CN1580921A - 电光装置及其制造方法以及电子设备 - Google Patents

Abstract

在基板上，具有作为内置遮光膜的数据线，扫描线，含有扫描信号靠扫描线所供给的半导体层的TFT，图像信号靠数据线经由TFT所供给的像素电极，配置于数据线的下侧的保持电容器，以及覆盖这些而形成的绝缘膜而成，前述数据线避开起因于前述保持电容器的高度而形成的前述绝缘膜的表面的台阶而形成。借此，通过提高薄膜晶体管对半导体层的遮光性能，抑制光漏电流的发生，因此显示没有闪烁等的高质量的图像。

Description

电光装置及其制造方法以及电子设备

技术领域

本发明属于例如有源矩阵驱动的液晶装置、电子纸等电泳装置、EL(场致发光)显示装置、具有电子发射元件(场发射显示器和表面导通电子发射显示器)的装置等电光装置及其制造方法的技术领域。此外，本发明属于具备这种电光装置而成的电子设备的技术领域。

背景技术

在TFT有源矩阵驱动形式的电光装置中，如果入射光照射于设于各像素的像素开关用的TFT的沟道区域，则靠光的激励发生光漏电流而TFT的特性变化。特别是，在投影机的光阀用的电光装置的场合，因为入射光的强度高，故进行对TFT的沟道区域或其周边区域的入射光的遮光成为重要。

因此历来，靠设在对向基板上的规定各像素的开口区域的遮光膜，或者在TFT阵列基板上通过TFT之上并且由Al(铝)等的金属膜组成的遮光膜，构成为对这种沟道区域或其周边区域遮光。再者，关于后者的遮光膜，因为在基板上，形成由TFT、数据线、扫描线、像素电极和保持电容器等组成的叠层结构的一部分，所以该遮光膜可以称为内置遮光膜。

但是，如果用上述的遮光技术，则存在着以下的问题。也就是说，在前述电光装置中，在前述叠层结构中，在TFT的上侧形成内置遮光膜，借此可以靠该内置遮光膜遮挡从该TFT的上侧入射的光。但是，近年来，因为电光装置的小型化、高精细化的要求更加强劲，所以像前述叠层结构的多层化等所代表的那样，电光装置的结构，更加复杂化。因此，前述的内置遮光膜，有时其表面形成所谓凹凸的状态。这是因为在内置遮光膜的下侧(也就是，前述叠层结构中，内置遮光膜的下层)，为了满足前述小型化、高精细化的要求，例如，就不得不构筑保持电容器等多个构成要素等，结果该内置遮光膜受到前述构成要素固有的“高度”的影响的缘故。也就是说，该“高度”的影响，在前述构成要素间所形成的层间绝缘膜中传播到更上层，在内置遮光膜的表面上产生凸凹。

这样一来，如果在内置遮光膜的表面上形成凸凹，则入射光被该内置遮光膜的表面反射到意外的方向，结果存在着因其反射方向的不同，最终，产生该入射光入射于TFT的半导体层进而作为其一部分的沟道区域的可能。特别是，在前述凸凹的形态，处于内置遮光膜的端部低，该端部以外的部分(以下称为“非端部”)高这样的类型的场合(换句话说，存在着隆起部分与边缘部分的场合)，由前述端部，进而端部和非端部的边界部反射的光入射于TFT的可能性加大。这样一来，通常，因为TFT，在基板上，俯视时排列成矩阵状，而且，内置遮光膜如前所述配置成规定开口区域，故如果光被该内置遮光膜的前述各部分反射，则虽然该光不入射于位于该部分正下方的TFT，但是该光入射于其附近，或者进而位于其附近的TFT的可能加大。该可能，光的反射，在前述的端部和非端部间存在着“倾斜”的部分的场合变得更大。

发明内容

本发明鉴于上述问题而作成，其目的在于提供一种通过提高对薄膜晶体管的半导体层的遮光性能，抑制光漏电流的发生，因此能够显示没有闪烁等的高质量的图像的电光装置及其制造方法。此外本发明的目的在于提供一种具备这种电光装置的电子设备。

本发明的第1电光装置，为了解决上述问题，在基板上，具有沿一定方向延伸的数据线和沿交叉于该数据线的方向延伸的扫描线，靠前述扫描线供给扫描信号的含有半导体层的薄膜晶体管，图像信号靠前述数据线经由前述薄膜晶体管所供给的像素电极，以及配置于前述半导体层的上侧的内置遮光膜而成，前述内置遮光膜的宽度小于在该内置遮光膜的下侧所形成的电路元件和布线的至少一方的宽度。

如果用本发明的第1电光装置，则相应于根据扫描信号开关控制的薄膜晶体管的通·断，图像信号从数据线向像素电极供给，或停止供给。借此，所谓有源矩阵驱动成为可能。

此外，如果用本发明进而具有配置于构成薄膜晶体管的半导体层的上侧的内置遮光膜。借此，在例如该电光装置用作液晶投影机的光阀的场合，可防止入射于该光阀的比较强的光，入射于前述半导体层，尤其其沟道区域的情况。借此，在该半导体层内，可以把发生所谓光漏电流的情况防范于未然，因此在靠该电光装置进行图像显示的场合，可以把在该图像上发生闪烁的情况防范于未然。通过以上，如果用本发明，可以提高图像的质量。

而且，如果用本发明，则特别是前述内置遮光膜的宽度，小于在该内置遮光膜的下侧所形成的电路元件和布线的至少一方(以下称为“电路元件等”)的宽度。通过这种限定，典型地说以下的构成成为设想。也就是说，首先，电路元件等所形成的层存在，可以设想在其上存在层间绝缘膜，进而在其上存在内置遮光膜这样的叠层结构。这里要求层间绝缘膜，是因为一般来说，有必要防止在电路元件等与内置遮光膜之间发生短路的缘故。接着，在这种结构中，在前述层间绝缘膜的表面上，几乎必然形成起因于电路元件等的高度的台阶。该台阶对应于该电路元件等的形成区域而形成，因而，因为对应于该电路元件等具有的宽度而形成，所以该台阶间的宽度，可以认为几乎对应于该电路元件等的宽度。

而且，在这种状况下，根据本发明的内置遮光膜的宽度，小于前述电路元件等的宽度，也就是可以小于前述台阶间的宽度。因而，因为该内置遮光膜可以在台阶间的平面上形成，所以在这种场合，内置遮光膜的表面被平坦化，进而就在该表面上不产生凸凹。

以上的结果，如果用本发明，则成为在内置遮光膜的表面上存在凸凹，因此，被该内置遮光膜的表面反射的光沿意外的方向行进，致使该光入射于薄膜晶体管的半导体层进而作为其一部分的沟道区域这样的光入射的可能极度减低。由此，如果用本发明，则可以抑制半导体层内的光漏电流的发生，因此显示更高质量的图像成为可能。

再者，在本发明中，虽然为了更可靠地得到前述效果，最好是内置遮光膜的“全部”收入前述所说的层间绝缘膜的台阶间的平面上而形成，但是实际上有时实现这种结构很困难，本发明，并不要求这样的完全性。

此外，虽然在前述典型的结构中，对内置遮光膜在台阶间的“平面”上形成作了说明，但是根据情况，也可以在该台阶间存在凸凹。在该场合，虽然在内置遮光膜的表面上，形成对应于该凸凹的凸凹，但是该凸凹不限于在内置遮光膜的边缘附近形成，被该内置遮光膜反射的光沿意外的方向行进的可能性低。因而，即使在这种场合，也大致同样地收到前述的作用效果。

本发明的第2电光装置，在基板上，具有沿一定方向延伸的数据线和沿交叉于该数据线的方向延伸的扫描线，靠前述扫描线供给扫描信号的含有半导体层的薄膜晶体管，图像信号靠前述数据线经由前述薄膜晶体管所供给的像素电极，配置于前述半导体层的上侧的内置遮光膜，配置于该内置遮光膜的下侧的电路元件和布线的至少一方，以及覆盖前述电路元件和布线的至少一方而形成的绝缘膜而成，前述内置遮光膜，避开起因于前述电路元件和布线的至少一方的高度所形成的前述绝缘膜的表面的台阶而形成。

如果用本发明的第2电光装置，则与前述第1电光装置同样，有源矩阵驱动是可能的，此外，如果用本发明，则进而通过具有内置遮光膜，半导体层内的光漏电流的防止，图像质量的提高是可能的。

而且，如果用本发明，则特别是，内置遮光膜避开起因于前述电路元件等的高度而形成的绝缘膜的表面的台阶而形成。借此，在该内置遮光膜上，不产生起因于前述台阶的凸凹。以上的结果，即使用本发明，也与前述第1电光装置大致同样，可以得到前述的作用效果。

再者，在本形态中也是，与前述同样，虽然最好是内置遮光膜的“全部”完全避开前述台阶而形成，但是实际上，有时实现这种结构是困难的，本发明并不要求这种完全性。

本发明的第3电光装置，在基板上，具有沿一定方向延伸的数据线和沿交叉于该数据线的方向延伸的扫描线，靠前述扫描线供给扫描信号的含有半导体层的薄膜晶体管，图像信号靠前述数据线经由前述薄膜晶体管所供给的像素电极，配置于前述半导体层的上侧的内置遮光膜，在该内置遮光膜的下侧所形成的电路元件和布线的至少一方，以及覆盖前述电路元件和布线的至少一方之上而形成，借此在该电路元件和布线的至少一方的正上方部分与不是该至少一方的正上方部分间具有高度的不同的绝缘膜而成，前述内置遮光膜，对应于前述正上方部分而形成。

如果用本发明的第3电光装置，则与前述第1电光装置同样，有源矩阵驱动是可能的，此外，如果用本发明，则进而通过具有内置遮光膜，半导体层内的光漏电流发生的防止，图像质量的提高是可能的。

而且，如果用本发明，则特别是，成为通过覆盖电路元件等之上而形成该电路元件等的正上方部分与不是其正上的部分处，具有具有高度的不同的绝缘膜，前述内置遮光膜，对应于前述正上方部分地配置。借此也是，与前述第1电光装置大致同样，可以得到前述的作用效果。

在本发明的第1电光装置的一个形态中，在前述内置遮光膜的上侧还具有其表面被平坦化的平坦化绝缘膜，和配置于该平坦化绝缘膜的上侧的平坦化电路元件和平坦化布线的至少一方而成，前述平坦化电路元件和前述平坦化布线的至少一方，在覆盖前述内置遮光膜而形成的部分与不是这样的部分中，至少后者的部分处，前述内置遮光膜的宽度小于前述电路元件和布线的至少一方的宽度。

如果用该形态，则在内置遮光膜的上侧形成平坦化电路元件和平坦化布线的至少一方(以下称为“平坦化电路元件等”)。借此，该平坦化电路元件等，如果由光反射性能优秀的铝等组成，则可以作为遮光膜发挥功能。因而，在该场合，如果平坦化电路元件等覆盖内置遮光膜地形成，则在该电光装置中就可以得到平坦化电路元件等与内置遮光膜的遮光膜的双重结构。而且，在这种场合，关于位于更下侧的内置遮光膜，针对前述那种平坦化的限制(以下，为了简单起见，称为“关于宽度的限制”)的必要性变得不大。这是因为，从上方入射的光的大部分的行进，被位于更上侧的平坦化电路元件等挡住的缘故(而且，因为该平坦化电路元件等是平坦的，所以这里反射的光沿意外的方向行进的可能也小)。通过以上，像本形态这样，平坦化电路元件等覆盖前述内置遮光膜而形成的部分与不是这样的部分当中，前述关于宽度的限制仅影响到后者，根据本发明的作用效果，当然与前述同样奏效，因为对受该限制的必要性少的部分而言，可以进行更加自由的布局等构思，可以大幅度地增大设计自由度。

再者，在本形态中，虽然前述的作为“针对平坦化的限制”考虑关于内置遮光膜和电路元件等的宽度的限制，但是本发明不限定于这种形态。另外，关于前述根据别的观点的限制(也就是，内置遮光膜“避开台阶地”形成的限制或“对应于正上方部分地”形成的限制)不用说也是与前述完全相同的议论是妥当的。

此外，在本形态中，关于平坦化电路元件等覆盖内置遮光膜而形成的部分也是，就该内置遮光膜而言，也可以涉及前述针对平坦化的限制。即使有具有遮光功能的平坦化电路元件等，因为可能存在透过这些的光，所以可以举出相应的作用效果。此外，这样一来，因为成为存在着双重的平坦化的遮光膜，所以可以得到前述的作用效果变得更加可靠这样的优点。

在本发明的第1至第3电光装置的另一种形态中，前述内置遮光膜兼作前述数据线。

如果用该形态，则因为内置遮光膜兼作数据线，所以与在基板上分别做成这些的场合相比，可以谋求结构的简化。

在本发明的第1至第3电光装置的另一种形态中，前述电路元件和布线的至少一方，包括前述薄膜晶体管的全部或一部分。

如果用该形态，则因为电路元件等包括薄膜晶体管的全部或一部分，所以基板上的叠层结构从下面起依次为薄膜晶体管、层间绝缘膜和内置遮光膜。在该场合，因为薄膜晶体管通常有半导体层、栅绝缘膜和栅电极膜这样的三层结构，所以其“高度”变得比较大，因而，在其上的层间绝缘膜的表面上所形成的台阶也变得比较大。然而，在本发明中，如上所述，即使形成这种台阶，在内置遮光膜的表面上也不能形成凸凹。从该观点来说，本形态可以适当地构筑叠层结构，并且可以更有效地享受根据本发明的作用效果。

在本发明的第1至第3电光装置的另一种形态中，还具有连接于前述薄膜晶体管和前述像素电极的成为电容器的保持电容器而成，前述电路元件和布线的至少一方兼作前述保持电容器的至少一部分。

如果用该形态，则因为电路元件等包括保持电容器，所以基板上的叠层结构，从下面起依次为保持电容器、层间绝缘膜和内置遮光膜。在该场合，因为保持电容器通常具有像素电位侧电容电极、电介质膜和固定电位侧电容电极这样的三层结构，所以其“高度”变得比较大。因而，在其上的层间绝缘膜的表面上所形成的台阶也变得比较大。然而，在本发明中，如上所述，即使形成这种台阶，在内置遮光膜的表面上也不能形成凸凹。从该观点来说，本形态可以适当地构筑叠层结构，并且可以更有效地享受根据本发明的作用效果。

在本发明的第1至第3电光装置的另一种形态中，还具有连接于前述薄膜晶体管和前述像素电极的成为电容器的保持电容器，前述内置遮光膜兼作前述保持电容器的至少一部分。

如果用该形态，则因为内置遮光膜兼作保持电容器的至少一部分(也就是说，在保持电容器由像素电位侧电容电极、绝缘膜和固定电位侧电容电极组成的场合，它们的一部分或全部)，所以与分别在基板上做成这些的场合相比，可以谋求结构的简化。

再者，在根据本发明的电光装置中，除了像本形态这样具有兼作保持电容器的内置遮光膜外，与此不同，也可以取为还具有兼作数据线的内置遮光膜的形态。在该场合，在该电光装置中典型地说，成为两种内置遮光膜分别在叠层结构的上层和下层，所谓双重存在等。这样一来，可以更可靠地防止对半导体层的光入射。

在本发明的第1至第3电光装置的另一种形态中，前述像素电极和前述薄膜晶体管，在俯视前述基板时排列成矩阵状，前述内置遮光膜，除了前述像素电极的形成区域外总体地形成为格子状。

如果用该形态，则因为内置遮光膜形成为格子状，所以其面积变得比较大，可以更可靠地防止对半导体层的光入射。

此外，在本形态中，因为薄膜晶体管排列成矩阵状，所以如果着眼于其中的某一个薄膜晶体管，则成为存在着邻接于它的薄膜晶体管。这样一来，假如在内置遮光膜的边缘部分产生台阶，存在于前述一个薄膜晶体管的上侧的内置遮光膜的表面，特别是入射光被前述边缘部分的台阶附近处的表面反射，则带来该反射光入射于前述相邻接的薄膜晶体管的可能。然而，在本发明中，如前所述，因为关于内置遮光膜和电路元件等的宽度的限制，或者“避开台阶地”形成内置遮光膜的限制，进而“对应于正上方部分”形成的限制中的至少一个被遵从，所以在该内置遮光膜上，至少在其边缘部分，不形成凸凹。因而，如果用本形态，则可以极其降低光入射于前述相邻接的薄膜晶体管的可能。

再者，内置遮光膜‘除了像素电极的形成区域“之外地”’形成，除了当然完全排出像素电极的形成区域地形成该内置遮光膜外，也包括两者一部分重合地形成的场合(例如，内置遮光膜的边缘部分与像素电极的边缘部分俯视时重合的场合)。

此外，所谓“总体地格子状”，除了包括该内置遮光膜在连续的图形中整体地形成为格子状的场合外，也包括处于分断的图形中的“作为总体看时”形成为格子状的场合。作为后者的具体的例子，可以设想例如，在由该内置遮光膜形成条带状的条带状内置遮光膜，与不连接于该条带状内置遮光膜的该条带状内置遮光膜间架桥地配置的架桥式内置遮光膜组成的场合。在该场合，也可以在前述架桥用内置遮光膜的内部图形进一步分断，形成第1、第2、…、第n架桥用内置遮光膜。

顺便说一下，这种架桥用内置遮光膜，可以作为例如，配置于其下层的电路元件和布线等，与配置于其上层的在与它们之间谋求电连接用的中继层等(参照后述的发明的实施形态中的“电容布线用中继层6a1”，或者“第2中继电极6a2”等)来利用。这样一来，可进一步实现该电光装置的小型化，可以进行基板上的叠层结构的更合适的构筑。

在本发明的第1至第3电光装置的另一种形态中，前述内置遮光膜具有多层结构。

如果用本形态，则因为内置遮光膜成为把其一层取为具有例如由光吸收能力优秀的材料组成者，把另一层取为光反射能力优秀的材料组成者等多层结构，所以作为遮光膜可以更加提高功能。

在本形态中，前述多层结构，也可以构成为包括由氮化钛组成的层和由铝组成的层。

如果用这种构成，则因为前者的由氮化钛组成的层光吸收能力比较优秀，后者的由铝组成的层光反射能力比较优秀，所以在该内置遮光膜中，可以期待比较优秀的遮光功能。

本发明的电光装置的制造方法，为了解决上述问题，包括在基板上，形成电路元件和布线的至少一方的工序，在前述电路元件和布线的至少一方之上形成绝缘膜的工序，在前述绝缘膜之上形成内置遮光膜用前驱膜的工序，以及把前述内置遮光膜用前驱膜图形化以便残留对应于前述绝缘膜当中的前述电路元件和布线的至少一方的正上方部分而形成的前述内置遮光膜用前驱膜而形成内置遮光膜的工序。

如果用本发明的电光装置的制造方法，则可以适当地制造前述本发明的第3电光装置。此外，因为在本发明中所说的“对应于正上方部分形成”的范围内，至少还部分地包括前述本发明的第1电光装置中所说的，小于电路元件和布线的至少一方的宽度地形成内置遮光膜的宽度，此外，至少还部分地包括前述本发明的第2电光装置中所说的“避开起因于电路元件和布线的至少一方的高度而形成的前述绝缘膜的表面的台阶地形成”内置遮光膜，所以如果用本发明的电光装置的制造方法，则可以适当地制造前述本发明的第1至第3电光装置。

本发明的电子设备，为了解决上述问题，具备上述本发明的第1至第3电光装置(其中包括各种形态)。

如果用本发明的电子设备，则由于具备上述本发明的电光装置而成，所以可以实现能够显示没有闪烁等的质量极高的图像的，投影型显示装置、液晶电视接收机、便携式电话、电子手册、字处理器、取景器型或监视器直视型录像机、工作站、可视电话、POS终端、触摸屏等各种电子设备。

附图说明

图1是构成电光装置的图像显示区域的形成为矩阵状的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路。

图2是数据线、扫描线、像素电极等所形成的TFT阵列基板的相邻接的多个像素群的俯视图，仅示出根据下层部分(图4中的直到标号70(保持电容器)的下层的部分)的构成。

图3是数据线、扫描线、像素电极等所形成的TFT阵列基板的相邻接的多个像素群的俯视图，仅示出根据上层部分(图4中的超过标号70(保持电容器)的上层的部分)的构成。

图4是使图2和图3重合的场合的A-A′剖面图。

图5是使图2和图3重合的场合的B-B′剖面图。

图6是对图5的比较例。

图7是从图5的视点看的数据线的制造工序剖面图。

图8是使图2和图3重合的场合的C-C′剖面图。

图9是使图2和图3重合的场合的D-D′剖面图。

图10是类似于图5的剖面图，是表示不存在图5的电容布线400和第4层间绝缘膜44的结构的剖面图。

图11是类似于图8的剖面图，是表示图8的保持电容器70的形成形态不同的结构的剖面图。

图12是类似于图9的剖面图，是表示图9的保持电容器70和中继电极719的形成形态不同的结构的剖面图。

图13是从对向基板一侧与其上所形成的各构成要素一起看TFT阵列基板的电光装置的俯视图。

图14是图13的H-H′剖面图。

图15是表示作为本发明的电子设备的实施形态的投影型彩色显示装置之一例的彩色液晶投影机的图示的剖面图。

图16是表示图10的内置遮光膜6a与保持电容器70的平面上的配置之一例的图。

标号的说明

10…TFT阵列基板

10a…图像显示区域

11a…扫描线

6a…数据线

6a1…电容布线用中继层

6a2…第2中继电极

400…电容布线

30…TFT

1a…半导体层

9a…像素电极

70…保持电容器

719…中继电极

41…第1层间绝缘膜

42…第2层间绝缘膜

43…第3层间绝缘膜

42DR、42DL、42SR、42SL、42TR、42TL、42UR、42UL、42VR、42VL…

台阶

具体实施方式

以下参照图说明本发明的实施形态。以下实施形态中将本发明的电光装置应用于液晶装置。

下面，参照图1至图4就本发明的实施形态中的电光装置的像素部中的构成进行说明。这里图1是构成电光装置的图像显示区域的形成为矩阵状的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路，图2和图3是数据线、扫描线、像素电极等所形成的TFT阵列基板的相邻接的多个像素群的俯视图。再者，图2和图3，分别示出后述的叠层结构当中的下层部分(图2)与上层部分(图3)。此外，图4是使图2和图3重合的场合的A-A′剖面图。再者，在图4中，因为把各层·各构件取为在附图上能够辨认的程度的大小，故针对该各层·各构件使用不同的比例。

再者，在以下中，首先，就根据本实施形态的电光装置的基本构成预先进行说明后，再就本实施形态中特征的构成等(内置遮光膜与在其下层所形成的构成要素的关系)项目详细描述。

(像素部的电路构成)

在图1中，在构成本实施形态中的电光装置的图像显示区域的形成为矩阵状的多个像素上，分别形成像素电极9a与开关控制该像素电极9a用的TFT 30，图像信号所供给的数据线6a电连接于该TFT 30的源。写入数据线6a的图像信号S1、S2、…、Sn可以按此顺序依次供给，也可以对相邻接的多个数据线6a，针对每组供给。

另外，栅电极3a电连接于TFT 30的栅，按规定的定时，扫描信号G1、G2、…、Gm可以按该顺序脉冲地施加于扫描线11a和栅电极3a。像素电极9a电连接于TFT 30的漏，作为开关元件的TFT 30通过按一定期间闭合该开关，按规定的定时把从数据线6a所供给的图像信号S1、S2、…、Sn写入。

经由像素电极9a写入作为电光物质之一例的液晶的规定电平的图像信号S1、S2、…、Sn在与在对向基板上所形成的对向电极之间保持一定期间。液晶通过因所施加的电压电平分子集合的取向或秩序变化，调制光，使灰度等级显示成为可能。如果是常白模式，则根据在各像素的单位处所施加的电压来减少对入射光的透射率，如果是常黑模式，则根据在各像素的单位处所施加的电压来增加对入射光的透射率，作为总体从电光装置出射具有对应于图像信号的对比度的光。

这里为了防止所保持的图像信号泄漏，与在像素电极9a与对向电极之间所形成的液晶电容并联地附加保持电容器70。该保持电容器70并列于扫描线11a而设置，包括固定电位侧电容电极并且包括固定于定电位的电容电极300。

〔像素部的具体的构成〕

下面，参照图2至图4，就上述数据线6a、扫描线11a和栅电极3a、TFT 30等的上述这种电路工作所实现的电光装置的具体的构成进行说明。

首先，在图3中，像素电极9a，在TFT阵列基板10上，多个设置成矩阵状(轮廓由虚线部表示)，分别沿着像素电极9a的纵横的边界设有数据线6a和扫描线11a。数据线6a如后所述由包括铝膜的叠层结构组成，扫描线11a由例如导电性的多晶硅膜等组成。此外，扫描线11a经由连接孔12cv电连接于半导体层1a当中的对向于图中右上斜线区域所示的沟道区域1a′的栅电极3a，该栅电极3a成为包含于该扫描线11a的形式。也就是说，在栅电极3a与数据线6a的交叉部位分别对向于沟道区域1a′设有包含于扫描线11a的栅电极3a所对向配置的像素开关用的TFT 30。借此成为TFT 30(除了栅电极外)存在于栅电极3a与扫描线11a之间的形态。

其次，电光装置，如作为图2和图3的A-A′线剖面图的图4中所示，具有由例如石英基板、玻璃基板、硅基板组成的TFT阵列基板10，和与之对向配置的，由例如玻璃基板或石英基板组成的对向基板20。

在TFT阵列基板10一侧，如图4中所示，设有前述像素电极9a，在其上侧，设有施行摩擦处理等规定的取向处理的取向膜16。像素电极9a由例如ITO膜等透明导电性膜组成。另一方面，在对向基板20一侧，跨越其整个面设有对向电极21，在其下侧，设有施行摩擦处理等规定的取向处理的取向膜22。对向电极21，与上述像素电极9a同样，由例如ITO膜等透明导电性膜组成。

在像这样对向配置的TFT阵列基板10和对向基板20间，在由后述的密封件52(参照图13和图14)包围的空间中封入液晶等电光物质，形成液晶层50。液晶层50在来自像素电极9a的电场未施加的状态下取为由取向膜16和22规定的取向状态。

另一方面，在TFT阵列基板10上，除了前述像素电极9a和取向膜16之外，成为叠层结构地具有包含这些的各种构成。该叠层结构，如图4中所示，由从下面起依次，包括扫描线11a的第1层，包括包括栅电极3a的TFT 30等的第2层，包括保持电容器70的第3层，包括数据线6a等的第4层，包括电容布线400等的第5层，包括前述像素电极9a和取向膜16等的第6层(最上层)组成。此外，分别在第1层和第2层间设有基底绝缘膜12，在第2层和第3层间设有第1层间绝缘膜41，在第3层和第4层间设有第2层间绝缘膜42，在第4层和第5层间设有第3层间绝缘膜43，在第5层和第6层间设有第4层间绝缘膜44，，防止前述各要素间短路。此外，在这些各种绝缘膜12、41、42、43和44上，还设有例如电连接TFT30的半导体层1a中的高浓度源区域1d与数据线6a的连接孔等。在以下中，关于这些各要素，从下面起依次进行说明。再者，前述当中的第1层到第3层，作为下层部分示于图2，第4层到第6层作为上层部分示于图3。

(叠层结构·第1层的构成-扫描线等-)

首先，在第1层中，设有包含由例如Ti、Cr、W、Ta、Mo等高熔点金属当中的至少一种的，金属单质、合金、金属硅化物、聚硅化物、叠层这些者、或者导电性多晶硅等组成的扫描线11a。该扫描线11a，平面看，沿图2X方向图形化为带状。更仔细看，带状扫描线11a具有沿着图2的X方向延伸的主线部，和数据线6a或电容布线400延长的沿图2的Y方向延伸的突出部。再者，从邻接的扫描线11a延伸的突出部相互不连接，因而，该扫描线11a成为逐根分断的形式。

(叠层结构·第2层的构成-TFT等-)

其次，作为第2层，设有包括栅电极3a的TFT 30。TFT 30，如图4中所示，具有LDD(轻掺杂漏)结构，作为其构成要素，具有沟道靠来自上述栅电极3a，例如由多晶硅膜组成的栅电极3a的电场所形成的半导体层1a的沟道区域1a′，包含绝缘栅电极3a与半导体层1a的栅绝缘膜的绝缘膜2，半导体层1a中的低浓度源区域1b和低浓度漏区域1c以及高浓度源区域1d和高浓度漏区域1e。

此外，在本实施形态中，在该第2层上，作为与上述栅电极3a同一膜形成中继电极719。该中继电极719，俯视时，如图2中所示，位于各像素电极9a的沿X方向延伸的一边的大致中央地，形成为岛状。因为中继电极719与栅电极3a作为同一膜形成，所以后者在由例如导电性多晶硅膜等组成的场合，前者也由导电性多晶硅膜等组成。

再者，虽然上述TFT 30，最好是如图4中所示具有LDD结构，，但是也可以具有不进行杂质对低浓度源区域1b和低浓度漏区域1c的注入的偏置(offset)结构，也可以是以栅电极3a作为掩模高浓度地注入杂质，自对准地形成高浓度源区域和高浓度漏区域的自对准型的TFT。

(叠层结构·第1层和第2层间的构成-基底绝缘膜-)

在以上说明的扫描线11a之上，而且，在TFT 30之下，设有由例如硅氧化膜等组成的基底绝缘膜12。基底绝缘膜12除了把TFT 30从扫描线11a绝缘之外，通过在TFT阵列基板10的整个面上形成，还具有防止TFT30的表面抛光时的破裂、或洗净后的残留污染物等使像素开关用的TFT 30的特性变化的功能。

在该基底绝缘膜12上，俯视时在半导体层1a的两侧，掘出沿着后述的沿数据线6a延伸的半导体层1a的沟道长的方向的沟状的连接孔12cv，对应于该连接孔12cv，叠层于其上方的栅电极3a包括在下侧形成为凹状的部分。此外，通过埋入该连接孔12cv全体地形成栅电极3a，在该栅电极3a上，延伸设置与之一体地形成的侧壁部3b(前述的“在下侧形成为凹状的部分”)。借此，TFT 30的半导体层1a，如图2中所示，俯视时成为从侧方覆盖，至少从该部分的光的入射受到抑制。

此外，该侧壁部3b埋入前述连接孔12cv地形成，并且其下端与前述扫描线11a接触。这里因为扫描线11a如上所述形成条带状，所以存在于某行的栅电极3a和扫描线11a只要着眼于该行，始终成为同电位。

(叠层结构·第3层的构成-保持电容器等-)

继前述第2层后在第3层上，设有保持电容器70。保持电容器70，由作为连接于TFT 30的高浓度漏区域1e和像素电极9a的像素电位侧电容电极的下部电极71，和作为固定电位侧电容电极的电容电极300经由电介质膜75对向配置而形成。如果用该保持电容器70，则显著地提高像素电极9a中的电位保持特性成为可能。此外，根据本实施形态的保持电容器70，如果看图2的俯视图可以明白，因为形成为不到几乎对应于像素电极9a的形成区域的光透射区域(换句话说，因为收于遮光区域内而形成)，故电光装置总体的像素开口率维持得比较大，借此，显示更明亮的图像成为可能。

更详细地说，下部电极71由例如导电性多晶硅膜组成作为像素电位侧电容电极发挥功能。但是，下部电极71，也可以由包含金属或合金的单一层膜或多层膜来构成。此外，该下部电极71，除了作为像素电位侧电容电极的功能之外，还具有中继连接像素电极9a与TFT 30的高浓度漏区域1e的功能。顺便说一下，这里所说的中继连接，经由前述中继电极719来进行。

电容电极300，作为保持电容器70的固定电位侧电容电极发挥功能。在本实施形态中，为了把电容电极300取为固定电位，通过谋求与取为固定电位的电容布线400(下文述及)的电连接。此外，电容电极300，由含有Ti、Cr、W、Ta、Mo等高熔点金属当中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、聚硅化物、叠层这些者，或者最好是钨硅化物组成。借此，电容电极300具有遮挡从TFT 30的上侧入射的光的功能。

电介质膜75，由例如膜厚5～200nm左右的比较薄的HTO(高温氧化物)膜、LTO(低温氧化物)膜等氧化硅膜，或者氮化硅膜等来构成。从增大保持电容器70的观点来说，只要可以充分得到膜的可靠性，电介质膜75越薄越好。

在本实施形态中，该电介质膜75，如图4中所示，成为在下层具有氧化硅膜75a、在上层具有氮化硅膜75b这样的两层结构。上层的氮化硅膜75b图形化成稍大于像素电位侧电容电极的下部电极71的尺寸，形成为收入遮光区域(非开口区域)内。

再者，虽然在本实施形态中，电介质膜75成为具有两层结构者，但是根据情况，也可以构成为例如氧化硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜等这样的三层结构，或者具有这以上的叠层结构。当然也可以取为单层结构。

(叠层结构·第2层和第3层间的构成-第1层间绝缘膜-)

在以上说明的TFT 30至栅电极3a和中继电极719之上，而且，在保持电容器70之下，由NSG(无掺杂硅酸盐玻璃)、PSG(硅酸盐玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)等硅酸盐玻璃膜，氮化硅膜或氧化硅膜，或者最好是NSG组成的第1层间绝缘膜41。

而且，在该第1层间绝缘膜41上，电连接于TFT 30的高浓度源区域1d与后述的数据线6a的连接孔81贯通后述第2层间绝缘膜42地开孔。此外，在第1层间绝缘膜41上，开孔电连接TFT 30的高浓度漏区域1e与构成保持电容器70的下部电极71的连接孔83。进而，在该第1层间绝缘膜41上，开孔电连接作为构成保持电容器70的像素电位侧电容电极的下部电极71与中继电极719用的连接孔881。进而，在第1层间绝缘膜41上，贯通后述第2层间绝缘膜地开孔电连接中继电极719与后述的第2中继电极6a2用的连接孔882。

(叠层结构·第4层的构成-数据线等-)

继前述第3层后在第4层上，设有数据线6a。该数据线6a，如图4中所示，作为膜形成具有从下层起依次由铝组成的层(参照图4中的标号41A)、由氮化钛组成的层(参照图4中的标号41TN)、由氮化硅膜组成的层(参照图4中的标号401)的三层结构。氮化硅膜，图形化成稍大的尺寸以便覆盖其下层的铝层与氮化钛层。

此外，在该第4层上，作为与数据线6a同一膜，形成电容布线用中继层6a1和第2中继电极6a2。这些，如图3中所示，如果俯视时，则不是具有与数据线6a连接的平面形状地形成，而是各者间图形上分断地形成。例如如果着眼于位于图3中最左方的数据线6a，则在其正右方形成具有大致四边形状的电容布线用中继层6a1，进而在其右方形成具有稍大于电容布线用中继层6a1的面积的大致四边形的第2中继电极6a2。

顺便说一下，这些电容布线用中继层6a1和第2中继电极6a2，因为作为与数据线6a同一膜形成，所以具有从下层依次，由铝组成的层、由氮化钛组成的层、由等离子体氮化膜组成的层的三层结构。

(叠层结构·第3层和第4层的构成-第2层间绝缘膜-)

在以上说明的保持电容器70之上，而且，在数据线6a之下，形成用例如NSG、PSG、BSG、BPSG、等的硅酸盐玻璃膜，氮化硅膜或氧化硅膜等，或者最好是TEOS玻璃通过等离子体CVD法所形成的第2层间绝缘膜42。在该第2层间绝缘膜42上，开孔电连接TFT 30的高浓度漏区域1d与数据线6a的前述连接孔81，并且开孔电连接前述电容布线用中继层6a1与作为保持电容器70的上部电极的电容电极300的连接孔801。进而，在第2层间绝缘膜42上，形成电连接第2中继电极6a2与中继电极719用的，前述连接孔822。

(叠层结构·第5层的构成-电容布线等-)

继前述第4层后在第5层上，形成电容布线400。该电容布线400，如果俯视时，则如图3中所示，形成为格子状，分别沿图中X方向和Y方向延长。关于该电容布线400当中的沿图中Y方向延长的部分特别是形成为覆盖数据线6a，而且，比该数据线6a要宽。此外，关于沿图中X方向延长的部分，为了确保后述的形成第3中继电极402的区域，在各像素电极9a的一边的中央附近有缺口部。

进而，图3中，分别在XY方向上延长的电容布线400的交叉部分的角部处，埋入该角部地设有大致三角形状的部分。通过在电容布线400上，设有该大致三角形状的部分，可以有效地进行对TFT 30的半导体层1a的光的遮挡。也就是说，对半导体层1a，从斜上方进入的光被该三角形状的部分反射或吸收而到不了半导体层1a。因而，抑制光漏电流的发生，显示没有闪烁等的高质量的图像成为可能。该电容布线400从像素电极9a所配置的图像显示区域10a延伸设置到其周围，与定电位源电连接，借此取为固定电位。

此外，在第4层上，作为与这种电容布线400同一膜，形成第3中继电极402。该第3中继电极402，具有经由后述的连接孔804和89，中继第2中继电极6a2和像素电极9a间的电连接的功能。再者，这些电容布线400和第3中继电极402间不是平面状地连接地形成，而是两者间图形上分断地形成。

另一方面，上述电容布线400和第3中继电极402，具有在下层由铝组成的层，在上层由氮化钛组成的层的两层结构。

(叠层结构·第4层和第5层间的构成-第3层间绝缘膜-)

在以上说明的前述数据线6a之上，而且，在电容布线400之下，形成NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸盐玻璃膜，氮化硅膜或氧化硅膜等，或者最好是用TEOS玻璃通过等离子体CVD法所形成的第3层间绝缘膜43。在该第3层间绝缘膜43上，分别开孔电连接前述电容布线400与电容布线用中继层6a1用的连接孔803，和电连接第3中继电极402与第2中继电极6a2用的连接孔804。

(叠层结构·第6层以及第5层和第6层间的构成-像素电极等-)

最后，在第6层上，如上所述像素电极9a形成为矩阵状，在该像素电极9a上形成取向膜16。而且，在该像素电极9a下，形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜，氮化硅膜或氧化硅膜等，最好是NSG组成的第4层间绝缘膜44。在该第4层间绝缘膜44上，开孔电连接像素电极9a和前述第3中继电极402间用的连接孔89。像素电极9a与TFT 30之间，经由该连接孔89和第3中继层402以及前述连接孔804，第2中继层6a2，连接孔822，中继电极719，连接孔881，下部电极71和连接孔83，电连接。

(内置遮光膜与在其下侧所形成的构成要素的关系)

在具有以上所述的构成的电光装置中，在本实施形态中，特别是作为内置遮光膜的数据线6a和电容布线400，与在其下层侧所形成的构成要素，特别是，与保持电容器70的关系中有特征。在以下，参照图5和图6，以及图8至图9，就此详述。这里图5是使图2和图3重合的场合的B-B′剖面图，图6是对图5的比较例。此外，图8和图9是使图2和图3重合的场合的C-C′剖面图和D-D′剖面图。再者，在这些图5至图9中，因为取为在图面上能够辨认各层·各构件程度的大小，故针对该各层·各构件用不同的比例。

首先，图5是图2和图3的B-B′剖面图，该剖面的结构，反映与在前述中依次说明的图4同样的结构。也就是说，在图5中，从TFT阵列基板10一侧起依次构筑扫描线11a、基底绝缘膜12、包括半导体层1a的TFT30、第1层间绝缘膜41、保持电容器70、第2层间绝缘膜42和数据线6a等这样的叠层结构。这当中数据线6a，如上所述，作为具有从下层依次，由铝组成的层(参照图5中的标号41A)、由氮化钛组成的层(参照图5中的标号41TN)、由氮化硅膜组成的层(参照图5中的标号401)的三层结构的膜而形成。这当中特别是，铝是光反射能力优秀的材料，由氮化钛组成的膜是光吸收能力优秀的材料。另一方面，电容布线400也是，如上所述，具有在下层由铝组成的层，在上层由氮化钛组成的层的两层结构。这当中特别是，铝是光反射能力优秀的材料，由氮化钛组成的膜是光吸收能力优秀的材料。因而，这些数据线6a和电容布线400，如图5中所示，对半导体层1a对从图中上侧入射的光LU，作为遮光膜发挥功能(再者，图中入射的光LU，被电容布线400吸收其一部分并且剩下部分透射，表现出该剩下部分到达数据线6a)。这样一来，根据本实施形态的数据线6a和电容布线400就成为本发明中所说的“内置遮光膜”之一例。

此外，在本实施形态中，第3层间绝缘膜43的表面，通过接受CMP(化学机械抛光)处理等平坦化处理，被平坦化。因而，在该第3层间绝缘膜43之上所形成的电容布线400也是，如图5中所示，具有平坦化的表面，在该表面上不产生凸凹。再者，在本实施形态中进而，第4层间绝缘膜44的表面也是，与第3层间绝缘膜43同样接受平坦化处理。结果，像素电极9a的表面，或者取向膜16的表面，成为几乎没有凸凹。借此，例如，因为可以顺利地进行对取向膜16的表面的摩擦处理(若是取向膜16的表面上有显著的凸凹的话，则可能产生摩擦处理不充分的部分)，所以可防止起因于摩擦处理不充分的部分而引起取向不良等。

而且，在本实施形态中特别是，作为前述内置遮光膜的数据线6a，与配置于该数据线6a的下侧的保持电容器70和半导体层1a，处于如下的特别的配置关系。也就是说，在图5中，数据线6a的宽度W(6a)小于保持电容器70的宽度W(70)和半导体层1a的宽度W(1a)。此外，这种数据线6a，在第2层间绝缘膜42之上，主要不是跨越起因于保持电容器70的高度而形成的台阶42DR和42DL而形成者，而是在该第2层间绝缘膜42上保持一定的高度的平面上所形成的。借此，数据线6a，如图5中所示，没有台阶。

该点，在作为比较例的图6中，因为半导体层1a和保持电容器70各自的宽度W(1a)和W(70)形成得比数据线6a的宽度W(6a)要窄，故该数据线6a在其表面上形成凸凹。该凸凹，是起因于半导体层1a的高度，和保持电容器70的高度的凸凹。因而，在该图6中，在数据线6a的表面处，入射光LTE，或者LTF沿意外的方向反射等的结果，根据其反射方向如何，最终，该入射光入射于TFT 30的沟道区域的可能性变大。特别是，前述凸凹的形态，如图6所示，数据线6a的端部6aP低，中央部6aC高时，在该端部6aP或端部6aP及中央部6aC的端界部6aT反射的光，入射于FTF30的沟道区域的可能性变大。这也就是说，因为在本实施形态中，虽然因为TFT 30，如图2和图3中所示，在TFT阵列基板10上，俯视时排列成矩阵状，而且，数据线6a配置成条带状以便限制开口区域，故如果光被该数据线6a的前述各部分(6aP或6aT)所反射，则该光不入射于位于该正下方的图示的半导体层1a或此中包含的沟道区域1a′(参照图4)，但是入射于其附近，或者位于其附近的TFT 30的可能变大的缘故(例如，参照图中的标号LT)。该可能，光的反射，如图6中所示，在该端边界部6aT处“倾斜”的部分处产生的场合变得更大。

顺便说一下，在本实施形态中，如前所述，因为在数据线6a上不产生凸凹，所以几乎没有这种可能。如图5中所示，因为对数据线6a的入射光LU，作为反射光LU′行进，所以这入射于半导体层1a的可能极为降低。因而，如果用本实施形态，则因为可以抑制在TFT 30内光漏电流的发生，所以显示没有闪烁的，更高质量的图像成为可能。

再者，如以上所述的数据线6a，例如如图7中所示地制造。也就是说，首先，在TFT阵列基板10上，通过公知的方法直到第2层间绝缘膜42所形成的结构中，在该第2层间绝缘膜42之上，如图7(a)中所示，形成数据线用前驱膜601。该数据线用前驱膜601，例如，根据成膜材料的不同，通过从溅射法、CVD(化学汽相沉积)法等成膜方法之中所选择的适当者来形成(因而，在图7中，也可以就各层采用不同的成膜方法)。此外，该数据线用前驱膜601，如图7(a)中所示，与台阶42DR和42DL的存在无关，形成为覆盖第2层间绝缘膜42的整个面。接着，如图7(b)中所示，把该数据线用前驱膜601图形化(光刻法和蚀刻法)，以便使第2层间绝缘膜42当中的对应于保持电容器70和半导体层1a的正上方部分而形成的前述数据线用前驱膜601残存。借此，台阶42DR和42DL上的数据线用前驱膜601被去除，就形成图5中所示的数据线6a。以下，如图7(c)中所示，在像这样所形成的数据线6a之上形成第3层间绝缘膜43，而且，在其表面上实施CMP处理等平坦化处理而进行平坦化(参照图7(c)中的虚线)，再接着，如果形成电容布线400、第4层间绝缘膜44、像素电极9a和取向膜16(全都未画出)等，则可以制造图5中所示的结构。

接下来，就图8和图9进行说明。关于图8和图9也是，与前述图5相同，该剖面的结构，反映与前述中依次说明的图4同样的结构。但是，在这些剖面图中，与图5不同，数据线6a不存在，出现了作为与该数据线6a同一膜所形成的电容布线用中继层6a1和第2中继电极6a2。这些电容布线用中继层6a1和第2中继电极6a2，如上所述，作为与前述数据线6a同一膜而形成，如图4中所示与该数据线6a同样，具有三层结构，所以该电容布线用中继层6a1和该第2中继电极6a2也是，作为遮光膜发挥功能，因而成为属于本发明中所说的“内置遮光膜”之一例。

而且，在本实施形态中特别是，作为内置遮光膜的电容布线用中继层6a1和第2中继电极6a2与配置于它们的下侧的保持电容器70和中继电极719，处于以下这种特别的配置关系。也就是说，首先，在图8中，电容布线用中继层6a1的V(6a1)小于保持电容器70的宽度V(70)(是与前述宽度W(70)正交的方向的宽度)。此外，这种电容布线用中继层6a1，在第2层间绝缘膜42之上，不是跨越起因于保持电容器70的高度而形成的台阶42SR和42SL所形成者，而是在该第2层间绝缘膜42上，在保持一定的高度的平面上所形成的。借此，电容布线用中继层6a1，如图8中所示，没有台阶。

另一方面，在图9中，因为在第2中继电极6a2的下侧，形成中继电极719和保持电容器70，故就形成起因于这些各自的高度的台阶。也就是说，在图中右方，起因于中继电极719的高度的台阶41TR和41TL，在第1层间绝缘膜41上形成，在图中左方，起因于保持电容器70的高度的台阶42TL，在第2层间绝缘膜42上形成。再者，第2层间绝缘膜42的图中右方的台阶42TR是前述台阶41TR在第2层间绝缘膜42上作用的结果所形成的。

此外，因为保持电容器70和中继电极719，保持电容器70的图9中右端和中继电极719的图9中左端重合地形成(参照图2和图3的俯视图)，所以起因于中继电极719的高度的台阶41TL影响到保持电容器70，在该保持电容器70的表面上形成台阶。

而且，图9中的第2中继电极6a2，在第2层间绝缘膜42上，不是跨越前述台阶42TR，或42TL而形成者，而是在保持一定的高度的平面(但是，除了凸部6aPR的部分外)所形成的。借此，第2中继电极6a2，如图9中所示，几乎没有台阶，特别是在其边缘部分也完全没有台阶。但是在数据线6a上，前述台阶41TL和保持电容器70的高度重叠地传播影响所及的结果，该第2中继电极6a2的图中中央处的表面上形成凸部6aPR。

根据以上，结果，在图8和图9中所示的电容布线用中继层6a1和第2中继电极6a2上，与参照图5说明的数据线6a同样，因为不产生凸凹，所以即使在光对它们入射的场合，也几乎没有其反射光入射于邻近的TFT 30等这样的可能。再者，因为前述凸部6aPR，如图9中所示，在第2中继电极6a2的图中中央附近形成，所以该凸部6aPR把反射光导入意外的方向，尤其是未画出的邻接的TFT 30的半导体层1a这样的可能性很低(参照图9的标号LPR和LPR′。像该图那样，即使入射光LPR反射，也因为从其反射点扩展而在第2中继电极6a2的表面上可以进一步产生反射，所以该反射光LPR′被引入半导体层1a这样的可能性很低)。也就是说，在本发明中，如图9中所示，也可以在内置遮光膜的中央部附近形成凸部或凹部，即使假如形成这样的凸部等，对半导体层1a的光入射的可能也不高。因而，可以说在本发明中所说的“内置遮光膜”，最好是把该内置遮光膜形成为不在内置遮光膜的边缘附近的其表面上形成台阶。

顺便说一下，如以上所述的电容布线用中继层6a1和第2中继电极6a2，在本实施形态中，在对前述中参照图7(b)说明的数据线用前驱膜601的图形化的实施之际同时形成。因而，在该图7(b)中的图形化中，关于电容布线用中继层6a1，从台阶42SR和42SL之上除了数据线用前驱膜601外的，或关于中继电极6a2，从台阶42TR和42TL之上除了数据线用前驱膜601外的图形化也同时实施。

再者，本发明不限定于在前述中参照的图5、图8和图9中所示的形态。例如，在以下中所述的图10至图12那种剖面结构中，运用本发明是可能的。再者，在以下参照的附图中，在表示与前述图5、图8和图9中使用的标号表示的构成要素实质上同一的构成要素的场合，赋予同一标号。

首先，图10是类似于图5的剖面图，是表示图5的电容布线400和第4层间绝缘膜44不存在的结构。在该结构中，因为不存在像图5那样第4层间绝缘膜44和在其上所形成的电容布线400，故基本上，仅数据线6a作为内置遮光膜发挥功能。因而，在该场合，前述图6中如果设想电容布线400和第4层间绝缘膜44不存在的结构就可以明白，因为该图的入射光LTE的“全部”不是被电容布线400反射或吸收而是入射于数据线6a，所以前述问题容易变得更加显著。然而，在图10中也是，与关于图5所述者同样，因为在数据线6a的下侧，存在着宽度更大的保持电容器70，所以在数据线6a的表面上不形成凸凹，因而，这里几乎没有反射的光沿意外的方向行进而入射于半导体层1a等的可能。因而，在这种图10中也是可以得到与前述大致同样的作用效果。此外，在图10中特别是，因为电容布线400不存在了，期望作为内置遮光膜的数据线6a的遮光功能更可靠地发挥，所以关于该数据线6a取为前述那种结构，与前述图5相比，可以得到更大的作用效果。

再者，图16是表示图10的内置遮光膜6a与保持电容器70的平面的配置之一例的图。如这里所示，即使保持电容器70的图形形状平面上不是形成为完全包含内置遮光膜6a，而是形成为平面上包含内置遮光膜6a的至少一部分，也可以提高对半导体层的遮光性能，可以抑制光漏电流的发生。

再者，所谓内置遮光膜，是配置于TFT阵列基板10上的遮光膜，还单指遮光膜。

进而，在本发明的内置遮光膜之下配置的电路元件和布线，只要是图形化的导电层，不限定于前述电路元件和布线。

接下来，图11是类似于图8的剖面图，是表示图8的保持电容器70的形成形态不同的结构的剖面图。在这种结构中，保持电容器70的宽度V1(70)与图8不同，小于图8中的保持电容器70的宽度V(70)地形成。

因而，该图11中的台阶42UR和42UL间的宽度也是，成为小于图8中的台阶42SR和42SL间的宽度，结果，在电容布线用中继层6a1的表面上形成台阶。此外，在这种构成中，电容布线400的宽度V1(400)大于图8中的电容布线400的宽度。更具体地说，该电容布线400的宽度V1(400)大于前述电容布线用中继层6a1的宽度V1(6a1)。

在这种电容布线400、电容布线用中继层6a1和保持电容器70间的关系成立的场合，像图8中所示的电容布线用中继层6a1那样，把这些平坦化的必要性不大。这是因为，在该场合，从上方入射的光的大部分的行进被位于更上侧的电容布线400挡住的缘故。而且，该电容布线400因为在如前所述通过CMP处理等平坦化了的第3层间绝缘膜43之上形成故是平坦的，这里反射光沿意外的方向行进这样的可能也很小。因而，关于图11中所示的电容布线用中继层6a1，也可以如该图中所示采用具有台阶的构成。再者，如刚刚所述，虽然可以代替图8采用图11的结构，但是与此同样，在图9那样的场合，采用与图11同样宗旨的结构是困难的。这是因为，在图9中，图中右半边不存在第3中继电极402，不能足够地期待前述那种光遮挡效果的缘故。

像以上这样，在存在着电容布线400等平坦化电路元件等，覆盖作为内置遮光膜的电容布线用中继层6a1地形成的部分(图11)与不为这样的部分(图9)的场合，当然仅就后者的部分而言，如果进行该电容布线用中继层6a1的平坦化，则可以与前述同样地收到根据本实施形态的作用效果，关于受到这种限制的必要性少的部分(图11)，因为可以进行更加自由的布局等构思，所以可以增大设计自由度。

进而，图12是类似于图9的剖面图，是表示图9的保持电容器70和中继电极719的形成形态不同的结构的剖面图。在这种结构中，保持电容器70和中继电极719与图9不同，保持电容器70的图中右端和中继电极719的图中左端不是重合地形成。借此，在图12中，因为起因于中继电极719的高度的台阶，不影响保持电容器70(参照图中台阶42VR和42VL)，所以如图9中所示，中继电极719和保持电容器70的高度的重叠地作用的结果，没有在第2中继电极6a2的表面上形成凸部6aPR。

因而，在图12中，把第2中继电极6a2表面弄成几乎平坦的成为可能。借此，因为被该第2中继电极6a2的表面反射的光沿意外的方向行进而入射于半导体层1a等这样的可能，与图9相比更加降低，所以可以更有效地享受前述的作用效果。

〔电光装置的总体构成〕

下面，参照图13和图14，就根据前述电光装置的实施形态的总体构成进行说明。这里，图13是从对向基板一侧看TFT阵列基板和在其上所形成的各构成要素的电光装置的俯视图，图14是图13的H-H′剖面图。这里，以作为电光装置之一例的驱动电路内置型的TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置为例。

在图13和图14中，在根据本实施形态的电光装置中，TFT阵列基板10与对向基板20对向配置。在TFT阵列基板10与对向基板20之间封入液晶层50，TFT阵列基板10与对向基板20靠设在位于图像显示区域10a的周围的密封区域的密封件52相互粘结。

密封件52由用来相互粘贴两个基板的，例如紫外线固化树脂、热固化树脂等组成，在制造过程中涂布于TFT阵列基板10上后，通过紫外线照射、加热等使之固化。此外，在密封件52中，散布着把TFT阵列基板10与对向基板20的间隔(基板间间隙)弄成规定值用的玻璃纤维或玻璃珠等间隙料。也就是说，本实施形态的电光装置，适于用作投影机的光阀以小型进行放大显示。

并行于密封件52所配置的密封区域的内侧，在对向基板20一侧设有规定图像显示区域10a的边框区域的遮光性的边框遮光膜53。但是，这种边框遮光膜53的一部分或全部，也可以作为内置遮光膜设在TFT阵列基板10一侧。该边框遮光膜53以远的周边区域当中，在位于密封件52所配置的密封区域的外侧的区域中特别是，沿着TFT阵列基板10的一边设有数据线驱动电路101和外部电路连接端子102。此外，扫描线驱动电路104沿着邻接于该边的两边，而且，覆盖前述边框遮光膜53地设置。进而，为了连接像这样设在图像显示区域10a的两侧的两个扫描线驱动电路104间，沿着TFT阵列基板10的剩下的一边，而且，覆盖前述边框遮光膜53地设有多个布线105。

此外，在对向基板20的四个角部，配置着作为两个基板的上下导通端子发挥功能的上下导通件106。另一方面，在TFT阵列基板10上对着这些角部的区域内设有上下导通端子。借此，可以在TFT阵列基板10与对向基板20之间进行电导通。

在图14中，在TFT阵列基板10上，在形成像素开关用的TFT或扫描线、数据线等的布线后的像素电极9a上，形成取向膜。另一方面，在对向基板20上，在对向电极21之外形成格子状或条带状的遮光膜23、进而在最上层部分形成取向膜。此外，液晶层50，由例如一种或混合数种向列液晶的液晶组成，在这一对取向膜间，成为规定的取向状态。

再者，在图13和图14中所示的TFT阵列基板10上，除了这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104外，也可以形成采样图像信号线上的图像信号供给数据线的采样电路，先行于图像信号分别把规定电压电平的预充电信号供给到多个数据线的预充电电路，在制造中途或出厂时的检查该电光装置的质量、缺陷等用的检查电路等。

(电子设备)

接下来，就作为把以上详细地说明的电光装置用作光阀的电子设备之一例的投影型彩色显示装置的实施形态，其总体构成、特别是光学的构成进行说明。这里，图15是投影型彩色显示装置的示意的剖面图。

在图15中，作为本实施形态中的投影型彩色显示装置之一例的液晶投影机1100，作为驱动电路准备了三个包括搭载于TFT阵列基板上的液晶装置的液晶模块，分别用作RGB用的光阀100R、100G和100B的投影机而构成。在这些光阀100R、100G和100B中，用前述电光装置(参照图1至图5)。在液晶投影机1100中，如果从金属卤化物灯等白色光源的灯单元1102发出投影光，则靠三个反射镜1106和两个分色镜1108，分成对应于RGB的三原色的光分量R、G和B，导入与各色对应的光阀100R、100G和100B。此时，B光，为了防止长的光路引起的光损失，经由由入射透镜1122、中继透镜1123和出射透镜1124组成的中继透镜系统1121引导。而且，对应于分别靠光阀100R、100G和100B调制的三原色的光分量，靠分色棱镜1112再度合成后，经由投影透镜1114作为彩色图像投影于屏幕1120。

在这种投影型彩色显示装置中，例如，在光阀100B中，因为从灯单元1102发出靠中继透镜系统1121所收束的光入射，故成为许多倾斜分量的光混入。因而，该倾斜光(例如，参照图6的入射光LTF)入射于前述数据线6a、电容布线用中继层6a1和第2中继电极6a2的可能性很高，据此，光入射于TFT 30的半导体层1a，尤其沟道区域1a′(参照图2)的可能性变高，处于容易在屏幕1120上显示包含闪烁的图像的状况。也就是说，在这种投影型彩色显示装置中，可以认为前述这种担心变得更加深刻。

然而，在本实施形态中，成为前述构成的电光装置作为前述光阀100R、100G和100B使用。借此，成为光难以入射于这些光阀100R、100G和100B各自中的TFT 30的半导体层1a，结果，不容易产生前述那种图像上的闪烁。

本发明不限于上述实施形态，在不背离从技术方案和说明书总体所读取的发明的要旨，或构思的范围内适当变更是可能的，伴随这类变更的电光装置及其制造方法以及电子设备也包含在本发明的技术范围内。

Claims (14)

1.一种电光装置，其特征在于，在基板之上，具有：

沿一定方向延伸的数据线和沿交叉于该数据线的方向延伸的扫描线，

由前述扫描线供给扫描信号的含有半导体层的薄膜晶体管，

图像信号由前述数据线经由前述薄膜晶体管所供给的像素电极，以及

配置于前述半导体层的上侧的遮光膜，

前述遮光膜的宽度小于在该遮光膜的下侧所形成的图形化的导电层的至少一层导电层的至少一部分的宽度。

2.一种电光装置，其特征在于，在基板之上，具有：

沿一定方向延伸的数据线和沿交叉于该数据线的方向延伸的扫描线，

由前述扫描线供给扫描信号的含有半导体层的薄膜晶体管，

图像信号由前述数据线经由前述薄膜晶体管所供给的像素电极，

配置于前述半导体层的上侧的遮光膜，

配置于该遮光膜的下侧的图形化的导电层的至少一层的导电层，以及

覆盖前述至少一层导电层之上而形成的绝缘膜，

前述遮光膜，避开起因于前述至少一层导电层的至少一部分的高度所形成的前述绝缘膜的表面的台阶而形成。

3.一种电光装置，其特征在于，在基板之上，具有：

沿一定方向延伸的数据线和沿交叉于该数据线的方向延伸的扫描线，

由前述扫描线供给扫描信号的含有半导体层的薄膜晶体管，

图像信号由前述数据线经由前述薄膜晶体管所供给的像素电极，

配置于前述半导体层的上侧的遮光膜，

在该遮光膜的下侧所形成的图形化的导电层的至少一层的导电层，以及

覆盖前述至少一层的导电层之上而形成，借此在该至少一层导电层的正上方部分与不是该正上方部分间具有高度的不同的绝缘膜，

前述遮光膜，在前述正上方部分的至少一部分中包含平面地形成。

4.如权利要求1中所述的电光装置，其特征在于，

在前述遮光膜的上侧还具有其表面为平坦化的平坦化绝缘膜，和

配置于该平坦化绝缘膜的上侧的平坦化电路元件和平坦化布线的至少一方，

前述平坦化电路元件和前述平坦化布线的至少一方，在覆盖前述遮光膜而形成的部分与不是这样的部分中，至少后者的部分处，前述遮光膜的宽度小于前述图形化的导电层的至少一层导电层的宽度。

5.如权利要求1至4中的任何一项中所述的电光装置，其特征在于，

前述遮光膜兼作前述数据线。

6.如权利要求1至4中的任何一项中所述的电光装置，其特征在于，

前述图形化的导电层的至少一层导电层，包括前述薄膜晶体管的全部或一部分。

7.如权利要求1至4中的任何一项中所述的电光装置，其特征在于，

还具有连接于前述薄膜晶体管和前述像素电极的作为电容器的保持电容器，

前述图形化的导电层的至少一层导电层兼作前述保持电容器的至少一部分。

8.如权利要求1至4中的任何一项中所述的电光装置，其特征在于，

还具有连接于前述薄膜晶体管和前述像素电极的作为电容器的保持电容器，

前述遮光膜兼作前述保持电容器的至少一部分。

9.如权利要求1至4中的任何一项中所述的电光装置，其特征在于，

前述像素电极和前述薄膜晶体管，在俯视前述基板时，排列成矩阵状，

前述遮光膜，除了前述像素电极的形成区域外总体地形成为格子状。

10.如权利要求1至4中的任何一项中所述的电光装置，其特征在于，

前述遮光膜具有多层结构。

11.如权利要求10中所述的电光装置，其特征在于，

前述多层结构包括由氮化钛构成的层和由铝构成的层。

12.一种电光装置，其特征在于，在基板之上，具有：

沿一定方向延伸的数据线和沿交叉于该数据线的方向延伸的扫描线，

由前述扫描线供给扫描信号的含有半导体层的薄膜晶体管，

图像信号由前述数据线经由前述薄膜晶体管所供给的像素电极，

配置于前述半导体层的上侧的遮光膜，

配置于该遮光膜的下侧的图形化的导电层的至少一层的导电层，以及

覆盖前述至少一层导电层之上而形成的绝缘膜，

前述遮光膜的边缘附近，避开起因于前述至少一层导电层的至少一部分的高度而形成的前述绝缘膜的表面的台阶而形成。

13.一种电光装置的制造方法，其特征在于，包括：

在基板之上，

形成图形化的导电层的至少一层导电层的工序，

在前述至少一层导电层之上形成绝缘膜的工序，

在前述绝缘膜之上形成遮光膜用前驱膜的工序，以及

把前述遮光膜用前驱膜图形化以便使包含于前述至少一层的导电层所形成的区域的前述遮光膜用前驱膜残存的形成遮光膜的工序。

14.一种电子设备，其特征在于，具备如权利要求1～4中的任何一项中所述的电光装置。

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