JP5919890B2 - 電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents
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Description
まず、本実施形態の液晶装置について図1〜図3を参照して説明する。図1は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図2は、図1に示す液晶装置のH−H’線に沿う模式断面図である。図3は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図6を参照して説明する。図6は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
上記したように、遮光膜17は、画素電極側ソースドレイン領域30dと電気的に接続されていることに限定されず、例えば、電気的に接続されていない、つまり、フローティングの状態で設けられていてもよい。具体的には、図7を参照しながら説明する。
上記したように、薄膜トランジスターとしてTFT30(130)に用いることに限定されず、例えば、その他のTFTに用いるようにしてもよい。また、このTFT30を透過型の液晶装置100に適用することに限定されず、反射型や半透過型の液晶装置に適用するようにしてもよい。
上記したTFT30は、液晶装置100以外にも、例えば、有機EL装置、電子ペーパーなどに適用するようにしてもよい。
上記したように、液晶装置100を投射型表示装置1000に用いることに限定されず、例えば、スマートフォン、携帯電話機、ヘッドマウントディスプレイ、EVF(Electrical View Finder)、小型プロジェクター、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
Claims (4)
- ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うように配置されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を覆うように配置された半導体層と、
前記半導体層を覆うように配置された絶縁膜と、
前記半導体層を覆うように配置された遮光膜を備え、
前記半導体層は、少なくともチャネル領域と、画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域と前記画素電極側ソースドレイン領域の間に配置されたLDD領域を有し、
前記チャネル領域から前記画素電極側ソースドレイン領域の間において、前記遮光膜と前記半導体層の間の間隔は、前記ゲート絶縁膜の膜厚と同等、又はそれよりも薄い
ことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1に記載の電気光学装置であって、
前記遮光膜は、前記ソースドレイン領域と電気的に接続されている
ことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1に記載の電気光学装置であって、
前記遮光膜は、前記ソースドレイン領域と電気的に接続されていない
ことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の電気光学装置を備える
ことを特徴とする電子機器。
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