JP2005322935A - 半導体装置およびその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 異種基板上では大粒径化を行うため、連続発振レ−ザを照射する際、下地膜や金属電極との格子不整合や熱衝撃等によって歪みが蓄積されてしまう。これによってしきい値電圧がずれる問題が生じ、駆動電圧を下げることができない問題がある。
【解決手段】 絶縁表面上に遮光性を有する第1導電層を形成し、第1導電層を覆う第1絶縁層を形成し、第1絶縁層上に第1非晶質半導体膜を形成し、該第1非晶質半導体膜を加熱処理により溶融させることなく結晶化させて第1結晶性半導体膜を形成し、第1結晶性半導体膜上に第2非晶質半導体膜を接して形成し、レーザー光を照射して、当該照射領域における第2非晶質半導体膜の一部又は全部を溶融させた後、結晶化する段階を有する。
【選択図】 図26
【解決手段】 絶縁表面上に遮光性を有する第1導電層を形成し、第1導電層を覆う第1絶縁層を形成し、第1絶縁層上に第1非晶質半導体膜を形成し、該第1非晶質半導体膜を加熱処理により溶融させることなく結晶化させて第1結晶性半導体膜を形成し、第1結晶性半導体膜上に第2非晶質半導体膜を接して形成し、レーザー光を照射して、当該照射領域における第2非晶質半導体膜の一部又は全部を溶融させた後、結晶化する段階を有する。
【選択図】 図26
Description
本発明は薄膜トランジスタ(以下、TFTという)で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示パネルに代表される電気光学装置およびその様な電気光学装置を部品として搭載した電子機器に関する。
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜(厚さ数〜数百nm程度)を用いて薄膜トランジスタ(TFT)を構成し、このTFTで形成した大面積集積回路を有する半導体装置の開発が進んでいる。アクティブマトリクス型液晶表示装置、EL表示装置、および密着型イメージセンサはその代表例として知られている。特に、結晶質シリコン膜(典型的にはポリシリコン膜)を活性層にしたTFT(以下、ポリシリコンTFTと記す)は電界効果移動度が高いことから、いろいろな機能回路を形成することも可能である。
例えば、アクティブマトリクス型液晶表示装置には、機能ブロックごとに画像表示を行う画素回路や、CMOS回路を基本としたシフトレジスタ回路、レベルシフタ回路、バッファ回路、サンプリング回路などの画素回路を制御するための駆動回路が一枚の基板上に形成される。
アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画素回路には、数十から数百万個の各画素にTFT(画素TFT)が配置され、その画素TFTのそれぞれには画素電極が設けられている。液晶を挟んだ対向基板側には対向電極が設けられており、液晶を誘電体とした一種のコンデンサを形成している。そして、各画素に印加する電圧をTFTのスイッチング機能により制御して、このコンデンサへの電荷を制御することで液晶を駆動し、透過光量を制御して画像を表示する仕組みになっている。
このようなアクティブマトリクス型の液晶表示装置の用途は広がっており、画面サイズの大面積化とともに高精細化や高開口率化や高信頼性の要求が高まっている。また、同時に生産性の向上や低コスト化の要求も高まっている。
アクティブマトリクス型表示装置の利点は、画素部に信号を伝送する駆動回路として、シフトレジスタ、ラッチもしくはバッファといった集積回路を同一の基板上にTFTで形成することが可能な点である。これにより外部回路との接点数を非常に少なくすることが可能となり、表示装置の信頼性を高めている。
また、画素TFTはnチャネル型TFTから成り、スイッチング素子として液晶に電圧を印加して駆動させるものである。液晶は交流で駆動させるので、フレーム反転駆動と呼ばれる方式が多く採用されている。この方式では消費電力を低く抑えるために、画素TFTに要求される特性はオフ電流値(TFTがオフ動作時に流れるドレイン電流)を十分低くすることが重要である。加えて、十分小さなゲート・ドレイン間寄生容量などの特性が要求される。画素に設ける補助容量は、画素容量が小さく保持の動作が不十分であるためこれを補い、寄生容量の影響を防ぐために設けている。
オフ電流値を低減するためのTFTの構造として、低濃度ドレイン(LDD:Lightly Doped Drain)構造が知られている。この構造はチャネル形成領域と、高濃度に不純物元素を添加して形成するソース領域またはドレイン領域との間に低濃度に不純物元素を添加した領域を設けたものであり、この領域をLDD領域と呼んでいる。
また、オフ電流値のバラツキを低減するためのTFTの構造として、複数のチャネル形成領域を有するダブルゲート構造、またはトリプルゲート構造等のマルチゲート構造が知られている。図27に示したように単純に2つのTFTを連結してダブルゲート構造とした場合、一つの画素に対してTFTのサイズが大きくなり、開口率の低減に繋がっていた。
アクティブマトリクス駆動方式の画素は、液晶に電圧を印加する画素電極の他に、ゲート電極に接続する走査線(ゲート線)とソースまたはドレインに接続するデータ線とが交差している。補助容量には画素電極と前段の走査線(ゲート線)とを重ねる付加容量型と、専用の容量線を設ける蓄積容量型の2種類が知られている。いずれにしても、画質の高精細化が進むにつれ、必然的に画素一つ当たりに許されるTFTや補助容量のサイズは縮小を余儀なくされる。従って、規定の画素サイズの中で各画素の高開口率を得るためには、これらの画素の構成に必要な要素を効率よくレイアウトすることが不可欠となってくる。
また、液晶表示装置は、画素部に映し出される映像を直接見る直視型の他に、画像を光学系を用いてスクリーンに映し出す投影型の2種類が開発されている。両者は画面サイズを基にして30インチ型程度までは直視型で、それ以上のサイズは投影型で対応するように製品の棲み分けが考えられている。
また、あらゆる液晶表示装置、特にプロジェクター用の液晶表示装置において、様々な経路で半導体層に光が入射して発生する光リーク電流により各画素に配置されるTFT特性に変動が生じ、画質の劣化(コントラストの低下、フリッカ、クロストーク等)が問題となっていた。
上述した従来の画素構成またはTFT構造では、高開口率と光リーク電流低減の両立、または高開口率とオフ電流値低減の両立が難しいという問題がある。
こうした要求は、液晶表示装置の高精細化(画素数の増大)及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進める上で大きな課題となっている。
また、マルチゲート構造のTFTは、オン電流値が低く、液晶表示装置において高速駆動させる場合、障害となっていた。
本発明は、オフ電流値が低く、オン電流値の高いTFT構造を提供すると同時に、半導体層に入射する光による画質劣化に強く、且つ、一つの画素においてTFTが占める面積を縮小したTFT構造を提供する。
また、透過型のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、遮光層は必要な構成要素である。半導体層は光照射により抵抗値が変化する光導電効果あり、光源からの光が照射されることによりオフ電流が増加する。特に投影型の表示装置では、液晶表示装置を通過する光の一部が基板と空気層との界面で反射したり、光学系で反射して逆方向に戻されTFTに入射することが問題となっている。
メタルハライドランプなどを光源とする投写型の場合には、100万〜2000万ルクスの光が液晶表示装置に照射されるので遮光層の設計は重要となってくる。一方、TFTへの入射光は100ルクス程度に抑え、オフ電流を低減しておく必要がある。通常、TFTの半導体層の上層部又は下層部には遮光層が形成されているが、入射光(光源からの光)の0.1〜1%程度が回折光として入射してしまう。
半導体層は光導電効果により導電率が上昇し、TFTのオフ電流を増加させ、コントラストの低下やクロストークの発生など画像表示に悪影響を与えてしまう。しかし、このような光を遮るため遮光性を優先させ、遮光層の面積を増加させると開口率が自ずと低下してしまう。
限定された画素サイズの中で高開口率を実現するためには、画素部の構成に必要な要素を効率よく配置することが不可欠となる。本発明は画素部に形成される画素電極や走査線(ゲート線)及びデータ線の配置を適したものとして、高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
また、絶縁表面上に結晶性珪素膜を形成する手段として、減圧CVD法により直接結晶性珪素膜を形成する方法の他に、非晶質珪素膜をレーザーアニールや電熱炉を用いた熱処理により結晶化させる方法が採用されている。しかし、これらいずれの方法を適用したとしても、TFTの電界効果移動度はnチャネル型TFTで100〜200cm2/Vsec程度、pチャネル型TFTで50〜100cm2/Vsec程度の値しか得ることができなかった。また、しきい値電圧は、nチャネル型TFTで3V、サブスレッショルド係数(S値)が300mV/decである為、駆動電圧は14Vとなり、電源電圧の低電圧化と低消費電力化が課題であった。
低電圧化と低消費電力化を実現するには、結晶性珪素膜における結晶粒の大粒径化を図り、移動度を向上させ、S値を小さくする必要がある。また、しきい値電圧のばらつきを抑えることが必要とされる。
結晶粒の大粒径化に関する技術とTFTへの応用は、例えば、「"Ultra-high
Performance Poly-Si TFTs on a Glass by a Stable Scanning CW Laser Latera
l Crystallization",A. Hara, F. Takeuchi, M. Takei, K. Yoshino, K. Suga a
nd N. Sasaki, AMLCD '01 Tech. Dig.,2001,pp.227-230.」に報告例が有り、ダイオード励起の固体連続発振レーザー(YVO4)の第2高調波を用いて結晶化した多結晶珪素膜を用いてTFTを試作し、電界効果移動度の改善が成果として記載されている。
Performance Poly-Si TFTs on a Glass by a Stable Scanning CW Laser Latera
l Crystallization",A. Hara, F. Takeuchi, M. Takei, K. Yoshino, K. Suga a
nd N. Sasaki, AMLCD '01 Tech. Dig.,2001,pp.227-230.」に報告例が有り、ダイオード励起の固体連続発振レーザー(YVO4)の第2高調波を用いて結晶化した多結晶珪素膜を用いてTFTを試作し、電界効果移動度の改善が成果として記載されている。
しかし、結晶性珪素膜の大粒径化が実現できるとしても、前述の遮光膜と半導体膜とが重ね合わせて設けられた構成では、連続発振レーザー光を照射した際に、遮光膜が変質し、半導体膜の下層側に形成されている遮光膜で反射したレーザー光が乱反射して均一な結晶化を阻害してしまう。これによって歪みが蓄積されて、しきい値電圧変動してしまうことが問題となる。
また、連続発振レーザー光を照射した際、半導体膜の下層側に形成されている遮光膜及び絶縁膜からの内部応力変化によっても、しきい値電圧が変動する問題が生じる。
加えて、本発明は上記問題に鑑み、TFTで形成される各種集積回路の駆動電圧を下げ、低消費電力化を実現することをも目的とする。
本発明は、画素TFTを複数のチャネル形成領域を有するダブルゲート構造、またはトリプルゲート構造等のマルチゲート構造とし、一つの画素TFTにおいて互いに隣り合うゲート電極間での間隔を低濃度不純物領域(LDD領域)の幅より短くする。この低濃度不純物領域は、一つのマルチゲート構造の画素TFTにおいてソース領域と該ソース領域に最も近い位置にあるチャネル形成領域との間、ドレイン領域と該ドレイン領域に最も近い位置にあるチャネル形成領域との間、計2箇所に設ける。なお、液晶を用いた画素は一般には交流駆動するため、画素TFTにおけるソース領域とドレイン領域は交互に入れ替わる。従って、一方のチャネル形成領域とソース領域との間に隣接して設けられた低濃度不純物領域の幅と、もう一方のチャネル形成領域とドレイン領域との間に隣接して設けら
れた低濃度不純物領域の幅を等しいものとする。
れた低濃度不純物領域の幅を等しいものとする。
また、一つのTFTにおいて互いに隣り合う二つのチャネル形成領域に挟まれた領域は、ソース領域またはドレイン領域と同程度、あるいはそれ以上の濃度で不純物元素を含有している高濃度不純物領域のみとし、TFTがオン状態の半導体層全体の抵抗を低減しつつ、何らかの理由でTFTに光が入射した場合の光感度を低減する。
即ち、本発明は、互いに隣り合う二つのチャネル形成領域に挟まれた高濃度不純物領域のチャネル長方向における幅を低濃度不純物領域のチャネル長方向における幅より短くすることで一つの画素に占めるTFTの面積を縮小して画素の開口率を向上させる。また、本発明は、複数のチャネル形成領域を備えることで1つのチャネル形成領域で電流リーク等の不良が発生しても他のチャネル形成領域が正常に働き、オフ電流の異常値が低減されバラツキが抑えられる。更に、何らかの理由で画素TFTへの遮光性が低下し、TFTへの光入射があった場合でもオフ電流値の光感度を低下させることにより表示不良を抑制する。
本明細書で開示する発明の構成(1)は、
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された複数のゲート電極とを含むTFTを備えた半導体装置であって、
前記半導体層は、前記絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なる複数のチャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域と、前記チャネル形成領域と前記ソース領域または前記ドレイン領域との間に低濃度不純物領域とを有し、
前記複数のゲート電極のうち、互いに隣り合う二つのゲート電極の間隔は、前記低濃度不純物領域の幅より短いことを特徴とする半導体装置である。
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された複数のゲート電極とを含むTFTを備えた半導体装置であって、
前記半導体層は、前記絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なる複数のチャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域と、前記チャネル形成領域と前記ソース領域または前記ドレイン領域との間に低濃度不純物領域とを有し、
前記複数のゲート電極のうち、互いに隣り合う二つのゲート電極の間隔は、前記低濃度不純物領域の幅より短いことを特徴とする半導体装置である。
また、他の発明の構成(2)は、
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された複数のゲート電極とを含むTFTを備えた半導体装置であって、
前記半導体層は、前記絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なる複数のチャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域と、前記複数のチャネル形成領域と隣接する高濃度不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記ソース領域または前記ドレイン領域との間に低濃度不純物領域とを有し、
前記複数のゲート電極のうち、互いに隣り合う二つのゲート電極の間隔は、前記半導体層の低濃度不純物領域の幅より短いことを特徴とする半導体装置である。
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された複数のゲート電極とを含むTFTを備えた半導体装置であって、
前記半導体層は、前記絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なる複数のチャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域と、前記複数のチャネル形成領域と隣接する高濃度不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記ソース領域または前記ドレイン領域との間に低濃度不純物領域とを有し、
前記複数のゲート電極のうち、互いに隣り合う二つのゲート電極の間隔は、前記半導体層の低濃度不純物領域の幅より短いことを特徴とする半導体装置である。
上記構成(2)において、高濃度不純物領域と、ソース領域またはドレイン領域とを同じ工程で作製すれば、前記高濃度不純物領域は、前記ソース領域または前記ドレイン領域と同じ不純物濃度となる。
また、上記構成(2)において、高濃度不純物領域と、ソース領域またはドレイン領域とを別々の工程で作製すれば、前記高濃度不純物領域が、前記ソース領域または前記ドレイン領域よりも高い不純物濃度とすることもできる。このように高濃度不純物領域の濃度を他の領域よりも高くすることで、TFTのオン状態での半導体層全体の抵抗が低減され、オン電流が向上するとともに、高濃度不純物領域で発生する光励起によるキャリアライフタイムを弱め、光感度を低下させることができる。
また、上記構成(2)において、高濃度不純物領域と、ソース領域またはドレイン領域とを別々の工程で作製すれば、前記高濃度不純物領域が、前記低濃度不純物領域より高い不純物濃度で、前記ソース領域または前記ドレイン領域よりも低い不純物濃度とすることもできる。
また、上記構成(2)において、前記高濃度不純物領域の幅は、互いに隣り合うゲート電極との間隔と等しいことを特徴としている。
また、上記構成(1)または上記構成(2)または上記各構成において、複数のチャネル形成領域のうち、前記互いに隣り合う二つのチャネル形成領域の間隔は、互いに隣り合う二つのゲート電極の間隔と等しいことを特徴としている。
また、本発明をダブルゲート構造のTFTに適用した場合、一方のチャネル形成領域とドレイン領域との間には低濃度不純物領域(LDD領域)を設け、もう一方のチャネル形成領域とソース領域との間には低濃度不純物領域(LDD領域)を設け、2つのチャネル形成領域の間には高濃度不純物領域を設けるTFT構造とし、高濃度不純物領域のチャネル長方向における幅を低濃度不純物領域のチャネル長方向における幅より短くする。
また、他の発明の構成(3)は、
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された第1のゲート電極及び第2のゲート電極とを含むTFTを備えた半導体装置であって、
前記半導体層は、
前記絶縁膜を間に挟んで第1のゲート電極と重なる第1のチャネル形成領域と、
前記絶縁膜を間に挟んで第2のゲート電極と重なる第2のチャネル形成領域と、
前記第1のチャネル形成領域と前記第2のチャネル形成領域との両方に隣接する高濃度不純物領域と、
前記第1のチャネル形成領域に接する第1の低濃度不純物領域と、該第1の低濃度不純物領域に接するドレイン領域と、
前記第2チャネル形成領域に接する第2の低濃度不純物領域と、該第2の低濃度不純物領域に接するソース領域とを有し、
第1ゲート電極と第2ゲート電極の間隔は、前記第1の低濃度不純物領域の幅より短いことを特徴とする半導体装置である。
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された第1のゲート電極及び第2のゲート電極とを含むTFTを備えた半導体装置であって、
前記半導体層は、
前記絶縁膜を間に挟んで第1のゲート電極と重なる第1のチャネル形成領域と、
前記絶縁膜を間に挟んで第2のゲート電極と重なる第2のチャネル形成領域と、
前記第1のチャネル形成領域と前記第2のチャネル形成領域との両方に隣接する高濃度不純物領域と、
前記第1のチャネル形成領域に接する第1の低濃度不純物領域と、該第1の低濃度不純物領域に接するドレイン領域と、
前記第2チャネル形成領域に接する第2の低濃度不純物領域と、該第2の低濃度不純物領域に接するソース領域とを有し、
第1ゲート電極と第2ゲート電極の間隔は、前記第1の低濃度不純物領域の幅より短いことを特徴とする半導体装置である。
上記構成(3)において、高濃度不純物領域と、ソース領域またはドレイン領域とを同じ工程で作製すれば、前記高濃度不純物領域は、前記ソース領域または前記ドレイン領域と同じ不純物濃度となる。
また、上記構成(3)において、高濃度不純物領域と、ソース領域またはドレイン領域とを別々の工程で作製すれば、前記高濃度不純物領域が、前記ソース領域または前記ドレイン領域よりも高い不純物濃度とすることもできる。このように高濃度不純物領域の濃度を他の領域よりも高くすることで、TFTのオン状態での半導体層全体の抵抗が低減され、オン電流が向上するとともに、高濃度不純物領域で発生する光励起によるキャリアライフタイムを弱め、光感度を低下させることができる。
また、上記構成(3)において、高濃度不純物領域と、ソース領域またはドレイン領域とを別々の工程で作製すれば、前記高濃度不純物領域が、前記低濃度不純物領域より高い不純物濃度で、前記ソース領域または前記ドレイン領域よりも低い不純物濃度とすることもできる。
また、上記構成(3)または上記各構成において、前記高濃度不純物領域の幅は、前記第1の低濃度不純物領域の幅より短いことを特徴としている。
また、上記構成(3)または上記各構成において、前記高濃度不純物領域の幅は、前記第2の低濃度不純物領域の幅より短い、或いは同一であることを特徴としている。
また、本発明は、2つのチャネル形成領域の間には高濃度不純物領域を設けるTFT構造とし、高濃度不純物領域のチャネル長方向における幅を低濃度不純物領域のチャネル長方向における幅と同じであってもよい。
また、他の発明の構成(4)は、
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された複数のゲート電極とを含むTFTを備えた半導体装置であって、
前記半導体層は、前記絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なる複数のチャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域と、前記複数のチャネル形成領域と隣接する高濃度不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記ソース領域または前記ドレイン領域との間に低濃度不純物領域とを有し、
前記複数のゲート電極のうち、互いに隣り合う二つのゲート電極の間隔は、前記低濃度不純物領域の幅と同一であることを特徴とする半導体装置である。
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された複数のゲート電極とを含むTFTを備えた半導体装置であって、
前記半導体層は、前記絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なる複数のチャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域と、前記複数のチャネル形成領域と隣接する高濃度不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記ソース領域または前記ドレイン領域との間に低濃度不純物領域とを有し、
前記複数のゲート電極のうち、互いに隣り合う二つのゲート電極の間隔は、前記低濃度不純物領域の幅と同一であることを特徴とする半導体装置である。
上記構成(4)において、高濃度不純物領域と、ソース領域またはドレイン領域とを同じ工程で作製すれば、前記高濃度不純物領域は、前記ソース領域または前記ドレイン領域と同じ不純物濃度となる。
また、上記構成(4)において、高濃度不純物領域と、ソース領域またはドレイン領域とを別々の工程で作製すれば、前記高濃度不純物領域が、前記ソース領域または前記ドレイン領域よりも高い不純物濃度とすることもできる。このように高濃度不純物領域の濃度を他の領域よりも高くすることで、TFTのオン状態での半導体層全体の抵抗が低減され、オン電流が向上するとともに、高濃度不純物領域で発生する光励起によるキャリアライフタイムを弱め、光感度を低下させることができる。
また、上記構成(4)において、高濃度不純物領域と、ソース領域またはドレイン領域とを別々の工程で作製すれば、前記高濃度不純物領域が、前記低濃度不純物領域より高い不純物濃度で、前記ソース領域または前記ドレイン領域よりも低い不純物濃度とすることもできる。
また、上記構成(1)〜(4)または上記各構成において、前記TFTはnチャネル型TFTまたはpチャネル型TFTであることを特徴としている。
また、本発明は、上記構成(1)〜(4)または上記各構成において、前記ソース領域または前記ドレイン領域と電気的に接続する画素電極を備えたことを特徴とする半導体装置、代表的には液晶表示装置、或いはEL素子を備えた発光装置である。
また、本発明の表示装置は、基板上に、画素電極と、薄膜トランジスタと、容量素子とが設けられた半導体装置(代表的には液晶表示装置)において、容量素子の一方の電極が、薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方と接続し、かつ、当該電極及びそれと同一層で形成される導電膜とが、薄膜トランジスタのゲート電極上に延在しているものである。
また、他の構成は、基板上に、画素電極と、薄膜トランジスタと、容量素子とが設けられた半導体装置において、容量素子の一方の電極が、薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方と接続し、かつ、当該電極及びそれと同一層で形成される遮光層とが、薄膜トランジスタのゲート電極上に延在し、その上層に設けられた遮光層と重畳しているものである。
また、他の構成は、基板上に、画素電極と、薄膜トランジスタと、容量素子とが設けられた半導体装置において、容量素子の絶縁層上に形成される一方の電極が、薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方と接続し、絶縁層が薄膜トランジスタのゲート電極を覆い、容量素子の一方の電極及びそれと同一層で形成される遮光層とが、薄膜トランジスタのゲート電極上に延在し、その上層に設けられた遮光層と重畳している半導体装置である。
また、他の構成は、基板上に形成された半導体層と、基板と半導体層との間に形成された第1遮光層と、半導体層の基板側とは反対側に形成されたゲート電極と、ゲート電極の上層に形成された画素電極と、ゲート電極と画素電極との間に形成された第3遮光層と、ゲート電極と第3遮光層との間に形成された第2遮光層とを有し、ゲート電極と第1乃至第3遮光層とが重畳している半導体装置である。
また、他の構成は、基板上に画素電極と薄膜トランジスタと容量素子とが設けられた半導体装置において、基板上に形成された第1遮光層と、遮光層上に形成された第1絶縁層と、第1絶縁層上に形成された半導体層と、半導体層上に形成された第2絶縁層と、第2絶縁層上に形成されたゲート電極と、容量配線と、ゲート電極及び容量配線上に形成された第3絶縁層と、第3絶縁層上に形成された第2遮光層と、第2遮光層に上層に形成された第4絶縁層と、第4絶縁層上に形成されたソース及びドレイン配線とソース及びドレイン配線の上層に形成された第5絶縁層と、第5絶縁層上に形成された第3遮光層と、第3遮光層の上層に形成された第6絶縁層と、第6絶縁層上に形成された画素電極とを有し、半導体層と第2絶縁層と容量配線と第3絶縁層と、第2遮光層との重畳部において容量素
子を形成し、第2遮光層がゲート電極上に延在しているものである。
子を形成し、第2遮光層がゲート電極上に延在しているものである。
上記構成において、遮光層をゲート電極上に延在させることにより、半導体層への回折光の侵入を防止し、TFTのオフ電流が当該回折光により増大してしまうのを防ぐことができる。また、こうして、画素部の構成に必要な要素を効率よく配置することにより、限定された画素サイズの中で高開口率を実現することができる。
また、TFTで形成される各種集積回路の駆動電圧を下げ、低消費電力化を実現するため、本発明の構成は、絶縁性基板上に第1結晶性半導体膜と第2結晶性半導体膜が接して形成され、絶縁性基板と第1結晶性半導体膜との間に形成された第1遮光膜と、第2結晶性半導体膜の絶縁性基板とは反対側に形成されたゲ−ト電極と、ゲ−ト電極の上層に形成された画素電極と、ゲ−ト電極と前記画素電極との間に形成された第3遮光層と、ゲ−ト電極と第3遮光層との間に形成された第2遮光層とを有し、第2結晶性半導体膜の平均結晶粒径は、第1結晶性半導体膜の平均結晶粒径よりも大きいことを特徴としている。
また、本発明により、絶縁表面上に遮光性を有する第1導電層を形成し、第1導電層を覆う第1絶縁層を形成し、第1絶縁層上に第1非晶質半導体膜を形成し、該第1非晶質半導体膜を加熱処理により溶融させることなく結晶化させて第1結晶性半導体膜を形成し、第1結晶性半導体膜上に第2非晶質半導体膜を接して形成し、レーザー光を照射して、当該照射領域における第2非晶質半導体膜の一部又は全部を溶融させた後、結晶化する段階を有する半導体装置の作製方法が提供される。
上記発明の構成において、レーザー光の光源として、固体レーザー発振装置、気体レーザー発振装置が適用される。固体レーザー発振装置としては、YAGレーザー発振装置、YVO4レーザー発振装置、YLFレーザー発振装置、YAlO3レーザー発振装置、ガラスレーザー発振装置、ルビ−レーザー発振装置、アレキサンドライドレーザー発振装置、Ti:サファイアレーザー発振装置から選ばれた一種が適用され、レーザー光は、非線形光学素子により第2高調波乃至第3高調波に変換されていることが望ましい。また、気体レーザー発振装置としては連続発振またはパルス発振のエキシマレーザー発振装置、Arレーザー発振装置、Krレーザー発振装置、CO2レーザー発振装置から選ばれた一種が適用される。その他に、金属レーザー発振装置として、ヘリウムカドミウムレーザー発
振装置、銅蒸気レーザー発振装置、金蒸気レーザー発振装置を適用しても良い。
振装置、銅蒸気レーザー発振装置、金蒸気レーザー発振装置を適用しても良い。
第1結晶性半導体膜を形成した後に、第2非晶質半導体膜を形成し、レーザー光の照射により結晶化させることで、第1結晶性半導体膜がレ−ザ−照射時に下地絶縁膜及び遮光膜から受ける異種膜からの内部応力を緩和させる働きをもつ。また、第1結晶性半導体膜は、レ−ザ−光の照射時によって遮光膜が変質してしまうのを防ぎ、第1結晶性半導体膜の下層側に形成されている遮光膜で反射したレーザー光が乱反射することを防ぎ、これによって歪みが蓄積されることを緩和して、TFTのしきい値電圧変動を防止することができる。
本発明により、一つの画素に占めるTFTの面積を縮小して画素の開口率を向上させることができる。また、本発明により、さまざまな要因(自然光、多重反射、回折光、光源からの光、戻り光等)によりTFTに入射する光に対してTFT特性劣化を抑えることができる。また、本発明により、液晶表示装置の高精細化(画素数の増大)及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進めることができる。
(実施の形態1)
本発明の実施形態1について、ダブルゲート構造のTFTに適用した場合における一例を図1に示し、以下に説明する。
本発明の実施形態1について、ダブルゲート構造のTFTに適用した場合における一例を図1に示し、以下に説明する。
図1中、100は基板、101、102はチャネル形成領域、103、105はソース領域またはドレイン領域、104は高濃度不純物領域、106、107は低濃度不純物領域(LDD領域)、108はゲート絶縁膜、109はゲート電極、110は層間絶縁膜、111、112はソース電極またはドレイン電極である。なお、図1(A)は、TFTの上面図を示す図1(B)での点線A−A’で切断した時の断面図を示している。
本発明は二つのチャネル形成領域101、102に挟まれた領域を高濃度不純物領域104のみとすることを特徴としている。互いに隣り合うゲート電極109の間隔d1、即ち、高濃度不純物領域のチャネル長方向の幅を低濃度不純物領域106、107の幅d2より短く設計することによって二つのチャネル形成領域の間隔を縮小することができ、一つの画素に対するTFTの占める面積を縮小することができる。また、二つのチャネル形成領域に挟まれた領域が高濃度不純物領域であるので、TFTがオン状態の半導体層全体の抵抗を低減しつつ、何らかの理由でTFTに光が入射した場合の光感度を低減する。
従来では、チャネル形成領域を挟んで両側にLDD領域が必要とされ、図27に示したように単純に2つのTFTを連結したダブルゲート構造(特開平6−265940号公報記載)を備えたTFT構造(ここでは、Aタイプと呼ぶ)であった。従って、この構造(Aタイプ)では一つの画素に対するTFTの占める面積が拡大していた。なお、このTFT構造(Aタイプ)は、図27に示したように2つのチャネル形成領域11、12の間に低濃度不純物領域16、17と高濃度不純物領域14との両方が形成されており、この点で本発明と大きく異なっている。また、この構造(Aタイプ)では、互いに隣り合うゲート電極19の間隔d1が低濃度不純物領域16、17の幅d2より長いもの、即ちd1>d2となっていた。本発明のTFT構造では、2つのチャネル形成領域の間に高濃度不純物領域のみが形成され、TFT構造(Aタイプ)よりもオン電流値は高い。なお
、図27中、10は基板、13、15はソース領域またはドレイン領域、18はゲート絶縁膜、20は層間絶縁膜、21、22はソース電極またはドレイン電極である。
、図27中、10は基板、13、15はソース領域またはドレイン領域、18はゲート絶縁膜、20は層間絶縁膜、21、22はソース電極またはドレイン電極である。
また、特開平4−344618号公報、及び特開平7−263705号公報記載のTFT構造も提案されている。これら公報に記載のTFT構造(ここではBタイプと呼ぶ)は、2つのチャネル形成領域の間に低濃度不純物領域のみが形成されており、この点で本発明と大きく異なっている。本発明のTFT構造では、2つのチャネル形成領域の間に高濃度不純物領域のみが形成され、TFT構造(Bタイプ)よりもオン電流値は高い。また、TFT構造(Bタイプ)は、d1>d2である。
さらに、上記TFT(Aタイプ及びBタイプ)においては、2つのチャネル形成領域の間に低濃度不純物領域が形成されているため、2つのチャネル形成領域の間に光が入射した場合、本発明と比べてTFT特性が大きく変動しまう構造である。
また、特開平7−22627号公報記載のTFT構造(ここではCタイプと呼ぶ)も提案されている。このTFT構造(Cタイプ)は、2つのチャネル形成領域の間に高濃度不純物領域のみが形成されているが、低濃度不純物領域を備えていない一方、オフセット領域が形成されており、この点で本発明と大きく異なっている。本発明のTFT構造では、チャネル形成領域とソース領域またはドレイン領域との間に低濃度不純物領域が形成され、TFT構造(Cタイプ)よりもオフ電流値は低く、且つオン電流値は高い。また、TFT構造(Cタイプ)は、d1>d2である。
また、上記TFT(Cタイプ)においては、チャネル形成領域とソース領域またはドレイン領域の間に設けられたオフセット領域に光が入射した場合、チャネル形成領域とソース領域またはドレイン領域との間に低濃度不純物領域を備えた本発明と比べてTFT特性が大きく変動しまう構造である。
また、本発明は、互いに隣り合うゲート電極109の間隔d1が低濃度不純物領域106、107の幅d2よりも短く設けられており、従来のTFT(Aタイプ、Bタイプ、及びCタイプ)と比べて2つのチャネル形成領域の間へ光が入射しにくい。
以下に本発明者が行った比較実験及びその実験結果を示す。
まず、絶縁表面を有する基板上に非晶質シリコン膜を形成した後、結晶化を行い結晶構造を有するシリコン膜を形成し、該シリコン膜を活性層とするTFTを作製し、本発明の画素TFT構造、即ち2つのチャネル形成領域の間に高濃度不純物領域のみを配置したTFTを備えた画素(23μm×23μm)を作製した。チャネル方向における各部位の幅は、ゲート電極及びチャネル形成領域の幅=2μm、LDD領域の幅d2=1.3μmとし、互いに隣り合うゲート電極の間隔d1をそれぞれ1μm、2μmとした画素TFTを作製し、オン電流値、オフ電流値をそれぞれ測定した結果を図3、図4に示した。
また、比較のため上述のタイプAに相当するTFTを備えた画素、即ち2つのチャネル形成領域の間にLDD領域と該LDD領域で挟まれた高濃度不純物領域を配置したTFTを備えた画素を作製した。チャネル方向における各部位の幅は、ゲート電極及びチャネル形成領域の幅=2μm、LDD領域の幅d2=1.3μmとし、互いに隣り合うゲート電極の間隔d1をそれぞれ3μm(LDD領域1μm×2、高濃度不純物領域1μm)とした画素TFTを作製し、同様にオン電流値、オフ電流値を測定した結果を図3、図4に示した。
また、比較のため上述のタイプBに相当するTFTを備えた画素、即ち2つのチャネル形成領域の間に低濃度不純物領域のみを配置したTFTを備えた画素を作製した。チャネル方向における各部位の幅は、ゲート電極及びチャネル形成領域の幅=2μm、LDD領域の幅d2=1.3μmとし、互いに隣り合うゲート電極の間隔d1をそれぞれ1μm、2μmとした画素TFTを作製し、オン電流値、オフ電流値をそれぞれ測定した結果を図3、図4に示した。
また、それぞれのTFTのオフ電流異常の発生割合を求めた。マトリクス状に12×17個の画素を配置したサンプルに対して、オフ電流が100fAを越える画素の個数の割合をオフ電流異常値を有する画素発生割合として求めたところ、本発明は1.9%、タイプAは2.7%、タイプCは23%となった。本発明のTFT構造が最もオフ電流異常発生率が低い。即ち、本発明のTFT構造は、TFTのオフ電流異常の発生割合を低減することができ、歩留まり向上にもつながる。
さまざまな要因(自然光、多重反射、回折光、光源からの光、戻り光等)によりTFTに入射する光に対してTFT特性劣化を抑えることができる本発明のTFT構造を、液晶表示モジュールに搭載される画素TFTや駆動部のTFTに適用することは、非常に有用である。また、同様の理由により本発明のTFT構造は、EL(Electro Luminescence)素子を備えた発光表示装置、および密着型イメージセンサに用いた場合においても非常に有用である。
また、ここでは絶縁表面を有する基板を用いて説明したが、半導体基板を用いることも可能である。
(実施の形態2)
実施の形態1ではd1<d2とした例を示したが、d1=d2とした本発明の実施形態2について、ダブルゲート構造のTFTに適用した場合における一例を図2に示し、以下に説明する。
実施の形態1ではd1<d2とした例を示したが、d1=d2とした本発明の実施形態2について、ダブルゲート構造のTFTに適用した場合における一例を図2に示し、以下に説明する。
図2中、200は基板、201、202はチャネル形成領域、203、205はソース領域またはドレイン領域、204は高濃度不純物領域、206、207は低濃度不純物領域(LDD領域)、208はゲート絶縁膜、209はゲート電極、210は層間絶縁膜、211、212はソース電極またはドレイン電極である。なお、図2(A)は、TFTの上面図を示す図2(B)での点線A−A’で切断した時の断面図を示している。
本発明は二つのチャネル形成領域201、202に挟まれた領域を高濃度不純物領域204のみとすることを特徴としている。互いに隣り合うゲート電極209の間隔d1、即ち、高濃度不純物領域のチャネル長方向の幅を低濃度不純物領域206、207の幅d2と同じ長さに設計することによって二つのチャネル形成領域の間隔を縮小することができ、一つの画素に対するTFTの占める面積を縮小することができる。また、二つのチャネル形成領域に挟まれた領域が高濃度不純物領域であるので、TFTがオン状態の半導体層全体の抵抗を低減しつつ、何らかの理由でTFTに光が入射した場合の光感度を低減する。
(実施の形態3)
本実施の形態を図21に示す。基板1101上には半導体層1105のチャネル形成領域に合わせて第1遮光層1102が形成されている。第1遮光層1102はW、Ta、Ti及びこれらにシリサイドなどの耐熱性を有し非透光性材料により形成している。これは、後の工程で半導体層等に対して行われる500℃以上の熱処理工程に対し、安定性を保つために選択される材料である。第1絶縁層は酸化窒化シリコン膜1103及び酸化シリコン膜1104で形成され、酸化シリコン膜の表面は化学的機械研磨(CMP)で平坦化しておいても良い。
本実施の形態を図21に示す。基板1101上には半導体層1105のチャネル形成領域に合わせて第1遮光層1102が形成されている。第1遮光層1102はW、Ta、Ti及びこれらにシリサイドなどの耐熱性を有し非透光性材料により形成している。これは、後の工程で半導体層等に対して行われる500℃以上の熱処理工程に対し、安定性を保つために選択される材料である。第1絶縁層は酸化窒化シリコン膜1103及び酸化シリコン膜1104で形成され、酸化シリコン膜の表面は化学的機械研磨(CMP)で平坦化しておいても良い。
半導体層1105は、非晶質半導体層を熱処理により結晶化させた多結晶半導体層で形成し、厚さは30〜750nm程度の厚さで形成する。半導体層1105上には30〜100nmの酸化シリコン膜により第2絶縁膜1106が形成され、容量素子においてはその厚さを薄くしている。ゲート電極1107、容量配線1108は同一層で形成され、その上に150〜200nmの酸化シリコン膜から成る第3絶縁層1109が形成されている。
第2遮光層1111、1110はソース及びドレインとのコンタクトを形成する電極でもあり、特に第2遮光層1110は容量配線1108上に形成され、容量素子を形成している。この第2遮光層1111、1110はゲート電極1107上に延在し、遮光層としての機能を兼ねている。この場合、第3絶縁層1109を150〜200nmの厚さとすることにより回折光が回り込んで半導体層1105に入射する量を減らしている。さらに、容量素子においては容量を増大させる効果がある。
半導体層1105にはチャネル形成領域1120、ソース又はドレイン領域1121、1122、LDD領域1124が形成されている。また、ソース又はドレイン領域1122から延在した半導体領域1123は容量素子の一方の電極として機能している。
図21に示す構成は、光電導効果により導電率の変化が比較的大きいLDD領域1124上に第2遮光層1111、1110が形成され遮光層となり、ほぼ完全に迷光を遮ることを可能としている。その上層には第4絶縁層1112、ソース及びドレイン配線1113、1114、第5絶縁層1115、第3遮光層1116、第6絶縁層1117、画素電極1118が形成されている。
本発明の構造によれば、回折光を含む迷光に対して完全な遮光を得ることができるが、その反面LDD領域1124の直上部に第2遮光層が重なり、LDD領域1124の電界分布が変化してTFTの特性に悪影響を及ぼすことが懸念される。
図23は図21と同様な構成である本発明の構造におけるLDD領域の横方向電界強度分布をシミュレーションした結果を示している。図23(A)は計算に用いた素子構造であり、第1遮光層とLDD領域との間隔が580nm、ゲート絶縁膜の厚さが80nm、LDD領域と第2遮光層の間隔が180nmとなっている。ゲート電圧は−8V、ドレイン電圧は+5Vである。また、図24は、LDD領域直上に第2遮光層のない従来構造における同様のシミュレーション結果を示している。
図23(B)と図24(B)との対比から、本発明の構造を採用した場合においては、第2遮光層からの電界の影響によりゲート電極端部でのLDD部の電界強度が強まることが解る。しかし、この影響を試作したTFTで調べたところ、図25で示すようにオフ電流は殆ど増加しないことが判明した。従って、本発明の構造は、TFTの特性を悪化させることなく、遮光性を高めることが可能であることが確認されている。
(実施の形態4)
図26は本発明における画素の断面構造を示し、TFTとそれに接続する画素電極、及び容量部が形成された形態を示している。基板1201上には結晶性半導体膜で形成される活性層のチャネル形成領域に合わせて第1遮光層1202が形成されている。
図26は本発明における画素の断面構造を示し、TFTとそれに接続する画素電極、及び容量部が形成された形態を示している。基板1201上には結晶性半導体膜で形成される活性層のチャネル形成領域に合わせて第1遮光層1202が形成されている。
第1遮光層1202はW、Ta、Ti及びこれらのシリサイドなどの耐熱性を有し非透光性材料により形成している。これは、後の工程で半導体層等に対して行われる500℃以上の熱処理工程に対し、安定性を保つために選択される材料である。第1絶縁層は酸窒化珪素膜1203及び酸化珪素膜1204で形成され、酸化珪素膜の表面は化学的機械研磨(CMP)で平坦化しておいても良い。
活性層は少なくとも2層の結晶性半導体膜で形成され、第1結晶性半導体膜1205は、非晶質半導体膜を熱処理により結晶化させて形成され、30〜300nmの厚さで形成する。
更に第1結晶性半導体膜1205上に、非晶質半導体膜を厚さ30〜300nmで形成し、レーザー光の照射により結晶化させて第2結晶性半導体膜1206を形成する。レーザー光の光源は、固体レ−ザー発振装置、気体レ−ザー発振装置、又は金属レ−ザー発振装置を適用することができる。最も好ましくは連続発振固体レーザー装置であり、連続発振YAGレ−ザー、YVO4レ−ザー、YLFレ−ザー、YAlO3レ−ザー、ガラスレ−ザー、ルビ−レ−ザー、アレキサンドライドレ−ザー、Ti:サファイアレ−ザーを適用することができる。
また、上記各構成において、レ−ザー光は、非線形光学素子により高調波に変換されていることが望ましい。例えば、YAGレ−ザーは基本波として、波長1065nmのレ−ザー光を出すことで知られている。このレ−ザー光の半導体膜に対する吸収係数は低いので、下地に形成される絶縁膜や基板にダメージを与えることなく非晶質半導体膜のみを結晶化することが難しい。基本波ではなく、非線形光学素子を用いて第2高調波(532nm)、第3高調波(355nm)、第4高調波(266nm)、第5高調波(213nm)を形成し、この波長のレーザー光を照射することにより、半導体膜の光吸収係数との兼ね合いで、非晶質半導体膜のみを選択的に過熱して結晶化を行うことができる。
このような二段階の結晶化処理により、形成された結晶性半導体膜は大粒径で、結晶欠陥の少ない膜であり、結晶粒内は単結晶に近い特性をもつ。そして、第2結晶性半導体膜を形成する際、第1結晶性半導体膜はレ−ザ照射時の保護膜となり下部異種膜との内部応力緩和の役割を果たす。また、第1結晶性半導体膜と第2結晶性半導体膜の接合部において格子不整合性の影響は少ないため、2層を積層してTFTの活性層を形成しても、層の違いにより影響を受けることはない。この第1結晶性半導体膜との選択的な結晶化によって、レ−ザ−光の照射時によって遮光膜が変質してしまうのを防ぎ、第1結晶性半導体膜の下層側に形成されている遮光膜で反射したレーザー光が乱反射することを防ぎ、歪みのない結晶性半導体膜を形成することができる。
また、半導体層上には30〜100nmの酸化珪素膜により第2絶縁膜1207が形成され、容量素子においてはその厚さを薄くしている。ゲ−ト電極1208、容量配線1209は同一層で形成され、その上に150〜200nmの酸化珪素膜から成る第3絶縁層1210が形成されている。
第2遮光層1212、1211はソ−ス及びドレインとのコンタクトを形成する電極としての機能を兼ね、特に第2遮光層1211は容量配線1209上に形成され、容量素子を形成している。この第2遮光層1212、1211はゲ−ト電極1208上に延在して遮光性を高めている。この場合、第3絶縁膜を150〜200nmの厚さとすることにより回折光が回り込んで活性層1205に入射する量を減らしている。さらに、容量部においては容量を増大させる効果がある。
活性層にはチャネル形成領域1221、ソ−ス又はドレイン領域1222、1223、LDD領域1225が形成されている。また、ソ−ス又はドレイン領域1223から延在した半導体領域1224は容量素子の一方の電極として機能している。
図26に示す構成は、光電効果により導電率の変化が比較的大きいLDD領域1225上に第2遮光層1212、1211が形成され遮光層となり、ほぼ完全に迷光を遮ることを可能にしている。その上層には第4絶縁層1213、ソ−ス及びドレイン配線1214、1215、第5絶縁層1216、第3遮光層1217、第6絶縁層1218、画素電極1219が形成されている。
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
(実施例)
(実施例)
本発明の実施例を図5〜図8を用いて説明する。ここでは、同一基板上に画素部と、画素部の周辺に設ける駆動回路のTFT(nチャネル型TFT及びpチャネル型TFT)を同時に作製する方法について詳細に説明する。
まず、ガラス基板300上に下地絶縁膜301を形成し、結晶構造を有する第1の半導体膜を得た後、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体層302〜306を形成する。
本実施例では、ガラス基板上に設ける下地絶縁膜301として2層構造を用いるが、前記絶縁膜の単層膜または2層以上積層させた構造を用いても良い。下地絶縁膜301の一層目としては、プラズマCVD法を用い、SiH4、NH3、及びN2Oを反応ガスとして成膜される第1酸化窒化シリコン膜(組成比Si=32%、O=27%、N=24%、H=17%)を膜厚50nmで形成する。次いで、下地絶縁膜301のニ層目としては、プラズマCVD法を用い、SiH4及びN2Oを反応ガスとして成膜される第2酸化窒化シリコン膜(組成比Si=32%、O=59%、N=7%、H=2%)を膜厚100nmで形成する。
次いで、下地絶縁膜301上にプラズマCVD法を用いた非晶質シリコン膜を50nmの膜厚で形成する。次いで、重量換算で10ppmのニッケルを含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布する。塗布に代えてスパッタ法でニッケル元素を全面に散布する方法を用いてもよい。
次いで、加熱処理を行い結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する。この加熱処理は、電気炉の熱処理または強光の照射を用いればよい。電気炉の熱処理で行う場合は、500℃〜650℃で4〜24時間で行えばよい。ここでは脱水素化のための熱処理(500℃、1時間)の後、結晶化のための熱処理(550℃、4時間)を行って結晶構造を有するシリコン膜を得る。なお、ここでは炉を用いた熱処理を用いて結晶化を行ったが、ランプアニール装置で結晶化を行ってもよい。
次いで、結晶化率を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するための第1のレーザー光(XeCl:波長308nm)の照射を大気中、または酸素雰囲気中で行う。レーザー光には波長400nm以下のエキシマレーザ光や、YAGレーザの第2高調波、第3高調波を用いる。いずれにしても、繰り返し周波数10〜1000Hz程度のパルスレーザー光を用い、当該レーザー光を光学系にて100〜500mJ/cm2に集光し、90〜95%のオーバーラップ率をもって照射し、シリコン膜表面を走査させればよい。ここでは、繰り返し周波数30Hz、エネルギー密度476mJ/cm2で第1のレーザー光の照射を大気中で行なう。なお、ここでの第1のレーザー光の照射は、膜中の希ガス元素(ここではアルゴン)を除去または低減する上で非常に重要である。次いで、第1のレーザー光の照射により形成された酸化膜に加え、オゾン水で表面を120秒処理して合計1〜5nmの酸化膜からなるバリア層を形成する。
次いで、バリア層上にスパッタ法にてゲッタリングサイトとなるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を膜厚150nmで形成する。本実施例のスパッタ法による成膜条件は、成膜圧力を0.3Paとし、ガス(Ar)流量を50(sccm)とし、成膜パワーを3kWとし、基板温度を150℃とする。なお、上記条件での非晶質シリコン膜に含まれるアルゴン元素の原子濃度は、3×1020/cm3〜6×1020/cm3、酸素の原子濃度は1×1019/cm3〜3×1019/cm3である。その後、ランプアニール装置を用いて650℃、3分の熱処理を行いゲッタリングする。
次いで、バリア層をエッチングストッパーとして、ゲッタリングサイトであるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を選択的に除去した後、バリア層を希フッ酸で選択的に除去する。なお、ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があるため、酸化膜からなるバリア層をゲッタリング後に除去することが望ましい。
次いで、第2のレーザー光の照射を窒素雰囲気、或いは真空中で行い、半導体膜表面を平坦化する。このレーザー光(第2のレーザー光)には波長400nm以下のエキシマレーザー光や、YAGレーザーの第2高調波、第3高調波を用いる。また、エキシマレーザー光に代えて紫外光ランプから発する光を用いてもよい。なお、第2のレーザー光のエネルギー密度は、第1のレーザー光のエネルギー密度より大きくし、好ましくは30〜60mJ/cm2大きくする。ここでは、繰り返し周波数30Hz、エネルギー密度537mJ/cm2で第2のレーザー光の照射を行ない、半導体膜表面における凹凸のP―V値が5nm以下となる。
また、本実施例では第2のレーザー光の照射を全面に行ったが、オフ電流の低減は、画素部のTFTに特に効果があるため、少なくとも画素部のみに選択的に照射する工程としてもよい。
次いで、得られた結晶構造を有するシリコン膜(ポリシリコン膜とも呼ばれる)の表面にオゾン水で薄い酸化膜を形成した後、レジストからなるマスクを形成し、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体層を形成する。半導体層を形成した後、レジストからなるマスクを除去する。
また、半導体層を形成した後、TFTのしきい値(Vth)を制御するためにp型あるいはn型を付与する不純物元素を添加してもよい。なお、半導体に対してp型を付与する不純物元素には、ボロン(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)など周期律第13族元素が知られている。なお、半導体に対してn型を付与する不純物元素としては周期律15族に属する元素、典型的にはリン(P)または砒素(As)が知られている。
次いで、フッ酸を含むエッチャントで酸化膜を除去すると同時にシリコン膜の表面を洗浄した後、ゲート絶縁膜307となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。本実施例では、プラズマCVD法により115nmの厚さで酸化窒化シリコン膜(組成比Si=32%、O=59%、N=7%、H=2%)で形成する。
次いで、図5(A)に示すように、ゲート絶縁膜307上に膜厚20〜100nmの第1の導電膜308aと、膜厚100〜400nmの第2の導電膜308bと、膜厚20〜100nmの第3の導電膜308cを積層形成する。本実施例では、ゲート絶縁膜307上に膜厚50nmのタングステン膜、膜厚500nmのアルミニウムとチタンの合金(Al−Ti)膜、膜厚30nmのチタン膜を順次積層した。
第1〜第3の導電膜を形成する導電性材料としてはTa、W、Ti、Mo、Al、Cuから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成する。また、第1〜第3の導電膜としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。例えば、第1の導電膜のタングステンに代えて窒化タングステンを用いてもよいし、第2の導電膜のアルミニウムとチタンの合金(Al−Ti)膜に代えてアルミニウムとシリコンの合金(Al−Si)膜を用いてもよいし、第3の導電膜のチタン膜に代えて窒化チタン膜を用いてもよい。また、3層構造に限定されず、例えば、窒化タンタル膜とタングステン膜との2層構造であってもよい。
次に、図5(B)に示すように光露光工程によりレジストからなるマスク310〜315を形成し、ゲート電極及び配線を形成するための第1のエッチング処理を行う。第1のエッチング処理では第1及び第2のエッチング条件で行う。エッチングにはICP(Inductively Coupled Plasma:誘導結合型プラズマ)エッチング法を用いると良い。ICPエッチング法を用い、エッチング条件(コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等)を適宜調節することによって所望のテーパー形状に膜をエッチングすることができる。なお、エッチング用ガスとしては、Cl2、BCl3、SiCl4、CCl4などを代表とする塩素系ガスまたはCF4、SF6、NF3などを代表とするフッ素系ガス、またはO2を適宜用いることができる。
用いるエッチング用ガスに限定はないが、ここではBCl3とCl2とO2とを用いることが適している。それぞれのガス流量比を65/10/5(sccm)とし、1.2Paの圧力でコイル型の電極に450WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成して117秒のエッチングを行う。基板側(試料ステージ)にも300WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。この第1のエッチング条件によりAl膜及びTi膜をエッチングして第1の導電層の端部をテーパー形状とする。
この後、第2のエッチング条件に変え、エッチング用ガスにCF4とCl2とO2とを用い、それぞれのガス流量比を25/25/10(sccm)とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成して約30秒程度のエッチングを行う。基板側(試料ステージ)にも20WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。CF4とCl2を混合した第2のエッチング条件ではAl膜、Ti膜、及びW膜とも同程度にエッチングされる。なお、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、10〜20%程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。
この第1のエッチング処理では、レジストからなるマスクの形状を適したものとすることにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第1の導電層、第2の導電層、及び第3の導電層の端部がテーパー形状となる。このテーパー部の角度は15〜45°となる。こうして、第1のエッチング処理により第1の導電層と第2の導電層と第3の導電層とから成る第1の形状の導電層317〜322(第1の導電層317a〜322aと第2の導電層317b〜322bと第3の導電層317c〜322c)を形成する。316はゲート絶縁膜であり、第1の形状の導電層317〜322で覆われない領域は20〜50nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
次に、レジストからなるマスク310〜315を除去せずに図5(C)に示すように第2のエッチング処理を行う。エッチング用ガスにBCl3とCl2を用い、それぞれのガス流量比を20/60(sccm)とし、1.2Paの圧力でコイル型の電極に600WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行う。基板側(試料ステージ)には100WのRF(13.56MHz)電力を投入する。この第3のエッチング条件により第2導電層及び第3導電層をエッチングする。こうして、上記第3のエッチング条件によりチタンを微量に含むアルミニウム膜及びチタン膜を異方性エッチングして第2の形状の導電層324〜329(第1の導電層324a〜329aと第2の導電層324b〜329bと第3の導電層324c〜329c)を形成する。323はゲート絶縁膜であり、第2の形状の導電層324〜329で覆われない領域は若干エッチングされ薄くなった領域が形成される。
そして、レジストからなるマスクを除去せずに第1のドーピング処理を行い、半導体層にn型を付与する不純物元素を添加する。ドーピング処理はイオンドープ法、もしくはイオン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドーズ量を1.5×1014atoms/cm2とし、加速電圧を60〜100keVとして行う。n型を付与する不純物元素として、典型的にはリン(P)または砒素(As)を用いる。この場合、第2形状の導電層324〜328がn型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第1の不純物領域330〜334が形成される。第1の不純物領域330〜334には1×1016〜1×1017/cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加する。
なお、本実施例ではレジストからなるマスクを除去せずに第1のドーピング処理を行ったが、レジストからなるマスクを除去した後、第1のドーピング処理を行ってもよい。
次いで、レジストからなるマスクを除去した後、図6(A)に示すようにレジストからなるマスク335、336を形成し第2のドーピング処理を行う。マスク335は駆動回路のnチャネル型TFTの一つを形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域を保護するマスクであり、マスク336は画素部のTFTを形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域を保護するマスクである。
第2のドーピング処理におけるイオンドープ法の条件はドーズ量を1.5×1015atoms/cm2とし、加速電圧を60〜100keVとしてリン(P)をドーピングする。ここでは、第2形状の導電層324〜328及びゲート絶縁膜323の膜厚の差を利用して各半導体層に不純物領域を行う。勿論、マスク335、336で覆われた領域にはリン(P)は添加されない。こうして、第2の不純物領域380〜382と第3の不純物領域337〜341が形成される。第3の不純物領域337〜341には1×1020〜1×1021/cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加されている。また、第2の不純物領域はゲート絶縁膜の膜厚差により第3の不純物領域よりも低濃度に形成され、1×1018〜1×1019/cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加されることになる。また、保持容量となる領域をマスクで覆ってもよい。
なお、第2のドーピング処理により画素部の二つのチャネル形成領域に挟まれた領域には第3の不純物領域のみが形成される。このような構成とすることでTFTのオン状態での半導体層全体の抵抗が低減され、オン電流が向上するとともに、高濃度不純物領域で発生する光励起によるキャリアライフタイムを弱め、光感度を低下させることができる。
次いで、レジストからなるマスク335、336を除去した後、新たにレジストからなるマスク342〜344を形成して図6(B)に示すように第3のドーピング処理を行う。この第3のドーピング処理により、pチャネル型TFTを形成する半導体層にp型の導電型を付与する不純物元素が添加された第4の不純物領域347及び第5の不純物領域345、346を形成する。第4の不純物領域は第2形状の導電層と重なる領域に形成されるものであり、1×1018〜1×1020/cm3の濃度範囲でp型を付与する不純物元素が添加されるようにする。また、第5の不純物領域345、346には1×1020〜1×1021/cm3の濃度範囲でp型を付与する不純物元素が添加されるようにする。尚、第5の不純物領域346には先の工程でリン(P)が添加された領域であるが、p型を付与する不純物元素の濃度がその1.5〜3倍添加されていて導電型はp型となっている。
なお、第5の不純物領域348、349及び第4の不純物領域350は画素部において保持容量を形成する半導体層に形成される。
以上までの工程でそれぞれの半導体層にn型またはp型の導電型を有する不純物領域が形成される。第2の形状の導電層324〜327はゲート電極となる。また、第2の形状の導電層328は画素部において保持容量を形成する一方の電極となる。さらに、第2の形状の導電層329は画素部においてソース配線を形成する。
次いで、ほぼ全面を覆う絶縁膜(図示しない)を形成する。本実施例では、プラズマCVD法により膜厚50nmの酸化シリコン膜を形成した。勿論、この絶縁膜は酸化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
次いで、それぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化処理する工程を行う。この活性化工程は、ランプ光源を用いたラピッドサーマルアニール法(RTA法)、或いはYAGレーザーまたはエキシマレーザーを裏面から照射する方法、或いは炉を用いた熱処理、或いはこれらの方法のうち、いずれかと組み合わせた方法によって行う。ただし、本実施例では、第2の導電層としてアルミニウムを主成分とする材料を用いているので、活性化工程において第2の導電層が耐え得る熱処理条件とすることが重要である。
上記活性化処理と同時に、結晶化の際に触媒として使用したニッケルが高濃度のリンを含む第3の不純物領域337、339、340、及び第5の不純物領域346、349ゲッタリングされ、主にチャネル形成領域となる半導体層中のニッケル濃度が低減される。その結果、チャネル形成領域を有するTFTはオフ電流値が下がり、結晶性が良いことから高い電界効果移動度が得られ、良好な特性を達成することができる。なお、本実施例では半導体層を形成する段階で上記実施の形態1に示した方法により1度目のゲッタリングが行われているので、ここでのリンによるゲッタリングは2度目のゲッタリングとなる。また、1度目のゲッタリングで十分ゲッタリングができている場合には、特に2度目のゲッタリングを行う必要はない。
また、本実施例では、上記活性化の前に絶縁膜を形成した例を示したが、上記活性化を行った後、絶縁膜を形成する工程としてもよい。
次いで、窒化シリコン膜からなる第1の層間絶縁膜351を形成して熱処理(300〜550℃で1〜12時間の熱処理)を行い、半導体層を水素化する工程を行う。(図6(C))この工程は第1の層間絶縁膜351に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。酸化シリコン膜からなる絶縁膜(図示しない)の存在に関係なく半導体層を水素化することができる。ただし、本実施例では、第2の導電層としてアルミニウムを主成分とする材料を用いているので、水素化する工程において第2の導電層が耐え得る熱処理条件とすることが重要である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化(プラズマにより励起された水素を用いる)を行っても良い。
次いで、第1の層間絶縁膜351上に有機絶縁物材料から成る第2の層間絶縁膜374を形成する。本実施例では膜厚1.6μmのアクリル樹脂膜を形成する。次いで、ソース配線327に達するコンタクトホールと各不純物領域に達するコンタクトホールを形成する。本実施例では複数のエッチング処理を順次行う。本実施例では第1の層間絶縁膜をエッチングストッパーとして第2の層間絶縁膜をエッチングした後、絶縁膜(図示しない)をエッチングストッパーとして第1の層間絶縁膜をエッチングしてから絶縁膜(図示しない)をエッチングした。
その後、Al、Ti、Mo、Wなどを用いて配線及び画素電極を形成する。これらの電極及び画素電極の材料は、AlまたはAgを主成分とする膜、またはそれらの積層膜等の反射性の優れた材料を用いることが望ましい。こうして、ソースまたはドレイン配線353〜358、ゲート配線360、接続配線359、画素電極361が形成される。
以上の様にして、nチャネル型TFT、pチャネル型TFT、nチャネル型TFTを有する駆動回路と、nチャネル型TFT、保持容量とを有する画素部を同一基板上に形成することができる。(図7)本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。
図7中において、画素部の画素TFT(第1のnチャネル型TFT)にはチャネル形成領域371、ゲート電極を形成する第2の形状の導電層327の外側に形成される第1の不純物領域372とソース領域またはドレイン領域として機能する第3の不純物領域373、374を有している。また、二つのチャネル形成領域の間の領域377にはソース領域またはドレイン領域と同じ濃度でリンが添加されている。また、領域377の幅(チャネル長方向における幅)は、LDD領域として機能する第1の不純物領域の幅(チャネル長方向における幅)より狭い。
また、保持容量の一方の電極として機能する半導体層には第4の不純物領域376、第5の不純物領域377が形成されている。保持容量は、絶縁膜(ゲート絶縁膜と同一膜)を誘電体として、第2形状の電極328と、半導体層306とで形成されている。
また、図8に画素の上面図の一例を示す。図8中、鎖線A−A’で切断したときの断面図が図7中の鎖線A−A’に相当し、図8中、鎖線B−B’で切断したときの断面図が図7中の鎖線B−B’に相当する。また、図8は図7と同一の符号を用いた。
また、図7中において、駆動回路のnチャネル型TFT(第2のnチャネル型TFT)はチャネル形成領域362、ゲート電極を形成する第2の形状の導電層324と一部が重なる第2の不純物領域363とソース領域またはドレイン領域として機能する第3の不純物領域364を有している。pチャネル型TFTにはチャネル形成領域365、ゲート電極を形成する第2の形状の導電層325と一部が重なる第4不純物領域366とソース領域またはドレイン領域として機能する第4の不純物領域367を有している。nチャネル型TFT(第2のnチャネル型TFT)にはチャネル形成領域368、ゲート電極を形成する第2の形状の導電層326と一部が重なる第2の不純物領域369とソース領域またはドレイン領域として機能する第3の不純物領域370を有している。このようなnチャ
ネル型TFT及びpチャネル型TFTによりシフトレジスタ回路、バッファ回路、レベルシフタ回路、ラッチ回路などを形成することができる。
ネル型TFT及びpチャネル型TFTによりシフトレジスタ回路、バッファ回路、レベルシフタ回路、ラッチ回路などを形成することができる。
本実施例では、実施例1のアクティブマトリクス基板から、アクティブマトリクス型液晶表示装置を作製する工程を以下に説明する。説明には図9を用いる。
まず、上記実施例1に従い、図15の状態のアクティブマトリクス基板を得た後、図15のアクティブマトリクス基板上に配向膜を形成しラビング処理を行う。なお、本実施例では配向膜を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサを所望の位置に形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。
次いで、対向基板を用意する。この対向基板には、着色層、遮光層が各画素に対応して配置されたカラーフィルタが設けられている。また、駆動回路の部分にも遮光層を設けた。このカラーフィルタと遮光層とを覆う平坦化膜を設けた。次いで、平坦化膜上に透明導電膜からなる対向電極を画素部に形成し、対向基板の全面に配向膜を形成し、ラビング処理を施した。
そして、画素部と駆動回路が形成されたアクティブマトリクス基板と対向基板とをシール材で貼り合わせる。シール材にはフィラーが混入されていて、このフィラーと柱状スペーサによって均一な間隔を持って2枚の基板が貼り合わせられる。その後、両基板の間に液晶材料を注入し、封止剤(図示せず)によって完全に封止する。液晶材料には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにしてアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。そして、必要があれば、アクティブマトリクス基板または対向基板を所望の形状に分断する。さらに、公知の技術を用いて偏光板等を適宜設けた。そして、公知の技術を用いてFPCを貼りつけた。
こうして得られた液晶モジュールの構成を図9の上面図を用いて説明する。
アクティブマトリクス基板801の中央には、画素部804が配置されている。画素部804の上側には、ソース信号線を駆動するためのソース信号線駆動回路802が配置されている。画素部804の左右には、ゲート信号線を駆動するためのゲート信号線駆動回路803が配置されている。本実施例に示した例では、ゲート信号線駆動回路803は画素部に対して左右対称配置としているが、これは片側のみの配置でも良く、液晶モジュールの基板サイズ等を考慮して、設計者が適宜選択すれば良い。ただし、回路の動作信頼性や駆動効率等を考えると、図9に示した左右対称配置が望ましい。
各駆動回路への信号の入力は、フレキシブルプリント基板(Flexible Print Circuit:FPC)805から行われる。FPC805は、基板801の所定の場所まで配置された配線に達するように、層間絶縁膜および樹脂膜にコンタクトホールを開口し、接続電極809を形成した後、異方性導電膜等を介して圧着される。本実施例においては、接続電極はITOを用いて形成した。
駆動回路、画素部の周辺には、基板外周に沿ってシール剤807が塗布され、あらかじめアクティブマトリクス基板上に形成されたスペーサによって一定のギャップ(基板801と対向基板806との間隔)を保った状態で、対向基板806が貼り付けられる。その後、シール剤807が塗布されていない部分より液晶素子が注入され、封止剤808によって密閉される。以上の工程により、液晶モジュールが完成する。
また、ここでは全ての駆動回路を基板上に形成した例を示したが、駆動回路の一部に数個のICを用いてもよい。
また、本実施例は、実施の形態1乃至4、実施例1のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
本実施例では、EL(Electro Luminescence)素子を備えた発光表示装置を作製する例を以下に示す。
絶縁表面を有する基板(例えば、ガラス基板、結晶化ガラス基板、もしくはプラスチック基板等)に、画素部、ソース側駆動回路、及びゲート側駆動回路を形成する。これらの画素部や駆動回路は、上記実施例1に従えば得ることができる。また、画素部および駆動回路部はシール材で覆われ、そのシール材は保護膜で覆われている。さらに、接着材を用いてカバー材で封止されている。熱や外力などによる変形に耐えるためカバー材は基板と同じ材質のもの、例えばガラス基板を用いることが望ましく、サンドブラスト法などにより凹部形状(深さ3〜10μm)に加工する。さらに加工して乾燥剤が設置できる凹部(深さ50〜200μm)を形成することが望ましい。また、多面取りでELモジュールを製造する場合、基板とカバー材とを貼り合わせた後、CO2レーザー等を用いて端面が一致するように分断してもよい。
次に、断面構造について以下に説明する。基板上に絶縁膜が設けられ、絶縁膜の上方には画素部、ゲート側駆動回路が形成されており、画素部は電流制御用TFTとそのドレインに電気的に接続された画素電極を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路はnチャネル型TFTとpチャネル型TFTとを組み合わせたCMOS回路を用いて形成される。これらのTFTは、上記実施例1に従って作製すればよい。
画素電極はEL素子の陽極として機能する。また、画素電極の両端にはバンクが形成され、画素電極上にはEL層およびEL素子の陰極が形成される。
EL層としては、発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせてEL層(発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層)を形成すれば良い。例えば、低分子系有機EL材料や高分子系有機EL材料を用いればよい。また、EL層として一重項励起により発光(蛍光)する発光材料(シングレット化合物)からなる薄膜、または三重項励起により発光(リン光)する発光材料(トリプレット化合物)からなる薄膜を用いることができる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機EL材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。
陰極は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線を経由してFPCに電気的に接続されている。さらに、画素部及びゲート側駆動回路に含まれる素子は全て陰極、シール材及び保護膜で覆われている。
なお、シール材としては、できるだけ可視光に対して透明もしくは半透明な材料を用いるのが好ましい。また、シール材はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
また、シール材を用いて発光素子を完全に覆った後、すくなくともDLC膜等からなる保護膜をシール材の表面(露呈面)に設けることが好ましい。また、基板の裏面を含む全面に保護膜を設けてもよい。ここで、外部入力端子(FPC)が設けられる部分に保護膜が成膜されないように注意することが必要である。マスクを用いて保護膜が成膜されないようにしてもよいし、CVD装置でマスキングテープとして用いるテフロン(登録商標)等のテープで外部入力端子部分を覆うことで保護膜が成膜されないようにしてもよい。
以上のような構造でEL素子をシール材及び保護膜で封入することにより、EL素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等のEL層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
また、画素電極を陰極とし、EL層と陽極を積層して上記構成とは逆方向に発光する構成としてもよい。
なお、本実施例は実施例1または実施の形態1、実施の形態2と組み合わせることが可能である。
本実施例では、他のトップゲート型TFTの例、具体的には、ゲート配線が半導体層の下方に設けられ遮光層としたトップゲート型TFTを備えたアクティブマトリクス基板の作製工程の例を示す。なお、説明には画素部の一部の上面図および断面図を示した図10〜図15を用いる。
まず、絶縁表面を有する基板401上に導電膜を形成し、パターニングを施すことにより走査線402を形成する。(図10(A))
この走査線402は後に形成される活性層を光から保護する遮光層としても機能する。ここでは基板401として石英基板を用い、走査線402としてポリシリコン膜(膜厚50nm)とタングステンシリサイド(W−Si)膜(膜厚100nm)の積層構造を用いた。また、ポリシリコン膜はタングステンシリサイドから基板への汚染を保護するものである。基板401には石英基板の他に、ガラス基板、プラスチック基板を用いることができる。ガラス基板を用いる場合には、ガラス歪み点よりも10〜20℃程度低い温度であらかじめ熱処理しておいても良い。また、基板401のTFTを形成する表面に、基板401からの不純物拡散を防ぐために、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜を形成するとよい。走査線402としては、導電型を付与する不純物元素がドープされたpoly−SiやWSiX(X=2.0〜2.8)、Al、Ta、W、Cr、Mo等の導電性材料及びその積層構造を用いることができる。
次いで、走査線402を覆う絶縁膜403a、403bを膜厚100〜1000nm(代表的には300〜500nm)で形成する。(図10(B))ここではCVD法を用いた膜厚100nmの酸化シリコン膜とLPCVD法を用いた膜厚280nmの酸化シリコン膜を積層させた。
また、絶縁膜403bを形成した後、絶縁膜表面を化学的及び機械的に研磨する処理(代表的にはCMP技術)等)により平坦化してもよい。例えば、絶縁膜表面の最大高さ(Rmax)が0.5μm以下、好ましくは0.3μm以下となるようにする。
次いで、非晶質半導体膜を膜厚10〜100nmで形成する。ここでは膜厚69nmの非晶質シリコン膜(アモルファスシリコン膜)をLPCVD法を用いて形成した。次いで、この非晶質半導体膜を結晶化させる技術として特開平8-78329号公報記載の技術を用いて結晶化させた。同公報記載の技術は、非晶質シリコン膜に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に添加し、加熱処理を行うことで添加領域を起点として広がる結晶質シリコン膜を形成するものである。ここでは結晶化を助長する金属元素としてニッケルを用い、脱水素化のための熱処理(450℃、1時間)の後、結晶化のための熱処理(600℃、12時間)を行った。なお、ここでは、結晶化に上記公報記載の技術を用いたが特に限定されず、公知の結晶化処理(レーザー結晶化法、熱結晶化法等)を用いることが可能である。次いで、結晶化率を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するためのレーザー光(XeCl:波長308nm)の照射を行う。レーザー光には波長400nm
以下のエキシマレーザ光や、YAGレーザの第2高調波、第3高調波を用いる。いずれにしても、繰り返し周波数10〜1000Hz程度のパルスレーザー光を用い、当該レーザー光を光学系にて100〜400mJ/cm2に集光し、90〜95%のオーバーラップ率をもって照射し、シリコン膜表面を走査させればよい。
以下のエキシマレーザ光や、YAGレーザの第2高調波、第3高調波を用いる。いずれにしても、繰り返し周波数10〜1000Hz程度のパルスレーザー光を用い、当該レーザー光を光学系にて100〜400mJ/cm2に集光し、90〜95%のオーバーラップ率をもって照射し、シリコン膜表面を走査させればよい。
次いで、TFTの活性層とする領域からNiをゲッタリングする。ここでは、ゲッタリング方法として希ガス元素を含む半導体膜を用いて行う例を示す。上記レーザー光の照射により形成された酸化膜に加え、オゾン水で表面を120秒処理して合計1〜5nmの酸化膜からなるバリア層を形成する。次いで、バリア層上にスパッタ法にてゲッタリングサイトとなるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を膜厚150nmで形成する。本実施例のスパッタ法による成膜条件は、成膜圧力を0.3Paとし、ガス(Ar)流量を50(sccm)とし、成膜パワーを3kWとし、基板温度を150℃とする。なお、上記条件での非晶質シリコン膜に含まれるアルゴン元素の原子濃度は、3×1020/cm3〜6×1020/cm3、酸素の原子濃度は1×1019/cm3〜3×1019/cm3である。その後、ランプアニール装置を用いて650℃、3分の熱処理を行いゲッタリングする。な
お、ランプアニール装置の代わりに電気炉を用いてもよい。
お、ランプアニール装置の代わりに電気炉を用いてもよい。
次いで、バリア層をエッチングストッパーとして、ゲッタリングサイトであるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を選択的に除去した後、バリア層を希フッ酸で選択的に除去する。なお、ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があるため、酸化膜からなるバリア層をゲッタリング後に除去することが望ましい。
次いで、得られた結晶構造を有するシリコン膜(ポリシリコン膜とも呼ばれる)の表面にオゾン水で薄い酸化膜を形成した後、レジストからなるマスクを形成し、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体層404を形成する。半導体層404を形成した後、レジストからなるマスクを除去する。(図10(C1))なお、半導体層404を形成した後の画素上面図を図10(C2)に示す。図10(C2)において、点線A−A’で切断した断面図が図10(C1)に相当する。
また、半導体層を形成した後、TFTのしきい値(Vth)を制御するためにp型あるいはn型を付与する不純物元素を添加してもよい。なお、半導体に対してp型を付与する不純物元素には、ボロン(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)など周期律第13族元素が知られている。なお、半導体に対してn型を付与する不純物元素としては周期律15族に属する元素、典型的にはリン(P)または砒素(As)が知られている。
次いで、保持容量を形成するため、マスク405を形成して半導体層の一部(保持容量とする領域)406にリンをドーピングする。(図11(A))
次いで、マスク405を除去し、半導体層を覆う絶縁膜を形成した後、マスク407を形成して保持容量とする領域406上の絶縁膜を除去する。(図11(B))
次いで、マスク407を除去し、熱酸化を行って絶縁膜(ゲート絶縁膜)408aを形成する。この熱酸化によって最終的なゲート絶縁膜の膜厚は80nmとなった。なお、保持容量とする領域上に他の領域より薄い絶縁膜408bを形成した。(図11(C1))ここでの画素上面図を図11(C2)に示す。図11(C2)において、点線B−B’で切断した断面図が図11(C1)に相当する。
次いで、TFTのチャネル領域となる領域にp型またはn型の不純物元素を低濃度に添加するチャネルドープ工程を全面または選択的に行った。このチャネルドープ工程は、TFTしきい値電圧を制御するための工程である。なお、ここではジボラン(B2H6)を質量分離しないでプラズマ励起したイオンドープ法でボロンを添加した。もちろん、質量分離を行うイオンインプランテーション法を用いてもよい。
次いで、絶縁膜408a、及び絶縁膜403a、403b上にマスク409を形成し、走査線402に達するコンタクトホールを形成する。(図12(A))そして、コンタクトホールの形成後、マスクを除去する。
次いで、導電膜を形成し、パターニングを行ってゲート電極410および容量配線411を形成する。(図12(B))ここでは、リンがドープされたシリコン膜(膜厚150nm)とタングステンシリサイド(膜厚150nm)との積層構造を用いた。本実施例ではダブルゲート構造とし、互いに隣り合うゲート電極の間隔d1=1μmとする。なお、保持容量は、絶縁膜408bを誘電体とし、容量配線411と半導体層の一部406とで構成されている。
次いで、ゲート電極410および容量配線411をマスクとして自己整合的にリンを低濃度に添加する。(図12(C1))ここでの画素上面図を図12(C2)に示す。図12(C2)において、点線C1−C1’で切断した断面図と、点線C2−C2’で切断した断面図が図12(C1)に相当する。この低濃度に添加された領域のリンの濃度が、1×1016〜5×1018atoms/cm3、代表的には3×1017〜3×1018atoms/cm3となるように調整する。
次いで、マスク412を形成してリンを高濃度に添加し、ソース領域またはドレイン領域となる高濃度不純物領域413を形成する。(図13(A))この高濃度不純物領域のリンの濃度が1×1020〜1×1021atoms/cm3(代表的には2×1020〜5×1020atoms/cm3)となるように調整する。なお、半導体層404のうち、ゲート電極410と重なる領域はチャネル形成領域414となり、マスク412で覆われた領域は低濃度不純物領域415となりLDD領域として機能する。本実施例の画素部のTFTにおいては、互いに隣り合うゲート電極の間にはマスク412を設けず、2つのチャネル形成領域の間には高濃度不純物領域(チャネル長方向の幅1μm)のみを自己整合的に形成する。このマスク412により低濃度不純物領域の幅d2=1.3〜1.5μmとし
、互いに隣り合うゲート電極の間隔d1=1μmとする。ただし、d1<d2であれば、これらの数値に限定されないことは言うまでもない。なお、本実施例では同一基板上に画素部のTFTと駆動回路のTFTが形成されるが、駆動回路のTFTは、チャネル形成領域の両側に低濃度不純物領域を設けてもよいし、片側に低濃度不純物領域を設けてもよいし、両側に低濃度不純物領域を設けなくてもよく、実施者が適宜マスクを設計すればよい。そして、不純物元素の添加後、マスク412を除去する。
、互いに隣り合うゲート電極の間隔d1=1μmとする。ただし、d1<d2であれば、これらの数値に限定されないことは言うまでもない。なお、本実施例では同一基板上に画素部のTFTと駆動回路のTFTが形成されるが、駆動回路のTFTは、チャネル形成領域の両側に低濃度不純物領域を設けてもよいし、片側に低濃度不純物領域を設けてもよいし、両側に低濃度不純物領域を設けなくてもよく、実施者が適宜マスクを設計すればよい。そして、不純物元素の添加後、マスク412を除去する。
次いで、ここでは図示しないが、画素と同一基板上に形成される駆動回路に用いるpチャネル型TFTを形成するために、マスクでnチャネル型TFTとなる領域を覆い、ボロンを添加してソース領域またはドレイン領域を形成する。
次いで、マスク412を除去した後、ゲート電極410および容量配線411を覆うパッシベーション膜416を形成する。ここでは、酸化シリコン膜を70nmの膜厚で形成した。次いで、半導体層にそれぞれの濃度で添加されたn型またはp型不純物元素を活性化するための熱処理工程を行う。ここでは850℃、30分の加熱処理を行った。
次いで、有機樹脂材料からなる層間絶縁膜417を形成する。ここでは膜厚400nmのアクリル樹脂膜を用いた。次いで、半導体層に達するコンタクトホールを形成した後、ドレイン電極418及びソース配線419を形成する。本実施例ではドレイン電極418及びソース配線419を、Ti膜を100nm、Tiを含むアルミニウム膜を300nm、Ti膜150nmをスパッタ法で連続して形成した3層構造の積層膜とした。(図13(B1))図13(B1)に示すように、ソース配線419とドレイン電極418とで半導体層への光を遮光する。このソース配線419とドレイン電極418とで後に形成する遮光層の端部で回折した光を遮断する。なお、図13(B2)において点線D−D’で切断した断面図が図13(B1)に相当する。
次いで、水素化処理をおこなった後、アクリルからなる層間絶縁膜420を形成する。次いで、層間絶縁膜420上に遮光性を有する導電膜100nmを成膜し、遮光層421を形成する。(図14(A))図14(A)において、点線E−E’で切断した断面図が図14(B)に相当する。
次いで、層間絶縁膜422を形成する。次いで、ドレイン電極418に達するコンタクトホール形成する。次いで、100nmの透明導電膜(ここでは酸化インジウム・スズ(ITO)膜)を形成した後、パターニングして画素電極423、424を形成する。(図15(A))図15(A)において、点線F−F’で切断した断面図が図15(B)に相当する。
こうして画素部には、表示領域(画素サイズ23μm×23μm)の面積(開口率74.5%)を確保しつつ、nチャネル型TFTでなる画素TFTが形成され、十分な保持容量(55.2fF)を得ることができる。
以上の様にして、ダブルゲート構造を有するnチャネル型TFT、及び保持容量を有する画素部と、nチャネル型TFT及びpチャネル型TFTを有する駆動回路と、を同一基板上に形成することができる。本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。
また、こうして得られた画素TFTのオフ電流は小さく、画素部のTFTとして適している。また、TFTの特性の変動が小さい。
なお、本実施例は一例であって本実施例の工程に限定されないことはいうまでもない。例えば、各導電膜としては、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、クロム(Cr)、シリコン(Si)から選ばれた元素、または前記元素を組み合わせた合金膜(代表的には、Mo―W合金、Mo―Ta合金)を用いることができる。また、各絶縁膜としては、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜や有機樹脂材料(ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、BCB(ベンゾシクロブテン)等)膜を用いることができる。
また、本実施例では、画素電極に透明導電膜を用いて透過型表示装置用のアクティブマトリクス基板を作製する例を示したが、画素電極に反射性を有する材料膜を用いて反射型表示装置用のアクティブマトリクス基板を作製してもよい。
なお、本実施例は実施の形態1、実施の形態2、実施の形態3、実施の形態4、または実施例2と組み合わせることが可能である。
上記実施の形態1または上記実施の形態2においては、高濃度不純物領域とソース領域(またはドレイン領域)とが同じ不純物濃度である例を示したが、本実施例では高濃度不純物領域とソース領域(またはドレイン領域)との濃度を異ならせる例を図16および図17に示す。
図16中、500は基板、501、502はチャネル形成領域、503、505はソース領域またはドレイン領域、504は高濃度不純物領域、506、507は低濃度不純物領域(LDD領域)、508はゲート絶縁膜、509はゲート電極、510は層間絶縁膜、511、512はソース電極またはドレイン電極である。
本実施例は、ドーピング工程を一つ増やして高濃度不純物領域504に含まれる不純物濃度をソース領域またはドレイン領域503、505よりも高くする。また、二つのチャネル形成領域に挟まれた領域504がソース領域またはドレイン領域503、505よりも高濃度であるので、TFTがオン状態の半導体層全体の抵抗を低減しつつ、何らかの理由でTFTに光が入射した場合の光感度を低減する。
なお、実施の形態1と同様に、二つのチャネル形成領域501、502に挟まれた領域を高濃度不純物領域504のみとすることを特徴としている。また、実施の形態1と同様に、互いに隣り合うゲート電極509の間隔d1、即ち、高濃度不純物領域のチャネル長方向の幅を低濃度不純物領域506、507の幅d2より短く設計することによって二つのチャネル形成領域の間隔を縮小することができ、一つの画素に対するTFTの占める面積を縮小することができる。
また、また、図16に示すTFT構成において、実施の形態2のように、互いに隣り合うゲート電極の間隔d1、即ち、高濃度不純物領域のチャネル長方向の幅を低濃度不純物領域の幅d2と同じ長さに設計しても効果が得られる。
図17中、600は基板、601、602はチャネル形成領域、603、605はソース領域またはドレイン領域、604は高濃度不純物領域、606、607は低濃度不純物領域(LDD領域)、608はゲート絶縁膜、609はゲート電極、610は層間絶縁膜、611、612はソース電極またはドレイン電極である。
本実施例は、ドーピング工程を一つ増やして高濃度不純物領域604に含まれる不純物濃度を低濃度不純物領域606,607より高くし、ソース領域またはドレイン領域603、605よりも低くする。
なお、実施の形態1と同様に、二つのチャネル形成領域601、602に挟まれた領域を高濃度不純物領域604のみとすることを特徴としている。また、実施の形態1と同様に、互いに隣り合うゲート電極609の間隔d1、即ち、高濃度不純物領域のチャネル長方向の幅を低濃度不純物領域606、607の幅d2より短く設計することによって二つのチャネル形成領域の間隔を縮小することができ、一つの画素に対するTFTの占める面積を縮小することができる。
また、図17に示すTFT構成においても、実施の形態2のように、互いに隣り合うゲート電極の間隔d1、即ち、高濃度不純物領域のチャネル長方向の幅を低濃度不純物領域の幅d2と同じ長さに設計しても効果が得られる。
なお、本実施例は、実施の形態1乃至4、実施例1乃至4のいずれか一と自由に組み合わせることが可能である。ただし、組み合わせる場合には二つのチャネル形成領域の間に不純物元素を添加するためのドーピング工程を追加することが必要である。
本発明を実施して形成されたTFTは様々なモジュール(アクティブマトリクス型液晶モジュール、アクティブマトリクス型ELモジュール、アクティブマトリクス型ECモジュール)に用いることができる。即ち、それらを表示部に組み込んだ電子機器全てに本発明を実施できる。
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ(ゴーグル型ディスプレイ)、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等)などが挙げられる。それらの一例を図18〜図20に示す。
図18(A)はパーソナルコンピュータであり、本体2001、画像入力部2002、表示部2003、キーボード2004等を含む。本発明を表示部2003に適用することができる。
図18(B)はビデオカメラであり、本体2101、表示部2102、音声入力部2103、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106等を含む。本発明を表示部2102に適用することができる。
図18(C)はモバイルコンピュータ(モービルコンピュータ)であり、本体2201、カメラ部2202、受像部2203、操作スイッチ2204、表示部2205等を含む。本発明は表示部2205に適用できる。
図18(D)はゴーグル型ディスプレイであり、本体2301、表示部2302、アーム部2303等を含む。本発明は表示部2302に適用することができる。
図18(E)はプログラムを記録した記録媒体(以下、記録媒体と呼ぶ)を用いるプレーヤーであり、本体2401、表示部2402、スピーカ部2403、記録媒体2404、操作スイッチ2405等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてDVD(Digtial Versatile Disc)、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。本発明は表示部2402に適用することができる。
図18(F)はデジタルカメラであり、本体2501、表示部2502、接眼部2503、操作スイッチ2504、受像部(図示しない)等を含む。本発明を表示部2502に適用することができる。
図19(A)はフロント型プロジェクターであり、投射装置2601、スクリーン2602等を含む。本発明は投射装置2601の一部を構成する液晶モジュール2808に適用することができる。
図19(B)はリア型プロジェクターであり、本体2701、投射装置2702、ミラー2703、スクリーン2704等を含む。本発明は投射装置2702の一部を構成する液晶モジュール2808に適用することができる。
なお、図19(C)は、図19(A)及び図19(B)中における投射装置2601、2702の構造の一例を示した図である。投射装置2601、2702は、光源光学系2801、ミラー2802、2804〜2806、ダイクロイックミラー2803、プリズム2807、液晶モジュール2808、位相差板2809、投射光学系2810で構成される。投射光学系2810は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図19(C)中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。
また、図19(D)は、図19(C)中における光源光学系2801の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系2801は、リフレクター2811、光源2812、レンズアレイ2813、2814、偏光変換素子2815、集光レンズ2816で構成される。なお、図19(D)に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。
ただし、図19に示したプロジェクターにおいては、透過型の電気光学装置を用いた場合を示しており、反射型の電気光学装置及びELモジュールでの適用例は図示していない。
図20(A)は携帯電話であり、本体2901、音声出力部2902、音声入力部2903、表示部2904、操作スイッチ2905、アンテナ2906、画像入力部(CCD、イメージセンサ等)2907等を含む。本発明を表示部2904に適用することができる。
図20(B)は携帯書籍(電子書籍)であり、本体3001、表示部3002、3003、記憶媒体3004、操作スイッチ3005、アンテナ3006等を含む。本発明は表示部3002、3003に適用することができる。
図20(C)はディスプレイであり、本体3101、支持台3102、表示部3103等を含む。本発明は表示部3103に適用することができる。ちなみに図20(C)に示すディスプレイは中小型または大型のもの、例えば5〜20インチの画面サイズのものである。また、このようなサイズの表示部を形成するためには、基板の一辺が1mのものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施の形態1、実施の形態2、実施の形態3、実施の形態4、実施例1、実施例2、実施例3、実施例4、実施例5のうち、いずれか一とどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
本実施例では、実施例4と一部異なるアクティブマトリクス基板の作製工程の例を示す。途中の工程までは実施例4と同じであるので、ここでは簡略化のため詳細な説明を省略する。
実施例4に従って、半導体層にそれぞれの濃度でn型またはp型不純物元素を添加した後、ゲート電極および容量配線を覆う第3絶縁層を形成する。ここでは、酸化シリコン膜を70nmの膜厚で形成する。次いで、半導体層にそれぞれの濃度で添加されたn型またはp型不純物元素を活性化するための熱処理工程を行う。ここでは850℃、30分の加熱処理を行う。
そして、第2遮光層1417、1418を形成する。第2遮光層はW、Ta又はTiで100〜150nmの厚さで形成する。遮光性をもたせるためにはこの程度の厚さで十分であり、エッチング時に下地の絶縁膜との選択性を考慮してこの厚さとしている。つまり、遮光層が厚い場合は、エッチング時に余裕をも見越してオーバーエッチングをかける必要があるが、その場合早くエッチングが進む場所は下地の絶縁膜が薄くなってしまい好ましくない。また、第2遮光層は、絶縁膜に形成された開口部において、半導体層の高濃度不純物領域とコンタクトを形成している。
次いで、水素化処理をおこなった後、有機樹脂材料からなる第4絶縁層1419を形成する。ここでは膜厚400nmのアクリル樹脂膜を用いる。次いで、第2遮光層1417、1418に達するコンタクトホールを形成した後、ソース又はドレイン配線1420、1421を形成する。本実施例ではこれらを、Ti膜を100nm、Tiを含むアルミニウム膜を300nm、Ti膜150nmをスパッタ法で連続して形成した3層構造の積層膜としている。
次いで、図22(A)で示すようにアクリルからなる第5絶縁層1422を形成する。第5絶縁層1422上にW、Ta、Tiなどの導電層を100nmの厚さに成膜し、第3遮光層1423を形成する。さらに第6絶縁層1424を形成する。次いで、ドレイン電極に達するコンタクトホール形成する。100nmの透明導電膜(ここでは酸化インジウム・スズ(ITO)膜)を形成した後、パターニングして画素電極1425を形成する。図22(B)において、点線F−F’で切断した断面図が図22(A)に相当する。
こうして画素部には、表示領域(画素サイズ23μm×23μm)の面積(開口率74.5%)を確保しつつ、nチャネル型TFTが形成され、十分な保持容量(55.2fF)を得ることができる。
また、本実施例では、画素電極に透明導電膜を用いて透過型表示装置用のアクティブマトリクス基板を作製する例を示したが、画素電極に反射性を有する材料膜を用いて反射型表示装置用のアクティブマトリクス基板を作製してもよい。
また、本実施例は、実施の形態1、実施の形態2、実施の形態3、実施の形態4、実施例1、実施例2、実施例3、実施例4、実施例5、実施例6のうち、いずれか一と自由に組み合わせることができる。
本実施例では、実施の形態4に従ってアクティブマトリクス基板を形成する作製工程を示す。
まず、実施の形態4と同様に絶縁表面を有する基板上に導電膜を形成し、パタ−ニングを施すことにより第1遮光層を形成する。この第1遮光層はパタ−ン形成され、走査線を兼ねている。
この第1遮光層は後に形成される活性層を光から保護する遮光層として機能する。ここでは基板として石英基板を用い、第1遮光層としてポリシリコン膜(膜厚50nm)とタングステンシリサイド(W−Si)膜(膜厚100nm)の積層構造を用いた。また、ポリシリコン膜はタングステンシリサイドから基板への汚染を保護するものである。基板には石英基板の他に、ガラス基板、プラスチック基板を用いることができる。ガラス基板を用いる場合には、ガラス歪み点よりも10〜20℃程度低い温度であらかじめ熱処理しておいても良い。また、基板のTFTを形成する表面に、基板からの不純物拡散を防ぐために、酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸窒化珪素膜などの絶縁膜から成る下地膜を形成するとよい。第1遮光膜としては、導電型を付与する不純物元素がド−プされた多結晶珪素やWSix
(x=2.0〜2.8)、Al、Ta、W、Cr、Mo等の導電性材料及びその積層構造を用いることができる。
(x=2.0〜2.8)、Al、Ta、W、Cr、Mo等の導電性材料及びその積層構造を用いることができる。
次いで、第1遮光層を覆う絶縁膜(第1絶縁層)を膜厚100〜1000nm(代表的には300〜500nm)で形成する。ここではCVD法を用いた膜厚100nmの酸化珪素膜とLPCVD法を用いた膜厚280nmの酸化珪素膜を積層させる。
また、絶縁膜を形成した後、絶縁表面を化学的及び機械的に研磨する処理(代表的にはCMP技術)等により平坦化しても良い。例えば、絶縁膜表面の最大高さ(Rmax)が0.5μm以下、好ましくは0.3μm以下となるようにする。
次いで、第1非晶質半導体膜を膜厚10〜100nmで形成する。ここでは膜厚69nmの非晶質珪素((アモルファスシリコン膜)はLPCVD法を用いて形成する。他の手段として非晶質珪素膜はスパッタ法、プラズマCVD法等により成膜することも可能である。次いで、この第1非晶質半導体層を結晶化させる技術として特開平8−78329号公報記載の技術を用いて結晶化さ第1結晶性半導体膜を形成する。この結晶化法は、非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に添加し、加熱処理を行うことで添加領域を起点として広がる結晶性半導体膜を形成するものである。ここでは結晶化を助長する金属元素としてニッケルを用い、脱水素化のための熱処理(450℃、1時間)の後、結晶化のための熱処理(600℃、8時間)を行う。勿論、結晶化に際しては上記公報記載の
技術に限定されるものではなく、公知の結晶化処理を用いることが可能である。
技術に限定されるものではなく、公知の結晶化処理を用いることが可能である。
次いで、TFTの活性層とする領域からニッケルをゲッタリングする。ここでは、ゲッタリング方法として希ガスを含む非晶質半導体膜を用いて行う例を示す。上記レ−ザ−光の照射により形成された酸化膜に加え、オゾン水で表面を120秒処理して合計1〜5nmの酸化膜からなるバリア層を形成する。次いで、バリア層上にスパッタ法にてゲッタリングサイトとなるアルゴン元素を含む非晶質珪素膜を膜厚150nmで形成する。本実施例のスパッタ法による成膜条件は、成膜圧力を0.3Paとし、ガス(Ar)流量を50(sccm)とし、成膜パワ−を3kWとし、基板温度を150℃とする。なお、上記条件での非晶質珪素膜に含まれるアルゴン元素の原子濃度は、3×1020/cm3〜6×1020/cm3、酸素の原子濃度は1×1019/cm3〜3×1019/cm3である。その後、ランプアニ−ル装置を用いて6
50℃、3分の熱処理を行いゲッタリングする。なお、ランプアニ−ル装置の代わりに電気炉を用いてもよい。
50℃、3分の熱処理を行いゲッタリングする。なお、ランプアニ−ル装置の代わりに電気炉を用いてもよい。
次いでバリア層を含むエッチングストッパ−として、ゲッタリングサイトであるアルゴン元素を含む非晶質珪素膜を選択的に除去した後、バリア層を希フッ酸で選択的に除去する。なお、ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があるため、酸化膜からなるバリア層をゲッタリング後に除去することが望ましい。
次にゲッタリング処理が終了した第1結晶性半導体膜上に第2非晶質珪素膜を10〜200nmで形成する。第2非晶質珪素膜は連続発振レーザー光を照射して結晶化を行う。レーザー照射による結晶化された膜は第2結晶性半導体膜とする。
例えば、第1結晶性半導体膜を用いてTFTを作製すると、移動度は300cm2/Vs程度であるが、第2結晶性半導体膜を用いてTFTを作製すると移動度は500〜600cm2/Vs程度と著しく向上する。
また、第1結晶性半導体膜があることで第2非晶質珪素膜をレーザー照射する際の保護膜となり下地膜との応力緩和の効果がある。
第1結晶性半導体膜と第2結晶性半導体膜の積層構造で形成される活性層は、その表面にオゾン水で薄い酸化膜を形成した後、レジストからなるマスクを形成し、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された活性層形成する。活性層を形成した後、レジストからなるマスクを除去する。
以降の工程は実施例1に従って、TFTを形成し、アクティブマトリクス基板を完成させればよい。
また、本実施例は、実施の形態1、実施の形態2、実施の形態3、実施の形態4、実施例1、実施例2、実施例3、実施例4、実施例5、実施例6、実施例7のうち、いずれか一と自由に組み合わせることができる。
本実施例では、実施例8と異なる方法で第1非晶質半導体膜の結晶化を行った例について説明する。
実施例8に従って、下地絶縁膜上に第1の非晶質珪素膜を成膜する。そして、600℃の窒素雰囲気で24時間熱処理を行った。また、LPCVD法で直接成膜することもできる。本実施例で形成した結晶性半導体膜は実施例8で形成した結晶性半導体膜と比べ、結晶の粒径は小さいことが特徴的である。
続いて、結晶性半導体膜上に第2の非晶質珪素膜を10〜200nmで形成する。第2の非晶質珪素膜は連続発振のレーザー光を用いて結晶化を行う。レーザー照射による結晶化された膜は第2結晶性半導体膜とする。本実施例で得られた結晶性半導体膜は実施例8の第2結晶性半導体膜と同様な特性をもつ。こうして高い電気特性をもったTFTを形成する結晶性半導体膜を形成することができる。
また、本実施例は、実施の形態1、実施の形態2、実施の形態3、実施の形態4、実施例1、実施例2、実施例3、実施例4、実施例5、実施例6、実施例7のうち、いずれか一と自由に組み合わせることができる。
Claims (9)
- 絶縁表面上に遮光性を有する第1導電層を形成し、
前記第1導電層を覆う第1絶縁層を形成し、
前記第1絶縁層上に第1非晶質半導体膜を形成し、該第1非晶質半導体膜を加熱処理により溶融させることなく結晶化させて第1結晶性半導体膜を形成し、
前記第1結晶性半導体膜上に第2非晶質半導体膜を接して形成し、レーザー光を照射して、当該照射領域における前記第2非晶質半導体膜の一部又は全部を溶融させた後、結晶化する段階を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面上に遮光性を有する第1導電層を形成し、
前記第1導電層を覆う第1絶縁層を形成し、
前記第1絶縁層上に第1結晶性半導体膜を形成し、
前記第1結晶性半導体膜上に第2非晶質半導体膜を接して形成し、レーザー光を照射して、当該照射領域における前記第2非晶質半導体膜の一部又は全部を溶融させた後、結晶化する段階を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面上に遮光性を有する第1導電層を形成し、
前記第1導電層を覆う第1絶縁層を形成し、
前記第1絶縁層上に第1非晶質半導体膜を形成し、該第1非晶質半導体膜中に金属元素を導入する工程と、前記第1非晶質半導体膜中を加熱処理により溶融させることなく結晶化させて第1結晶性半導体膜を形成し、
前記第1結晶性半導体膜上に第2非晶質半導体膜を接して形成し、レーザー光を照射して、当該照射領域における前記第2非晶質半導体膜の一部又は全部を溶融させた後、結晶化する段階を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項3において、前記金属元素は、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Auから選ばれた一種、又は複数種類の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法
- 請求項1乃至4のいずれか一において、前記レ−ザ光は、連続発振のYAGレ−ザ、YVO4レ−ザ、YLFレ−ザ、YalO3レ−ザ、ガラスレ−ザ、ルビ−レ−ザ、アレキサンドライドレ−ザ、Ti:サファイヤレ−ザから選ばれた一種から発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至4のいずれか一において、前記レ−ザ光は、連続発振のエキシマレ−ザ、Arレ−ザ、Krレ−ザ、CO2レ−ザから選ばれた一種から発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至4のいずれか一において、前記レ−ザ光は、連続発振のヘリウムカドミウムレ−ザ、銅蒸気レ−ザ、金蒸気レ−ザから選ばれた一睡から発振されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 絶縁性基板上に第1結晶性半導体膜と第2結晶性半導体膜が接して形成され、前記絶縁性基板と前記第1結晶性半導体膜との間に形成された第1遮光膜と、前記第2結晶性半導体膜の前記絶縁性基板とは反対側に形成されたゲ−ト電極と、前記ゲ−ト電極の上層に形成された画素電極と、前記ゲ−ト電極と前記画素電極との間に形成された第3遮光層と、前記ゲ−ト電極と前記第3遮光層との間に形成された第2遮光層とを有し、
前記第2結晶性半導体膜の平均結晶粒径は、前記第1結晶性半導体膜の平均結晶粒径よりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 絶縁性基板上に画素電極と、薄膜トランジスタと、容量素子とが設けられ、前記絶縁性基板上に形成された第1遮光層と、前記第1遮光層に形成された第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に接して形成された第1結晶性半導体膜と第2結晶性半導体膜と、前記第1結晶性半導体膜と前記第2結晶性半導体膜上に形成された第2絶縁層と、前記第2絶縁層上に形成されたゲ−ト電極と、容量配線と、前記ゲ−ト電極及び容量配線上に形成された第3絶縁層と、前記第3絶縁層上に形成された第2遮光層と、前記第2遮光層上に形成された第4絶縁層と、前記第4絶縁層上に形成されたソ−ス及びドレイン配線と、前記ソ−ス及びドレイン配線上に形成された第5絶縁層と、前記第5絶縁層上に形成された第3遮光層と、前記第3遮光層上に形成された第6絶縁層と、前記第6絶縁層上に形成された画素電極とを有し、
前記第2結晶性半導体膜、前記第2絶縁層、前記容量配線、前記第3絶縁層、及び第2遮光層の重畳部において前記容量素子を形成し、前記第2遮光層が前記ゲ−ト電極上に延在していることを特徴とする半導体装置。
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