JP2022007339A - 電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品質を向上させることが可能な液晶装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】第１方向に沿って延在し、遮光性を有する走査線３ａと、走査線３ａと重なるように第１方向に沿って延在する半導体層３０ａを有するトランジスター３０と、走査線３ａとトランジスター３０との間に、第１方向に沿って延在する側壁１１１ａを有する凹部１１１を有する層間絶縁層１１ａと、を備え、半導体層３０ａは、側壁１１１ａに沿って延在する。【選択図】図７

Description

本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関する。

電気光学装置として、画素にスイッチング素子を備えたアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。このような液晶装置は、例えば、電子機器としてのプロジェクターのライトバルブとして用いられる。

液晶装置は、プロジェクターのレーザー光源などからの強い光が、トランジスターの半導体層に入射するとＴＦＴ特性が変化するという問題がある。例えば、特許文献１には、傾斜面に半導体層のチャネル領域を形成することで、平面視でのチャネル領域の面積を減少させ、遮光性を向上させる技術が開示されている。

特開２０１０－６７８７９号公報

しかしながら、特許文献１の技術によれば開口率も向上するが、更なる画素の高開口率化が求められている。高開口率化のためには、チャネル領域の幅を狭くする必要があるが、チャネル領域の幅を狭くするとＴＦＴ特性が変化してしまうため、高開口率化が困難であるという課題がある。

電気光学装置は、第１方向に沿って延在し、遮光性を有する走査線と、前記走査線と重なるように前記第１方向に沿って延在する半導体層を有するトランジスターと、前記走査線と前記トランジスターとの間に、前記第１方向に沿って延在する側壁を有する凹部を有する層間絶縁層と、を備え、前記半導体層は、前記側壁に沿って延在する。

電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備える。

本実施形態の液晶装置の構成を示す平面図。 図１に示す液晶装置のＨ－Ｈ’線に沿う断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 画素の構成を示す平面図。 画素の構成を示す断面図。 画素を構成するトランジスターの周辺の構成を示す平面図。 図６に示すトランジスターのＡ－Ａ’線に沿う断面図。 トランジスターの製造方法の一部を示す断面図。 トランジスターの製造方法の一部を示す断面図。 トランジスターの製造方法の一部を示す断面図。 トランジスターの製造方法の一部を示す断面図。 電子機器としてのプロジェクターの構成を示す模式図。 変形例のトランジスターの構成を示す断面図。

図１及び図２に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する基板としての第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス又は石英などである。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。

シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、例えば、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサーが混入されている。

シール材１４の内側には、表示に寄与する複数の画素Ｐを配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅの周囲には、表示に寄与しない周辺回路などが設けられた周辺領域Ｅ１が配置されている。

素子基板１０の１辺に沿ったシール材１４と１辺との間には、データ線駆動回路２２が設けられている。また、１辺に対向する他の１辺に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間には、検査回路２５が設けられている。さらに、１辺と直交し互いに対向する他の２辺に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路２４が設けられている。１辺と対向する他の１辺に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。

対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光膜１８が設けられている。遮光膜１８は、例えば、光反射性を有する金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。遮光膜１８としては、例えば、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）を用いることができる。

これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、１辺に沿って配列した複数の外部接続用端子７０に接続されている。以降、１辺に沿った方向をＸ方向とし、１辺と直交し互いに対向する他の２辺に沿った方向をＹ方向として説明する。また、Ｚ方向から見ることを平面視という。

図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極２７と、スイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、「トランジスター３０」と呼称する）と、データ線（図示せず）と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。

画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜で形成されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、トランジスター３０、第１配向膜２８を含むものである。

対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁層３３と、絶縁層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光膜１８、対向電極３１、第２配向膜３２を含むものである。

遮光膜１８は、図１に示すように表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮光して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮光して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

対向電極３１は、例えば、ＩＴＯなどの透明導電膜からなり、絶縁層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。

画素電極２７を覆う第１配向膜２８および対向電極３１を覆う第２配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。第１配向膜２８及び第２配向膜３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。

このような液晶装置１００は、例えば、透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。なお、反射型の液晶装置に適用するようにしてもよい。

図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。例えば、走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。容量線３ｂはＸ方向またはＹ方向に延在させることができる。

走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの配線により区分された領域に、画素電極２７と、トランジスター３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３ａはトランジスター３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはトランジスター３０のソース領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、トランジスター３０のドレイン領域に電気的に接続されている。

データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１～Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１～ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるトランジスター３０が走査信号ＳＣ１～ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１～Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１～Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。

保持された画像信号Ｄ１～Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に容量膜としての誘電体層を有するものである。

図４に示すように、画素Ｐは、隣り合う画素電極２７と画素電極２７との間に、データ線６ａや走査線３ａが配置されている。本実施形態では、例えば、走査線３ａと重なる位置にトランジスター３０が配置されている。

図５に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０と、を備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、例えば、石英である。素子基板１０は、第１基材１０ａの上に、絶縁層１１及び配線層４１と、画素電極２７と、第１配向膜２８と、を備えている。

絶縁層１１は、例えば、酸化シリコンで構成されており、複数の絶縁層１１を有する。絶縁層１１の一部には、平面視で四角形の枠状に形成された遮光膜４２が配置されている。配線層４１は、走査線３ａと、トランジスター３０と、容量線３ｂと、データ線６ａと、を備えている。

絶縁層１１の上には、画素電極２７が配置されている。画素電極２７の上には、酸化シリコンなどの無機材料を斜方蒸着した第１配向膜２８が設けられている。第１配向膜２８の上には、シール材１４により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が配置されている。

一方、対向基板２０は、第２基材２０ａを備えている。第２基材２０ａは、例えば、石英である。対向基板２０は、第２基材２０ａの上（液晶層１５側）に、絶縁層３３と、対向電極３１と、第２配向膜３２と、を備えている。対向電極３１は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電性膜からなる。第２配向膜３２は、第１配向膜２８と同様に、例えば、酸化シリコンなどの無機材料が斜方蒸着されている。なお、対向基板２０には画素Ｐに対応させてマイクロレンズを設けてもよい。

液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。次に、図６及び図７を参照しながら、トランジスター３０の構成について説明する。

図６及び図７は、トランジスター３０、及びトランジスター３０の周辺の構成を示す図である。図６及び図７に示すように、画素Ｐは、第１基材１０ａの上に、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）などからなる遮光層としても機能する走査線３ａが配置されている。走査線３ａの上には、酸化シリコンなどからなる層間絶縁層１１ａが配置されている。層間絶縁層１１ａの上には、半導体層３０ａが走査線３ａと重なるように第１方向に沿って延在するトランジスター３０が配置されている。

なお、走査線３ａとトランジスター３０との間の層間絶縁層１１ａには、第１方向に沿って延在する側壁１１１ａを有する凹部１１１が形成されている。凹部１１１は、半導体層３０ａに沿って配置されている。具体的には、層間絶縁層１１ａの走査線３ａと重なる第１領域１１ａ１が段差の高い部分である（図６参照）。また、層間絶縁層１１ａの走査線３ａと重なる第２領域１１ａ２が、第１領域１１ａ１より低い部分である（図６参照）。半導体層３０ａは、側壁１１１ａに沿って段差を形成して延在している。

トランジスター３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成された導電性のポリシリコン、金属シリサイド、金属、金属化合物あるいはこれらの積層等を含むゲート電極３０ｇと、を有する。

半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のトランジスター３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、一方のソースドレイン領域としてのドレイン領域３０ｄと、チャネル領域３０ｃとドレイン領域３０ｄとの間に配置された一方のＬＤＤ領域としての第１ＬＤＤ領域３０ｄ１と、他方のソースドレイン領域としてのソース領域３０ｓと、チャネル領域３０ｃとソース領域３０ｓとの間に配置された他方のＬＤＤ領域としての第２ＬＤＤ領域３０ｓ１と、を備えている。

チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。

側壁１１１ａの段差の高さは、例えば、２００ｎｍである。半導体層３０ａを平面視したときの幅は、例えば、２５０ｎｍである。半導体層３０ａの厚みは、例えば、５０ｎｍである。走査線３ａの幅は、例えば、２８００ｎｍである。なお、側壁１１１ａに沿って半導体層３０ａを配置していない従来の構成、すなわち、平坦な層間絶縁層１１ａ上に半導体層３０ａを配置した従来の構成において、半導体層３０ａを平面視したときの幅は、４５０ｎｍ程度であり、走査線３ａの幅は、３０００ｎｍ程度であった。

このように、側壁１１１ａに沿って半導体層３０ａが配置されているので、実質的なチャネル領域３０ｃの幅を狭くすることなく、平面視でチャネル領域３０ｃの幅を狭くすることが可能となる。よって、ＴＦＴ特性が変化することを抑えながら、画素Ｐの高開口率化を実現することができる。

ゲート電極３０ｇは、例えば、２層で構成されている。ゲート電極３０ｇは、層間絶縁層１１ａ側から、導電性を有するポリシリコン膜３０ｇ１と、タングステンシリサイド膜３０ｇ２と、が積層されている。このような積層膜にすることにより、例えば、ゲート電極３０ｇの界面の膜の付きまわり性を向上させたり、遮光性を向上させたりすることができる。

次に、トランジスター３０の製造方法を、図８～図１１を参照しながら説明する。まず、図８に示すように、第１基材１０ａの上に、走査線３ａを形成する。走査線３は、上記したように、例えば、タングステンシリサイドを含む。

次に、図９に示すように、走査線３ａ及び第１基材１０ａの上に、層間絶縁層１１ａを成膜する。その後、層間絶縁層１１ａにエッチング処理を施し、第２領域１１ａ２を含む凹部１１１を形成する。凹部１１１の深さは、層間絶縁層１１ａの厚みの凡そ半分程度であり、例えば、２００ｎｍである。

次に、図１０に示すように、層間絶縁層１１ａにおける凹部１１１の側壁１１１ａに沿って半導体層３０ａを形成する。具体的には、例えば、凹部１１１を含む層間絶縁層１１ａの上に、ポリシリコンなどの膜を成膜し、パターニングすることにより半導体層３０ａを形成する。半導体層３０ａは、一部が層間絶縁層１１ａの上面に沿って形成され、一部が側壁１１１ａに沿って形成され、一部が凹部１１１の底面に沿って形成されている。その後、半導体層３０ａ及び層間絶縁層１１ａの上に、ゲート絶縁層１１ｇを成膜する。

次に、図１１に示すように、ゲート絶縁層１１ｇの上に、ゲート電極３０ｇを形成する前に、ゲート電極３０ｇと走査線３ａとを電気的に接続するための、第１コンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＮＴ１と、第２コンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＮＴ２とを形成する。しかる後に、ゲート電極３０ｇをゲート絶縁層１１ｇ上とコンタクトホールＣＮＴ１およびコンタクトホールＣＮＴ２内に形成する。具体的には、走査線３ａは、コンタクトホールＣＮＴ１を介して、ゲート絶縁層１１ｇの上面に形成されたゲート電極３０ｇと電気的に接続されている。また、走査線３ａは、コンタクトホールＣＮＴ２を介して、層間絶縁層１１ａの凹部１１１の底面に形成されたゲート電極３０ｇと電気的に接続されている。

具体的には、まず、チャネル領域３０ｃを挟むように、ゲート絶縁層１１ｇ及び層間絶縁層１１ａに、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を形成する。その後、層間絶縁層１１ａ及びコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２内にシリコン層としてのポリシリコン膜３０ｇ１を成膜し、ポリシリコン膜３０ｇ１の上に遮光層としてのタングステンシリサイド膜３０ｇ２を成膜する。その後、ポリシリコン膜３０ｇ１及びタングステンシリサイド膜３０ｇ２を、ゲート電極３０ｇの形状にパターニングすることにより、ゲート電極３０ｇが形成される。なお、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２内に形成されたポリシリコン膜３０ｇ１及びタングステンシリサイド膜３０ｇ２に代えて又は加えてタングステンシリサイド等の遮光性材料を埋め込むことも可能である。

図１２に示すように、本実施形態のプロジェクター１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投写レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。なお、液晶ライトバルブ１２１０は、後述する液晶装置２００も適用される。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、プロジェクター１０００の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。

以上述べたように、本実施形態の液晶装置１００は、第１方向に沿って延在し、遮光性を有する走査線３ａと、走査線３ａと重なるように第１方向に沿って延在する半導体層３０ａを有するトランジスター３０と、走査線３ａとトランジスター３０との間に、第１方向に沿って延在する側壁１１１ａを有する凹部１１１を有する層間絶縁層１１ａと、を備え、半導体層３０ａは、側壁１１１ａに沿って延在する。

この構成によれば、側壁１１１ａに沿って半導体層３０ａが延在するので、実質的なチャネル領域３０ｃの幅を狭くすることなく、平面視でチャネル領域３０ｃの幅を狭くすることが可能となる。よって、ＴＦＴ特性が変化することを抑えながら、画素Ｐの高開口率化を実現することができる。

また、トランジスター３０は、ゲート電極３０ｇを有し、ゲート電極３０ｇは、層間絶縁層１１ａの上面および凹部１１１の底面と重なるように設けられ、層間絶縁層１１ａの上面において、層間絶縁層１１ａに設けられたコンタクトホールＣＮＴ１を介して走査線３ａと電気的に接続され、凹部１１１の底面において、層間絶縁層１１ａに設けられたコンタクトホールＣＮＴ２を介して走査線３ａと電気的に接続されている。

この構成によれば、ゲート電極３０ｇに段差を有する場合でも、長さが異なるコンタクトホールＣＮＴ１及びコンタクトホールＣＮＴ２を用いることによって、ゲート電極３０ｇと走査線３ａとを電気的に接続させることができる。

また、ゲート電極３０ｇは、ポリシリコン膜３０ｇ１と、タングステンシリサイド膜３０ｇ２と、を含む。

この構成によれば、上記の２層で構成されているので、ゲート電極３０ｇの界面の膜の付きまわり性を向上させたり、遮光性を向上させたりすることができる。

また、上記に記載の液晶装置１００を備えるので、表示品質を向上させることが可能なプロジェクター１０００を提供することができる。

なお、半導体層３０ａは、一部が層間絶縁層１１ａの上面に沿って設けられ、凹部１１１の底面に沿う領域には設けられていない構成でもよい。具体的には、図１３に示す変形例の液晶装置２００のように、層間絶縁層１１ａの上面１１１ｂから層間絶縁層１１ａの側壁１１１ａに沿って、半導体層３０ａが設けられている。半導体層３０ａの層間絶縁層１１ａの上面１１１ｂに沿って設けられた部分は、上述の実施形態よりも幅広に設けられ、凹部１１１の幅は、上述の実施形態よりも狭くなっている。

この構成によれば、半導体層３０ａが凹部１１１の底面１１１ｃに沿う領域には設けられていないので、例えば、ゲート電位である走査線３ａに半導体層３０ａが近づくことによって発生する、ＴＦＴ特性の変化を抑えることができる。

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…層間絶縁層、１１ａ１…第１領域、１１ａ２…第２領域、１１ｇ…ゲート絶縁層、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８…第１配向膜、２９…配線、３０…トランジスター、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…ドレイン領域、３０ｄ１…第１ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｇ１…シリコン層としてのポリシリコン膜、３０ｇ２…遮光層としてのタングステンシリサイド膜、３０ｓ…ソース領域、３０ｓ１…第２ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３２…第２配向膜、３３…絶縁層、４１…配線層、４２…遮光膜、７０…外部接続用端子、１００，２００…電気光学装置としての液晶装置、１１１…凹部、１１１ａ…側壁、１０００…プロジェクター、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投写レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。

Claims (5)

1. 第１方向に沿って延在し、遮光性を有する走査線と、
   前記走査線と重なるように前記第１方向に沿って延在する半導体層を有するトランジスターと、
   前記走査線と前記トランジスターとの間に、前記第１方向に沿って延在する側壁を有する凹部を有する層間絶縁層と、
   を備え、
   前記半導体層は、前記側壁に沿って延在することを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置であって、
   前記半導体層は、一部が前記層間絶縁層の上面に沿って設けられ、前記凹部の底面に沿う領域には設けられていないことを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
   前記トランジスターは、ゲート電極を有し、
   前記ゲート電極は、前記層間絶縁層の上面および前記凹部の底面と重なるように設けられ、前記層間絶縁層の上面において、前記層間絶縁層に設けられた第１コンタクトホールを介して前記走査線と電気的に接続され、前記凹部の底面において、前記層間絶縁層に設けられた第２コンタクトホールを介して前記走査線と電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項３に記載の電気光学装置であって、
   前記ゲート電極は、シリコン層と、遮光層と、を含むことを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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