JP2018101067A - 電気光学装置、電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】画素の薄膜トランジスターにおける光リーク電流の発生を確実に抑制可能な電気光学装置、該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置は、画素ごとに設けられた薄膜トランジスター３０と、薄膜トランジスター３０の半導体層３０ａの少なくとも一方の端部を遮光する遮光膜と、を備えている。当該遮光膜は、半導体層３０ａの第１ソース・ドレイン領域３０ｓ及び第２ソース・ドレイン領域３０ｄの端部とその側面とに接するソース電極３１及びドレイン電極３２であり、これらの電極は、半導体層３０ａの下層において中間層３３に接している。【選択図】図７

Description

本発明は、電気光学装置、及び電気光学装置を備えた電子機器に関する。
電気光学装置として、投射型表示装置であるプロジェクターの光変調手段として用いられるアクティブ駆動型の液晶表示装置が知られている。アクティブ駆動型の液晶表示装置は、画素ごとに、画素電極と、画素電極のスイッチング素子であるトランジスターとを有している。
光変調手段として用いられる液晶表示装置は、光源から強い光が入射するため直視型の液晶表示装置に比べて、画素に入射した光によってトランジスターに光リーク電流が流れ、動作が不安定となるおそれがあるので、トランジスターに対して遮光構造が適用されている。
このような遮光構造として、例えば、特許文献１には、トランジスターと画素電極との間に積層された遮光膜の平面投影した幅をトランジスター近傍で幅広にして、画素電極の隅部を遮蔽するようにした電気光学装置が開示されている。また、遮光膜が容量線や信号線である例が示されている。
また、例えば、特許文献２には、トランジスターの半導体層の少なくとも一部を平面視した状態で覆う遮光性の絶縁膜がトランジスターに積層された電気光学装置が開示されている。また、遮光性の絶縁膜として酸化ハフニウムや酸化ジルコニウムなどが挙げられている。
特開２００２−９０７２１号公報 特開２００８−９６９７０号公報
しかしながら、上記特許文献１では、平面視でトランジスターと重なるように遮光膜として容量線や信号線を配置する例を示しており、トランジスターの半導体層における端部から入射する光を十分に遮光できるとは限らない。
また、上記特許文献２では、トランジスターの半導体層に接続されるソース電極、ドレイン電極の部分を除いて、トランジスターの表面を遮光性の絶縁膜で覆う例が示されているが、遮光性の絶縁膜はゲート絶縁膜の透過率よりも低いものであればよいとしている。ところが遮光性の絶縁膜として例示された酸化ハフニウムや酸化ジルコニウムの可視光の透過率は７０％〜８０％であり、十分な遮光性を有しているとは言えない。
つまり、上記特許文献１または特許文献２に示された遮光構造では、トランジスターの半導体層における端部から入射する光によって生ずる光リーク電流の発生を防ぐことが難しいという課題があった。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例］本適用例に係る電気光学装置は、画素ごとに設けられた薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスターの半導体層の少なくとも一方の端部を遮光する遮光膜と、を備えた。
本適用例によれば、遮光膜によって半導体層の少なくとも一方の端部に入射する光が遮光されるため、半導体層の少なくとも一方の端部から入射する光による光リーク電流の発生を防止し、画素ごとに安定した動作が実現される薄膜トランジスターを備えた電気光学装置を提供することができる。
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記遮光膜は、前記半導体層の第１ソース・ドレイン領域及び第２ソース・ドレイン領域のうち少なくとも一方の端部とその側面とに接する電極であることが好ましい。
この構成によれば、遮光膜を半導体層の第１ソース・ドレイン領域及び第２ソース・ドレイン領域のうち少なくとも一方の端部と当該端部の側面とに接する電極、つまり、ソース電極あるいはドレイン電極とすることで、遮光膜を新たに設けるプロセスを必要とすることなく、半導体層の少なくとも一方の端部に入射する光を遮光することができる。
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記半導体層は基板上に設けられ、前記基板と前記半導体層との間に、平面視で前記半導体層の少なくとも一方の端部と重なる中間層を有し、前記少なくとも一方の端部側において、前記電極と前記中間層とが接していることが好ましい。
この構成によれば、遮光膜として機能する電極を形成する際に、中間層をエッチングストッパーとして利用できる。言い換えれば、半導体層の少なくとも一方の端部に入射する光を遮光する遮光膜として機能する電極を確実に構成できる。
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記中間層は、遮光性部材からなることが好ましい。
この構成によれば、基板側から半導体層の少なくとも一方の端部に入射する光を中間層によっても遮光することができる。すなわち、半導体層の少なくとも一方の端部に入射する光をより確実に遮光することができる。
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記半導体層が高温ポリシリコンからなり、前記中間層は、ポリシリコン、合金、金属シリサイドの中から選ばれることが好ましい。
この構成によれば、中間層を設けた後に、高温ポリシリコンからなる半導体層を設けたとしても、熱によって中間層が変質することを防ぐことができる。
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記遮光膜は、前記半導体層の第１ソース・ドレイン領域及び第２ソース・ドレイン領域のうち少なくとも一方の端部に接する電極と、前記電極に接し前記少なくとも一方の端部の側面に対向した部分とを有し、前記電極と前記少なくとも一方の端部の側面に対向した部分とは、異なる材料からなるとしてもよい。
この構成によれば、半導体層の少なくとも一方の端部の側面を遮光する部材の選択の幅が広がるため、工程設計が容易となる。
［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、入射光に対して安定した動作が得られる電気光学装置を備えているため、安定した表示品質が実現された電子機器を提供することができる。
第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図。 図１に示す第１実施形態の液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿った概略断面図。 第１実施形態の液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 第１実施形態の画素の配置を示す概略平面図。 第１実施形態の画素の構造を示す概略断面図。 第１実施形態の液晶装置におけるＴＦＴ及び信号配線の配置を示す概略平面図。 図６のＡ−Ａ’線に沿ったＴＦＴの遮光構造を示す概略断面図。 図６のＢ−Ｂ’線に沿ったＴＦＴの遮光構造を示す概略断面図。 第２実施形態の液晶装置におけるＴＦＴ及び信号配線の配置を示す概略平面図。 図９のＣ−Ｃ’線に沿ったＴＦＴの遮光構造を示す概略断面図。 第３実施形態の電子機器の一例としての投射型表示装置の構成を示す概略図。 変形例のＴＦＴ及び信号配線の配置を示す概略平面図。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
本実施形態では、電気光学装置として画素ごとに薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；以降、ＴＦＴと称す）を備えたアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調手段（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
（第１実施形態）
＜電気光学装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置の構成について、図１〜図３を参照して説明する。図１は液晶装置の構成を示す概略平面図、図２は図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿った概略断面図、図３は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、互いに対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０の基材１０ｓ及び対向基板２０の基材２０ｓは、透光性を有する例えば石英基板やガラス基板などが用いられる。なお、本明細書における透光性とは、可視光波長領域の光を少なくとも８５％以上透過可能な性質を言う。また、本明細書における遮光性とは、可視光波長領域の光を少なくとも９５％以上遮光可能な性質を言う。
素子基板１０は、対向基板２０よりも一回り大きい。素子基板１０と対向基板２０とは、対向基板２０の外縁部に沿って額縁状に配置されたシール材４０を介して貼り合わされ、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて、液晶層５０が構成されている。シール材４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
シール材４０の内側には、複数の画素Ｐがマトリックス状に配列した表示領域Ｅが設けられている。また、対向基板２０には、シール材４０と表示領域Ｅとの間に表示領域Ｅを取り囲む見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などで構成されている。なお、表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。
素子基板１０には、複数の外部接続端子１０４が配列した端子部が設けられている。素子基板１０の上記端子部に沿った第１の辺部とシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３の辺部及び第４の辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール材４０と検査回路１０３との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配置された複数の外部接続端子１０４に接続されている。以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部及び第４の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。また、本明細書では、Ｘ方向およびＹ方向と直交し、対向基板２０の法線方向から見ることを「平面視」あるいは「平面的」という。
図２に示すように、素子基板１０は、基材１０ｓ、並びに基材１０ｓの液晶層５０側の面に形成されたＴＦＴ３０や画素電極１５、及び画素電極１５を覆う配向膜１８などを有している。ＴＦＴ３０や画素電極１５は、画素Ｐの構成要素である。画素Ｐの詳細は後述する。
対向基板２０は、基材２０ｓ、並びに基材２０ｓの液晶層５０側の面に順に積層された見切り部２１、平坦化層２２、共通電極２３、及び配向膜２４などを有している。
見切り部２１は、図１に示すように表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮り、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役割を有している。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮光して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
平坦化層２２は、例えばシリコン酸化物などの無機材料からなり、透光性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２は、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて形成されたシリコン酸化膜であり、平坦化層２２上に形成される共通電極２３の表面凹凸を緩和可能な程度の膜厚を有している。
共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。
画素電極１５を覆う配向膜１８及び共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて設定されており、シリコン酸化物などの無機材料の斜め蒸着膜（無機配向膜）が採用されている。配向膜１８，２４は、無機配向膜の他にポリイミドなどの有機配向膜を採用してもよい。
このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
次に、図３を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線３及び複数のデータ線６と、容量線７とを有する。
走査線３とデータ線６とで区分された領域には、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、保持容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
走査線３はＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６はＴＦＴ３０のソースに電気的に接続され、画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
データ線６は、データ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されている。画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎは、データ線駆動回路１０１からデータ線６を経由して各画素Ｐに供給される。走査線３は、走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されている。走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍは、走査線駆動回路１０２から走査線３を経由して各画素Ｐに供給される。
データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次でデータ線６に供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３に対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６から供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と共通電極２３との間で一定期間保持される。
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が接続されている。保持容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線７との間に設けられている。
なお、図１に示した検査回路１０３には、データ線６が接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図３の等価回路では省略している。
また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６に供給するサンプリング回路、データ線６に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
次に、液晶装置１００における画素Ｐの構成について、図４を参照して説明する。図４は画素の配置を示す概略平面図である。
図４に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面視で略四角形（略正方形）の開口領域を有する。開口領域は、Ｘ方向とＹ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。
Ｘ方向に延在する非開口領域には、図３に示した走査線３が設けられている。走査線３は遮光性の導電部材が用いられており、走査線３によって非開口領域の一部が構成されている。
同じく、Ｙ方向に延在する非開口領域には、図３に示したデータ線６や容量線７が設けられている。データ線６や容量線７も遮光性の導電部材が用いられており、これらによって非開口領域の一部が構成されている。
非開口領域の交差部付近には、図３に示したＴＦＴ３０や保持容量１６が設けられている。遮光性を有する非開口領域の交差部付近にＴＦＴ３０や保持容量１６を設けることにより、ＴＦＴ３０の光リーク電流の発生を抑制すると共に、開口領域における開口率を確保している。詳しい画素Ｐの構造については後述するが、交差部付近にＴＦＴ３０や保持容量１６を設ける関係上、交差部付近の非開口領域の幅は、他の部分に比べて広くなっている。
画素Ｐごとに画素電極１５が設けられている。画素電極１５は平面視で略正方形であり、画素電極１５の外縁が非開口領域と重なるようにして開口領域に設けられている。
本実施形態の液晶装置１００は、透過型であって、対向基板２０側から光が入射することを前提として、素子基板１０には、画素Ｐに入射した光をＴＦＴ３０に入射させないようにする遮光構造が導入されている。以降、素子基板１０の構造について説明する。
＜素子基板の構造＞
液晶装置１００における画素Ｐの構造と、素子基板１０の構造とについて、その概略を図５を参照して説明する。図５は画素の構造を示す概略断面図である。
図５に示すように、素子基板１０の基材１０ｓ上には、まず走査線３が形成される。走査線３は、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。本実施形態の基材１０ｓは本発明の基板の一例であり、例えば石英基板が用いられている。
走査線３を覆うように第１絶縁膜１１ａが形成され、第１絶縁膜１１ａ上に中間層３３が形成される。中間層３３は、この後に形成される半導体層３０ａに対して平面視で半導体層３０ａの端部と重なるように形成される。中間層３３は、走査線３に用いられる上記材料を適用して形成することが、中間層３３に遮光性を付与する点で好ましい。
中間層３３を覆うように第２絶縁膜１１ｂが形成され、第２絶縁膜１１ｂ上に島状に半導体層３０ａが形成される。
半導体層３０ａを覆うように第３絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｃが形成される。さらに第３絶縁膜１１ｃを挟んで半導体層３０ａに対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。ゲート電極３０ｇは導電性の例えばポリシリコンなどを用いて形成される。
ゲート電極３０ｇと第３絶縁膜１１ｃとを覆うようにして第４絶縁膜１１ｄが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置において、第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃ、第４絶縁膜１１ｄを貫通して中間層３３に至る２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が形成される。
なお、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃ、第４絶縁膜１１ｄは、例えば酸化シリコンなどからなり、被覆性に優れた例えばプラズマＣＶＤ法によって形成される。第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃ、第４絶縁膜１１ｄを貫通するコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を例えばドライエッチングして形成する際に、中間層３３はエッチングストッパーとして機能する。
そして、２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めると共に第４絶縁膜１１ｄを覆うようにＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の低抵抗導電材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介して半導体層３０ａに繋がるソース電極３１及びデータ線６が形成される。同時にコンタクトホールＣＮＴ２を介して半導体層３０ａに繋がるドレイン電極３２（第１中継電極６ｃ）が形成される。
次に、データ線６及び第１中継電極６ｃと第４絶縁膜１１ｄを覆って第１層間絶縁膜１２が形成される。第１層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなる。そして、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
第１中継電極６ｃと重なる位置に第１層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ５が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ５を被覆すると共に第１層間絶縁膜１２を覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の金属からなる導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、配線７ａと、コンタクトホールＣＮＴ５を介して第１中継電極６ｃに電気的に接続される第２中継電極７ｂとが形成される。配線７ａは、平面的にＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６と重なるように形成され、容量線７として機能するものである。
配線７ａと第２中継電極７ｂとを覆うように第２層間絶縁膜１３ａが形成される。第２層間絶縁膜１３ａも、例えばシリコンの酸化物や窒化物あるいは酸窒化物を用いて形成することができる。
第２層間絶縁膜１３ａの第２中継電極７ｂと重なる位置にコンタクトホールＣＮＴ６が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ６を被覆すると共に第２層間絶縁膜１３ａを覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の金属からなる導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａと第３中継電極１６ｄとが形成される。
第１容量電極１６ａのうち、後に形成される誘電体層１６ｂを介して第２容量電極１６ｃと対向する部分の外縁を覆うように絶縁性の保護膜１３ｂがパターニング形成される。また、第３中継電極１６ｄのうちコンタクトホールＣＮＴ５と重なる部分を除いた外縁を覆うように保護膜１３ｂがパターニング形成される。保護膜１３ｂは、第２容量電極１６ｃのパターニング時に誘電体層１６ｂがエッチングされて、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとが短絡することを防ぐために、第１容量電極１６ａの外縁を覆うように形成されるものである。
保護膜１３ｂと第１容量電極１６ａを覆って誘電体層１６ｂが成膜される。誘電体層１６ｂとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハフニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、又はこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。平面的に第３中継電極１６ｄと重なる部分の誘電体層１６ｂはエッチング等により除かれる。誘電体層１６ｂを覆うように例えばＴｉＮ（窒化チタン）などの導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａに対向配置され、第３中継電極１６ｄに繋がる第２容量電極１６ｃが形成される。誘電体層１６ｂと、誘電体層１６ｂを挟んで対向配置された第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとにより保持容量１６が構成される。
次に、第２容量電極１６ｃと誘電体層１６ｂとを覆う第３層間絶縁膜１４が形成される。第３層間絶縁膜１４も例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。第２容量電極１６ｃのうち第３中継電極１６ｄと接する部分に至るように第３層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＮＴ７が形成される。
このコンタクトホールＣＮＴ７を被覆し、第３層間絶縁膜１４を覆うようにＩＴＯなどの透明導電膜（電極膜）が成膜される。この透明導電膜（電極膜）をパターニングしてコンタクトホールＣＮＴ７を介して第２容量電極１６ｃ及び第３中継電極１６ｄと電気的に繋がる画素電極１５が形成される。
第２容量電極１６ｃは第３中継電極１６ｄ、コンタクトホールＣＮＴ６、第２中継電極７ｂ、コンタクトホールＣＮＴ５、第１中継電極６ｃを介してＴＦＴ３０のドレイン電極３２と電気的に接続すると共に、コンタクトホールＣＮＴ７を介して画素電極１５と電気的に接続している。
第１容量電極１６ａは第２層間絶縁膜１３ａに設けられたコンタクトホール（図５には図示していない）を介して配線７ａに接続される。前述したように、配線７ａは複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図３参照）における容量線７として機能している。配線７ａ（容量線７）には固定電位が与えられる。これにより、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２を介して画素電極１５に与えられた電位を第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとの間において保持することができる。なお、素子基板１０における配線構造はこれに限定されない。例えば、保持容量１６を構成する第１容量電極１６ａを容量線７として機能するように配置してもよい。
画素電極１５を覆うように配向膜１８が形成され、液晶層５０を介して素子基板１０に対向配置される対向基板２０の共通電極２３を覆うように配向膜２４が形成される。配向膜１８，２４は無機配向膜であって、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から例えば斜め蒸着して柱状に堆積させたカラム（柱状体）１８ａ，２４ａの集合体からなる。このような配向膜１８，２４に対して負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは、配向膜面の法線方向に対してカラム１８ａ，２４ａの傾斜方向に３度〜５度のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向（ＶＡ；Vertical Alignment）する。画素電極１５と共通電極２３との間に交流電圧（駆動信号）を印加して液晶層５０を駆動することによって液晶分子ＬＣは画素電極１５と共通電極２３との間に生ずる電界方向に傾くように挙動する。
＜ＴＦＴの遮光構造＞
次に、ＴＦＴ３０の遮光構造について図６〜図８を参照して説明する。図６はＴＦＴ及び信号配線の配置を示す概略平面図、図７は図６のＡ−Ａ‘線に沿ったＴＦＴの遮光構造を示す概略断面図、図８は図６のＢ−Ｂ’線に沿ったＴＦＴの遮光構造を示す概略断面図である。
図６に示すように、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、Ｘ方向に延在する走査線３とＹ方向に延在するデータ線６の交差部において、走査線３に沿うようにＸ方向に配置されている。半導体層３０ａは、例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、第１ソース・ドレイン領域３０ｓ、接合領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ、接合領域３０ｆ、第２ソース・ドレイン領域３０ｄを有するＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造が形成されている。走査線３とデータ線６との交差部は、ＴＦＴ３０の配置に対応して他の部分に比べて拡張されている。具体的には、走査線３はＸ方向に延在する本線部がＹ方向に拡張された拡張部３ａを有している。データ線６はＹ方向に延在する本線部がＸ方向に拡張された拡張部６ａと拡張部６ａからＸ方向に突出して走査線３の本線部と重なる突出部６ｂとを有している。走査線３の拡張部３ａとデータ線６の拡張部６ａとが重なった部分が交差部であって、平面視における交差部の形状は四角形である。
半導体層３０ａの第１ソース・ドレイン領域３０ｓは、図面上において上記交差部からＸ方向の左側に延び、データ線６の突出部６ｂと重なる位置においてコンタクトホールＣＮＴ１を介して突出部６ｂと電気的に接続している。つまり、第１ソース・ドレイン領域３０ｓとデータ線６との接続を図るコンタクトホールＣＮＴ１は、ソース電極３１として機能している。
図面上において、データ線６の拡張部６ａからＸ方向の右側に離間した位置に島状に第１中継電極６ｃが設けられている。半導体層３０ａの第２ソース・ドレイン領域３０ｄは、上記交差部からＸ方向の右側に延び、第１中継電極６ｃと重なる位置においてコンタクトホールＣＮＴ２を介して第１中継電極６ｃと電気的に接続している。つまり、第２ソース・ドレイン領域３０ｄと第１中継電極６ｃとの接続を図るコンタクトホールＣＮＴ２は、ドレイン電極３２として機能している。コンタクトホールＣＮＴ２よりもさらに右側に第１中継電極６ｃと前述した第２中継電極７ｂとの接続を図るコンタクトホールＣＮＴ５が設けられている。
第１ソース・ドレイン領域３０ｓの端部及び第２ソース・ドレイン領域３０ｄの端部は、それぞれコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２との接続を考慮して拡張されている。平面視において、コンタクトホールＣＮＴ１（ソース電極３１）は第１ソース・ドレイン領域３０ｓの端部と重なると共に当該端部からはみ出すように一回り大きく形成されている。同様に、コンタクトホールＣＮＴ２（ドレイン電極３２）は第２ソース・ドレイン領域３０ｄの端部と重なると共に当該端部からはみ出すように一回り大きく形成されている。
ＴＦＴ３０のゲート電極３０ｇは、平面視で上記交差部の内側に設けられており、半導体層３０ａを挟んでＸ方向に延びる部分と、チャネル領域３０ｃと重なってＹ方向に延び上記Ｘ方向に延びる部分に繋がる部分とを有している。ゲート電極３０ｇのＸ方向に延びる部分に走査線３との電気的な接続を図る２つのコンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４が設けられている。
図６において、Ａ−Ａ’線は、半導体層３０ａをＸ方向に横切る線分である。図７に示すように、ソース電極３１は、データ線６と一体に形成されている。データ線６の拡張部６ａは、平面視で半導体層３０ａの第１ソース・ドレイン領域３０ｓ、接合領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ（ゲート電極３０ｇ）、接合領域３０ｆ、そして第２ソース・ドレイン領域３０ｄの一部と重なるように形成されている（図６参照）。また、ソース電極３１は、第１ソース・ドレイン領域３０ｓに接すると共に、第３絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｃ、第２絶縁膜１１ｂを貫通して下層に設けられた中間層３３に接している。ドレイン電極３２は、第１中継電極６ｃと一体に形成されている。ドレイン電極３２は、第２ソース・ドレイン領域３０ｄに接すると共に、第３絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｃ、第２絶縁膜１１ｂを貫通して下層に設けられた中間層３３に接している。
中間層３３は、走査線３と同様な材料を用いて形成することが好ましく、前述したように、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
本実施形態では、中間層３３を導電性を有する上記材料を用いて形成したことから、ソース電極３１とドレイン電極３２との短絡を防止するため、第１ソース・ドレイン領域３０ｓと第２ソース・ドレイン領域３０ｄとに平面視で重なる位置に分離して２つの中間層３３を設けた。なお、中間層３３は導電性を有する上記材料を用いて形成することに限定されず、半導体層３０ａを形成する際の高温処理で変質しない材料であれば導電性を有しない材料を用いて形成してもよい。
本実施形態において、ソース電極３１及びドレイン電極３２は、本発明の遮光膜に相当するものである。つまり、ソース電極３１と中間層３３とにより、第１ソース・ドレイン領域３０ｓの端部に入射する光は遮光される。同様に、ドレイン電極３２と中間層３３とにより、第２ソース・ドレイン領域３０ｄの端部に入射する光は遮光される。また、半導体層３０ａに真上から入射する光の大部分はデータ線６の拡張部６ａによって遮光される。
図６において、Ｂ−Ｂ’線は、半導体層３０ａをＹ方向に横切る線分である。図８に示すように、Ｙ方向に半導体層３０ａを挟むようにして、ゲート電極３０ｇと走査線３との接続を図る２つのコンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４が、第３絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｃ、第２絶縁膜１１ｂ、第１絶縁膜１１ａを貫通して設けられている。したがって、半導体層３０ａに真下から入射する光は走査線３によって遮光される。半導体層３０ａに対してＹ方向から入射する光の大部分は、コンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４によって遮光される。つまり、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａは上下左右から入射する光が遮光されると共に、Ｘ方向に延在する半導体層３０ａの端部から入射する光も遮光される遮光構造が採用されている。
本実施形態のＴＦＴ３０の遮光構造によれば、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａに対して上下左右から入射される光が遮光されるだけでなく、Ｘ方向に延在する半導体層３０ａの端部から入射する光も遮光されるので、従来の遮光構造よりも画素Ｐに入射した光によって半導体層３０ａに光リーク電流が流れ難くなっている。それゆえに、画素Ｐに強い光が入射しても安定した動作が得られる液晶装置１００を提供することができる。
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶装置について、図９及び図１０を参照して説明する。図９は第２実施形態の液晶装置におけるＴＦＴ及び信号配線の配置を示す概略平面図、図１０は図９のＣ−Ｃ’線に沿ったＴＦＴの遮光構造を示す概略断面図である。第２実施形態の液晶装置は、上記第１実施形態の液晶装置１００に対して、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２やこれに関連する部分の構成を異ならせたものである。したがって、上記第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
図９に示すように、本実施形態の液晶装置２００において、画素Ｐごとに設けられるＴＦＴ３０は、走査線３とデータ線６の交差部に設けられ、ＬＤＤ構造を有する半導体層３０ａは走査線３に沿って配置されている。
半導体層３０ａの第１ソース・ドレイン領域３０ｓの端部からＸ方向の左側に離間して島状の遮光部３４が設けられている。同様に、半導体層３０ａの第２ソース・ドレイン領域３０ｄの端部からＸ方向の右側に離間して島状の遮光部３４が設けられている。本実施形態における遮光部３４は、本発明の半導体層の少なくとも一方の端部の側面に対向した部分としての一例である。
第１ソース・ドレイン領域３０ｓとデータ線６の突出部６ｂとの接続を図るコンタクトホールＣＮＴ１（ソース電極３１）は、平面視で第１ソース・ドレイン領域３０ｓの拡張された端部から遮光部３４に跨るように設けられている。同様に、第２ソース・ドレイン領域３０ｄと第１中継電極６ｃとの接続を図るコンタクトホールＣＮＴ２（ドレイン電極３２）は、平面視で第２ソース・ドレイン領域３０ｄの拡張された端部から遮光部３４に跨るように設けられている。
図９において、Ｃ−Ｃ’線は半導体層３０ａをＸ方向に横切る線分である。図１０に示すように、基材１０ｓ上には、走査線３が形成され、走査線３を覆うように第１絶縁膜１１ａが形成される。第１絶縁膜１１ａ上に高温ポリシリコンからなりＬＤＤ構造を有する半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａを覆うように第３絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｃが形成される。第３絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｃ上において、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。また、ゲート電極３０ｇを形成する際に、同じ導電性材料を用いて第１ソース・ドレイン領域３０ｓの端部側と第２ソース・ドレイン領域３０ｄの端部側とに遮光部３４が形成される。一方の遮光部３４は、第１ソース・ドレイン領域３０ｓの端部における側面と第３絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｃを介して対向するように配置され、他方の遮光部３４は、第２ソース・ドレイン領域３０ｄの端部における側面と第３絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｃを介して対向するように配置される。
ゲート電極３０ｇ、第３絶縁膜１１ｃ、遮光部３４、第１絶縁膜１１ａを覆う第４絶縁膜１１ｄが形成される。第４絶縁膜１１ｄを貫通して第１ソース・ドレイン領域３０ｓの端部と遮光部３４とに至るコンタクトホールＣＮＴ１が形成される。また、第４絶縁膜１１ｄを貫通して第２ソース・ドレイン領域３０ｄの端部と遮光部３４とに至るコンタクトホールＣＮＴ２が形成される。これらのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めて第４絶縁膜１１ｄを覆う例えばアルミニウムなどの導電膜が成膜され、これをパターニングして、ソース電極３１及びデータ線６（拡張部６ａと突出部６ｂとを含む）と、ドレイン電極３２及び第１中継電極６ｃとが形成される。
本実施形態において、ソース電極３１及びドレイン電極３２並びに遮光部３４は、本発明の遮光膜に相当するものである。ソース電極３１及びドレイン電極３２は、例えばアルミニウムなどの低抵抗導電材料からなり、遮光部３４は、ゲート電極３０ｇと同じ材料の例えば導電性のポリシリコンなどからなる。つまり、ソース電極３１及びドレイン電極３２と遮光部３４とは異なる材料を用いて形成され、いずれも遮光性を有している。
本実施形態のＴＦＴ３０の遮光構造によれば、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａに対して真上から入射する光の大部分はデータ線６の拡張部６ａにより遮光される。ＴＦＴ３０の半導体層３０ａに対して真下から入射する光は走査線３により遮光される。半導体層３０ａの左右から入射する光の大部分はコンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４によって遮光される。さらに、半導体層３０ａの端部に入射する光は、ソース電極３１及びドレイン電極３２と遮光部３４とにより遮光される。したがって、本実施形態によれば、画素Ｐに入射した光によって光リーク電流が流れ難いＴＦＴ３０を備え、安定した動作状態が得られる液晶装置２００を提供することができる。
また、本実施形態は、上記第１実施形態の液晶装置１００に対して、中間層３３やこれを覆う第２絶縁膜１１ｂを形成する必要がないので、ＴＦＴ３０の遮光状態を確保しつつ、素子基板の構造を簡素化することができる。
なお、上記第２実施形態では、半導体層３０ａの端部と遮光部３４との間に、第３絶縁膜１１ｃを残した形態としたが、これに限定されない。半導体層３０ａの端部と遮光部３４との間の第３絶縁膜１１ｃを無くして、半導体層３０ａの端部と遮光部３４とが接する構成としてもよい。
（第３実施形態）
＜電子機器＞
次に、上記各実施形態の液晶装置が適用された電子機器として、投射型表示装置を例に挙げて図１１を参照して説明する。図１１は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
図１１に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、を備えている。また、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、を備えている。さらに、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７と、を備えている。
偏光照明装置１１００は、例えば超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
液晶ライトバルブ１２１０は、上記第１実施形態の液晶装置１００（図１参照）が適用されたものである。液晶装置１００の色光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記第１実施形態の液晶装置１００が用いられているので、明るい表示を投射可能であると共に、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生が抑制され、安定した駆動状態が得られる投射型表示装置１０００を提供することができる。なお、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記第２実施形態の液晶装置２００を採用しても同様な効果が得られる。
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
（変形例１）上記各実施形態の液晶装置１００，２００において、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、走査線３に沿ってＸ方向に配置されることに限定されない。図１２は変形例のＴＦＴ及び信号配線の配置を示す概略平面図である。図１２に示すように、変形例のＴＦＴ３０は、走査線３とデータ線６の交差部において、データ線６に沿ってＹ方向に配置されている。また、Ｙ方向に隣り合う画素Ｐの２つのＴＦＴ３０は、コンタクトホールＣＮＴ１（ソース電極３１）を共有しており、２つの半導体層３０ａは第１ソース・ドレイン領域３０ｓ同士が繋がっている。
繋がった２つの半導体層３０ａのＹ方向における両端には、コンタクトホールＣＮＴ２（ドレイン電極３２）が設けられている。コンタクトホールＣＮＴ２（ドレイン電極３２）は、第２ソース・ドレイン領域３０ｄの拡張された端部よりも一回り大きく形成されており、図１２には図示していないが、上記第１実施形態の液晶装置１００と同様に、半導体層３０ａの下層に設けられた中間層３３と接続している。つまり、ドレイン電極３２と中間層３３とにより第２ソース・ドレイン領域３０ｄの端部に入射する光が遮光される構成となっている。この場合、繋がった２つの半導体層３０ａのＹ方向の両端と重なる位置に設けられる中間層３３は電気的に分離する必要はなく、２つの半導体層３０ａと平面視で重なるように配置してもよい。
走査線３は、データ線６との交差部において拡張された拡張部３ａと、拡張部３ａからＹ方向に突出して平面視でコンタクトホールＣＮＴ２（ドレイン電極３２）と重なる突出部３ｂとを有している。
ゲート電極３０ｇは、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと平面視で重なってＸ方向に延在する部分と、Ｘ方向に半導体層３０ａを挟んでＹ方向に延在する部分とを有している。ゲート電極３０ｇのＹ方向に延在する部分に走査線３との電気的な接続を図る２つのコンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４が設けられている。
変形例のＴＦＴ３０の配置によれば、半導体層３０ａに真上から入射する光はデータ線６と拡張部６ａとにより遮光される。また、半導体層３０ａに真下から入射する光の大部分は走査線３によって遮光される。さらに、半導体層３０ａの第２ソース・ドレイン領域３０ｄの端部に入射する光は、ドレイン電極３２と中間層３３とによって遮光される。変形例では、特に画素電極１５に印加される電位に影響を及ぼす第２ソース・ドレイン領域３０ｄ側の光リーク電流の発生によるＴＦＴ３０の誤動作を抑制する構成となっている。このように、光リーク電流の発生を抑制する遮光膜及び中間層３３は、半導体層３０ａの両端のうち一方の端部に対応させて配置してもよい。
（変形例２）上記各実施形態では、平面視で半導体層３０ａの端部と重なるように配置された中間層３３を遮光性部材で形成したが、これに限定されない。半導体層３０ａの端部を遮光する遮光膜としてのコンタクトホールＣＮＴ１（ソース電極３１）及びコンタクトホールＣＮＴ２（ドレイン電極３２）を形成する際に、エッチングストッパーとして機能させることができれば、中間層３３を例えばＳｉＮ（窒化シリコン）やポリシリコンなどの透光性部材を用いて形成してもよい。
（変形例３）上記各実施形態のＴＦＴ３０の遮光構造が適用される電気光学装置は、透過型の液晶装置１００（あるいは液晶装置２００）に限定されず、反射型の液晶装置にも適用可能である。また、電気光学装置は液晶装置に限定されず、例えば、画素ごとに有機ＥＬ素子などの発光素子を有し、当該発光素子の発光をスイッチング制御するトランジスターに対して適用してもよい。
（変形例４）上記各実施形態の液晶装置が適用される電子機器は、上記第３実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、液晶装置１００の対向基板２０において、少なくとも赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応するカラーフィルターを有し、投射型表示装置を単板構成としてもよい。また、例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として上記各実施形態の液晶装置を好適に用いることができる。
１０…素子基板、１０ｓ…基板としての基材、１５…画素電極、３０…薄膜トランジスター、３０ａ…半導体層、３０ｄ…第２ソース・ドレイン領域、３０ｓ…第１ソース・ドレイン領域、３１…遮光膜としてのソース電極、３２…遮光膜としてのドレイン電極、３３…中間層、３４…半導体層の少なくとも一方の端部の側面に対向した部分としての遮光部、１００，２００…液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｐ…画素。

Claims (7)

  1. 画素ごとに設けられた薄膜トランジスターと、
    前記薄膜トランジスターの半導体層の少なくとも一方の端部を遮光する遮光膜と、を備えた、電気光学装置。
  2. 前記遮光膜は、前記半導体層の第１ソース・ドレイン領域及び第２ソース・ドレイン領域のうち少なくとも一方の端部とその側面とに接する電極である、請求項１に記載の電気光学装置。
  3. 前記半導体層は基板上に設けられ、
    前記基板と前記半導体層との間に、平面視で前記半導体層の少なくとも一方の端部と重なる中間層を有し、
    前記少なくとも一方の端部側において、前記電極と前記中間層とが接している、請求項２に記載の電気光学装置。
  4. 前記中間層は、遮光性部材からなる、請求項３に記載の電気光学装置。
  5. 前記半導体層が高温ポリシリコンからなり、
    前記中間層は、ポリシリコン、合金、金属シリサイドの中から選ばれる、請求項３に記載の電気光学装置。
  6. 前記遮光膜は、前記半導体層の第１ソース・ドレイン領域及び第２ソース・ドレイン領域のうち少なくとも一方の端部に接する電極と、前記電極に接し前記少なくとも一方の端部の側面に対向した部分とを有し、
    前記電極と前記少なくとも一方の端部の側面に対向した部分とは、異なる材料からなる、請求項１に記載の電気光学装置。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた、電子機器。
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