JP2017040847A - 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品質を向上させることが可能な液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】第１基材１０ａ上に設けられた中継電極１２ａと、中継電極１２ａの上に設けられた第３層間絶縁層１１ｄと、第３層間絶縁層１１ｄに設けられたコンタクトホールＣＮＴ４を介して中継電極１２ａと電気的に接続された画素電極２７と、画素電極２７の表面、コンタクトホールＣＮＴ４の側壁に設けられた画素電極２７の表面、及び第３層間絶縁層１１ｄの表面に設けられた第１配向膜２８と、を備え、第１配向膜２８は、配向方向と同じ側の方向、又は反対側の方向である第１方向から蒸着された第１蒸着膜２８ａと、鉛直軸を基準に第１方向から１８０°回転させた第２方向から蒸着された第２蒸着膜２８ｂと、配向方向から蒸着された第３蒸着膜２８ｃと、を備える。
【選択図】図６

Description

本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器に関する。

上記液晶装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御するトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。この液晶装置は、例えば、電子機器としての液晶プロジェクターの液晶ライトバルブとして用いられる。

液晶装置は、素子基板と、素子基板と対向するように配置された対向基板と、素子基板と対向基板とによって挟持された液晶層と、を備えている。

上記液晶装置の製造方法は、素子基板を構成する第１基板上にトランジスターを形成し、トランジスターの上方に画素電極を形成し、画素電極の表面に、例えば、特許文献１に記載のように、斜方蒸着法を用いて酸化シリコンなどの無機材料からなる配向膜を形成する。一方、対向基板を構成する第２基板上に対向電極を形成し、対向基板の表面に上記斜方蒸着法を用いて配向膜を形成する。

特開２０１４−２２４８８９号公報

しかしながら、図１２に示すように、画素電極２７の表面に蒸着膜（２８）を成膜した際、特に、画素電極２７と配線層１２ａとを電気的に接続するコンタクトホールＣＮＴ４の側壁に、蒸着膜（２８）が成膜されない部分（Ｃ部）があり、成膜されない部分が配向不良となるという問題がある。これにより、例えば、表示領域のうちコンタクトホールＣＮＴ４の部分だけ光るなど、表示不良となるという課題がある。

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、基板と、前記基板上に設けられた配線層と、前記配線層の上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記配線層と電気的に接続された画素電極と、前記コンタクトホールの側壁を含む前記画素電極の表面、及び前記絶縁層の表面に設けられた配向膜と、を備え、前記配向膜は、配向方向と同じ側の方向、又は反対側の方向である第１方向から蒸着された第１蒸着膜と、鉛直軸を基準に前記第１方向から１８０°回転させた第２方向から蒸着された第２蒸着膜と、前記配向方向から蒸着された第３蒸着膜と、を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、第１方向及び第２方向から蒸着された蒸着膜を備えているので、特に蒸着膜が形成されにくいコンタクトホールの側壁の全体に蒸着膜を覆うことができる。更に、第３蒸着膜によって配向方向に倣って蒸着されているので、例えば、液晶を正常な方向に配向させることができる。よって、コンタクトホールなどの窪みにおいても蒸着膜が成膜されるので、配向不良となることを抑えることができる。

［適用例２］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１方向は、前記配向方向の側とは反対側の方向であり、前記第２方向は、前記配向方向の側と同じ方向であることが好ましい。

本適用例によれば、第１方向及び第２方向から蒸着された第１蒸着膜及び第２蒸着膜を備えるので、コンタクトホールなどの窪みに対してもコンタクトホールの側壁の全体に蒸着膜を成膜させることができる。よって、配向不良となることを抑えることができる。

［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記コンタクトホールの穴径をＤ、前記コンタクトホールの深さをＨ、前記コンタクトホールの鉛直方向に対する角度をθ、としたとき、前記第１方向及び前記第２方向の角度θは、０＜θ＜ｔａｎ^-1（Ｄ／２Ｈ）の範囲内であることが好ましい。

本適用例によれば、第１蒸着膜及び第２蒸着膜が、上記角度の範囲から蒸着されていることにより、コンタクトホールの窪みの中の全体に蒸着膜を成膜させることができる。

［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１蒸着膜、前記第２蒸着膜、及び前記第３蒸着膜は、斜方蒸着によって成膜された蒸着膜であることが好ましい。

本適用例によれば、斜方蒸着によって形成されているので、コンタクトホールの側壁の全体に蒸着膜を成膜させることができると共に、液晶の配向方向に倣って蒸着膜を成膜させることができる。

［適用例５］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、基板上に配線層を形成する工程と、前記配線層の上に絶縁層を形成する工程と、前記配線層の表面の一部が露出するように、前記絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、前記絶縁層の表面、前記コンタクトホールの側壁、及び前記配線層の一部に亘って画素電極となる材料を成膜する工程と、前記材料をパターニングして前記画素電極を形成する工程と、配向方向と同じ側の方向、又は前記配向方向の側とは反対側の方向である第１方向から蒸着を行って、前記絶縁層の表面、前記画素電極の表面、及び前記配線層の一部に第１蒸着膜を成膜する工程と、鉛直軸を基準に前記第１方向から１８０°回転させた第２方向から蒸着を行って、前記絶縁層の表面、前記画素電極の表面、及び前記配線層の一部に第２蒸着膜を成膜する工程と、前記配向方向に倣って蒸着を行い前記絶縁層の表面、及び前記画素電極の表面に第３蒸着膜を成膜する工程と、を有することを特徴とする。

本適用例によれば、第１方向及び第２方向から蒸着を行って第１蒸着膜及び第２蒸着膜を形成するので、特に蒸着膜が形成されにくいコンタクトホールの側壁の全体に蒸着膜を形成することができる。更に、配向方向に倣って第３蒸着膜を形成するので、液晶を正常な方向に配向させることができる。よって、コンタクトホールなどの窪みにおいても蒸着膜を形成することが可能となり、配向不良になることを抑えることができる。加えて、この順番で蒸着させることにより、チルトへの影響を少なくすることができる。

［適用例６］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第１方向は、前記配向方向の側とは反対側の方向であり、前記第２方向は、前記配向方向の側と同じ方向であることが好ましい。

本適用例によれば、第１方向及び第２方向から蒸着を行って第１蒸着膜及び第２蒸着膜を形成することにより、コンタクトホールなどの窪みに対してもコンタクトホールの側壁の全体に蒸着膜を形成することができる。よって、配向不良となることを抑えることができる。

［適用例７］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記コンタクトホールの穴径をＤ、前記コンタクトホールの深さをＨ、前記コンタクトホールの鉛直方向に対する角度をθ、としたとき、前記第１方向及び前記第２方向の角度θは、０＜θ＜ｔａｎ^-1（Ｄ／２Ｈ）の範囲内であることが好ましい。

本適用例によれば、第１蒸着膜及び第２蒸着膜を、上記角度の範囲から蒸着することにより、コンタクトホールの窪みの中の全体に蒸着膜を成膜させることができる。加えて、上記角度の範囲から蒸着させることにより、一般的な蒸着法では形成されない部分に蒸着膜を形成することができる。

［適用例８］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第１蒸着膜、前記第２蒸着膜、及び前記第３蒸着膜は、斜方蒸着法によって形成することが好ましい。

本適用例によれば、斜方蒸着法によって形成するので、コンタクトホールの側壁の全体に蒸着膜を形成することができると共に、液晶の配向方向に倣って蒸着膜を形成することができる。

［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、上記に記載の液晶装置を備えているので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。

液晶装置の構成を示す模式平面図。 図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置を構成する画素の構造を示す模式断面図。 図４に示す画素のうちＢ部の層を上方から見た概略平面図。 図５に示す画素電極のＡ−Ａ’線に沿う概略断面図。 液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す概略断面図。 液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す概略断面図。 液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す概略断面図。 液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す概略断面図。 電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図。 従来の液晶装置の構成を示す模式断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

本実施形態では、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する電子機器（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。

図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する基板としての第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合され、その隙間に負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのギャップ材が混入されている。

シール材１４の内側に、複数の画素Ｐが配列された表示領域Ｅを有している。シール材１４と表示領域Ｅとの間に表示領域Ｅを囲むように遮光性の例えば金属あるいは金属酸化物などからなる遮光層１８（見切り部）が配置されている。なお、表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐを囲むように配置された複数のダミー画素を含んでいてもよい。

第１基材１０ａの１辺部と、１辺部に沿ったシール材１４との間にデータ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４の内側に検査回路（図示せず）が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部には、２つの走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。

これらデータ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子２３に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。

図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極２７およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター３０（以降、「ＴＦＴ３０」と称する。）と、信号配線と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。

画素電極２７は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料を用いて形成することができる。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。このように素子基板１０は、少なくともＴＦＴ３０と画素電極２７と第１配向膜２８とを有している。

第２基材２０ａの液晶層１５側の表面には、遮光層１８と、これを覆うように成膜された絶縁層１３と、絶縁層１３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。

対向電極３１は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなり、絶縁層などを覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

画素電極２７を覆う第１配向膜２８および対向電極３１を覆う第２配向膜３２は、無機配向膜であって、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。このように対向基板２０は、少なくとも対向電極３１と第２配向膜３２とを有している。

図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａ（ゲート線）、及び配線層を構成する複数のデータ線６ａ（ソース線）と、走査線３ａと並行して延在する固定電位線４０とを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。なお、固定電位線４０はデータ線６ａと並行して延在するように配置することもできる。

走査線３ａとデータ線６ａならびに固定電位線４０と、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。

データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。

保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と固定電位線４０との間に設けられている。

＜液晶装置を構成する画素の構成＞
図４は、液晶装置を構成する画素の構成を示す模式断面図である。図５は、図４に示す画素のうちＢ部の層を上方から見た概略平面図である。以下、画素の構成について、図４及び図５を参照しながら説明する。

図４に示すように、液晶装置１００の画素Ｐは、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、例えば、石英基板である。

図４に示すように、第１基材１０ａ上には、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）等の材料を含む下側遮光層３ｃが形成されている。下側遮光層３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Ｐの開口領域を規定している。なお、下側遮光層３ｃは、導電性を有し、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光層３ｃ上には、酸化シリコン等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。

下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。

半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。

チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。

ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇ上には、酸化シリコン等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。

誘電体膜１６ｃは、例えば、シリコン窒化膜である。第２容量電極１６ｂ（容量線３ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。

第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。

容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、ゲート絶縁層１１ｇ、第１層間絶縁層１１ｂ、誘電体膜１６ｃ、及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ２を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。

データ線６ａの上層には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。第３層間絶縁層１１ｄは、例えば、シリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生じる表面の凸部を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。第３層間絶縁層１１ｄには、コンタクトホールＣＮＴ４が形成されている。

画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ４，ＣＮＴ３を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。

画素電極２７及び隣り合う画素電極２７間の第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した第１配向膜２８が設けられている。第１配向膜２８の上には、シール材により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。

一方、対向基板２０の絶縁層１３上（液晶層１５側）には、例えば、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した第２配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。

液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、素子基板１０と対向基板２０の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。

図５は、素子基板（特に、画素電極のコンタクトホール周辺）の構成を示す概略平面図である。図６は、図５に示す画素電極のＡ−Ａ’線に沿う概略断面図である。以下、画素電極のコンタクトホールに形成された配向膜の構成を、図５及び図６を参照しながら説明する。なお、図６は、図４に示す画素ＰのＢ部を拡大して示す拡大断面図でもある。

図５及び図６に示すように、第３層間絶縁層１１ｄの上には、画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、第３層間絶縁層１１ｄに形成されたコンタクトホールＣＮＴ４を介して配線層としての中継電極１２ａと電気的に接続されている。

コンタクトホールＣＮＴ４の側壁には、画素電極２７となるＩＴＯ膜が成膜されている。つまり、本実施形態では、コンタクトホールＣＮＴ４の中にＩＴＯ膜が充填されておらず、中空の空間を有する。

画素電極２７の表面、及び第３層間絶縁層１１ｄの表面には、上記したように、無機材料からなる第１配向膜２８が形成されている。

第１配向膜２８は、鉛直軸を基準に、配向方向側（第２方向、第３方向）から１８０°回転した第１方向から斜方蒸着を行って形成された第１蒸着膜２８ａと、配向方向側である第２方向から斜方蒸着を行って形成された第２蒸着膜２８ｂと、配向方向である第３方向から斜方蒸着を行って形成された第３蒸着膜２８ｃと、を有する。

第１方向は、上記した配向方向側から１８０°回転した方向、かつ、鉛直軸から角度θ分傾斜した方向である。角度θは、ｔａｎ^-1（コンタクトホールＣＮＴ４の直径Ｄ／２×コンタクトホールＣＮＴ４の深さＨ）で求めることができる。

なお、第１方向は、鉛直軸を０°として、０°〜ｔａｎ^-1（Ｄ／２Ｈ）の角度までの範囲であることが好ましい。

第２方向は、上記した配向方向と同じ側であり、かつ、鉛直軸から角度θ分傾斜した方向である。角度θは、ｔａｎ^-1（コンタクトホールＣＮＴ４の直径Ｄ／２×コンタクトホールＣＮＴ４の深さＨ）で求めることができる。

なお、第２方向は、鉛直軸を０°として、０°〜ｔａｎ^-1（Ｄ／２Ｈ）の角度までの範囲であることが好ましい。

第３方向は、配向方向と同じである。これにより、第１蒸着膜２８ａ、第２蒸着膜２８ｂ、及び第３蒸着膜２８ｃによって、コンタクトホールＣＮＴ４の側壁の全体を蒸着膜で成膜することができる。更に、第１蒸着膜２８ａ、第２蒸着膜２８ｂ、第３蒸着膜２８ｃのうち少なくとも２層が重なっている部分は、配向方向と同じ方向から蒸着させた第３蒸着膜２８ｃが表面に形成されている。その結果、配向不良になることを抑えることができる。

＜液晶装置の製造方法＞
図７〜図１０は、液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す概略断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図７〜図１０を参照しながら説明する。

まず、図７に示す工程では、第３層間絶縁層１１ｄの上に画素電極２７を形成する。具体的には、まず、第３層間絶縁層１１ｄに、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いてコンタクトホールＣＮＴ４を形成する。次に、ＩＴＯなどの透明導電材料を、コンタクトホールＣＮＴ４の内部、及び第３層間絶縁層１１ｄの上に成膜する。その後、透明導電材料をパターニングして画素電極２７を形成する。

コンタクトホールＣＮＴ４の穴径（Ｄ）は、例えば、０．７５μｍである。コンタクトホールＣＮＴ４の深さ（Ｈ）は、例えば、０．５μｍである。

図８に示す工程では、第１方向から斜方蒸着を行う。具体的には、コンタクトホールＣＮＴ４の表面、画素電極２７の表面、及び第３層間絶縁層１１ｄの表面など蒸着面に対して、第１方向から斜方蒸着を行う。

第１方向は、上記したように、配向方向の側とは反対側の方向であり、鉛直軸から角度θ傾けた方向である。これにより、少なくともコンタクトホールＣＮＴ４の側壁のうち半分の領域を蒸着膜で覆うことができる。加えて、画素電極２７の表面、及び第３層間絶縁層１１ｄの表面に、第１蒸着膜２８ａを形成することができる。

図９に示す工程では、第２方向から斜方蒸着を行う。第２方向は、上記したように、配向方向の側と同じ方向であり、鉛直軸から角度θ傾けた角度である。これにより、少なくともコンタクトホールＣＮＴ４の側壁のうち、残りの半分の領域を蒸着膜で覆うことができる。加えて、画素電極２７の表面、及び第３層間絶縁層１１ｄの表面に、第２蒸着膜２８ｂを形成することができる。

図１０に示す工程では、第３方向から斜方蒸着を行う。第３方向は、上記したように、配向方向である。これにより、少なくともコンタクトホールＣＮＴ４の側壁の一部、画素電極２７の表面、及び第３層間絶縁層１１ｄの表面に、第３蒸着膜２８ｃを形成することができる。

このように形成することにより、配向方向である第３方向からの斜方蒸着膜によって全ての蒸着面を覆うことはできないものの、素子基板１０の蒸着面の全体を斜方蒸着膜で覆うことが可能となる。よって、コンタクトホールＣＮＴ４の部分が配向不良になることを抑えることが可能となり、表示品質が劣化することを抑えることができる。

なお、第１方向からの蒸着、第２方向からの蒸着、第３方向からの蒸着の順番は、先に配向方向の側とは反対側から斜方蒸着を行い、最終工程になるほど、配向方向に近づけて蒸着させていくことが好ましい。

＜電子機器の構成＞
図１１は、電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図である。以下、プロジェクターの構成を、図１１を参照しながら説明する。

図１１に示すように、本実施形態のプロジェクター１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された照明系としての偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投写レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系１４００を構成する投写レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、後述する液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

以上のような構成の電子機器は、上述した実施形態の液晶装置１００を用いるため、信頼性が高く優れた表示特性を有するプロジェクター１０００を提供することができる。

なお、上記液晶装置１００が搭載される電子機器としては、プロジェクター１０００の他、例えば、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、照明機器など各種電子機器に用いることができる。

以上詳述したように、液晶装置１００、液晶装置１００の製造方法、及びプロジェクター１０００によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）本実施形態の液晶装置１００、及び液晶装置１００の製造方法によれば、第１方向及び第２方向から蒸着を行って第１蒸着膜２８ａ及び第２蒸着膜２８ｂを形成するので、特に蒸着膜が形成されにくいコンタクトホールＣＮＴ４の側壁の全体に蒸着膜（２８ａ，２８ｂ）を形成することができる。更に、配向方向（第３方向）に倣って第３蒸着膜２８ｃを形成するので、液晶を正常な方向に配向させることができる。よって、コンタクトホールＣＮＴ４などの窪みにおいても蒸着膜を形成することが可能となり、液晶が乱れることを抑えることができる。加えて、この順番で蒸着させることにより、チルトへの影響を少なくすることができる。

（２）本実施形態の液晶装置１００、及び液晶装置１００の製造方法によれば、第１蒸着膜２８ａ及び第２蒸着膜２８ｂを、上記角度θの範囲から蒸着することにより、コンタクトホールＣＮＴ４の窪みの中の全体に蒸着膜を成膜させることができる。加えて、上記角度θの範囲から蒸着させることにより、一般的な蒸着法では形成されない部分に蒸着膜を形成することができる。

（３）本実施形態のプロジェクター１０００によれば、上記液晶装置１００を備えているので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記したように、斜方蒸着を行う順番は、第１方向、第２方向、第３方向の順に行っていくことに限定されず、例えば、最初に第２方向から行った後に第１方向から行うようにしてもよい。少なくとも、第３方向が最終工程になることが望ましい。

（変形例２）
上記したように、コンタクトホールＣＮＴ４の位置は、平面視で画素電極２７の端部近傍にあることに限定されず、どの位置に形成されている場合でも、本実施形態の蒸着法を適用することができる。

（変形例３）
上記したように、斜方蒸着法を用いて無機配向膜（２８）を形成することに限定されず、それ以外の方法を用いて無機配向膜を形成するようにしてもよい。

（変形例４）
上記したように、透過型の液晶装置１００に適用することに限定されず、反射型の液晶装置に適用するようにしてもよい。

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光層、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…基板としての第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁層、１２ａ…配線層としての中継電極、１３…絶縁層、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光層、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２３…外部接続端子、２４…走査線駆動回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、２８ａ…第１蒸着膜、２８ｂ…第２蒸着膜、２８ｃ…第３蒸着膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、４０…固定電位線、１００…液晶装置、１０００…プロジェクター、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３…リレーレンズ、１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投写レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン、１４００…投写光学系。

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板上に設けられた配線層と、
   前記配線層の上に設けられた絶縁層と、
   前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記配線層と電気的に接続された画素電極と、
   前記コンタクトホールの側壁を含む前記画素電極の表面、及び前記絶縁層の表面に設けられた配向膜と、
   を備え、
   前記配向膜は、配向方向と同じ側の方向、又は反対側の方向である第１方向から蒸着された第１蒸着膜と、
   鉛直軸を基準に前記第１方向から１８０°回転させた第２方向から蒸着された第２蒸着膜と、
   前記配向方向から蒸着された第３蒸着膜と、
   を備えることを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１に記載の液晶装置であって、
   前記第１方向は、前記配向方向の側とは反対側の方向であり、
   前記第２方向は、前記配向方向の側と同じ方向であることを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の液晶装置であって、
   前記コンタクトホールの穴径をＤ、前記コンタクトホールの深さをＨ、前記コンタクトホールの鉛直方向に対する角度をθ、としたとき、
   前記第１方向及び前記第２方向の角度θは、０＜θ＜ｔａｎ^-1（Ｄ／２Ｈ）の範囲内であることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
   前記第１蒸着膜、前記第２蒸着膜、及び前記第３蒸着膜は、斜方蒸着によって成膜された蒸着膜であることを特徴とする液晶装置。
5. 基板上に配線層を形成する工程と、
   前記配線層の上に絶縁層を形成する工程と、
   前記配線層の表面の一部が露出するように、前記絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、
   前記絶縁層の表面、前記コンタクトホールの側壁、及び前記配線層の一部に亘って画素電極となる材料を成膜する工程と、
   前記材料をパターニングして前記画素電極を形成する工程と、
   配向方向と同じ側の方向、又は前記配向方向の側とは反対側の方向である第１方向から蒸着を行って、前記絶縁層の表面、前記画素電極の表面、及び前記配線層の一部に第１蒸着膜を成膜する工程と、
   鉛直軸を基準に前記第１方向から１８０°回転させた第２方向から蒸着を行って、前記絶縁層の表面、前記画素電極の表面、及び前記配線層の一部に第２蒸着膜を成膜する工程と、
   前記配向方向に倣って蒸着を行い前記絶縁層の表面、及び前記画素電極の表面に第３蒸着膜を成膜する工程と、
   を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
6. 請求項５に記載の液晶装置の製造方法であって、
   前記第１方向は、前記配向方向の側とは反対側の方向であり、
   前記第２方向は、前記配向方向の側と同じ方向であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
7. 請求項５又は請求項６に記載の液晶装置の製造方法であって、
   前記コンタクトホールの穴径をＤ、前記コンタクトホールの深さをＨ、前記コンタクトホールの鉛直方向に対する角度をθ、としたとき、
   前記第１方向及び前記第２方向の角度θは、０＜θ＜ｔａｎ^-1（Ｄ／２Ｈ）の範囲内であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
8. 請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
   前記第１蒸着膜、前記第２蒸着膜、及び前記第３蒸着膜は、斜方蒸着法によって形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
9. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。

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