CN1264060C - 电光学装置和电子设备 - Google Patents

电光学装置和电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN1264060C
CN1264060C CNB031459099A CN03145909A CN1264060C CN 1264060 C CN1264060 C CN 1264060C CN B031459099 A CNB031459099 A CN B031459099A CN 03145909 A CN03145909 A CN 03145909A CN 1264060 C CN1264060 C CN 1264060C
Authority
CN
China
Prior art keywords
photomask
tft
pixel electrode
layer
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB031459099A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1470928A (zh
Inventor
河田英德
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1470928A publication Critical patent/CN1470928A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1264060C publication Critical patent/CN1264060C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/02—Function characteristic reflective

Abstract

一种电光学装置，在TFT阵列基板上具备像素电极、与其连接的TFT、以及与其连接的扫描线和数据线。而且，具备具有作为存储电容的像素电位侧电容电极功能的中继层、以及包含通过电介质膜与其相对配置的固定电位侧电容电极的电容线。如覆盖电容线的切口部那样，连接中继层和像素电极的多层中继层，从与数据线相同的多层膜设置。该多层膜上侧的膜由与下侧的膜相比难以被像素电极的ITO电蚀的材料构成。

Description

电光学装置和电子设备
技术领域
本发明涉及有源矩阵驱动方式的液晶装置等的电光学装置和具备该电光学装置构成的电子设备的技术领域，特别涉及在基板上的层积结构中具备像素开关用的薄膜晶体管(以下适当称为TFT)的形式的电光学装置的
技术领域。
背景技术
在TFT有源矩阵驱动形式的电光学装置中，如果入射光照射到设置于各像素的像素开关用TFT的沟道区域，则因光产生的激励而产生光漏泄电流，TFT的特性发生变化。特别是在投影机的用于光阀的电光学装置的情况下，由于入射光的强度大，所以对TFT的沟道区域、其周围区域等进行入射光的遮光是重要的。因此，以往通过对设置于对置基板的各像素的开口区域进行规定的遮光膜，或者在TFT阵列基板上通过TFT之上并且由Al(铝)等金属膜构成的数据线，构成使得对这样的沟道区域、其周边区域等进行遮光。而且，在与TFT阵列基板上的TFT的下侧相对的位置上，例如还设置由高熔点金属构成的遮光膜。这样，如果在TFT的下侧也设置遮光膜，则可预先防止来自TFT阵列基板侧的背面反射光、在通过棱镜等组合多个电光学装置构成一个光学系统的情况下从其他电光学装置穿过棱镜等的投射光等的返回光入射到该电光学装置的TFT。
另一方面，在这种电光学装置中，以下技术十分普遍：例如在各像素中制作由连接到TFT的漏极电极或像素电极的像素电位侧电容电极、以及通过电介质膜与其相对配置的固定电位侧电容电极构成的存储电容，使得在TFT为导通状态时，使通过它施加在像素电极上的图像信号的电压保持时间远大于TFT成为导通状态的时间。
但是，如果在基板上的层积结构内作入存储电容，一般需要通过在该层积结构内开孔的接触孔来连接其像素电位侧电容电极和像素电极、TFT等。因此，由于使通过该接触孔连接的TFT和像素电极间的遮光膜或数据线避开接触孔来形成，所以产生在接触孔及其周边遮光性能下降的问题。即，入射到接触孔及其周边的入射光，到达TFT的沟道区域、其周边区域等而未被遮光膜或数据线等遮光，使TFT的特性变化或劣化，存在成为闪烁等原因的问题。
发明内容
本发明鉴于上述问题，提供了一种抗光性优良、可进行高质量的图像显示的电光学装置及具备该电光学装置构成的电子设备。
为了解决上述课题，本发明的电光学装置包括：设置于基板上的像素电极；对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，用于通过所述薄膜晶体管将图像信号供给所述像素电极的数据线；配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，连接在所述薄膜晶体管和所述像素电极之间的存储电容的像素电位侧电容电极；以及包含在该像素电位侧电容电极的上层一侧通过电介质膜与其相对配置、同时与用于连接所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间的连接区域相对应设置有切口部的固定电位侧电容电极的电容线。所述像素电位侧电容电极由导电性的第1透明膜构成；所述电容线由导电性的第1遮光膜构成；所述数据线由导电性的第2遮光膜构成；所述像素电极由导电性的第2透明膜构成。而且，在所述连接区域中，还具备多层中继层，该多层中继层对所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间进行中继连接，同时具有包含由所述第2遮光膜构成的第1层和层积于该第1层的上层一侧并且与所述第2遮光膜相比对所述第2透明膜的化学稳定性高的导电性的第2层的层积结构，平面地看具有覆盖所述切口部的平面形状。
根据本发明的电光学装置，例如如果通过扫描线将扫描信号供给薄膜晶体管的栅极，同时通过数据线将图像信号供给薄膜晶体管，则通过薄膜晶体管的开关控制，可以对像素电极进行有源矩阵驱动。这里，在像素电极上，连接有将像素电位侧电容电极和固定电位侧电容电极相对配置形成的存储电容，所以可以长时间保持写入到像素电极的图像信号。相对于像素电位侧电容电极和像素电极分别由透明膜构成，电容线和数据线分别由遮光膜构成，由于这些遮光膜的存在，基本上可以防止各像素的非开口区域中的漏光。但是，在用于将像素电位侧电容电极和像素电极间相互连接的连接区域中，在由遮光膜构成的电容线中设置有切口部。因此，由于将该连接区域原封不动放置，所以在那里产生漏光，光很可能入射到薄膜晶体管的沟道区域、其相邻区域等。因此，在本发明中，在该连接区域中，还具备将像素电位侧电容电极和像素电极间中继连接、同时包含两片遮光膜的多层中继层，该多层中继层覆盖切口部，所以可以高效率地防止连接区域中的漏光。因此，可以有效地预先防止因薄膜晶体管的特性变化而引起闪烁的情况。多层中继层，例如是从平面观察为覆盖矩形的连接区域的矩形岛状的遮光膜片，其第1层被从数据线分离。
而且，多层中继层具有层积结构，包含：由与数据线相同的第2遮光膜构成的第1层；以及与该第2遮光膜相比，对形成像素电极的第2透明膜的化学稳定性强的导电性的第2层。例如，作为第2遮光膜，由电阻低的Al膜形成数据线，作为第2透明膜，由ITO膜形成像素电极的情况那样，即使是将第2遮光膜和第2透明膜直接接触，选择缺乏化学稳定性、可引起电蚀的材料情况，如果将多层中继层的第2层例如由氮化钛等的Ti(钛)、W(钨)系等、对第2透明膜有优良的化学稳定性的材料形成，则也可以有效地防止这样的电蚀。此外，构成多层中继层的第1层由与数据线相同的第2遮光膜构成，所以可以用相同工序通过从相同膜、即第2遮光膜图案形成(パタ一ニング)来同时形成第1层和数据线两者。这样，可以避免基板上的层积结构和制造过程的复杂化。
再有，本发明的“第1遮光膜”和“第2遮光膜”意味着如果可将该电光学装置中的入射光遮光至对薄膜晶体管没有的实际危害的程度就足够了，与遮光的光量相比，意味着包含透过很少或极少的光的遮光膜。相反，本发明的“第1透明膜”和“第2透明膜”意味着如果可将该电光学装置中的入射光透过至可以用于显示的程度就足够，与透过的光量相比，意味着包含很少或极少的光被遮光的透明膜或半透明膜。
以上的结果，根据本发明的电光学装置，通过比较简单的结构，可以高效率地提高抗光性，可以进行高质量的图像显示。
在本发明的电光学装置的一方式中，所述多层中继层平面地观察大于所述切口部。
根据该方式，通过比切口部大的多层中继层，可以更可靠地防止该切口部附近、即连接区域中的漏光。特别是从平面观察，如果形成多层中继层使得对于切口部的轮廓在全方位上具有大的、即大一圈的轮廓，则可以更可靠地防止漏光。而且，即使存在倾斜的入射光的情况下，通过比切口部大的多层中继层，可以靠地进行遮光。此时，对于将多层中继层形成多大的程度而言，以使各像素的开口区域不非常窄作为条件，考虑倾斜的入射光的角度、光强度或各层的图案形成精度等，分别具体地确定，使得可遮光倾斜的入射光就可以。
在本发明的电光学装置的另一方式中，所述数据线具有与所述多层中继层相同的层积结构。
根据该方式，数据线与多层中继层相同，有包含第1层和第2层的层积结构。因此，在其制造时，可以用相同工序同时形成数据线和多层中继层两者。即，如果在对包含第1层和第2层的多层膜进行成膜后，进行图案形成，则可通过1次图案形成，同时形成数据线和多层中继层。因此，可以避免基板上的层积结构和制造过程的复杂化。
在本发明的电光学装置的另一方式中，在所述薄膜晶体管和所述第1透明膜之间，层积第1层间绝缘膜；在所述第1遮光膜和所述第2遮光膜之间，层积第2层间绝缘膜；在所述第2遮光膜和所述第2透明膜之间，层积第3层间绝缘膜。而且，所述薄膜晶体管和所述像素电位侧电容电极，通过在所述第1层间绝缘膜中开孔的第1接触孔被连接；所述像素电位侧电容电极和所述多层中继层，通过在所述第2层间绝缘膜中开孔的第2接触孔被连接；所述多层中继层和所述像素电极，通过所述第3层间绝缘膜中开孔的第3接触孔被连接。
根据该方式，像素电位侧电容电极和像素电极，经由第2及第3接触孔，通过配置在第2和第3层间绝缘膜间的多层中继层来进行中继连接。此时，在第1遮光膜的切口部中配置有第2接触孔，所以第1遮光膜的遮光功能在该部分下降，但该部分的遮光性能可通过覆盖切口部的多层中继层得到充分补充。
在该方式中，优选地构成为所述第3接触孔被开孔使得延伸到所述第2接触孔内；在所述第2接触孔内，直接层积第1透明膜、所述多层中继层和所述第2透明膜。
根据这样的结构，在比较小的连接区域中，也可使用多层中继层，可靠地将像素电位侧电容电极和像素电极进行中继连接。
在该情况下，优选地构成为将所述第2接触孔和所述第3接触孔同轴地开孔。
根据这样的结构，通过同轴开孔的第2和第3接触孔，由多层中继层进行中继连接的结构，可以减小基板区域上占有的连接区域。
在本发明的电光学装置的另一方式中，所述第2透明膜由ITO(IndiumTin Oxide)构成；所述第1层由Al(铝)构成；所述第2层由包含高熔点金属的金属单体、合金或金属硅化物、金属氮化物构成。
根据该方式，即使与ITO接触，也可以形成由含有与Al相比，难以引起电蚀的高熔点金属的金属单体、合金或金属硅化物、金属氮化物构成的第2层。高熔点金属，例如可列举Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)、Pd(钯)等。特别是因为使由ITO构成的第2透明膜和由Al构成的第1层直接接触，可确认发生了电蚀，利用这样的多层中继层的事实在实践上十分有利。而且，通过单层结构的中继层，难以在连接区域中同时获得必要的遮光性能和导电性，所以利用这样的多层结构，通过第1层和第2层的组合，十分有利于获得必要的遮光性能和导电性。
再有，优选地层积在这样的由Al构成的第1层上的第2层，以比Al熔融温度低的温度来形成。例如，最好通过溅射、CVD(Chemical VaporDeposition)等低温处理来形成。
在本发明的电光学装置的另一方式中，所述第2层的OD(OpticalDensity，光密度)值在2.0或以上，最好在4.0或以上。
根据该方式，可以将连接区域中遮光性能提高到实用上充分的等级。
为了解决上述课题，本发明的另一电光学装置具备：设置于基板上的像素电极；对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，用于通过所述薄膜晶体管将图像信号供给所述像素电极的数据线。该装置还具备：配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，连接在所述薄膜晶体管和所述像素电极间的存储电容的像素电位侧电容电极；以及包含在该像素电位侧电容电极的上层一侧通过电介质膜与其相对配置、同时与用于连接所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间的连接区域相对应设置有切口部的固定电位侧电容电极的电容线。其中所述像素电位侧电容电极由导电性的第1透明膜构成；所述电容线由导电性的第1遮光膜构成；所述数据线由导电性的第2遮光膜构成；所述像素电极由导电性的第2透明膜构成。而且，在所述连接区域中，还具备单层中继层，该单层中继层对所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间进行中继连接，同时由所述第2遮光膜构成，平面地看具有覆盖所述切口部的平面形状。
根据本发明的第2电光学装置，相对于像素电位侧电容电极和像素电极分别由透明膜构成，电容线和数据线分别由遮光膜构成，所以通过它们的存在，可基本上防止各像素的非开口区域中的漏光。
但是，在用于将像素电位侧电容电极和像素电极间相互连接的连接区域中，在由遮光膜构成的电容线中设置有切口部。因此，由于将该连接区域原封不动放置，所以在那里产生漏光，光很可能入射到薄膜晶体管的沟道区域、其相邻区域等。因此，在本发明中，在该连接区域中，还具备将像素电位侧电容电极和像素电极间进行中继连接、同时由第2遮光膜构成的单层中继层，该中继层覆盖切口部，所以可以高效率地防止连接区域中的漏光。因此，可以有效地预先防止由于薄膜晶体管的特性变化引起闪烁等的情况。单层中继层，例如平面观察是覆盖矩形的连接区域的矩形的岛状遮光膜片，与数据线分离。而且，特别是因为单层中继层由与数据线相同的第2遮光膜构成，如果例如由对由W(钨)、Ti(钛)系等的例如ITO构成的第2透明膜有良好化学稳定性的材料来形成它们，则可以有效地防止单层中继层的电蚀。此外，单层中继层由与数据线相同的第2遮光膜构成，所以可以在相同工序中通过对相同膜、即第2遮光膜进行图案形成来同时形成单层中继层和数据线两者。这样，可以避免基板上的层积结构和制造过程的复杂化。
以上的结果，根据本发明的电光学装置，通过比较简单的结构，可以有效地提高抗光性，可以进行高质量的图像显示。
在本发明第2电光学装置的一方式中，所述第2透明膜由ITO构成；所述第2遮光膜由包含高熔点金属的金属单体、合金或金属硅化物、金属氮化膜构成。
根据该方式，例如即使与TIO接触，但仍可形成由包含与Al相比难以引起电蚀的高熔点金属的金属单体、合金或金属硅化物、金属氮化膜构成的第2遮光膜。如果使由ITO构成的第2透明膜和Al直接接触，可确认产生电蚀，这样将含有高熔点金属构成的第2遮光膜用作中继层，在实践上十分有利。
在本发明第1或第2电光学装置的另一方式中，还具备：与所述基板相对的对置基板；以及被夹置在所述基板和所述对置基板间的电光学物质层。
根据该方式，可实现在一对基板和对置基板间夹置电光学物质层的液晶装置等的电光学装置。
为了解决上述课题，本发明的电子设备具备上述本发明的电光学装置(其中，包含其各种方式)。
根据本发明的电子设备，因为具备上述本发明的第1或第2电光学装置构成，所以可实现降低像素不匀、闪烁等、显示质量优良的投影机、液晶电视、便携电话、电子笔记薄、文字处理机、取景器型或监视器直视型的录像机、工作站、电视电话、POS终端、触摸面板等各种电子设备。
本发明的这样的作用和其他优点通过以下说明的实施方式将变得明显。
附图说明
图1是在构成本发明第1实施方式的电光学装置中的图像显示区域的矩阵状的多个像素中设置的各种元件、配线的等效电路。
图2是形成有第1实施方式的电光学装置中的数据线、扫描线、像素电极的TFT阵列基板的相邻的多个像素组的平面图。
图3是第1实施方式的图2的A-A’剖面图。
图4是第1实施方式的图2的B-B’剖面图。
图5是第1实施方式的图2的C-C’剖面图。
图6是表示比较例中将像素电位侧电容电极连接到像素电极的接触孔和其周边的遮光状况的局部示意斜视图。
图7是表示第1实施方式中将像素电位侧电容电极连接到像素电极的接触孔和其周边的遮光状况的局部示意斜视图。
图8是第1实施方式的一变形方式的电光学装置的对应于图2C-C’的部位的局部剖面图。
图9是第1实施方式的另一变形方式的电光学装置的对应于图2C-C’的部位的局部剖面图。
图10是表示第2实施方式的电光学装置的对应于图2C-C’的部位的局部剖面图。
图11是第2实施方式的一变形方式的电光学装置的对应于图10的部位的局部剖面图。
图12是从对置基板侧观察实施方式的电光学装置中的TFT阵列基板连同在其上形成的各种构成要素的平面图。
图13是图12的H-H’剖面图。
图14是表示作为本发明电子设备的实施方式的投射型彩色显示装置一例的彩色液晶投影机的示意剖面图。
符号说明
1a  半导体层
1a’沟道区域
1b  低浓度源极区域
1c  低浓度漏极区域
1d  高浓度源极区域
1e  高浓度漏极区域
2   绝缘膜
3a  扫描线
6a  数据线
9a  像素电极
10  TFT阵列基板
11a 下侧遮光膜
20  对置基板
30  TFT
50  液晶层
70  存储电容
71  中继层
75  电介质膜
81、83、85接触孔
300 电容线
300c切口部
402 多层中继层
450 第1层
452 第2层
具体实施方式
以下，根据附图来说明本发明的实施方式。以下的实施方式是将本发明的电光学装置应用于液晶装置的方式。
第1实施方式
首先，参照图1至图3来说明本发明第1实施方式的电光学装置的像素部的结构。图1是在构成电光学装置的图像显示区域的矩阵状形成的多个像素中的各种元件、配线的等效电路。图2是形成有数据线、扫描线、像素电极的TFT阵列基板的相邻的多个像素组的平面图。图3是图2的A-A’剖面图。再有，在图3中，为了使各层、各部件等在图面上达到可识别程度的大小，对各层、各部件等采用不同的比例尺。
在图1中，在构成本实施方式的电光学装置的图像显示区域的形成为矩阵状的多个像素中，分别形成像素电极9a和用于对该像素电极9a进行开关控制的TFT30，将提供图像信号的数据线6a电连接到该TFT30的源极。写入数据线6a的图像信号S1、S2、…、Sn，可以依次按线顺序供给，也可以对于相邻的多个数据线6a，每个组地供给。此外，将扫描线3a电连接到TFT30的栅极，以规定的定时对扫描线3a依次按线顺序施加脉冲扫描信号G1、G2、…、Gm。将像素电极9a电连接到TFT30的漏极，通过使作为开关元件的TFT30仅在一定期间闭合其开关，以规定的定时写入从数据线6a供给的图像信号S1、S2、…、Sn。通过像素电极9a写入到作为电光学物质一例的液晶上的规定电平的图像信号S1、S2、…、Sn，在后述的对置基板上形成的对置电极之间保持一定期间。液晶，通过因施加的电压电平而变化分子集合的取向、秩序等，对光进行调制，可进行色调显示。如果是常白模式，则按照以像素单位施加的电压来减少对入射光的透过率，如果是常黑模式，则按照以各像素单位施加的电压来增加对入射光的透过率，作为整体，从电光学装置射出具有对应于图像信号的对比度的光。这里，为了防止保持的图像信号漏泄，附加与像素电极9a和对置电极之间形成的液晶电容并联的存储电容70。
在图2中，在电光学装置的TFT阵列基板上，矩阵状地设置多个透明的像素电极9a(通过虚线部9a’来表示其轮廓)，分别沿像素电极9a的纵横边界设置有数据线6a和扫描线3a。
另外，配置扫描线3a使得在半导体层1a中相对于图2中右上的细斜线区域所示的沟道区域1a’，扫描线3a包含栅电极。扫描线3a幅度宽地构成与沟道区域1a’相对的栅电极部分。
这样，分别在扫描线3a和数据线6a的本线部61a的交叉部位，设置有扫描线3a的一部分作为栅电极与沟道区域1a’相对配置的像素开关用TFT30。
通过将作为连接到TFT30的高浓度漏区域1e和像素电极9a的像素电位侧电容电极的中继层71和作为固定电位侧电容电极的电容线300的一部分，以电介质膜75介于中间而相对配置，来形成存储电容70。
电容线300，例如由包含金属或合金的导电性的遮光膜构成，构成上侧遮光膜(内置遮光膜)的一例，同时具有作为固定电位侧电容电极的功能。电容线300，例如由包含Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)、Pd(钯)等高熔点金属中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物、聚硅化物、层积它们的物质等构成。电容线300也可以包含Al(铝)、Ag(银)等其他金属。或者，电容线300例如也可以具有层积由导电性的多晶硅膜等构成的第1膜和由包含高熔点金属的金属硅化物膜等构成的第2膜的多层结构。
另一方面，中继层71例如由导电性的多晶硅膜构成，具有作为像素电位侧电容电极的功能。中继层71除了作为像素电位侧电容电极的功能以外，还具有配置在作为上侧遮光膜的电容线300和TFT30之间、作为光吸收层或上侧遮光膜的其他例子的功能，而且，具有将像素电极9a和TFT30的高浓度漏极区域1e进行中继连接的功能。其中，中继层71也与电容线300同样，由包含金属或合金的单层膜或多层膜构成。
平面地观察，电容线300，沿扫描线3a条带状地延伸，重叠在TFT30上的部位在图2中上下方向上突出。而且，分别在图2中纵方向上延伸的数据线6a和分别在图2中横方向上延伸的电容线300相交叉形成，从而在TFT阵列基板10上的TFT30的上侧，构成平面观察为格子状的上侧遮光膜(内置遮光膜)，规定各像素的开口区域。
在TFT阵列基板10上的TFT30的下侧，格子状地设置下侧遮光膜11a。下侧遮光膜11a与构成上述那样的上侧遮光膜一例的电容线300同样，例如由包含Ti、Cr、W、Ta、Mo等高熔点金属中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物、聚硅化物、层积了它们的物质等构成。或者，也可以包含Al、Ag等其他金属。
因此，在本实施方式中，在层间距离比较小的下侧遮光膜11a和由上述那样的电容线300、中继层71及数据线6a构成的格子状的上侧遮光膜之间，可获得夹置半导体层1a的结构，所以对于入射光和返回光，可基本上获得非常好的遮光性能。
在作为电容电极的中继层71和电容线300之间配置的电介质膜75，例如由膜厚5～200nm(纳米)左右的比较薄的HTO(High TemperatureOxide)膜、LTO(Low Temperature Oxide)膜等的氧化硅膜、或氮化硅膜等构成。
另外电容线300从配置有像素电极9a的图像显示区域延伸到其周围，通过与恒定电位源电连接而成为固定电位。作为这样的恒定电位源，可以是向用于将驱动TFT30的扫描信号供给扫描线3a的后述的扫描线驱动电路、控制将图像信号供给数据线6a的采样电路的后述的数据线驱动电路提供的正电源、负电源等的恒定电位源，也可以是供给到对置基板20的对置电极21上的恒定电位。而且，对于下侧遮光膜11a，为了避免其电位变动对TFT30产生不良影响，与电容线300同样，可以从图像显示区域延伸设置到其周围并连接到恒定电位源。
如图2和图3所示，特别是在本实施方式中，通过将在第2层间绝缘膜42上层积的多层中继层402和在第1层间绝缘膜41上层积的中继层71进行中继，将像素电极9a通过接触孔85及83电连接到半导体层1a中高浓度漏极区域1e。
中继层71，除了作为存储电容70的像素电位侧电容电极的功能和作为光吸收层的功能以外，还具有将像素电极9a向TFT30中继连接的功能。
多层中继层402具有与数据线6a相同的多层结构。即，多层中继层402和数据线6a例如分别具有包含Al等导电性优良的第1膜450、和例如由与构成像素电极9a的ITO电化学的相性良好的材料构成的第2膜452的双层的多层结构。因存在由Al等构成的第1膜450，所以可以实现数据线6a和多层中继层402的低电阻化。同时，因存在例如由包含Ti、Cr、W、Ta、Mo等高熔点金属中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物、金属氮化物膜等与ITO的电化学相性良好的材料构成的第2膜452，所以可以有效地防止多层中继层402中的电蚀。更具体地说，对于ITO，Al的电负性度为负性高活性，所以相对于容易引起电蚀的Al，如果是TiN(氮化钛)、Ti、W、WSi等，则几乎不引起这样的电蚀。
这样，如果利用多层中继层402和中继层71，即使层间距离例如增长至2000nm左右，也可以避免将像素电极9a和TFT30间用一个接触孔连接的技术困难性，并且可以用接触孔和沟将两者间良好地连接，可提高像素开口率，在防止接触孔开孔时的腐蚀穿透上也有效。而且，具有降低像素电位电容电极和像素电极的接触电阻的效果，使晶体管的ON(导通)电流提高约50％左右，其结果，可提高对比度。
关于这样的多层中继层402的接触孔85附近的遮光性能，后面将参照图4至图7详述。
如图2和图3所示，电光学装置具备透明的TFT阵列基板10、和与其相对配置的透明对置基板20。TFT阵列基板10例如由石英基板、玻璃基板、硅基板构成，对置基板20例如由玻璃基板、石英基板等构成。
在TFT阵列基板10中设置像素电极9a，在其上侧设置实施了摩擦(ラビング)处理等的规定的取向处理的取向膜16。像素电极9a例如由ITO(Indium Tin Oxide；氧化铟锡)膜等透明导电性膜构成。而取向膜16例如由聚酰亚胺膜等有机膜构成。
另一方面，在对置基板20中，遍及其整个面设置对置电极21，在其下侧设置实施了摩擦处理等规定的取向处理的取向膜22。对置电极21例如由ITO膜等透明导电性膜构成。而取向膜22由聚酰亚胺膜等有机膜构成。
在对置基板20中，也可以设置格子状或条带状的遮光膜。通过采用这样的结构，通过如上述那样构成上侧遮光膜的电容线300和数据线6a连同该对置基板20上的遮光膜，可以更可靠地阻止来自对置基板20一侧的入射光侵入沟道区域1a’、低浓度源极区域1b及低浓度漏极区域1c等。而且，这样的对置基板20上的遮光膜，通过至少用高反射的膜形成被入射光照射的面，具有防止电光学装置的温度上升的作用。
在使这样构成的像素电极9a和对置电极21面对配置的TFT阵列基板10和对置基板20之间，在由后述的密封材料包围的空间中作为封入电光学物质一例的液晶，形成液晶层50。液晶层50在不施加来自像素电极9a的电场的状态下，由于取向膜16和22取得规定的取向状态。液晶层50例如由混合有一种或多种向列液晶的液晶构成。密封材料使TFT阵列基板10和对置基板20在其周边贴合在一起，例如为光固化性树脂、热固化性树脂等构成的粘结剂，混入有用于使两基板间的距离成为固定值的玻璃纤维或玻璃珠等间隙材料。
而且，在像素开关用TFT30的下面，设置有基底绝缘膜12。基底绝缘膜12除了从下侧遮光膜11a对TFT30进行层间绝缘的功能以外，还具有通过形成在TFT阵列基板10的整个面上，防止TFT阵列基板10的表面研磨时的破裂、以及因清洗后残留的污物等而使像素开关用TFT30特性劣化的功能。
在图3中，像素开关用TFT30具有LDD(Lightly Doped Drain，轻掺杂漏区)结构，具备：扫描线3a、由该扫描线3a的电场形成沟道的半导体层1a的沟道区域1a’、包含对扫描线3a和半导体层1a进行绝缘的栅绝缘膜的绝缘膜2、半导体层1a的低浓度源极区域1b及低浓度漏极区域1c、半导体层1a的高浓度源极区域1d和高浓度漏极区域1e。
在扫描线3a上，形成有分别开孔了通向高浓度源极区域1d的接触孔81和通向高浓度漏极区域1e的接触孔83的第1层间绝缘膜41。
在第1层间绝缘膜41上形成有中继层71和电容线300，在它们之上，形成有分别开孔了接触孔81和接触孔85的第2层间绝缘膜42。
特别是在本实施方式中，在第2层间绝缘膜42上由相同多层膜、即第1膜450和第2膜452来形成数据线6a和多层中继层402，在它们之上形成有形成了通向中继层71的接触孔85的第3层间绝缘膜43。将像素电极9a设置在这样构成的第3层间绝缘膜43的上面。
下面，参照图4至图7以及图2来说明基于多层中继层402的接触孔85附近的遮光功能。图4是图2的B-B’剖面图，图5是图2的C-C’剖面图。而图6是表示比较例的接触孔85和其周边的遮光状况的示意性局部斜视图，图7是表示本实施方式的接触孔85和其周边的遮光状况的示意性局部斜视图。再有，在图4和图5中，为了将各层、各部件等成为在图面上可识别程度的大小，对各层、各部件等比例尺不同。
首先，在本实施例中，本发明的“第1遮光膜”对应于构成电容线300的高熔点金属膜等，本发明的“第1透明膜”对应于构成中继层71的多晶硅膜，本发明的“第2遮光膜”对应于构成数据线6a的Al膜等，本发明的“第2透明膜”对应于构成像素电极9a的ITO膜等。
如图4和图5及图2所示，在接触孔85附近，在具有作为遮光膜功能的电容线300中，设置切口部300c使得避开接触孔85。需要这样的切口部300c，以便将作为像素电位侧电容电极的中继层71和像素电极9a相连接。
这里，相对于中继层71和像素电极9a分别由透明膜构成，因为电容线300和数据线6a分别由遮光膜构成，所以通过这些电容线300和数据线6a的存在，可基本上防止各像素的非开口区域的漏光。但是，在接触孔85附近的连接区域中，在由遮光膜构成的电容线300中设置切口部300c。
因此，如图6中比较例所示那样，对于大部分的垂直入射光L0、大部分的倾斜入射光L1等，照样可通过电容线300进行遮光，但对于入射到切口部300c的入射光L2，由于通过切口部300c，所以产生漏光。其结果，光很可能入射到TFT30的沟道区域1a’或作为其相邻区域的低浓度源极区域1b和低浓度漏极1c。
可是，在本实施方式中，如图4和图5及图2所示，设置平面形状相对于切口部300c的平面形状在全方位上都大的、即大一圈的矩形状的多层中继层402，使得覆盖切口部300c。例如，多层中继层402的伸出量b(参照图4)，与切口部300c的避开量(逃げ量)a相对为b≥a的关系，期望b＞a，b以对准的偏差量大于就可以。
因此，如图7所示，对于大部分的垂直入射光L0、大部分的倾斜入射光L1等，通过电容线300可进行遮光，而且，对于可入射到切口部300c的入射光L2，在其前段，可通过多层中继层402进行遮光。其结果，可以预先防止光入射到TFT30的沟道区域1a’或作为其相邻区域的低浓度源极区域1b和低浓度漏极1c。因此，可以有效地预先防止因TFT30的特性变化而引起闪烁等的情况。
而且特别是，多层中继层402具有与数据线6a相同的层积结构。即，具有包含Al膜等导电性优良的第1膜450、和高熔点金属膜等的与ITO的电化学相性良好的第2膜452的层积结构。因此，通过第1膜450的存在，可获得作为配线或作为中继配线所需要的导电性，同时因存在第2膜452，可以更有效地防止由ITO造成的电蚀。
在本实施方式中，第2层452例如其OD值为2.0或以上，优选地为4.0或以上。根据这样的结构，可将切口部300c中的遮光性能提高到足以实用的水平。
此外，由于可由相同的多层膜形成这些多层中继层402和数据线6a，所以可以在相同工序中由相同的膜同时形成这两者。即，在对第1层450和第2层452通过溅射、CVD等连续成膜后，可通过1次图案形成来同时形成数据线6a和多层中继层402。再有，层积在由Al构成的第1层450上的第2层452，优选地以低于Al熔融温度的温度来形成。
但是，对于数据线6a来说，由于不与像素电极9a接触，所以也可以仅由第1膜450来形成。即，这种情况下，第2层452的图案形成与数据线6a分开进行。
特别是在本实施方式中，因为接触孔85贯通第3层间绝缘膜43和第2层间绝缘膜42两者，所以可以使用于形成接触孔85的连接区域相对地减小，由此，可以减小电容线300的切口部300c或覆盖它的多层中继层402的尺寸。
这里，参照图8和图9，对本实施方式的变形方式进行说明。再有，图8和图9分别是对应于本实施方式的图2的C-C’截面的部位的变形方式的局部剖面图。
首先，如图8所示，作为本实施方式的一变形方式，取代这样的接触孔85，可以将从第3层间绝缘膜43的表面至第2层间绝缘膜42上的多层中继层402的接触孔85c和从第2层间绝缘膜42的表面至第1层间绝缘膜41上的中继层71的接触孔85d开孔于相互不同的平面位置。根据这样的结构，避免开孔一起贯通第3层间绝缘膜43和第2层间绝缘膜42的深的接触孔85时的技术困难性，并且通过这两个接触孔85a和85b，可以比较容易地实现像素电极9a和中继层71间的电连接。
或如图9所示，作为本实施方式的另一变形方式，取代这样的接触孔85，可将从第3层间绝缘膜43的表面至第2层间绝缘膜42上的多层中继层402的接触孔85c和从第2层间绝缘膜42的表面至第1层间绝缘膜41上的中继层71的接触孔85d开孔于同一平面位置。根据上述实施方式，如果接触孔85深，则在其开孔时有可能因腐蚀而削除多层中继层402。相反，根据本变形方式，在接触孔85d内保留若干第3层间绝缘膜43来对接触孔85c进行开孔，所以可以降低接触孔85c的开孔时因腐蚀而削除多层中继层的第2膜452的可能性。
在以上说明的实施方式中，如图3所示，通过对第3层间绝缘膜43的表面进行平坦化处理来缓和因层积多个规定图案的导电层而在沿像素电极9a的基底面(即，第3层间绝缘膜43的表面)的数据线6a、扫描线3a等的区域中产生的台阶差。例如，通过用CMP(Chemical MechanicalPolishing；化学机械研磨)处理等进行研磨，或通过使用有机SOG(SpinOn Glass)平坦地形成来进行缓和。这样，通过缓和存在配线、元件等的区域和不存在的区域之间的台阶差，最终可以降低台阶差引起的液晶取向不良等的图像不良。但是，取代或附加于这样对第3层间绝缘膜43实施平坦化处理，而在TFT阵列基板10、基底绝缘膜12、第1层间绝缘膜41和第2层间绝缘膜42中至少一个上开槽，通过埋入数据线6a等的配线、TFT30等来进行平坦化处理也可以。
如以上参照图1至图9进行的说明，根据本实施方式的电光学装置，可以实现良好的遮光性能，最终通过使用强大的入射光并且使用晶体管特性优良的TFT30的有源矩阵驱动方式，可进行高质量的图像显示。
再有，在以上说明的实施方式中，像素开关用TFT30虽然优选地具有图3所示那样的LDD结构，但也可具有在低浓度源极区域1b和低浓度漏极区域1c中不进行杂质注入的偏置结构，将由扫描线3a的一部分构成的栅电极作为掩模以高浓度注入杂质，自匹配地形成高浓度源极和漏极区域的自对准型的TFT。此外，在本实施方式中，虽然形成将像素开关用TFT30的栅电极仅在高浓度源极区域1d和高浓度漏极区域1e间配置一个的单栅极结构，但也可以在它们之间配置两个或以上的栅电极。这样，以双栅极或三栅极或以上来构成TFT，可以防止沟道和源极及漏极区域的接合部的漏泄电流，可以降低OFF时的电流。
第2实施方式
下面，参照图10来说明本发明第2实施方式的电光学装置。图10是对应于第1实施方式的图2的C-C’截面部位的第2实施方式的局部剖面图。再有，在图10中对与图5所示的第1实施方式相同的结构要素附以同样的参照标号，适当省略它们的说明。
如图10所示，在第2实施方式中，构成具备单层中继层6b，取代第1实施方式中的多层中继层402。数据线由与单层中继层6b相同的层构成。单层中继层6b与第1实施方式中的第2层452相同，由包含Ti、Cr、W、Ta、Mo等高熔点金属中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物等、金属氮化膜等与ITO的电化学相性良好的材料构成。对于其他结构，与上述第1实施方式的情况相同。
因此，根据第2实施方式，可以有效地防止切口部300c的漏光。而且，单层中继层6b由与ITO的电化学相性良好的材料构成，所以可以有效地防止该单层中继层6b中的ITO造成的电蚀。此外，可以在相同的工序中通过相同的膜同时形成单层中继层6b和数据线两者。
这里，参照图11来对本实施方式的变形方式进行说明。再有，图11是本实施方式的对应于图10的部位的变形方式的局部剖面图。
如图11所示，作为本实施方式的一变形方式，也可以使用第3层间绝缘膜43上的单层中继层6c取代第2层间绝缘膜42上的单层中继层6b，将像素电极9a和中继层71相互电连接。在这种情况下，作为构成单层中继层6c的材料，与上述第2实施方式的单层中继层6b的情况同样，例如可采用Ti等各种导电性金属。如果这样地构成，对ITO膜进行图案形成并以干腐蚀来形成像素电极9a，则可以预先有效地防止例如由Ti构成的单层中继层6c被侧蚀(アンダ一カツト)的情况。
电光学装置的整体结构
下面参照图12和图13来说明如上构成的各实施方式中的电光学装置的整体结构。再有，图12是从对置基板20侧观察TFT阵列基板10连同在其上形成的各构成要素的平面图。图13是图12的H-H’剖面图。
在图12中，在TFT阵列基板10上，沿其边缘设置密封材料52，在其内侧并行，设置有作为规定图像显示区域10a的周边的边框的遮光膜53。在密封材料52外侧的区域中，沿TFT阵列基板10的一边设置有数据线驱动电路101和外部电路连接端子102，沿相邻于这一边的两边设置有扫描线驱动电路104，数据线驱动电路通过按规定定时向数据线6a供给图像信号来驱动数据线6a，而扫描线驱动电路通过按规定定时向扫描线3a供给扫描信号来驱动扫描线3a。如果供给扫描线3a的扫描信号延迟不成为问题，则不用说，扫描线驱动电路104仅在单侧也可以。此外，也可以沿图像显示区域10a的边两侧地排列数据线驱动电路101。而且，在TFT阵列基板10的剩余一边中，设置有用于将设置于图像显示区域10a两侧的扫描线驱动电路104间连接的多个配线105。此外，在对置基板20的角部的至少一个部位，设置有用于在TFT阵列基板10和对置基板20之间获得电导通的导通材料106。然后，如图13所示，具有与图12所示密封材料52大致相同轮廓的对置基板20通过该密封材料52被粘着在TFT阵列基板10上。
再有，在TFT阵列基板10上，除了这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等以外，还可以形成按规定的定时向多个数据线6a施加图像信号的采样电路、在图像信号之前向多个数据线6a分别供给规定电压电平的预充电信号的预充电电路、用于检查制造中途、出厂时的该电光学装置的质量、缺陷等的检查电路等。
在以上参照图1至图13说明的实施方式中，例如也可以在封装于TAB(Tape Automated bonding；带式自动键合)基板上的驱动用LSI中，通过设置于TFT阵列基板10周边部的各向异性导电薄膜来进行电气和机械连接，取代将数据线驱动电路101和扫描线驱动电路104设置在TFT阵列基板10上。此外，在对置基板20的投射光入射的一侧和TFT阵列基板10的射出光射出的一侧，例如分别对应于TN(Twisted Nematic；扭转向列)模式、VA(Vertically Aligned；垂直对准)模式、PDL(Polymer DispersedLiquid Crystal)模式等的工作模式、常白模式/常黑模式，将偏振薄膜、相位差薄膜、偏振板等按规定的方向配置。
为了将以上说明的实施方式的电光学装置适用于投影机，将三片的电光学装置分别用作RGB的光阀，在各光阀中，通过各个RGB色分解用的分色镜分解的各色光作为投射光被分别入射。因此，在各实施方式中，在对置基板20上不设置滤色器(カラ一フイルタ)。但是，在相对于像素电极9a的规定区域中也可以将RGB的滤色器和其保护膜一起形成在对置基板20上。这样的话，对于投影机以外的直视型、反射型等的彩色电光学装置，可应用各实施方式的电光学装置。此外，也可以在对置基板20上以1像素对应一个那样来形成微透镜。或者，也可以在TFT阵列基板10上的相对于RGB的像素电极9a下由彩色抗蚀剂等形成滤色器层。这样的话，通过提高入射光的聚光效率，可实现明亮的电光学装置。而且，也可以在对置基板20上，通过堆积几层折射率不同的干涉层，利用光的干涉，形成产生RGB颜色的分色滤光器。根据带有该分色滤光器的对置基板，可实现更明亮的彩色电光学装置。
电子设备的实施方式
以下，说明作为将以上详细说明的电光学装置用作光阀的电子设备一例的投射型彩色显示装置的实施方式，说明其整体结构，特别是光学的结构。这里，图14是投射型彩色显示装置的示意性剖面图。
在图14中，作为本实施方式的投射型彩色显示装置一例的液晶投影机1100，准备三个包含将驱动电路搭载在TFT阵列基板上的液晶装置100的液晶模块，构成分别用作RGB用的光阀100R、100G和100B的投影机。在液晶投影机1100中，如果从金属卤化物灯等白色光源的灯单元1102发出投射光，则通过三片反射镜1106和两片分色镜1108，分成对应于RGB三基色的光分量R、G、B，并分别导入对应于各色的光阀100R、100G和100B。此时，特别是B光，通过由入射透镜1122、中继透镜1123和射出透镜1124构成的中继透镜系统1121来导入，以便防止长光路造成的光损失。然后，由光阀100R、100G和100B分别调制的对应于三基色的光分量，由分色棱镜1112再度合成后，通过投射透镜1114作为彩色图像投射到屏幕1120上。
本发明不限于上述实施方式，在不违反从权利要求范围和说明书整体获得的本发明的主要精神或思想的范围中，可进行适当变更，伴随这样的变更的电光学装置和电子设备，例如使用EL元件的显示面板也包含在本发明的技术范围中。

Claims (14)

1.一种电光学装置，其特征在于，具备：
设置于基板上的像素电极；
对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；
配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，用于通过所述薄膜晶体管将图像信号供给所述像素电极的数据线；
配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，连接在所述薄膜晶体管和所述像素电极之间的存储电容的像素电位侧电容电极；以及
包含在该像素电位侧电容电极的上层一侧通过电介质膜与其相对配置、同时与用于连接所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间的连接区域相对应设置有切口部的固定电位侧电容电极的电容线；
其中，所述像素电位侧电容电极由导电性的第1透明膜构成；
所述电容线由导电性的第1遮光膜构成；
所述数据线由导电性的第2遮光膜构成；
所述像素电极由导电性的第2透明膜构成；
在所述薄膜晶体管和所述第1透明膜之间，层积第1层间绝缘膜；
在所述第1遮光膜和所述第2遮光膜之间，层积第2层间绝缘膜；
在所述第2遮光膜和所述第2透明膜之间，层积第3层间绝缘膜；
在所述连接区域中，还具备多层中继层，该多层中继层对所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间进行中继连接，同时具有包含由所述第2遮光膜构成的第1层和层积于该第1层的上层一侧并且与所述第2遮光膜相比对所述第2透明膜的化学稳定性高的导电性的第2层的层积结构，平面地看具有覆盖所述切口部的平面形状。
2.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，所述多层中继层，平面地看大于所述切口部。
3.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，所述数据线具有与所述多层中继层相同的层积结构。
4.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
所述薄膜晶体管和所述像素电位侧电容电极，通过在所述第1层间绝缘膜中开孔的第1接触孔被连接；
所述像素电位侧电容电极和所述多层中继层，通过在所述第2层间绝缘膜中开孔的第2接触孔被连接；
所述多层中继层和所述像素电极，通过所述第3层间绝缘膜中开孔的第3接触孔被连接。
5.根据权利要求4所述的电光学装置，其特征在于，所述第3接触孔被开孔使得延伸到所述第2接触孔内；
在所述第2接触孔内，直接层积第1透明膜、所述多层中继层和所述第2透明膜。
6.根据权利要求5所述的电光学装置，其特征在于，所述第2接触孔和所述第3接触孔被同轴地开孔。
7.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，所述第2透明膜由ITO构成；
所述第1层由Al构成；
所述第2层由包含高熔点金属的金属单体、合金或金属硅化物、金属氮化物构成。
8.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，所述第2层的光密度值是2.0或以上。
9.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，还具备：
与所述基板相对的对置基板；以及
被夹置在所述基板和所述对置基板间的电光学物质层。
10.一种电光学装置，其特征在于，具备：
设置于基板上的像素电极；
对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；
配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，用于通过所述薄膜晶体管将图像信号供给所述像素电极的数据线；
配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，连接在所述薄膜晶体管和所述像素电极间的存储电容的像素电位侧电容电极；以及
包含在该像素电位侧电容电极的上层一侧通过电介质膜与其相对配置、同时与用于连接所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间的连接区域相对应设置有切口部的固定电位侧电容电极的电容线；
其中所述像素电位侧电容电极由导电性的第1透明膜构成；
所述电容线由导电性的第1遮光膜构成；
所述数据线由导电性的第2遮光膜构成；
所述像素电极由导电性的第2透明膜构成；
在所述薄膜晶体管和所述第1透明膜之间，层积第1层间绝缘膜；
在所述第1遮光膜和所述第2遮光膜之间，层积第2层间绝缘膜；
在所述第2遮光膜和所述第2透明膜之间，层积第3层间绝缘膜；
在所述连接区域中，还具备单层中继层，该单层中继层对所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间进行中继连接，同时由所述第2遮光膜构成，平面地看具有覆盖所述切口部的平面形状。
11.根据权利要求10所述的电光学装置，其特征在于，所述第2透明膜由ITO构成；
所述第2遮光膜由包含高熔点金属的金属单体、合金或金属硅化物、金属氮化物构成。
12.根据权利要求10所述的电光学装置，其特征在于，还包括：
与所述基板相对的对置基板；以及
被夹置在所述基板和所述对置基板间的电光学物质层。
13.一种电子设备，其特征在于，具备电光学装置，该电光学装置具备：
设置于基板上的像素电极；
对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；
配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，通过所述薄膜晶体管将图像信号供给所述像素电极的数据线；
配置于所述薄膜晶体管的上层侧，连接在所述薄膜晶体管和所述像素电极间的存储电容的像素电位侧电容电极；以及
包含在该像素电位侧电容电极的上层一侧通过电介质膜与其相对配置、同时与用于连接所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间的连接区域相对应设置有切口部的固定电位侧电容电极的电容线；
其中，所述像素电位侧电容电极由导电性的第1透明膜构成；
所述电容线由导电性的第1遮光膜构成；
所述数据线由导电性的第2遮光膜构成；
所述像素电极由导电性的第2透明膜构成；
在所述薄膜晶体管和所述第1透明膜之间，层积第1层间绝缘膜；
在所述第1遮光膜和所述第2遮光膜之间，层积第2层间绝缘膜；
在所述第2遮光膜和所述第2透明膜之间，层积第3层间绝缘膜；
在所述连接区域中，还具备多层中继层，该多层中继层对所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间进行中继连接，同时具有包含由所述第2遮光膜构成的第1层和层积于该第1层的上层一侧并且与所述第2遮光膜相比对所述第2透明膜的化学稳定性高的导电性的第2层的层积结构，平面地看具有覆盖所述切口部的平面形状。
14.一种电子设备，其特征在于，具备电光学装置，该电光学装置具备：
设置于基板上的像素电极；
对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管；
配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，用于通过所述薄膜晶体管将图像信号供给所述像素电极的数据线；
配置于所述薄膜晶体管的上层一侧，连接在所述薄膜晶体管和所述像素电极间的存储电容的像素电位侧电容电极；以及
包含在该像素电位侧电容电极的上层一侧通过电介质膜与其相对配置、同时与用于连接所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间的连接区域相对应设置有切口部的固定电位侧电容电极的电容线；
其中，所述像素电位侧电容电极由导电性的第1透明膜构成；
所述电容线由导电性的第1遮光膜构成；
所述数据线由导电性的第2遮光膜构成；
所述像素电极由导电性的第2透明膜构成；
在所述薄膜晶体管和所述第1透明膜之间，层积第1层间绝缘膜；
在所述第1遮光膜和所述第2遮光膜之间，层积第2层间绝缘膜；
在所述第2遮光膜和所述第2透明膜之间，层积第3层间绝缘膜；
在所述连接区域中，还具备单层中继层，该单层中断层对所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间进行中继连接，同时由所述第2遮光膜构成，平面地看具有覆盖所述切口部的平面形状。
CNB031459099A 2002-07-11 2003-07-10 电光学装置和电子设备 Expired - Lifetime CN1264060C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP203001/2002 2002-07-11
JP2002203001A JP3821067B2 (ja) 2002-07-11 2002-07-11 電気光学装置及び電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1470928A CN1470928A (zh) 2004-01-28
CN1264060C true CN1264060C (zh) 2006-07-12

Family

ID=30437335

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031459099A Expired - Lifetime CN1264060C (zh) 2002-07-11 2003-07-10 电光学装置和电子设备
CNU032671482U Expired - Lifetime CN2702338Y (zh) 2002-07-11 2003-07-11 电光学装置和电子设备

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNU032671482U Expired - Lifetime CN2702338Y (zh) 2002-07-11 2003-07-11 电光学装置和电子设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6952243B2 (zh)
JP (1) JP3821067B2 (zh)
KR (1) KR100504578B1 (zh)
CN (2) CN1264060C (zh)
TW (1) TWI228200B (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3791517B2 (ja) * 2002-10-31 2006-06-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR100623252B1 (ko) * 2004-04-07 2006-09-18 삼성에스디아이 주식회사 전면 발광 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법
US7859606B2 (en) 2004-09-15 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
JP2007025611A (ja) * 2005-06-17 2007-02-01 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP4674544B2 (ja) * 2005-12-27 2011-04-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
JP4655943B2 (ja) * 2006-01-18 2011-03-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに導電層の接続構造
JP4245008B2 (ja) * 2006-05-10 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器
JP5055828B2 (ja) * 2006-05-11 2012-10-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器
JP4155317B2 (ja) * 2006-07-11 2008-09-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器
JP4569836B2 (ja) * 2007-02-23 2010-10-27 ソニー株式会社 液晶装置
CN100419818C (zh) * 2007-04-23 2008-09-17 友达光电股份有限公司 液晶显示器及其驱动方法
CN102576175A (zh) * 2009-10-23 2012-07-11 夏普株式会社 有源矩阵基板、液晶面板、电视接收机
CN102608816B (zh) * 2012-03-26 2014-07-16 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板以及其制造方法
CN110262144B (zh) * 2015-01-13 2022-07-19 群创光电股份有限公司 显示面板
JP3199691U (ja) * 2015-06-25 2015-09-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
WO2020044546A1 (ja) * 2018-08-31 2020-03-05 シャープ株式会社 表示装置
CN110998855B (zh) * 2019-11-04 2023-01-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置和制造显示基板的方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5461501A (en) * 1992-10-08 1995-10-24 Hitachi, Ltd. Liquid crystal substrate having 3 metal layers with slits offset to block light from reaching the substrate
KR100481593B1 (ko) * 2000-04-21 2005-04-08 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치
WO2001081994A1 (fr) * 2000-04-21 2001-11-01 Seiko Epson Corporation Dispositif electro-optique, affichage par projection et procede de fabrication dudit dispositif electro-optique
US6636284B2 (en) * 2000-08-11 2003-10-21 Seiko Epson Corporation System and method for providing an electro-optical device having light shield layers

Also Published As

Publication number Publication date
US20040085497A1 (en) 2004-05-06
JP3821067B2 (ja) 2006-09-13
TWI228200B (en) 2005-02-21
KR20040007287A (ko) 2004-01-24
TW200411309A (en) 2004-07-01
CN1470928A (zh) 2004-01-28
CN2702338Y (zh) 2005-05-25
US6952243B2 (en) 2005-10-04
JP2004045752A (ja) 2004-02-12
KR100504578B1 (ko) 2005-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1161648C (zh) 电光装置，电光装置用基板及投影型显示装置
CN2657045Y (zh) 电光装置和电子设备
CN1264060C (zh) 电光学装置和电子设备
CN1222815C (zh) 半透过反射型液晶装置和使用其的电子设备
CN1235294C (zh) 电光装置和电子机器
CN1216316C (zh) 电光装置及电子设备
CN1210605C (zh) 半透射反射型电光装置以及电子装置
CN1257428C (zh) 电光装置及其制造方法和电子设备
CN1220106C (zh) 电光装置以及电子设备
CN1591145A (zh) 电光装置和电子设备
CN1224859C (zh) 半透过反射型液晶装置和使用其的电子设备
CN1220107C (zh) 电光装置及半导体装置的制造方法
CN1410812A (zh) 半透射反射式液晶装置和使用它的电子设备
CN1515947A (zh) 液晶板及投影装置
CN1499277A (zh) 电光装置及电子设备
CN1713059A (zh) 电光装置和电子设备以及电光装置的制造方法
CN1837935A (zh) 电光装置、其制造方法以及电子设备
CN1246729C (zh) 电光装置和电子设备
CN1697128A (zh) 半导体装置及其制造方法、电光装置及其制造方法和电子设备
CN1519633A (zh) 电光装置和电子设备
CN2567606Y (zh) 电光装置
CN2625930Y (zh) 电光装置和电子设备
CN1573438A (zh) 电光装置和电子设备及投射型显示装置
CN1213326C (zh) 电光装置及电子机器
CN1580921A (zh) 电光装置及其制造方法以及电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20060712

CX01 Expiry of patent term