JP2017181709A - 大型基板、及び大型基板の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】表示品質を向上させることが可能な大型基板、及び大型基板の製造方法を提供する。【解決手段】第１大型基板５０１と第２大型基板５０２との間に配置されたシール材１４と、シール材１４で囲まれた中に配置された液晶層１５と、を備え、シール材１４は、第１大型基板５０１及び第２大型基板５０２の中央の領域における素子基板１０と対向基板２０との間に配置された第１シール材１４ａと、第１大型基板５０１及び第２大型基板５０２の外側の領域における素子基板１０と対向基板２０との間に配置された第２シール材１４ｂと、を少なくとも有し、中央の領域及び外側の領域における素子基板１０及び対向基板２０の表示領域のセルギャップを一定としたとき、第１シール材１４ａが設けられる領域のギャップ量Ａ１と、第２シール材１４ｂが設けられる領域のうち少なくとも一部の領域のギャップ量Ａ２とが異なる。【選択図】図９

Description

本発明は、大型基板、及び大型基板の製造方法に関する。
上記大型基板は、例えば、図２３に示すように、複数の素子基板が面付けされた第１大型基板５０１と、複数の対向基板が面付けされた第２大型基板５０２とが、シール材１４を介して貼り合わされている。更に、大型基板５００は、第１大型基板５０１と第２大型基板５０２との間のシール材１４で囲まれた中に液晶１５ａが封入されている。
大型基板５００の製造方法は、第１大型基板５０１にシール材１４を塗布し、シール材１４の枠内に液晶１５ａを滴下し、第２大型基板５０２を重ね合せて液晶１５ａを封止することにより形成する（いわゆるＯＤＦ（One Drop Fill）方式）。更に、この大型基板５００をチップサイズに切断することにより、例えば、特許文献１に記載のような、液晶装置１００を複数形成することができる。
特開２０１５−１３８１６７号公報
しかしながら、大型基板５００の第１領域（中央領域）と第２領域（外側領域）とにおいてシール材１４の密度（チップの数や液晶１５ａの充填の有無など）の違いなどから、図２３に示すように、シール材１４の潰れ方にばらつきが生じ、第１領域と第２領域とのギャップ形状がばらつくという問題がある。具体的には、第１領域はシール材１４の密度が高いためシール材１４が潰れにくく、第２領域はシール材１４の密度が低いためシール材１４が潰れやすい。これにより、大型基板５００を切断した後の液晶装置１００（チップ）を用いた際、表示品質（透過率や表示ムラなど）が低下するという課題がある。
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
［適用例１］本適用例に係る大型基板は、複数の第１基板を備える第１大型基板と、
複数の第２基板を備える第２大型基板と、対向配置された前記第１大型基板と前記第２大型基板との間に配置されたシール材と、前記シール材で囲まれた中に配置された液晶層と、を備え、任意の領域における、前記第１基板及び前記第２基板において表示領域のギャップ量と前記シール材が設けられる領域のギャップ量とが異なることを特徴とする。
本適用例によれば、任意の領域のみの第１基板及び第２基板（言い換えればチップ）の表示領域のギャップ量とシール材が設けられる領域のギャップ量を異ならせるので、第１大型基板と第２大型基板とを貼り合せた際に、シール材の密度差や液晶層の有無などに起因してシール材の潰れ方が異なる場合でも、表示領域におけるセルギャップ（ギャップ形状）がばらつくことを抑えることができる。
［適用例２］上記適用例に係る大型基板において、前記第１大型基板及び前記第２大型基板の全体に亘って表示領域のギャップ量と前記シール材が設けられる領域のギャップ量とが異なっており、前記任意の領域における前記シール材が設けられる領域のギャップ量が、前記任意の領域以外の領域における前記シール材が設けられる領域のギャップ量と異なることが好ましい。
本適用例によれば、任意の領域とその他の領域において、第１基板及び第２基板（言い換えればチップ）のシール材が設けられる領域のギャップ量を異ならせるので、第１大型基板と第２大型基板とを貼り合せた際に、シール材の密度差や液晶層の有無などに起因してシール材の潰れ方が異なる場合でも、表示領域におけるセルギャップ（ギャップ形状）がばらつくことを抑えることができる。
［適用例３］本適用例に係る大型基板は、複数の第１基板を備える第１大型基板と、複数の第２基板を備える第２大型基板と、対向配置された前記第１大型基板と前記第２大型基板との間に配置されたシール材と、前記シール材で囲まれた中に配置された液晶層と、を備え、前記シール材は、前記第１大型基板及び前記第２大型基板の中央の領域における前記第１基板と前記第２基板との間に配置された第１シール材と、前記第１大型基板及び前記第２大型基板の外側の領域における前記第１基板と前記第２基板との間に配置された第２シール材と、を少なくとも有し、前記中央の領域及び前記外側の領域における前記第１基板及び前記第２基板の表示領域のセルギャップを一定としたとき、前記第１シール材が設けられる領域のギャップ量と、前記第２シール材が設けられる領域のうち少なくとも一部の領域のギャップ量とが、異なることを特徴とする。
本適用例によれば、大型基板の中央の領域と外側の領域とにおいてシール材（第１シール材、第２シール材）のギャップ量を異ならせるので、第１大型基板と第２大型基板とを貼り合せた際に、シール材の密度差や液晶層の有無などに起因してシール材の潰れ方が異なる場合でも、中央の領域の液晶装置と外側の領域の液晶装置の表示領域におけるセルギャップ（ギャップ形状）がばらつくことを抑えることができる。
［適用例４］上記適用例に係る大型基板において、前記ギャップ量は、前記第１基板及び前記第２基板のうち少なくとも一方に段差を設けることにより形成することが好ましい。
本適用例によれば、基板（第１基板、第２基板）のシール材が配置される領域に段差を設けてギャップ量を異ならせるので、比較的容易にギャップ量を異ならせることができる。
［適用例５］上記適用例に係る大型基板において、前記段差は、前記第１シール材が配置された領域に設けられた第１段差と、前記第２シール材が配置された領域に設けられた第２段差と、を有し、前記第２段差と比較して前記第１段差は、段差の量が大きいことが好ましい。
本適用例によれば、第２段差より第１段差の段差量が大きいので、例えば、シール材の密度差や液晶層の有無などに起因して、第２シール材より第１シール材の方が潰れにくい場合でも、中央の領域の液晶装置のセルギャップと、外側の領域の液晶装置のセルギャップとのばらつきを抑えることができる。
［適用例６］上記適用例に係る大型基板において、前記段差は、前記第１シール材が配置された領域に設けられた第１段差と、前記第２シール材が配置された領域に設けられた第２段差と、を有し、前記第２段差と比較して前記第１段差は、段差の量が小さいことが好ましい。
本適用例によれば、第２段差より第１段差の段差量が小さいので、例えば、シール材の密度差や液晶層の有無などに起因して、第２シール材より第１シール材の方が潰れにくい場合でも、中央の領域の液晶装置のセルギャップと、外側の領域の液晶装置のセルギャップとのばらつきを抑えることができる。
［適用例７］上記適用例に係る大型基板において、前記第１大型基板及び前記第２大型基板は、前記第１シール材及び前記第２シール材が設けられるシール領域と、前記シール領域で囲まれた表示領域と、を有し、前記表示領域の絶縁層の膜厚に対して前記シール領域の絶縁層の膜厚が薄いことが好ましい。
本適用例によれば、シール領域の絶縁層の膜厚を薄くしてギャップ量を調整するので、比較的セルギャップ量を小さくすることができる。更に、表示領域を薄く形成する場合と比較して、表示領域にダメージが加わることを抑えることが可能となり、表示品質が低下することを抑えることができる。
［適用例８］上記適用例に係る大型基板において、前記第１大型基板及び前記第２大型基板は、前記第１シール材及び前記第２シール材が設けられるシール領域と、前記シール領域で囲まれた表示領域と、を有し、前記シール領域の絶縁層の膜厚に対して前記表示領域の絶縁層の膜厚が薄いことが好ましい。
本適用例によれば、表示領域の絶縁層の膜厚を薄くしてギャップ量を調整するので、表示領域の絶縁層の膜厚を含む基板の厚みを薄くすることが可能となる。よって、表示領域における透過率を向上させることができる。
［適用例９］上記適用例に係る大型基板において、前記第１大型基板及び前記第２大型基板は、前記第１シール材及び前記第２シール材が設けられるシール領域と、前記シール領域で囲まれた表示領域と、を有し、前記表示領域の絶縁層の膜厚に対して、少なくとも前記第１シール材が設けられる第１シール領域の絶縁層の膜厚が薄いことが好ましい。
本適用例によれば、少なくとも中央の領域の第１シール領域の絶縁層の膜厚が薄ければよく、例えば、外側の領域に段差がなくてもよい。これによれば、中央の領域に段差を形成するだけでよく、かかるコストを抑えることができる。また、段差を形成する領域が少なくて済み、ギャップ量にばらつきが生じることを抑えることができる。
［適用例１０］上記適用例に係る大型基板において、前記第１大型基板及び前記第２大型基板は、前記中央の領域から前記外側の領域に向かって段差の量が徐々に変わっていることが好ましい。
本適用例によれば、徐々に段差の量を変えていくので、大型基板の変形に倣って段差を変えることが可能となり、大型基板の全体に亘ってセルギャップを均一にすることができる。
［適用例１１］本適用例に係る大型基板の製造方法は、複数の第１基板を備える第１大型基板にシール材を塗布する工程と、前記シール材で囲まれた領域に液晶を滴下する工程と、前記第１大型基板と、複数の第２基板を備える第２大型基板と、を貼り合せる工程と、を有し、前記シール材を塗布する工程の前に、前記第１基板及び前記第２基板のうち少なくとも一方に段差を形成する工程を有することを特徴とする。
本適用例によれば、大型基板に段差を形成してギャップ量を異ならせるので、第１大型基板と第２大型基板とを貼り合せた際に、シール材の密度差や液晶層の有無などに起因してシール材の潰れ方が異なる場合でも、液晶装置の表示領域におけるセルギャップ（ギャップ形状）がばらつくことを抑えることができる。
［適用例１２］本適用例に係る大型基板の製造方法は、複数の第１基板を備える第１大型基板の中央の領域に第１シール材を塗布する工程と、前記第１大型基板の外側の領域に第２シール材を塗布する工程と、前記第１シール材及び前記第２シール材で囲まれた領域に液晶を滴下する工程と、前記第１大型基板と、複数の第２基板を備える第２大型基板と、を貼り合せる工程と、を有し、前記第１シール材を塗布する工程の前に、前記第１基板及び前記第２基板の表示領域のセルギャップが一定である場合、前記第１シール材を塗布する領域のギャップ量と、前記第２シール材を塗布する領域のうち少なくとも一部の領域のギャップ量と、が異なるように、前記第１基板及び前記第２基板のうち少なくとも一方に段差を形成する工程を有することを特徴とする。
本適用例によれば、大型基板の中央の領域と外側の領域とにおいてシール材（第１シール材、第２シール材）のギャップ量を異ならせるので、第１大型基板と第２大型基板とを貼り合せた際に、シール材の密度差や液晶層の有無などに起因してシール材の潰れ方が異なる場合でも、中央の領域の液晶装置と外側の領域の液晶装置の表示領域におけるセルギャップ（ギャップ形状）がばらつくことを抑えることができる。
［適用例１３］上記適用例に係る大型基板の製造方法において、前記段差を形成する工程は、前記第１基板及び前記第２基板のうち少なくとも一方の基板における、前記第１シール材及び前記第２シール材が塗布される領域の一部を除去することにより前記段差を形成することが好ましい。
本適用例によれば、シール領域の絶縁層の膜厚を薄くしてギャップ量を調整するので、比較的セルギャップ量を小さくすることができる。更に、表示領域を薄く形成する場合と比較して、表示領域にダメージが加わることを抑えることが可能となり、表示品質が低下することを抑えることができる。
［適用例１４］上記適用例に係る大型基板の製造方法において、前記段差を形成する工程は、前記第１基板及び前記第２基板のうち少なくとも一方の基板における、前記表示領域の一部を除去することにより前記段差を形成することが好ましい。
本適用例によれば、表示領域の絶縁層の膜厚を薄くしてギャップ量を調整するので、表示領域の絶縁層の膜厚を含む基板の厚みを薄くすることが可能となる。よって、表示領域における透過率を向上させることができる。
複数の液晶装置を備える大型基板の構成を示す斜視図。 図１に示す大型基板を上方から見た概略平面図。 図１及び図２に示す大型基板のＡ部を拡大して示す拡大平面図。 液晶装置の構成を示す模式平面図。 図４に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図。 液晶装置におけるシール材周辺の構造を具体的に説明する概略断面図。 図２に示す大型基板のＣ−Ｃ’線に沿う模式断面図。 大型基板（液晶装置）の製造方法を工程順に示すフローチャート。 大型基板の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。 大型基板の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。 大型基板の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。 大型基板の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。 大型基板の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。 大型基板の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。 大型基板の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。 大型基板の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。 電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図。 第２実施形態における、図２に示す大型基板のＣ−Ｃ’線に沿う模式断面図。 第３実施形態における、図２に示す大型基板のＣ−Ｃ’線に沿う模式断面図。 変形例における大型基板を上方から見た概略平面図。 従来の大型基板の構造を示す概略断面図。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
本実施形態では、薄膜トランジスターを画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投写型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
（第１実施形態）
＜大型基板の構成＞
図１は、複数の液晶装置を備える大型基板の構成を示す斜視図である。図２は、図１に示す大型基板を上方から見た概略平面図である。図３は、図１及び図２に示す大型基板のＡ部を拡大して示す拡大平面図である。以下、大型基板の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
図１及び図２に示すように、大型基板５００は、第１大型基板５０１と第２大型基板５０２とがシール材１４を介して貼り合わされている。シール材１４で囲まれた領域には、液晶層１５が配置されている。大型基板５００には、複数の液晶装置１００が互いの基板にマトリクス状に面付けされている。
第１大型基板５０１及び第２大型基板５０２の大きさは、例えば、８インチである。第１大型基板５０１及び第２大型基板５０２のそれぞれの厚みは、例えば、１．２ｍｍである。第１大型基板５０１及び第２大型基板５０２の材質は、例えば、石英である。
図３に示すように、各液晶装置１００には、表示領域Ｅの周辺に、データ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４、及び外部接続用端子部６１が形成されている。データ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４と外部接続用端子部６１とは、互いに配線２９によって、電気的に接続されている。
＜液晶装置の構成＞
図４は、大型基板を切断することによりできる液晶装置の構成を示す模式平面図である。図５は、図４に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図６は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図４〜図６を参照しながら説明する。
図４及び図５に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された第１基板としての素子基板１０及び第２基板としての対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。
シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４の内側には、表示に寄与する複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、光反射性を有する金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。遮光膜１８としては、例えば、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）を用いることができる。
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子部６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
図５に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、「トランジスター３０」と呼称する）と、信号配線（図示せず）と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。
また、トランジスター３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造（図示せず）が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、トランジスター３０、第１配向膜２８を含むものである。
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁層３３と、絶縁層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光膜１８、対向電極３１、第２配向膜３２を含むものである。
遮光膜１８は、図４に示すように表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁層３３を覆うと共に、図４に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。
画素電極２７を覆う第１配向膜２８および対向電極３１を覆う第２配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。第１配向膜２８及び第２配向膜３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
図６に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。例えば、走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、トランジスター３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
走査線３ａはトランジスター３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはトランジスター３０のデータ線側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、トランジスター３０の画素電極側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図４参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図４参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
液晶装置１００は、スイッチング素子であるトランジスター３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、トランジスター３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
＜液晶装置を構成する画素の構成＞
次に、画素の構成について、図７を参照して説明する。図７は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。なお、図７は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
図７に示すように、液晶装置１００の画素Ｐは、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、例えば、石英基板である。
図７に示すように、第１基材１０ａ上には、例えば、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）などからなる遮光層３ｃが配置されている。遮光層３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Ｐの開口領域を規定している。遮光層３ｃの上には、酸化シリコンなどからなる第１絶縁層１１ａが形成されている。
第１絶縁層１１ａ上には、トランジスター３０及び走査線３ａ等が形成されている。トランジスター３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のトランジスター３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、トランジスター３０は、Ｎ型のトランジスターとして形成されている。
ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇ上には、酸化シリコン等からなる第２絶縁層１１ｂが形成されている。第２絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、トランジスター３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
誘電体膜１６ｃは、例えば、シリコン窒化膜である。第２容量電極１６ｂ（容量線３ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４を介して、画素電極２７とトランジスター３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
容量素子１６上には、第３絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、ゲート絶縁層１１ｇ、第２絶縁層１１ｂ、誘電体膜１６ｃ、及び第３絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ２を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓに電気的に接続されている。
データ線６ａの上層には、第４層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。第４層間絶縁層１１ｄは、例えば、シリコンの酸化物や窒化物からなり、トランジスター３０が設けられた領域を覆うことによって生じる表面の凸部を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。第４層間絶縁層１１ｄには、コンタクトホールＣＮＴ４が形成されている。
画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ４，ＣＮＴ３を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄに電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。
画素電極２７及び隣り合う画素電極２７間の第４層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した第１配向膜２８が設けられている。第１配向膜２８の上には、シール材１４により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。
一方、対向基板２０の絶縁層３３上（液晶層１５側）には、例えば、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した第２配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、素子基板１０と対向基板２０の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
後述するプロジェクター１０００の光は、例えば、液晶装置１００の裏面側（素子基板１０側）から入射する。
＜液晶装置のシール材周辺の構造＞
次に、液晶装置のシール材周辺の構造について、図８を参照して説明する。図８は、液晶装置におけるシール材周辺の構造を具体的に説明する概略断面図である。なお、図８は、説明しやすいように簡略化して図示している。
図８に示すように、素子基板１０は、第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０などが形成された回路層１１と、回路層１１の上に形成された画素電極２７と、画素電極２７及び回路層１１の上に設けられた第１配向膜２８と、を備えている。
対向基板２０は、第２基材２０ａ上に形成された遮光膜１８と、遮光膜１８及び第２基材２０ａを覆うように形成された絶縁層３３と、絶縁層３３を覆うように形成された対向電極３１と、対向電極３１を覆うように形成された第２配向膜３２と、を備えている。
素子基板１０と対向基板２０とは、シール材１４を介して貼り合わされている。ここで、シール材１４が配置される領域をシール領域Ｅ２と称する。表示に寄与する領域を表示領域Ｅと称する。表示領域Ｅとシール領域Ｅ２との間の領域をダミー画素領域Ｅ１と称する。また、表示領域Ｅとダミー画素領域Ｅ１とを含めて画素領域と称する。
具体的には、表示領域Ｅを含む画素領域の絶縁層３３の厚み（膜厚）は、シール領域Ｅ２の絶縁層３３の厚み（膜厚）と比較して厚くなるように形成されている。つまり、画素領域のセルギャップＢより、シール領域Ｅ２のセルギャップＡが大きい（Ａ＞Ｂ）。セルギャップＢは、例えば、２μｍ〜３μｍである。ＡとＢとの段差部は、例えば平面視で、シール材１４の形成領域や遮光膜１８と重ならない領域に設定する。
＜大型基板の構造＞
次に、複数の液晶装置を備える大型基板の領域ごとの構造を、図９を参照にして説明する。図９は、図２に示す大型基板のＣ−Ｃ’線に沿う模式断面図である。具体的には、大型基板の第１領域（中央の領域）の液晶装置、大型基板の第２領域（外側の領域）の液晶装置の構造を示す模式断面図である。なお、図９は、説明しやすいように簡略化して図示している。
図９に示すように、大型基板５００の第１領域の液晶装置１００ａは、対向基板２０側のシール領域（Ｅ２）の段差が、大型基板５００の第２領域の液晶装置１００ｂと比較して大きくなっている。なお、第１シール材１４ａが形成される領域を第１シール領域と称する。一方、第２シール材１４ｂが形成される領域を第２シール領域と称する。
具体的には、大型基板５００の第１領域は、第２領域と比較して、シール材１４の密度が大きい。また、液晶１５ａが充填されている領域が多い。よって、第１大型基板５０１と第２大型基板５０２とを貼り合せた際、第１領域の第１シール材１４ａと第２領域の第２シール材１４ｂとにおいて、潰れる量が異なる。つまり、第２領域と比較して第１領域は、第１シール材１４ａの密度が密の状態のため潰れにくい。一方、第１領域と比較して第２領域は、シール材１４が疎の状態のため、第２シール材１４ｂが潰れやすい。
これにより、第１領域の液晶装置１００ａは第１シール材１４ａが潰れにくいことから、第１シール領域の段差を大きくしておくことにより、第１シール材１４ａが潰れた際に、セル厚Ｂを所定の厚みに確保することができる。
一方、第２領域の液晶装置１００ｂは第２シール材１４ｂが潰れやすいことから、第２シール領域の段差を小さくしておくことにより、第２シール材１４ｂが潰れた際に、セル厚Ｂを所定の厚みに確保することができる。
なお、第１領域の液晶装置１００ａ（対向基板２０側）における表示領域Ｅとシール領域との第１段差Ｌ１は、例えば、３０００Åである。第２領域の液晶装置１００ｂ（対向基板２０側）における表示領域Ｅとシール領域との第２段差Ｌ２は、例えば、２０００Åである。また、第１シール材１４ａが配置される領域のギャップ量を第１ギャップ量Ａ１とする。一方、第２シール材１４ｂが配置される領域のギャップ量を第２ギャップ量Ａ２とする。
＜大型基板（液晶装置）の製造方法＞
図１０は、大型基板（液晶装置）の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図１１〜図１８は、大型基板の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図である。以下、大型基板の製造方法を、図１０〜図１８を参照しながら説明する。
最初に、第１大型基板５０１（素子基板１０）側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ１１では、石英基板などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０などを形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、遮光層３ｃ、第１絶縁層１１ａ、ＴＦＴ３０などを形成する。
ステップＳ１２では、画素電極２７を形成する。製造方法としては、上記と同様、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、画素電極２７を形成する。
ステップＳ１３では、第１配向膜２８を形成する。具体的には、画素電極２７を覆うように第１配向膜２８を形成する。第１配向膜２８の製造方法としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。以上により、第１大型基板５０１側が完成する。
次に、第２大型基板５０２（対向基板２０）側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、遮光膜１８を形成する。具体的には、図１１に示すように、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、遮光膜１８を形成する。
ステップＳ２２では、遮光膜１８及び第２基材２０ａ上に絶縁層３３を形成する。詳しくは、図１２に示すように、例えば、プラズマＣＶＤ法などを用いて、第２基材２０ａ上に酸化シリコンを成膜する。絶縁層３３の厚み（膜厚）は、例えば、１μｍである。
ステップＳ２３では、絶縁層３３に平坦化処理を施す。詳しくは、図１３に示すように、絶縁層３３を平坦化するために、例えば、ＣＭＰ技術を用いて平坦化する。平坦化後の絶縁層３３の厚みは、例えば、０．５μｍである。これにより、下層の遮光膜１８の厚みに起因する絶縁層３３の表面の凹凸が平坦になる。
ステップＳ２４では、絶縁層３３の表面に段差を形成する。詳しくは、図１４に示すように、シール領域Ｅ２の絶縁層３３の一部を、例えば、エッチングによって除去する。エッチングは、ドライエッチングでもウエットエッチングでもよい。
第１領域の液晶装置１００ａの絶縁層３３の第１段差Ｌ１は、第２領域の液晶装置１００ｂの絶縁層３３の第２段差Ｌ２と比較して大きい。表示領域Ｅの絶縁層３３の厚み（膜厚）は、第１領域及び第２領域において同じ厚みである。段差Ｌ１，Ｌ２を異ならせる方法としては、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術、剥離技術の回数を異ならせる。
本実施形態では、表示領域Ｅとシール領域Ｅ２との間のダミー画素領域Ｅ１には、エッチング処理を行わない。第１領域の液晶装置１００ａの第１段差Ｌ１は、例えば、３０００Åである。第２領域の液晶装置１００ｂの第２段差Ｌ２は、例えば、２０００Åである。
ステップＳ２５では、絶縁層３３を覆うように対向電極３１を形成する。ステップＳ２６では、対向電極３１を覆うように第２配向膜３２を形成する（なお、図１５では、対向電極３１、第２配向膜３２の図示は省略する）。具体的には、周知の成膜技術を用いて対向電極３１を成膜することにより、絶縁層３３の表面の凹凸に倣って対向電極３１が成膜される。
また、第２配向膜３２の製造方法は、第１配向膜２８の製造方法と同様であり、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。以上により、第２大型基板５０２側が完成する。次に、第１大型基板５０１と第２大型基板５０２とを貼り合わせる方法を説明する。
ステップＳ３１では、第１大型基板５０１（素子基板１０）上にシール材１４を塗布する。詳しくは、図１６に示すように、第１大型基板５０１とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に（シール領域Ｅ２に）シール材１４を塗布する。なお、第１大型基板５０１にシール材１４を塗布することに限定されず、第２大型基板５０２にシール材１４を塗布するようにしてもよい。
シール材１４としては、例えば、紫外線硬化型エポキシ樹脂が挙げられる。なお、紫外線などの光硬化型樹脂に限定されず、熱硬化型樹脂などを用いるようにしてもよい。
ステップＳ３２では、シール材１４で囲まれた中に液晶１５ａを滴下する。詳しくは、図１６に示すように、シール材１４で囲まれた領域に液晶１５ａを滴下する（ＯＤＦ方式）。滴下する方法としては、例えば、インクジェットヘッドなどを用いることができる。滴下する液晶１５ａの量は、セル毎に一定量である。
ステップＳ３３では、第１大型基板５０１と第２大型基板５０２とを貼り合わせる。具体的には、図１７に示すように、第１大型基板５０１に塗布されたシール材１４を介して第１大型基板５０１（素子基板１０）と第２大型基板５０２（対向基板２０）とを貼り合わせる。以上により、大型基板５００が完成する。
従来のように、シール材１４で囲まれた中に一定容量の液晶１５ａを滴下した際、大型基板５００の領域によってシール材１４の潰れ方が異なることからギャップ形状のばらつきが生じる。
しかしながら、本実施形態のように、大型基板５００の第１領域の液晶装置１００ａと、大型基板５００の第２領域の液晶装置１００ｂとにおいて、絶縁層３３の段差Ｌ１，Ｌ２を異ならせることにより、大型基板５００の第１領域と第２領域でシール材１４（１４ａ，１４ｂ）の潰れ量が異なる場合でも、第１大型基板５０１と第２大型基板５０２とを貼り合せた際、第１領域の液晶装置１００ａのセル厚Ｂと、第２領域の液晶装置１００ｂのセル厚Ｂと、をほぼ同じにすることができる。
具体的には、従来、大型基板における第１領域と第２領域との液晶装置のセルギャップのばらつきが、例えば、０．２８μｍあったのに対し、本実施形態では、液晶装置１００（１００ａ，１００ｂ）のセルギャップのばらつきが、例えば、０．１６μｍになる。
ステップＳ３４では、大型基板５００を切断し複数の液晶装置１００を形成する。具体的には、例えば、隣り合う液晶装置１００（１００ａ，１００ｂ）の間に切り込みを形成し、その後、切り込みが形成された面とは反対側の面に向かって力を加えることにより大型基板５００をブレイクする。これにより、図１８に示すように、大型基板５００から複数の液晶装置１００に分離され、液晶装置１００が完成する。
＜電子機器の構成＞
図１９は、電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図である。以下、プロジェクターの構成を、図１９を参照しながら説明する。
図１９に示すように、本実施形態のプロジェクター１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された照明系としての偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投写レンズ１２０７とを備えている。
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。
液晶ライトバルブ１２１０は、後述する液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
以上のような構成の電子機器は、上述した実施形態の液晶装置１００を用いるため、信頼性が高く優れた表示特性を有するプロジェクター１０００を提供することができる。
なお、上記液晶装置１００が搭載される電子機器としては、プロジェクター１０００の他、例えば、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、照明機器など各種電子機器に用いることができる。
以上詳述したように、第１実施形態の大型基板５００、及び大型基板５００の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
（１）第１実施形態の大型基板５００、及び大型基板５００の製造方法によれば、大型基板５００の第１領域と第２領域とにおいてシール材１４（第１シール材１４ａ、第２シール材１４ｂ）のギャップ量Ａ（Ａ１，Ａ２）を異ならせるので、第１大型基板５０１と第２大型基板５０２とを貼り合せた際に、シール材１４（１４ａ，１４ｂ）の密度差や液晶層１５の有無などに起因してシール材１４（１４ａ，１４ｂ）の潰れ方が異なった場合でも、第１領域の液晶装置１００ａと第２領域の液晶装置１００ｂとの表示領域におけるセルギャップＢ（ギャップ形状）がばらつくことを抑えることができる。
（２）第１実施形態の大型基板５００、及び大型基板５００の製造方法によれば、第２大型基板５０２のシール材１４（１４ａ，１４ｂ）が配置される領域に段差Ｌ１，Ｌ２を設けて第１ギャップ量と第２ギャップ量とを異ならせるので、比較的容易にギャップ量Ａ１，Ａ２を異ならせることができる。
（３）第１実施形態の大型基板５００、及び大型基板５００の製造方法によれば、第２段差Ｌ２より第１段差Ｌ１の段差量が大きいので、例えば、シール材１４の密度差や液晶層１５の有無などに起因して、第２シール材１４ｂより第１シール材１４ａの方が潰れにくい場合でも、第１領域の液晶装置１００ａのセルギャップと、第２領域の液晶装置１００ｂのセルギャップとのばらつきを抑えることができる。
（４）第１実施形態の大型基板５００、及び大型基板５００の製造方法によれば、表示領域Ｅの膜厚よりシール領域Ｅ２の膜厚を薄くして第１ギャップ量Ａ１及び第２ギャップ量Ａ２を調整するので、比較的セルギャップＢの量を小さくすることができる。更に、表示領域Ｅを薄く形成する場合と比較して、表示領域Ｅにダメージが加わることを抑えることが可能となり、表示品質が低下することを抑えることができる。
（第２実施形態）
＜大型基板の構造＞
次に、第２実施形態の大型基板の領域ごとの構造を、図２０を参照にして説明する。図２０は、第２実施形態における、図２に示す大型基板のＣ−Ｃ’線に沿う模式断面図である。具体的には、大型基板の第１領域の液晶装置、大型基板の第２領域の液晶装置の構造を示す模式断面図である。なお、図２０は、説明しやすいように簡略化して図示している。
第２実施形態の大型基板５００ａは、上述の第１実施形態の大型基板５００と比べて、表示領域Ｅに段差が設けられている部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
図２０に示すように、第２実施形態の大型基板５００ａにおいて、第１大型基板５０１（素子基板１０）側の構成は第１実施形態と同様である。一方、第２大型基板５０２（対向基板２０）側の構成は、絶縁層３３、対向電極３１、及び第２配向膜３２の形状が異なっている。
具体的には、表示領域Ｅの絶縁層３３を掘り込んでおり、表示領域Ｅを含む画素領域の絶縁層３３の厚みは、シール領域Ｅ２の絶縁層３３の厚みと比較して薄くなるように形成されている。
更に、図２０に示すように、大型基板５００ａの第１領域の液晶装置１０１ａと比較して第２領域の液晶装置１０１ｂは、対向基板２０側の表示領域Ｅの段差Ｌ２が大きい。
具体的には、第１実施形態と同様、大型基板５００ａの第１領域は、第２領域と比較して、シール材１４の密度が大きい。よって、第１大型基板５０１と第２大型基板５０２とを貼り合せた際、第１領域と第２領域とにおいてシール材１４の潰れる量が異なる。つまり、第２領域と比較して第１領域は、シール材１４の密度が密の状態のため潰れにくい。一方、第１領域と比較して第２領域は、シール材１４が疎の状態のため、シール材１４が潰れやすい。
これにより、第２領域の液晶装置１０１ｂは、第２シール材１４ｂが潰れやすいことから、表示領域Ｅの段差Ｌ２を大きくしておくことにより、第２シール材１４ｂが潰れた際に、セル厚Ｂを所定の厚みに確保することができる。
一方、第１領域の液晶装置１０１ａは、第１シール材１４ａが潰れにくいことから、表示領域Ｅの第１段差Ｌ１を小さくしておくことにより、第１シール材１４ａが潰れた際に、セル厚Ｂを所定の厚みに確保することができる。
また、表示領域Ｅの膜厚を薄くして第１ギャップ量Ａ１及び第２ギャップ量Ａ２を調整するので、表示領域Ｅにおける基板の厚みを薄くすることが可能となる。よって、表示領域Ｅにおける透過率を向上させることができる。
このような第２大型基板５０２（対向基板２０）を形成することにより、第１大型基板５０１と第２大型基板５０２とを貼り合せた際、所望のセルギャップＢにすることができる。また、第１実施形態と比較して、シール領域Ｅ２の絶縁層３３の厚みが厚いので、例えば、所望のセルギャップＢを得ることができると共に、耐湿性を向上させることができる。
＜大型基板（液晶装置）の製造方法＞
次に、第２実施形態の大型基板（液晶装置）の製造方法について説明する。第２実施形態の大型基板（液晶装置）の製造方法は、上述の第１実施形態の大型基板の製造方法と比べて、絶縁層の形成方法が異なり、その他の部分については概ね同様である。
このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。なお、第１実施形態で用いた図１０〜図１８を参照しながら説明する。
図１０、及び図１１〜図１３に示すように、第２実施形態の大型基板５００ａ（液晶装置１０１）の製造方法は、ステップＳ１１〜ステップＳ１３、及びステップＳ２１〜ステップＳ２３まで、第１実施形態と同様にして形成する。
ステップＳ２４では、絶縁層３３の表面に段差を形成する。具体的には、絶縁層３３における表示領域Ｅ及び第１シール領域の一部を、エッチング処理などによって除去する。第１領域の液晶装置１０１ａの絶縁層３３の第１段差Ｌ１は、第２領域の液晶装置１０１ｂの絶縁層３３の第２段差Ｌ２と比較して小さい。表示領域Ｅの絶縁層３３の厚みは、第１領域及び第２領域において同じ厚みである。段差Ｌ１，Ｌ２を異ならせる方法としては、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術、剥離技術の回数を異ならせる。
本実施形態では、表示領域Ｅとシール領域との間のダミー画素領域Ｅ１に、エッチング処理を行う。第１領域の液晶装置１０１ａの第１段差Ｌ１は、例えば、２０００Åである。第２領域の液晶装置１０１ｂの第２段差Ｌ２は、例えば、３０００Åである。
以降、ステップＳ２５〜ステップＳ３４まで、第１実施形態と同様にして製造する。なお、ステップＳ３３において第１大型基板５０１と第２大型基板５０２とを貼り合わせた際、大型基板５００ａの第１領域の液晶装置１０１ａと、第２領域の液晶装置１０１ｂとにおいて、絶縁層３３の段差Ｌ１，Ｌ２を異ならせることにより、大型基板５００の第１領域と第２領域でシール材１４ａ，１４ｂの潰れ量が異なる場合でも、第１領域の液晶装置１０１ａのセル厚Ｂと、第２領域の液晶装置１０１ｂのセル厚Ｂと、を略同じにすることができる。
最後に、ステップＳ３４によって大型基板５００ａを切断することにより、複数の液晶装置１０１が完成する（図２０参照）。
以上詳述したように、第２実施形態の大型基板５００、及び大型基板５００の製造方法によれば、上記実施形態の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
（５）第２実施形態の大型基板５００、及び大型基板５００の製造方法によれば、第２大型基板５０２において、表示領域Ｅの膜厚を薄くして第１ギャップ量Ａ１及び第２ギャップ量Ａ２を調整するので、表示領域Ｅにおける基板の厚みを薄くすることが可能となる。よって、表示領域Ｅにおける透過率を向上させることができる。
（第３実施形態）
＜大型基板の構造＞
次に、第３実施形態の大型基板の領域ごとの構造を、図２１を参照にして説明する。図２１は、第３実施形態における、図２に示す大型基板のＣ−Ｃ’線に沿う模式断面図である。具体的には、大型基板の第１領域の液晶装置、大型基板の第２領域の液晶装置の構造を示す模式断面図である。なお、図２１は、説明しやすいように簡略化して図示している。
第３実施形態の大型基板５００ｂは、上述の第１実施形態の大型基板５００と比べて、第２領域の液晶装置１０２ｂに段差Ｌ２を設けない部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第３実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
図２１に示すように、第３実施形態の大型基板５００ｂにおいて、第１大型基板５０１（素子基板１０）側の構成は第１実施形態と同様である。また、第２大型基板５０２（対向基板）の第１領域の液晶装置１０２ａの構成も、第１実施形態と同様である。
一方、第２大型基板５０２の第２領域の液晶装置１０２ｂの構成は、表示領域Ｅ（Ｅ１）及びシール領域Ｅ２に段差を設けない。つまり、第２大型基板５０２の液晶層１５側の表面はフラットである。
具体的には、第１領域にある液晶装置１０２ａのシール領域Ｅ２の絶縁層３３を掘り込んでおり、シール領域Ｅ２の絶縁層３３の厚みは、表示領域Ｅの絶縁層３３の厚みと比較して薄くなるように形成されている。一方、第２領域にある液晶装置１０２ｂの表示領域Ｅ及びシール領域Ｅ２の絶縁層３３に掘り込みはない。
第１実施形態及び第２実施形態と同様、大型基板５００ｂの第１領域は、第２領域と比較して、シール材１４の密度が大きい。よって、第１大型基板５０１と第２大型基板５０２とを貼り合せた際、第１領域と第２領域とにおいてシール材１４ａ，１４ｂの潰れる量が異なる。つまり、第２領域と比較して第１領域は、液晶装置１０２ａのシール材１４の密度が密の状態のため潰れにくい。一方、第１領域と比較して第２領域は、液晶装置１０２ｂの第２シール材１４ｂが疎の状態のため、第２シール材１４ｂが潰れやすい。
これにより、第２領域の液晶装置１０２ｂは、第２シール材１４ｂが潰れやすいことから、対向基板２０の表面をフラットにしておくことにより、第２シール材１４ｂが潰れた際に、セル厚Ｂを所定の厚みに確保することができる。
一方、第１領域の液晶装置１０２ａは、第１シール材１４ａが潰れにくいことから、シール領域Ｅ２に第１段差Ｌ１を設けておくことにより、第１シール材１４ａが潰れた際に、セル厚Ｂを所定の厚みに確保することができる。
なお、第１領域の液晶装置１０２ａの第１段差Ｌ１は、例えば、１０００Åである。第２領域の液晶装置１０２ｂには段差がない。
このような第２大型基板５０２（対向基板２０）を形成することにより、第１大型基板５０１と第２大型基板５０２とを貼り合せた際、所望のセルギャップＢにすることができる。また、第１実施形態と比較して、シール領域Ｅ２の絶縁層３３の厚みが厚いので、例えば、所望のセルギャップＢを得ることができると共に、耐湿性を向上させることができる。
＜大型基板（液晶装置）の製造方法＞
次に、第３実施形態の大型基板（液晶装置）の製造方法について説明する。第３実施形態の大型基板の製造方法は、上述の第１実施形態の大型基板の製造方法と比べて、絶縁層の形成方法が異なり、その他の部分については概ね同様である。
このため第３実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。なお、第１実施形態で用いた図１０〜図１８を参照しながら説明する。
図１０、及び図１１〜図１３に示すように、第３実施形態の大型基板５００ｂ（液晶装置１０２）の製造方法は、ステップＳ１１〜ステップＳ１３、及びステップＳ２１〜ステップＳ２３まで、第１実施形態と同様にして形成する。
ステップＳ２４では、第１領域にある液晶装置１０２ａの絶縁層３３の表面に段差を形成する。具体的には、第１実施形態と同様にして、シール領域Ｅ２にエッチング処理を施して絶縁層３３の一部を除去する。なお、第２領域の液晶装置１０２ｂの絶縁層３３には、エッチング処理を施さない。表示領域Ｅの絶縁層３３の厚みは、第１領域の液晶装置１０２ａ及び第２領域の液晶装置１０２ｂにおいて同じ厚みである。
第１領域の液晶装置１０２ａの第１段差Ｌ１は、例えば、１０００Åである。第２領域の液晶装置１０２ｂに段差Ｌ２はない。
以降、ステップＳ２５〜ステップＳ３４まで、第１実施形態と同様にして製造する。具体的には、ステップＳ３３において第１大型基板５０１と第２大型基板５０２とを貼り合わせた際、大型基板５００の第１領域の液晶装置１０２ａにおいて、シール領域Ｅ２の絶縁層３３の厚みを薄く形成することにより、大型基板５００の第１領域と第２領域でシール材１４ａ，１４ｂの潰れ量が異なる場合でも、第１領域の液晶装置１０２ａのセル厚Ｂと、第２領域の液晶装置１０２ｂのセル厚Ｂと、をほぼ同じにすることができる。
最後に、ステップＳ３４によって大型基板５００ｂを切断することにより、複数の液晶装置１０２が完成する（図２１参照）。
以上詳述したように、第３実施形態の大型基板５００、及び大型基板５００の製造方法によれば、上記実施形態の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
（６）第３実施形態の大型基板５００によれば、大型基板５００における少なくとも第１領域の第１シール材１４ａが配置される領域の膜厚が薄ければよく、第２領域の第２シール材１４ｂが配置される領域に段差がなくてもよい。これによれば、第１領域に段差を形成するだけでよく、かかるコストを抑えることができる。また、段差を形成する領域が少なくて済み、ギャップ量にばらつきが生じることを抑えることができる。
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
（変形例１）
上記したように、第２領域の全体に亘って段差を設けることに限定されず、例えば、図２２に示す領域に段差を設けるようにしてもよい。図２２は、変形例の大型基板を上方から見た概略平面図である。図２２に示すように、変形例の大型基板５１０は、オリフラ５００ｃとは反対側の領域Ｆのみに段差を設けている。具体的には、例えば、領域Ｆにおける２つの液晶装置１００（２つのチップ）に上記したような段差が形成されている。
これによれば、大型基板５１０において局所的にシール材１４が潰れる場合、又は潰れにくい場合においてもギャップ量を補正することが可能となり、大型基板５１０の全体に亘って均一なギャップ量の液晶装置１００を形成することができる。なお、領域Ｆについて述べたが、これに限定されず、所望の領域の液晶装置１００に段差を設けるようにしてもよい。
また、上記実施形態及び変形例のように段差を設けることに限定されず、大型基板５００におけるセルギャップのばらつきの状況によって、任意の液晶装置のみに段差を設けるようにしてもよいし、大型基板５００の全体に亘って各液晶装置に段差を設けた場合において、任意の液晶装置のみ、他の液晶装置の段差量と異ならせるようにしてもよい。
（変形例２）
上記したように、大型基板５００における第１領域及び第２領域の２つの領域の段差を異ならせることに限定されず、例えば、第１領域の中央から第２領域の外側に行くに従って徐々に段差の量が異なるようにしてもよい。
これによれば、徐々に段差の量を変えていくので、大型基板５００の領域によって変形量を変えることが可能となり、大型基板５００の全体に亘ってセルギャップＢを均一にすることができる。
（変形例３）
上記したように、第２大型基板５０２（対向基板２０）側のみに段差を設けることに限定されず、第１大型基板５０１（素子基板１０）側に段差を設けるようにしてもよい。また、第１大型基板５０１と第２大型基板５０２との両方に段差を設けるようにしてもよい。
（変形例４）
上記した第３実施形態のように、第１領域の液晶装置１０２ａのシール領域Ｅ２のみに段差を設けることに限定されず、例えば、第１領域の液晶装置１０２ａには段差を設けず、第２領域の液晶装置１０２ｂの表示領域が凹むような段差を設けるようにしてもよい。
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…遮光層、６ａ…データ線、１０…第１基板としての素子基板、１０ａ…第１基材、１１…回路層、１１ａ…第１絶縁層、１１ｂ…第２絶縁層、１１ｃ…第３絶縁層、１１ｄ…第４層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁層、１４…シール材、１４ａ…第１シール材、１４ｂ…第２シール材、１５…液晶層、１５ａ…液晶、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…第２基板としての対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８…第１配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３２…第２配向膜、３３…絶縁層、６１…外部接続用端子部、１００，１００ａ，１００ｂ，１０１，１０１ａ，１０１ｂ，１０２，１０２ａ，１０２ｂ…液晶装置、５００，５００ａ，５００ｂ…大型基板、５０１…第１大型基板、５０２…第２大型基板、１０００…プロジェクター、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投写レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。

Claims (14)

  1. 複数の第１基板を備える第１大型基板と、
    複数の第２基板を備える第２大型基板と、
    対向配置された前記第１大型基板と前記第２大型基板との間に配置されたシール材と、
    前記シール材で囲まれた中に配置された液晶層と、
    を備え、
    任意の領域における、前記第１基板及び前記第２基板において表示領域のギャップ量と前記シール材が設けられる領域のギャップ量とが異なることを特徴とする大型基板。
  2. 請求項１に記載の大型基板であって、
    前記第１大型基板及び前記第２大型基板の全体に亘って表示領域のギャップ量と前記シール材が設けられる領域のギャップ量とが異なっており、
    前記任意の領域における前記シール材が設けられる領域のギャップ量が、前記任意の領域以外の領域における前記シール材が設けられる領域のギャップ量と異なることを特徴とする大型基板。
  3. 複数の第１基板を備える第１大型基板と、
    複数の第２基板を備える第２大型基板と、
    対向配置された前記第１大型基板と前記第２大型基板との間に配置されたシール材と、
    前記シール材で囲まれた中に配置された液晶層と、
    を備え、
    前記シール材は、前記第１大型基板及び前記第２大型基板の中央の領域における前記第１基板と前記第２基板との間に配置された第１シール材と、前記第１大型基板及び前記第２大型基板の外側の領域における前記第１基板と前記第２基板との間に配置された第２シール材と、を少なくとも有し、
    前記中央の領域及び前記外側の領域における前記第１基板及び前記第２基板の表示領域のセルギャップを一定としたとき、前記第１シール材が設けられる領域のギャップ量と、前記第２シール材が設けられる領域のうち少なくとも一部の領域のギャップ量とが、異なることを特徴とする大型基板。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の大型基板であって、
    前記ギャップ量は、前記第１基板及び前記第２基板のうち少なくとも一方に段差を設けることにより形成することを特徴とする大型基板。
  5. 請求項４に記載の大型基板であって、
    前記段差は、前記第１シール材が配置された領域に設けられた第１段差と、前記第２シール材が配置された領域に設けられた第２段差と、を有し、
    前記第２段差と比較して前記第１段差は、段差の量が大きいことを特徴とする大型基板。
  6. 請求項４に記載の大型基板であって、
    前記段差は、前記第１シール材が配置された領域に設けられた第１段差と、前記第２シール材が配置された領域に設けられた第２段差と、を有し、
    前記第２段差と比較して前記第１段差は、段差の量が小さいことを特徴とする大型基板。
  7. 請求項３又は請求項４に記載の大型基板であって、
    前記第１大型基板及び前記第２大型基板は、前記第１シール材及び前記第２シール材が設けられるシール領域と、前記シール領域で囲まれた表示領域と、を有し、
    前記表示領域の絶縁層の膜厚に対して前記シール領域の絶縁層の膜厚が薄いことを特徴とする大型基板。
  8. 請求項３又は請求項４に記載の大型基板であって、
    前記第１大型基板及び前記第２大型基板は、前記第１シール材及び前記第２シール材が設けられるシール領域と、前記シール領域で囲まれた表示領域と、を有し、
    前記シール領域の絶縁層の膜厚に対して前記表示領域の絶縁層の膜厚が薄いことを特徴とする大型基板。
  9. 請求項３又は請求項４に記載の大型基板であって、
    前記第１大型基板及び前記第２大型基板は、前記第１シール材及び前記第２シール材が設けられるシール領域と、前記シール領域で囲まれた表示領域と、を有し、
    前記表示領域の絶縁層の膜厚に対して、少なくとも前記第１シール材が設けられる第１シール領域の絶縁層の膜厚が薄いことを特徴とする大型基板。
  10. 請求項３乃至請求項９のいずれか一項に記載の大型基板であって、
    前記第１大型基板及び前記第２大型基板は、前記中央の領域から前記外側の領域に向かって段差の量が徐々に変わっていることを特徴とする大型基板。
  11. 複数の第１基板を備える第１大型基板にシール材を塗布する工程と、
    前記シール材で囲まれた領域に液晶を滴下する工程と、
    前記第１大型基板と、複数の第２基板を備える第２大型基板と、を貼り合せる工程と、を有し、
    前記シール材を塗布する工程の前に、前記第１基板及び前記第２基板のうち少なくとも一方に段差を形成する工程を有することを特徴とする大型基板の製造方法。
  12. 複数の第１基板を備える第１大型基板の中央の領域に第１シール材を塗布する工程と、
    前記第１大型基板の外側の領域に第２シール材を塗布する工程と、
    前記第１シール材及び前記第２シール材で囲まれた領域に液晶を滴下する工程と、
    前記第１大型基板と、複数の第２基板を備える第２大型基板と、を貼り合せる工程と、を有し、
    前記第１シール材を塗布する工程の前に、前記第１基板及び前記第２基板の表示領域のセルギャップが一定である場合、前記第１シール材を塗布する領域のギャップ量と、前記第２シール材を塗布する領域のうち少なくとも一部の領域のギャップ量と、が異なるように、前記第１基板及び前記第２基板のうち少なくとも一方に段差を形成する工程を有することを特徴とする大型基板の製造方法。
  13. 請求項１２に記載の大型基板の製造方法であって、
    前記段差を形成する工程は、前記第１基板及び前記第２基板のうち少なくとも一方の基板における、前記第１シール材及び前記第２シール材が塗布される領域の一部を除去することにより前記段差を形成することを特徴とする大型基板の製造方法。
  14. 請求項１２に記載の大型基板の製造方法であって、
    前記段差を形成する工程は、前記第１基板及び前記第２基板のうち少なくとも一方の基板における、前記表示領域の一部を除去することにより前記段差を形成することを特徴とする大型基板の製造方法。
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