JP2018045018A - 液晶装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示領域を囲む額縁領域に透光領域を設けて表示領域の縁での不純物の凝集を抑制するとともに、光の漏れを抑制し、表示品位を向上することのできる液晶装置および電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置１００において、画素電極が設けられた第１基板１０と、共通電極が設けられた第２基板２０との間では、四角形の表示領域１０ａにおいて液晶分子が配向している。第２基板２０においてシール材１０７と表示領域１０ａとの間の額縁領域２０ｂには、表示領域１０ａの辺に沿って第１遮光層２７が形成された遮光領域２０ｃと、遮光領域２０ｃより光透過率が高い透光領域２０ｄとが設けられている。第１基板１０には、透光領域２０ｄと平面視で重なる第２遮光層１７が設けられている。【選択図】図２

Description

本発明は、一対の基板間に液晶層が保持された液晶装置、および電子機器に関するものである。

液晶装置は、複数の画素電極および第１配向膜が設けられた第１基板と、共通電極および第２配向膜が設けられた第２基板と、第１基板と第２基板とを貼り合わせるシール材とを有しており、第１基板と第２基板との間においてシール材で囲まれた領域内に液晶層が保持されている。かかる液晶装置においては、第２基板の側から光源光を入射させるとともに、画素電極によって液晶分子の姿勢を変えることにより画像を表示する。その際、液晶分子の姿勢が切り換わることに起因して、液晶層に流動が発生する。その結果、液晶層の充填時に混入した不純物やシール材から溶出した不純物が光照射により活性化されて、表示領域の角等で凝集し、画像の焼き付き（シミ）等といった表示品位の低下が発生する。そこで、不純物を表示領域から離間する位置に凝集させて画像の焼き付き等を抑制することが提案されている。

しかしながら、第２基板には、表示領域を囲むように遮光層が形成されている。このため、遮光層と平面視で重なる領域では、液晶層に光が照射されないため、不純物が活性化されずに停滞し、表示領域と遮光層との境界に不純物が凝集してしまう。そこで、遮光層において表示領域の角の外側に位置する部分を切り欠いて透光領域とし、表示領域から離間した位置まで不純物を移動させる構成が提案されている（特許文献１参照）。

２０１３−２２８４２５号公報

特許文献１に記載の構成のように、遮光層に切り欠き（透光領域）を設け、光源からの光を遮光層の透光領域で透過させると、透光領域を透過した光が第１基板を透過して漏れてしまい、表示品位を低下させるという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、表示領域を囲む額縁領域に透光領域を設けて表示領域の縁での不純物の凝集を抑制するとともに、光の漏れを抑制し、表示品位を向上することのできる液晶装置および電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置は、複数の画素電極および第１配向膜を備えた第１基板と、共通電極および第２配向膜を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を有し、前記第２基板は、前記シール材と四角形の表示領域とに挟まれた枠状の額縁領域に、前記表示領域の辺に沿って第１遮光層が設けられた遮光領域と、前記遮光領域より光透過率が高い透光領域と、が設けられ、前記第１基板は、前記透光領域と平面視で重なる第２遮光層が設けられることを特徴とする。

本発明では、第２基板の側から光源光を入射させるとともに、画素電極によって液晶分子の姿勢を変えることにより、画像を表示する。その際、液晶層の充填時に混入した不純物やシール材から溶出した不純物が、表示領域において液晶分子が配向する側に向けて移動し、凝集しようとする。ここで、額縁領域には、表示領域の辺に沿って第１遮光層が設けられた遮光領域と、遮光領域より光透過率が高い透光領域とが設けられているため、透光領域では、第２基板の側から入射した光が液晶層に照射される。従って、不純物は活性化した状態のまま、額縁領域と重なる領域で表示領域から離間した位置まで移動し、そこで凝集する。このため、凝集した不純物が原因で画像の焼き付き（シミ）等といった表示品位の低下が発生しにくい。また、第１基板では、第２基板の透光領域と平面視で重なる第２遮光層が設けられているため、透光領域を透過した光が第１基板等を透過して漏れることを抑制することができる。従って、透光領域を透過した光が漏れることが原因で表示品位が低下するという事態も発生しにくい。

本発明において、前記透光領域は、前記第１遮光層の開口部である態様を採用することができる。

本発明において、前記透光領域は、光を部分透過する部分透過膜である態様を採用することができる。

本発明において、前記第１配向膜または第２配向膜は、前記液晶層の液晶分子を、前記表示領域の相対向する２組の辺のうち、対向距離が長い組の一方の辺から、対向距離が短い組の一方の辺に向かって配向させ、前記対向距離が短い組の他方の辺から、前記対向距離が長い組の他方の辺に向かって配向させる態様を採用することができる。

本発明において、前記液晶層の液晶分子の配向の方向は、前記対向距離が長い組の一方の辺に対して、４５度または１３５度である態様を採用することができる。

本発明において、前記透光領域は、前記表示領域の４つの角の外側に設けられる態様を採用することができる。表示領域の角のうち、２つの角では、不純物が集中しやすいため、角の外側に透光領域を設ければ、２つの角では、表示領域から離間した位置まで移動し、そこで凝集する。このため、凝集した不純物が原因で画像の焼き付き（シミ）等といった表示品位の低下が発生しにくい。また、４つの角の外側に透光領域を設ければ、液晶装置の仕様等に対応して、配向方向が異なる対角線に沿って設定した場合でも対応することができる。

本発明において、前記透光領域は、前記表示領域の全周にわたって設けられる態様を採用することができる。

本発明において、前記透光領域は、前記表示領域の相対向する２組の辺のうち、対向距離が長い組の２つの辺に沿って延在している態様を採用することができる。

本発明において、前記第１基板は、前記表示領域の辺に沿った前記遮光領域にダミー画素電極を備え、前記透光領域は、前記ダミー画素電極に対応して形成される態様を採用することができる。

また、本発明に係る液晶装置の別態様は、複数の画素電極および第１配向膜を備えた第１基板と、共通電極および第２配向膜を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を有し、前記第２基板は、前記シール材と四角形の表示領域とに挟まれた枠状の額縁領域に、全周にわたって、光を部分透過する部分透過膜からなる第１遮光層が設けられ、前記第１基板には、前記第１遮光層と平面視で重なる第２遮光層が設けられていることを特徴とする。

本発明では、第２基板の側から光源光を入射させるとともに、画素電極によって液晶分子の姿勢を変えることにより、画像を表示する。その際、液晶層の充填時に混入した不純物やシール材から溶出した不純物が、表示領域において液晶分子が配向する側に向けて移動し、凝集しようとする。ここで、額縁領域には、全周にわたって、光を部分透過する部分透過膜からなる第１遮光層が設けられているため、額縁領域では、第２基板の側から入射した光が液晶層に照射される。従って、不純物は活性化した状態のまま、額縁領域と重なる領域で表示領域から離間した位置まで移動し、そこで凝集する。このため、凝集した不純物が原因で画像の焼き付き（シミ）等といった表示品位の低下が発生しにくい。また、第１基板では、第２基板の透光領域と平面視で重なる第２遮光層が設けられているため、透光領域を透過した光が第１基板等を透過して漏れることを抑制することができる。従って、透光領域を透過した光が漏れることが原因で表示品位が低下するという事態も発生しにくい。

本発明において、前記第２遮光層は、前記第１基板において前記表示領域内に設けられた配線または電極と同一の層からなる態様を採用することができる。かかる態様によれば、第２遮光層を設けるために成膜工程やパターニング工程を追加する必要がない。

本発明において、前記第２遮光層は、反射性金属層からなる態様を採用することができる。かかる態様によれば、透光領域を透過した光が第２遮光層で吸収されて発熱することを抑制することができる。

本発明において、前記第１配向膜および前記第２配向膜は柱状構造物であり、前記液晶層の液晶分子は、負の誘電異方性を備えている態様を採用してもよい。

本発明を適用した液晶装置は、直視型表示装置や投射型表示装置等の各種電子機器に用いることができる。電子機器が投射型表示装置である場合、投射型表示装置は、前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有し、前記液晶装置は、前記光源部から出射された光が、前記第２基板側から供給される。

本発明の実施の形態１に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶装置の平面図である。 図２に示す液晶装置のＨ−Ｈ′断面図である。 図２に示す液晶装置の画素の平面図である。 図４に示す画素のＦ−Ｆ′断面図である。 図２に示す額縁領域の説明図である。 図２に示す液晶装置のＣ−Ｃ′断面図である。 図２に示す液晶装置のＤ−Ｄ′断面図である。 本発明の実施の形態２に係る液晶装置の平面図である。 図９に示す額縁領域の説明図である。 図９に示す液晶装置のＥ−Ｅ′断面図である。 本発明の実施の形態３に係る液晶装置の平面図である。 本発明の実施の形態４に係る液晶装置の平面図である。 図１３に示す液晶装置のＧ−Ｇ′断面図である。 本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、第１基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは第１基板の基板本体が位置する側とは反対側（第２基板が位置する側）を意味し、下層側とは第１基板の基板本体が位置する側（第２基板が位置する側とは反対側）を意味する。

［実施の形態１］
（表示領域等の電気的構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。なお、図１は、あくまで電気的な構成を示すブロック図であり、配線や電極の形状や延在方向、レイアウト等を示しているものではない。図１において、液晶装置１００はＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する第１基板１０（素子基板：図２および図３等を参照）では、表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａ（画像信号線）および複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。

第１基板１０において、表示領域１０ａより外側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。

各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する第２基板（対向基板：図２および図３等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、第１基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通している。

（液晶パネル１００ｐおよび第１基板１０の構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の平面図であり、液晶装置１００を各構成要素と共に第２基板２０の側から見た様子を示してある。図３は、図２に示す液晶装置１００のＨ−Ｈ′断面図である。

図２および図３に示すように、液晶装置１００では、透光性の第１基板１０と透光性の第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように矩形枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０と第２基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には液晶層５０が保持されている。シール材１０７には、液晶注入口として利用される途切れ部分１０７ｃが形成されており、かかる途切れ部分１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって塞がれている。なお、第１基板１０に対してシール材１０７を無端の枠状に形成した後、その内側に液晶層５０を設け、しかる後に第２基板２０をシール材１０７によって第１基板１０と貼り合せてもよい。

本形態において、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。

第１基板１０において、外周領域１０ｃでは、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。

詳しくは後述するが、第１基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、第２基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に複数形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６（第１配向膜）が形成されている。

また、表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、例えば、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部で繋がっている。ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もある。

第２基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、第１基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６（第２配向膜）が積層されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されている。

第２基板２０において、シール材１０７と表示領域１０ａとに挟まれた枠状の額縁領域２０ｂには、共通電極２１の下層側に第１遮光層２７が形成されている。本形態では、後述するように、額縁領域２０ｂには、第１遮光層２７が形成された遮光領域２０ｃと、遮光領域２０ｃより光透過率が高い透光領域２０ｄとが形成されている。第１遮光層２７と共通電極２１との間にはシリコン酸化膜等からなる透光性の保護層２８（図５参照）が形成されている。また、第２基板２０の一方面２０ｓの側に、共通電極２１の下層側に、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに平面視で重なるブラックマトリクス部を形成してもよい。その場合、ブラックマトリクス部は、第１遮光層２７と同一の遮光層から構成される。

液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、第２基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角に基板間導通用電極部２５ｔが形成されており、第１基板１０の一方面１０ｓの側には、第２基板２０の４つの角（基板間導通用電極部２５ｔ）と対向する位置に基板間導通用電極部６ｔが形成されている。本形態において、基板間導通用電極部２５ｔは、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極部６ｔは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通しており、定電位配線６ｓは、端子１０２のうち、共通電位印加用の端子１０２ａに導通している。基板間導通用電極部６ｔと基板間導通用電極部２５ｔとの間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極部６ｔ、基板間導通材１０９および基板間導通用電極部２５ｔを介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって第２基板２０の外周縁に沿って設けられている。従って、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、第２基板２０の角と重なる領域では基板間導通用電極部６ｔ、２５ｔを避けて内側を通るように設けられている。

かかる構成の液晶装置１００において、本形態では、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されており、液晶装置１００は透過型の液晶装置である。かかる透過型の液晶装置１００では、図３に矢印Ｌで示すように、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。なお、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成する場合もある。かかる構成によれば、反射型の液晶装置１００を構成することができる。反射型の液晶装置１００では、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０で反射して再び第２基板２０から出射される間に変調されて画像を表示する。

液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０あるいは第１基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や配向方向、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。

本形態において、液晶装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置である。このため、図３に示すように、第１基板１０において液晶層５０とは反対側の他方面１０ｔには、透光性の第１防塵ガラス１３が接着剤等によって貼付され、第２基板２０において液晶層５０とは反対側の他方面２０ｔには、透光性の第２防塵ガラス２３が接着剤等によって貼付される。また、液晶パネル１００ｐにおいて第２基板２０に対して第１基板１０とは反対側（光入射側）には、遮光性の見切り２４が配置される。見切り２４の内縁は、第２基板２０に形成された第１遮光層２７と平面視で重なっており、額縁領域２０ｂ（第１遮光層２７）の内縁より外側に位置する。見切り２４は、例えば、液晶パネル１００ｐを内側に保持するフレーム（図示せず）の端板部やフレームに固定された板状部材からなる。また、見切り２４は、第２防塵ガラス２３に形成された遮光層によって構成されることもある。

（画素等の具体的構成）
図４は、図２に示す液晶装置１００の画素の平面図である。図５は、図４に示す画素のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図４では、各層を以下の線で示してある。また、図４では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ｂ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線

図４に示すように、第１基板１０の一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されている。本形態において、画素電極９ａは略正方形の平面形状を有しており、第１基板１０において、隣り合う画素電極９ａの間で縦方向（Ｙ方向）および横方向（Ｘ方向）に延在する画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。より具体的には、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。

第１基板１０には容量線５ｂが形成されており、容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。

図５に示すように、第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（第２基板２０と対向する一方面１０ｓ側）には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光層からなり、液晶装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層８ａを導通させた構成とする。

基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、シリコン酸化膜等の透光性の絶縁膜１２が形成されており、絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。

半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、減圧ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。

ゲート電極３ｃの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層にはドレイン電極４ａが形成されている。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。

ドレイン電極４ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の絶縁膜４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。

容量線５ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成されており、層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。データ線６ａおよび中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。

データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４の表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ｂと導通させてシールド層として利用してもよい。また、遮光層７ａによって容量線を構成してもよい。

遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側にはＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。本形態において、画素電極９ａはＩＴＯ膜からなる。層間絶縁膜４５の表面は平坦化されている。

画素電極９ａは、中継電極７ｂと部分的に重なっており、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに導通している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。画素電極９ａの表面には、無機配向膜やポリイミド膜等からなる配向膜１６（第１配向膜）が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜からなる柱状構造物（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。

第２基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（第１基板１０に対向する一方面２０ｓ）に、シリコン酸化膜等からなる保護層２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、無機配向膜やポリイミド膜等からなる配向膜２６（第２配向膜）が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜からなる柱状構造物（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、配向規制力がアンチパラレルであり、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を、図５に実線Ｌ１で液晶分子５０ｂを模式的に示すように、第１基板１０に対する法線方向および第２基板２０に対する法線方向から一定の方向（プレチルト方向）に傾いた姿勢に傾斜垂直配向させる。そして、画素電極９ａと共通電極２１との間の電界により液晶分子５０ｂを点線Ｌ２のように傾斜させる。このようにして、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードの液晶パネルとして構成されている。

第１配向膜１６または第２配向膜２６は、一例として、液晶層５０の液晶分子５０ｂを、表示領域１０ａの相対向する２組の辺のうち、対向距離が長い組の一方の辺１０ａ₇（第１辺）から対向距離が短い組の一方の辺１０ａ₆（第２辺）に向かって配向させ、対向距離が短い組の他方の辺１０ａ₈（第３辺）から対向距離が長い組の他方の辺１０ａ₉（第４辺）に向かって配向させるように形成される。本形態においては、第１基板１０の側からみると、図２に矢印Ｐで示すように、辺１０ａ₈（第３辺）から辺１０ａ₆（第２辺）に向かっても配向させる領域があり、液晶分子５０ｂのプレチルト方向は、表示領域１０ａの対向距離が長い組の１０ａ₇（第１辺）または辺１０ａ₉（第４辺）に対して、４５度または１３５度に設定される。また、液晶分子５０ｂの配向方向は、表示領域１０ａの４つの角１０ａ₁〜１０ａ₄のうち、角１０ａ₁から角１０ａ₃に向かう方向、および角１０ａ₃から角１０ａ₁に向かう方向に設定されている。すなわち、液晶分子５０ｂは、四角形の表示領域１０ａの４つの角１０ａ₁〜１０ａ₄のうち、２つの角１０ａ₁、角１０ａ₃を結ぶ対角線に沿う方向に配向している。なお、液晶分子５０ｂのうち、第１基板１０の表面近くに位置する液晶分子５０ｂは、分子鎖の一方端が第１基板１０の側に保持された状態にあり、第２基板２０の表面近くに位置する液晶分子５０ｂは、分子鎖の他方端が第２基板２０の側に保持された状態にある。

図示を省略するが、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、第１基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図５に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。

（額縁領域２０ｃの詳細構成）
図６は、図２に示す額縁領域２０ｂの説明図であり、表示領域１０ａの角１０ａ₃付近を拡大して示す説明図である。図７は、図２に示す液晶装置のＣ−Ｃ′断面図である。図８は、図２に示す液晶装置１００のＤ−Ｄ′断面図である。

図２、図３および図６に示すように、第２基板２０において、シール材１０７の内側で表示領域１０ａを囲む額縁領域２０ｂには、共通電極２１の下層側に第１遮光層２７が形成された遮光領域２０ｃが設けられている。また、表示領域１０ａを囲む額縁領域２０ｂには、液晶分子５０ｂの配向方向に位置する表示領域１０ａの２つの角１０ａ₁、１０ａ₃の外側に、遮光領域２０ｃより光透過度が高い透光領域２０ｄが設けられている。本形態では、表示領域１０ａの４つの角１０ａ₁〜１０ａ₄の外側に透光領域２０ｄが設けられている。従って、第１遮光層２７（遮光領域２０ｃ）は、表示領域１０ａの４つの辺１０ａ₆、１０ａ₇、１０ａ₈、１０ａ₉に沿って形成されているが、４つの角１０ａ₁〜１０ａ₄の外側では途切れて開口部となっている。

図６および図７に示すように、第１遮光層２７は、ダミー画素電極９ｂと平面視で重なっており、第１遮光層２７の内縁は、表示領域１０ａの縁と平面視で重なっている。第１遮光層２７の外縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、第１遮光層２７とシール材１０７とは平面視で重なっていない。

図６および図８に示すように、透光領域２０ｄは、第１遮光層２７が形成されていない領域である。また、第１基板１０には、透光領域２０ｄと平面視で重なる第２遮光層１７が形成されている。本形態において、第２遮光層１７は、第１基板１０において表示領域１０ａに形成された電極や配線と同一の層からなる遮光層である。本形態において、第２遮光層１７は、図５に示す遮光層７ａおよび中継電極７ｂと同一の層からなる。本形態において、遮光層７、中継電極７ｂおよび第２遮光層１７は、アルミニウム合金、あるいはアルミニウム膜を含む多層膜等の反射性金属層からなる。

このように構成した液晶装置において、第２基板２０の側から額縁領域２０ｂに入射した光のうち、遮光領域２０ｃに入射した光は、遮光領域２０ｃの第１遮光層２７によって遮られるので、遮光領域２０ｃと平面視で重なる液晶層５０には光が入射しない（図７参照）。これに対して、透光領域２０ｄに入射した光は、遮光領域２０ｃと平面視で重なる液晶層５０に入射し、その後、第２遮光層１７によって遮られる。

なお、本形態では、第１遮光層２７が形成されていない領域により透光領域２０ｄを構成したが、第１遮光層２７より光透過率が高い部分透過膜によって透光領域２０ｄを構成してもよい。かかる部分透過膜は、遮光性の膜を薄く形成した半透過膜や、誘電体多層膜からなる。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１００においては、第２基板２０の側から光源光を入射させるとともに、画素電極９ａによって液晶分子５０ｂの姿勢を変えることにより画像を表示する。その際、液晶分子５０ｂの姿勢の変化に伴い、液晶層５０の充填時に混入した不純物やシール材１０７から溶出した不純物が、表示領域１０ａにおいて液晶分子５０ｂが配向する側に向けて移動し、凝集する。ここで、不純物が最も集中しやすい個所は、表示領域１０ａにおいて液晶分子５０ｂが配向する方向（不純物が移動する方向）における距離が長い部分であると予想される。本形態において、不純物が最も集中しやすい個所は、液晶分子５０ｂが配向する側（矢印Ｐで示す側）に位置する２つの角１０ａ₁、１０ａ₃付近である。かかる態様に対応して、本形態では、２つの角１０ａ₁、１０ａ₃の外側が透光領域２０ｄになっている。このため、２つの角１０ａ₁、１０ａ₃の外側（透光領域２０ｄ）の外側では、第２基板２０の側から入射した光が液晶層５０に照射されるので、不純物は、停滞せずに、光で活性化した状態のまま、表示領域１０ａから離間した位置に移動し、そこで凝集する。このため、凝集した不純物が原因で画像の焼き付き（シミ）等といった表示品位の低下が発生しにくい。

また、第１基板１０では、第２基板２０の透光領域２０ｄと平面視で重なる第２遮光層１７が設けられているため、透光領域２０ｄを透過した光が第１基板１０を透過して漏れることを抑制することができる。従って、透光領域２０ｄを透過した光が漏れることが原因で表示品位が低下するという事態も発生しにくい。

また、第２遮光層１７は、第１基板１０において表示領域１０ａ内に設けられた配線または電極と同一の層からなるため、第２遮光層１７を設けるために成膜工程やパターニング工程を追加する必要がない。また、第２遮光層１７は、反射性金属層からなるため、透光領域２０ｄを透過した光が第２遮光層１７で吸収されて発熱することを抑制することができる。

また、本形態では、４つの角１０ａ₁〜１０ａ₄のいずれの外側にも透光領域２０ｄが設けられている。このため、液晶装置１００の仕様によって、液晶分子５０ｂの配向方向を、矢印Ｐに対して直交する方向に設定した場合でも、表示領域１０ａから離間した位置で不純物を凝集させることができる。

また、本形態では、表示領域１０ａの角１０ａ₁〜１０ａ₄の外側を除いて辺１０ａ₆〜１０ａ₉に沿って遮光領域２０ｃが長く延在している。また、第１基板１０では、第２基板２０の透光領域２０ｄと平面視で重なる第２遮光層１７が設けられている。このため、遮光領域２０ｃ（第１遮光層２７）および第２遮光層１７によって表示光の出射領域を適正に制限することができる。

［実施の形態２］
図９は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００の液晶パネル１００ｐの平面図である。図１０は、図９に示す額縁領域２０ｂの説明図であり、表示領域１０ａの角１０ａ₃付近を拡大して示す説明図である。図１１は、図９に示す液晶装置１００のＥ−Ｅ′断面図である。なお、以下に説明する実施の形態２、３、４は、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、共通する部分に同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。

実施の形態１において、透光領域２０ｄは、第１遮光層２７が形成されていない領域であったが、本形態においては、図９、図１０および図１１に示すように、透光領域２０ｄは、第１遮光層２７が部分的に形成されている領域である。具体的には、透光領域２０ｄにも第１遮光層２７が形成されているが、透光領域２０ｄに形成された第１遮光層２７には複数の開口部２７０が形成されている。本形態において、開口部２７０は、画素電極９ａより１辺の長さが１／４〜１／２の小さな第１遮光層２７の除去部（穴）であり、透光領域２０ｄに形成された第１遮光層２７の約１／５〜１／２に相当する部分が開口部２７０になっている。また、本形態では、開口部２７０がダミー画素電極９ｂに対応して形成されている。すなわち、開口部２７０は、ダミー画素電極９ｂと平面視で重なり、１つのダミー画素電極９ｂに対して１つの開口部２７０が形成されている。開口部２７０は、ダミー画素電極９ｂ間に重なってもよいが、効果が変動する可能性がある。

また、本形態でも、実施の形態１と同様、第１基板１０には、透光領域２０ｄと平面視で重なる第２遮光層１７が形成されている。第２遮光層１７は、第１基板１０において表示領域１０ａに形成された遮光層（遮光層７ａおよび中継電極７ｂ）と同一の層からなり、光反射性を有している。

また、本形態では、第１遮光層２７が部分的に形成されている領域により透光領域２０ｄを構成したが、第１遮光層２７より光透過率が高い部分透過膜によって透光領域２０ｄを構成してもよい。かかる部分透過膜は、遮光性の膜を薄く形成した半透過膜や、誘電体多層膜からなる。

このように構成した液晶装置１００においても、実施の形態１と同様、第２基板２０の側から額縁領域２０ｂに入射した光のうち、遮光領域２０ｃに入射した光は、遮光領域２０ｃの第１遮光層２７によって遮られるので、遮光領域２０ｃと平面視で重なる液晶層５０には光が入射しない。これに対して、透光領域２０ｄに入射した光は、遮光領域２０ｃと平面視で重なる液晶層５０に入射する。従って、不純物は活性化した状態のまま、表示領域１０ａから離間した位置に移動し、そこで凝集する。このため、凝集した不純物が原因で画像の焼き付き（シミ）等といった表示品位の低下が発生しにくい。また、第１基板１０では、第２基板２０の透光領域２０ｄと平面視で重なる第２遮光層１７が設けられているため、透光領域２０を透過した光が第１基板１０を透過して漏れることを抑制することができる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。

なお、本形態では、額縁領域２０ｂの角のみに開口部２７０（透光領域２０ｄ）を設けたが、額縁領域２０ｂの全周にわたって開口部２７０（透光領域２０ｄ）を設けてもよい。

［実施の形態３］
図１２は、本発明の実施の形態３に係る液晶装置１００の平面図である。実施の形態１、２では、額縁領域２０ｂのうち、表示領域１０ａの角１０ａ₁〜１０ａ₄の外側のみが透光領域２０ｄになっていたが、本形態では、図１２に示すように、表示領域１０ａの角１０ａ₁〜１０ａ₄の外側に加えて、表示領域１０ａの縁において対向する辺１０ａ₇、１０ａ₉の外側も透光領域２０ｄになっている。このため、表示領域１０ａの縁において対向する辺１０ａ₆、１０ａ₈の外側のみが遮光領域２０ｃになっている。すなわち、表示領域１０ａの相対向する２組の辺のうち、対向距離が長い組の２つの辺１０ａ₇、１０ａ₉（短辺）に沿って透光領域２０ｄが延在している。

かかる態様によれば、対向距離が長い２つの辺１０ａ₇、１０ａ₉付近では、対向距離が短い２つの辺１０ａ₆、１０ａ₈付近よりも、不純物が高密度に凝集しようとするが、２つの辺１０ａ₇、１０ａ₉の外側を透光領域２０ｄとしてあるため、不純物を表示領域１０ａから離間した位置まで移動させ、そこで凝集させることができる。

また、本形態でも、実施の形態１と同様、第１基板１０には、透光領域２０ｄと平面視で重なる第２遮光層１７が形成されている。第２遮光層１７は、第１基板１０において表示領域１０ａに形成された遮光層（遮光層７ａおよび中継電極７ｂ）と同一の層からなり、光反射性を有している。従って、透光領域２０を透過した光が第１基板１０を透過して漏れることを抑制することができる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。

なお、本形態では、第１遮光層２７が形成されていない領域により透光領域２０ｄを構成したが、実施の形態２のように、第１遮光層２７が部分的に除去された開口部２７０によって透光領域２０ｄを構成してもよい。

［実施の形態４］
図１３は、本発明の実施の形態４に係る液晶装置の平面図である。図１４は、図１３に示す液晶装置のＧ−Ｇ′断面図である。実施の形態１、２、３では、額縁領域２０ｂに遮光領域２０ｃと透光領域２０ｄとを設けたが、本形態では、図１３および図１４に示すように、額縁領域２０ｂの全周にわたって、光を部分透過する部分透過膜２７ａからなる第１遮光層２７が設けられている。本形態において、部分透過膜２７ａは、遮光性の膜を薄く形成した半透過膜や、誘電体多層膜からなる。従って、第２基板２０の側から入射した光が液晶層５０に照射される。従って、不純物は、第１遮光層２７と平面視で重なる領域でも活性化した状態のまま、表示領域１０ａから離間した位置に移動し、そこで凝集する。このため、凝集した不純物が原因で画像の焼き付き（シミ）等といった表示品位の低下が発生しにくい。

また、第１基板１０には、透光領域２０ｄと平面視で重なる第２遮光層１７が形成されている。第２遮光層１７は、第１基板１０において表示領域１０ａに形成された遮光層（遮光層７ａおよび中継電極７ｂ）と同一の層からなり、光反射性を有している。従って、透光領域２０を透過した光が第１基板１０を透過して漏れることを抑制することができる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。

［他の実施の形態］
上記実施の形態では、透過型の液晶装置１００に本発明を適用したが、反射型の液晶装置１００に本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
図１５は、本発明を適用した液晶装置１００を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。なお、以下の説明では、互いに異なる波長域の光が供給される複数の液晶装置１００が用いられているが、いずれの液晶装置１００にも、本発明を適用した液晶装置１００が用いられている。

図１５に示す投射型表示装置１１０は、透過型の液晶装置１００を用いた液晶プロジェクターであり、スクリーン等からなる被投射部材１１１に光を照射し、画像を表示する。投射型表示装置１１０は、装置光軸Ｌ０に沿って、照明装置１６０と、照明装置１６０から出射された光が供給される複数の液晶装置１００（液晶ライトバルブ１１５〜１１７）と、複数の液晶装置１００から出射された変調光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム１１９（光合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１１９により合成された光を投射する投射光学系１１８とを有している。また、投射型表示装置１１０は、ダイクロイックミラー１１３、１１４、およびリレー系１２０を備えている。投射型表示装置１１０において、液晶装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９は、光学ユニット１５０を構成している。液晶装置１００は、照明装置１６０から出射された光が、第２基板２０側から供給されるように配置される。このため、図８等を参照して説明したように、第２基板２０の側から透光領域２０ｄに入射した光は、液晶層５０に入射され、第１基板１０に設けられた第２遮光層１７によって遮断される。このため、液晶層５０の不純物は活性化した状態のまま、表示領域１０ａから離間した位置に移動し、そこで凝集し、画像の焼き付き（シミ）等の発生を抑制できるとともに、投射光学系１１８側へ光漏れを抑制できる。

照明装置１６０では、装置光軸Ｌ０に沿って、光源部１６１、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第１インテグレーターレンズ１６２、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第２インテグレーターレンズ１６３、偏光変換素子１６４、およびコンデンサーレンズ１６５が順に配置されている。光源部１６１は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを含む白色光を出射する光源１６８と、リフレクター１６９とを備えている。光源１６８は超高圧水銀ランプ等により構成されており、リフレクター１６９は、放物線状の断面を有している。第１インテグレーターレンズ１６２および第２インテグレーターレンズ１６３は、光源部１６１から出射された光の照度分布を均一化する。偏光変換素子１６４は、光源部１６１から出射された光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする。

ダイクロイックミラー１１３は、照明装置１６０から出射された光に含まれる赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを反射する。ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち、青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、照明装置１６０から出射された光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂに分離する色分離光学系を構成している。

液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光Ｒを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶装置１００（赤色用液晶装置１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。

λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。液晶装置１００（赤色用液晶装置１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。

液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶装置１００（緑色用液晶装置１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。液晶装置１００（緑色用液晶装置１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。

液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶装置１００（青色用液晶装置１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。

λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。液晶装置１００（青色用液晶装置１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。

リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射する。反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射する。

クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射する。

なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることにより、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン等の被投射部材１１１に投射する。

［他の投射型表示装置］
上記投射型表示装置において、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話等に用いてもよい。

９ａ…画素電極、９ｂ…ダミー画素電極、１０…第１基板、１０ａ…表示領域、１０ａ₁〜１０ａ₄…角、１０ａ₆〜１０ａ₉…辺、１６…配向膜（第１配向膜）、１７…第２遮光層、２０…第２基板、２０ｂ…額縁領域、２０ｃ…遮光領域、２０ｄ…透光領域、２１…共通電極、２４…見切り、２６…配向膜（第２配向膜）、２７…第１遮光層、２７ａ…部分透過膜、３０…画素トランジスター、５０…液晶層、５０ｂ…液晶分子、１００…液晶装置、１００ａ…画素、１００ｐ…液晶パネル、１０７…シール材、１１０…投射型表示装置、１１１…被投射部材、１６１…光源部、２７０…開口部。

Claims (15)

1. 複数の画素電極および第１配向膜を備えた第１基板と、
   共通電極および第２配向膜を備えた第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
   前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、
   を有し、
   前記第２基板は、前記シール材と四角形の表示領域とに挟まれた枠状の額縁領域に、前記表示領域の辺に沿って第１遮光層が設けられた遮光領域と、前記遮光領域より光透過率が高い透光領域と、が設けられ、
   前記第１基板は、前記透光領域と平面視で重なる第２遮光層が設けられることを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１に記載の液晶装置において、
   前記透光領域は、前記第１遮光層の開口部であることを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１に記載の液晶装置において、
   前記透光領域は、光を部分透過する部分透過膜であることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶装置において、
   前記第１配向膜または第２配向膜は、前記液晶層の液晶分子を、
   前記表示領域の相対向する２組の辺のうち、対向距離が長い組の一方の辺から、対向距離が短い組の一方の辺に向かって配向させ、
   前記対向距離が短い組の他方の辺から、前記対向距離が長い組の他方の辺に向かって配向させることを特徴とする液晶装置。
5. 請求項４に記載の液晶装置において、
   前記液晶層の液晶分子の配向の方向は、前記対向距離が長い組の一方の辺に対して、４５度または１３５度であることを特徴とする液晶装置。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の液晶装置において、
   前記透光領域は、前記表示領域の４つの角の外側に設けられることを特徴とする液晶装置。
7. 請求項１から５のいずれか一項に記載の液晶装置において、
   前記透光領域は、前記表示領域の全周にわたって設けられることを特徴とする液晶装置。
8. 請求項１から５のいずれか一項に記載の液晶装置において、
   前記透光領域は、前記表示領域の相対向する２組の辺のうち、対向距離が長い組の２つの辺に沿って延在していることを特徴とする液晶装置。
9. 請求項１から５のいずれか一項に記載の液晶装置において、
   前記第１基板は、前記表示領域の辺に沿った前記遮光領域にダミー画素電極を備え、
   前記透光領域は、前記ダミー画素電極に対応して形成されることを特徴とする液晶装置。
10. 複数の画素電極および第１配向膜を備えた第１基板と、
    共通電極および第２配向膜を備えた第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
    前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、
    を有し、
    前記第２基板は、前記シール材と四角形の表示領域とに挟まれた枠状の額縁領域に、全周にわたって、光を部分透過する部分透過膜からなる第１遮光層が設けられ、
    前記第１基板には、前記第１遮光層と平面視で重なる第２遮光層が設けられていることを特徴とする液晶装置。
11. 請求項１から１０のいずれか一項に記載の液晶装置において、
    前記第２遮光層は、前記第１基板において前記表示領域内に設けられた配線または電極と同一の層からなることを特徴とする液晶装置。
12. 請求項１１に記載の液晶装置において、
    前記第２遮光層は、反射性金属層からなることを特徴とする液晶装置。
13. 請求項１から１２のいずれか一項に記載の液晶装置において、
    前記第１配向膜および前記第２配向膜は柱状構造物であり、
    前記液晶層の液晶分子は、負の誘電異方性を備えていることを特徴とする液晶装置。
14. 請求項１から１３のいずれか一項に記載の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。
15. 請求項１４に記載の電子機器において、
    前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、
    前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
    を有し、
    前記液晶装置は、前記光源部から出射された光が、前記第２基板側から供給されることを特徴とする電子機器。