CN101115333B - 电光装置用基板及电光装置以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明的电光装置，使液晶装置等的电光装置的显示性能提高，具备TFT(30)，其在TFT阵列基板(10)上，设置于互相隔开多个像素的各自的开口区域的非开口区域，包括具有以下区域的半导体层(1a)：具有沿Y方向的沟道长的沟道区域(1a’)，数据线侧源漏区域(1d)，像素电极侧源漏区域(1e)，数据线侧LDD区域(1b)及像素电极侧LDD区域(1c)。进而，还具备存储电容(70a)，其形成于比半导体层(1a)上层侧，具有覆盖数据线侧LDD区域(1b)的第1部分(301)，和覆盖像素电极侧LDD区域(1c)并且X方向的宽度比第1部分(301)宽的第2部分(302)。

Description

电光装置用基板及电光装置以及电子设备

技术领域

本发明涉及例如用于液晶装置等的电光装置中的电光装置用基板，及具备该电光装置用基板的电光装置，以及具备有该电光装置的，例如液晶投影机等的电子设备的技术领域。

背景技术

作为这种电光装置的一例的液晶装置，不仅用作直视型显示器，例如还多用作投影型显示装置的光调制单元(光阀)。尤其在投影型显示装置的情况下，因为来自光源的强光入射液晶光阀，所以为了不因该光而使液晶光阀内的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor，薄膜晶体管)发生泄漏电流的增大、误动作等，作为遮挡入射光的遮光单元的遮光膜内置于液晶光阀内。关于如此的遮光单元或者遮光膜，例如专利文献1，公开了在TFT的沟道区域中，通过作为栅电极而起作用的扫描线进行遮光的技术。若依照于专利文献2，则通过设置形成于沟道区域上的多层遮光膜，和对内面反射光进行吸收的层而减少到达TFT的沟道区域的光。专利文献3，公开了可以确保TFT的合适的工作及使扫描线狭窄化，并尽量减少入射TFT的沟道区域的入射光的技术。

另一方面，在这种电光装置中，在基板上的形成有遮光膜的区域，即在基板上不使光透射的区域，设置通过暂时保持供给于像素电极的图像信号而将像素电极的电位保持一定期间的保持电容。如此的保持电容，还能够将为该保持电容的构成要件的电极兼用作遮光膜，并对TFT进行遮光。

【专利文献1】特开2004-4722号公报

【专利文献2】特许3731447号公报

【专利文献3】特开2003-262888号公报

但是，例如，在形成于沟道区域和源漏区域之间的，例如LDD(LightlyDoped Drain，轻掺杂漏)区域等的结区域照射了光的情况下，有在结区域产生光泄漏电流的问题点。对于如此的问题点，虽然可考虑在沟道区域的两侧的各自的结区域上设置遮光单元，但是从显示性能的观点则优选：使在像素中光实际透射的开口区域狭窄。另一方面，本申请发明人推测：在连接于像素电极的源漏区域和沟道区域之间形成的结区域照射了光的情况下，与在连接于数据线的源漏区域和沟道区域之间形成的结区域照射了光的情况相比较，TFT中的光泄漏电流更容易产生。

发明内容

本发明鉴于上述问题点等所作出，例如，为以有源矩阵方式所驱动的液晶装置等的电光装置，目的在于提供用于实现高的开口率，并可以有效减少TFT中的光泄漏电流的发生的电光装置中的电光装置用基板，及具备有如此的电光装置用基板的电光装置，以及电子设备。

本发明中的第1电光装置用基板为了解决上述问题，具备：基板；多条数据线及多条扫描线，其在前述基板上互相交叉；像素电极，其与前述多条数据线及前述多条扫描线的交叉处对应，且分别形成于构成前述基板上的显示区域的多个像素；晶体管，其设置于互相隔开前述多个像素的各自的开口区域的非开口区域，包括具有以下区域的半导体层：具有沿前述显示区域中的一个方向的沟道长的沟道区域，电连接于前述数据线的数据线侧源漏区域，电连接于前述像素电极的像素电极侧源漏区域，形成于前述沟道区域及前述数据线侧源漏区域间的第1结区域，和形成于前述沟道区域及前述像素电极侧源漏区域间的第2结区域；和遮光部，其形成于与前述半导体层相比的上层侧，具有沿前述一个方向延伸并覆盖前述第1结区域的第1部分，和覆盖前述第2结区域的第2部分，与前述第1部分相比，该第2部分在相交于前述一个方向的另一个方向上的宽度宽。

若依照于本发明中的第1电光装置用基板，例如，可从数据线向像素电极控制图像信号，可以进行由所谓有源矩阵方式引起的图像显示。再者，图像信号，通过开关电连接于数据线及像素电极间的晶体管，以预定的定时从数据线通过晶体管供给像素电极。像素电极，是由例如ITO(IndiumTin Oxide，氧化铟锡)等的透明导电材料构成的透明电极，对应于数据线及扫描线的交叉，矩阵状地多个设置于在基板上应当成为显示区域的区域。

晶体管包括具有沟道区域、数据线侧源漏区域及像素电极侧源漏区域的半导体层。例如，重叠于沟道区域地形成栅电极。晶体管设置于互相隔开多个像素的各自的开口区域的非开口区域。在此，本发明中的所谓“开口区域”，为光实际透射的像素内的区域，例如，为形成像素电极的区域，为根据透射率的改变而可以使选出液晶等的电光物质的出射光的灰度等级发生变化的区域。换言之，是所谓“开口区域”，是指聚光于像素的光不被不让光透射或者光透射率相比较于透明电极而言相对地小的布线、遮光膜、及各种元件等的遮光体所遮挡的区域。本发明中的所谓“非开口区域”，是指有助于显示的光不进行透射的区域，且指例如在像素内配设有非透明的布线或者电极或各种元件等的遮光体的区域。

沟道区域具有沿显示区域中的一个方向的沟道长。本发明中的所谓“一个方向”，例如是指在基板上规定为矩阵状的多个像素的行方向，即排列多条数据线的排列方向或者多条扫描线的各线延伸的方向(即X方向)；或例如指在基板上规定为矩阵状的多个像素的列方向，即排列多条扫描线的排列方向或者多条数据线的各线延伸的方向(即Y方向)。

数据线侧源漏区域与数据线互相电连接，像素电极侧源漏区域与像素电极互相电连接。进而，在半导体层的沟道区域与数据线侧源漏区域之间形成第1结区域，在半导体层的沟道区域与像素电极侧源漏区域之间形成第2结区域。第1结区域，为形成于沟道区域与数据线侧源漏区域的结合部的区域；第2结区域，为形成于沟道区域与像素电极侧源漏区域的结合部的区域。即，第1及第2结区域，例如，是指晶体管作为例如PNP型或者NPN型晶体管(即，N沟道型或者P沟道型晶体管)所形成的情况下的PN结区域、晶体管具有LDD结构的情况下的LDD区域(即，通过例如离子渗入法等的杂质注入而在半导体层注入杂质的杂质区域)。

遮光部，在基板上的叠层结构中典型性地形成于比半导体层上层侧以覆盖半导体层。另外，遮光部，也可以在非开口区域中具有沿相交于一个方向的其他方向进行延伸的延伸部。遮光部，既可以为由如遮光膜地具有遮光性的单层或者多层构成的膜状的遮光体，又可以为包括具有遮光性的电极的各种元件。遮光部，具有覆盖第1结区域的第1部分，和覆盖第2结区域的第2部分。因而，能够对从上层侧入射第1及第2结区域的光，分别通过第1及第2部分进行遮光。从而，能够减少第1及第2结区域中的光泄漏电流的发生。

在本发明中尤其是，遮光部中的覆盖第2结区域的第2部分，构成为：相交于一个方向的另一个方向的宽度变得比覆盖第1结区域的第1部分宽。即，第2部分，构成为：相对于沿例如Y方向延伸的半导体层，例如X方向的宽度，变得比第1部分宽。换言之，第2部分沿另一个方向具有比第1部分延伸得长的延伸部。因而，能够对入射第2结区域的光，比入射第1结区域的光更可靠地进行遮光。即，能够使遮挡到达第2结区域的光的遮光性，比遮挡到达第1结区域的光的遮光性进一步提高(即，强化)。在此，本申请发明人，推测为：当晶体管工作时，在第2结区域中，相比较于第1结区域光泄漏电流相对容易发生。从而，通过具有比第1部分宽的宽度地形成第2部分，能够提高对于光泄漏电流相对容易产生的第2结区域的遮光性，能够有效降低流过晶体管的光泄漏电流。反之，通过覆盖相比较于第2结区域光泄漏电流相对难以发生的第1结区域的第1部分，形成为具有比第2部分窄的宽度，能够防止开口率的无效降低。

即，虽然通过将第2部分的宽度形成得宽，使对于光泄漏电流相对容易产生的第2结区域的遮光性提高；但是通过将第1部分的宽度形成得窄，能够防止开口率的无效降低。即，通过将对于光泄漏电流容易产生的第2结区域的遮光性，以所谓的定点提高，不会招致开口率的无效降低，能够有效减小晶体管中的光泄漏电流。在此，所谓“开口率”是指将开口区域及非开口区域相加后的像素的尺寸中开口区域的比例，并且开口率越大则具备有本发明中的电光装置用基板的电光装置的显示性能就越发提高。

如上所述，若依照于本发明中的第1电光装置用基板，则可以提供不会招致开口率的无效降低，可以减少起因于光泄漏电流的发生而产生的闪烁等的显示不良的电光装置。

在本发明中的第1电光装置用基板的一个方式中，前述第2结区域，为LDD区域。

若依照于该方式，则晶体管具有LDD结构。因而，当晶体管不工作时，能够降低流过数据线侧源漏区域及像素电极侧源漏区域的截止电流，并且抑制当晶体管工作时流过的导通电流的降低。

在本发明中的第1电光装置用基板的其他的方式中，前述遮光部，配置于前述晶体管的正上方。

若依照于该方式，则能够进一步减少在基板上的叠层结构中的遮光部及晶体管间相对于半导体层倾斜地进行入射的光。更具体地，相比较于在遮光部及晶体管间介有与遮光部有别的其他的遮光膜的情况，能够使遮光部及晶体管的叠层方向的距离接近，可以通过遮光部遮挡相对于半导体层的法线方向以大的角度倾斜入射该半导体层的光的该部分光量。

在本发明中的第1电光装置用基板的其他的方式中，前述遮光部，是具有一对电容电极及夹持于该一对电容电极间的电介质膜的电容元件；前述电容元件，在通过前述数据线向前述像素电极供给了图像信号时，对前述像素电极的电位进行保持。

若依照于该方式，则电容元件，是对像素电极的电位暂时进行保持的保持电容。通过将电容元件兼用作遮光部，相比较于另外设置遮光膜的情况，能够使该电光装置用基板中的电路构成及构成该电路的布线等的布局简略化。

在上述的遮光部为电容元件的方式中，前述一对电容电极的至少一方，包括导电性遮光膜。

若依照于该方式，则通过在晶体管上通过例如层间绝缘膜可以接近配置的电容元件，对从上层侧入射半导体层的光能够可靠地进行遮光。另外，作为导电性遮光膜，可举出包括例如导电性多晶硅、钛(Ti)、铬(Cr)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)等的高熔点金属之中的至少一种金属单质、合金、金属硅化物、聚硅化物、将他们叠层了的物质或者钨硅化物。

本发明中的第2电光装置用基板为了解决上述问题，具备：基板；多条数据线及多条扫描线，其在前述基板上互相交叉；像素电极，其与前述多条数据线及前述多条扫描线的交叉处对应，且分别形成于构成前述基板上的显示区域的多个像素；晶体管，其具有(i)半导体层，该半导体层具有在互相隔开前述多个像素的各自的开口区域的非开口区域之中沿前述显示区域内的第1方向延伸的第1区域中具有沿前述第1方向的沟道长的沟道区域、电连接于前述数据线的数据线侧源漏区域、电连接于前述像素电极的像素电极侧源漏区域、形成于前述沟道区域及前述数据线侧源漏区域间的第1结区域，和形成于前述沟道区域及前述像素电极侧源漏区域间的第2结区域，以及(ii)栅电极，该栅电极在前述非开口区域之中的沿相交于前述第1方向的第2方向延伸的第2区域与前述第1区域相互交叉的交叉区域中，与前述沟道区域重叠；和遮光部，其形成于与前述半导体层相比的上层侧，具有分别沿前述第1方向及第2方向延伸的第1部分及第2部分，以及在前述交叉区域中前述第1部分及前述第2部分相互交叉的交叉部，前述第2结区域的至少一部分，在前述交叉区域中与前述交叉部重叠。

若依照于本发明中的第2电光装置用基板，则与上述的本发明中的第1电光装置用基板大致同样地，可以进行图像显示。

晶体管具有包括沟道区域的半导体层，和重叠于该沟道区域的栅电极。沟道区域，在互相隔开多个像素的各自的开口区域的非开口区域之中沿显示区域内的第1方向延伸的第1区域中具有沿第1方向的沟道长。在此，本发明中的所谓“第1区域”，为在相互隔开相邻的开口区域地在显示区域延伸为格子状的非开口区域之中延伸于该显示区域的第1方向的区域。更具体地，为例如在基板上规定为矩阵状的多个像素的列方向，即排列多条扫描线的排列方向。交叉于多条扫描线的数据线，形成于第1区域；扫描线形成于后述的第2区域。半导体层，具有形成于沟道区域及数据线侧源漏区域间的第1结区域，和形成于沟道区域及像素电极侧源漏区域间的第2结区域。即，半导体层，以沟道区域为基准，具有形成于数据线侧源漏区域之侧的第1结区域和形成于像素电极侧源漏区域之侧的第2结区域。

栅电极，在非开口区域之中延伸于相交于第1方向的第2方向的第2区域及第1区域相互交叉的交叉区域中重叠于沟道区域。在此，本发明中的所谓“第2区域”，为例如在非开口区域之中配置有交叉于数据线的扫描线的区域。栅电极，既可以是扫描线之中重叠于沟道区域的部分，又可以是与扫描线有别地所设置的导电膜。如此的导电膜，通过接触孔等的连接单元而电连接于扫描线。本发明中的所谓“交叉区域”，为第1区域及第2区域相交叉的区域，更具体地，在非开口区域之中位于互相相邻的4个像素的各自的开口区域相互的中间的区域。

遮光部，在基板上的叠层结构中形成于比半导体层上层侧，具有分别沿第1方向及第2方向延伸的第1部分及第2部分，以及在交叉区域中第1部分及第2部分相互交叉的交叉部分。第1部分，以交叉区域为基准既可以延伸于沿第1方向的一方，又可以沿第1方向朝向交叉区域的两侧而延伸。并且，第2部分，从交叉区域沿第2方向延伸。第2部分，既可以沿第2方向分别延伸于交叉区域的两侧，又可以延伸于单侧。总而言之，遮光部，只要具有分别延伸于以位于交叉区域的交叉部为基准互相交叉的第1方向及第2方向的部分即可。若从提高遮挡到达第2结区域的光的遮光性的观点来看，则优选第2部分分别延伸于交叉区域的两侧。

在本发明中尤其是，第2结区域的至少一部分，在交叉区域中与交叉部重叠。例如，半导体层，也可以配置为：第2结区域在交叉区域中与交叉部重叠，并且第1结区域不与交叉部重叠。如上述地，本申请发明人，推测为：当晶体管工作时，在第2结区域中，相比较于第1结区域光泄漏电流相对容易发生。交叉部及第2部分，由于第2结区域的至少一部分重叠于交叉部，相比较于第2结区域不重叠于交叉部的情况，能够减少照射于该第2结区域的光。更具体地，在第1方向上，沿第1部分的表面相对于该表面的法线方向以大的角度倾斜地入射第2结区域的入射光，因为第1部分沿第1方向延伸，所以被第1部分所遮光。另一方面，在第2方向上，沿第2部分的表面相对于该表面的法线方向以大的角度倾斜地入射第2结区域的入射光，则通过交叉部及沿第1方向延伸的第2部分所遮光。因而，通过使第2结区域重叠于交叉部，能够提高对于第2结区域的遮光性。从而，因为提高对于光泄漏电流相对容易产生的第2结区域的遮光性，所以不必加宽例如遮光部的第1部分或者第2部分的宽度。即，若依照于本发明，则虽然使对于第2结区域的遮光性提高，但是也几乎或者完全不会招致开口率的降低。另外，从使开口率提高的观点优选遮光部的第1部分及第2部分的宽度变窄。即，优选交叉部变小。与第2结区域相比较，光泄漏电流难以发生的第1结区域，也可以不重叠于交叉部。

如上所述，若依照于本发明中的第2电光装置用基板，则可以提供不会招致开口率的无效降低，可以减少起因于光泄漏电流的发生而产生的闪烁等的显示不良的电光装置。

在本发明中的第2电光装置用基板的一个方式中，前述第2结区域，为LDD区域。

若依照于该方式，则在晶体管不工作时，能够降低流过数据线侧源漏区域及像素电极侧源漏区域的截止电流，并且抑制当晶体管工作时流过的导通电流的降低。

在本发明中的第2电光装置用基板的其他的方式中，前述栅电极，具有在前述第2区域中沿前述第2方向延伸的主线部；和在前述第1区域中，从前述主线部沿前述第1方向向前述第1结区域之侧突出的凸部。

在该方式中，因为按照由晶体管所要求的元件特性而设定沟道长，所以对沟道区域的大小或者沿该沟道长的半导体层的长度的改变而使得第2结区域重叠于交叉部，变成对原来的晶体管的元件特性进行改变。从而，即使减少了光泄漏电流的发生，但对由晶体管所要求的开关特性等的元件特性自身也带来改变，在得到能够降低光泄漏电流的优点的反面，变得不能得到原来的元件特性。尤其是，在沟道长为栅电极的主线部的宽度以上的情况下，由于第2结区域的至少一部分重叠于交叉部而沟道区域沿第1方向从主线部超出。

但是若依照于本方式，则因为栅电极，具有从主线部沿第1方向突出于第1结区域之侧的凸部，所以即使沿第1方向偏离于第1结区域之侧而设置沟道区域，仍能够重叠于沟道区域而配置栅电极。进而，凸部，因为重叠于沿第1方向延伸的第1部分，所以也不会使非开口区域增大。从而，不会使开口率降低，能够在沟道区域重叠配置栅电极。

在上述的，栅电极具有凸部的方式中，也可以：前述栅电极，具有部分切去前述主线部的凹部以使得在前述交叉区域中前述主线部不重叠于前述第2结区域。

若依照于该方式，则能够虽然使得栅电极不重叠于第2结区域，但是使第2结区域重叠于交叉部中的靠中央。

在本发明中的第2电光装置用基板的其他的方式中，前述遮光部，配置于前述晶体管的正上方。

若依照于该方式，则能够进一步减少在遮光部及晶体管间相对于半导体层倾斜地进行入射的光。

在本发明中的第2电光装置用基板的其他的方式中，前述遮光部，是具有一对电容电极及夹持于该一对电容电极间的电介质膜的电容元件；前述电容元件，在通过前述数据线向前述像素电极供给了图像信号时，对前述像素电极的电位进行保持。

若依照于该方式，则通过将电容元件兼用作遮光部，相比较于另外设置遮光膜的情况，能够使该电光装置用基板中的电路构成及构成该电路的布线等的布局简略化。

在上述的，遮光部为电容元件的方式中，前述一对电容电极的各自，由金属膜所形成。

若依照于该方式，则电容元件具有叠层了金属膜-电介质膜(绝缘膜)-金属膜的所谓MIM(Metal-Insulator-Metal，金属-绝缘体-金属)结构。若依照于如此的电容元件，则能够降低相应于供给于一对电容电极的各种信号而由该一对电容电极所消耗的消耗电力。加之，因为相比较于半导体层而导电率高，相应于该图像信号的供给而相应于图像信号的电位可立即供给于像素电极，所以可以提高像质。

在上述的，遮光部为电容元件的方式中，前述一对电容电极的一方，由半导体所形成。

若依照于该方式，则电容元件具有叠层了金属膜-电介质膜(绝缘膜)-半导体膜的所谓MIS(Metal-Insulator-Semiconductor，金属-绝缘体-半导体)结构。若依照于如此的电容元件，则还能够将例如成为一方的电容电极的半导体层电连接于像素电极。

本发明中的电光装置为了解决上述问题，具备上述的本发明中的第1或第2电光装置用基板。

若依照于本发明中的电光装置，则因为具备上述的本发明中的第1或第2电光装置用基板，所以能够提供显示性能优良的电光装置。

本发明中的电子设备为了解决上述问题，具备上述的本发明中的电光装置。

若依照于本发明中的电子设备，则因为具备上述的本发明中的电光装置，所以能够实现可以进行高质量的显示的投影型显示装置、电子笔记本、文字处理器、取景器型或监视器直视型的磁带录像机、工作站、电视电话机、POS终端、触摸面板等的各种电子设备。并且，作为本发明中的电子设备，例如还可以实现电子纸等的电泳装置。

本发明的作用及其他的优点可从以下进行说明的用于实施的最佳方式所明了。

附图说明

图1是表示第1实施方式中的液晶装置的整体构成的平面图。

图2是图1的H-H’线剖面图。

图3是第1实施方式中的液晶装置的多个像素部的等效电路图。

图4是第1实施方式中的液晶装置的多个像素部的平面图。

图5是图4的A-A’线剖面图。

图6是表示第1实施方式中的液晶装置的存储电容的平面形状的平面图。

图7是表示TEG中的光照射位置与漏电流的关系的坐标图。

图8是表示在漏侧结区域中发生了光激励的情况下的载流子的动作的概念图。

图9是表示在源侧结区域中发生了光激励的情况下的载流子的动作的概念图。

图10是表示在数据线侧源漏区域为漏电位的情况下在数据线侧结区域发生了光激励时的载流子的动作的概念图。

图11是表示在像素电极侧源漏区域为漏电位的情况下在像素电极侧结区域发生了光激励时的载流子的动作的概念图。

图12是表示向像素开关用的TFT整体照射了光时的像素电极电位的波形的波形图。

图13是第2实施方式中的与图6相同主旨的平面图。

图14是第3实施方式中的与图4相同主旨的平面图。

图15是图14的B-B’线剖面图。

图16是第3实施方式中的与图6相同主旨的平面图。

图17是表示为应用了电光装置的电子设备的一例的投影机的构成的平面图。

符号说明

1a…半导体层，1a’…沟道区域，1b…数据线侧LDD区域，1c…像素电极侧LDD区域，1d…数据线侧源漏区域，1e…像素电极侧源漏区域，7…采样电路，3a、3c…扫描线，3b…栅电极，6a…数据线，9a…像素电极，10…TFT阵列基板，10a…像素显示区域，20…对向基板，21…对向电极，23…遮光膜，30…TFT，50…液晶层，70a、70b、70c…存储电容，71m、71n、71s…下部电容电极，81a、83a…接触孔，101…数据线驱动电路，102…外部电路连接端子，104…扫描线驱动电路，106…上下导通端子，150…凹部，160…凹部，300a、300b、300c…上部电容电极，301…第1部分，302…第2部分，交叉部…CD，D1…第1区域，D2…第2区域，Px…第1部分，Py…第2部分

具体实施方式

以下参照附图，对本发明中的电光装置用基板及电光装置以及电子设备的各实施方式进行说明。另外，在本实施方式中，作为电光装置的一例，举驱动电路内置型的TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置为例。

第1实施方式

首先，关于本实施方式中的液晶装置的整体构成，参照图1及图2进行说明。在此图1，是从对向基板之侧看TFT阵列基板与形成于其上的各构成要件的液晶装置的平面图；图2，是图1的H-H’线的剖面图。

在图1及图2中，在本实施方式中的液晶装置中，对向配置有TFT阵列基板10和对向基板20。在TFT阵列基板10与对向基板20之间封入液晶层50。TFT阵列基板10与对向基板20，通过设置有多个像素部的，设置于位于作为本发明中的“显示区域”的一例的图像显示区域10a的周围的密封区域的密封材料52相互粘接。

密封材料52，由用于使两基板贴合的例如紫外线固化树脂、热固化树脂等构成，在制造过程中涂敷于TFT阵列基板10上之后，通过紫外线照射、加热等使之固化。在密封材料52中，散布用于使TFT阵列基板10与对向基板20的间隔(即，基板间间隙)成为预定值的玻璃纤维或者玻璃珠等的间隙材料。本实施方式中的液晶装置为小型且适于进行放大显示，用于投影机的光阀。

并行于配置有密封材料52的密封区域的内侧，对图像显示区域10a的框缘区域进行规定的遮光性的框缘遮光膜53，设置于对向基板20侧。但是，如此的框缘遮光膜53的一部分或全部，也可以设置于TFT阵列基板10侧作为内置遮光膜。

周边区域之中，在位于配置有密封材料52的密封区域的外侧的区域，沿TFT阵列基板10的一条边而设置数据线驱动电路101及外部电路连接端子102。扫描线驱动电路104设置成沿与该一边相邻的2边且被框缘遮光膜53所覆盖。进而，为了连接如此地设置于图像显示区域10a的两侧的二个扫描线驱动电路104间，沿TFT阵列基板10的剩余一边，且被框缘遮光膜53所覆盖地设置多条布线105。

在对向基板20的4个角部的区域，配置作为两基板间的上下导通端子而起作用的上下导通材料106。另一方面，在TFT阵列基板10对向于这些角部的区域中设置上下导通端子。由此，能够在TFT阵列基板10与对向基板20之间取得电导通。

在图2中，在TFT阵列基板10上，在形成有像素开关用的TFT、扫描线、数据线等的布线之后的像素电极9a上，形成取向膜。另一方面，在对向基板20上，除了对向电极21之外，还形成格子状或条带状的遮光膜23，进而在最上层部分形成取向膜。液晶层50，例如由一种或混合了数种的向列型液晶的液晶构成，在这一对取向膜间，取预定的取向状态。

TFT阵列基板10例如为石英基板，玻璃基板，硅基板等的透明基板。对向基板20与TFT阵列基板10同样地也为透明基板。

在TFT阵列基板10，设置像素电极9a，在其上侧，设置实施了摩擦处理等的预定的取向处理的取向膜。例如，像素电极9a由ITO膜等的透明导电膜构成，取向膜由聚酰亚胺膜等的有机膜构成。

在对向基板20，遍及其整面设置对向电极21，在其下侧，设置实施了摩擦处理等的预定的取向处理的取向膜22。对向电极21例如由ITO膜等的透明导电膜构成。取向膜22由聚酰亚胺膜等的有机膜构成。

在对向基板20，也可以设置格子状或条带状的遮光膜。通过采用如此的构成，与作为后述的上部电容电极300所设置的上侧遮光膜一并，能够更可靠地阻止来自TFT阵列基板10侧的入射光向沟道区域1a’乃至其周边的侵入。

这样构成后，在使像素电极9a与对向电极21相面对地配置的TFT阵列基板10与对向基板20之间，形成液晶层50。液晶层50，在未施加来自像素电极9a的电场的状态下，通过取向膜而取预定的取向状态。

另外，在示于图1及图2的TFT阵列基板10上，除了这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等的驱动电路之外，还可以形成：对图像信号线上的图像信号进行采样而供给数据线的采样电路；先于图像信号将预定电压电平的预充电信号分别供给多条数据线的预充电电路；用于对制造过程中、出厂时的该电光装置的质量、缺陷等进行检查的检查电路等。

接下来，关于本实施方式中的液晶装置的像素部的电连接构成，参照图3进行说明。在此，图3为构成本实施方式中的液晶装置的图像显示区域的矩阵状形成的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路图。

在图3中，分别在构成图像显示区域10a的矩阵状形成的多个像素中，形成像素电极9a及为本发明中的“晶体管”的一例的TFT30。TFT30电连接于像素电极9a，在液晶装置工作时对像素电极9a进行开关控制。供给图像信号的数据线6a，电连接于TFT30的源极。写入数据线6a的图像信号S1、S2、…、Sn，既可以按照该顺序线顺序地进行供给，也可以对于相邻的多条数据线6a按组进行供给。

TFT30的栅极与扫描线3a电连接，液晶装置1构成为：以预定的定时，脉冲性地将扫描信号G1、G2、…、Gm，按该顺序以线顺序施加到扫描线3a。像素电极9a电连接于TFT30的漏极，通过使作为开关元件的TFT30仅闭合其开关一定期间，从数据线6a所供给的图像信号S1、S2、…、Sn以预定的定时写入。通过像素电极9a写入作为电光物质的一例的液晶的预定电平的图像信号S1、S2、…、Sn，在与形成于对向基板的对向电极之间保持一定期间。

构成液晶层50的液晶的分子集合的取向、秩序由于所施加的电压电平而发生变化，从而可对光进行调制，并可以进行灰度等级显示。若为常白模式，则根据以各像素为单位所施加的电压，入射光的透射率减少；若为常黑模式，则根据以各像素为单位所施加的电压，入射光的透射率增加；作为整体从液晶装置出射具有相应于图像信号的对比度的光。在此，为了防止所保持的图像信号发生泄漏，与形成于像素电极9a与对向电极之间的液晶电容相并联地电连接为本发明中的“遮光部”的一例的存储电容70a。存储电容70a，是作为根据图像信号的供给而对各像素电极9a的电位暂时进行保持的保持电容而起作用的电容元件。若依照于存储电容70a，则像素电极9a中的电位保持特性提高，并且对比度提高、闪烁减少的显示特性可以提高。

接下来，关于实现上述的工作的像素部的具体的构成，参照图4及图5进行说明。在此，图4是相邻的多个像素部的平面图。图5是图4的A-A’线剖面图。另外，在图4及图5中，为了使各层、各构件在附图上成为可以辨识的程度的大小，按该各层、各构件而使比例尺不同。在图4及图5中，为了说明的方便，将位于比像素电极9a上侧的部分的图示省略。在图5中，从TFT阵列基板10到像素电极9a的部分，构成本发明中的“电光装置用基板”的一例。

在图4中，TFT阵列基板10上的图像显示区域10a，通过分别设置有像素电极9a的多个像素构成。

像素电极9a在TFT阵列基板10上矩阵状地设置多个。分别沿像素电极9a的纵横的边界设置数据线6a及扫描线3a。扫描线3a沿X方向延伸；而数据线6a则与扫描线3a相交叉地沿Y方向延伸。分别在扫描线3a及数据线6a相互交叉之处设置像素开关用的TFT30。

从TFT阵列基板10的平面上看，扫描线3a、数据线6a、存储电容70a、下侧遮光膜11a、中继层93及TFT30配置于包围对应于像素电极9a的各像素的开口区域(即，在各像素中，透射或反射实际有助于显示的光的区域)的非开口区域内。即，这些扫描线3a、存储电容70a、数据线6a、下侧遮光膜11a及TFT30，为了不妨碍显示，并不配置于各像素的开口区域，而配置于非开口区域内。

在图4及图5中，TFT30具备：半导体层1a，和成为栅电极的扫描线3a的一部分。

半导体层1a例如由多晶硅构成，有具有沿Y方向的沟道长的沟道区域1a’、数据线侧LDD区域1b及像素电极侧LDD区域1c以及数据线侧源漏区域1d及像素电极线侧源漏区域1e构成。即，TFT30具有LDD结构。另外，数据线侧LDD区域1b为本发明的第1结区域的一例；像素电极侧LDD区域1c为本发明的第2结区域的一例。

数据线侧源漏区域1d及像素电极线侧源漏区域1e，以沟道区域1a’为基准，沿Y方向大致镜像地形成。数据线侧LDD区域1b形成于沟道区域1a’及数据线侧源漏区域1d间。像素电极侧LDD区域1c形成于沟道区域1a’及像素电极线侧源漏区域1e间。数据线侧LDD区域1b、像素电极侧LDD区域1c、数据线侧源漏区域1d及像素电极线侧源漏区域1e，为通过例如离子渗入法等的杂质注入而在半导体层1a注入杂质形成的杂质区域。数据线侧LDD区域1b及像素电极侧LDD区域1c，分别作为比数据线侧源漏区域1d及像素电极线侧源漏区域1e杂质少的低浓度杂质区域而形成。若依照于如此的杂质区域，则在TFT30不工作时，减少流过源区域及漏区域的截止电流，并且能够抑制TFT30工作时流过的导通电流的降低。另外，TFT30虽然优选具有LDD结构，但是既可以是在数据线侧LDD区域1b、像素电极侧LDD区域1c不进行杂质注入的偏置结构，又可以为以栅电极为掩模高浓度地注入杂质而形成数据线侧源漏区域及像素电极线侧源漏区域的自调整型。

如图4及图5，TFT30的栅电极作为扫描线3a的一部分形成，例如由导电性多晶硅形成。扫描线3a具有沿X方向延伸的主线部分以及与在TFT30的沟道区域1a’之中该主线部分不重叠的区域重叠地沿Y方向从该主线部分向两侧延伸的部分。在如此的扫描线3a之中与沟道区域1a’重叠的部分作为栅电极而起作用。栅电极及半导体层1a间，通过栅绝缘膜2(更具体地，2层绝缘膜2a及2b)绝缘。

在TFT30的下侧隔着基底绝缘膜12设置为格子状的下侧遮光膜11a，为TFT30的沟道区域1a’及其周边遮挡从TFT阵列基板10侧入射装置内的返回光。下侧遮光膜11a例如由包括Ti、Cr、W、Ta、Mo、Pd等的高熔点金属之中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、聚硅化物通过叠层等构成。

基底绝缘膜12，除了从下侧遮光膜11a对TFT30进行层间绝缘的功能之外，还具有通过形成于TFT阵列基板10的整面，防止因TFT阵列基板10的表面的研磨时的粗糙、清洗后残留的污渍等而导致像素开关用TFT30的特性的劣化的功能。

在图5中，在TFT阵列基板10上的TFT30隔着层间绝缘膜41的更上层侧，设置存储电容70a。存储电容70a，由下部电容电极71m及上部电容电极300隔着电介质膜75a对向配置而形成。

上部电容电极300，是电连接于TFT30的像素电极线侧源漏区域1e及像素电极9a的像素电位侧电容电极。更具体地，上部电容电极300通过接触孔84a电连接于中继层93，与中继层93一起对像素电极线侧源漏区域1e及像素电极9a间的电连接进行中继。另外，中继层93通过为中继层93的一部分的凸部93a及电连接于该凸部93a的接触孔85a而电连接于像素电极9a。从而，像素电极9a及上部电容电极300被电连接。

上部电容电极300为包括例如金属或合金并设置于TFT30的上侧的非透明的金属膜。上部电容电极300还作为对TFT30进行遮光的上侧遮光膜(或者，内置遮光膜)而起作用。上部电容电极300由Al(铝)、Ag(银)等的金属形成。

另外，上部电容电极300作为本发明中的“导电性遮光膜”，例如，也可以由包括钛(Ti)、铬(Cr)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、Pd(钯)等的高熔点金属之中至少一种金属单质、合金、金属硅化物、聚硅化物通过叠层而构成。在该情况下，能够进一步提高上部电容电极300作为上侧遮光膜的功能。

下部电容电极71m从配置有像素电极9a的图像显示区域10a延伸设置于其周围。下部电容电极71m恒压源电连接，是维持为固定电位的固定电位侧电容电极。

下部电容电极71m与上部电容电极300同样地也为非透明的金属膜。从而，存储电容70a具备具有金属膜-电介质膜(绝缘膜)-金属膜的3层结构的所谓MIM结构。在此，下部电容电极71m跨越多个像素地延伸，由这些多个像素所共用。

在本实施方式中尤其是，因为下部电容电极71m作为金属膜形成，所以相比较于采用半导体构成下部电容电极71m的情况，在液晶装置驱动时，能够降低由该液晶装置整体所消耗的消耗电力，并且各像素部中的元件可以高速工作。从而，本实施方式中的液晶装置可以进行高质量的图像显示。

电介质膜75a具有由例如HTO(High Temperature Oxide，高温氧化)膜、LTO(Low Temperature Oxide，低温氧化)膜等的氧化硅膜或者氮化硅膜等所构成的单层结构，或者多层结构。

在图5中，在TFT阵列基板10上的存储电容70a隔着层间绝缘膜42的更上层侧，设置数据线6a及中继层93。

数据线6a通过贯通层间绝缘膜41及42以及栅绝缘膜2的接触孔81a电连接到半导体层1a的数据线侧源漏区域1d。数据线6a及接触孔81a内部，例如，由Al-Si-Cu、Al-Cu等的含Al(铝)材料，或Al单质，或者Al层和TiN层等的多层膜构成。数据线6a还具有对TFT30进行遮光的功能。

中继层93在层间绝缘膜42上形成于与数据线6a同层。通过将例如以金属膜等的导电材料构成的薄膜在层间绝缘膜42上采用薄膜形成法形成后，将该薄膜部分去除即图形化，从而在相互离开的状态下形成数据线6a及中继层93。从而，因为能够以同一工序形成数据线6a及中继层93，所以能够使装置的制造过程简便。

在图5中，像素电极9a形成于数据线6a隔着层间绝缘膜43的更上层侧。像素电极9a通过上部电容电极300、接触孔83a、84a及85a以及中继层93而电连接于半导体层1a的像素电极线侧源漏区域1e。接触孔85a通过在开孔于层间绝缘膜43的孔部的内壁，使ITO等的构成像素电极9a的导电材料成膜而形成。在像素电极9a的上侧表面，设置实施了摩擦处理等的预定的取向处理的取向膜。

以上说明的像素部的构成如图4，在各像素部为共同。在图像显示区域10a(参照图1)，周期性地形成该像素部。另一方面，在本发明中的液晶装置中，在位于图像显示区域10a的周围的周边区域，如参照图1及图2说明了地，形成扫描线驱动电路104及数据线驱动电路101等的驱动电路。

接下来，关于构成作为本实施方式中的液晶装置的遮光部的存储电容的一对电容电极的平面形状，参照图6详细地进行说明。在此，图6是表示构成本实施方式中的液晶装置的存储电容的一对电容电极的平面形状的平面图。另外，在图6中，在构成示于图4的像素部的构成要件之中，将TFT30、扫描线3a及存储电容70a进行放大而表示。

如图6，构成存储电容70a的上部电容电极300，具有：覆盖数据线侧LDD区域1b的第1部分301，和覆盖像素电极侧LDD区域1c的第2部分302。因而，能够对从上层侧入射数据线侧LDD区域1b及像素电极侧LDD区域1c的光，分别通过第1部分301及第2部分302进行遮光。从而，能够降低数据线侧LDD区域1b及像素电极侧LDD区域1c中的光泄漏电流的发生。

在本实施方式中尤其是，上部电容电极300中的第2部分302，构成为：X方向的宽度变得比第1部分301宽。即，第2部分302的X方向的宽度W2，变得比第1部分301的X方向的宽度W1宽。因而，能够对入射像素电极侧LDD区域1c的光，比入射数据线侧LDD区域1b的光更可靠地进行遮光。即，能够将遮挡到达像素电极侧LDD区域1c的光的遮光性，比遮挡到达数据线侧LDD区域1b的光的遮光性进一步提高或者强化。在此，如后所详述，本申请发明人，推测为：当TFT30工作时，在像素电极侧LDD区域1c中，相比较于数据线侧LDD区域1b光泄漏电流相对容易发生。即，推测为：当TFT30工作时，在对像素电极侧LDD区域1c照射了光的情况下，比对数据线侧LDD区域1b照射了光的情况，TFT30中的光泄漏电流容易发生。从而，通过形成具有比第1部分301的宽度W1宽的宽度W2的第2部分302，能够提高对于光泄漏电流相对容易产生的像素电极侧LDD区域1c的遮光性，能够有效降低流过TFT30的光泄漏电流。反之，通过覆盖相比较于像素电极侧LDD区域1c光泄漏电流相对难以发生的数据线侧LDD区域1b的第1部分301，形成为具有比第2部分302窄的宽度W1，能够防止开口率的无效降低。

即，虽然通过将第2部分302的宽度W2形成得更宽，使对于光泄漏电流相对容易产生的像素电极侧LDD区域1c的遮光性提高；但是通过将第1部分301的宽度W1形成得更窄，能够防止开口率的无效降低。即，通过仅将对于光泄漏电流容易发生的像素电极侧LDD区域1c的遮光性，以所谓的定点提高，不会招致开口率的无效降低，能够有效减小晶体管中的光泄漏电流。

在此，关于当上述的TFT30工作时，在像素电极侧LDD区域1c中，相比较于数据线侧LDD区域1b光泄漏电流相对容易发生的理由，参照从图7到图12，详细地进行说明。

首先，关于对在测试用的TFT照射了光的情况下的，漏电流的大小进行了测定的测定结果，参照图7进行说明。在此图7，是表示测试用的TFT中的光照射位置与漏电流的关系的坐标图。

在图7中，数据E1，表示对于测试用的单个TFT即TEG(Test ElementGroup，测试元件组)，对使光斑(约2.4μm的可见光激光)从漏区域侧向源区域侧按顺序一边进行扫描一边进行照射的情况下的漏电流的大小进行了测定的结果。TEG除了沟道区域、源区域及漏区域，还具有：形成于沟道区域与源区域的结合部的源侧结区域，及形成于沟道区域与漏区域的结合部的漏侧结区域。

另外，图7的横轴表示照射了光斑的光照射位置，使沟道区域与漏侧结区域的边界及沟道区域与源侧结区域的边界，进而沟道区域为零。图7的纵轴表示漏电流的大小(但是，以预定的值归一化后的相对值)，在漏电流从漏区域流向源区域的情况下，表示正的值(即，正值)；而在漏电流从源区域流向漏区域的情况下，则表示负的值(即，负值)。

在图7中，数据E1在任何光照射位置都表示正的值。即，表示漏电流从漏区域流向源区域。并且，数据E1在漏侧结区域内，表示比源侧结区域内的更大的值。即，表示：在漏侧结区域内照射了光斑的情况下，比在源侧结区域内照射了光斑的情况下，漏电流变得更大。即，表示：在漏侧结区域内照射了光斑的情况下，比在源侧结区域内照射了光斑的情况下，光泄漏电流变得更大。另外，漏电流由暗电流(或者亚阈值泄漏电流，即，即使在不照射光的状态下，在TEG截止状态下仍流过源区域及漏区域间的泄漏电流)和光泄漏电流(或者光激励电流，即，起因于由照射光引起的电子激发而产生的电流)所构成。

接下来，关于在漏侧结区域内照射了光斑的情况的一方，比在源侧结区域内照射了光斑的情况，光泄漏电流变大的机制，参照图8及图9进行说明。在此，图8是表示在漏侧结区域中发生了光激励的情况下的载流子的动作的概念图。图9是表示在源侧结区域中发生了光激励的情况下的载流子的动作的概念图。另外，在图8及图9中，假设为电连接有上述的TFT30的像素电极9a中的中间灰度等级的显示，并设源电位(即，源区域的电位)为4.5V，栅电位(即，沟道区域的电位)为0V，漏电位(即，漏区域的电位)为9.5V。图8及图9的横轴表示构成TEG的半导体层中的各区域。图8及图9的纵轴表示电子的势能(费米能级)。因为电子具有负的电荷，所以各区域中的电位越高，则电子的势能变得越小；各区域中的电位越低，则电子的势能变得越大。

图8表示在向形成于沟道区域及漏区域间的漏侧结区域照射光斑，在漏侧结区域中发生了光激励的情况下的载流子的动作。

在图8中，能够推定为：光泄漏电流由2个电流分量构成。

即，作为第1电流分量，有通过因光激励而产生的电子的移动引起的电流分量。更具体地，为由漏侧结区域中的光激励而产生的电子(图中，参照“e”)通过从漏侧结区域向势能更低的漏区域进行移动而产生的电流分量(该电流分量，从漏区域流向源区域)。

作为第2电流分量，有通过因光激励而产生的空穴(即，空穴，图中，参照“h”)的移动引起的电流分量。更具体地，为由漏侧结区域中的光激励而产生的空穴通过从漏侧结区域向势能更低(即，作为电子的势能更高)的沟道区域进行移动而发生的双极效应所引起的电流分量。即，为由以下效应引起的电流分量(该电流分量从漏区域流向源区域)：因为通过向沟道区域进行了移动的空穴的正电荷，沟道区域的势能(即，所谓的基极势能)从势能Lc1下降为势能Lc2，所以从源区域趋向漏区域的电子增大。因而，在漏侧结区域中发生光激励的情况下，第1及第2电流分量全都产生于使漏电流(换言之，是集电极电流)增大的方向(即，从漏区域流向源区域的方向)。

图9，在向形成于沟道区域及源区域间的源侧结区域照射光斑，在源侧结区域中发生光激励的情况下表示载流子的动作。

在图9中，光泄漏电流，与参照图8在上述的漏侧结区域中发生光激励的情况不同，能够推定为：由空穴从源侧结区域向势能更低(即，作为电子的势能更高)的沟道区域进行移动的双极效应所引起的第2电流分量为主导性的。即，能够推定为：通过源侧结区域中的光激励而产生的电子(图中，参照“e”)，通过从源侧结区域向势能更低的源区域进行移动而产生的第1电流分量(该电流分量，从源区域流向漏区域)，比起因于双极效应的第2电流分量(该电流分量，从漏区域流向源区域)小。

在图9中，起因于双极效应的第2电流分量(即，通过向沟道区域进行了移动的空穴的正电荷，基极势能从势能Lc1下降为势能Lc3，所以从源区域趋向漏区域的电子增大的效应引起的电流分量)，从漏区域流向源区域。另一方面，上述的第1电流分量，则从源区域流向漏区域。即，第1电流分量与第2电流分量互相流向相反方向。在此，再在图7中，在向源侧结区域照射了光斑的情况下，漏电流(参照数据E1)表示正的值。即，在该情况下，漏电流从漏区域流向源区域。因而，可以认为：第1电流分量，仅通过对暗电流、为第2电流分量的由双极效应引起的电流分量进行抑制，不会变大到使漏电流的流向从源区域朝向漏区域。

进而，因为沟道区域及源区域间的电位差，比沟道区域及漏区域间的电位差小，所以源区域侧的耗尽化区域(即，源侧结区域)，比漏区域侧的耗尽化区域(即，漏侧结区域)窄。因此，在向源侧结区域照射了光斑的情况下，与向漏侧结区域照射了光斑的情况相比较，光激励的绝对量少。

以上，如参照图8及图9说明了地，在漏侧结区域中发生光激励的情况下，第1及第2电流分量全都发生于使漏电流增大的方向。另一方面，在源侧结区域中发生光激励的情况下，第1电流分量对第2电流分量进行抑制。因而，在漏侧结区域内照射了光斑的情况的一方，比在源侧结区域内照射了光斑的情况，漏电流变大(即，光泄漏电流变大)。

接下来，关于像素电极侧源漏区域为漏电位并在像素电极侧结区域内照射了光斑的情况的一方，比数据线侧源漏区域为漏电位并在数据线侧结区域内照射了光斑的情况，光泄漏电流变大的机制，参照图10及图11进行说明。在此图10，是表示在数据线侧源漏区域为漏电位的情况下，在数据线侧结区域(换言之，是漏侧结区域)中发生了光激励时的载流子的动作的概念图。图11，是表示在像素电极侧源漏区域为漏电位的情况下，在像素电极侧结区域(换言之，是漏侧结区域)中发生了光激励时的载流子的动作的概念图。

在以下，考虑在包括像素开关用的TFT的像素部保持电荷，发生了光激励的情况。与假设了如上述的TEG的情况的不同点在于：像素开关用的TFT的像素电极侧，可成为浮置状态。在像素开关用的TFT的像素电极侧，也有连接如存储电容70a的保持电容的情况，虽然若电容值足够大，则与采用了上述的TEG的情况同样地成为接近于固定电极的状态；但是若电容值并不十分大，则成为浮置状态或者接近于此的状态。另外，在此，假定为电容值并不十分大。

在图10及图11中，在液晶装置中，为了防止所谓的图像残留而采用交流驱动。在此，假设中间灰度等级的显示，并假设以下情况：在像素电极，以7V作为基准电位，交替保持4.5V的负电场的电荷和9.5V的正电场电荷。因此像素开关用的TFT的源极及漏极，在像素电极侧源漏区域与数据线侧源漏区域之间，并不固定而进行变化。即，如图10，在像素电极保持负电场的电荷的情况(即，像素电极侧源漏区域的电位变得比数据线侧源漏区域的电位低的情况)下，像素电极侧源漏区域成为源极；相对地，如图11，在像素电极保持正电场的电荷的情况(即，像素电极侧源漏区域的电位变得比数据线侧源漏区域的电位高的情况)下，像素电极侧源漏区域成为漏极。

在图10中，在像素电极保持负电场的电荷的情况下，像素电极侧源漏区域成为源极(或者发射极)；而数据线侧源漏区域则成为漏极(或者集电极)。在为漏侧结区域的数据线侧结区域中发生了光激励的情况下，如上述地，产生因通过光激励而产生的电子的移动引起的第1电流分量和起因于双极效应的第2电流分量。在此，若产生起因于双极效应的第2电流分量(即，若基极势能从势能Lc1下降为势能Lc2，电子从为源极的像素电极侧源漏区域向为漏极的数据线侧源漏区域移动)，则电子从为浮置状态的像素电极侧源漏区域脱出，作为发射极的像素电极侧源漏区域的势能，从势能Ls1降低为势能Ls2(电位上升)。即，在为漏侧结区域的数据线侧结区域中发生了光激励的情况下，基极势能降低并且作为发射极的像素电极侧源漏区域的势能也降低。换言之，是在为漏侧结区域的数据线侧结区域中发生了光激励的情况下，伴随基极电位的上升而发射极电位也上升。因此，漏电流(即，发射极电流及集电极电流)得到抑制。

另一方面，在图11中，在像素电极保持正电场的电荷的情况下，数据电极侧源漏区域成为源极(或者发射极)；而像素电极侧源漏区域则成为漏极(或者集电极)。在为漏侧结区域的像素电极侧结区域中发生了光激励的情况下，如上所述，产生因通过光激励而产生的电子的移动引起的第1电流分量和起因于双极效应的第2电流分量。在此，因为成为源极的数据线侧源漏区域与数据线连接，所以与像素电极不同，并非浮置状态，在电位不发生变化。若产生起因于双极效应的第2电流分量(即，若基极势能从势能Lc1下降为势能Lc2，电子从为源极的数据线侧源漏区域向为漏极的像素电极侧源漏区域移动)，则电子向为浮置状态的像素电极侧源漏区域流入，作为集电极的像素电极侧源漏区域的势能从势能Ld1上升为势能Ld2(电位下降)。但是，作为集电极的像素电极侧源漏区域的势能的上升，与上述的作为源极的像素电极侧源漏区域的势能的降低不同，几乎没有对漏电流进行抑制的作用。因为漏电流(即，集电极电流)几乎通过相对于发射极电位的基极电位的大小确定，所以即使集电极电位降低也几乎不产生对漏电流进行抑制的作用，换言之，是进入了双极晶体管的饱和区域。

以上，如参照图10及图11进行的说明，在像素电极保持正电场的电荷的情况(即，像素电极侧源漏区域，成为漏极的情况)下，起因于双极效应的第2电流分量几乎得不到抑制，相对地，在像素电极保持负电场的电荷的情况(即，数据侧源漏区域成为漏极的情况)下，起因于双极效应的第2电流分量由于为浮置状态的像素电极侧源漏区域的电位的上升而被抑制。即，像素电极侧源漏区域成为漏极的情况的一方，比数据侧源漏区域成为漏极的情况，起因于光泄漏电流导致漏电流增加。

在此，图12，表示在像素开关用的TFT整体，照射了比较强的光时的像素电极电位的波形。

在图12中，数据E2表示：在像素电极保持正电场的电荷的情况(像素电极电位为电位V1的情况)下的像素电极电位的变动Δ1，比在像素电极保持负电场的电荷的情况(像素电极电位为电位V2的情况)下的像素电极电位的变动Δ2大。即，表示在像素电极中，正电场的电荷比负电场的电荷更难以保持(即，易于发生光泄露)。这与以下上述了的机制相一致：在像素电极保持正电场的电荷的情况(即，像素电极侧源漏区域成为漏极的情况)的一方，比在像素电极保持负电场的电荷的情况(即，数据侧源漏区域成为漏极的情况)光泄漏电流容易产生。

以上，如参照从图7到12所详细说明，在像素开关用的TFT中的漏侧结区域中发生了光激励的情况下漏电流容易增加。进而，在像素电极侧源漏区域成为漏极的情况下电流容易增加(反之，在数据线侧源漏区域成为漏极的情况下，起因于双极效应的电流分量被抑制)。因而，如本实施方式中的液晶装置地，通过使对于为像素电极侧结区域的像素电极侧LDD区域的遮光性，比对于为数据线侧结区域的数据线侧LDD区域的遮光性高，能够维持高的开口率并有效地得到高的遮光性。

如以上说明了地，若依照于具备有本实施方式中的电光装置用基板的液晶装置，则不会招致开口率的无效降低，能够减少起因于光泄漏电流的发生而产生的闪烁等的显示不良。

第2实施方式

接下来，关于第2实施方式中的液晶装置，参照图13进行说明。在此图13，是第2实施方式中的与图6相同主旨的平面图。另外，在图13中，在与示于图6的第1实施方式中的构成要件同样的构成要件附加同一参照符号，并适当省略他们的说明。

在图13中，第2实施方式中的液晶装置具备：TFT30、扫描线3a及存储电容70b。

TFT30具备：包括沟道区域1a’的半导体层1a，和在扫描线3a之中由重叠于沟道区域1a’的部分构成的栅电极3b。沟道区域1a’在互相隔开多个像素的各自的开口区域的非开口区域之中，在沿显示区域内的Y方向延伸的第1区域D1中具有沿Y方向的沟道长L1。半导体层1a具有：形成于沟道区域1a’及数据线侧源漏区域1d间的数据线侧LDD区域1b，和形成于沟道区域1a’及像素电极线侧源漏区域1e间的像素电极侧LDD区域1c。即，半导体层1a以沟道区域1a’为基准，具有形成于数据线侧源漏区域1d之侧的数据线侧LDD区域1b和形成于像素电极线侧源漏区域1e之侧的像素电极侧LDD区域1c。

扫描线3a在非开口区域之中延伸于X方向的第2区域D2中，沿X方向形成。扫描线3a的一部分作为栅电极3b形成。栅电极3b在第1区域D1及第2区域D2相互交叉的交叉区域中与沟道区域1a’重叠。

存储电容70b具备：上部电容电极300b，下部电容电极71n及夹持于这些电容电极间的电介质膜。存储电容70b的上部电容电极300b及下部电容电极71n的平面形状，与上述的第1实施方式中的存储电容70a的上部电容电极300及下部电容电极71m的平面形状不同。关于其他点，存储电容70b与存储电容70a大致同样地构成。

存储电容70b具有：从第1区域D1及第2区域D2相互交叉的交叉区域沿Y方向延伸的第1部分Py；从该交叉区域沿X方向延伸的第2部分Px；和第1部分Py及第2部分Px在交叉区域相互交叉的交叉部Cd。

第1部分Py，由在下部电容电极71n之中沿Y方向延伸的下部电容电极Y侧延伸部71ny、上部电容电极300b之中沿Y方向延伸的上部电容电极Y侧延伸部300by和在电介质膜之中延伸于下部电容电极Y侧延伸部71ny及上部电容电极Y侧延伸部300by间的部分构成。第2部分Px，由在下部电容电极71n之中沿X方向延伸的下部电容电极X侧延伸部71nx、上部电容电极300b之中沿X方向延伸的上部电容电极X侧延伸部300bx和在电介质膜之中延伸于下部电容电极X侧延伸部71nx及上部电容电极X侧延伸部300bx间的部分构成。

在本实施方式中尤其是，从TFT阵列基板10的平面上看，像素电极侧LDD区域1c的至少一部分，在交叉区域中与交叉部Cd互相重叠。另外，数据线侧LDD区域1b不与交叉部Cd重叠。如参照从图7到图12详细地说明了地，本申请发明人，推测为：当TFT30工作时，在像素电极侧LDD区域1c中，相比较于数据线侧LDD区域1b，光泄漏电流相对容易发生。交叉部Cd及第2部分Px中，通过使像素电极侧LDD区域1c的至少一部分重叠于交叉部Cd，相比较于像素电极侧LDD区域1c不重叠于交叉部Cd的情况，能够减少照射于像素电极侧LDD区域1c的光。更具体地，在Y方向上，沿第1部分Py的表面相对于该表面的法线方向以大的角度倾斜地入射像素电极侧LDD区域1c的入射光，因为第1部分Py沿Y方向延伸，所以被第1部分Py所遮光。另一方面，在X方向上，沿第2部分Px的表面相对于该表面的法线方向以大的角度倾斜地入射像素电极侧LDD区域1c的入射光，则通过交叉部Cd及沿X方向延伸的第2部分Px所遮光。因而，通过使像素电极侧LDD区域1c重叠于交叉部Cd，能够提高对于像素电极侧LDD区域1c的遮光性。从而，因为提高对于光泄漏电流相对容易产生的像素电极侧LDD区域1c的遮光性，所以不必加宽存储电容70b的第1部分Py或者第2部分Px的宽度。即，若依照于本实施方式中的液晶装置，则虽然使对于像素电极侧LDD区域1c的遮光性提高，但是也几乎或者完全不会招致开口率的降低。另外，从使开口率提高的观点看，优选使存储电容70b的第1部分Py及第2部分Px的宽度变窄。即，优选使交叉部Cd变小。

另外，与像素电极侧LDD区域1c相比较，光泄漏电流难以发生的数据线侧LDD区域1b，也可以不重叠于交叉部Cd。在该情况下，数据线侧LDD区域1b，因与存储电容70b的第1部分Py重叠而被遮光，光泄漏电流实际上也几乎或者完全不会发生。

进而，在本实施方式中尤其是，栅电极3b具有：在第2区域D2中沿X方向延伸的主线部3bx；和在第1区域D1中，从主线部3bx沿Y方向突出于数据线侧LDD区域1b之侧的凸部3by。因为沟道区域1a’的沟道长L1按照由TFT30所要求的元件特性进行设定，所以对沟道区域1a’的大小或者沿沟道长L1的半导体层1a的长度的改变以使得像素电极侧LDD区域1c重叠于交叉部Cd，变成对原来的TFT30的元件特性进行改变。从而，即使通过像素电极侧LDD区域1c重叠于交叉部Cd，减少了光泄漏电流的发生，但是对由TFT30所要求的开关特性等的元件特性自身也带来改变，在得到能够降低光泄漏电流的优点的反面，变得不能得到原来的元件特性。尤其是，如本实施方式地，在沟道长L1为栅电极3b的主线部3bx的宽度W1以上的情况下，假设不采取任何对策，则由于像素电极侧LDD区域1c的至少一部分重叠于交叉部Cd而导致沟道区域1a’将会沿Y方向从主线部3bx超出。

但是在本实施方式中尤其是，如上所述，栅电极3b具有从主线部3bx沿Y方向突出于数据线侧LDD区域1b之侧的凸部3by。因而，即使沿Y方向偏离于数据线侧LDD区域1b之侧而设置沟道区域1a’，也能够重叠于沟道区域1a’地配置栅电极3b。进而，凸部3by因为重叠于沿Y方向延伸的第1部分Py，所以也不会使非开口区域增大。从而，不会使开口率降低，能够在沟道区域1a’重叠配置栅电极3b。

第3实施方式

关于第3实施方式中的液晶装置，参照从图14到图16进行说明。在此图14，是第3实施方式中的与图4相同主旨的平面图。图15，是图14的B-B’线剖面图。图16，是第3实施方式中的与图6相同主旨的平面图。另外，在从图14到图16中，在与示于从图1到图6中的第1实施方式中的构成要件同样的构成要件附加同一参照符号，并适当省略他们的说明。

如图14及图15，第3实施方式中的液晶装置，在代之于参照图4及图5而上述了的第1实施方式中的TFT30而具备TFT30c之点，代之于存储电容70a而具备存储电容70c之点，及代之于扫描线3a而具备扫描线3c之点，与上述的第1实施方式中的液晶装置不同，而关于其他点则与上述的第1实施方式中的液晶装置大致同样地构成。

如图14及图15，TFT30c具备：半导体层1a，和作为栅电极的扫描线3c的一部分。半导体层1a，由具有沿Y方向的沟道长的沟道区域1a’、数据线侧LDD区域1b及像素电极侧LDD区域1c以及数据线侧源漏区域1d及像素电极线侧源漏区域1e构成。数据线侧源漏区域1d，通过贯通层间绝缘膜42、绝缘膜61、层间绝缘膜41及栅绝缘膜2(具体是绝缘膜2a及2b)而开孔的接触孔81b与数据线6a互相电连接。像素电极侧源漏区域1e，通过贯通层间绝缘膜41及栅绝缘膜2而开孔的接触孔83b，与下述的下部电容电极71s互相电连接。

如图14，在本实施方式中，多个TFT30c分别配置为：使相邻于Y方向(即列方向)所配置的一对TFT30c中的，相对于Y方向的数据线侧源漏区域1d及像素电极侧源漏区域1e的方向相互为逆；并且共用将该一对TFT30c的各自的数据线侧源漏区域1d电连接于数据线6a的接触孔81b。

即，在图14中，若以上下方向为Y方向，则一对TFT30c，为上下倒转或者上下镜倒转了的TFT。而且，如此地配置为镜对称的多个TFT30c，在Y方向对第i号TFT30c(i)(其中，i任取偶数或奇数)的数据线侧源漏区域1d与数据线6a进行连接的接触孔81b，和在Y方向对第i+1号TFT30c(i+1)的数据线侧源漏区域1d与数据线6a进行连接的接触孔81b，为共用。从而，仅通过一个接触孔81b，一对TFT30c(即，TFT30c(i)及TFT30c(i+1))的双方的数据线侧源漏区域1d就可与数据线6a电连接。即，相比较于如通常地每像素分别设置TFT30c且每TFT30c分别取从数据线侧源漏区域1d向数据线6a的电连接的情况，能够飞跃性地减少接触孔的个数。由此，可以窄间距化，可以实现液晶装置的小型化、高清晰化。

在图15中，在TFT阵列基板10上的TFT30c隔着层间绝缘膜41的更上层侧，设置存储电容70c。存储电容70c，由下部电容电极71s及上部电容电极300c隔着电介质膜75a地对向配置而形成。

上部电容电极300c是固定电位侧电容电极；下部电容电极71s是通过接触孔83b电连接于TFT30c的像素电极侧源漏区域1e的像素电位侧电容电极。下部电容电极71s由多晶硅等的半导体形成。从而，存储电容70c具有所谓MIS结构。下部电容电极71s，通过贯通层间绝缘膜42及绝缘膜61所开孔的接触孔84b而与中继层93电连接。另外，下部电容电极71s，除了作为像素电位侧电容电极的功能之外，还具有配置于作为上层遮光膜的上部电容电极300与TFT30c之间的，光吸收层或者作为遮光膜的功能。数据线6a通过贯通层间绝缘膜41、绝缘膜61及第2层间绝缘膜42的接触孔81b而电连接于高浓度源区域1d。在层间绝缘膜41及42间，部分介有绝缘膜61。

在图14中，下部电容电极71s，每像素互相间隔。从而，通过数据线6a所供给的图像信号相应于TFT30c的开关工作而供给每像素。上部电容电极300c，因为沿X方向跨越多个像素地延伸，所以通过由多个像素所共用而电极面积变得比下部电容电极71s大。但是，上部电容电极300c，因为以Al等的金属膜所构成，所以相比较于以半导体形成上部电容电极300c的情况，能够抑制因电极面积的增大引起的电阻的增大部分。因而，有以下优点：可以降低液晶装置工作时的消耗电力，并可以高度驱动各像素中的各种元件，并对通过液晶装置显示图像时的响应性降低能够进行抑制。另外，如此的优点，并不限定于如本实施方式地沿X方向跨越互相相邻的像素进行延伸地形成上部电容电极300c的情况，通过在图像显示区域10a中占据更大的面积地跨越多个像素而形成上部电容电极300的情况而表现得显著。

在图14及图16中，存储电容70c具有：从第1区域D1及第2区域D2相互交叉的交叉区域沿Y方向延伸的第1部分Py；从该交叉区域沿X方向延伸的第2部分Px；和第1部分Py及第2部分Px在交叉区域相互交叉的交叉部Cd。

第1部分Py，由在下部电容电极71s之中沿Y方向延伸的下部电容电极Y侧延伸部71sy、上部电容电极300c之中沿Y方向延伸的上部电容电极Y侧延伸部300cy和在电介质膜之中延伸于下部电容电极Y侧延伸部71sy及上部电容电极Y侧延伸部300cy间的部分所构成。第2部分Px，由在下部电容电极71s之中沿X方向延伸的下部电容电极X侧延伸部71sx、上部电容电极300c之中沿X方向延伸的上部电容电极X侧延伸部300cx和在电介质膜之中延伸于下部电容电极X侧延伸部71sx及上部电容电极X侧延伸部300cx间的部分所构成。

在本实施方式中，与上述的第2实施方式中的液晶装置同样，从TFT阵列基板10的平面上看，像素电极侧LDD区域1c的至少一部分在交叉区域中与交叉部Cd互相重叠。另外，数据线侧LDD区域1b不与交叉部Cd重叠。因而，交叉部Cd及第2部分Px，通过像素电极侧LDD区域1c的至少一部分重叠于交叉部Cd，相比较于像素电极侧LDD区域1c不重叠于交叉部Cd的情况，能够减少照射于像素电极侧LDD区域1c的光。

如图14及图16，在本实施方式中尤其是，作为TFT30的栅电极所共用的扫描线3c，具有：在第2区域D2中沿X方向延伸的主线部3c1；在第1区域D1及第2区域D2相互交叉的交叉区域中为使主线部3c1不重叠于像素电极侧源漏区域1c而部分切掉主线部3c1的凹部150；和从主线部3c1沿Y方向突出于数据线侧源漏区域1d之侧的凸部160。因而，以数据线3c的一部分作为栅电极，能够设置为：不重叠于像素电极侧源漏区域1c且可靠地重叠于沟道区域1a。

即，由于扫描线3c具有凹部150，即使在沿X方向延伸扫描线3c的情况下，也能够以沿X方向所排列的多个像素而共用扫描线3c，并以数据线3c的一部分作为栅电极，在各像素中设置为不重叠于像素电极侧源漏区域1c且重叠于沟道区域1a’。进而，由于扫描线3c具有凸部160，即使沿Y方向在数据线侧LDD源漏区域1d之侧沟道区域1a’偏离，也能够重叠于沟道区域1a’而将扫描线3c的一部分作为栅电极进行配置。另外，栅电极，既可以与扫描线3c的一部分所共用；也可以与扫描线3c分别设置，且通过接触孔等的连接单元而电连接于扫描线3c。

另外，在图14中，如上所述，因为一对TFT30c是共用接触孔81b，所谓上下镜像倒转的TFT，所以对应于一对TFT30c的一对扫描线30c也成为上下镜像倒转的扫描线。即，相应于相邻于Y方向所配置的一对TFT30c中的，数据线侧LDD区域1b及像素电极侧LDD区域1c的配置相互为逆；对应于一对TFT30c的一对扫描线3c中的，凹部150及凸部160的方向相互为逆地配置。通过如此地构成，能够实现液晶装置的小型化、高清晰化，并降低起因于光泄漏电流的发生而产生的闪烁等的显示不良。

电子设备

接下来，关于将为上述的电光装置的液晶装置应用于各种电子设备中的情况进行说明。在此图17，是表示投影机的构成例的平面图。在以下，关于将该液晶装置用作光阀的投影机进行说明。

如图17，在投影机1100内部，设置由卤素灯等的白色光源构成的灯单元1102。从该灯单元1102所射出的投影光，通过配置于光导1104内的4片反射镜1106及2片分色镜1108而分离为RGB的3原色，入射作为对应于各原色的光阀的液晶面板1110R、1110B及1110G。

液晶面板1110R、1110B及1110G的构成，与上述的液晶装置相同，以从图像信号处理电路所供给的R、G、B的原色信号分别驱动。然后，通过这些液晶面板所调制了的光，从3个方向入射分色棱镜1112。在该分色棱镜1112中，R及B光弯曲90度，另一方面G光则直行。从而，合成各色的图像的结果，通过投影透镜1114，在屏幕等投影彩色图像。

在此，若着眼于由各液晶面板1110R，1110B及1110G产生的显示像，则由液晶面板1110G产生的显示像，需要相对于由液晶面板1110R、1110B产生的显示像进行左右翻转。

另外，因为在液晶面板1110R、1110B及1110G，通过分色镜1108，入射对应于R、G、B的各原色的光，所以不必设置滤色器。

另外，除了参照图17进行了说明的电子设备之外，还可举出移动型的个人计算机、便携电话机、液晶电视机、取景器型、监视器直视型的磁带录像机、汽车导航装置、呼机、电子笔记本、计算器、文字处理机、工作站、电视电话机、POS终端、具备有触摸面板的装置等。而且，不用说当然可以应用于这些各种电子设备中。

并且本发明，在以上述的实施方式进行了说明的液晶装置以外，还可以应用于在硅基板上形成元件的反射型液晶装置(LCOS)、等离子显示器(PDP)、场致发射型显示器(FED，SED)、有机EL显示器、数字微镜器件(DMD)、电泳装置等。

本发明并不限于上述的实施方式，在不违反从权利要求书及专利说明书整体所读取的发明的要旨或思想的范围可以适当改变，伴随其改变的电光装置用基板，具备该电光装置用基板的电光装置，以及具备该电光装置的电子设备也包括于本发明的技术范围。

Claims (15)

1.一种电光装置用基板，其特征在于，具备：

基板；

多条数据线及多条扫描线，其在前述基板上互相交叉；

像素电极，其与前述多条数据线及前述多条扫描线的交叉处对应，且分别形成于构成前述基板上的显示区域的多个像素中；

晶体管，其设置于互相隔开前述多个像素的各自的开口区域所形成的非开口区域，包括具有以下区域的半导体层：具有沿前述显示区域中的一个方向的沟道长的沟道区域，电连接于前述数据线的数据线侧源漏区域，电连接于前述像素电极的像素电极侧源漏区域，形成于前述沟道区域及前述数据线侧源漏区域间的第1结区域，和形成于前述沟道区域及前述像素电极侧源漏区域间的第2结区域；和

遮光部，其形成于与前述半导体层相比的上层侧，具有沿前述一个方向延伸并覆盖前述第1结区域的第1部分，和覆盖前述第2结区域的第2部分，与前述第1部分相比，该第2部分在相交于前述一个方向的另一个方向上的宽度宽。

2.按照权利要求1所述的电光装置用基板，其特征在于：

前述第2结区域，为LDD区域。

3.按照权利要求1或2所述的电光装置用基板，其特征在于：

前述遮光部，配置于前述晶体管的正上方。

4.按照权利要求1或2所述的电光装置用基板，其特征在于：

前述遮光部，是具有一对电容电极及夹持于该一对电容电极间的电介质膜的电容元件；

前述电容元件，在通过前述数据线向前述像素电极供给了图像信号时，对前述像素电极的电位进行保持。

5.按照权利要求4所述的电光装置用基板，其特征在于：

前述一对电容电极的至少一方，包括导电性遮光膜。

6.一种电光装置用基板，其特征在于，具备：

基板；

多条数据线及多条扫描线，其在前述基板上互相交叉；

像素电极，其与前述多条数据线及前述多条扫描线的交叉处对应，且分别形成于构成前述基板上的显示区域的多个像素中；

晶体管，其具有(i)半导体层，该半导体层具有沟道区域、数据线侧源漏区域、像素电极侧源漏区域、第1结区域和第2结区域，其中，前述沟道区域在互相隔开前述多个像素的各自的开口区域所形成的非开口区域之中沿前述显示区域内的第1方向延伸的第1区域中具有沿前述第1方向的沟道长、前述数据线侧源漏区域电连接于前述数据线、前述像素电极侧源漏区域电连接于前述像素电极、前述第1结区域形成于前述沟道区域及前述数据线侧源漏区域间、前述第2结区域形成于前述沟道区域及前述像素电极侧源漏区域间，以及(ii)栅电极，该栅电极在前述非开口区域之中的沿相交于前述第1方向的第2方向延伸的第2区域与前述第1区域相互交叉的交叉区域中，与前述沟道区域重叠；和

遮光部，其形成于与前述半导体层相比的上层侧，具有沿前述第1方向延伸的第1部分及沿前述第2方向延伸的第2部分，以及在前述交叉区域中前述第1部分及前述第2部分相互交叉的交叉部，

前述第2结区域的至少一部分，在前述交叉区域中与前述交叉部重叠。

7.按照权利要求6所述的电光装置用基板，其特征在于：

前述第2结区域，为LDD区域。

8.按照权利要求6或7所述的电光装置用基板，其特征在于：

前述栅电极，具有在前述第2区域中沿前述第2方向延伸的主线部；和在前述第1区域中，从前述主线部沿前述第1方向向前述第1结区域之侧突出的凸部。

9.按照权利要求8所述的电光装置用基板，其特征在于：

前述栅电极，具有部分切去前述主线部的凹部以使得在前述交叉区域中前述主线部不重叠于前述第2结区域。

10.按照权利要求6或7所述的电光装置用基板，其特征在于：

前述遮光部，配置于前述晶体管的正上方。

11.按照权利要求6或7所述的电光装置用基板，其特征在于：

前述遮光部，是具有一对电容电极及夹持于前述一对电容电极间的电介质膜的电容元件；

前述电容元件，在通过前述数据线向前述像素电极供给了图像信号时，对前述像素电极的电位进行保持。

12.按照权利要求11所述的电光装置用基板，其特征在于：

前述一对电容电极分别由金属膜所形成。

13.按照权利要求11所述的电光装置用基板，其特征在于：

前述一对电容电极的一方，由半导体所形成。

14.一种电光装置，其特征在于：

具备权利要求1～13的任一项所述的电光装置用基板。

15.一种电子设备，其特征在于：

具备权利要求14所述的电光装置。

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