JP2021184005A - 電気光学装置、電子機器、電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品質を向上させることが可能な液晶装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】第１基材と、第１基材の上に配置された画素電極２７と、第１基材と画素電極２７との間に配置された配線５２ａ，５２ｂ及び中継電極５１と、配線５２ａ，５２ｂ及び中継電極５１と画素電極２７との間に配置された第７絶縁層４０ｇと、第７絶縁層４０ｇに設けられ、中継電極５１と画素電極２７とを電気的に接続するためのコンタクトホールＣＮＴ７１と、を備え、コンタクトホールＣＮＴ７１を小さくするシュリンク化膜６１ａと、第７絶縁層４０ｇの表面に形成されたボイド７２の埋め込み膜６１ｂとは、同じプロセスで成膜されたＡＬＤ膜である。【選択図】図５

Description

本発明は、電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の製造方法に関する。

電気光学装置として、画素にスイッチング素子を備えたアクティブ駆動型の液晶パネルが知られている。このような液晶パネルは、例えば、電子機器としてのプロジェクターのライトバルブとして用いられる。

液晶パネルは、基板の上に配線と、画素電極と、配線と画素電極とを接続するコンタクトホールと、を備えている。しかし、パネルのシュリンク化、すなわち、表示領域周辺の額縁領域の狭額縁化に伴って、微細化が進むことで、ラインアスペクトが高くなり、配線の上に絶縁層（例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）膜）を形成すると、絶縁層の表面にボイドが発生するという問題がある。そこで、特許文献１には、ボイドが発生しないようにＨＤＰ（高密度プラズマ）−ＣＶＤにより成膜する技術が開示されている。

特開２０１０−２２５８０４号公報

しかしながら、ＨＤＰ−ＣＶＤ膜の成膜は、ＴＥＯＳ膜の成膜よりも成膜にかかる時間が長いため生産性が低下するという課題がある。更に、高精細化に伴って微細化が進むことで、画素電極と中継電極を接続するためのコンタクトホールの大きさが、画素電極の面積に対して相対的に大きくならないように、コンタクトホールの大きさを小さくする必要があるという課題がある。

電気光学装置は、画素電極が配置された表示領域と、前記表示領域の周辺の額縁領域とを備える電気光学装置であって、前記表示領域に配置され、平面視で前記画素電極と重なる中継電極と、前記額縁領域に配置された第１配線と、前記額縁領域に配置され、前記第１配線と隣り合う第２配線と、前記表示領域と前記額縁領域に配置され、平面視で前記画素電極、前記中継電極、前記第１配線および前記第２配線と重なる絶縁層とを有し、前記絶縁層は、平面視で前記画素電極と前記中継電極と重なる位置に配置されたコンタクトホールと、平面視で前記第１配線と前記第２配線との間の位置に配置され、前記第１配線及び前記第２配線とは反対側の面に開口を有するボイドと、前記コンタクトホールと前記ボイドの中に配置されたＡＬＤ膜とを有する。

電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備える。

電気光学装置の製造方法は、基板の上に第１配線、前記第１配線と隣り合う第２配線、及び中継電極を形成する工程と、前記第１配線、前記第２配線及び前記中継電極の上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に、前記中継電極を露出するコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールの側壁と、前記絶縁層の表面に開口を有するボイドの側壁を含む部分にＡＬＤ膜を成膜する工程と、前記コンタクトホールの側壁に成膜された前記ＡＬＤ膜、及び前記ボイドの中を埋める前記ＡＬＤ膜を残して、それ以外の前記ＡＬＤ膜をエッチング処理によって除去する工程と、前記コンタクトホールを埋めて前記中継電極と電気的に接続する画素電極を形成する工程と、を有する。

本実施形態の液晶装置の構成を示す平面図。 図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置の具体的な構造を示す断面図。 液晶装置の一部分の構成を示す断面図。 液晶装置の製造方法を示すフローチャート。 液晶装置の製造方法の一部を示す断面図。 液晶装置の製造方法の一部を示す断面図。 液晶装置の製造方法の一部を示す断面図。 液晶装置の製造方法の一部を示す断面図。 液晶装置の製造方法の一部を示す断面図。 電子機器としてのプロジェクターの構成を示す模式図。 アスペクト比とボイドが発生する位置との関係を示す図。 アスペクト比とボイドが発生する位置との関係を示す図。 アスペクト比とボイドが発生する位置との関係を示す図。 アスペクト比とボイドが発生する位置との関係を示す図。 アスペクト比とボイドが発生する位置との関係を示す図。 アスペクト比とボイドが発生する位置との関係を示す図。

図１及び図２に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された電気光学層としての液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する基板としての第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス又は石英などである。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。

シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、例えば、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサーが混入されている。

シール材１４の内側には、表示に寄与する複数の画素Ｐを配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅの周囲には、表示に寄与しない周辺回路などが設けられた非表示領域である額縁領域Ｅ１が配置されている。

素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と１辺部との間には、データ線駆動回路２２が設けられている。また、１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間には、検査回路２５が設けられている。さらに、１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路２４が設けられている。１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。

対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光膜１８が設けられている。遮光膜１８は、例えば、光反射性を有する金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。遮光膜１８としては、例えば、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）を用いることができる。

これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子７０に接続されている。以降、１辺部に沿った方向をＸ方向とし、１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。また、Ｚ方向から見ることを平面視という。

図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光反射性を有する画素電極２７と、スイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、「トランジスター３０」と呼称する）と、データ線（図示せず）と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。

画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜で形成されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、トランジスター３０、第１配向膜２８を含むものである。

対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁層３３と、絶縁層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光膜１８、対向電極３１、第２配向膜３２を含むものである。

遮光膜１８は、図１に示すように表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮光して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮光して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

対向電極３１は、例えば、ＩＴＯなどの透明導電膜からなり、絶縁層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。

画素電極２７を覆う第１配向膜２８および対向電極３１を覆う第２配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。第１配向膜２８及び第２配向膜３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。

このような液晶装置１００は、透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。

図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。例えば、走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。

走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、トランジスター３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３ａはトランジスター３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはトランジスター３０のソース領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、トランジスター３０のドレイン領域に電気的に接続されている。

データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるトランジスター３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。

保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に容量膜としての誘電体層を有するものである。

図４に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０と、を備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、例えば、石英である。素子基板１０は、第１基材１０ａの上に、絶縁層４０及び配線層４１と、画素電極２７と、第１配向膜２８と、を備えている。

絶縁層４０は、例えば、酸化シリコンで構成されており、第１絶縁層４０ａと、第２絶縁層４０ｂと、第３絶縁層４０ｃと、第４絶縁層４０ｄと、第５絶縁層４０ｅと、第６絶縁層４０ｆと、絶縁層としての第７絶縁層４０ｇと、を有する。第１絶縁層４０ａと第２絶縁層４０ｂとの間には、平面視で四角形の枠状に形成された遮光膜４２が配置されている。配線層４１は、遮光膜４３と、トランジスター３０と、走査線３ａと、容量線３ｂと、データ線６ａと、を備えている。

絶縁層４０の上には、画素電極２７が配置されている。画素電極２７の上には、酸化シリコンなどの無機材料を斜方蒸着した第１配向膜２８が設けられている。第１配向膜２８の上には、シール材１４により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が配置されている。

一方、対向基板２０は、第２基材２０ａを備えている。第２基材２０ａは、例えば、石英である。対向基板２０は、第２基材２０ａの上（液晶層１５側）に、絶縁層３３と、対向電極３１と、第２配向膜３２と、を備えている。対向電極３１は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電性膜からなる。第２配向膜３２は、第１配向膜２８と同様に、例えば、酸化シリコンなどの無機材料が斜方蒸着されている。

液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。後述するプロジェクター１０００の光Ｌは、素子基板１０側から入射する。

図５に示す液晶装置１００は、第６絶縁層４０ｆから画素電極２７までの構造を示す断面図である。第６絶縁層４０ｆの上には、中継電極５１と、第１配線としての配線５２ａと、配線５２ａに隣り合う第２配線としての配線５２ｂと、が配置されている。中継電極５１は、平面視で、少なくともその一部が、画素電極２７と重なっている。中継電極５１、配線５２ａ，５２ｂ、第６絶縁層４０ｆの上には、第７絶縁層４０ｇが配置されている。第７絶縁層４０ｇの上には、画素電極２７が配置されている。なお、第７絶縁層４０ｇには、中継電極５１と画素電極２７と平面視が重なる位置に、第７絶縁層４０ｇを貫いて、中継電極５１と画素電極２７とを電気的に接続するためのコンタクトホールＣＮＴ７１が配置されている。

コンタクトホールＣＮＴ７１の内側の側壁には、コンタクトホールＣＮＴ７１の開口径を小さくする、所謂、シュリンク化をするためのシュリンク化膜６１ａが設けられている。また、第７絶縁層４０ｇの表面には、下層の配線５２ａ及び配線５２ｂの隙間ｓの段差に起因して、平面視で、配線５２ａと配線５２ｂとの間の隙間ｓに沿って、第６絶縁層４０ｆとは反対側、または、配線５２ａおよび配線５２ｂとは反対側の面ｃ側が開口したボイド７２が形成されてしまう。そして、本実施形態では、ボイド７２の中に、埋め込み膜６１ｂが、ボイド７２の内側を充填するように設けられている。なお、ボイド７２は、平面視で、隙間ｓと重なる位置に、面ｃ側に開口を有する溝、または、孔である。また、ボイド７２は、基板の割れの起点となるため、ボイド７２の内部は、完全に埋めてしまうことが好ましい。

シュリンク化膜６１ａ及び埋め込み膜６１ｂは、例えば、ＡＬＤ（原子層堆積）法を用いて成膜されたＡＬＤ膜６１（図９参照）である。ＡＬＤ膜６１は、酸化膜である。なお、シュリンク化膜６１ａ及び埋め込み膜６１ｂは、同じプロセスで成膜されたＡＬＤ膜６１である。また、第６絶縁層４０ｆ及び第７絶縁層４０ｇは、例えば、ＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）膜である。

なお、コンタクトホールＣＮＴ７１は、例えば、表示領域Ｅに配置されている。ボイド７２は、例えば、表示領域Ｅの周辺領域、即ち、非表示領域である額縁領域Ｅ１に配置されている。なお、コンタクトホールＣＮＴ７１及びボイド７２の位置は、上記に限定されず、表示領域Ｅのみに配置されていてもよいし、額縁領域Ｅ１のみに配置されていてもよい。

次に、図６〜図１１を参照しながら、液晶装置１００の製造方法を説明する。まず、図６に示すように、ステップＳ１１では、配線５２ａ，５２ｂを形成する。具体的には、図７に示すように、第６絶縁層４０ｆの上に、配線５２ａ、配線５２ｂ、及び中継電極５１をパターニングして形成する。隣り合う配線５２ａと配線５２ｂとの間の隙間ｓの幅ｗと配線５２ａ，５２ｂの高さｈのアスペクト比（Aspect Ratio,ＡＲ=ｈ/ｗ)は、例えば、０．４７以上となっている。

ステップＳ１２では、配線５２ａ，５２ｂ、中継電極５１、第６絶縁層４０ｆの上に、第７絶縁層４０ｇを成膜する。第７絶縁層４０ｇの厚みは、１．５μｍ以下である。具体的には、０．５μｍ〜１．５μｍである。また、第７絶縁層４０ｇは、上記したように、ＴＥＯＳ膜である。図７に示すように、第７絶縁層４０ｇの表面には、例えば、下層の配線５２ａ，５２ｂの隙間ｓの段差に起因してボイド７２が形成されている。

図１３Ａ〜図１３Ｆは、隣り合う配線５２ａと配線５２ｂとの間の隙間ｓの幅ｗと配線５２ａ，５２ｂの高さｈのアスペクト比とボイド７２が発生する位置との関係を模式的に示した図である。図１３Ａ〜図１３Ｆにおいて、ボイド７２が発生する位置を点線で示した。また、Ｔは、第７絶縁層４０ｇの膜厚である。

図１３Ａはアスペクト比が０．９５の場合、図１３Ｂはアスペクト比が０．７９の場合、図１３Ｃはアスペクト比が０．５８の場合、図１３Ｄはアスペクト比が０．４８の場合、図１３Ｅはアスペクト比が０．４７の場合、図１３Ｆはアスペクト比が０．３４の場合のボイド７２の発生位置を示している。図１３Ａ-Ｆに示されているように、アスペクト比によって、ボイド７２が発生する位置が変わることが分かっている。

具体的には、アスペクト比が大きくなるほど、ボイド７２の発生する位置は、隙間ｓに近づき、反対に、アスペクト比が小さくなるほど、ボイドの発生する位置は、隙間ｓの上方で、より間隔ｓから離れた位置に発生する。したがって、例えば、第７絶縁層４０ｇの膜厚が、１．５μｍの場合、アスペクト比が０．４８以上の場合は、第７絶縁層４０ｇ中にボイド７２が発生するが、アスペクト比が０．４７以下の場合は、第７絶縁層４０ｇ中にボイドが発生しない。

そして、狭額縁化が必要なパネルでは、アスペクト比は大きくなる傾向になる。また、このようなパネルでは、コンタクトホールＣＮＴ７１が形成される第７絶縁層４０ｇの膜厚は、通常、１．５μｍ以下に形成される。したがって、第７絶縁層４０ｇの膜厚が、１．５μｍ以下である場合、隣り合う配線５２ａと配線５２ｂとの間の隙間ｓの幅ｗと配線５２ａ，５２ｂの高さｈのアスペクト比が０．４８以上である場合に、第７絶縁層４０ｇに、第７絶縁層４０ｇの面ｃ側が開口したボイド７２が発生する可能性が高くなる。

本実施形態によれば、狭額縁化されたパネルのように、第７絶縁層４０ｇに、第７絶縁層４０ｇの面ｃ側に開口を有するボイドが発生しやすい構造を有するパネルにおいて、特に、適した実施形態とすることができる。

ステップＳ１３では、コンタクトホールＣＮＴ７１を形成する。具体的には、図８に示すように、第７絶縁層４０ｇにおける中継電極５１と重なる位置にコンタクトホールＣＮＴ７１を形成する。

ステップＳ１４では、ＡＬＤ膜６１を成膜する。具体的には、図９に示すように、コンタクトホールＣＮＴ７１の形成に伴って露出するコンタクトホールＣＮＴ７１の側壁、中継電極５１の表面、及び第７絶縁層４０ｇの表面に、ＡＬＤ膜６１を成膜する。ＡＬＤ膜６１は、膜の付き周り性が良好なため、コンタクトホールＣＮＴ７１の側壁にも確実に成膜することができる。ＡＬＤ膜６１の厚みは、例えば、１００ｎｍである。これにより、ボイド７２の側壁および中にＡＬＤ膜６１が埋め込まれる。

ステップＳ１５では、エッチング処理を施す。具体的には、図１０に示すように、コンタクトホールＣＮＴ７１の側壁に成膜されたＡＬＤ膜６１、及びボイド７２の中のＡＬＤ膜６１を残して、それ以外のＡＬＤ膜６１をエッチング処理によって除去する。エッチング処理は、例えば、ドライエッチングである。これにより、コンタクトホールＣＮＴ７１の側壁には、ＡＬＤ膜６１であるシュリンク化膜６１ａが形成される。また、ボイド７２の中には、ＡＬＤ膜６１である埋め込み膜６１ｂが形成される。

ステップＳ１６では、画素電極２７を形成する。具体的には、図１１に示すように、例えば、ＩＴＯ膜をコンタクトホールＣＮＴ７１の中に埋め込むとともに、第７絶縁層４０ｇの上に画素電極２７の形状にパターニングする。これにより、コンタクトホールＣＮＴ７１を介して中継電極５１と電気的に接続された画素電極２７が形成される。

図１２に示すように、本実施形態のプロジェクター１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投写レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、プロジェクター１０００の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。

以上述べたように、本実施形態の液晶装置１００は、第１基材１０ａと、第１基材１０ａの上に配置された画素電極２７と、第１基材１０ａと画素電極２７との間に配置された配線５２ａ，５２ｂ及び中継電極５１と、配線５２ａ，５２ｂ及び中継電極５１と画素電極２７との間に配置された第７絶縁層４０ｇと、第７絶縁層４０ｇに設けられ、中継電極５１と画素電極２７とを電気的に接続するためのコンタクトホールＣＮＴ７１と、を備え、コンタクトホールＣＮＴ７１の側壁に形成されて、コンタクトホールの開口径を小さくするシュリンク化膜６１ａと、第７絶縁層４０ｇの表面に形成されたボイド７２を充填する埋め込み膜６１ｂとは、同じプロセスで成膜されたＡＬＤ膜６１である。

この構成によれば、シュリンク化膜６１ａと埋め込み膜６１ｂとが同じＡＬＤ（原子層堆積）膜６１で成膜されているので、例えば、ボイド７２の発生を抑制するために高密度プラズマＣＶＤ膜で成膜する場合と比較して、速く成膜することが可能となり、生産性を向上させることができる。更に、ＡＬＤ膜６１で成膜することにより、コンタクトホールＣＮＴ７１の側壁にも膜の付き周りが良好であり、コンタクトホールＣＮＴ７１のシュリンク化が可能となる。その結果、高精細化を実現することができる。

また、ＡＬＤ膜６１は、酸化膜であるので、生産性を向上させながら絶縁性を確保することが可能となり、更にシュリンク化を実現することができる。

また、第７絶縁層４０ｇは、ＴＥＯＳ膜であるので、例えば、ＨＤＰ−ＣＶＤ膜を用いた場合のように生産性が低下することを抑えることができる。

第７絶縁層４０ｇは、厚みが１．５μｍ以下であり、配線５２ａと隣り合う配線５２ｂの隙間ｓのアスペクト比は、０．４８以上である。

この構成によれば、上記の条件において、第７絶縁層４０ｇの表面に形成されたボイド７２を埋めることが可能となり、ボイド７２の部分からクラックが発生することを抑えることができる。

また、上記に記載の液晶装置１００を備えるので、表示品質を向上させることが可能なプロジェクター１０００を提供することができる。

液晶装置１００の製造方法は、第１基材１０ａの上に配線５２ａ，５２ｂ及び中継電極５１を形成する工程と、配線５２ａ，５２ｂ及び中継電極５１の上に第７絶縁層４０ｇを形成する工程と、中継電極５１と重なる第７絶縁層４０ｇの部分にコンタクトホールＣＮＴ７１を形成する工程と、コンタクトホールＣＮＴ７１によって露出する表面と、第７絶縁層４０ｇの表面に形成されたボイド７２と、を含む部分にＡＬＤ膜６１を成膜する工程と、コンタクトホールＣＮＴ７１の側壁に成膜されたＡＬＤ膜６１、及びボイド７２の側壁および中のＡＬＤ膜６１を残して、それ以外のＡＬＤ膜６１をエッチング処理によって除去する工程と、コンタクトホールＣＮＴ７１を埋めて中継電極５１と電気的に接続する画素電極２７を形成する工程と、を有する。

この構成によれば、エッチング処理によって、コンタクトホールＣＮＴ７１の側壁とボイド７２にＡＬＤ膜６１を残すので、例えば、ボイド７２を埋め込むためにＨＤＰ−ＣＶＤ膜で成膜する方法と比較して、速く成膜することが可能となり、生産性を向上させることができる。更に、ＡＬＤ膜６１で成膜することにより、コンタクトホールＣＮＴ７１のシュリンク化が可能となる。その結果、高精細化を実現することができる。

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…基板としての第１基材、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８…第１配向膜、２９…配線、３０…トランジスター、３１…対向電極、３２…第２配向膜、３３…絶縁層、４０…絶縁層、４０ａ…第１絶縁層、４０ｂ…第２絶縁層、４０ｃ…第３絶縁層、４０ｄ…第４絶縁層、４０ｅ…第５絶縁層、４０ｆ…第６絶縁層、４０ｇ…絶縁層としての第７絶縁層、４１…配線層、４２…遮光膜、４３…遮光膜、５１…中継電極、５２ａ…配線、５２ｂ…配線、６１…ＡＬＤ膜、６１ａ…シュリンク化膜、６１ｂ…埋め込み膜、７０…外部接続用端子、７２…ボイド、１００…電気光学装置としての液晶装置、１０００…プロジェクター、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４…ダイクロイックミラー、１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６…反射ミラー、１１０７…反射ミラー、１１０８…反射ミラー、１２０１…リレーレンズ、１２０２…リレーレンズ、１２０３…リレーレンズ、１２０４…リレーレンズ、１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投写レンズ、１２１０…液晶ライトバルブ、１２２０…液晶ライトバルブ、１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。

Claims (7)

1. 画素電極が配置された表示領域と、前記表示領域の周辺の額縁領域とを備える電気光学装置であって、
   前記表示領域に配置され、平面視で前記画素電極と重なる中継電極と、
   前記額縁領域に配置された第１配線と、
   前記額縁領域に配置され、前記第１配線と隣り合う第２配線と、
   前記表示領域と前記額縁領域に配置され、平面視で前記画素電極、前記中継電極、前記第１配線および前記第２配線と重なる絶縁層とを有し、
   前記絶縁層は、
   平面視で前記画素電極と前記中継電極と重なる位置に配置されたコンタクトホールと、
   平面視で前記第１配線と前記第２配線との間の位置に配置され、前記第１配線及び前記第２配線とは反対側の面に開口を有するボイドと、
   前記コンタクトホールと前記ボイドの中に配置されたＡＬＤ膜とを有することを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置であって、
   前記ＡＬＤ膜は、酸化膜であることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
   前記絶縁層は、ＴＥＯＳ膜であることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記絶縁層は、厚みが１．５μｍ以下であり、
   前記配線の高さｈと隣り合う前記配線の隙間の幅ｗのアスペクト比ｈ／ｗは、０．４８以上であることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記ＡＬＤ膜は、
   前記コンタクトホールにおいて、前記コンタクトホールの側壁に配置され、
   前記ボイドにおいて、前記ボイドの中を充填するように配置されており、
   配置された前記各ＡＬＤ膜は、同じＡＬＤ膜であることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
7. 基板の上に第１配線、前記第１配線と隣り合う第２配線、及び中継電極を形成する工程と、
   前記第１配線、前記第２配線及び前記中継電極の上に絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層に、前記中継電極を露出するコンタクトホールを形成する工程と、
   前記コンタクトホールの側壁と、前記絶縁層の表面に開口を有するボイドの側壁を含む部分にＡＬＤ膜を成膜する工程と、
   前記コンタクトホールの側壁に成膜された前記ＡＬＤ膜、及び前記ボイドの中を埋める前記ＡＬＤ膜を残して、それ以外の前記ＡＬＤ膜をエッチング処理によって除去する工程と、
   前記コンタクトホールを埋めて前記中継電極と電気的に接続する画素電極を形成する工程と、
   を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。

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