JP2013182144A - 電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1基材10a上に設けられたLDD領域30s1,30d1を有する半導体層30aと、半導体層30aを覆うように設けられたゲート絶縁膜11gと、ゲート絶縁膜11g上のうち一部の領域に設けられたゲート電極30gと、ゲート電極30gを覆うように設けられた絶縁膜からなるサイドウォール酸化膜40a,40bと、少なくとも画素電極側LDD領域30d1と平面的に重なるように設けられた遮光膜17と、半導体層30aと電気的に接続された画素電極と、を備え、ゲート絶縁膜11gにおける遮光膜17と画素電極側LDD領域30d1との間の一部のゲート絶縁膜11gは、ゲート電極30gと半導体層30aとの間のゲート絶縁膜11gの膜厚と比較して、同等、又は薄く形成されている。
【選択図】図5
Description
まず、本実施形態の液晶装置について図1〜図3を参照して説明する。図1は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図2は、図1に示す液晶装置のH−H’線に沿う模式断面図である。図3は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図8を参照して説明する。図8は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
上記したように、遮光膜17は、画素電極側ソースドレイン領域30dと電気的に接続されていることに限定されず、例えば、電気的に接続されていない、つまり、フローティングの状態で設けられていてもよい。具体的には、図9を参照しながら説明する。
上記したように、薄膜トランジスターとしてTFT30(130)に用いることに限定されず、例えば、その他のTFTに用いるようにしてもよい。また、このTFT30を透過型の液晶装置100に適用することに限定されず、反射型や半透過型の液晶装置に適用するようにしてもよい。
上記したTFT30は、液晶装置100以外にも、例えば、有機EL装置、電子ペーパーなどの電気光学装置に適用するようにしてもよい。
上記したように、液晶装置100を投射型表示装置1000に用いることに限定されず、例えば、スマートフォン、携帯電話機、ヘッドマウントディスプレイ、EVF(Electrical View Finder)、小型プロジェクター、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
Claims (6)
- 画素電極と、前記画素電極に電気信号を供給するトランジスタと、を備えた電気光学装置であって、
前記トランジスタは、
半導体層と、
前記半導体層を覆うように設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に設けられ前記半導体層のチャネル領域と平面視で重なるゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うように設けられた第2絶縁膜と、
前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜上に設けられ前記半導体層のLDD領域と平面視で重なる遮光膜と、を備え、
前記第1絶縁膜は、前記チャネル領域上の膜厚が、前記LDD領域上の膜厚と比較して、同等、又は薄く形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1に記載の電気光学装置であって、
前記第2絶縁膜は、前記ゲート電極の側壁を覆うサイドウォール部を備え、
前記サイドウォール部の前記側壁上の膜厚は、前記LDD領域の長さより小さいことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の電気光学装置であって、
前記半導体層と電気的に接続された画素電極を備え、
前記半導体層は、前記画素電極と電気的に接続される画素電極側ソースドレイン領域と、チャネル領域と、前記画素電極側ソースドレイン領域と前記チャネル領域との間に配置された画素電極側LDD領域とを有し、
前記遮光膜は、少なくとも前記画素電極側LDD領域を覆うように設けられていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項3に記載の電気光学装置であって、
前記遮光膜は、前記画素電極側ソースドレイン領域と電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項3に記載の電気光学装置であって、
前記遮光膜は、前記画素電極側ソースドレイン領域と電気的に接続されていないことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
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