JP5978919B2 - 液晶装置、及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶装置、及び電子機器に関する。

上記液晶装置の一つとして、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやプロジェクターのライトバルブなどにおいて用いられている。

このような液晶装置において、液晶注入時に混入したり、液晶層を取り囲んでいるシール材や封止材から溶出したりしたイオン性不純物が、液晶装置の駆動や熱拡散により、表示領域に拡散及び凝集することにより、液晶装置の表示特性が劣化する恐れがあることが知られている。

そこで、例えば、特許文献１に記載のように、表示領域の周囲に周辺電極を設け、隣接する周辺電極間の電位を変化させることにより、液晶分子が揺らぎ、不純物を表示領域の外側に掃き寄せる技術が開示されている。

特開２００８−５８４９７号公報

しかしながら、特許文献１に記載の駆動方法では、表示領域にある不純物を表示領域の外側に掃き出すことができるものの、掃き寄せた不純物が循環して再度、表示領域に戻ってしまう恐れがあるという課題がある。

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、を含み、前記第１基板は、表示領域に設けられた画素電極と、平面視で前記表示領域と前記シール材との間に設けられた第１周辺電極と、平面視で前記第１周辺電極と前記シール材との間に設けられた第２周辺電極と、を含み、前記第２基板は、前記画素電極、前記第１周辺電極、及び前記第２周辺電極と対向するように設けられた対向電極を含み、前記対向電極に定電位を印加し、前記第１周辺電極に交流電位を印加し、前記第２周辺電極に前記対向電極と異なる定電位を印加することを特徴とする。

本適用例によれば、表示領域からシール材に向かって、交流電位が印加される第１周辺電極と、定電位が印加される第２周辺電極とが順に設けられている。よって、第１周辺電極に交流電位を印加することにより、表示領域の不純物（イオン性不純物）を所望の方向に移動させることが可能となり、移動した不純物を、定電位が印加された第２周辺電極で捕獲（トラップ）することができる。これにより、表示領域から周辺領域に不純物を掃き寄せるので、表示領域において焼き付きの少ない表示を得ることができる。

［適用例２］本適用例に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、を含み、前記第１基板は、表示領域に設けられた画素電極と、平面視で前記表示領域と前記シール材との間に設けられた第１周辺電極と、平面視で前記第１周辺電極と前記シール材との間に設けられた第２周辺電極と、を含み、前記第２基板は、前記画素電極、前記第１周辺電極、及び前記第２周辺電極と対向するように設けられた対向電極を含み、前記第１周辺電極は、前記対向電極との電位差が所定の周期で変わり、前記第２周辺電極には、前記対向電極に印加される電位と異なる電位で、前記対向電極との電位差が略同一の電位が印加されることを特徴とする。

本適用例によれば、表示領域からシール材に向かって、交流電位が印加される第１周辺電極と、定電位が印加される第２周辺電極とが順に設けられている。対向電極との電位差が所定の周期で変わる電位を第１周辺電極に印加することにより、表示領域の不純物（イオン性不純物）を所望の方向に移動させることが可能となり、移動した不純物を、対向電極の電位と異なり電位差が略同一の電位が印加される第２周辺電極で捕獲（トラップ）することができる。これにより、表示領域から周辺領域に不純物を掃き寄せるので、表示領域において焼き付きの少ない表示を得ることができる。加えて、コモン振り駆動に適用することができる。

［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記第２周辺電極は、前記対向電極に対して高電位が印加される第２高電位周辺電極と、前記対向電極に対して低電位が印加される第２低電位周辺電極と、を有することが好ましい。

本適用例によれば、第２高電位周辺電極及び第２低電位周辺電極が設けられているので、表示領域から第２周辺電極の近傍に移動してきた正極性に帯電した不純物を第２低電位周辺電極で捕獲し、負極性に帯電した不純物を第２高電位周辺電極で捕獲することができるため、正極性に帯電した不純物と負極性に帯電した不純物の両方を第２周辺電極で収集することができる。

［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１周辺電極は、前記第２高電位周辺電極と前記第２低電位周辺電極との間、及び、前記第２高電位周辺電極及び前記第２低電位周辺電極のいずれか一方と前記表示領域との間、に配置されていることが好ましい。

本適用例によれば、２つの第２周辺電極の隣りに第１周辺電極がそれぞれ設けられているので、第１周辺電極によって移動した不純物の移動速度が、第２周辺電極を通過する際に低下したとしても、その隣りの第１周辺電極によって再度、不純物を移動させることが可能となる。よって、正極性に帯電した不純物を第２低電位周辺電極で捕獲することができる。また、負極性に帯電した不純物を第２高電位周辺電極で捕獲することができる。

［適用例５］上記適用例に係る液晶装置において、前記第２周辺電極と前記対向電極との電位差の絶対値は、前記第１周辺電極と前記対向電極との電位差の絶対値より小さいことが好ましい。

本適用例によれば、一方向に電界を液晶に与え続けると、同程度の絶対値の交流電界を液晶に与えるよりも、液晶に対して加わるストレスが大きいが、第２周辺電極と対向電極との電位差は第１周辺電極と対向電極との電位差の絶対値より小さいため、液晶にかかるストレスを小さくすることができ、液晶の寿命を長くすることができる。

［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、上記した液晶装置を備えているので、表示特性を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。

第１実施形態の液晶装置の構成を示す模式平面図。 図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置の構造を示す模式断面図。 液晶装置のうち主に周辺電極の構成を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。 液晶装置全体の電気的な構成を示す回路図。 液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。 第２実施形態の液晶装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は液晶装置のうち主に周辺電極の構成を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。 液晶装置全体の電気的な構成を示す回路図。 第３実施形態の液晶装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は液晶装置のうち主に周辺電極の構成を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。 液晶装置全体の電気的な構成を示す回路図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

本実施形態では、液晶装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。

図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０（第１基板）および対向基板２０（第２基板）と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材１４の内側で、素子基板１０は対向基板２０の間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光膜（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。

素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。

対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と表示領域Ｅとの間には、遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。

これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。

図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。

また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜２８を含むものである。

対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光膜１８、対向電極３１、配向膜３２を含むものである。

遮光膜１８は、図１に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

画素電極２７を覆う配向膜２８および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。

このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。

図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。

走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。

データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。

保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。

図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。

図４に示すように、液晶装置１００は、一対の基板のうち一方の基板である素子基板１０と、これに対向配置される他方の基板である対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。

第１基材１０ａ上には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等からなる下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。

下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記したように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。

半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。

チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。

ゲート電極３０ｇ、下地絶縁層１１ａ、及び走査線３ａ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。

容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。

第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ５２、中継層５５、コンタクトホールＣＮＴ５３、ＣＮＴ５１を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。

容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、第１層間絶縁層１１ｂ及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。

データ線６ａ上には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、第２層間絶縁層１１ｃ及び第３層間絶縁層１１ｄに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５２、ＣＮＴ５３、中継層５５を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。

画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。配向膜２８上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。

一方、第２基材２０ａ上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上（図４では下側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。

液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。

＜周辺電極の構成＞
図５（ａ）は、液晶装置のうち主に周辺電極の構成を示す模式平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。図６は、液晶装置全体の電気的な構成を示す回路図である。以下、主に周辺電極の構成について、図５及び図６を参照しながら説明する。なお、第１基材１０ａから第３層間絶縁層１１ｄまでを第１基材１０ａと称して説明する。

図５に示すように、液晶装置１００を構成する第１基材１０ａ上には、表示領域Ｅに画素電極２７が設けられている。また、表示領域Ｅの周囲である周辺領域Ｅ１には、交流電圧が印加される第１周辺電極４０と、定電位が印加される第２周辺電極５０とが、表示領域Ｅを囲むように枠状に設けられている。

第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、対向電極３１が設けられている。なお、第１周辺電極４０及び第２周辺電極５０は、例えば、画素電極２７と同層に設けられており、ＩＴＯ膜で構成されている。

具体的には、第１周辺電極４０には、交流電圧が印加されている。電圧は、例えば、±５Ｖである。第２周辺電極５０には、対向電極３１に対して高電位の定電圧が印加されている。電圧は、例えば、５Ｖである。言い換えれば、帯電した不純物（イオン性不純物）を効果的に引き寄せつつ、表示に影響を与えない程度の電圧である。一方、対向電極３１は０Ｖとなっている。

なお、第２周辺電極５０と対向電極３１との電位差は、第１周辺電極４０と対向電極３１との電位差の絶対値より小さいことが望ましい。これは、一方向に電界を液晶に与え続けると、同程度の絶対値の交流電界を液晶に与えるよりも、液晶に対して加わるストレスが大きいためである。よって、液晶にかかるストレスを小さくすることができ、液晶の寿命を長くすることができる。

また、交流電圧の周波数は、液晶が追従できる範囲で、なるべく高いことが望ましい。具体的には、周波数の周期が液晶の応答速度の２倍であり、例えば、４〜６msecである。なお、液晶の応答速度とは、液晶の角度が１０％から９０％に動く時間のことである。

第１周辺電極４０によって、液晶層１５に印加する電圧は交流であり、例えば、１フレーム期間毎に極性が逆転する。その交流波形に呼応して、液晶分子１５ａも微小にその極角方向の配向が揺らぐ。すると、液晶層１５中には、微小な流動が生じる。この流れにより、イオン性不純物７０が動かされる。従って、イオン性不純物７０は、液晶分子１５ａの配向方向と平行な方向に動いていく。言い換えれば、第１周辺電極４０によって液晶分子１５ａを攪拌させている。

また、第２周辺電極５０と対向電極３１との間には、正極性の電界が生じている。これにより、移動した負極性に帯電したイオン性不純物７１を、第２周辺電極５０で捕獲することができる。また、第２周辺電極５０に近いほど、イオン性不純物７０（負極性に帯電したイオン性不純物７１）の密度が高い。

なお、第２周辺電極５０には、上記したように、対向電極３１に対して高電位の定電位が印加されており、正極性に帯電したイオン性不純物７２を捕獲することができない。よって、移動したイオン性不純物７２が、再び液晶層１５中の表示領域Ｅに戻ってしまう恐れがある。よって、表示に影響するイオン性不純物７０の極性が正極性のイオン性不純物７２か負極性のイオン性不純物７１かを確認しておくことが必要となる。

第１周辺電極４０は、図６に示すように、第１周辺電極接続配線４０ａを介して、複数の外部接続用端子６１のうち「ＡＣ」端子部に接続されている。第２周辺電極５０は、第２周辺電極接続配線５０ａを介して、複数の外部接続用端子６１のうち「ＤＣ」端子部に接続されている。なお、第１周辺電極接続配線４０ａ及び第２周辺電極接続配線５０ａを配置するポイントを以下に説明する。

第１周辺電極接続配線４０ａ及び第２周辺電極接続配線５０ａは、周辺領域Ｅ１を迂回させる必要があるので、複数の外部接続用端子６１の左右に分かれるように配置することが好ましい。また、第２周辺電極接続配線５０ａは、周辺回路や信号線と極力交差しないように、液晶装置１００の上部に引き回してから、「ＤＣ」端子部に接続させる。更に、「ＡＣ」端子部の隣りには、電源端子（ＶＤＤＸ、ＶＤＤＹ、ＶＳＳＸ、ＶＳＳＹ）を配置する。また、「ＶＩＤ」端子部と「ＡＣ」端子部とは隣接させないようにすることが望ましい。

なお、第２周辺電極５０には、対向電極３１に対して高電位の定電位が印加されることに限定されず、対向電極３１に対して低電位の定電位が印加されるようにしてもよい。これによれば、正極性に帯電したイオン性不純物７２を、第２周辺電極５０によって捕獲することができる。

このように、表示領域Ｅの周囲に、交流電圧が印加されている第１周辺電極４０と、定電位が印加されている第２周辺電極５０とを配置することにより、第１周辺電極４０によって液晶分子１５ａに揺らぎを与えてイオン性不純物７０（７１，７２）を移動させることが可能となり、移動したイオン性不純物７０を、第２周辺電極５０で捕獲することができる。その結果、表示領域Ｅから周辺領域Ｅ１にイオン性不純物７０を掃き寄せることが可能となり、表示領域Ｅにおいて焼き付きの少ない表示を得ることができる。

＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図７を参照して説明する。図７は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。

図７に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、焼き付き等が抑えられた液晶装置１００を用いているので、高い表示品質を実現することができる。

なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。

以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）第１実施形態の液晶装置１００によれば、表示領域Ｅからシール材１４側に向かって、交流電圧が印加される第１周辺電極４０と、定電位が印加される第２周辺電極５０とが順に設けられている。よって、第１周辺電極４０に交流電圧を印加することにより、表示領域Ｅの不純物（イオン性不純物７０）を所望の方向に移動させることが可能となり、移動したイオン性不純物７０を、定電位が印加された第２周辺電極５０で捕獲（トラップ）することができる。これにより、表示領域Ｅから周辺領域Ｅ１にイオン性不純物７０を掃き寄せるので、表示領域Ｅにおいて焼き付きの少ない表示を得ることができる。

（２）第１実施形態の電子機器によれば、上記に記載の液晶装置１００を備えるので、表示特性を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。

（第２実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図８は、第２実施形態の液晶装置の構造を示す模式図である。（ａ）は、液晶装置のうち主に周辺電極の構成を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。図９は、液晶装置全体の電気的な構成を示す回路図である。以下、液晶装置の構造について、図８及び図９を参照しながら説明する。

第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態と比べて、定電位が印加される第２周辺電極の構成が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。

図８に示すように、第２実施形態の液晶装置２００は、第１実施形態と同様に、液晶装置２００を構成する第１基材１０ａ上に、交流電圧が印加される第１周辺電極４０と、定電位が印加される第２周辺電極５０と、画素電極２７とが設けられている。また、第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、対向電極３１が設けられている。

第２実施形態の液晶装置２００の特徴として、第２周辺電極５０は、対向電極３１に対して高電位が印加される第２高電位周辺電極５１と、対向電極３１に対して低電位が印加される第２低電位周辺電極５２とを有している。

図８（ａ）に示すように、２つの第２周辺電極５０（５１，５２）は、第１基材１０ａ上における表示領域Ｅの周囲（周辺領域Ｅ１）に、シール材１４側から順に、第２高電位周辺電極５１と、第２低電位周辺電極５２とが、表示領域Ｅの周囲を囲むように枠状に設けられている。なお、２つの第２周辺電極５０（５１，５２）の表示領域Ｅ側には、第１周辺電極４０が設けられている。

具体的には、第２高電位周辺電極５１には、例えば、５Ｖが印加されている。対向電極３１は０Ｖである。よって、第２高電位周辺電極５１と対向電極３１との間には、正極性の電界が生じている。また、第２低電位周辺電極５２には、例えば、−５Ｖが印加されている。よって、第２低電位周辺電極５２と対向電極３１との間には、負極性の電界が生じている。

第１周辺電極４０によって、液晶分子１５ａが揺らぐと微小な流動が生じ、イオン性不純物７０（７１，７２）が動かされる。これにより、周辺領域Ｅ１に移動した負極性に帯電したイオン性不純物７１は、第２高電位周辺電極５１で捕獲される。また、周辺領域Ｅ１に移動した正極性に帯電したイオン性不純物７２は、第２低電位周辺電極５２で捕獲される。

第１周辺電極４０は、図９に示すように、第１周辺電極接続配線４０ａを介して、複数の外部接続用端子６１のうち「ＡＣ」端子部に接続されている。第２高電位周辺電極５１は、第２高電位周辺電極接続配線５１ａを介して、複数の外部接続用端子６１のうち「ＤＣ（＋）」端子部に接続されている。第２低電位周辺電極５２は、第２低電位周辺電極接続配線５２ａを介して、複数の外部接続用端子６１のうち「ＤＣ（−）」端子部に接続されている。なお、これらの配線を配置するポイントを以下に説明する。

第２高電位周辺電極接続配線５１ａと、第２低電位周辺電極接続配線５２ａは、周辺領域Ｅ１を迂回させる必要があるので、複数の外部接続用端子６１の左右に分かれるように配置することが好ましい。また、第２周辺電極接続配線５１ａ，５２ａは、周辺回路や信号線と極力交差しないように、液晶装置２００の上部に引き回してから、「ＤＣ（＋）」端子部及び「ＤＣ（−）」端子部に接続させる。更に、「ＡＣ」端子部の隣りには、電源端子（ＶＤＤＸ、ＶＤＤＹ、ＶＳＳＸ、ＶＳＳＹ）を配置する。また、「ＶＩＤ」端子部と「ＡＣ」端子部とは隣接させないようにすることが望ましい。

このように、表示領域Ｅの周囲に、第２高電位周辺電極５１及び第２低電位周辺電極５２を、交流電圧が印加される第１周辺電極４０の外側に配置することにより、周辺領域Ｅ１に移動した負極性に帯電したイオン性不純物７１や正極性に帯電したイオン性不純物７２を、２つの第２周辺電極５０（５１，５２）で捕獲することができる。よって、第１実施形態と比較して、負極性に帯電したイオン性不純物７１であるか、正極性に帯電したイオン性不純物７２であるかを、事前に確認することなく捕獲することができる。

なお、イオン性不純物７０が、負極性に帯電するか正極性に帯電するかは、液晶の組成やシール材１４の影響などによって変わるため、判断が難しい。しかしながら、本実施形態のように、両方の極性に帯電したイオン性不純物７０を吸着できる第２周辺電極５０（５１，５２）を配置することにより、より効率よくイオン性不純物７０を捕獲することができる。

以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置２００によれば、以下に示す効果が得られる。

（３）第２実施形態の液晶装置２００によれば、第２高電位周辺電極５１及び第２低電位周辺電極５２が設けられているので、表示領域Ｅから第２周辺電極５０（５１，５２）の近傍に移動した正極性に帯電したイオン性不純物７２を第２低電位周辺電極５２で捕獲し、負極性に帯電したイオン性不純物７１を第２高電位周辺電極５１で捕獲することができるため、正極性に帯電したイオン性不純物７２と負極性に帯電したイオン性不純物７１の両方を第２周辺電極５０（５１，５２）で収集することができる。加えて、第１実施形態の液晶装置１００では、第２高電位周辺電極５１を用いるのか第２低電位周辺電極５２を用いるかを試さなければいけないが、第２実施形態の液晶装置２００では、試すことなくイオン性不純物７０（７１，７２）を捕獲することができる。

（第３実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１０は、第３実施形態の液晶装置の構造を示す模式図である。（ａ）は、液晶装置のうち主に周辺電極の構成を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。図１１は、液晶装置全体の電気的な構成を示す回路図である。以下、液晶装置の構造について、図１０及び図１１を参照しながら説明する。

第３実施形態の液晶装置３００は、上述の第１実施形態と比べて、交流電圧が印加される第１周辺電極４０、及び定電位が印加される第２周辺電極５０の構成が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第３実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。

図１０に示すように、第３実施形態の液晶装置３００は、第１実施形態と同様に、液晶装置３００を構成する第１基材１０ａ上に、交流電圧が印加される第１周辺電極４０（４１，４２）と、定電位が印加される第２周辺電極５０（５１，５２）と、画素電極２７とが設けられている。また、第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、対向電極３１が設けられている。

第３実施形態の液晶装置３００の特徴として、第２周辺電極５０は、シール材１４から表示領域Ｅに向かって順に、対向電極３１に対して高電位が印加される第２高電位周辺電極５１と、対向電極３１に対して低電位が印加される第２低電位周辺電極５２とを有している。

また、第１周辺電極４０は、第２高電位周辺電極５１と第２低電位周辺電極５２との間と、第２低電位周辺電極５２と表示領域Ｅとの間とに配置されている。

２つの第１周辺電極４１，４２と、第２高電位周辺電極５１及び第２低電位周辺電極５２とは、上記実施形態と同様に、表示領域Ｅの周囲を囲むように枠状に設けられている。

具体的には、第２実施形態と同様に、第２高電位周辺電極５１には、例えば、５Ｖが印加されている。対向電極３１は０Ｖである。よって、第２高電位周辺電極５１と対向電極３１との間には、正極性の電界が生じている。また、第２低電位周辺電極５２には、例えば、−５Ｖが印加されている。よって、第２低電位周辺電極５２と対向電極３１との間には、負極性の電界が生じている。また、２つの第１周辺電極４１，４２には、±５Ｖが印加されている。

第１周辺電極４０（４１，４２）は、図１１に示すように、第１周辺電極接続配線４０ａを介して、複数の外部接続用端子６１のうち「ＡＣ」端子部に接続されている。第２高電位周辺電極５１は、第２高電位周辺電極接続配線５１ａを介して、複数の外部接続用端子６１のうち「ＤＣ（＋）」端子部に接続されている。第２低電位周辺電極５２は、第２低電位周辺電極接続配線５２ａを介して、複数の外部接続用端子６１のうち「ＤＣ（−）」端子部に接続されている。なお、これらの配線を配置するポイントを以下に説明する。

第２高電位周辺電極接続配線５１ａと、第２低電位周辺電極接続配線５２ａは、周辺領域Ｅ１を迂回させる必要があるので、複数の外部接続用端子６１の左右に分かれるように配置することが好ましい。また、第２周辺電極接続配線５１ａ，５２ａは、周辺回路や信号線と極力交差しないように、液晶装置３００の上部に引き回してから、「ＤＣ（＋）」端子部及び「ＤＣ（−）」端子部に接続させる。更に、「ＡＣ」端子部の隣りには、電源端子（ＶＤＤＸ、ＶＤＤＹ、ＶＳＳＸ、ＶＳＳＹ）を配置する。また、「ＶＩＤ」端子部と「ＡＣ」端子部とは隣接させないようにすることが望ましい。

２つの第１周辺電極４１，４２によって、液晶分子１５ａが揺らぐと微小な流動が生じ、イオン性不純物７０（７１，７２）が動かされる。これにより、周辺領域Ｅ１に移動した負極性に帯電したイオン性不純物７１は、第２高電位周辺電極５１で捕獲（トラップ）することができる。また、周辺領域Ｅ１に移動した正極性に帯電したイオン性不純物７２は、第２低電位周辺電極５２で捕獲することができる。

加えて、第３実施形態の特徴として、２つの第２周辺電極５１，５２の隣りに第１周辺電極４１，４２が配置されているので、第１周辺電極４１，４２によって移動したイオン性不純物７０（７１，７２）が、第２周辺電極５１，５２を通過する際に勢いが弱まった（移動速度が低下した）としても、その隣りに配置された第１周辺電極４１，４２によって再度、イオン性不純物７０を移動させる（勢いをつける）ことが可能となる。よって、負極性に帯電したイオン性不純物７１や正極性に帯電したイオン性不純物７２を、所望の第２周辺電極５１，５２まで移動させることができ、第２周辺電極５１，５２で捕獲（トラップ）することができる。

以上詳述したように、第３実施形態の液晶装置３００によれば、以下に示す効果が得られる。

（４）第３実施形態の液晶装置３００によれば、２つの第２周辺電極５１，５２の隣りに第１周辺電極４１，４２がそれぞれ設けられているので、第１周辺電極４１，４２によって移動したイオン性不純物７０の移動速度が、第２周辺電極５１，５２を通過する際に低下したとしても、その隣りの第１周辺電極４１，４２によって再度、イオン性不純物７０（７１，７２）を移動させることが可能となる。よって、正極性に帯電したイオン性不純物７２を第２低電位周辺電極５２で捕獲することができる。また、負極性に帯電したイオン性不純物７１を第２高電位周辺電極５１で捕獲することができる。

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記した第２実施形態のように、第２高電位周辺電極５１及び第２低電位周辺電極５２は、表示領域Ｅの周囲を囲むように枠状に設けられていることに限定されず、例えば、一方の端を短絡するような櫛歯形状の周辺電極が隣接するように設けられていてもよい。

（変形例２）
上記したように、第１周辺電極４０及び第２周辺電極５０が、画素電極２７と同層に設けられていることに限定されず、例えば、反射型の液晶装置において、第１周辺電極４０が、画素電極２７と絶縁膜を介して１層下のレイヤーに設けられていてもよい。

（変形例３）
上記した第２実施形態は、第２高電位周辺電極５１と第２低電位周辺電極５２とが、入れ替わって配置されるようにしてもよい。つまり、どちらがシール材１４側に配置されていてもよい。

（変形例４）
上記したように、交流電圧（ＡＣ）及び直流電圧（ＤＣ）を外部から外部接続用端子６１を介して供給することに限定されず、例えば、液晶装置１００の内部に専用回路を設けて供給するようにしてもよい。

（変形例５）
上記したように、第１周辺電極４０に交流電圧を印加し、第２周辺電極５０に定電位を印加することに限定されず、例えば、対向電極３１の電位を所定の周期で変動させることにより、第１周辺電極４０に対向電極３１の電位に対して所定の周期で変わる電位を印加し、第２周辺電極５０に対向電極３１に印加される電位と異なる電位であり対向電極３１との電位差が略同一の電位を印加するようにしてもよい。これにより、第１実施形態と同様の効果を得ることができると共に、いわゆるコモン振り駆動に適用することができる。

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１４…シール材、１５…液晶層、１５ａ…液晶分子、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…平坦化層、４０，４１，４２…第１周辺電極、４０ａ…第１周辺電極接続配線、５０…第２周辺電極、５０ａ…第２周辺電極接続配線、５１…第２高電位周辺電極、５１ａ…第２高電位周辺電極接続配線、５２…第２低電位周辺電極、５２ａ…第２低電位周辺電極接続配線、ＣＮＴ５１，５２，５３，５４…コンタクトホール、５５…中継層、６１…外部接続用端子、７０…イオン性不純物、７１…負極性に帯電したイオン性不純物、７２…正極性に帯電したイオン性不純物、１００，２００，３００…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。

Claims (6)

1. 第１基板と、
   前記第１基板に対向配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
   前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、
   を含み、
   前記第１基板は、
   表示領域に設けられた画素電極と、
   平面視で前記表示領域と前記シール材との間に設けられた第１周辺電極と、
   平面視で前記第１周辺電極と前記シール材との間に設けられた第２周辺電極と、
   を含み、
   前記第２基板は、
   前記画素電極、前記第１周辺電極、及び前記第２周辺電極と対向するように設けられた対向電極を含み、
   前記対向電極に定電位を印加し、
   前記第１周辺電極に交流電位を印加し、
   前記第２周辺電極に前記対向電極と異なる定電位を印加することを特徴とする液晶装置。
2. 第１基板と、
   前記第１基板に対向配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
   前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、
   を含み、
   前記第１基板は、
   表示領域に設けられた画素電極と、
   平面視で前記表示領域と前記シール材との間に設けられた第１周辺電極と、
   平面視で前記第１周辺電極と前記シール材との間に設けられた第２周辺電極と、
   を含み、
   前記第２基板は、
   前記画素電極、前記第１周辺電極、及び前記第２周辺電極と対向するように設けられた対向電極を含み、
   前記対向電極に交流電位を印加し、
   前記第１周辺電極に定電位を印加し、
   前記第２周辺電極に、前記対向電極に印加される電位と異なる電位で、前記対向電極との電位差が略同一の交流電位を印加することを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の液晶装置であって、
   前記第２周辺電極は、前記対向電極に対して高電位が印加される第２高電位周辺電極と、前記対向電極に対して低電位が印加される第２低電位周辺電極と、を有することを特徴とする液晶装置。
4. 請求項３に記載の液晶装置であって、
   前記第２高電位周辺電極と前記第２低電位周辺電極との間に、前記第１周辺電極と電気的に接続された第３周辺電極を含むことを特徴とする液晶装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
   前記第２周辺電極と前記対向電極との電位差の絶対値は、前記第１周辺電極と前記対向電極との電位差の絶対値より小さいことを特徴とする液晶装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。

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