JP3821067B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置及び該電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野に属し、特に画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴと称す）を、基板上の積層構造中に備えた形式の電気光学装置の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
ＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の電気光学装置では、各画素に設けられた画素スイッチング用のＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると光による励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が変化する。特に、プロジェクタのライトバルブ用の電気光学装置の場合には、入射光の強度が高いため、ＴＦＴのチャネル領域やその周辺領域に対する入射光の遮光を行うことは重要となる。そこで従来は、対向基板に設けられた各画素の開口領域を規定する遮光膜により、或いはＴＦＴアレイ基板上においてＴＦＴの上を通過すると共にＡｌ（アルミニウム）等の金属膜からなるデータ線により、係るチャネル領域やその周辺領域を遮光するように構成されている。更に、ＴＦＴアレイ基板上のＴＦＴの下側に対向する位置にも、例えば高融点金属からなる遮光膜を設けることがある。このようにＴＦＴの下側にも遮光膜を設ければ、ＴＦＴアレイ基板側からの裏面反射光や、複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合に他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けてくる投射光などの戻り光が、当該電気光学装置のＴＦＴに入射するのを未然に防ぐことができる。
【０００３】
他方、この種の電気光学装置では、ＴＦＴが導通状態とされた際に、これを介して画素電極に印加される画像信号の電圧が、ＴＦＴを導通状態とした時間よりも遥かに長い時間に亘って保持されるように、例えばＴＦＴのドレイン電極或いは画素電極に接続された画素電位側容量電極と、これに誘電体膜を介して対向配置された固定電位側容量電極とからなる蓄積容量を各画素に作り込む技術も一般化している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板上の積層構造内に蓄積容量を作り込むと、その画素電位側容量電極と、画素電極やＴＦＴとを当該積層構造内に開孔されたコンタクトホールを介して接続する必要性が一般に生じる。従って、当該コンタクトホールにより接続されるＴＦＴと画素電極間にある遮光膜或いはデータ線等は、コンタクトホールを避けて形成されることになるため、コンタクトホール及びその周辺において遮光性能が低下するという問題点が生じる。即ち、コンタクトホール及びその周辺に入射した入射光は、遮光膜或いはデータ線等により遮光されることなく、ＴＦＴのチャネル領域やその周辺領域に到達して、ＴＦＴの特性が変化或いは劣化してしまい、フリッカー等の原因となるという問題点がある。
【０００５】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、耐光性に優れており、高品位の画像表示が可能な電気光学装置及びこの電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素電極と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上層側に配置されており前記薄膜トランジスタに電気的に接続されるデータ線と、前記薄膜トランジスタに接続された蓄積容量と、前記薄膜トランジスタ及び前記蓄積容量の画素電位側容量電極の上層側であって、該画素電位側容量電極及び前記画素電極間を接続するための接続領域に対応して切り欠き部が設けられた容量線とを備えており、前記容量線及び前記データ線は、夫々導電性の遮光膜からなり、前記接続領域に、前記画素電位側容量電極及び前記画素電極間を中継接続すると共に、前記データ線と同一膜からなる多層中継層が設けられており、前記多層中継層は、前記容量線の切り欠き部より一回り大きく形成されている。
また、前記容量線は、前記蓄積容量の固定電位側容量電極を含んでおり、前記画素電位側容量電極及び前記画素電極は、夫々導電性の透明膜からなり、前記多層中継層は、第１層と該第１層の上層側に積層され且つ前記第１層に比べて前記前記画素電極に対する化学的安定性の高い導電性の第２層とを含む積層構造である。
【０００７】
本発明の第１電気光学装置によれば、例えば走査線を介して走査信号を薄膜トランジスタのゲートに供給しつつ、データ線を介して画像信号を薄膜トランジスタに供給すると、薄膜トランジスタのスイッチング制御によって、画素電極をアクティブマトリクス駆動できる。ここで、画素電極には、画素電位側容量電極と固定電位側容量電極とが対向配置されてなる蓄積容量が接続されているので、画素電極に書き込まれた画像信号の電圧を長期に亘って保持できる。画素電位側容量電極及び画素電極は夫々透明膜からなるのに対して、容量線及びデータ線は夫々遮光膜からなるので、これらの存在によって各画素の非開口領域における光漏れを基本的に防止できる。但し、画素電位側容量電極及び画素電極間を相互に接続するための接続領域においては、遮光膜からなる容量線に切り欠き部が設けられている。よって、当該接続領域をそのまま放置しておいたのでは、そこで光漏れが生じ、薄膜トランジスタのチャネル領域やその隣接領域に光が入射しかねない。しかるに本発明では、当該接続領域に、画素電位側容量電極及び画素電極間を中継接続すると共に二枚の遮光膜を含んでなる多層中継層を更に備えており、これが切り欠き部を覆うので、接続領域での光漏れを効率的に防止できる。よって、薄膜トランジスタの特性変化によりフリッカー等を引き起こす事態を効果的に未然防止できる。多層中継層は、例えば、平面的に見て矩形の接続領域を覆う矩形の島状の遮光膜片であって、その第１層は、データ線から分離されてなる。そして特に、多層中継層は、データ線と同じく第２遮光膜からなる第１層と、この第２遮光膜に比べて画素電極をなす第２透明膜に対する化学的安定性の高い導電性の第２層とを含む積層構造を有する。よって例えば、第２遮光膜としてデータ線を低抵抗のＡｌ膜から形成し、第２透明膜として画素電極をＩＴＯ膜から形成する場合のように、第２遮光膜と第２透明膜とを直接接触させては化学的安定性に乏しく、電蝕を起こすような材料を選択する場合であっても、多層中継層における第２層を、例えば窒化チタン等のＴｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）系などの、第２透明膜に対する化学安定性に優れた材料から形成すれば、このような電蝕を効果的に防止できる。加えて、多層中継層を構成する第１層は、データ線と同じく第２遮光膜からなるため、第１層及びデータ線の両者を同一工程で同一膜、即ち第２遮光膜からパターニングによって同時形成できる。このように基板上における積層構造及び製造プロセスの複雑化を回避できる。
【０００８】
尚、本発明に係る「第１遮光膜」及び「第２遮光膜」とは、当該電気光学装置における入射光を、薄膜トランジスタに対して実害がない程度にまで遮光可能であれば足りる意味であり、遮光する光量と比べて僅かな或いは少ない光が透過するような遮光膜を含む意味である。逆に、本発明に係る「第１透明膜」及び「第２透明膜」とは、当該電気光学装置における入射光を、表示用に用いることができる程度にまで透過可能であれば足りる意味であり、透過する光量と比べて僅かな或いは少ない光を遮光するような透明膜又は半透明膜を含む意味である。
【０００９】
以上の結果、本発明の電気光学装置によれば、比較的簡単な構成によって、耐光性を効率的に高めることができ、高品位の画像表示が可能となる。
【００１２】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記データ線は、前記多層中継層と同一の積層構造を有する。
【００１３】
この態様によれば、データ線は、多層中継層と同じく、第１層及び第２層を含む積層構造を有する。よって、その製造時には、データ線及び多層中継層の両者を同一工程で同時形成できる。即ち、第１層及び第２層を含む多層膜を成膜した後に、パターニングを行えば、１回のパターニングによってデータ線及び多層中継層を同時に形成できる。よって、基板上における積層構造及び製造プロセスの複雑化を回避できる。
【００１４】
本発明の第１電気光学装置の一態様では、前記薄膜トランジスタと前記画素電位側容量電極との間には、第１層間絶縁膜が積層されており、前記容量線と前記データ線との間には、第２層間絶縁膜が積層されており、前記データ線と前記画素電極との間には、第３層間絶縁膜が積層されており、前記薄膜トランジスタと前記画素電位側容量電極とは、前記第１層間絶縁膜に開孔された第１コンタクトホールを介して接続されており、前記画素電位側容量電極と前記多層中継層とは、前記第２層間絶縁膜に開孔された第２コンタクトホールを介して接続されており、前記多層中継層と前記画素電極とは、前記第３層間絶縁膜に開孔された第３コンタクトホールを介して接続されている。
【００１５】
この態様によれば、画素電位側容量電極と画素電極とは、第２及び第３コンタクトホールを介して、第２及び第３層間絶縁膜間に配置された多層中継層によって、中継接続されている。この際、第１遮光膜の切り欠き部に第２コンタクトホールは配置されているので、第１遮光膜による遮光機能は、この部分で低下しているが、この部分における遮光性能は、切り欠き部を覆う多層中継層によって十分補うことが可能である。
【００１６】
この態様では、前記第３コンタクトホールは、前記第２コンタクトホール内に延びるように開孔されており、前記第２コンタクトホール内において、前記画素電位側容量電極、前記多層中継層及び前記画素電極は直接積層されているように構成してもよい。
【００１７】
このように構成すれば、比較的小さい接続領域においても、多層中継層を用いて確実に画素電位側容量電極と画素電極とを中継接続できる。
【００１８】
この場合更に、前記第２コンタクトホールと前記第３コンタクトホールとは、同軸的に開孔されているように構成してもよい。
【００１９】
このように構成すれば、同軸的に開孔された第２及び第３コンタクトホールを介して多層中継層により中継接続する構造によって、基板上領域に占める接続領域を小さくできる。
【００２０】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記画素電極は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなり、前記第１層は、Ａｌ（アルミニウム）からなり、前記第２層は、高融点金属を含む金属単体、合金又は金属シリサイド、金属窒化膜からなる。
【００２１】
この態様によれば、ＩＴＯと接触させてもＡｌに比べて電蝕を起こし難い高融点金属を含む金属単体、合金又は金属シリサイド、金属窒化膜からなる第２層を形成することが可能となる。高融点金属とは、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等が挙げられる。特に、ＩＴＯからなる第２透明膜とＡｌからなる第１層とを直接接触させたのでは電蝕が発生することが確認されており、このように多層中継層を利用することは実践上大変有利である。更に、単一層構造の中継層によって接続領域で必要な遮光性能及び導電性を同時に得るのは困難であるので、このように多層構造を利用して第１層及び第２層の組合せにより必要な遮光性能及び導電性を得ることは大変有利である。
【００２２】
尚、このようなＡｌからなる第１層上に積層する第２層は、Ａｌ溶融温度よりも低い温度で形成するのが好ましい。例えば、スパッタリングやＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの低温処理により形成するのが好ましい。
【００２３】
本発明の第１電気光学装置の他の態様では、前記第２層は、ＯＤ（Optical Density）値が、２．０以上であり、好ましくは４．０以上である。
【００２４】
この態様によれば、接続領域における遮光性能を実用上十分なレベルに向上させられる。
【００２５】
本発明の第２電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素電極と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上層側に配置されており前記薄膜トランジスタに電気的に接続されるデータ線と、前記薄膜トランジスタに接続された蓄積容量と、前記薄膜トランジスタ及び前記蓄積容量の画素電位側容量電極の上層側であって、該画素電位側容量電極及び前記画素電極間を接続するための接続領域に対応して切り欠き部が設けられた容量線とを備えており、前記容量線及び前記データ線は、夫々導電性の遮光膜からなり、前記接続領域に、前記画素電位側容量電極及び前記画素電極間を中継接続すると共に、前記データ線と同一膜からなる単一層中継層が設けられており、前記単一層中継層は、前記容量線の切り欠き部より一回り大きく形成されている。
【００２６】
本発明の第２電気光学装置によれば、画素電位側容量電極及び画素電極は夫々透明膜からなるのに対して、容量線及びデータ線は夫々遮光膜からなるので、これらの存在によって各画素の非開口領域における光漏れを基本的に防止できる。但し、画素電位側容量電極及び画素電極間を相互に接続するための接続領域においては、遮光膜からなる容量線に切り欠き部が設けられている。よって、当該接続領域をそのまま放置しておいたのでは、そこで光漏れが生じ、薄膜トランジスタのチャネル領域やその隣接領域に光が入射しかねない。しかるに本発明では、当該接続領域に、画素電位側容量電極及び前記画素電極間を中継接続すると共に第２遮光膜からなる単一層中継層を更に備えており、これが切り欠き部を覆うので、接続領域での光漏れを効率的に防止できる。よって、薄膜トランジスタの特性変化によりフリッカー等を引き起こす事態を効果的に未然防止できる。単一層中継層は、例えば、平面的に見て矩形の接続領域を覆う矩形の島状の遮光膜片であって、データ線から分離されてなる。そして特に、単一層中継層は、データ線と同じく第２遮光膜からなるので、これらを、例えばＷ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）系などの、例えばＩＴＯからなる第２透明膜に対する化学安定性に優れた材料から形成すれば、単一層中継層における電蝕を効果的に防止できる。加えて、単一層中継層は、データ線と同じく第２遮光膜からなるため、単一層中継層及びデータ線の両者を同一工程で同一膜、即ち第２遮光膜からパターニングによって同時形成できる。このように基板上における積層構造及び製造プロセスの複雑化を回避できる。
【００２７】
以上の結果、本発明の電気光学装置によれば、比較的簡単な構成によって、耐光性を効率的に高めることができ、高品位の画像表示が可能となる。
【００２８】
本発明の第２電気光学装置の一態様では、前記画素電極は、ＩＴＯからなり、前記第２遮光膜は、高融点金属を含む金属単体、合金又は金属シリサイド、金属窒化膜からなる。
【００２９】
この態様によれば、例えばＩＴＯと接触させてもＡｌに比べて電蝕を起こし難い高融点金属を含む金属単体、合金又は金属シリサイド、金属窒化膜からなる第２遮光膜を形成することが可能となる。ＩＴＯからなる第２透明膜とＡｌとを直接接触させたのでは電蝕が発生することが確認されており、このように高融点金属を含んでなる第２遮光膜を中継層として利用することは実践上大変有利である。
【００３０】
本発明の第１又は第２電気光学装置の他の態様では、前記基板に対向する対向基板と、前記基板及び前記対向基板間に挟持された電気光学物質層とを更に備える。
【００３１】
この態様によれば、一対の基板及び対向基板間に電気光学物質層が挟持されてなる、液晶装置等の電気光学装置を実現できる。
【００３２】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を具備する。
【００３３】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の第１又は第２電気光学装置を具備して構成されているので、画素ムラやフリッカが低減されており、表示品質に優れた、プロジェクタ、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００３４】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００３６】
（第１実施形態）
先ず本発明の第１実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図１から図３を参照して説明する。図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ’断面図である。尚、図３においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００３７】
図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。
【００３８】
図２において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
【００３９】
また、半導体層１ａのうち図２中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極を含む。走査線３ａは、チャネル領域１ａ’に対向するゲート電極部分が幅広に構成されている。
【００４０】
このように、走査線３ａとデータ線６ａの本線部６１ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａの一部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００４１】
蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００４２】
容量線３００は、例えば金属又は合金を含む導電性の遮光膜からなり上側遮光膜（内蔵遮光膜）の一例を構成すると共に固定電位側容量電極としても機能する。容量線３００は、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。容量線３００は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の他の金属を含んでもよい。但し、或いは、容量線３００は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜と高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜とが積層された多層構造を持ってもよい。
【００４３】
他方、中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての容量線３００とＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは上側遮光膜の他の例としての機能を持ち、更に、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能を持つ。但し、中継層７１も、容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜若しくは多層膜から構成してもよい。
【００４４】
容量線３００は平面的に見て、走査線３ａに沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重なる個所が図２中上下に突出している。そして、図２中縦方向に夫々延びるデータ線６ａと図２中横方向に夫々延びる容量線３００とが相交差して形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の上側に、平面的に見て格子状の上側遮光膜（内蔵遮光膜）が構成されており、各画素の開口領域を規定している。
【００４５】
ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設けられている。下側遮光膜１１ａは、前述の如く上側遮光膜の一例を構成する容量線３００と同様に、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ、Ａｇ等の他の金属を含んでなる。
【００４６】
従って本実施形態では、比較的層間距離の小さい下側遮光膜１１ａと、前述の如く容量線３００、中継層７１及びデータ線６ａからなる格子状の上側遮光膜との間に半導体層１ａを挟持する構成が得られるので、入射光及び戻り光に対して、基本的に非常に高い遮光性能が得られる。
【００４７】
容量電極としての中継層７１と容量線３００との間に配置される誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ（ナノメートル）程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。
【００４８】
また容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。係る定電位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号を走査線３ａに供給するための後述の走査線駆動回路や画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路を制御する後述のデータ線駆動回路に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。更に、下側遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００４９】
図２及び図３に示すように、本実施形態では特に、画素電極９ａは、第２層間絶縁膜４２上に積層された多層中継層４０２及び第１層間絶縁膜４１上に積層された中継層７１を中継することにより、コンタクトホール８５及び８３を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【００５０】
中継層７１は、蓄積容量７０の画素電位側容量電極としての機能及び光吸収層としての機能に加えて、画素電極９ａをＴＦＴ３０へ中継接続する機能を果たす。
【００５１】
多層中継層４０２は、データ線６ａと同一の多層構造を有する。即ち、多層中継層４０２及びデータ線６ａは夫々、例えばＡｌ等の導電性に優れた第１膜４５０と、例えば画素電極９ａを構成するＩＴＯとの電気化学的相性が良い材料からなる第２膜４５２との二層を含む多層構造を有する。Ａｌ等からなる第１膜４５０の存在によって、データ線６ａ及び多層中継層４０２の低抵抗化を図ることができる。同時に、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、金属窒化膜等など、ＩＴＯとの電気化学的相性が良い材料からなる第２膜４５２の存在によって、多層中継層４０２における電蝕を効果的に防止できる。より具体的には、ＩＴＯに対しては、Ａｌの電気陰性度がマイナスに高く活性であるため、Ａｌでは電蝕が起き易いのに対し、ＴｉＮ（窒化チタン）やＴｉ、Ｗ、ＷＳｉ等であればこのような電蝕は殆ど起きない。
【００５２】
このように多層中継層４０２及び中継層７１を利用すれば、層間距離が例えば２０００ｎｍ程度に長くても、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつコンタクトホール及び溝で両者間を良好に接続でき、画素開口率を高めること可能となり、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。さらに、画素電位容量電極と画素電極とのコンタクト抵抗を下げる効果を持ち合わせ、トランジスタのＯＮ電流を約５０％程度向上させ、結果としてコントラストを向上することができる。
【００５３】
このような多層中継層４０２のコンタクトホール８５付近における遮光機能については、図４から図７を参照して後に詳述する。
【００５４】
図２及び図３に示すように、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００５５】
ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００５６】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００５７】
対向基板２０には、格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、前述の如く上側遮光膜を構成する容量線３００及びデータ線６ａと共に当該対向基板２０上の遮光膜により、対向基板２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入するのを、より確実に阻止できる。更に、このような対向基板２０上の遮光膜は、少なくとも入射光が照射される面を高反射な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。
【００５８】
このように構成された、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。
【００５９】
更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００６０】
図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００６１】
走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００６２】
第１層間絶縁膜４１上には中継層７１及び容量線３００が形成されており、これらの上には、コンタクトホール８１及び８５が各々開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【００６３】
本実施形態では特に、第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａ及び多層中継層４０２が、同一の多層膜、即ち第１膜４５０及び第２膜４５２から形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられている。
【００６４】
次に、多層中継層４０２によるコンタクトホール８５付近における遮光機能について図４から図７並びに図２を参照して説明する。図４は、図２のＢ−Ｂ’断面図であり、図５は、図２のＣ−Ｃ’断面図である。更に、図６は、比較例におけるコンタクトホール８５及びその周辺における遮光の様子を示す図式的部分斜視図であり、図７は、本実施形態におけるコンタクトホール８５及びその周辺における遮光の様子を示す図式的部分斜視図である。尚、図４及び図５においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００６５】
先ず本実施例では、本発明に係る「第１遮光膜」は、容量線３００を構成する高融点金属膜等に対応しており、本発明に係る「第１透明膜」は、中継層７１を構成するポリシリコン膜等に対応しており、本発明に係る「第２遮光膜」は、データ線６ａを構成するＡｌ膜等に対応しており、本発明に係る「第２透明膜」は、画素電極９ａを構成するＩＴＯ膜等に対応している。
【００６６】
図４及び図５並びに図２に示すように、コンタクトホール８５付近では、遮光膜として機能する容量線３００には、コンタクトホール８５を避けるように切り欠き部３００ｃが設けられている。このような切り欠き部３００ｃは、画素電位側容量電極としての中継層７１と画素電極９ａとを接続するために必要である。
【００６７】
ここで、中継層７１及び画素電極９ａは夫々透明膜からなるのに対して、容量線３００及びデータ線６ａは夫々遮光膜からなるので、これら容量線３００及びデータ線６ａの存在によって各画素の非開口領域における光漏れを基本的に防止できる。但し、コンタクトホール８５付近における接続領域においては、遮光膜からなる容量線３００に切り欠き部３００ｃが設けられている。
【００６８】
よって図６に比較例として示したように、そのままでは、大部分の垂直な入射光Ｌ０や、大部分の斜めの入射光Ｌ１については、容量線３００によって、遮光が可能であるが、切り欠き部３００ｃに入射する入射光Ｌ２については、切り欠き部３００ｃを通過するので、光漏れが生じる。その結果、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’或いはその隣接領域たる低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン１ｃに光が入射しかねない。
【００６９】
しかるに本実施形態では図４及び図５並びに図２に示すように、切り欠き部３００ｃを覆うように、平面形状が切り欠き部３００ｃの平面形状に対して全方位に渡って大きい、即ち一回り大きい矩形状の多層中継層４０２が設けられている。例えば、多層中継層４０２の張り出し量ｂ（図４参照）は、切り欠き部３００ｃの逃げ量ａに対してｂ≧ａの関係がよく、望ましくはｂ＞ａとして、ｂはアライメントのずれ量分大きくすると良い。
【００７０】
このため図７に示すように、大部分の垂直な入射光Ｌ０や、大部分の斜めの入射光Ｌ１については、容量線３００によって、遮光が可能であり、しかも、切り欠き部３００ｃに入射しようとする入射光Ｌ２については、その前段階で、多層中継層４０２によって遮光が可能である。その結果、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’或いはその隣接領域たる低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン１ｃに光が入射する事態を未然防止できる。よって、ＴＦＴ３０の特性変化によりフリッカー等を引き起こす事態を効果的に未然防止できる。
【００７１】
そして特に、多層中継層４０２は、データ線６ａと同じ積層構造を有している。即ち、Ａｌ膜等の導電性に優れた第１膜４５０と、高融点金属膜等のＩＴＯとの電気化学的相性に優れた第２膜４５２とを含む多層構造を有する。よって、配線として或いは中継配線として必要な導電性については、概ね第１膜４５０の存在により得ることができ、同時に、ＩＴＯによる電蝕については、第２膜４５２の存在により効果的に防止できる。
【００７２】
本実施形態では、第２層４５２は、例えば、ＯＤ値が、２．０以上であり、好ましくは４．０以上である。このように構成すれば、切り欠き部３００ｃにおける遮光性能を実用上十分なレベルに向上させられる。
【００７３】
加えて、これらの多層中継層４０２及びデータ線６ａを、同一多層膜から形成すればよいので、これら両者を同一工程で同一膜によって同時形成できる。即ち、第１層４５０及び第２層４５２をスパッタリング、ＣＶＤ等により連続して成膜した後に、１回のパターニングによってデータ線６ａ及び多層中継層４０２を同時に形成できる。尚、このようなＡｌからなる第１層４５０上に積層する第２層４５２は、Ａｌ溶融温度よりも低い温度で形成するのが好ましい。
【００７４】
但し、データ線６ａについては、画素電極９ａと接触しないので、第１膜４５０のみから形成してもよい。即ち、この場合には、第２層４５２のパターニングは、データ線６ａと別個に行われる。
【００７５】
本実施形態では特に、コンタクトホール８５は、第３層間絶縁膜４３及び第２層間絶縁膜４２の両者を貫通しているので、コンタクトホール８５を形成するための接続領域を相対的に小さくすることができ、これに応じて、容量線３００の切り欠き部３００ｃ或いはこれを覆う多層中継層４０２の大きさを小さくできる。
【００７６】
ここで図８及び図９を参照して、本実施形態の変形形態について説明を加える。尚、図８及び図９は夫々、本実施形態に係る図２のＣ−Ｃ’断面に対応する個所における変形形態の部分断面図である。
【００７７】
先ず図８に示すように、本実施形態の一変形形態として、このようなコンタクトホール８５に代えて、第３層間絶縁膜４３の表面から第２層間絶縁膜４２上の多層中継層４０２に至るコンタクトホール８５ａと第２層間絶縁膜４２の表面から第１層間絶縁膜４１上の中継層７１に至るコンタクトホール８５ｂとを相異なる平面位置に開孔することも可能である。このように構成すれば、第３層間絶縁膜４３及び第２層間絶縁膜４２を一まとめにして貫通する深いコンタクトホール８５を開孔する際の技術的困難性を回避しつつ、これら二つのコンタクトホール８５ａ及び８５ｂによって、比較的容易に画素電極９ａ及び中継層７１間の電気的接続を実現できる。
【００７８】
或いは図９に示すように、本実施形態の他の変形形態として、このようなコンタクトホール８５に代えて、第３層間絶縁膜４３の表面から第２層間絶縁膜４２上の多層中継層４０２に至るコンタクトホール８５ｃと第２層間絶縁膜４２の表面から第１層間絶縁膜４１上の中継層７１に至るコンタクトホール８５ｄとを、同一平面位置に開孔することも可能である。上述した実施形態によれば、コンタクトホール８５が深いと、その開孔時にエッチングによって多層中継層４０２を削ってしまう可能性がある。これに対して、本変形形態によれば、第３層間絶縁膜４３をコンタクトホール８５ｄ内に若干残してコンタクトホール８５ｃを開孔するので、コンタクトホール８５ｃの開孔時にエッチングによって多層中継層の第２膜４５２を削ってしまう可能性を低減できる。
【００７９】
以上説明した本実施形態では、図３に示したように多数の所定パターンの導電層を積層することにより、画素電極９ａの下地面（即ち、第３層間絶縁膜４３の表面）におけるデータ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が生じるのを、第３層間絶縁膜４３の表面を平坦化処理することで緩和している。例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等で研磨することにより、或いは有機ＳＯＧ(Spin On Glass)を用いて平らに形成することで緩和している。このように配線、素子等が存在する領域と存在しない領域との間における段差を緩和することにより、最終的には段差に起因した液晶の配向不良等の画像不良を低減できる。但し、このように第３層間絶縁膜４３に平坦化処理を施すのに代えて又は加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２のうち少なくとも一つに溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより平坦化処理を行ってもよい。
【００８０】
以上図１から図９を参照して説明したように、本実施形態の電気光学装置によれば、高い遮光性能を実現でき、最終的には、強力な入射光を用いつつトランジスタ特性に優れたＴＦＴ３０を用いたアクティブマトリクス駆動方式により、高品位の画像表示が可能となる。
【００８１】
尚、以上説明した実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。
【００８２】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態における電気光学装置について、図１０を参照して説明する。図１０は、第１実施形態に係る図２のＣ−Ｃ’断面に対応する個所における第２実施形態の部分断面図である。尚、図１０において図５に示した第１実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００８３】
図１０に示すように、第２実施形態では、第１実施形態における多層中継層４０２に代えて、単一層中継層６ｂを備えて構成されている。データ線は、単一中継層６ｂと同一層からなる。単一中継層６ｂは、第１実施形態における第２層４５２と同じく、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等、金属窒化膜など、ＩＴＯとの電気化学的相性が良い材料からなる。その他の構成については、上述した第１実施形態の場合と同様である。
【００８４】
従って第２実施形態によれば、切り欠き部３００ｃにおける光漏れを効率的に防止できる。しかも、単一層中継層６ｂは、ＩＴＯとの電気化学的相性が良い材料からなるので、当該単一層中継層６ｂにおけるＩＴＯによる電蝕を効果的に防止できる。加えて、単一層中継層６ｂ及びデータ線の両者を同一工程で同一膜によって同時形成できる。
【００８５】
ここで図１１を参照して、本実施形態の変形形態について説明を加える。尚、図１１は、本実施形態に係る図１０に対応する個所における変形形態の部分断面図である。
【００８６】
図１１に示すように、本実施形態の一変形形態として、第２層間絶縁膜４２上の単一中継層６ｂに代えて、第３層間絶縁膜４３上の単一中継層６ｃを用いて画素電極９aと中継層７１とを相互に電気的接続することも可能である。この場合にも、単一中継層６ｃを構成する材料としては、上述した第２実施形態における単一中継層６ｂの場合と同様に、例えばＴｉなどの各種導電性金属等を採用可能である。このように構成し、ＩＴＯ膜をパターニングして画素電極９ａをドライエッチングで形成すれば、例えばＴｉからなる単一中継層６ｃがアンダーカットされる事態を効果的に未然防止できる。
【００８７】
（電気光学装置の全体構成）
以上のように構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成を図１２及び図１３を参照して説明する。尚、図１２は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図１３は、図１２のＨ−Ｈ’断面図である。
【００８８】
図１２において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図１３に示すように、図１２に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【００８９】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００９０】
以上図１から図１３を参照して説明した実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００９１】
以上説明した実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。
【００９２】
（電子機器の実施形態）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに図１４は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【００９３】
図１４において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置１００を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【００９４】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう基板装置及び電気光学装置、例えばＥＬ素子を用いた表示パネルもまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】第１実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】第１実施形態における図２のＡ−Ａ’断面図である。
【図４】第１実施形態における図２のＢ−Ｂ’断面図である。
【図５】第１実施形態における図２のＣ−Ｃ’断面図である。
【図６】比較例において画素電位側容量電極を画素電極に接続するコンタクトホール及びその周辺における遮光の様子を示す図式的部分斜視図である。
【図７】第１実施形態において画素電位側容量電極を画素電極に接続するコンタクトホール及びその周辺における遮光の様子を示す図式的部分斜視図である。
【図８】第１実施形態の一変形形態における電気光学装置の図２のＣ−Ｃ’に対応する個所における部分断面図である。
【図９】第１実施形態の他の変形形態における電気光学装置の図２のＣ−Ｃ’に対応する個所における部分断面図である。
【図１０】第２実施形態における電気光学装置の図２のＣ−Ｃ’に対応する個所における部分断面図である。
【図１１】第２実施形態の一変形形態における電気光学装置の図１０に対応する個所における部分断面図である。
【図１２】実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図１３】図１２のＨ−Ｈ’断面図である。
【図１４】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
１ａ…半導体層
１ａ’…チャネル領域
１ｂ…低濃度ソース領域
１ｃ…低濃度ドレイン領域
１ｄ…高濃度ソース領域
１ｅ…高濃度ドレイン領域
２…絶縁膜
３ａ…走査線
６ａ…データ線
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１１ａ…下側遮光膜
２０…対向基板
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
７０…蓄積容量
７１…中継層
７５…誘電体膜
８１、８３、８５…コンタクトホール
３００…容量線
３００ｃ…切り欠き部
４０２…多層中継層
４５０…第１層
４５２…第２層

Claims (12)

1. 基板上に、
   画素電極と、
   該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタの上層側に配置されており前記薄膜トランジスタに電気的に接続されるデータ線と、
   前記薄膜トランジスタに接続された蓄積容量と、
   前記薄膜トランジスタ及び前記蓄積容量の画素電位側容量電極の上層側であって、該画素電位側容量電極及び前記画素電極間を接続するための接続領域に対応して切り欠き部が設けられた容量線と
   を備えており、
   前記容量線及び前記データ線は、夫々導電性の遮光膜からなり、
   前記接続領域に、前記画素電位側容量電極及び前記画素電極間を中継接続すると共に、前記データ線と同一膜からなる多層中継層が設けられており、
   前記多層中継層は、前記容量線の切り欠き部より一回り大きく形成されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記容量線は、前記蓄積容量の固定電位側容量電極を含んでおり、
   前記画素電位側容量電極及び前記画素電極は、夫々導電性の透明膜からなり、
   前記多層中継層は、第１層と該第１層の上層側に積層され且つ前記第１層に比べて前記前記画素電極に対する化学的安定性の高い導電性の第２層とを含む積層構造であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記データ線は、前記多層中継層と同一の積層構造を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記薄膜トランジスタと前記画素電位側容量電極との間には、第１層間絶縁膜が積層されており、
   前記容量線と前記データ線との間には、第２層間絶縁膜が積層されており、
   前記データ線と前記画素電極との間には、第３層間絶縁膜が積層されており、
   前記薄膜トランジスタと前記画素電位側容量電極とは、前記第１層間絶縁膜に開孔された第１コンタクトホールを介して接続されており、
   前記画素電位側容量電極と前記多層中継層とは、前記第２層間絶縁膜に開孔された第２コンタクトホールを介して接続されており、
   前記多層中継層と前記画素電極とは、前記第３層間絶縁膜に開孔された第３コンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記第３コンタクトホールは、前記第２コンタクトホール内に延びるように開孔されており、
   前記第２コンタクトホール内において、前記画素電位側容量電極、前記多層中継層及び前記画素電極は直接積層されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記第２コンタクトホールと前記第３コンタクトホールとは、同軸的に開孔されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記画素電極は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなり、
   前記第１層は、Ａｌ（アルミニウム）からなり、
   前記第２層は、高融点金属を含む金属単体、合金又は金属シリサイド、金属窒化膜からなることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
8. 前記第２層は、ＯＤ（Optical Density）値が、２．０以上であることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
9. 基板上に、
   画素電極と、
   該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタの上層側に配置されており前記薄膜トランジスタに電気的に接続 されるデータ線と、
   前記薄膜トランジスタに接続された蓄積容量と、
   前記薄膜トランジスタ及び前記蓄積容量の画素電位側容量電極の上層側であって、該画素電位側容量電極及び前記画素電極間を接続するための接続領域に対応して切り欠き部が設けられた容量線と
   を備えており、
   前記容量線及び前記データ線は、夫々導電性の遮光膜からなり、
   前記接続領域に、前記画素電位側容量電極及び前記画素電極間を中継接続すると共に、前記データ線と同一膜からなる単一層中継層が設けられており、
   前記単一層中継層は、前記容量線の切り欠き部より一回り大きく形成されていることを特徴とする電気光学装置。
10. 前記画素電極は、ＩＴＯからなり、
    前記データ線は、高融点金属を含む金属単体、合金又は金属シリサイド、金属窒化膜からなることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
11. 前記基板に対向する対向基板と、
    前記基板及び前記対向基板間に挟持された電気光学物質層と
    を更に備えたことを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
12. 請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

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