JP2022038106A - 電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品質を向上させることが可能な液晶装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】複数の画素電極２７を備えた素子基板と、素子基板と対向配置された共通電極を備えた対向基板と、素子基板と対向基板との間に封入された液晶層と、を備え、対向基板は、画素電極２７と平面視で重ならない領域に複数の液晶貯留部５０を備える。【選択図】図５

Description

本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関する。

液晶装置として、画素にスイッチング素子を備えたアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。このような液晶装置は、例えば、電子機器としてのプロジェクターのライトバルブとして用いられる。

液晶装置は、例えば、プロジェクターのレーザー光源などから強い光が照射されると、液晶層に含まれる液晶分子が分解され、液晶層の中に表示不良の原因となる劣化物が生成されることがある。
この点を鑑み、例えば、特許文献１では、液晶の劣化を抑制する技術が提案されている。特許文献１によれば、対向基板における画素領域の周囲の遮光領域に、凹部からなる液体貯留部を設けることにより液晶の総量を増加させ、液晶全体が劣化するまでの時間を遅らせることができる。

特開２００７－１３９９２６号公報

しかしながら、特許文献１の技術には、改善の余地があった。詳しくは、液体貯留部を構成する凹部の側面における透明電極の付き回りが悪くなる恐れがあった。透明電極の段差被覆状態が悪いと、電極への駆動電圧の供給が不安定となり、表示に不具合が生じる懸念がある。つまり、液晶の劣化を抑制するとともに、表示品質の良い電気光学装置が求められていた。

電気光学装置は、複数の画素電極を備えた素子基板と、前記素子基板と対向配置された共通電極を備えた対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に封入された液晶層と、を備え、前記対向基板は、前記画素電極と平面視で重ならない領域に複数の液晶貯留部を備える。

電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備える。

電気光学装置としての液晶装置の構成を示す平面図。 図１に示す液晶装置のＨ－Ｈ’線に沿う断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 第１実施形態の液晶装置の液晶貯留部の構成を示す平面図。 図４に示す液晶装置のＡ－Ａ’線に沿う断面図。 電子機器としてのプロジェクターの構成を示す模式図。 第２実施形態の液晶装置の液晶貯留部の構成を示す平面図。 図７に示す液晶装置のＢ－Ｂ’線に沿う断面図。 第３実施形態の液晶装置の液晶貯留部の構成を示す平面図。 図９に示す液晶装置のＣ－Ｃ’線に沿う断面図。

第１実施形態
図１及び図２に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された電気光学層としての液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス又は石英などである。

図１は、液晶装置の構成を示す平面図である。素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。

シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、例えば、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサーが混入されている。

シール材１４の内側には、表示に寄与する複数の画素Ｐを配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅの周囲には、表示に寄与しない周辺回路などが設けられた非表示領域Ｅ１が配置されている。

素子基板１０は、矩形形状であり、第１辺部、第２辺部、第３辺部及び第４辺部を備える。素子基板１０の第１辺部に沿ったシール材１４と第１辺部との間には、データ線駆動回路２２が設けられている。また、第１辺部に対向する第２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間には、検査回路２５が設けられている。さらに、第１辺部と直交し互いに対向する第３辺部及び第４辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路２４が設けられている。第２辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。

対向基板２０における額縁状に配置されたシール材１４の内側の領域には、同じく額縁状に遮光膜１８が設けられている。額縁状の遮光膜１８の内側の領域が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。

データ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、第１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子７０に接続されている。以降、第１辺部及び第２辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３辺部及び第４辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。また、Ｚ方向から見ることを平面視という、液晶装置１００は、Ｚ方向に素子基板１０及び対向基板２０とが配向配置される。

図２は、図１に示す液晶装置のＨ－Ｈ’線に沿う断面図である。第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極２７と、スイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、「トランジスター３０」と呼称する）と、データ線（図示せず）と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。

画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜で形成されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも、複数の画素電極２７、トランジスター３０、第１配向膜２８を含むものである。

第２基材２０ａの液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁層３３と、絶縁層３３を覆うように設けられた共通電極３１と、共通電極３１を覆う第２配向膜３２と、Ｚ方向に凹んだ複数の液晶貯留部５０が設けられている。第２配向膜３２は、第１配向膜２８と同様に、例えば、酸化シリコンなどの無機材料が斜方蒸着されている。本発明における対向基板２０は、少なくとも、共通電極３１、第２配向膜３２、複数の液晶貯留部５０を含むものである。

遮光膜１８は、光反射性を有する金属あるいは金属酸化物などからなり、例えば、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）を用いることができる。遮光膜１８は、図１に示すように表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮光して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮光して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

共通電極３１は、絶縁層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。共通電極３１は、共通の信号が供給され、複数の画素電極２７に対向し、表示領域Ｅにおいて一つの対向電極として形成されている。共通電極３１は、例えば、ＩＴＯなどの透明導電膜からなる。

画素電極２７を覆う第１配向膜２８および共通電極３１を覆う第２配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。第１配向膜２８及び第２配向膜３２としては、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料が斜方蒸着され、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。

このような液晶装置１００は、透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。

図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。例えば、走査線３ａが延在する方向が図１に示したＸ方向に対応し、データ線６ａが延在する方向が図１で示したＹ方向に対応する。

走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、トランジスター３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３ａはトランジスター３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはトランジスター３０のソース領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、トランジスター３０のドレイン領域に電気的に接続されている。

データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１～Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１～ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるトランジスター３０が走査信号ＳＣ１～ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１～Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１～Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された共通電極３１との間で一定期間保持される。

保持された画像信号Ｄ１～Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と共通電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に容量膜としての誘電体層を有するものである。

図４は、液晶装置１００のうち主に対向基板２０に設けられた液晶貯留部５０の構成を示す平面図である。なお、図４は、図１の表示領域Ｅと非表示領域Ｅ１の境界近辺の一部を拡大した図であり、素子基板１０側の画素電極２７やシール材１４を破線で示し、液晶貯留部５０を強調して示している。画素電極２７の形状は、例えば、４つの角部２７ａを有する略四角形状である。

図４に示すように、対向基板２０の表示領域Ｅには、平面視で画素電極２７と重ならない領域に複数の液晶貯留部５０が設けられている。図４では、液晶貯留部５０は、対向基板２０において、平面視で隣り合う４つの画素電極２７によって囲まれた領域に、各画素電極２７の角部２７ａを構成する交差する二辺に沿うように、略十字形状の第１凹部としてのＺ方向に凹んだ凹部５０ａが設けられている。凹部５０ａの中、即ち液晶貯留部５０の内部は、液晶が貯まる部分である。第１凹部は、略十字形状でなく、４つの角部２７ａ対応した部分に略矩形や円形として形成されてもよく、また、隣り合う画素電極２７との間である画素電極間に略矩形や円形として形成されてよい。また、液晶層１５の厚さを規定するスペーサーが形成される場合、第１凹部は、スペーサーと重ならい位置に形成することが望ましい。

複数の液晶貯留部５０は、凹部５０ａが繋がっているのではなく、平坦部３１ａによって凹部５０ａが各々分離し、それぞれの液晶貯留部５０が孤立して設けられている。Ｙ方向に沿って隣り合う２つの凹部５０ａは、Ｘ方向に沿って隣り合う２つの画素電極２７の間において、平坦部３１ａを介して互いに離間している。Ｘ方向に沿って隣り合う２つの凹部５０ａは、Ｙ方向に沿って隣り合う２つの画素電極２７の間において、平坦部３１ａを介して互いに離間している。これにより、平面視で、１つの画素電極２７を囲む４つの凹部５０ａが、互いに離間している。この状態を孤立するという。凹部５０ａ、即ち液晶貯留部５０の幅Ｗ１は、例えば、０．４μｍ～１．０μｍであり、画素電極間の距離より０．２μｍ程度小さい。凹部５０ａのうち、Ｘ方向に沿って隣り合う２つの画素電極２７によって挟まれる部位のＸ方向に沿った幅がＷ１である。本実施形態では、凹部５０ａのうち、Ｙ軸に沿って隣り合う２つの画素電極２７によって挟まれる部位のＹ方向に沿った幅もＷ１である。隣り合う凹部５０ａとの間、即ち隣り合う液晶貯留部５０との間の平坦部３１ａの幅Ｗ２は、例えば、０．２μｍ以上である。共通電極３１は、平坦部３１ａに平坦に形成され、共通電極３１の全体に安定した電位を供給することができる。平坦部３１ａの幅Ｗ２は、Ｘ方向に沿って隣り合う２つの凹部５０ａによって挟まれる平坦部３１ａのＸ方向に沿った幅である。本実施形態では、Ｙ方向に沿って隣り合う２つの凹部５０ａによって挟まれる平坦部３１ａのＹ方向に沿った幅も例えば、０．２μｍ以上である。

図５は、図４に示す液晶装置のＡ－Ａ’線に沿う断面図である。対向基板２０には、液晶貯留部５０が設けられている。具体的には、絶縁層３３に凹部５０ａが設けられており、凹部５０ａの内壁を含む絶縁層３３の表面全体に亘って、共通電極３１と第２配向膜３２とが積層されている。凹部５０ａは、第２基材２０ａに形成してもよく、Ｚ方向の深さＨは、例えば、２μｍ～５０μｍである。深さＨは、深い程、液晶貯留部５０に貯留される液晶の体積を大きくすることができ、劣化物等の貯留効果を高めることができる。

複数の液晶貯留部５０が連続しておらず、凹部５０ａが孤立して設けられているので、液晶貯留部５０の無い平坦部３１ａの部分は、凹凸の発生が抑えられている。よって、凹部５０ａの内壁に共通電極３１を形成する液晶貯留部５０のように、共通電極３１の成膜が足りずに断線しやすくなることに対して、共通電極３１の全体に安定した電位を供給することができる。

対向基板２０における、平面視で画素電極２７と重ならない領域に液晶貯留部５０を設けるので、液晶貯留部５０の中に、液晶層１５に含まれる表示不良の原因となる劣化物を貯めることができる。具体的には、例えば、画素電極２７と共通電極３１との間に駆動電圧を印加して液晶層１５を駆動すると、液晶分子がプレチルトの方位角方向に倒れる。液晶層１５の駆動（ＯＮ／ＯＦＦ）を繰り返すと、液晶分子は、プレチルトの方位角方向に倒れたり、初期の配向状態に戻ったりする挙動を繰り返す。このとき、液晶分子の向きが変わることで、液晶層１５の中の液晶分子が循環される。この循環に伴って、液晶層１５に生成された劣化物を、液晶貯留部５０の中に貯めることができる。

図６に示すように、本実施形態の電子機器としてのプロジェクター１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投写レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源やレーザー光源からなる光源ユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２３０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。これにより、青色光は、赤色光および緑色光より液晶を劣化させやすいが、液晶ライトバルブ１２３０において、劣化物による表示品質への影響を抑制することができ、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０の表示品質のばらつきを抑えることができる。なお、液晶ライトバルブ１２３０は、後述する液晶装置２００，３００も適用される。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。上述した液晶装置１００は、他の液晶ライトバルブ１２１０、１２２０にも同様で適用可能である。また、液晶装置１００，２００，３００は、他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様に適用可能である。

なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、プロジェクター１０００の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。

以上述べたように、本実施形態の液晶装置１００は、複数の画素電極２７を備えた素子基板１０と、素子基板１０と対向配置された共通電極３１を備えた対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０との間に封入された液晶層１５と、を備え、対向基板２０は、画素電極２７と平面視で重ならない領域に複数の液晶貯留部５０を備える。

この構成によれば、凹部５０ａを有する液晶貯留部５０のそれぞれが孤立しているので、液晶貯留部５０を除く領域の共通電極３１に凹凸が生じることを抑えることができる。よって、共通電極３１の断線を抑えることが可能となり、共通電極３１の全体に安定した電位を供給することができる。更に、液晶貯留部５０を備えるので、例えば、液晶貯留部５０に液晶層１５に含まれる劣化物を貯めることができる。

また、液晶貯留部５０の凹部５０ａは、平面視で画素電極２７の角部２７ａを構成する交差する２つの直線に沿う領域を含む。凹部５０ａは、角部２７ａに沿う領域、即ち、少なくとも２方向（例えば、Ｘ方向やＹ方向）に沿う領域を含むので、劣化物の移動方向に影響されることなく、凹部５０ａに劣化物を貯めやすくすることができる。

また、液晶貯留部５０の凹部５０ａの深さは、２μｍ～５０μｍであるので、凹部５０ａに劣化物を貯めやすくすることができる。なお、凹部５０ａの深さは、劣化物の大きさなどに対応させて変えることが望ましい。

また、上記に記載の液晶装置１００を備えるので、表示品質を向上させることが可能なプロジェクター１０００を提供することができる。

第２実施形態
第２実施形態の液晶装置２００は、図７に示すように、表示領域Ｅの中に設けた液晶貯留部５０に加えて、表示領域Ｅとシール材１４との間の非表示領域Ｅ１に、液晶貯留部５１を設ける部分が、第１実施形態の液晶装置１００と異なっている。その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。

第２実施形態の液晶装置２００は、第１実施形態と同様に、表示領域Ｅに液晶貯留部５０が設けられている。更に、第２実施形態の液晶装置２００は、表示領域Ｅとシール材１４との間の領域、言い換えれば、非表示領域Ｅ１にも孤立した複数の液晶貯留部５１が設けられている。

具体的には、液晶貯留部５１は、平面視で、非表示領域Ｅ１側の画素電極２７の角部２７ａ（図５参照）の二辺と、その隣りの画素電極２７の角部２７ａの二辺と、に跨るような形状に形成されている。図８に示すように、液晶貯留部５１の深さＨは、液晶貯留部５０と同様に、例えば、２μｍ～５０μｍである。

また、図９に示すように、隣り合う液晶貯留部５１の間の平坦部３１ｂの幅Ｗ２は、例えば、０．２μｍ以上である。このように、平坦部３１ｂを設けることにより、例えば、液晶貯留部５１の第２凹部としての凹部５１ａの側面に共通電極３１が成膜されにくい場合であっても、平坦部３１ｂで共通電極３１が確実に成膜されているので、共通電極３１の全体に亘って安定した電位を供給することができる。

以上述べたように、本実施形態の液晶装置２００は、画素電極２７が設けられた領域を含む表示領域Ｅと、表示領域Ｅの外側の領域に非表示領域Ｅ１と、を有し、表示領域Ｅに設けられた凹部５０ａを有する液晶貯留部５０と、非表示領域Ｅ１に設けられた凹部５１ａを有する液晶貯留部５１と、を備える。

この構成によれば、非表示領域Ｅ１に凹部５１ａを有する液晶貯留部５１が設けられているので、表示領域Ｅから非表示領域Ｅ１に移動する劣化物を液晶貯留部５１に貯めることができる。

また、液晶貯留部５１と液晶貯留部５１との間に幅Ｗ２が０．２μｍ以上の平坦部３１ｂを備えるので、平坦部３１ｂにおいて共通電極３１が断線することを抑えることが可能となり、共通電極３１に安定した電位を供給することができる。

第３実施形態
第３実施形態の液晶装置３００は、図９及び図１０に示すように、液晶貯留部５０，５１を除く平坦部３１ａ，３１ｂ，３１ｃに撥水処理が施されている部分が、第２実施形態の液晶装置２００と異なっている。その他の構成については概ね同様である。このため第３実施形態では、第２実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。

第３実施形態の液晶装置３００は、対向基板２０において、液晶貯留部５０，５１を除く領域、即ち、平坦部３１ａ，３１ｂ，３１ｃに撥水処理が施されている。具体的には、第２配向膜３２における平坦部３１ａ，３１ｂ，３１ｃに、例えば、シランカップリング処理が施された撥水処理膜６０が形成されている。なお、シランカップリング処理に限定されず、他の撥水処理を施すようにしてもよい。また、対向基板２０において、画素電極２７と平面視で重なる領域を平坦部３１ｃとする。また、撥水処理膜６０は、対向基板２０側に形成することに限定されず、素子基板１０の画素電極２７と重なる領域に形成するようにしてもよい。

このように、液晶貯留部５０，５１を除く領域に撥水処理を施すことにより、液晶層１５に含まれる劣化物を平坦部３１ａ，３１ｂ，３１ｃから移動させやすくすることが可能となり、撥水処理を施していない液晶貯留部５０，５１の中に劣化物を貯留しやすくすることができる。

また、第２配向膜３２の全体にシランカップリング処理を施し、更に、平坦部３１ａ，３１ｂ，３１ｃのみにシランカップリング処理を追加処理するようにしてもよい。言い換えれば、液晶貯留部５０，５１の内壁の撥水性よりも、平坦部３１ａ，３１ｂ，３１ｃの撥水性の方が高くなっていればよい。また、平坦部３１ａ，３１ｂ，３１ｃに撥水処理を施し、液晶貯留部５０，５１の内壁に親水処理を施すようにしてもよい。また、第２配向膜３２に撥水処理は施さず、液晶貯留部５０，５１の内壁のみに親水処理を施すようにしてもよい。

以上述べたように、本実施形態の液晶装置３００は、液晶貯留部５０，５１を除く領域に撥水処理が施されているので、液晶貯留部５０，５１を除く領域に滞留する劣化物を移動させることが可能となり、劣化物を液晶貯留部５０，５１の中に貯めやすくすることができる。

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８…第１配向膜、２９…配線、３０…トランジスター、３１…共通電極、３１ａ，３１ｂ，３１ｃ…平坦部、３２…第２配向膜、３３…絶縁層、４１…配線層、４２，４３…遮光膜、５０，５１…液晶貯留部、５０ａ…液晶貯留部を構成する第１凹部としての凹部、５１ａ…液晶貯留部を構成する第２凹部としての凹部、６０…撥水処理膜、７０…外部接続用端子、１００，２００，３００…電気光学装置としての液晶装置、１０００…電子機器としてのプロジェクター、１１００…偏光照明装置、１１０１…光源ユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投写レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。

Claims (10)

1. 複数の画素電極を備えた素子基板と、
   前記素子基板と対向配置された共通電極を備えた対向基板と、
   前記素子基板と前記対向基板との間に封入された液晶層と、
   を備え、
   前記対向基板は、前記画素電極と平面視で重ならない領域に複数の液晶貯留部を備えることを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置であって、
   前記液晶貯留部は、前記画素電極の角部に沿う領域を含むことを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
   前記液晶貯留部は、隣り合う前記画素電極の間の領域を含むことを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１に記載の電気光学装置であって、
   前記液晶貯留部は、前記共通電極が形成された前記対向基板に孤立した凹部を設けることにより形成されることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項４に記載の電気光学装置であって、
   前記凹部の深さは、２μｍ～５０μｍであることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項４または請求項５に記載の電気光学装置であって、
   前記画素電極が設けられた領域を含む表示領域と、
   前記表示領域の外側の領域に非表示領域と、
   を有し、
   前記凹部は、前記表示領域に設けられた第１凹部と、前記非表示領域に設けられた第２凹部と、を備えることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記対向基板は、隣り合う前記凹部の間の領域に、前記共通電極が平坦に形成された平坦部を備え、前記平坦部の幅は、０．２μｍ以上であることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項４乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記対向基板における前記凹部を除く領域に、撥水処理膜が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項４乃至請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記対向基板は、液晶層の厚さを規定するスペーサーを備え、
   前記スペーサーと前記凹部は重ならないことを特徴とする電気光学装置。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

Images