JP2021196529A - 電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品質を向上させることが可能な液晶装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】ドレイン領域３０ｄと、チャネル領域３０ｃと、ドレイン領域３０ｄとチャネル領域３０ｃとの間の第２ＬＤＤ領域３０ｄ１と、を有する半導体層３０ａと、チャネル領域３０ｃに重なって配置されたゲート電極３０ｇと、ゲート電極３０ｇと電気的に接続されたゲート配線３０ｇ１と、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１とゲート配線３０ｇ１との間に配置され、平面視で、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１とゲート配線３０ｇ１と重なる第２遮光部４０と、を備える。【選択図】図７

Description

本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関する。

電気光学装置として、画素にスイッチング素子を備えたアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。このような液晶装置は、例えば、電子機器としてのプロジェクターのライトバルブとして用いられる。

液晶装置は、プロジェクターのレーザー光源などからの強い光が、トランジスターの半導体層に入射するとＴＦＴ特性が変化するという問題がある。例えば、特許文献１には、半導体層のチャネル領域からＬＤＤ領域まで重なるようにゲート電位の配線を設けることにより、ＬＤＤ領域の遮光性を向上させる技術が開示されている。

特開２０１０−１１７３９９号公報

しかしながら、特許文献１の技術によれば、遮光性を向上させるために、ＬＤＤ領域とゲート電位の配線とが近くなりすぎると、ＴＦＴ特性が変化するという課題がある。

電気光学装置は、ドレイン領域と、チャネル領域と、前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間のＬＤＤ領域と、を有する半導体層と、前記チャネル領域に重なって配置されたゲート電極と、前記ゲート電極と電気的に接続された第１遮光部と、前記ＬＤＤ領域と前記第１遮光部との間に配置され、平面視で、前記ＬＤＤ領域と前記第１遮光部と重なる第２遮光部と、を備える。

電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備える。

本実施形態の液晶装置の構成を示す平面図。 図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 画素の構成を示す平面図。 液晶装置の構成を示す断面図。 図４に示す画素のＡ部を拡大して示す平面図。 図６に示すトランジスターのＢ−Ｂ’線に沿う断面図。 トランジスターの製造方法の一部を示す断面図。 トランジスターの製造方法の一部を示す断面図。 トランジスターの製造方法の一部を示す断面図。 電子機器としてのプロジェクターの構成を示す模式図。 変形例の画素の構成を示す平面図。

図１及び図２に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する基板としての第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス又は石英などである。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。

シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、例えば、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサーが混入されている。

シール材１４の内側には、表示に寄与する複数の画素Ｐを配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅの周囲には、表示に寄与しない周辺回路などが設けられた周辺領域Ｅ１が配置されている。

素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と１辺部との間には、データ線駆動回路２２が設けられている。また、１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間には、検査回路２５が設けられている。さらに、１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路２４が設けられている。１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。

対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光膜１８が設けられている。遮光膜１８は、例えば、光反射性を有する金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。遮光膜１８としては、例えば、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）を用いることができる。

これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子７０に接続されている。以降、１辺部に沿った方向をＸ方向とし、１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。また、Ｚ方向から見ることを平面視という。

図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極２７と、スイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、「トランジスター３０」と呼称する）と、データ線（図示せず）と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。

画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜で形成されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、トランジスター３０、第１配向膜２８を含むものである。

対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁層３３と、絶縁層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光膜１８、対向電極３１、第２配向膜３２を含むものである。

遮光膜１８は、図１に示すように表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮光して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮光して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

対向電極３１は、例えば、ＩＴＯなどの透明導電膜からなり、絶縁層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。

画素電極２７を覆う第１配向膜２８および対向電極３１を覆う第２配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。第１配向膜２８及び第２配向膜３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。

このような液晶装置１００は、例えば、透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。なお、反射型の液晶装置に適用するようにしてもよい。

図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。例えば、走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。

走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、トランジスター３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３ａはトランジスター３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはトランジスター３０のソース領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、トランジスター３０のドレイン領域に電気的に接続されている。

データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるトランジスター３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。

保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に容量膜としての誘電体層を有するものである。

図４に示すように、画素Ｐは、隣り合う画素電極２７と画素電極２７との間に、データ線６ａや走査線３ａが配置されている。また、データ線６ａと走査線３ａとが交差する部分にトランジスター３０が配置されている。

図５に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０と、を備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、例えば、石英である。素子基板１０は、第１基材１０ａの上に、走査線３ａと、トランジスター３０と、データ線６ａと、容量素子１６と、画素電極２７と、第１配向膜２８と、を備えている。

具体的には、第１基材１０ａの上に、酸化シリコンなどからなる絶縁層１１ａが配置されている。絶縁層１１ａの上には、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）などからなる遮光膜としても機能する走査線３ａが配置されている。

走査線３ａ及び絶縁層１１ａの上には、酸化シリコンなどからなる絶縁層１１ｂが配置されている。絶縁層１１ｂの上には、トランジスター３０が配置されている。

トランジスター３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成されたアルミニウム等からなるゲート電極３０ｇと、を有する。

半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のトランジスター３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、第１ＬＤＤ領域３０ｓ１と、ソース領域３０ｓと、ＬＤＤ領域としての第２ＬＤＤ領域３０ｄ１と、ドレイン領域３０ｄとを備えている。

チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。

ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇの上には、酸化シリコン等からなる絶縁層１１ｃが配置されている。絶縁層１１ｃ及びゲート絶縁層１１ｇには、デュアルダマシン構造の第２遮光部４０が設けられている。具体的には、第２遮光部４０は、電極４０ａと、電極４０ａの厚みより薄い遮光膜４０ｂと、を有する。電極４０ａは、半導体層３０ａのドレイン領域３０ｄと電気的に接続されている。遮光膜４０ｂは、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１を覆うように配置されている。

第２遮光部４０及び絶縁層１１ｃの上には、絶縁層１１ｄが配置されている。絶縁層１１ｄの上には、コンタクトホールＣＮＴ３を介してゲート電極３０ｇと電気的に接続されたアルミニウムなどからなる第１遮光部としてのゲート配線３０ｇ１が配置されている。ゲート配線３０ｇ１は、コンタクトホールＣＮＴ４を介して走査線３ａと電気的に接続されている。

ゲート配線３０ｇ１及び絶縁層１１ｄの上には、酸化シリコン等からなる絶縁層１１ｅが配置されている。絶縁層１１ｅの上には、コンタクトホールＣＮＴ１ａを介して第２遮光部４０と電気的に接続されたアルミニウムなどからなる中継配線５１が配置されている。中継配線５１及び絶縁層１１ｅの上には、酸化シリコン等からなる絶縁層１１ｆが配置されている。

絶縁層１１ｆの上には、コンタクトホールＣＮＴ２を介してソース領域３０ｓと電気的に接続されたデータ線６ａが配置されている。データ線６ａ及び絶縁層１１ｆの上には、酸化シリコン等からなる絶縁層１１ｈが配置されている。絶縁層１１ｈの上には、共通電位が印加される共通配線５２が配置されている。共通配線５２の上には、酸化シリコン等からなる絶縁層１１ｉが配置されている。

絶縁層１１ｉの上には、容量素子１６が配置されている。具体的には、容量素子１６は、例えば、固定電位側の容量電極である第１容量電極１６ａと、トランジスター３０のドレイン領域３０ｄと電気的に接続された第２容量電極１６ｂと、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｂとの間に配置された誘電体層１６ｃと、を備えている。第１容量電極１６ａ及び第２容量電極１６ｂは、例えば、アルミニウムで構成されている。誘電体層１６ｃは、例えば、窒化シリコンである。第１容量電極１６ａは、コンタクトホールＣＮＴ５を介して共通配線５２と電気的に接続されている。

容量素子１６の上には、酸化シリコン等からなる絶縁層１１ｊが配置されている。絶縁層１１ｊの上には、コンタクトホールＣＮＴ１を介して第２容量電極１６ｂと電気的に接続された画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電膜である。

画素電極２７の上には、酸化シリコンなどの無機材料を斜方蒸着した第１配向膜２８が配置されている。第１配向膜２８の上には、シール材１４により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が配置されている。

一方、対向基板２０は、第２基材２０ａの上（液晶層１５側）に、絶縁層３３と、対向電極３１と、第２配向膜３２と、を備えている。第２基材２０ａは、例えば、石英である。絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンで構成されている。対向電極３１は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電膜である。第２配向膜３２は、酸化シリコンなどの無機材料が斜方蒸着されて形成されている。

液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。次に、図６及び図７を参照しながら、画素Ｐの一部の構成について説明する。

図６は、素子基板１０の画素Ｐの構造を簡略化して示す平面図である。図７は、素子基板１０の第１基材１０ａからゲート配線３０ｇ１までのトランジスター３０の構造を示す断面図である。

図６及び図７に示すように、トランジスター３０は、平面視でデータ線６ａと走査線３ａとが交差する部分に重なって配置されている。図７に示すように、断面視でゲート電極３０ｇとゲート配線３０ｇ１との間には、第２遮光部４０が配置されている。具体的には、第２遮光部４０は、上記したように、デュアルダマシン構造であり、図６に示すように、平面視で第２ＬＤＤ領域３０ｄ１と重なるように第２遮光部４０の遮光膜４０ｂが配置されている。

更に、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１は、第２遮光部４０の上層に配置されたゲート配線３０ｇ１とも重なるように配置されている。一方、ソース領域３０ｓは、デュアルダマシン構造の遮光部４１と電気的に接続されている。遮光部４１は、電極４１ａと遮光膜４１ｂとを有する。

このように、第２遮光部４０の遮光膜４０ｂは、断面視で第２ＬＤＤ領域３０ｄ１とゲート配線３０ｇ１との間に配置され、平面視で第２ＬＤＤ領域３０ｄ１とゲート配線３０ｇ１と重なるように配置されているので、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１にゲート電位の影響を与えることを抑えることが可能となり、その結果、所望のＴＦＴ特性と、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１の遮光性と、を両立させることができる。更に、第２遮光部４０の上層にゲート配線３０ｇ１が覆っているので、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１の遮光性を更に向上させることができる。

次に、トランジスター３０の製造方法を、図８〜図１０を参照しながら説明する。まず、図８に示すように、第１基材１０ａの上に、走査線３ａ、絶縁層１１ａ，１１ｂ、半導体層３０ａ、ゲート絶縁層１１ｇ、ゲート電極３０ｇ、及び絶縁層１１ｃを形成する。次に、絶縁層１１ｃ及びゲート絶縁層１１ｇにおける、半導体層３０ａのソース領域３０ｓ及びドレイン領域３０ｄと繋がるように、それぞれ溝部（リセスとも言う）６１，６２をエッチング処理によって形成する。

次に、図９に示すように、溝部６１，６２に、タングステン（Ｗ）をデュアルダマシンで埋め込む。これにより、溝部６１の中に、ドレイン領域３０ｄと接続された電極４０ａと、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１と重なるように形成された遮光膜４０ｂと、を含む第２遮光部４０が形成される。一方、溝部６２の中に、ソース領域３０ｓと接続された電極４１ａと、遮光膜４１ｂと、を含む遮光部４１が形成される。なお、第２遮光部４０及び遮光部４１の上面にＣＭＰなどの平坦化処理を施すことにより、第２遮光部４０及び遮光部４１の高さを揃えることができる。また、デュアルダマシンで形成するので、製造工程を抑えることが可能となり、かかるコストを抑えることができる。

次に、図１０に示すように、第２遮光部４０、遮光部４１、及び絶縁層１１ｃの上に、絶縁層１１ｄを成膜する。その後、絶縁層１１ｄ，１１ｃに、ゲート電極３０ｇと繋がるコンタクトホールＣＮＴ３を形成する。そして、コンタクトホールＣＮＴ３の開口孔及び絶縁層１１ｄの上にアルミニウムなどのゲート配線３０ｇ１の材料を成膜し、パターニングすることにより、ゲート電極３０ｇと電気的に接続されたゲート配線３０ｇ１が形成される。

なお、デュアルダマシンで第２遮光部４０及び遮光部４１を形成した後に、第２遮光部４０及び遮光部４１の上面を平坦化するので、その後に、絶縁層１１ｄを薄く形成することができる。よって、絶縁層１１ｄの膜厚の制御がし易く、第２遮光部４０とゲート配線３０ｇ１との間隔を近づけることが可能となり、遮光性を向上させることができる。また、ゲート配線３０ｇ１が第２遮光部４０の上に配置されているので、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１の上を広く覆うことができる。

図１１に示すように、本実施形態のプロジェクター１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投写レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。なお、液晶ライトバルブ１２１０は、後述する液晶装置２００も適用される。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、プロジェクター１０００の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。

以上述べたように、本実施形態の液晶装置１００は、ドレイン領域３０ｄと、チャネル領域３０ｃと、ドレイン領域３０ｄとチャネル領域３０ｃとの間の第２ＬＤＤ領域３０ｄ１と、を有する半導体層３０ａと、チャネル領域３０ｃに重なって配置されたゲート電極３０ｇと、ゲート電極３０ｇと電気的に接続されたゲート配線３０ｇ１と、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１との間に配置され、平面視でゲート配線３０ｇ１と第２ＬＤＤ領域３０ｄ１と重なるように配置された第２遮光部４０と、を備える。

この構成によれば、第２遮光部４０の遮光膜４０ｂは、断面視で第２ＬＤＤ領域３０ｄ１とゲート配線３０ｇ１との間に配置され、平面視で第２ＬＤＤ領域３０ｄ１とゲート配線３０ｇ１と重なるように配置されているので、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１にゲート電位の影響を与えることを抑えることが可能となり、その結果、所望のＴＦＴ特性と、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１の遮光性と、を両立させることができる。

また、第２遮光部４０は、ドレイン領域３０ｄに接続された電極４０ａを含んでいることが好ましい。

この構成によれば、第２遮光部４０がドレイン領域３０ｄのドレイン電位が供給される電極４０ａを含んでいるので、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１に電気的な影響を与えることが抑えられ、更に、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１の遮光性を向上させることができる。

また、第２遮光部４０は、液晶装置１００の厚さ方向の膜厚が厚い部分、即ち電極４０ａと、薄い部分、即ち遮光膜４０ｂとを有し、膜厚の薄い部分は、断面視で第２ＬＤＤ領域３０ｄ１とゲート配線３０ｇ１との間に配置され、平面視で第２ＬＤＤ領域３０ｄ１とゲート配線３０ｇ１と重なるように配置されていることが好ましい。

この構成によれば、膜厚の薄い部分が、断面視で第２ＬＤＤ領域３０ｄ１とゲート配線３０ｇ１との間に配置され、平面視で第２ＬＤＤ領域３０ｄ１とゲート配線３０ｇ１と重なるように配置されているので、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１にゲート電位の影響を与えることを抑えることが可能となり、その結果、所望のＴＦＴ特性と、ＬＤＤ領域の遮光性と、を両立させることができる。

また、ゲート配線３０ｇ１は、平面視で第２ＬＤＤ領域３０ｄ１と重なって配置されていることが好ましい。

この構成によれば、ゲート配線３０ｇ１が第２ＬＤＤ領域３０ｄ１と重なって配置されているので、第２遮光部４０と合わせて第２ＬＤＤ領域３０ｄ１と重ならせることが可能となり、遮光性を向上させることができる。

また、第２遮光部４０の材料は、タングステンであることが好ましい。この構成によれば、第２遮光部４０としてタングステンを用いるので、遮光性を高める、即ち、ＯＤ値が低下することを抑えることができる。

また、上記に記載の液晶装置１００を備えるので、表示品質を向上させることが可能なプロジェクター１０００を提供することができる。

なお、上記した液晶装置１００の構造に限定されず、例えば、図１２に示す液晶装置２００の構造に適用するようにしてもよい。図１２は、変形例の液晶装置２００の画素Ｐ、特にトランジスター３０の構造を示す平面図である。

図１２に示すように、液晶装置２００の画素Ｐは、走査線３ａの延在方向に沿って半導体層３０ａが配置されている。半導体層３０ａは、データ線６ａと重なる領域に配置されたソース領域３０ｓと、ゲート電極３０ｇと重なるチャネル領域３０ｃと、ソース領域３０ｓとチャネル領域３０ｃとの間に配置された第１ＬＤＤ領域３０ｓ１と、ドレイン領域３０ｄと、ドレイン領域３０ｄとチャネル領域３０ｃとの間に配置された第２ＬＤＤ領域３０ｄ１と、を有する。

半導体層３０ａの第１ＬＤＤ領域３０ｓ１、チャネル領域３０ｃ、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１の上には、遮光膜１５１が配置されている。ゲート電極３０ｇと遮光膜１５１との間には、上記実施形態のように、ドレイン領域３０ｄと電気的に接続された第２遮光部１４０が配置されている。第２遮光部１４０は、デュアルダマシン構造であり、ドレイン領域３０ｄと電気的に接続された電極１４０ａと、電極１４０ａの厚みよりも薄い遮光膜１４０ｂとを有する。遮光膜１４０ｂは、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１を覆うように配置されている。

この構成によれば、半導体層３０ａが、データ線６ａに沿って配置される場合、及び走査線３ａに沿って配置される場合のどちらの構造であっても、上記実施形態と同様に、所望のＴＦＴ特性と、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１の遮光性と、を両立させることができる。

また、タングステンで構成される第２遮光部４０の遮光膜４０ｂは、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１の遮光に用いることに限定されず、上層のコンタクトホールＣＮＴ１に繋がる孔のエッチングストッパー膜として用いるようにしてもよい。これによれば、例えば、２μｍ以上の深い孔をエッチングする場合でも、容易に制御することができる。ここでは、例えば、図５に示すように、第２遮光部４０から第２容量電極１６ｂに繋がるコンタクトホールＣＮＴ１に適用することができる。なお、ドレイン領域３０ｄ側に限定されず、ソース領域３０ｓ側も同様である。

このように、第２遮光部４０を覆って配置された絶縁層１１を備え、絶縁層１１は、絶縁層１１を貫通し、一方の端が第２遮光部４０に達するコンタクトホールＣＮＴ１を有することが好ましい。

この構成によれば、第２遮光部４０の上層にコンタクトホールＣＮＴ１を深く形成する場合、第２遮光部４０をストッパー層として用いることができる。

また、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１と重なるように第２遮光部４０の遮光膜４０ｂを配置することに限定されず、第１ＬＤＤ領域３０ｓ１と重なるように遮光部４１の遮光膜４１ｂを配置するようにしてもよい。

また、第２遮光部４０は、電極４０ａ及び遮光膜４０ｂが同じ材料であるタングステンで形成したが、電極４０ａと遮光膜４０ｂとが異なる材料で形成するようにしてもよい。

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…絶縁層、１１ｂ…絶縁層、１１ｃ…絶縁層、１１ｄ…絶縁層、１１ｅ…絶縁層、１１ｆ…絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁層、１１ｈ…絶縁層、１１ｉ…絶縁層、１１ｊ…絶縁層、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体層、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８…第１配向膜、２９…配線、３０…トランジスター、３０ａ…半導体層、３０ｂ…ゲート絶縁層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…ドレイン領域、３０ｄ１…ＬＤＤ領域としての第２ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｇ１…第１遮光部としてのゲート配線、３０ｓ…ソース領域、３０ｓ１…第１ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３２…第２配向膜、３３…絶縁層、４０…第２遮光部、４０ａ…電極、４０ｂ…遮光膜、４１…遮光部、４１ａ…電極、４１ｂ…遮光膜、５１…中継配線、５２…共通配線、６１…溝部、６２…溝部、７０…外部接続用端子、１００，２００…電気光学装置としての液晶装置、１４０…第２遮光部、１４０ａ…電極、１４０ｂ…遮光膜、１５１…遮光膜、１０００…プロジェクター、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投写レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。

Claims (7)

1. ドレイン領域と、チャネル領域と、前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間のＬＤＤ領域と、を有する半導体層と、
   前記チャネル領域に重なって配置されたゲート電極と、
   前記ゲート電極と電気的に接続された第１遮光部と、
   前記ＬＤＤ領域と前記第１遮光部との間に配置され、平面視で、前記ＬＤＤ領域と前記第１遮光部と重なる第２遮光部と、
   を備えることを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置であって、
   前記第２遮光部は、前記ドレイン領域に接続された電極を含んでいることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
   前記第２遮光部は、前記電気光学装置の厚さ方向の膜厚が厚い部分と薄い部分とを有し、
   前記膜厚の薄い部分は、前記ＬＤＤ領域と前記第１遮光部との間であって、平面視で前記ＬＤＤ領域と前記第１遮光部と重なって配置されていることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記第１遮光部は、平面視で前記ＬＤＤ領域と重なって配置されていることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記第２遮光部の材料は、タングステンであることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記第２遮光部を覆って配置された絶縁層を備え、
   前記絶縁層は、前記絶縁層を貫通し、一方の端が前記第２遮光部に達するコンタクトホールを有することを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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