JP2014142390A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1基材10aと、第1基材10aの上に配置されるTFT30と、TFT30に接続される、一対の電極の間に絶縁膜が挟持された容量素子116と、一対の電極のうちの一方の電極に電気的に接続される第1配線116a1と、一対の電極のうちの他方の電極に電気的に接続される第2配線116c1と、第1配線116a1と電気的に接続されるコンタクトホールCNT71aと、第2配線116c1と電気的に接続されるコンタクトホールCNT72aと、を含み、コンタクトホールCNT71a及びコンタクトホールCNT72aは、第1配線116a1及び第2配線116c1上に配置されるパッド絶縁層11eに設けられる。
【選択図】図7
Description
図1は、電気光学装置としての液晶装置が複数面付けされたウエハの一部の構成を示す模式平面図である。図2は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図3は、図2に示す液晶装置のH−H’線に沿う模式断面図である。図4は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図1〜図4を参照しながら説明する。
図6に示すように、第1基材10a上には、チタン(Ti)やクロム(Cr)、タングステン(W)等からなる下側遮光膜3cが形成されている。下側遮光膜3cは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜3cは、走査線3aの一部として機能するようにしてもよい。第1基材10a及び下側遮光膜3c上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層11aが形成されている。
次に、図7を参照しながら、ソース線負荷容量素子116の周辺の構造について説明する。図7に示すように、半導体層30aのデータ線側ソースドレイン領域30s(ソース領域)は、コンタクトホールCNT41とデータ線41aとコンタクトホールCNT46とを介して、ソース線負荷容量素子116を構成する第1負荷容量電極116aと電気的に接続されている。
図8及び図9は、電気光学装置としての液晶装置の製造方法のうち、ソース線負荷容量素子周辺の製造方法を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図8及び図9を参照しながら説明する。なお、図8及び図9は、図7に示す液晶装置の断面構造を簡略化して説明する。
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図10を参照して説明する。図10は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
上記したように、液晶装置の構造は、図7に示すような構造であることに限定されず、例えば、図11〜図13に示すような構造でもよい。図11〜図13は、変形例の液晶装置の構造を示す模式断面図である。
上記したように、透過型の液晶装置100であることに限定されず、例えば、反射型の液晶装置に本発明を適用するようにしてもよい。
上記したように、電気光学装置として液晶装置100を用いることに限定されず、例えば、有機EL装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー等に適用するようにしてもよい。
Claims (7)
- 第1基材と、
前記第1基材の上に配置されるトランジスターと、
前記トランジスターのソース領域に接続される、一対の電極の間に絶縁膜が挟持された容量と、
前記一対の電極のうちの一方の電極に電気的に接続される第1配線と、
前記一対の電極のうちの他方の電極に電気的に接続される第2配線と、
前記第1基材の上から見て、前記第1配線と重なるように配置される第1コンタクトホールと、
前記第1基材の上から見て、前記第2配線と重なるように配置される第2コンタクトホールと、
を含み、
前記第1コンタクトホール及び前記第2コンタクトホールは、前記第1配線及び前記第2配線上に配置される絶縁層に設けられることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1に記載の電気光学装置であって、
前記第1コンタクトホールに金属膜が埋め込まれた第1電極と、
前記第2コンタクトホールに金属膜が埋め込まれた第2電極と、が設けられていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項2に記載の電気光学装置であって、
前記第1電極には、ソース電位が印加され、
前記第2電極には、コモン電位が印加されることを特徴とする電気光学装置。 - 第1基材の上にトランジスターを形成するトランジスター形成工程と、
前記トランジスターの上に、前記トランジスターのソース領域と接続される、一対の電極間に絶縁膜が挟持された構造の容量を形成する容量形成工程と、
前記一対の電極のうち一方の電極と電気的に接続される第1配線を形成する第1配線形成工程と、
前記一対の電極のうち他方の電極と電気的に接続される第2配線を形成する第2配線形成工程と、
前記第1配線及び前記第2配線の上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層に、前記第1配線と電気的に接続するための第1コンタクトホールと、前記第2配線と電気的に接続するための第2コンタクトホールと、を形成するコンタクトホール形成工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項4に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第1コンタクトホールに金属膜を埋め込んで第1電極を形成する第1電極形成工程と、
前記第2コンタクトホールに金属膜を埋め込んで第2電極を形成する第2電極形成工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項4又は請求項5に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第1電極には、ソース電位が印加され、
前記第2電極には、コモン電位が印加されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
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