JP2016029431A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品質を向上させると共に、かかるコストを抑えることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】素子基板１０と、素子基板１０と対向するように配置された対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間にシール材１４を介して挟持された液晶層１５と、を備える液晶パネル１００と、液晶パネル１００を覆うように配置される見切り１１０と、見切り１１０を覆うように配置される反射防止層１１２と、を含む。【選択図】図７

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。

上記電気光学装置の一つとして、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやプロジェクターのライトバルブなどにおいて用いられている。

液晶装置は、例えば、素子基板と、素子基板と対向するように配置された対向基板と、素子基板と対向基板との間に挟持された液晶層と、を備えている。更に、素子基板の液晶層とは反対側、及び対向基板の液晶層とは反対側には、表示領域外の遮光、及び空気とパネルとの界面の反射防止などの機能を備える防塵ガラスが配置されている。

例えば、特許文献１には、液晶装置の厚みを薄くしたり、かかるコストを抑えたり、また放熱性を向上させたりするために、防塵ガラスを設けない構造の液晶装置が開示されている。

特開２０００−３４７１６８号公報

しかしながら、防塵ガラスを省いた場合、例えば、迷光による駆動回路の動作不良や、空気とパネルとの界面における光の反射により、表示の明るさが低減するという課題がある。

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、素子基板と、前記素子基板と対向するように配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に配置された電気光学層と、を備える電気光学パネルと、前記電気光学パネルを覆うように配置される遮光層と、前記遮光層を覆うように配置される反射防止層と、を含むことを特徴とする。

本適用例によれば、電気光学パネルを覆うように遮光層及び反射防止層を配置する、言い換えれば、素子基板及び対向基板に直接遮光層及び反射防止層を配置するので、例えば、遮光層及び反射防止層を配置するために防塵基板を配置する場合と比較して、パネル全体の厚みを薄くすることができる。また、遮光層及び反射防止層も配置されているので、表示領域に不要な光が侵入したり、必要な光量が低下したりすることを抑えることができる。その結果、表示品質を向上させることが可能となると共に、かかるコストを抑えることができる。

［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記反射防止層は、前記遮光層に接するように配置されることが好ましい。

本適用例によれば、遮光層に接するように反射防止層が配置されているので、遮光層と反射防止層との間に互いの膜を付着させるための膜を配置する場合と比較して、電気光学装置全体を薄くすることができる。また、プロセスを簡素化することが可能となり、かかるコストを抑えることができる。

［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記反射防止層と前記遮光層との間に、絶縁層が配置されることが好ましい。

本適用例によれば、反射防止層と遮光層との間に絶縁層を配置するので、遮光層の段差を緩和させることが可能となり、平坦化することができる。また、遮光層の材料に対して付着性の悪い反射防止層の材料も用いることができる。言い換えれば、用いる使用材料の範囲を広げることができる。

［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記反射防止層は、前記対向基板に接するように配置されることが好ましい。

本適用例によれば、対向基板に接するように反射防止層が配置されているので、防塵基板を省略することが可能となり、電気光学装置全体の厚みを薄くすることができる。よって、かかるコストを抑えることができる。

［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記反射防止層と前記対向基板との間に、絶縁層が配置されることが好ましい。

本適用例によれば、反射防止層と対向基板との間に絶縁層が配置されているので、対向基板に対して付着性の悪い反射防止層の材料を用いることができる。よって、材料の選択肢を増やすことができる。また、絶縁層を介すことにより、反射防止層の段差を緩和させることができる。

［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置において、前記電気光学パネルの少なくとも側面を囲うようにフレームが配置されており、前記フレームと、前記遮光層及び前記反射防止層と、の間に導電部材が配置されていることが好ましい。

本適用例によれば、電気光学パネルの周囲に、導電部材を介してフレームが配置されているので、電気光学パネルに蓄積された電荷を、フレームを介して逃がすことが可能となる。

［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置において、前記フレームは開口部を有し、前記開口部の縁は、前記遮光層と平面視で重なるように配置されていることが好ましい。

本適用例によれば、フレームの開口部の縁が、遮光層と平面視で重なるように配置されているので、開口部から電気光学パネルを冷却することが可能となり、電気光学パネルの放熱性を向上させることができる。

［適用例８］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、上記に記載の電気光学装置を製造することを特徴とする。

本適用例によれば、上記に記載の電気光学装置を製造するので、電気光学パネルの厚みを薄くすることができると共に、表示品質を向上させることができる。加えて、かかるコストを抑えて製造することができる。

［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、上記に記載の電気光学装置を備えているので、表示品質が向上したり、かかるコストを抑えたりすることが可能な電子機器を提供することができる。

大型基板の構成を示す模式平面図。 図１に示す大型基板のＡ部を拡大して示す拡大平面図。 液晶パネルの構成を示す模式平面図。 図３に示す液晶パネルのＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。 液晶パネルの画素の構造を示す模式断面図。 液晶装置を上方から示す模式平面図。 図６に示す液晶装置のＢ−Ｂ’線に沿う模式断面図。 図７に示す液晶装置のＣ部を拡大して示す拡大断面図。 液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。 プロジェクターの構成を示す概略図。 変形例の液晶装置の構造を示す模式断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

本実施形態では、電気光学装置の一例として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

＜電気光学パネルを含む大型基板の構成＞
図１は、大型基板の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す大型基板のＡ部を拡大して示す拡大平面図である。以下、大型基板の構成を、図１及び図２を参照しながら説明する。

図１に示すように、大型基板５００は、例えば、電気光学パネルとしての液晶パネル１００を同時に複数製造することができる。大型基板５００には、液晶パネル１００を構成する一対の基板が複数個分、マトリックス状に面付けされている。大型基板５００の大きさは、例えば、８インチである。大型基板５００のうち一方の基板（第１大型基板）の厚みは、例えば、１．２ｍｍである。他方の基板（第２大型基板）の厚みは、例えば、０．７ｍｍである。大型基板５００の材質は、例えば、石英である。

大型基板５００は、液晶パネル１００のうち製品となる領域の有効チップ領域５０１と、有効チップ領域５０１の周囲の領域である、液晶パネル１００のうち製品とならない領域のダミーチップ領域５０２とを有する。

図２に示すように、各液晶パネル１００には、表示領域Ｅの周辺に、周辺回路としてのデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４、及び外部接続用端子部３５が形成されている。データ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４と外部接続用端子部３５とは、互いに配線２９によって、電気的に接続されている。

＜電気光学パネルとしての液晶パネルの構成＞
図３は、液晶パネルの構成を示す模式平面図である。図４は、図３に示す液晶パネルのＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。以下、液晶パネルの構成を、図３及び図４を参照しながら説明する。

図３及び図４に示すように、本実施形態の液晶パネル１００は、対向するように配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された電気光学層としての液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板、あるいはシリコン基板が用いられ、対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板１０，２０は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材１４の内側で、素子基板１０は対向基板２０の間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図３及び図４では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光膜（ブラックマトリックス：ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。

素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。

対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と表示領域Ｅとの間には、遮光部材としての遮光膜１８が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図３では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。

これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子部３５に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。

図４に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。

また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、配向膜２８を含むものである。

対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁膜３３と、絶縁膜３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも絶縁膜３３、対向電極３１、配向膜３２を含むものである。

遮光膜１８は、図３に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

絶縁膜３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁膜３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁膜３３を覆うと共に、図３に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通端子部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

画素電極２７を覆う配向膜２８、および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶パネル１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜２８，３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた配向膜が挙げられる。

このような液晶パネル１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。

＜液晶パネルを構成する画素の構成＞
図５は、液晶パネルの画素の構造を示す模式断面図である。以下、液晶パネルの画素の構造を、図５を参照しながら説明する。なお、図５は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。

図５に示すように、液晶パネル１００は、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。

図５に示すように、第１基材１０ａ上には、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）等の材料を含む下側遮光層３ｃが形成されている。下側遮光層３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Ｐの開口領域を規定している。なお、下側遮光層３ｃは、導電性を有し、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光層３ｃ上には、酸化シリコン等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。

下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。

半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。

チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。

ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇ上には、酸化シリコン等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。

誘電体膜１６ｃは、例えば、シリコン窒化膜である。第２容量電極１６ｂ（容量線３ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。

第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。

容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、ゲート絶縁層１１ｇ、第１層間絶縁層１１ｂ、誘電体膜１６ｃ、及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ２を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。

データ線６ａの上層には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。第３層間絶縁層１１ｄは、例えば、シリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生じる表面の凸部を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。第３層間絶縁層１１ｄには、コンタクトホールＣＮＴ４が形成されている。

画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ４，ＣＮＴ３を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。

画素電極２７及び隣り合う画素電極２７間の第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。配向膜２８の上には、シール材１４（図３及び図４参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。

一方、第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、例えば、ＰＳＧ膜（リンをドーピングした酸化シリコン）などからなる絶縁膜３３が設けられている。絶縁膜３３上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。

液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、素子基板１０と対向基板２０の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。

＜電気光学装置としての液晶装置の構造＞
図６は、液晶装置を上方から見た模式平面図である。図７は、図６に示す液晶装置のＢ−Ｂ’線に沿う模式断面図である。図８は、図７に示す液晶装置のＣ部を拡大して示す拡大断面図である。以下、液晶装置の構造を、図６〜図８を参照しながら説明する。

図６及び図７に示すように、液晶パネル１００は、上記したように、素子基板１０と、素子基板１０と対向するように配置された対向基板２０と、を備えている。素子基板１０と対向基板２０との間には、液晶層１５が挟持されている。

素子基板１０における液晶層１５と反対側には、遮光層としての見切り１１０ａと反射防止層１１２ａとが配置されている。対向基板２０における液晶層１５と反対側には、素子基板１０と同様、見切り１１０ｂと反射防止層１１２ｂとが配置されている。なお、見切り１１０ａ，１１０ｂと反射防止層１１２ａ，１１２ｂとの間には、絶縁層としてのオーバーコート１１１ａ，１１１ｂが配置されている。

オーバーコート１１１ａ，１１１ｂは、見切り１１０ａ，１１０ｂの材料に対して反射防止層１１２ａ，１１２ｂの付着性が良くない場合、用いることが好ましい。これにより、反射防止層１１２の材料の選択肢を増やすことができる。なお、付着性があれば、オーバーコート１１１ａ，１１１ｂは配置しなくてもよい。

また、オーバーコート１１１ａ，１１１ｂを設けることにより、見切り１１０ａ，１１０ｂの段差を緩和させることが可能となり、平坦なオーバーコート１１１ａ，１１１ｂ上に反射防止層１１２ａ，１１２ｂを形成することができる。

液晶装置１０１は、上記液晶パネル１００と、液晶パネル１００の周囲を囲むように開口部１２０ａを有するフレーム１２０が設けられている。液晶パネル１００とフレーム１２０との間には、導電部材としての導電性の接着剤１１３が配置されており、液晶パネル１００に蓄積された電荷をフレーム１２０に逃がすことが可能になっている。これにより、液晶パネル１００にゴミなどが付着することを抑えることができる。なお、見切り１１０はメタル部材で構成されている。

反射防止層１１２は、例えば、低屈折率と高屈折率との積層膜で構成されている。低屈折率の材料としては、例えば、酸化シリコンが挙げられる。高屈折率の材料としては、例えば、ジルコニア（二酸化ジルコニウム）が挙げられる。

見切り１１０周辺の構造は、図８に示すように、見切り１１０ｂと接着剤１１３との接触面積が多くなるように、見切り１１０ｂの上面は、オーバーコート１１１ｂ及び反射防止層１１２ｂと重ならない領域があることが好ましい。これにより、見切り１１０ｂの側面のみが接着剤１１３と接触する場合と比較して、液晶パネル１００に蓄積した電荷を、見切り１１０ｂからフレーム１２０により確実に逃がすことができる。

また、フレーム１２０の開口部１２０ａ端部は、例えば、見切り１１０ｂの内縁１１０ｂ１より外側、かつ、オーバーコート１１１ｂ及び反射防止層１１２ｂの外縁１１２ｂ１より内側になるように配置されている。

このように、防塵ガラスを介すことなく、対向基板２０及び素子基板１０に直接、見切り１１０ａ，１１０ｂや反射防止層１１２ａ，１１２ｂを形成することにより、液晶装置１０１を薄型化することができ、かかるコストを抑えることができる。また、見切り１１０や反射防止層１１２が形成されているので、不要な光が表示されることなく、表示品質を向上させることができる。

＜液晶装置の製造方法＞
図９は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。以下、液晶装置の製造方法を、図９を参照しながら説明する。

最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ１１では、石英基板などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０を形成する。具体的には、まず、第１基材１０ａ上に、アルミニウムなどからなる下側遮光層３ｃ（走査線）を成膜する。その後、周知の成膜技術を用いて、酸化シリコンなどからなる下地絶縁層１１ａを成膜する。

次に、下地絶縁層１１ａ上に、ＴＦＴ３０を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、ＴＦＴ３０を形成する。

ステップＳ１２では、画素電極２７を形成する。まず、ＴＦＴ３０などの上に複数の層間絶縁層１１を形成する。その後、層間絶縁層１１上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、画素電極２７を形成する。

ステップＳ１３では、配向膜２８を形成する。具体的には、画素電極２７などを覆うように配向膜２８を斜方蒸着法により形成する。これにより、素子基板１０の表面に、所定の角度に傾くように柱状に積み重ねられたカラム（図示省略）を有する配向膜２８が形成される。以上により、素子基板１０側が完成する。

次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３１を形成する。

ステップＳ２２では、対向電極３１上に配向膜３２を形成する。配向膜３２の製造方法は、上記した配向膜２８の場合と同様であり、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。

ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。具体的には、例えば、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に（表示領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。

シール材１４としては、例えば、紫外線硬化型エポキシ樹脂が挙げられる。なお、紫外線などの光硬化型樹脂に限定されず、熱硬化型樹脂などを用いるようにしてもよい。また、シール材１４には、例えば、素子基板１０と対向基板２０との間隔（ギャップ或いはセルギャップ）を所定値とするためのスペーサー等のギャップ材が含まれている。

ステップＳ３２では、シール材１４で囲まれた中に液晶を滴下する。詳しくは、シール材１４で囲まれた領域に液晶を滴下する（ＯＤＦ（One Drop Fill）方式）。滴下する方法としては、例えば、インクジェットヘッドなどを用いることができる。また、液晶は、シール材１４によって囲まれた領域（表示領域Ｅ）の中央部に滴下することが望ましい。

ステップＳ３３では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、第１大型基板に塗布されたシール材１４を介して第１大型基板と第２大型基板とを貼り合わせて、大型基板５００を形成する。

ステップＳ３４では、大型基板５００に見切り１１０を形成する。具体的には、第１大型基板（素子基板１０）の液晶層１５と反対側、及び第２大型基板（対向基板２０）の液晶層１５と反対側に、見切り１１０を形成する。見切り１１０の製造方法としては、例えば、マスクを用いた真空蒸着法を用いることができる。

ステップＳ３５では、大型基板５００に反射防止層１１２を形成する。具体的には、まず、第１大型基板の液晶層１５と反対側の面、及び第２大型基板の液晶層１５と反対側の面に、オーバーコート１１１を形成する。その後、オーバーコート１１１を覆うように、反射防止層１１２を形成する。

反射防止層１１２は、例えば、真空蒸着法で形成することができる。このように、大型基板５００の状態で反射防止層１１２を形成するので、１つの液晶パネル１００に反射防止層１１２を形成する場合と比較して、製造方法の簡略化、及びかかるコストや工数を抑えることができる。

ステップＳ３６では、大型基板５００を切断する。具体的には、ダイシング処理を行ってスクライブし、その後に応力を加えてブレイクして、複数の液晶パネル１００を形成する。その後、接着剤１１３を用いて液晶パネル１００とフレーム１２０とを接着する。以上により、液晶装置１０１が完成する。

＜電子機器の構成＞
次に、上記液晶装置を備えた電子機器としてのプロジェクターについて、図１０を参照しながら説明する。図１０は、プロジェクターの構成を示す概略図である。

図１０に示すように、本実施形態のプロジェクター１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１０１が適用されたものである。液晶装置１０１は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このようなプロジェクター１０００に、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０を用いているので、高い信頼性を得ることができる。

なお、液晶装置１０１が搭載される電子機器としては、プロジェクター１０００の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。

以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１０１、液晶装置１０１の製造方法、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）本実施形態の液晶装置１０１、及び液晶装置１０１の製造方法によれば、液晶パネル１００を覆うように見切り１１０及び反射防止層１１２を形成する、言い換えれば、素子基板１０及び対向基板２０に直接見切り１１０及び反射防止層１１２を形成するので、例えば、見切り１１０及び反射防止層１１２を配置するために防塵基板を配置する場合と比較して、液晶パネル１００全体の厚みを薄くすることができる。また、見切り１１０及び反射防止層１１２も従来と同様に形成するので、表示領域Ｅに不要な光が侵入したり、必要な光量が低下したりすることを抑えることができる。その結果、表示品質を向上させることが可能となると共に、かかるコストを抑えることができる。

（２）本実施形態の液晶装置１０１によれば、見切り１１０にメタル材料を用いて、フレーム１２０と導電性の接着剤１１３を介して電気的に接続させることにより、液晶パネル１００に蓄積された電荷をフレーム１２０に逃がすことが可能となる。これにより、液晶パネル１００にゴミが付着しにくくなり、表示品質を向上させることができる。加えて、液晶パネル１００に蓄積された熱を、接着剤１１３からフレーム１２０に伝えて放熱させることができる。

（３）本実施形態の電子機器によれば、上記に記載の液晶装置１０１を備えているので、表示品質が向上したり、かかるコストを抑えたりすることが可能な電子機器を提供することができる。

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記した実施形態のように、フレーム１２０の開口部１２０ａ端部は、見切りの内縁１２０ａ１辺りになるように配置することに限定されず、例えば、図１１に示すようにしてもよい。図１１は、変形例の液晶装置１０２の構造を示す模式断面図である。変形例の液晶装置１０２は、上述の実施形態と比べて、フレーム１２１の開口部１２１ａ端部が、見切り１１０の外縁１１０ｂ２に近い辺りになるように配置する部分が異なっている。その他の構成については概ね同様である。

図１１に示すように、フレーム１２１の開口部１２１ａ端部は、見切り１１０の外縁１１０ｂ２に近い部分になるようにフレーム１２１が配置されている。なお、開口部１２１ａ端部の位置としては、見切り１１０の内縁１１０ｂ１から外縁１１０ｂ２の間になるように配置することが好ましい。更に、好ましくは、見切り１１０ｂの外縁１１０ｂ２に近い部分に開口部１２１ａ端部がくるように配置することが好ましい。

これによれば、フレーム１２１の開口部１２１ａの領域が広いので、液晶パネル１００に蓄積された熱が発熱しやすい。よって、例えば、液晶パネル１００を上記したプロジェクター１０００に適用した場合、開口部１２１ａに風が当たりやすいので、光源からの熱を放熱しやすくできる。

また、接着剤１１３を介して、液晶パネル１００とフレーム１２０とが接続されているので、液晶パネル１００の熱をフレーム１２０に放熱しやすくなっている。これらにより、液晶パネル１００の冷却性能を向上させることができる。

（変形例２）
上記した実施形態のように、素子基板１０及び対向基板２０の両方に見切り１１０や反射防止層１１２を設けたが、素子基板１０又は対向基板２０のどちらかに見切り１１０や反射防止層１１２を設けるようにしてもいい。

（変形例３）
上記したように、オーバーコート１１１ａを介して素子基板１０に反射防止層１１２ａを形成したり、オーバーコート１１１ｂを介して対向基板２０に反射防止層１１２ｂを形成したりすることに限定されず、オーバーコート１１１ａ，１１１ｂを介さずに素子基板１０に反射防止層１１２ａを形成したり、対向基板２０に反射防止層１１２ｂを形成したりしてもよい。

（変形例４）
上記したように、電気光学装置として液晶装置１０１（液晶パネル１００）を適用することに限定されず、例えば、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー（ＥＰＤ）等に適用するようにしてもよい。

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光層、ＣＮＴ１〜ＣＮＴ４…コンタクトホール、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１…層間絶縁層、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁層、１４…シール材、１５…電気光学層としての液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通端子部、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…絶縁膜、３５…外部接続用端子部、１００…電気光学パネルとしての液晶パネル、１０１，１０２…液晶装置、１１０，１１０ａ，１１０ｂ…遮光層としての見切り、１１１，１１１ａ，１１１ｂ…絶縁層としてのオーバーコート、１１２，１１２ａ，１１２ｂ…反射防止層、１１３…導電部材としての接着剤、１２０，１２１…フレーム、５００…大型基板、５０１…有効チップ領域、５０２…ダミーチップ領域、１０００…プロジェクター、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。

Claims (9)

1. 素子基板と、前記素子基板と対向するように配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に配置された電気光学層と、を備える電気光学パネルと、
   前記電気光学パネルを覆うように配置される遮光層と、
   前記遮光層を覆うように配置される反射防止層と、
   を含むことを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置であって、
   前記反射防止層は、前記遮光層に接するように配置されることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項２に記載の電気光学装置であって、
   前記反射防止層と前記遮光層との間に、絶縁層が配置されることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記反射防止層は、前記対向基板に接するように配置されることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記反射防止層と前記対向基板との間に、絶縁層が配置されることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記電気光学パネルの少なくとも側面を囲うようにフレームが配置されており、
   前記フレームと、前記遮光層及び前記反射防止層と、の間に導電部材が配置されていることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項６に記載の電気光学装置であって、
   前記フレームは開口部を有し、前記開口部の縁は、前記遮光層と平面視で重なるように配置されていることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置を製造する工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
9. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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