CN101246290B - 电光装置用基板、其制造方法、电光装置及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供电光装置用基板、其制造方法、电光装置及电子设备。能在电光装置中实现较高的开口率，并有效降低TFT中光泄漏电流的发生，且实现显示图像的高清晰化。电光装置用基板具备具有栅电极(3a)的TFT(30)，栅电极(3a)具有：主体部(31a)，在配置为覆盖半导体层(1a)的绝缘膜(202)的开口部(202h)内相对沟道区域(1a′)通过栅绝缘膜(2)来配置；和延伸设置部(32a)，覆盖像素电极侧LDD区域(1c)地从该主体部(31a)延伸设置到绝缘膜(202)上；像素电极侧LDD区域(1c)位于非开口区域(99b)中的第1区域(99ba)及第2区域(99bb)相互交叉的交叉区域(99cr)。

Description

电光装置用基板、其制造方法、电光装置及电子设备
技术领域
本发明涉及例如用于液晶装置等电光装置中的电光装置用基板及其制造方法，以及具备该电光装置用基板的电光装置及具备该电光装置的如液晶投影机等电子设备的技术领域。
背景技术
作为这种电光装置一例的液晶装置不仅仅是直观式显示器，例如作为投影型显示装置的光调制机构(光阀)也已被广泛使用。特别是在投影型显示装置的情况下，因为来自光源的强光入射于液晶光阀，所以作为遮光机构的遮光膜内置在液晶光阀中，该遮光机构用来遮挡入射光，以便不因该光而使液晶光阀内的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)发生泄漏电流的增大、误工作等。对于这种遮光机构或遮光膜来说，例如专利文献1公示出一种在TFT的沟道区域利用作为栅电极发挥作用的扫描线进行遮光的技术。根据专利文献2，则通过设置形成于沟道区域上的多个遮光膜和吸收内面反射光的层，减少了到达TFT沟道区域的光。专利文献3公示出一种能够确保TFT的最佳工作以及使扫描线窄小化、同时尽可能减少向TFT沟道区域入射的入射光之技术。
专利文献1：特开2004-4722号公报
专利文献2：特许3731447号公报
专利文献3：特开2003-262888号公报
但是，例如存在下述的问题，即在向形成于沟道区域和源漏区域之间的如LDD(Lightly Doped Drain，轻掺杂漏)区域等结区域照射光时，在结区域产生光泄漏电流。针对这种问题，虽然可以考虑在沟道区域两侧的各个结区域上设置遮光机构，但是从显示性能的观点来看，在像素中使实质透射光的开口区域变狭窄，是非优选的。一方面，本申请发明人推测出，在向形成于连接于像素电极的源漏区域和沟道区域之间的结区域照射光时，和向形成于连接于数据线的源漏区域和沟道区域之间的结区域照射光的情形相比较，易于发生TFT中的光泄漏电流。
另一方面，就这种电光装置而言，以实现装置的小型化及显示图像的高清晰化为目的，还有对像素微小化的要求。
发明内容
本发明是鉴于上述问题所在等而做出的，其目的为，提供用于电光装置的电光装置用基板及其制造方法以及具备那种电光装置用基板的电光装置及电子设备，该电光装置例如是采用有源矩阵方式进行驱动的液晶装置等，可以实现较高的开口率，并能有效减少TFT中光泄漏电流的发生，且能够实现显示图像的高清晰化。
本发明所涉及的电光装置用基板为了解决上述问题，其特征为，在基板上具备：数据线及扫描线，相互交叉进行延伸；像素电极，设置于限定为与上述数据线及上述扫描线的交叉处对应的每个像素中；以及晶体管，具有半导体层及栅电极，该半导体层具有沟道区域、数据线侧源漏区域、像素电极侧源漏区域、第1结区域和第2结区域，该沟道区域在每个上述像素的相互隔着开口区域的非开口区域之中的沿着第1方向延伸的第1区域具有沿上述第1方向的沟道长度，该数据线侧源漏区域电连接于上述数据线，该像素电极侧源漏区域电连接于上述像素电极，该第1结区域形成于上述沟道区域及上述数据线侧源漏区域间，该第2结区域形成于上述沟道区域及上述像素电极侧源漏区域间，该栅电极具有主体部和延伸设置部，该主体部在下述开口部内相对上述沟道区域通过栅绝缘膜来配置，该开口部开设于配置为覆盖上述半导体层的绝缘膜的、与上述沟道区域重合的部分，该延伸设置部以覆盖上述第2结区域的方式从该主体部延伸设置到上述绝缘膜上；上述第2结区域位于：上述非开口区域之中的沿着与上述第1方向相交的第2方向延伸的第2区域及上述第1区域相互交叉的交叉区域内。
根据具备本发明的电光装置用基板的电光装置，在其工作时，例如能够在电光装置用基板中控制从数据线向像素电极的图像信号的供给，实现采用所谓有源矩阵方式的图像显示。还有，图像信号通过：作为电连接于数据线及像素电极间的开关元件的晶体管按照从扫描线供给的扫描信号进行导通及截止，按预定的定时从数据线经由晶体管被供给到像素电极。像素电极例如是由ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等透明导电材料构成的透明电极，并且对应于数据线及扫描线的交叉处，在基板上应成为显示区域的区域内按矩阵状设置多个。
这里，扫描线、数据线及晶体管不设置于各像素的开口区域，而设置于非开口区域内，以便不妨碍显示。
这里，本发明所涉及的“开口区域”是指，在每个像素中实际用于显示的光出射的区域等的，在各像素中实际进行利用电光元件或电光物质的电光工作的区域。本发明所涉及的“非开口区域”是指，每个像素的相互隔着开口区域并且在每个像素中用于显示的光不出射的区域等的，在各像素中实际不进行利用电光元件或电光物质的电光工作的区域。非开口区域，作为：例如数据线、扫描线的至少一部分由具有遮光性的遮光膜来形成，能够利用这种遮光膜遮挡向各像素入射的光的区域，其被限定为在基板上包围开口区域。或者说，即便利用下述遮光膜，也可以限定非开口区域，该遮光膜不仅仅是电光装置用基板，在电光装置中还形成于与电光装置用基板相对向配置并夹持作为电光物质的例如液晶的其他基板上，具有遮光性。
在本发明中，非开口区域在基板上包括沿第1方向的第1区域及沿与第1方向交叉的第2方向的第2区域。本发明所涉及的“第1方向”指的是，例如在基板上被限定为矩阵状的多个像素的行方向，也就是排列多条数据线的排列方向或多条扫描线的各自延伸的方向(例如在下述的各附图中所示的X方向)，或是例如在基板上被限定为矩阵状的多个像素的列方向，也就是排列多条扫描线的排列方向或多条数据线的各自延伸的方向(例如在下述的各附图中所示的Y方向)。
晶体管具有包括沟道区域的半导体层和栅电极。
半导体层具有：沟道区域，在多个像素的相互隔着各个开口区域的非开口区域之中的沿着第1方向延伸的第1区域具有沿第1方向的沟道长度；数据线侧源漏区域，电连接于数据线；像素电极侧源漏区域，电连接于上述像素电极；第1结区域，形成于沟道区域及数据线侧源漏区域间；以及第2结区域，形成于沟道区域及像素电极侧源漏区域间。也就是说，晶体管具有LDD结构。这里，第1结区域形成于沟道区域和数据线侧源漏区域的接合部，第2结区域形成于沟道区域和像素电极侧源漏区域的接合部。也就是说，第1及第2结区域例如指的是，晶体管例如作为NPN型或PNP型晶体管(也就是，N沟道型或P沟道型晶体管)来形成时的PN结区域、晶体管具有LDD结构时的LDD区域(也就是，例如通过离子注入法等的杂质掺入在半导体层中掺入杂质后的杂质区域)。
在本发明中，特别是栅电极包括主体部和延伸设置部。延伸设置部相对于半导体层通过绝缘膜形成于上层侧，并且和主体部整体形成。主体部是在晶体管的工作时原本作为栅电极发挥作用的部分。在绝缘膜中，在基板上俯视与沟道区域重合的部分形成有开口部，主体部形成为，在开口部内通过栅绝缘膜，与沟道区域重合。另外，延伸设置部以在基板上俯视与第2结区域重合的方式相对于半导体层通过绝缘膜形成于上层侧。因而，能够利用延伸设置部，遮挡对第2结区域从比其靠上层侧入射的光。再者，延伸设置部因为通过绝缘膜配置于第2结区域的正上方，所以能够进一步可靠地减少从延伸设置部向下层侧行进并通过绝缘膜向第2结区域入射的光。
还有，延伸设置部既可以沿着和半导体层延伸的方向相同的方向，也就是第1方向来形成，也可以沿着与之交叉的方向也就是第2方向来形成。
再者，在本发明中，特别是第2结区域在非开口区域，配置于第1区域及第2区域相互交叉的交叉区域内。因而，对第2结区域从比其靠上层侧入射的光之中的、具有沿着第1方向行进的分量的光，能够利用第1区域中所设置的如扫描线等进行遮光，具有沿着第2方向行进的分量的光能够利用第2区域中所设置的如数据线等进行遮光。
从而，除了形成为覆盖第2结区域的延伸设置部之外，还可以利用在第1及第2区域中所设置的如扫描线、数据线等，遮挡对第2结区域行进的光。也就是说，能够进一步可靠减少向第2结区域入射的光。据此，就相对于形成于半导体层的各种区域之中的第2结区域的遮光性而言，能精确地提高。其结果为，可以有效减少各像素的晶体管的光泄漏电流。
再者，在本发明中，即便不设置不同于交叉区域的形成有下述遮光部的区域，也可以精确提高对第2结区域的遮光性，该遮光部用来对第2结区域进行遮光。因而，通过设置这种用来精确提高遮光性的遮光部，就能够防止：各像素的非开口区域的配置面积变宽、开口区域进一步变小。其结果为，即便将各像素微小化，也可以精确地使遮光性得到提高且使开口率也得到进一步提高。还有，所谓的“开口率”指的是，开口区域及非开口区域总计的像素尺寸中的开口区域的比率，开口率越大，装置的显示性能越高。
除此之外，延伸设置部通过绝缘膜形成于比第2结区域靠上层侧，和第2结区域电绝缘。因而，在晶体管的工作时，能够防止：在和下述主体部整体形成的延伸设置部中产生的电场给第2结区域带来电的不良影响，在晶体管中发生工作不佳，该主体部原本作为栅电极发挥作用。
再者，除此之外，延伸设置部和主体部配置于基板上的按上下方向相互不同的位置，并且相互整体形成。从而，因为这些延伸设置部和主体部按相互不同的高度来配置，所以和按图形上分离了的形状分别形成的情形相比较，即便使各像素微小化，也能够防止延伸设置部和主体部之间的电连接被切断、或者延伸设置部相对第2结区域产生短路的不佳状况。从而，可以防止因这种电连接的不佳而在晶体管中发生工作不佳的情况。
因而，根据上面所说明的那种本发明的电光装置用基板，可以减少或防止因各像素的晶体管发生光泄漏电流而发生闪烁等的显示不佳。再者，还可以防止晶体管的工作不佳、开口率的下降，并且易于使各像素微小化。从而，根据本发明的电光装置用基板，能够实现高质量的图像显示。
在本发明的电光装置用基板的一个方式中，上述沟道区域的至少一部分配置于上述第1区域之中的除上述交叉区域外的区域。
根据该方式，半导体层的沟道区域其全部或一部分配置于第1区域之中的除交叉区域外的区域。也就是说，沟道区域其全部配置于交叉区域外，或者配置于交叉区域的一部分及从该一部分向交叉区域外延伸的区域。因而，在沟道区域在开口部内重合的栅电极的主体部的至少一部分配置于交叉区域外，延伸设置部在交叉区域至少配置一部分。这样，因为在第1区域配置于相互不同的区域的主体部和延伸设置部整体形成，所以易于形成栅电极。从而，因为在基板上，可以按配置第2结区域所需要的必要最小限度的配置面积来形成交叉区域，所以能够更为容易地使各像素微小化，同时使开口率得到提高。
在本发明的电光装置用基板的另一方式中，上述扫描线与上述延伸设置部在同一层，采用同一膜来整体形成。
根据该方式，因为在电光装置用基板的制造过程中，可以在栅电极中，在同一工序中采用同一膜按同一时机至少形成延伸设置部和扫描线，所以能够进一步简化该制造过程。
在本发明的电光装置用基板的另一方式中，上述延伸设置部形成为，在上述交叉区域与上述数据线重合。
根据该方式，在交叉区域，能够对于对第2结区域从比其靠上层侧入射的光，利用数据线及延伸设置部的各自进行遮光。因而，可以进一步可靠减少向第2结区域入射的光。其结果为，能够更为有效、精确地提高对第2结区域的遮光性。
在本发明的电光装置用基板的另一方式中，具备保护膜，该保护膜为了在使上述开口部开设于上述绝缘膜时的腐蚀处理中保护上述沟道区域，形成到比上述半导体层靠上层侧且比上述绝缘膜靠下层侧，之后去除位于上述开口部内的一部分，形成在上述开口部的周围。
根据该方式，通过采用下述那种本发明所涉及的电光装置用基板的制造方法，来制造该电光装置用基板，就可以在晶体管的形成中，防止因为半导体层的损伤而使成品率下降，或者因为晶体管的工作不佳而使显示质量劣化、可靠性下降的不佳状况。另外，因为可以容易去除保护膜，所以还能够防止制造过程复杂化的情况。
本发明的电光装置为了解决上述问题，具备上述本发明的电光装置用基板(其中，还包括其各种方式)。
根据本发明的电光装置，因为具备上述本发明的电光装置用基板，所以能够提供可显示高质量图像的电光装置。
本发明的电子设备为了解决上述问题，具备上述本发明的电光装置。
根据本发明的电子设备，由于具备上述本发明的电光装置，因而可以实现能进行高质量显示的投影型显示装置、便携式电话机、电子记事本、文字处理机、取景器式或者监视直观式的磁带录像器、工作站、电视电话机、POS终端及接触式面板等的各种电子设备。另外，作为本发明所涉及的电子设备，还能够实现例如电子纸张等的电泳装置等。
本发明所涉及的电光装置用基板的制造方法为了解决上述问题，包括：半导体层形成工序，在基板上以下述方式形成半导体层，该方式为：使第2结区域位于非开口区域之中的沿着与第1方向相交的第2方向延伸的第2区域及第1区域相互交叉的交叉区域内，该半导体层具有沟道区域、数据线侧源漏区域、像素电极侧源漏区域、第1结区域和上述第2结区域，该沟道区域在限定为对应于数据线及扫描线的交叉处的每个像素的相互隔着开口区域的上述非开口区域之中的沿着上述第1方向延伸的上述第1区域具有沿上述第1方向的沟道长度，该数据线侧源漏区域电连接于数据线，该像素电极侧源漏区域电连接于像素电极，该第1结区域形成于上述沟道区域及上述数据线侧源漏区域间，该第2结区域形成于上述沟道区域及上述像素电极侧源漏区域间；保护膜形成工序，覆盖上述沟道区域地形成保护膜；绝缘膜形成工序，在形成上述保护膜的工序之后，覆盖上述半导体层地形成绝缘膜；开口工序，通过在上述绝缘膜的与上述沟道区域重合的部分，实施使用第1腐蚀剂的腐蚀，形成使上述保护膜露出的开口部；露出工序，通过在从上述开口部露出的保护膜，实施使用和上述第1腐蚀剂不同的第2腐蚀剂的腐蚀，使上述沟道区域露出；栅绝缘膜形成工序，在上述开口部内的上述露出的沟道区域上形成栅绝缘膜；以及晶体管形成工序，通过以下述方式形成栅电极来形成晶体管，该方式为：使该栅电极具有主体部和延伸设置部，该主体部形成于上述开口部内，该延伸设置部覆盖上述第2结区域地从该主体部延伸设置到上述绝缘膜上；使用上述第1腐蚀剂的对上述绝缘膜的腐蚀速率比使用上述第1腐蚀剂的对上述保护膜的腐蚀速率大，使用上述第2腐蚀剂的对上述保护膜的腐蚀速率比使用上述第2腐蚀剂的对上述半导体层的腐蚀速率大，使用上述第1腐蚀剂的对上述半导体层的腐蚀速率比使用上述第2腐蚀剂的对上述半导体层的腐蚀速率大。
根据本发明的电光装置用基板的制造方法，可以制造上述本发明所涉及的电光装置用基板。
在本发明中，首先当形成晶体管时，在基板上，在非开口区域的第1区域内沿着第1方向形成半导体层。此时，将第2结区域配置形成于交叉区域内。
接着，使得至少覆盖沟道区域地将保护膜形成于比半导体层靠上层侧。保护膜如下所述，其一部分被从半导体层上去除，并且采用下述那种材料如氮化硅(SiN)来形成，该材料在此时的腐蚀处理中使用第2腐蚀剂的腐蚀速率比例如由多晶硅、非晶体硅形成的半导体层大。这里所说的“第2腐蚀剂”指的是，作为对保护膜的腐蚀处理进行干腐蚀法时的腐蚀气体，或是作为腐蚀处理进行湿腐蚀法时的药液。
随后，在比保护膜靠上层侧形成绝缘膜。绝缘膜采用下述那种材料如氧化硅(SiO2)来形成，该材料在下述形成开口部的工序中的腐蚀处理中的使用第1腐蚀剂的腐蚀速率比保护膜大。这里所说的“第1腐蚀剂”指的是，作为形成开口部时的腐蚀处理进行干腐蚀法时的腐蚀气体，或是作为腐蚀处理进行湿腐蚀法时的药液。
接下来，通过作为使用第1腐蚀剂的腐蚀处理，对绝缘膜实施干腐蚀法或湿腐蚀法，或是干腐蚀法及湿腐蚀法的双方，在绝缘膜的与沟道区域重合的部分形成开口部。
这里，半导体层采用下述那种材料如多晶硅来形成，该材料使用第1腐蚀剂的腐蚀速率比使用第2腐蚀剂的腐蚀速率大。
从而，当形成开口部时，假设不把保护膜至少形成于沟道区域上时，在使用第1腐蚀剂的腐蚀处理中，例如由氧化硅膜形成的绝缘膜及半导体层的选择比减小，在形成开口部之后，开口部内所露出的半导体层表面被露出于第1腐蚀剂中，可能发生连半导体层的沟道区域都被腐蚀的情况。或者说，在形成开口部之后，半导体层因第1腐蚀剂而受到损伤，可能发生其膜质劣化的情况。
对此，在本发明中，特别是在由保护膜覆盖半导体层的至少沟道区域的状态下，使用第1腐蚀剂来形成开口部。这里，绝缘膜、保护膜及半导体层分别采用下述那种材料来形成，该材料，使用第2腐蚀剂的对保护膜的腐蚀处理中的半导体层的过腐蚀量比使用第1腐蚀剂的对绝缘膜的腐蚀处理中的半导体层的过腐蚀量小。另外，保护膜及绝缘膜分别采用下述那种材料来形成，该材料，使用第1腐蚀剂的对绝缘膜的腐蚀速率比使用第1腐蚀剂的对保护膜的腐蚀速率大。
因而，在使用第1腐蚀剂的腐蚀处理中，可以提高保护膜和绝缘膜的选择比。另外，除了采用如上的材料来形成保护膜之外，还可以通过调整其膜厚，进一步有效提高选择比。从而，在开口部形成后，即使在第1腐蚀剂中其表面被露出于开口部内，也可以防止腐蚀保护膜而被从开口部内去除、使半导体层的沟道区域受到损伤。
随后，通过对在开口部内露出的保护膜，作为使用第2腐蚀剂的腐蚀处理，实施干腐蚀法或湿腐蚀法，或者干腐蚀法及湿腐蚀法的双方，将保护膜从开口部内去除。此时，因为使用第2腐蚀剂的对半导体层的腐蚀速率比使用第2腐蚀剂的对保护膜的腐蚀速率小，所以在使用第2腐蚀剂的腐蚀处理中，可以提高半导体层和保护膜的选择比。因而，在开口部内，能够防止半导体层的沟道区域被露出于第2腐蚀剂中受到损伤，能将保护膜容易或可靠地去除。
还有，在比半导体层靠上层侧且比绝缘膜靠下层侧，以从半导体层的沟道区域开始还覆盖沟道区域之外的区域的方式配置保护膜时，在将位于开口部内的保护膜一部分去除之后，在开口部的周围残留保护膜的其它部分。
随后，在开口部内露出的半导体层的沟道区域上形成栅绝缘膜之后，将栅电极从开口部内连续形成于绝缘膜上。更为具体而言，将主体部形成于开口部内，并且从主体部将延伸设置部以覆盖第2结区域的方式连续延伸设置于绝缘膜上，形成栅电极。借此，形成晶体管。
从而，根据上面所说明的那种本发明的制造方法，在晶体管的形成中，可以防止因为半导体层的损伤而使成品率下降、或者因为晶体管的工作不佳而使显示质量劣化、使装置的可靠性下降的不佳状况。另外，因为可以容易去除保护膜，所以还能够防止制造过程复杂化的情况。
在本发明所涉及的电光装置用基板的制造方法的一个方式中，形成上述半导体层的工序采用硅来形成上述半导体层，形成上述保护膜的工序采用氮化硅膜来形成上述保护膜，形成上述绝缘膜的工序采用氧化硅膜来形成上述绝缘膜。
根据该方式，可以以下述方式分别形成半导体层、保护膜及绝缘膜，该方式为：使得作为保护膜的氮化硅膜使用第2腐蚀剂的腐蚀处理中的对半导体层的过腐蚀量比作为绝缘膜的氧化硅膜使用第1腐蚀剂的腐蚀处理中的对半导体层的过腐蚀量小。另外，可以形成为，使用第1腐蚀剂的对绝缘膜的腐蚀速率比使用第1腐蚀剂的对保护膜的腐蚀速率大。
因而，在形成开口部的工序中，可以在使用第1腐蚀剂的腐蚀处理中，提高保护膜和绝缘膜的选择比。另外，通过对保护膜实施使用第2腐蚀剂的腐蚀处理，可以在从开口部内去除保护膜时，提高半导体层和保护膜的选择比。
在本发明所涉及的电光装置用基板的制造方法的另一方式中，包括：扫描线形成工序，电连接于上述栅电极地形成上述扫描线；数据线形成工序，和上述扫描线相互交叉且电连接于上述数据线侧源漏区域地形成上述数据线；以及像素电极形成工序，将上述像素电极电连接于上述像素电极侧源漏区域地使之形成于每个上述像素中；形成上述数据线的工序及形成上述像素电极的工序的至少一方，将上述数据线及上述像素电极的至少一方，形成于比上述晶体管靠上层侧。
根据该方式，通过形成数据线的工序及形成像素电极的工序的至少一方，数据线及像素电极的至少一方形成于比晶体管靠上层侧。因而，在绝缘膜中，除开口部之外，还需要形成接触孔，用来将数据线及像素电极的至少一方和半导体层进行电连接。
这里，在形成保护膜的工序中，优选的是以下述方式形成保护膜，该方式为：使保护膜从沟道区域开始还覆盖沟道区域外的数据线侧源漏区域及像素电极侧源漏区域的至少一方。此时，通过和形成开口部的开口及从开口部内去除保护膜的各自相同的制造过程，就能够形成接触孔。因而，当除开口部之外还将上述的接触孔形成于绝缘膜中时，和形成开口部的情形相同，可以提高对绝缘膜的腐蚀处理的选择比。另外，随后，当从接触孔内去除保护膜时，也和从开口部去除保护膜的情形相同，能够提高腐蚀处理的选择比。
另外，可以通过和形成开口部时相同的制造装置来形成接触孔，能够得到使制造过程简化并且减少制造成本等的益处。
本发明的作用及其他益处将通过下面说明的用来实施的最佳方式得以明确。
附图说明
图1是本实施方式所涉及的液晶装置的概略俯视图。
图2是图1的H-H′截面图。
图3是本实施方式所涉及的液晶装置的构成图像显示区域且形成为矩阵状的多个像素中各种元件、布线等的等效电路图。
图4是本实施方式所涉及的液晶装置的像素部的俯视图。
图5是着眼于晶体管的结构来表示像素部结构的俯视图。
图6是图4的A-A′截面图。
图7是图4的B-B′截面图。
图8是图5的C-C′截面图。
图9是表示测试用TFT中的光照射位置和漏电流之间关系的曲线图。
图10是表示在漏侧结区域产生光激发时的载流子活动的概念图。
图11是表示在源侧结区域产生光激发时的载流子活动的概念图。
图12是表示在数据线侧源漏区域为漏电位时在数据线侧结区域(换言之，是漏侧结区域)产生光激发时的载流子活动的概念图。
图13是表示在像素电极侧源漏区域为漏电位时在像素电极侧结区域(换言之，是漏侧结区域)产生光激发时的载流子活动的概念图。
图14表示向像素开关用的TFT整体照射比较强的光时像素电极电位的波形。
图15是按照顺序表示制造过程的各工序中的图6所示截面部分结构的工序图(之1)。
图16是按照顺序表示制造过程的各工序中的图6所示截面部分结构的工序图(之2)。
图17是表示形成开口部的工序中的图8所示截面部分结构的截面图。
图18是按照顺序表示制造过程的各工序中的图6所示截面部分结构的工序图(之3)。
图19是按照顺序表示制造过程的各工序中的图6所示截面部分结构的工序图(之4)。
图20是表示作为使用电光装置的电子设备一个示例的投影机结构的俯视图。
符号说明
1a…半导体层，1a′…沟道区域，1b…数据线侧LDD区域，1c…像素电极侧LDD区域，1d…数据线侧源漏区域，1e…像素电极侧源漏区域，2…栅绝缘膜，3a…栅电极，6a…数据线，9a…像素电极，10…TFT阵列基板，10a…图像显示区域，11a…扫描线，30…TFT，31a…主体部，32a…延伸设置部，99a…开口区域，99b…非开口区域，99ba…第1区域，99bb…第2区域，99cr…交叉区域，202…绝缘膜，202h…开口部
具体实施方式
下面，对于本发明的各实施方式，一面参照附图，一面进行说明。在下面的实施方式中，分别将以作为本发明电光装置一例的驱动电路内置型TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置为例。
<电光装置>
对于本实施方式所涉及的液晶装置整体结构，参照图1及图2进行说明。这里，图1是从对向基板一侧看到TFT阵列基板和形成于其上的各构成要件的液晶装置的概略俯视图，图2是图1的H-H′剖面图。
在图1及图2中，本实施方式所涉及的液晶装置由相对向配置的TFT阵列基板10和对向基板20构成。TFT阵列基板10例如是石英基板、玻璃基板、硅基板等的透明基板。对向基板20也是例如由和TFT阵列基板10相同的材料构成的透明基板。在TFT阵列基板10和对向基板20之间封入液晶层50，TFT阵列基板10和对向基板20通过在位于图像显示区域10a周围的密封区域所设置的密封材料52进行相互接合。
密封材料52由用来粘合两个基板的例如紫外线固化树脂、热固化树脂等构成，在制造过程中涂敷于TFT阵列基板10上之后，通过紫外线照射、加热等使之固化。另外，例如在密封材料52中，散布着用来使TFT阵列基板10和对向基板20之间的间隔(基板间间隙)成为预定值的玻璃纤维或玻璃珠等间隙材料56。本实施方式所涉及的液晶装置适于作为投影机的光阀用，以小型进行放大显示。
与配置有密封材料52的密封区域内侧并行，限定图像显示区域10a边框区域的遮光性边框遮光膜53设置在对向基板20侧。但是，这种边框遮光膜53的一部分或全部也可以作为内置遮光膜设置于TFT阵列基板10侧。
在TFT阵列基板10上的位于图像显示区域10a周边的周边区域内，分别形成数据线驱动电路101、采样电路7、扫描线驱动电路104及外部电路连接端子102。
在TFT阵列基板10上的周边区域内，在比密封区域靠外周侧，数据线驱动电路101及外部电路连接端子102沿着TFT阵列基板10的一条边来设置。另外，在TFT阵列基板10上的周边区域之中的位于比密封区域靠内侧的区域内，使之沿着下述图像显示区域10a的一条边且被边框遮光膜53覆盖，来设置采样电路7，该图像显示区域10a的一条边沿着TFT阵列基板10的一条边。
扫描线驱动电路104沿着与TFT阵列基板10的一条边相邻的2条边，且被边框遮光膜53覆盖来设置。再者，为了电连接这样设置于图像显示区域10a两侧的二个扫描线驱动电路104间，沿着TFT阵列基板10剩下的一条边且被边框遮光膜53覆盖，来设置多条布线105。
另外，在TFT阵列基板10上的周边区域内，在与对向基板20的4个边角部相对向的区域，配置上下导通端子106，并且在该TFT阵列基板10和对向基板20之间，上下导通材料对应于上下导通端子106并与该端子106电连接，来设置。
在图2中，在TFT阵列基板10上形成叠层结构，该叠层结构中形成有作为驱动元件的像素开关用TFT和扫描线、数据线等的布线。在图像显示区域10a，在像素开关用TFT和扫描线、数据线等布线的上层按矩阵状设置像素电极9a。在像素电极9a上，形成取向膜16。还有，在本实施方式中，像素开关元件除TFT之外，还可以采用各种晶体管或TFD等来构成。
另一方面，在对向基板20的和TFT阵列基板10的对向面上，形成遮光膜23。遮光膜23例如由遮光性金属膜等形成，在对向基板20上的图像显示区域10a内，例如图形形成为网格状等。而且，在遮光膜23上(图2中比遮光膜23靠下侧)，由ITO等透明材料构成的对向电极21和多个像素电极9a相对向，例如形成为整面状，并且在对向电极21上(图2中比对向电极21靠下侧)形成取向膜22。
液晶层50例如由一种或将数种向列型液晶混合后的液晶构成，并且在这一对的取向膜间取得预定的取向状态。而且，在液晶装置的驱动时，通过给各自施加电压，在像素电极9a和对向电极21之间形成液晶保持电容。
还有，虽然这里未图示，但是在TFT阵列基板10上，除了数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104之外，还可以形成：预充电电路，先于图像信号给多条数据线分别供给预定电压电平的预充电信号；检查电路，用来检查制造过程中、出厂时该液晶装置的品质、缺陷等；等。
下面，对于本实施方式所涉及的液晶装置的像素部的电结构，参照图3进行说明。这里，图3是本实施方式所涉及的液晶装置的构成图像显示区域且形成为矩阵状的多个像素中各种元件、布线等的等效电路图。
在图3中，在构成图像显示区域10a且形成为矩阵状的多个像素各自中，形成像素电极9a及本发明所涉及的作为“晶体管”一例的TFT30。TFT30电连接到像素电极9a，在液晶装置的工作时对像素电极9a进行开关控制。被供给图像信号的数据线6a电连接到TFT30的源。写入数据线6a的图像信号S1、S2、…、Sn既可以按该顺序依线次序来供给，也可以对相邻的多条数据线6a之间，按每组来供给。
在TFT30的栅电连接扫描线11a，本实施方式所涉及的液晶装置其构成为，按预定的定时以脉冲方式将扫描信号G1、G2、…、Gm，按该顺序依线次序施加给扫描线11a。像素电极9a电连接到TFT30的漏，通过将作为开关元件的TFT30只按一定期间闭合其开关，从数据线6a供给的图像信号S1、S2、…、Sn就按预定的定时被写入。通过像素电极9a写入作为电光物质一例的液晶中的预定电平的图像信号S1、S2、…、Sn，在其和形成于对向基板的对向电极之间被保持一定期间。
构成液晶层50(参见图2)的液晶通过按照所施加的电压电平使分子集合的取向、秩序产生变化，就能够对光进行调制，进行灰度等级显示。如果是常时亮态模式，则按照以各像素为单位所施加的电压，减少对入射光的透射率，如果是常时暗态模式，则按照以各像素为单位所施加的电压，增加对入射光的透射率，并且整体上从液晶装置出射具有与图像信号相应的对比度的光。
为了防止这里所保持的图像信号出现泄漏，对形成于像素电极9a及对向电极21(参见图2)之间的液晶电容，以电并联的形式附加了存储电容70。存储电容70是作为保持电容发挥作用的电容元件，该保持电容按照图像信号的供给暂时保持各像素电极9a的电位。存储电容70的一方的电极和像素电极9a进行电并联，连接于TFT30的漏，另一方的电极连接于电位固定的电容线300，使之成为定电位。只要利用存储电容70，就能够提高像素电极9a中的电位保持特性，实现对比度提高、闪烁减少之类的显示特性的提高。还有，存储电容70如下所述，还作为遮挡向TFT30入射的光的内置遮光膜，来发挥作用。
下面，对于实现上述工作的像素部具体结构，除图1到图3之外还参照图4至图8进行说明。这里，图4是像素部的俯视图，图5是着眼于晶体管的结构来表示其结构的俯视图。另外，图6是图4的A-A′线截面图，图7是图4的B-B′线截面图。再者，图8是图5的C-C′截面图。
还有，在图4到图8中，为了将各层、各部件取为其程度可在附图上辨认的大小，按该各层、各部件的每个使比例尺不同。有关这一点，在下述相关的各附图中是相同的。在图4到图8中，虽然只对于参照图1或图2所说明的结构中的TFT阵列基板侧的结构，进行说明，但是为了说明的方便，在这些附图中，省略了位于比像素电极9a靠上侧的部分的图示。另外，在图5中，着眼于晶体管，更为详细表示其结构，并且有关非开口区域的相对于晶体管的数据线、扫描线、构成存储电容的各种膜的配置关系，也进行了概略表示。
这里，在图6中，从TFT阵列基板10到像素电极9a的部分构成了本发明所涉及的“电光装置用基板”一例。
像素电极9a在TFT阵列基板10上，按矩阵状设置多个。而且，如图4所示，分别沿着像素电极9a纵横的边界设置数据线6a及扫描线11a。扫描线11a沿着图4中的X方向延伸，数据线6a沿着图4中的Y方向延伸地与扫描线11a交叉。在扫描线11a及数据线6a相互交叉的部分的各自，设置像素开关用的TFT30。
扫描线11a、数据线6a、存储电容70、下侧遮光膜110、中继层93及TFT30在TFT阵列基板10上俯视，配置在与像素电极9a对应的各像素的包围开口区域99a(也就是，在各像素中透射或反射实际用于显示的光的区域)的非开口区域99b内。也就是说，这些扫描线11a、存储电容70、数据线6a、下侧遮光膜110及TFT30不配置在各像素的开口区域99a内，而配置到非开口区域99b内，以便不妨碍显示。
非开口区域99b例如由TFT阵列基板10侧的数据线6a、扫描线11a或者构成存储电容70的导电膜的至少一部分具有遮光性的遮光膜，来限定，并且作为能够利用这种遮光膜遮挡向各像素入射的光的区域，在TFT阵列基板10侧被限定。更为具体而言，非开口区域99b包括沿Y方向的第1区域99ba和沿X方向的第2区域99bb。另外，优选的是，如同参照图2所说明的那样，还利用在对向基板20侧所形成的遮光膜23，和TFT阵列基板10侧的遮光膜一起，限定非开口区域99b。
在图4、图5或图6中，下侧遮光膜110通过基底绝缘膜12配置于比半导体层1a靠下层侧，例如由钨(W)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)等高熔点金属材料等的遮光性导电材料构成。下侧遮光膜110如图4或图5所示，例如沿着扫描线11a的延伸方向(也就是，X方向)来形成，也就是说，对应于各扫描线11a在像素显示区域10a形成为条带状。只要利用这种下侧遮光膜110，就可以遮挡TFT阵列基板10的内里面反射、在多片式投影机等中从其他液晶装置发出并穿透合成光学系统而来的光等的折返光之中的向TFT30行进的光。
基底绝缘膜12例如由氧化硅膜等构成。基底绝缘膜12因为形成于TFT阵列基板10的整面，所以具有防止因TFT阵列基板10表面研磨时的裂纹、清洗后残留的污渍等而使像素开关用的TFT30的特性变化的功能。
在图4到图6中，TFT30的结构包括半导体层1a和栅电极3a。
半导体层1a例如由多晶硅构成，包括具有沿图4中Y方向的沟道长度的沟道区域1a′、数据线侧LDD区域1b及像素电极侧LDD区域1c以及数据线侧源漏区域1d及像素电极侧源漏区域1e。也就是说，TFT30具有LDD结构。还有，数据线侧LDD区域1b是本发明所涉及的“第1结区域”一例，像素电极侧LDD区域1c是本发明所涉及的“第2结区域”一例。
在图4或图5中，数据线侧源漏区域1d及像素电极侧源漏区域1e以沟道区域1a′为基准，沿着Y方向大致形成为镜面对称。数据线侧LDD区域1b形成在沟道区域1a′及数据线侧源漏区域1d间。像素电极侧LDD区域1c形成在沟道区域1a′及像素电极侧源漏区域1e间。数据线侧LDD区域1b、像素电极侧LDD区域1c、数据线侧源漏区域1d及像素电极侧源漏区域1e是例如通过离子注入法等的杂质掺入在半导体层1a中掺入杂质后的杂质区域。数据线侧LDD区域1b及像素电极侧LDD区域1c分别作为与数据线侧源漏区域1d及像素电极侧源漏区域1e相比杂质少的低浓度杂质区域，来形成。利用这种杂质区域，就可以在TFT30的非工作时，减少向源区域及漏区域流通的截止电流，且抑制TFT30的工作时流通的导通电流的下降。还有，TFT30虽然优选的是具有LDD结构，但既可以是不对数据线侧LDD区域1b、像素电极侧LDD区域1c进行杂质掺入的偏置结构，也可以是以栅电极作为掩模将杂质掺入成高浓度来形成数据线侧源漏区域及像素电极侧源漏区域的自匹配型。
在图4到图6中，栅电极3a具有：延伸设置部32a，其通过绝缘膜202配置于比半导体层1a靠上层侧；和主体部31a，其在绝缘膜202中俯视与沟道区域1a′重合的部分所形成的开口部202h内，和延伸设置部32a连续地整体形成。
这里，在图8中有关沿图5的C-C′线的截面部分，着眼于开口部202h内，只对于其结构进行了表示。
如图8所示，主体部31a是在TFT30的工作时原本作为栅电极发挥作用的部分，在开口部202h内通过栅绝缘膜2来形成为和沟道区域1a′重合。
在图5或图6中，延伸设置部32a俯视与像素电极侧LDD区域1c重合地相对半导体层1a通过绝缘膜202形成到上层侧。从而，能够利用延伸设置部32a遮挡对像素电极侧LDD区域1c从比其靠上层侧入射的光。延伸设置部32a因为通过绝缘膜202配置于像素电极侧LDD区域1c的正上方，所以能够进一步可靠减少从延伸设置部32a向下层侧行进并且通过绝缘膜202向像素电极侧LDD区域1c入射的光。
在图5中，像素电极侧LDD区域1c配置到：在非开口区域99b，第1区域99ba及第2区域99bb相互交叉的交叉区域99cr内。在交叉区域99cr，对像素电极侧LDD区域1c从比其靠上层侧入射的光之中的沿着图5中用箭头Py所示的行进方向行进的光，能够利用第1区域99ba进行遮光，沿着图5中用箭头Px所示的行进方向行进的光，能够利用第2区域99bb进行遮光。还有，在图5中箭头Py表示具有沿Y方向行进的分量的光的行进方向一例，箭头Px表示具有沿X方向行进的分量的光的行进方向一例。
从而，除了延伸设置部32a之外，还可以在交叉区域99cr，由第1区域99ba及第2区域99bb遮挡对像素电极侧LDD区域1c行进的光。因而，能够减少向像素电极侧LDD区域1c入射的光。
这里，虽然有关其详细状况将在下面进行说明，但是特别在向像素电极侧LDD区域1c照射光时，本申请发明人推测出，其和向数据线侧LDD区域1b照射光的情形进行比较，易于产生TFT30中的光泄漏电流。在本实施方式中，就对形成于半导体层1a的各种区域之中的像素电极侧LDD区域1c的遮光性而言，可以精确提高。从而，可以有效减少各像素的TFT30的光泄漏电流。
另外，在本实施方式中，即便没有对像素电极侧LDD区域1c、不同于交叉区域99cr地设置遮光区域，也可以精确提高对像素电极侧LDD区域1c的遮光性。因而，通过设置这种用来精确提高遮光性的区域，就能够防止使各像素的非开口区域99b的配置面积变宽、使开口区域99a进一步减小。其结果为，即便使各像素微小化，也可以精确地使遮光性得到提高，且使开口率也得到进一步提高。
另外，延伸设置部32a通过绝缘膜202形成于比像素电极侧LDD区域1c靠上层侧，和像素电极侧LDD区域1c进行电绝缘。因而，在TFT30的工作时，能够防止在和原本作为栅电极发挥作用的主体部31a整体形成的延伸设置部32a中产生的电场给像素电极侧LDD区域1c带来电的影响，在TFT30中发生工作不佳。
再者，延伸设置部32a和主体部31a在相对TFT阵列基板10的基板面呈垂直的上下方向配置于相互不同的位置，并且相互整体形成。从而，因为这些延伸设置部32a和主体部31a按相互不同的高度来配置，所以和按图形上分离的形状分别形成的情形进行比较，即便使各像素精细化，也可以防止延伸设置部32a和主体部31a的电连接被切断，或者延伸设置部32a相对像素电极侧LDD区域1c产生短路的不佳状况。从而，可以防止因这种电连接的不佳而在TFT30中发生工作不佳。
这里，在本实施方式中，例如在半导体层1a，沟道区域1a′在第1区域99ba中部分配置于交叉区域99cr内，并且还配置于交叉区域99cr之外的区域内。因而，主体部31a在交叉区域99cr外，与沟道区域1a′在开口部202h内重合进行配置。从而，通过整体形成：在交叉区域99cr相对像素电极侧LDD区域1c重合来配置的延伸设置部32a以及配置于和延伸设置部32a不同的区域的主体部31a，就可以容易形成栅电极3a。其结果为，因为可以按配置像素电极侧LDD区域1c所需要的必要最小限度的配置面积形成交叉区域99cr，所以能够容易使各像素进一步微小化，且使开口率得到提高。
绝缘膜202例如由氧化硅膜等构成。本实施方式的液晶装置因为通过下述的那种制造过程进行制造，所以在绝缘膜202的开口部202h周围如图5或图6所示，形成例如由氮化硅膜构成的保护膜205。
在图4或图6中，扫描线11a在通过绝缘膜202比半导体层1a靠上层侧，按X方向延伸，例如由导电性多晶硅形成。优选的是，栅电极3a的延伸设置部32a沿X方向延伸，并且和扫描线11a整体形成。
在图6中，在通过层间绝缘膜41比TFT阵列基板10上的TFT30靠上层侧，设置存储电容70。
存储电容70通过：下部电容电极71和上部电容电极300通过电介质膜75进行对向配置，来形成。
上部电容电极作为电容线300的一部分来形成。虽然有关其结构省略了图示，但是电容线300从配置有像素电极9a的图像显示区域10a延伸设置于其周围，和定电位源进行电连接。因此，上部电容电极300被维持成固定电位，能够作为固定电位侧电容电极来发挥作用。上部电容电极300例如由包括Al(铝)、Ag(银)等金属或合金的非透明金属膜形成，还作为对TFT30进行遮光的上侧遮光膜(内置遮光膜)来发挥作用。还有，上部电容电极300例如也可以由包括Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)、Pd(钯)等高熔点金属之中的至少一种的金属单质、合金、金属硅化物、多晶硅化物以及将它们叠层后的物质等，来构成。
在图4或图6中，下部电容电极71是与TFT30的像素电极侧源漏区域1e及像素电极9a电连接的像素电位侧电容电极。更为具体而言，下部电容电极71通过接触孔83(参见图4及图6)，与像素电极侧源漏区域1e进行电连接，并且通过接触孔84(参见图4及图7)电连接到中继层93。再者，中继层93通过接触孔85(参见图4及图7)电连接到像素电极9a。也就是说，下部电容电极71和中继层93一起，对像素电极侧源漏区域1e及像素电极9a间的电连接进行中继。下部电容电极71例如由导电性的多晶硅或者例如包括Al(铝)等金属或合金的非透明金属膜，来形成。
这里，下部电容电极71优选的是，除了作为像素电位侧电容电极的功能之外，还具有作为下述光吸收层或遮光膜的功能，该光吸收层或遮光膜配置于作为上侧遮光膜的上部电容电极300和TFT30之间。从而，在交叉区域99cr，对于对像素电极侧LDD区域1c从比其靠上层侧入射的光，也能够利用上部电容电极300及下部电容电极71的各自进行遮光。
电介质膜75具有例如由HTO(High Temperature Oxide，高温氧化物)膜、LTO(Low Temperature Oxide，低温氧化物)膜等氧化硅膜或者氮化硅膜等所构成的单层结构或多层结构。
在图6及图7中，在通过层间绝缘膜42比TFT阵列基板10上的存储电容70靠上层侧，设置数据线6a及中继层93。
数据线6a通过贯穿绝缘膜202、层间绝缘膜41、电介质膜75及层间绝缘膜42的接触孔81，电连接到半导体层1a的数据线侧源漏区域1d。数据线6a及接触孔81内部例如由Al-Si-Cu、Al-Cu等的Al(铝)含有材料或Al单质或者Al层和TiN层等的多层膜构成。数据线6a还具有对TFT30进行遮光的功能。
如图4或图5所示，数据线6a形成为，在交叉区域99cr，和栅电极3a的延伸设置部32a重合。因而，在交叉区域99cr，对于对像素电极侧LDD区域1c从比其靠上层侧入射的光，也能够利用数据线6a进行遮光。
在图4及图7中，中继层93在层间绝缘膜42上，形成到和数据线6a(参见图6)同一层。数据线6a及中继层93，使用薄膜形成法，事先将例如由金属膜等的导电材料构成的薄膜形成于层间绝缘膜42上，并通过将该薄膜部分去除，也就是进行图形形成，在相互分开的状态下形成。从而，因为可以通过同一工序来形成数据线6a及中继层93，所以能够简化装置的制造过程。
在图6及图7中，像素电极9a通过层间绝缘膜43形成到比数据线6a靠上层侧。像素电极9a通过下部电容电极71、接触孔83、84、85以及中继层93，电连接到半导体层1a的像素电极侧源漏区域1e。接触孔85通过在形成为贯穿层间绝缘膜43的孔部内壁使ITO等构成像素电极9a的导电材料成膜，来形成。在像素电极9a的上侧表面，设置实施过研磨处理等预定取向处理的取向膜16。
上面所说明的像素部结构在各像素部中是相同的。在图像显示区域10a(参见图1)，该像素部周期性形成。
因而，在上面所说明的那种本实施方式的液晶装置中，在其工作时，能够防止因为发生TFT30的光泄漏电流而产生显示不佳，或者即使发生也在显示上降低到视觉辨认不出显示不佳的程度。另外，还可以防止TFT30的工作不佳、开口率下降，并且易于使各像素微小化。其结果为，在本实施方式中，可以在液晶装置中显示高质量的图像。
这里，对于在上述TFT30的工作时，在像素电极侧LDD区域1c与数据线侧LDD区域1b相比，相对易于发生光泄漏电流的原因，参照图9到图14进行详细说明。
首先，对于向测试用TFT照射光时测定漏电流大小的测定结果，参照图9进行说明。这里，图9是表示测试用TFT中的光照射位置和漏电流之间关系的曲线图。
在图9中，数据E1表示出，对测试用的单个TFT，也就是TEG(TestElement Group，测试元件组)从漏区域一侧向源区域一侧按顺序扫描光点(约2.4um的可见光激光)同时进行照射时测定漏电流大小的结果。TEG除了沟道区域、源区域及漏区域之外，还具有：源侧结区域，形成于沟道区域和源区域的接合部；和漏侧结区域，形成于沟道区域和漏区域的接合部。
还有，图9的横轴表示出照射光点的光照射位置，并且将沟道区域和漏侧结区域的边界及沟道区域和源侧结区域的边界还有沟道区域设为零。图9的纵轴表示出漏电流的大小(但是，是用预定的值归一化后的相对值)，在漏电流从漏区域朝向源区域流通时，表示正的值(也就是，正数的值)，在漏电流从源区域朝向漏区域流通时，表示负的值(也就是，负数的值)。
在图9中，数据E1在任一个光照射位置都表示出正数的值。也就是说，表示出漏电流正从漏区域朝向源区域流通。另外，数据E1在漏侧结区域内，表示出比在源侧结区域内大的值。也就是说，在向漏侧结区域内照射光点时，表示出与向源侧结区域内照射光点的情形相比、漏电流增大这一情况。也就是说，在向漏侧结区域内照射光点时，表示出与向源侧结区域内照射光点的情形相比、光泄漏电流增大这一情况。还有，漏电流由暗电流(或者亚阈值泄漏电流(subthreshold leak)，也就是在不照射光的状态下仍在TEG的截止状态下在源区域及漏区域间流通的泄漏电流)和光泄漏电流(或者光激发电流，也就是因为通过照射光引起的电子激发而产生的电流)构成。
下面，对于向漏侧结区域内照射光点的情形与向源侧结区域内照射光点的情形相比、光泄漏电流增大的机理，参照图10及图11进行说明。这里，图10是表示在漏侧结区域产生光激发时的载流子活动的概念图。图11是表示在源侧结区域产生光激发时的载流子活动的概念图。还有，在图10及图11中，已经假定电连接上述TFT30后的像素电极9a中的中间灰度等级的显示，将源电位(也就是，源区域的电位)取为4.5V，将栅电位(也就是，沟道区域的电位)取为0V，将漏电位(也就是，漏区域的电位)取为9.5V。图10及图11的横轴表示出构成TEG的半导体层的各区域。图10及图11的纵轴表示出电子的电势(费米能级)。因为电子具有负的电荷，所以各区域的电位越高，电子的电势变得越低，各区域的电位越低，电子的电势变得越高。
图10表示出，向形成于沟道区域及漏区域间的漏侧结区域照射光点并且在漏侧结区域产生光激发时载流子的活动。
在图10中，光泄漏电流可以推测为包括2个电流分量。
也就是说，作为第1电流分量，有因电子移动而产生的电流分量，该电子移动是因光激发而产生的。更为具体而言，该电流分量是：由于因漏侧结区域的光激发所产生的电子(参见附图中的“e”)从漏侧结区域向电势较低的漏区域进行移动，而产生的(该电流分量从漏区域向源区域流通)。
作为第2电流分量，有因空穴(也就是hole，参见附图中的“h”)移动而产生的电流分量，该空穴移动是因光激发而产生的。更为具体而言，该电流分量是：由于因漏侧结区域的光激发所产生的空穴从漏侧结区域向电势较低(也就是说，作为电子的电势较高)的沟道区域进行移动而发生的双极(bipolar)效应引起的。也就是说，该电光成分是因下述效应而产生的(该电流分量从漏区域向源区域流通)，该效应为，因为向沟道区域所移动的空穴的正电荷，沟道区域的电势(也就是，所谓的基极电势)从电势Lc1下降到电势Lc2，所以从源区域朝向漏区域的电子增大。因而，在漏侧结区域产生光激发时，第1及第2电流分量全都发生于使漏电流(换言之，是集电极电流)增大的方向(也就是，从漏区域向源区域流通的方向)。
图11表示出，向形成于沟道区域及源区域间的源侧结区域照射光点并且在源侧结区域产生光激发时载流子的活动。
在图11中，光泄漏电流和参照图10在上述漏侧结区域产生光激发的情形不同，可以推测出，主要的是空穴从源侧结区域向电势较低(也就是说，作为电子的电势较高)的沟道区域进行移动的双极效应引起的第2电流分量。也就是说，可以推测出，由于因源侧结区域的光激发所产生的电子(参见附图中的“e”)从源侧结区域向电势较低的源区域进行移动而产生的第1电流分量(该电流分量从源区域向漏区域流通)，比因双极效应引起的第2电流分量(该电流分量从漏区域向源区域流通)少。
在图11中，因双极效应引起的第2电流分量(也就是，因下述效应而产生的电流分量，该效应为，因为向沟道区域所移动的空穴的正电荷，基极电势从电势Lc1下降到电势Lc3，所以从源区域朝向漏区域的电子增大)从源区域向漏区域进行流通。另一方面，上述的第1电流分量从源区域向漏区域进行流通。也就是说，第1电流分量和第2电流分量相互按相反方向流通。这里，再次在图9中，在向源侧结区域照射光点时，漏电流(参见数据E1)表示出正的值。也就是说，这种情况下，漏电流正从漏区域朝向源区域进行流通。因而，可以认为，第1电流分量大不到：仅仅通过抑制暗电流、作为第2电流分量的因双极效应而产生的电流分量，就使漏电流的流通从源区域前往漏区域的程度。
再者，因为沟道区域及源区域间的电位差比沟道区域及漏区域间的电位差小，所以源区域侧的耗尽区域(也就是，源侧结区域)比漏区域侧的耗尽区域(也就是，漏侧结区域)窄。因此，在向源侧结区域照射光点时，和向漏侧结区域照射光点的情形进行比较，光激发的绝对量较少。
上面，如同参照图10及图11所说明的那样，在漏侧结区域产生光激发时，第1及第2电流分量全都发生于使漏电流增大的方向。另一方面，在源侧结区域产生光激发时，第1电流分量抑制第2电流分量。因而，向漏侧结区域内照射光点的情形与向源侧结区域内照射光点的情形相比，漏电流增大(也就是说，光泄漏电流增大)。
下面，对于像素电极侧源漏区域为漏电位并且向像素电极侧结区域内照射光点的情形与数据线侧源漏区域为漏电位并且向数据线侧结区域内照射光点的情形相比、光泄漏电流增大的机理，参照图12及图13进行说明。这里，图12是表示在数据线侧源漏区域为漏电位时在数据线侧结区域(换言之，是漏侧结区域)产生光激发时的载流子活动的概念图。图13是表示在像素电极侧源漏区域为漏电位时在像素电极侧结区域(换言之，是漏侧结区域)产生光激发时的载流子活动的概念图。
在下面，要考虑在包括像素开关用的TFT的像素部中保持电荷并且产生光激发的情形。和上述那种假定TEG的情形不同之处为，像素开关用TFT的像素电极侧能够成为浮置(floating)状态。在像素开关用TFT的像素电极侧，还有时连接存储电容70这样的保持电容，并且如果电容值足够大，则和上述使用TEG的情形相同，成为近似固定电极的状态，如果电容不足够大，则成为浮置状态或与之近似的状态。还有，这里，假设电容值不足够大。
在图12及图13中，液晶装置为了防止所谓的图像残留要采用交流驱动。这里，假定中间灰度等级的显示，并且假定在像素电极中以7V为基准电位，交替保持4.5V的负场电荷和9.5V的正场电荷的情形。因此，像素开关用TFT的源及漏在像素电极侧源漏区域和数据线侧源漏区域之间，不固定地产生变化。也就是说，如图12所示，在像素电极中保持负场的电荷时(也就是，像素电极侧源漏区域的电位比数据线侧源漏区域的电位低时)，像素电极侧源漏区域成为源，与此相对如图13所示，在像素电极中保持正场的电荷时(也就是，像素电极侧源漏区域的电位比数据线侧源漏区域的电位高时)，像素电极侧源漏区域成为漏。
在图12中，在像素电极中保持负场的电荷时，像素电极侧源漏区域成为源(或者发射极)，数据线侧源漏区域成为漏(或者集电极)。在作为漏侧结区域的数据线侧结区域产生光激发时如上所述，产生因电子移动而产生的第1电流分量和因双极效应引起的第2电流分量，该电子移动是因光激发而产生的。这里，若产生了因双极效应引起的第2电流分量(也就是说，若基极电势从电势Lc1下降到电势Lc2，电子从作为源的像素电极侧源漏区域向作为漏的数据线侧源漏区域进行了移动)，则致使从为浮置状态的像素电极侧源漏区域抽出电子，作为发射极的像素电极侧源漏区域的电势从电势Ls1下降到电势Ls2(电位上升)。也就是说，在作为漏侧结区域的数据线侧结区域产生光激发时，基极电势下降，并且作为发射极的像素电极侧源漏区域的电势也下降。换言之，在作为漏侧结区域的数据线侧结区域产生光激发时，伴随基极电位的上升，发射极电位也上升。因此，漏电流(也就是，集电极电流)得到抑制。
另一方面，在图13中，在像素电极中保持正场的电荷时，数据线侧源漏区域成为源(或者发射极)，像素电极侧源漏区域成为漏(或者集电极)。在作为漏侧结区域的像素电极侧结区域产生光激发时如上所述，产生因电子移动而产生的第1电流分量和因双极效应引起的第2电流分量，该电子移动是因光激发而产生的。这里，作为源的数据线侧源漏区域因为和数据线进行连接，所以和像素电极不同，不是浮置状态，并且在电位上不产生变化。若产生了因双极效应引起的第2电流分量(也就是说，若基极电势从电势Lc1下降到电势Lc2，电子从作为源的数据线侧源漏区域向作为漏的像素电极侧源漏区域进行了移动)，则致使电子向为浮置状态的像素电极侧源漏区域流入，作为集电极的像素电极侧源漏区域的电势从电势Ld1上升到电势Ld2(电位下降)。但是，作为集电极的像素电极侧源漏区域的电势上升和上述作为源的像素电极侧源漏区域的电势下降不同，几乎没有抑制漏电流的作用。漏电流(也就是，集电极电流)因为基本上根据基极电位相对发射极电位的大小来确定，所以即使集电极电位下降，也几乎不产生抑制漏电流的作用，换言之，是进入到双极晶体管饱和区域中的状态。
上面，如同参照图12及图13所说明的那样，在像素电极中保持正场的电荷时(也就是，像素电极侧源漏区域为漏时)，因双极效应引起的第2电流分量几乎不被抑制，与此相对在像素电极中保持负场的电荷时(也就是，数据线侧源漏区域为漏时)，因双极效应引起的第2电流分量因为成为浮置状态的像素电极侧源漏区域的电位上升，而被抑制。也就是说，像素电极侧源漏区域成为漏时与数据线侧源漏区域成为漏的情形相比，因为光泄漏电流而使漏电流增加。
这里，图14表示出，向像素开关用的TFT整体照射比较强的光时像素电极电位的波形。
在图14中，数据E2表示出，在像素电极中保持正场的电荷时(像素电极电位为电位V1时)的像素电极电位的变动Δ1比在像素电极中保持负场的电荷时(像素电极电位为电位V2时)的像素电极电位的变动Δ2大。也就是说，表示出在像素电极中正场的电荷与负场的电荷相比不易保持(也就是说，易于发生光泄漏电流)。这和上述的机理一致，该机理为，在像素电极中保持正场的电荷时(也就是，像素电极侧源漏区域为漏时)与在像素电极中保持负场的电荷时(也就是，数据线侧源漏区域为漏时)相比易产生光泄漏电流。
上面，如同参照图9到图14所详细说明的那样，在像素开关用的TFT的漏侧结区域产生光激发时，漏电流易于增加。再者，在像素电极侧源漏区域为漏时，漏电流易于增加(反过来说，在数据线侧源漏区域为漏时，因双极效应引起的电流分量得到抑制)。因而，如同本实施方式所涉及的液晶装置那样，通过与对作为数据线侧结区域的数据线侧LDD区域1b的遮光性相比，提高对作为像素电极侧结区域的像素电极侧LDD区域1c的遮光性，就可以维持较高的开口率，并且非常有效地减少TFT30中的光泄漏电流。
<电光装置的制造方法>
在下面，将对于上述本实施方式所涉及的液晶装置的制造过程，参照图15到图19进行说明。图15及图16、图18及图19是按照顺序表示制造过程各工序中的图6所示的截面部分的结构的工序图。另外，图17是表示形成开口部的工序中的图8所示截面部分的结构的截面图。
还有，在下面将对于在像素部中形成于TFT阵列基板10上的数据线6a、扫描线11a、TFT30、存储电容70等的制造工序，进行特别详细的说明，有关形成于对向基板20上的取向膜22、对向电极21等的制造工序，则予以省略。
首先，在图15(a)的工序中，在TFT阵列基板10的整面形成下侧遮光膜110之后，在图15(b)的工序中，在下侧遮光膜110之上形成基底绝缘膜12。
随后，通过在基底绝缘膜12之上，利用减压CVD等形成非晶硅膜并实施热处理，使多晶硅膜进行固相生长。或者，不经过非晶硅膜，而利用减压CVD法等直接形成多晶硅膜。接着，通过对该多晶硅膜，例如实施光刻法及腐蚀处理，来形成半导体层1a。接着，通过以低浓度及高浓度的2个等级掺入杂质离子，来形成包括数据线侧LDD区域1b及像素电极侧LDD区域1c、数据线侧源漏区域1d及像素电极侧源漏区域1e的LDD结构的像素开关用TFT30的半导体层1a。
此后，在图15(c)的工序中，覆盖半导体层1a的至少沟道区域1a′地将保护膜205形成于半导体层1a上。保护膜205如下所述，其一部分被从半导体层1a上去除，并且采用下述那种材料例如氮化硅(SiN)来形成，该材料在此时的腐蚀处理中使用第2腐蚀剂的腐蚀速率比半导体层1a大。  接着，在图16(a)的工序中，在比保护膜205靠上层侧形成绝缘膜202。绝缘膜202采用下述那种材料例如氧化硅(SiO2)来形成，该材料在形成开口部202h的工序中的腐蚀处理的使用第1腐蚀剂的腐蚀速率比保护膜205大。
接着，在图16(b)的工序中，通过例如和光刻法一并，对绝缘膜202实施作为第1腐蚀剂例如使用氟类腐蚀气体的干腐蚀法、或作为第1腐蚀剂使用氢氟酸类药液的湿腐蚀法，或者干腐蚀法及湿腐蚀法的双方，来形成开口部202h。
这里，半导体层1a采用下述那种材料来形成，该材料使用第1腐蚀剂的腐蚀速率比使用第2腐蚀剂的腐蚀速率大。
从而，当形成开口部202h时，假设不将保护膜205形成于沟道区域1a′上时，在使用第1腐蚀剂的腐蚀处理中，绝缘膜202及半导体层1a的选择比减小，在形成开口部202h之后，开口部202h内所露出的半导体层1a的表面被露出于第1腐蚀剂中，可能发生连半导体层1a的沟道区域1a′都被腐蚀的情况。或者，在形成开口部202h之后，半导体层1a因第2腐蚀剂而受到损伤，可能发生其膜质劣化的情况。
然而，在本实施方式中，特别是在由保护膜205覆盖半导体层1a的至少沟道区域1a′的状态下，使用第1腐蚀剂来形成开口部202h。这里，绝缘膜202、保护膜205及半导体层1a分别采用下述那种材料来形成，该材料，使用第2腐蚀剂的保护膜205的腐蚀处理中的半导体层1a的过腐蚀量，比使用第1腐蚀剂的绝缘膜202的腐蚀处理中的半导体层1a的过腐蚀量小。另外，保护膜205及绝缘膜202分别采用下述那种材料来形成，该材料，使用第1腐蚀剂的对绝缘膜202的腐蚀速率比使用第1腐蚀剂的对保护膜205的腐蚀速率大。
因而，在使用第1腐蚀剂的腐蚀处理中，能够提高保护膜205和绝缘膜202的选择比。另外，除了采用上述那种材料来形成保护膜205之外，还可以通过调整其膜厚，进一步有效提高选择比。从而，在开口部202h形成后，即使在第1腐蚀剂中其表面被露出于开口部202h内，也可以防止腐蚀保护膜205而将其从开口部202h内去除、使半导体层1a的沟道区域1a′受到损伤的情况。
这里，如图17所示，在使用湿腐蚀法时，也有时因为过腐蚀，使开口部202h的开口直径比原来的直径，也就是开口部202h不到达沟道区域1a′以外的区域的那种设计上的值大。这样，即便开口部202h的开口直径扩大，也可以控制腐蚀处理的各条件，以便在图4或图5所示的Y方向上开口部202h不扩大并重合到沟道区域1a′以外的区域。
此后，在图16(c)的工序中，通过例如和光刻法一并，实施作为第2腐蚀剂例如使用热磷酸的湿腐蚀法，将保护膜205从开口部202h内去除。还有，作为腐蚀处理，除湿腐蚀法之外，既可以一并实施或者也可以取而代之地实施干腐蚀法。
此时，因为使用第2腐蚀剂的对半导体层1a的腐蚀速率比使用第2腐蚀剂的对保护膜205的腐蚀速率小，所以在使用第2腐蚀剂的腐蚀处理中，可以提高半导体层1a和保护膜205的选择比。因而，在开口部202h内，能够防止半导体层1a的沟道区域1a′被露出于第2腐蚀剂中而受到损伤，能容易或可靠地去除保护膜205。
随后，在图18(a)的工序中，在开口部202h内露出的半导体层1a的沟道区域1a′上形成栅绝缘膜2之后，在图18(b)的工序中，将栅电极3a从开口部202h内连续形成于绝缘膜202上。因此，主体部31a形成于开口部202h内，延伸设置部32a从主体部31a连续地延伸设置于绝缘膜202上。借此，形成TFT30，并且扫描线11a也和延伸设置部32a整体形成。因而，能够在同一工序中采用同一膜按同一时机形成延伸设置部32a和扫描线11a，因此可以进一步简化液晶装置的制造过程。
此后，在图19(a)的工序中，形成层间绝缘膜41之后，形成存储电容70。接着，在图19(b)的工序中，形成层间绝缘膜42之后，形成数据线6a及中继层93。
在图19(a)的工序及图19(b)的工序中，分别形成接触孔83、81及84。特别是，用来电连接数据线6a和数据线侧源漏区域1d的接触孔81以及用来将下述下部电容电极71电连接于像素电极侧源漏区域1e的接触孔83分别形成为，贯穿绝缘膜202，到达半导体层1a的表面，上述下部电容电极71对像素电极9a和像素电极侧源漏区域1e的电连接进行中继。
这里，在形成保护膜205使之还覆盖沟道区域1a′外的数据线侧源漏区域1d及像素电极侧源漏区域1e的至少一方时，可以通过和开口部202h的形成及从开口部202h内去除保护膜205的各自相同的制造过程，来形成接触孔81或83。
因而，当除开口部202h之外还将接触孔81或83形成于绝缘膜202中时，和形成开口部202h的情形相同，可以提高对绝缘膜202的腐蚀处理的选择比。另外，此后当从接触孔81或83内去除保护膜205时，也和从开口部202h去除保护膜205的情形相同，能够提高腐蚀处理的选择比。
另外，可以采用和形成开口部202h时相同的制造装置来形成接触孔81或83，能够得到简化制造过程并且削减制造成本等的益处。
在图19(b)的工序后，形成层间绝缘膜43，并且在形成接触孔85之后，形成像素电极9a。
从而，根据上面所说明的那种液晶装置的制造过程，在TFT30的形成中，可以防止因为半导体层1a的损伤而使成品率下降，或者因为TFT30的工作不佳而使显示质量劣化、使可靠性下降的不佳状况。另外，因为可以容易去除保护膜205，所以还能够防止制造过程复杂化的情况。
<电子设备>
下面，对于将作为上述电光装置的液晶装置使用于各种电子设备中的情形，进行说明。这里，图20是表示投影机结构例的俯视图。在下面，将有关使用该液晶装置来作为光阀的投影机，进行说明。
如图20所示，在投影机1100内部，设置由卤素灯等白色光源构成的灯组件1102。从该灯组件1102所射出的投影光通过配置于光导向组件1104内的4片反射镜1106及2片分色镜1108被分离成RGB的3原色，入射到作为与各原色对应的光阀的液晶面板1110R、1110B及1110G。
液晶面板1110R、1110B及1110G的结构和上述液晶装置相同，按照从图像信号处理电路供给的R、G、B原色信号分别进行驱动。而且，由这些液晶面板调制后的光向分色棱镜1112从3个方向入射。在该分色棱镜1112，R及B的光弯折成90度，另一方面，G的光直行。从而，各色的图像被合成的结果，通过投影透镜1114，向屏幕等投影彩色图像。
在此，着眼于由各液晶面板1110R、1110B及1110G得到的显示图像，得知由液晶面板1110G得到的显示图像需要相对由液晶面板1110R、1110B得到的显示图像进行左右翻转。
还有，在液晶面板1110R、1110B及1110G，由于通过分色镜1108，入射与R、G、B各原色对应的光，因而不需要设置滤色器。
还有，除了参照图20所说明的电子设备之外，还能列举出便携式个人计算机、便携式电话机、液晶电视机、取景器式、监视直观式的磁带录像器、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本、台式电子计算器、文字处理机、工作站、电视电话机、POS终端及具备触摸式面板的装置等。而且，不言而喻，可以使用于这些各种电子设备中。
另外，本发明除上述各实施方式中所说明的液晶装置之外，还可以使用于反射型液晶装置(LCOS)、等离子体显示器(PDP)、场致发射型显示器(FED、SED)、有机EL显示器、数字微镜器件(DMD)及电泳装置等中。
本发明并不限于上述的实施方式，而可以在不违反从技术方案及说明书总体领会的发明宗旨或构思的范围内，进行适当变更，并且伴随那种变更的电光装置用基板及其制造方法，以及具备该电光装置用基板的电光装置及具备该电光装置的电子设备也全都包括在本发明的技术范围内。

Claims (10)

1.一种电光装置用基板，其特征为，
在基板上，具备：
数据线及扫描线，其相互交叉地延伸；
像素电极，其设置于限定为与上述数据线及上述扫描线的交叉处对应的每个像素中；以及
晶体管，其具有半导体层及栅电极，该半导体层具有沟道区域、数据线侧源漏区域、像素电极侧源漏区域、第1结区域和第2结区域，该沟道区域在每个上述像素的相互隔着开口区域的非开口区域之中的、沿着第1方向延伸的第1区域，具有沿上述第1方向的沟道长度，该数据线侧源漏区域电连接于上述数据线，该像素电极侧源漏区域电连接于上述像素电极，该第1结区域形成于上述沟道区域及上述数据线侧源漏区域间，该第2结区域形成于上述沟道区域及上述像素电极侧源漏区域间；该栅电极具有主体部和延伸设置部，该主体部在下述开口部内相对上述沟道区域通过栅绝缘膜来配置，该开口部是在覆盖上述半导体层地配置的绝缘膜的、与上述沟道区域重合的部分开口而形成的，该延伸设置部以覆盖上述第2结区域的方式，从该主体部延伸设置到上述绝缘膜上；
上述第2结区域位于：上述非开口区域之中的沿着与上述第1方向相交的第2方向延伸的第2区域及上述第1区域相互交叉的交叉区域内。
2.根据权利要求1所述的电光装置用基板，其特征为：
上述沟道区域的至少一部分配置于上述第1区域之中的、除上述交叉区域的区域。
3.根据权利要求1或2所述的电光装置用基板，其特征为：
上述扫描线与上述延伸设置部，在同一层采用同一膜来整体形成。
4.根据权利要求1或2所述的电光装置用基板，其特征为：
上述延伸设置部形成为，在上述交叉区域与上述数据线重合。
5.根据权利要求1或2所述的电光装置用基板，其特征为：
具备保护膜，该保护膜为了在使上述开口部开设于上述绝缘膜时的腐蚀处理中保护上述沟道区域，形成到比上述半导体层靠上层侧且比上述绝缘膜靠下层侧，之后去除位于上述开口部内的一部分，形成在上述开口部的周围。
6.一种电光装置，其特征为：
具备权利要求1到5中任一项所述的电光装置用基板。
7.一种电子设备，其特征为：
具备权利要求6所述的电光装置。
8.一种电光装置用基板的制造方法，其特征为：
包括下述工序：
在基板上以下述方式形成半导体层，该方式为，使第2结区域位于：非开口区域之中的沿着与第1方向相交的第2方向延伸的第2区域及第1区域相互交叉的交叉区域内，该半导体层具有沟道区域、数据线侧源漏区域、像素电极侧源漏区域、第1结区域和上述第2结区域，该沟道区域在限定为与数据线及扫描线的交叉处对应的每个像素的相互隔着开口区域的上述非开口区域之中的、沿着上述第1方向延伸的上述第1区域，具有沿上述第1方向的沟道长度，该数据线侧源漏区域电连接于数据线，该像素电极侧源漏区域电连接于像素电极，该第1结区域形成于上述沟道区域及上述数据线侧源漏区域间，该第2结区域形成于上述沟道区域及上述像素电极侧源漏区域间；
覆盖上述沟道区域地形成保护膜；
在形成上述保护膜的工序之后，覆盖上述半导体层地形成绝缘膜；
通过对上述绝缘膜的与上述沟道区域重合的部分，实施使用第1腐蚀剂的腐蚀，开设使上述保护膜露出的开口部；
通过对从上述开口部露出的保护膜，实施使用和上述第1腐蚀剂不同的第2腐蚀剂的腐蚀，使上述沟道区域露出；
在上述开口部内的上述露出的沟道区域上形成栅绝缘膜；以及
通过以下述方式形成栅电极来形成晶体管，该方式为，使得该栅电极具有主体部和延伸设置部，该主体部形成于上述开口部内，该延伸设置部以覆盖上述第2结区域的方式，从该主体部延伸设置到上述绝缘膜上；
使用上述第1腐蚀剂的、对上述绝缘膜的腐蚀速率，比使用上述第1腐蚀剂的、对上述保护膜的腐蚀速率大，
使用上述第2腐蚀剂的、对上述保护膜的腐蚀速率，比使用上述第2腐蚀剂的、对上述半导体层的腐蚀速率大，
使用上述第1腐蚀剂的、对上述半导体层的上述腐蚀速率，比使用上述第2腐蚀剂的、对上述半导体层的腐蚀速率大。
9.根据权利要求8所述的电光装置用基板的制造方法，其特征为：
形成上述半导体层的工序采用硅来形成上述半导体层，
形成上述保护膜的工序采用氮化硅膜来形成上述保护膜，
形成上述绝缘膜的工序采用氧化硅膜来形成上述绝缘膜。
10.根据权利要求8或9所述的电光装置用基板的制造方法，其特征为，
包括下述工序：
电连接于上述栅电极地形成上述扫描线；
和上述扫描线相互交叉且电连接于上述数据线侧源漏区域地形成上述数据线；以及
电连接于上述像素电极侧源漏区域地将上述像素电极形成于每个上述像素；
形成上述数据线的工序及形成上述像素电极的工序的至少一方，将上述数据线及上述像素电极的至少一方，与上述晶体管相比形成于上层侧。
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