては、容量線３００の第２膜７３及び
データ線６ａが、遮光層として機能する。従って、この
ような入射光Ｌ１がＴＦＴ３０に到達することを防止で
きる。更に、下側遮光膜１１ａは、上側にある遮光層
（即ち、容量線３００の第２膜７３及びデータ線６ａ）
よりも一回り小さく形成されているので、入射光Ｌ１に
含まれる斜めの成分が、上側の遮光層（容量線３００及
びデータ線６ａ）の脇を抜けて、下側遮光膜１１ａの内
面で反射することによる内面反射光や多重反射光の発生
も低減されている。

【００７８】他方、図６に示すように、当該電気光学装
置における下側（即ち、入射光の出射側）から入射する
戻り光Ｌ２に対しては、下側遮光膜１１ａが遮光層とし
て機能する。従って、このような戻り光Ｌ２がＴＦＴ３
０に到達することを防止できる。ここで、下側遮光膜１
１ａは、上側にある遮光層（即ち、容量線３００の第２
膜７３及びデータ線６ａ）よりも一回り小さく形成され
ているので、戻り光Ｌ２に含まれる斜めの成分の一部
が、下側遮光層１１ａの脇を抜けて、上側にある遮光層
の内面（特に、容量線３００の内面）に向かって進む。
しかしながら、上側にある遮光層（即ち、容量線３００
の第２膜７３及びデータ線６ａ）とＴＦＴ３０との間に
は、光吸収層（即ち、容量線３００の第１膜７２及び中
継層７１ａ）が存在するので、このように戻り光Ｌ２に
含まれる斜めの成分並びに、係る成分が上側の遮光層
（即ち、容量線３００の第２膜７３及びデータ線６ａ）
の内面で反射することによる内面反射光Ｌ３及び多重反
射光Ｌ４は、光吸収層により吸収除去される。

【００７９】尚、下側遮光膜１１ａの内面にも光吸収層
を設けてもよい。このように構成すれば、下側遮光膜１
１ａの内面に到達する斜めの入射光や、これに起因する
内面反射光或いは多重反射光を、当該光吸収層で吸収除
去可能となる。

【００８０】以上の結果、本実施形態により、ＴＦＴ３
０を遮光するための遮光膜の膜厚増大を極力抑えつつ、
耐光性を高めることにより画素スイッチング用ＴＦＴ３
０の光リークによる特性変化を低減でき、最終的にコン
トラスト比が高く且つ明るく高品位の画像表示が可能と
なる。

【００８１】以上説明した実施形態では、蓄積容量７０
の固定電位側電極を含む容量線３００を、内蔵遮光膜と
する構成を採用しているが、蓄積容量７０の画素電位側
電極を内蔵遮光膜として構成することも可能であり、或
いは画素電極９ａとＴＦＴ３０とを中継接続する中継層
を内蔵遮光膜として構成することも可能である。いずれ
の場合にも、高融点金属膜等の導電性の遮光膜から画素
電位側容量電極或いは中継層を形成すればよい。

【００８２】以上説明した実施形態では、図３に示した
ように多数の導電層を積層することにより、画素電極９
ａの下地面（即ち、第３層間絶縁膜４３の表面）におけ
るデータ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が生じ
るのを、ＴＦＴアレイ基板１０に溝１０ｃｖを掘ること
で緩和しているが、これに変えて又は加えて、下地絶縁
膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２、第
３層間絶縁膜４３に溝を掘って、データ線６ａ等の配線
やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより平坦化処理を行っ
てもよいし、第３層間絶縁膜４３や第２層間絶縁膜４２
の上面の段差をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishin
g）処理等で研磨することにより、或いは有機ＳＯＧを
用いて平らに形成することにより、当該平坦化処理を行
ってもよい。

【００８３】更に以上説明した実施形態では、画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したよう
にＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃
度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフ
セット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からなる
ゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、
自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成する
セルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本実施
形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極
を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間
に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これ
らの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この
ようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦ
Ｔを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域と
の接合部の光リーク電流を防止でき、オフ時の電流を低
減することができる。

【００８４】（第２実施形態）次に、本発明の第２実施
形態について第７図を参照して説明する。ここに図７
は、第２実施形態における、図２のＡ−Ａ’断面に対応
する個所の断面図である。また、図７に示す第２実施形
態では、図３に示した第１実施形態と同様の構成要素に
は同様の参照符号を付し、その説明は省略する。

【００８５】図７において、第２実施形態の電気光学装
置では、データ線６ａ’の積層位置が、容量線３０
０’、画素電位側電極を兼ねる中継層７１ａ’及び誘電
体膜７５’からなる蓄積容量７０’の積層位置よりも下
側にある。これに伴いコンタクトホール８２’によりデ
ータ線６ａ’と高濃度ソース領域１ｄとが接続されてお
り、コンタクトホール８３’により中継層７１ａ’と高
濃度ドレイン領域とが接続されている。そして、図４か
ら図６を参照して説明したのと同様に、データ線６ａ’
による内面反射を低減するように光吸収層１７２がデー
タ線６ａ’の内面側に形成されている。その他の構成に
ついては、図１から図３を参照して説明した第１実施形
態と同様である。

【００８６】従って第２実施形態によれば、ＴＦＴ３０
のチャネル領域１ａ’は、その上方から先ずデータ線６
ａにより覆われ、更にその上方から内蔵遮光膜の一例た
る容量線３００’により覆われるので、高い遮光性能が
得られる。しかも、データ線６ａ’の内面に至る光は、
光吸収層１７２により吸収されるので、データ線６ａ’
或いは容量線３００’に入射する入射光に対する遮光性
能を高めつつ、データ線６ａ’の内面で発生する内面反
射光を低減できる。

【００８７】（電気光学装置の全体構成）以上のように
構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成
を図８及び図９を参照して説明する。尚、図８は、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共
に対向基板２０の側から見た平面図であり、図９は、図
８のＨ−Ｈ’断面図である。

【００８８】図９において、ＴＦＴアレイ基板１０の上
には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、
その内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を規定
する額縁としての遮光膜５３が設けられている。シール
材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所
定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動
するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０
２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられてお
り、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給する
ことにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４
が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。
走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならない
のならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いこ
とは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を
画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよ
い。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表
示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４
間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所に
おいては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間
で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられて
いる。そして、図９に示すように、図８に示したシール
材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール
材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。

【００８９】尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これら
のデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に
加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミ
ングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａ
に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行
して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時
の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検
査回路等を形成してもよい。

【００９０】以上図１から図９を参照して説明した実施
形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路
１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、
例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に実装
された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部
に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機
械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０
の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射
光が出射する側には各々、例えば、ＴＮモード、ＶＡ
（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dis
persed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノー
マリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別
に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板など
が所定の方向で配置される。

【００９１】（電気光学装置の応用例）以上説明した各
実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用
できる。上述した電気光学装置をライトバルブとして用
いたプロジェクタについて説明する。図１０は、このプ
ロジェクタの構成を示す平面図である。この図に示され
るように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンラ
ンプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設
けられている。このランプユニット１１０２から射出さ
れた投射光は、内部に配置された３枚のミラー１１０６
および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲ
ＧＢの３原色に分離されて、各原色に対応するライトバ
ルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導か
れる。ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび
１００Ｂの構成は、上述した実施形態に係る電気光学装
置と同様であり、画像信号を入力する処理回路（図示省
略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆
動されるものである。また、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ
色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐため
に、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３および
出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を
介して導かれる。

【００９２】さて、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、
１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイ
ックプリズム１１１２に３方向から入射する。そして、
このダイクロイックプリズム１１１２において、Ｒ色お
よびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進
する。したがって、各色の画像が合成された後、スクリ
ーン１１２０には、投射レンズ１１１４によってカラー
画像が投射されることとなる。

【００９３】なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇお
よび１００Ｂには、ダイクロイックミラー１１０８によ
って、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するの
で、上述したようにカラーフィルタを設ける必要はな
い。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は
ダイクロイックミラー１１１２により反射した後に投射
されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はその
まま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂ
による表示像を、ライトバルブ１００Ｇによる表示像に
対して左右反転させる構成となっている。

【００９４】尚、各実施形態では、対向基板２０に、カ
ラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素
電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタ
をその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよ
い。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反
射型のカラー電気光学装置について、各実施形態におけ
る電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に
１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成しても
よい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対
向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィ
ルタ層を形成することも可能である。このようにすれ
ば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光
学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何
層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の
干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフ
ィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ
付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置
が実現できる。

【００９５】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能で
あり、そのような変更を伴なう電気光学装置もまた本発
明の技術的範囲に含まれるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の電気光学装置における
画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設
けられた各種素子、配線等の等価回路である。

【図２】第１実施形態の電気光学装置におけるデータ
線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板
の相隣接する複数の画素群の平面図である。

【図３】図２のＡ−Ａ’断面図である。

【図４】第１実施形態における上層遮光膜及び下層遮光
膜を抽出して示すＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であ
る。

【図５】図４のＢ−Ｂ’断面における遮光及び光吸収の
様子を示す図式的な断面図（その１）である。

【図６】図４のＢ−Ｂ’断面における遮光及び光吸収の
様子を示す図式的な断面図（その２）である。

【図７】第２実施形態における図２のＡ−Ａ’断面に対
応する個所の断面図である。

【図８】実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ
基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の
側から見た平面図である。

【図９】図８のＨ−Ｈ’断面図である。

【図１０】プロジェクタの構成図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 １ａ’…チャネル領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ソース領域 １ｅ…高濃度ドレイン領域 ２…絶縁薄膜 ３ａ…走査線 ６ａ…データ線 ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １０ｃｖ…溝 １１ａ…下側遮光膜 １２…下地絶縁膜 １６…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ７０…蓄積容量 ７１ａ…中継層 ７１ｂ…中継層 ７２…容量線の第１膜 ７３…容量線の第２膜 ７５…誘電体膜 ８１、８２、８３、８５…コンタクトホール ３００…容量線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1368 Ｇ０２Ｆ 1/1368 ５Ｆ１１０ Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１９Ｂ Ｆターム(参考） 2H042 AA09 AA15 AA26 2H088 EA14 EA15 EA44 HA08 HA13 HA14 HA28 MA06 MA20 2H091 FA05 FA26 FA34 FA41 GA13 LA16 MA07 2H092 GA17 GA25 JA24 JA44 JA46 JB24 JB33 JB54 JB64 JB66 JB68 KB04 NA07 NA22 PA13 RA05 5C094 AA02 AA16 BA03 BA16 BA43 CA19 DA14 DA15 DB04 EA04 EA07 EA10 EB02 ED15 ED20 5F110 AA21 BB01 CC02 DD02 DD03 DD05 DD11 DD21 DD25 EE05 EE08 EE09 GG02 GG13 GG15 GG32 HL03 HL07 HL08 HL11 HM02 HM15 NN03 NN04 NN05 NN22 NN23 NN24 NN42 NN43 NN44 NN46 NN47 NN48 NN72 NN73 NN80 QQ19

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板と、 前記一対の基板で挟持された電気光学物質と、 前記一方の基板に、マトリクス状に配置された画素電極
   と、 前記画素電極に電気的に接続された薄膜トランジスタ
   と、 前記一方の基板に、前記複数の薄膜トランジスタの上方
   に配置され、前記薄膜トランジスタに面する側に形成さ
   れた光吸収層と、前記薄膜トランジスタと反対側の面に
   形成された遮光層とが積層された遮光膜と、 前記薄膜トランジスタに電気的に接続され、前記遮光膜
   に交差する遮光性のデータ線と、 前記遮光膜と前記データ線との交差領域とが重なる領域
   内で形成された前記薄膜トランジスタのチャネル領域の
   接合部とを備えることを特徴とする。
2. 【請求項２】 前記遮光膜は、前記データ線と前記薄膜
   トランジスタの間に設けられていることを特徴とする請
   求項１記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記データ線は、前記遮光膜と前記薄膜
   トランジスタの間に設けられていることを特徴とする請
   求項１記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記データ線は、２層以上を含む多層構
   造を持つことを特徴とする請求項３記載の電気光学装
   置。
5. 【請求項５】 前記データ線は、前記薄膜トランジスタ
   に面する側に光吸収層が積層されていることを特徴とす
   る請求項４記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記遮光膜は、一方の電極が前記画素電
   極に電気的に接続された保持容量を構成することを特徴
   とする請求項１記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記保持容量は、前記薄膜トランジスタ
   に面する側に前記光吸収層でなる容量電極と、前記光吸
   収層の容量電極に対して誘電体膜を介して形成された前
   記遮光層の容量電極とを有することを特徴とする請求項
   ６記載の電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記遮光層の容量電極は、前記薄膜トラ
   ンジスタに面する側に光吸収層が積層されていることを
   特徴とする請求項７記載の電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記遮光膜は、前記画素電極が配置され
   た画素表示領域の周辺に位置する周辺領域の定電位線に
   接続されたことを特徴とする請求項１記載の電気光学装
   置。
10. 【請求項１０】 前記一方の基板に、前記複数の薄膜ト
    ランジスタの下方に格子状に配置され、前記上側遮光膜
    の形成領域より内側で形成され、前記薄膜トランジスタ
    のチャネル領域の接合部を覆う下側遮光膜を、更に備え
    たことを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記光吸収層は、シリコン膜からなる
    ことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか一項に
    記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 光源と、 請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の電気光学装
    置でなるライトバルブと、 前記光源から発生した光を前記ライトバルブに導光する
    導光部材と、前記ライトバルブで変調された光を投射す
    る投射光学部材とを備えることを特徴とする投射型表示
    装置。