JP2013080040A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶装置100は、TFT30と、TFT30に電気的に接続された容量素子16とを備え、容量素子16は、TFT30と第2層間絶縁層11cを介して形成された第1容量電極16aと、第1容量電極16aに第1誘電体層16bを介して対向配置され、TFT30の半導体層30aに第2層間絶縁層11cに形成されたコンタクトホールCNT53を介して電気的に接続された第2容量電極16cとを有し、第2容量電極16cは、第1導電層16c1と第1導電層16c1上に積層された第2導電層16c2を有し、第1導電層16c1は、コンタクトホールCNT53と重なる領域が除去されてなり、第2導電層16c2と半導体層30aとがコンタクトホールCNT53を介して電気的に接続される。
【選択図】図8
Description
また、これらの要因により、電気光学装置の寿命が短くなってしまうことが、本願発明者の研究により判明している。従って、上述した技術には、表示画像の品質を低下させてしまうおそれがあるという技術的問題点がある。
図1は、電気光学装置としての液晶装置の構成を示す模式平面図である。図2は、図1に示す液晶装置のH−H’線に沿う模式断面図である。図3は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構造を、図1〜図3を参照しながら説明する。
図9は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図10及び図11は、液晶装置の製造方法の一部を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図9〜図11を参照しながら説明する。なお、素子基板上に設けられた各層を含めて素子基板と称する場合がある。また、対向基板上に設けられた各層を含めて対向基板と称する場合がある。
図14は、上記した液晶装置を備えた電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。以下、液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を、図14を参照しながら説明する。
上記した電気光学装置は、液晶装置100であることに限定されず、例えば、有機EL(Electro Luminescence)装置、電気泳動装置などの表示装置にも適用することができる。また、反射型液晶装置(LCOS)、プラズマディスプレイ(PDP)、電界放出型ディスプレイ(FED、SED)、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)にも適用可能である。
上記したように、電子機器として投射型表示装置1000(プロジェクター)を例に説明してきたが、これに限定されず、例えば、ビューワー、ビューファインダー、ヘッドマウントディスプレイなどに適用するようにしてもよい。また、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、モバイル型のパーソナルコンピューター、テレビ電話、POS端末、ページャー、電卓、タッチパネルなどの各種電子機器、また、電子ペーパーなどの電気泳動装置、カーナビゲーション装置等に適用するようにしてもよい。
Claims (7)
- トランジスターと、
前記トランジスターに電気的に接続された容量素子と、を備え、
前記容量素子は、前記トランジスターと層間絶縁層を介して形成された第1容量電極と、前記第1容量電極に第1容量絶縁層を介して対向配置され、前記トランジスターの半導体層に前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続された第2容量電極とを有し、
前記第2容量電極は、第1導電層と該第1導電層上に積層された第2導電層を有し、
前記第1導電層は、前記コンタクトホールと重なる領域が除去されてなり、前記第2導電層と前記トランジスターの半導体層とが前記コンタクトホールを介して電気的に接続されることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1に記載の電気光学装置であって、
前記第1容量電極の端部を覆うように設けられた第1絶縁膜を有することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1に記載の電気光学装置であって、
前記第2容量電極における前記第1容量絶縁層と反対側に設けられた第2容量絶縁層と、
前記第2容量絶縁層を介して前記第2容量電極と対向配置された第3容量電極と、
を有することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項3に記載の電気光学装置であって、
前記第2容量電極の端部を覆うように設けられた第2絶縁膜を有することを特徴とする電気光学装置。 - トランジスターを形成する工程と、
前記トランジスターを覆うように層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層上に第1容量電極を形成する工程と、
前記第1容量電極に第1容量絶縁層を介して第2容量電極を構成する第1導電層を形成する工程と、
前記第1導電層、前記第1容量絶縁層、前記第1容量電極及び前記層間絶縁層を貫通して前記トランジスターの半導体層まで達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内に露出した前記トランジスターの半導体層にフッ酸を含む薬液が接するように薬液処理を施す工程と、
前記第2容量電極を構成する第1導電層上及び前記コンタクトホールの内側に、前記第2容量電極を構成する第2導電層を前記トランジスターの半導体層と接するように形成する工程と、
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項5に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第2容量電極上に第2容量絶縁層を形成する工程と、
前記第2容量絶縁層上に第3容量電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
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