JP2015132703A - 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】表示品質の低下が抑えられた液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子基板と、素子基板と対向配置された対向基板と、素子基板と対向基板との間に配置された液晶層と、素子基板及び対向基板と液晶層との間に配置された無機配向膜２８（３２）と、を備え、無機配向膜２８を覆うようにフラーレンＣ６０を修飾させたシラン化合物の膜４１が配置されている。
【選択図】図９

Description

本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器に関する。
上記液晶装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやライトバルブなどにおいて用いられている。
液晶装置は、一対の基板間にシール材を介して液晶が封止されて構成されている。液晶は、例えば、過度の光照射によってラジカルが発生する。これにより、分子間で反応を生じたり、配向膜との間で反応を生じたりする。このような反応が生じると、液晶の配向不良が生じ、表示品質が低下するという問題がある。
そこで、例えば、特許文献１に記載のように、斜方蒸着した配向膜の上に密着性向上層を介して、ラジカルを捕捉するフラーレンを斜方蒸着法によって成膜する方法が開示されている。
特開２００７−１４００１７号公報
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、密着性向上層上にフラーレンからなるラジカル捕捉膜が成膜されている構造なので、一対の基板間に液晶を供給した際に、配向膜の表面からフラーレンが離れて液晶中に浮遊する恐れがある。これにより、表示品質に影響を与えるなど信頼性が低下するという課題がある。
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、前記第１基板と前記液晶層との間に配置された第１無機配向膜と、前記第２基板と前記液晶層との間に配置された第２無機配向膜と、を備え、前記第１無機配向膜及び前記第２無機配向膜を覆うようにフラーレン類を修飾させたシラン化合物の第１膜が配置されていることを特徴とする。
本適用例によれば、第１無機配向膜及び第２無機配向膜を覆うようにフラーレン類を修飾させたシラン化合物の第１膜が配置されているので、例えば、液晶層に過度な光が照射されてラジカルが発生した場合でも、フラーレンによってラジカルを捕捉することが可能となり、液晶の配向不良が発生するなど表示品質が低下することを抑えることができる。具体的には、第１無機配向膜及び第２無機配向膜の表面のシラノールに、フラーレン類を修飾させたシラン化合物を結合させて第１膜を配置するので、無機配向膜の表面からフラーレンが離れることを抑えることができる。
［適用例２］本適用例に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、前記第１基板と前記液晶層との間に配置された第１配向膜と、前記第２基板と前記液晶層との間に配置された第２配向膜と、を備え、前記第１配向膜と前記第１基板との間、及び前記第２配向膜と前記第２基板との間に、フラーレン類を含む第２膜が配置されていることを特徴とする。
本適用例によれば、第１配向膜及び第２配向膜の下地にフラーレン類を修飾させたシラン化合物の第２膜が配置されているので、例えば、液晶層に過度な光が照射されてラジカルが発生した場合でも、第１配向膜及び第２配向膜を通過したラジカルをフラーレンによって捕捉することが可能となる。よって、液晶の配向不良が発生するなど表示品質が低下することを抑えることができる。加えて、フラーレン類を修飾させたシラン化合物の第２膜の上に配向膜が配置され、配向膜と液晶とが直接接触するので、配向規制力を高めることができる。
［適用例３］本適用例に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、前記第１基板と前記液晶層との間に配置された第１有機配向膜と、前記第２基板と前記液晶層との間に配置された第２有機配向膜と、を備え、前記第１有機配向膜及び前記第２有機配向膜は、フラーレン類を含むポリイミドを含むことを特徴とする。
本適用例によれば、第１有機配向膜及び第２有機配向膜がフラーレン類を含むポリイミドを含んでいるので、例えば、液晶層に過度な光が照射されてラジカルが発生した場合でも、ラジカルをフラーレンによって捕捉することが可能となる。よって、液晶の配向不良が発生するなど表示品質が低下することを抑えることができる。また、有機配向膜の中の全体にもフラーレン類が含まれているので、ラジカルの捕捉能力を高めることができる。よって、液晶の配向不良が発生するなど表示品質が低下することをより抑えることができる。また、有機配向膜にも本発明を適用することができる。
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、前記フラーレン類は、フラーレンＣ６０及び高次フラーレンのうち少なくとも一方を含むことが好ましい。
本適用例によれば、上記フラーレンを用いることにより、液晶中に含まれるラジカルを捕捉することができる。
［適用例５］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、前記第１基板と前記液晶層との間に配置された第１無機配向膜と、前記第２基板と前記液晶層との間に配置された第２無機配向膜と、を備える液晶装置の製造方法であって、前記第１無機配向膜及び前記第２無機配向膜のシラノールにフラーレン類が修飾するように表面処理を行い第１膜を形成する工程を有することを特徴とする。
本適用例によれば、第１無機配向膜及び第２無機配向膜を覆うようにフラーレン類を修飾させたシラン化合物の第１膜を形成するので、例えば、液晶層に過度な光が照射されてラジカルが発生した場合でも、フラーレンによってラジカルを捕捉することが可能となり、液晶の配向不良が発生するなど表示品質が低下することを抑えることができる。具体的には、無機配向膜の表面のシラノールに、フラーレン類を修飾させたシラン化合物を結合させて第１膜を形成するので、無機配向膜の表面からフラーレンが離れることを抑えることができる。
［適用例６］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、前記第１基板と前記液晶層との間に配置された第１配向膜と、前記第２基板と前記液晶層との間に配置された第２配向膜と、を備える液晶装置の製造方法であって、前記第１配向膜と前記第１基板との間、及び前記第２配向膜と前記第２基板との間に、フラーレン類を含む第２膜を形成する工程と、前記第２膜の上に前記第１配向膜及び前記第２配向膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
本適用例によれば、第１配向膜及び第２配向膜の下地にフラーレン類を含む第２膜を形成するので、例えば、液晶層に過度な光が照射されてラジカルが発生した場合でも、配向膜を通過したラジカルをフラーレンによって捕捉することが可能となる。よって、液晶の配向不良が発生するなど表示品質が低下することを抑えることができる。加えて、フラーレン類を修飾させたシラン化合物の第２膜の上に配向膜を形成し、配向膜と液晶とが直接接触するので、配向規制力を高めることができる。
［適用例７］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、前記第１基板と前記液晶層との間に配置された第１有機配向膜と、前記第２基板と前記液晶層との間に配置された第２有機配向膜と、を備える液晶装置の製造方法であって、前記第１有機配向膜及び前記第２有機配向膜を形成する工程は、フラーレンをポリアミック酸に修飾してイミド化する工程を含むことを特徴とする。
本適用例によれば、上記方法により第１有機配向膜及び第２有機配向膜を形成するので、例えば、液晶層に過度な光が照射されてラジカルが発生した場合でも、ラジカルをフラーレンによって捕捉することが可能となる。よって、液晶の配向不良が発生するなど表示品質が低下することを抑えることができる。また、有機配向膜の中の全体にもフラーレン類が含まれているので、ラジカルの捕捉能力を高めることができる。よって、液晶の配向不良が発生するなど表示品質が低下することをより抑えることができる。また、有機配向膜にも本発明を適用することができる。
［適用例８］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記フラーレン類は、フラーレンＣ６０及び高次フラーレンのうち少なくとも一方を含むことが好ましい。
本適用例によれば、上記フラーレンを用いることにより、液晶中に含まれるラジカルを捕捉することができる。
［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記の液晶装置を備えることを特徴とする。
本適用例によれば、上記液晶装置を備えているので、表示品質の低下が抑えられた電子機器を提供することができる。
第１実施形態の液晶装置の構成を示す模式平面図。 図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図。 無機配向膜の表面の構造を詳細に示す模式断面図。 無機配向膜の表面にフラーレン類を修飾させた状態を示す模式断面図。 液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。 シラン化合物にフラーレンを修飾させた状態を示す模式図。 無機配向膜の表面に、フラーレンを修飾させたシラン化合物の膜を形成した状態を示す模式断面図。 液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。 第２実施形態の液晶装置（対向基板）の構造を示す模式断面図。 第３実施形態の液晶装置（対向基板）の構造を示す模式断面図。 液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
本実施形態では、液晶装置の一例として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０（第１基板）及び対向基板２０（第２基板）と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に、電気光学材料の一例に係る正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（ガラスビーズ）が混入されている。ガラスビーズは、セルギャップを出すために用いられる。
シール材１４の内側には、表示に寄与する複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅ（表示領域）が設けられている。画素領域Ｅの周囲には、表示に寄与しないダミー画素領域（図示せず）が設けられている。また、図１及び図２では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する画素領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路２５の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路２２に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に設けてもよい。
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う無機配向膜２８とが形成されている。
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、信号配線、無機配向膜２８を含むものである。
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁層３３と、絶縁層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う無機配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光膜１８、対向電極３１、無機配向膜３２を含むものである。
遮光膜１８は、図１に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
画素電極２７を覆う無機配向膜２８および対向電極３１を覆う無機配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。無機配向膜２８，３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
＜液晶装置を構成する画素の構成＞
図４は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置のうち画素の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
図４に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、石英基板等によって構成されている。
図４に示すように、第１基材１０ａ上には、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）等の材料を含む下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Ｐの開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、導電性を有し、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、酸化シリコン等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇ上には、酸化シリコン等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
誘電体膜１６ｃは、例えば、シリコン窒化膜である。第２容量電極１６ｂ（容量線３ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、ゲート絶縁層１１ｇ、第１層間絶縁層１１ｂ、誘電体膜１６ｃ、及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ２を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。
データ線６ａの上層には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。第３層間絶縁層１１ｄは、例えば、シリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生じる表面の凸部を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。第３層間絶縁層１１ｄには、コンタクトホールＣＮＴ４が形成されている。
画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ４，ＣＮＴ３を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電膜から形成されている。
画素電極２７及び隣り合う画素電極２７間の第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した無機配向膜２８（第１無機配向膜）が設けられている。無機配向膜２８上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。
一方、第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、例えば、ＰＳＧ膜（リンをドーピングした酸化シリコン）などからなる絶縁層３３が設けられている。絶縁層３３上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した無機配向膜３２（第２無機配向膜）が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる。
液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で無機配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、素子基板１０と対向基板２０の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
＜フラーレン類を修飾させたシラン化合物の膜（第１膜）＞
図５は、無機配向膜の表面の構造を詳細に示す模式断面図である。図６は、無機配向膜の表面にフラーレン類を修飾させた状態を示す模式断面図である。以下、フラーレン類を修飾させたシラン化合物の膜の構造を、図５及び図６を参照しながら説明する。なお、無機配向膜周辺の構造は素子基板及び対向基板のどちらも略同じ構造のため、対向基板を例に説明する。
図５に示す対向基板２０は、第２基材２０ａ上に、絶縁層３３及び対向電極３１が積層されている。対向電極３１上には、無機配向膜３２が、例えば、斜方蒸着法によって成膜されている。無機配向膜３２上には、無機配向膜３２の表面のシラノールと結合したフラーレン類が修飾されている。無機配向膜３２の上の膜を、フラーレン類を修飾させたシラン化合物の膜４１（第１膜）と称する。
フラーレン類は、炭素原子がサッカーボール状に共有結合した物質であり、ラジカル捕捉性などの性質を有する。
フラーレン類を修飾させたシラン化合物の膜４１は、図６に示すように、シラン化合物にフラーレン類を修飾させ、無機配向膜３２の表面にあるシラノールに結合させてできた膜である。ここでは、フラーレン類として、フラーレンＣ６０を修飾させている。なお、その他のフラーレン類として、高次フラーレン（Ｃ７０、Ｃ７４、Ｃ７６、Ｃ７８など）が挙げられる。
なお、シラン化合物に修飾させるフラーレン類としては、フラーレンＣ６０のみを用いるようにしてもよいし、上記した高次フラーレンと混合したものを用いるようにしてもよい。また、それぞれの高次フラーレン単体を用いるようにしてもよいし、高次フラーレン同士で混合したものを用いるようにしてもよい。
また、シラン化合物としては、例えば、モノアルコキシシラン（Ｈ３ＳｉＯＲ）、ジアルコキシシラン（Ｈ２Ｓｉ（ＯＲ）２）、トリアルコキシシラン（ＨＳｉ（ＯＲ）３）などが挙げられる。
＜液晶装置の製造方法＞
図７は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図８は、シラン化合物にフラーレンを修飾させた状態を示す模式図である。図９は、無機配向膜の表面に、フラーレンを修飾させたシラン化合物の膜を結合させた状態を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図７〜図９を参照しながら説明する。
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ１１では、石英基板などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０を形成する。具体的には、まず、第１基材１０ａ上に、アルミニウムなどからなる下側遮光膜３ｃ（走査線）を成膜する。その後、周知の成膜技術を用いて、酸化シリコンなどからなる下地絶縁層１１ａを成膜する。
次に、下地絶縁層１１ａ上に、ＴＦＴ３０を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、ＴＦＴ３０を形成する。
ステップＳ１２では、画素電極２７を形成する。製造方法としては、上記と同様に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、画素電極２７を形成する。
ステップＳ１３では、無機配向膜２８を形成する。具体的には、蒸着装置を用いて画素電極２７などを覆うように無機配向膜２８を斜方蒸着法により形成する。蒸着材料は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）である。これにより、素子基板１０の表面に、所定の角度に傾くように柱状に積み重ねられたカラム（柱状構造物）を有する無機配向膜２８が形成される。
ステップＳ１４では、無機配向膜２８の表面にシランカップリング処理を施す。図８に示すように、まず、シラン化合物（Triethoxysilane：TES）にフラーレンＣ６０を修飾させる。本実施形態では、フラーレンＣ６０、Ｃ７０、Ｃ７４、Ｃ７６、Ｃ７８のいずれかを用いるようにしてもよいが、フラーレンＣ６０を用いることが好ましい。
ヒドロシリル化反応（Hydrosilylation）は、公知の方法を用いて行う。ヒドロシリル化反応において用いる溶媒は、特に限定されないが、例えば、トルエン（Toluene）である。更に、塩化白金酸六水和物（Ｈ2ＰｔＣｌ6）のような溶媒を併せて用いることが好ましい。
次に、無機配向膜２８にフラーレンＣ６０が修飾するように、公知の方法であるシランカップリング法を用いて表面処理を行う。具体的には、図９に示すように、無機配向膜２８の表面のシラノールに、フラーレンＣ６０を修飾させたシラン化合物を結合させて膜を形成する。
この方法によれば、無機配向膜２８を覆うようにフラーレン類を修飾させたシラン化合物の膜４１を形成するので、例えば、液晶層１５に過度な光が照射されてラジカルが発生した場合でも、フラーレンによってラジカルを捕捉することが可能となり、液晶の配向不良が発生するなど表示品質が低下することを抑えることができる。
また、無機配向膜２８の表面のシラノールに、フラーレンＣ６０を修飾させたシラン化合物を結合させて膜（４１）を形成するので、無機配向膜２８の表面からフラーレンが離れることを抑えることができる。以上により、素子基板１０側が完成する。次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。
まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３１を形成する。
ステップＳ２２では、対向電極３１上に無機配向膜３２を形成する。無機配向膜３２の製造方法は、上記した無機配向膜２８の場合と同様であり、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。
ステップＳ２３では、無機配向膜３２の表面にシランカップリング処理を施す。具体的には、素子基板１０側と略同様であり、無機配向膜３２の表面のシラノールに、シランカップリング法を用いて、フラーレンを修飾させたシラン化合物を結合させる。
以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。詳しくは、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に（表示領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。
シール材１４としては、例えば、紫外線硬化型エポキシ樹脂が挙げられる。なお、紫外線などの光硬化型樹脂に限定されず、熱硬化型樹脂などを用いるようにしてもよい。また、シール材１４には、例えば、素子基板１０と対向基板２０との間隔（ギャップ或いはセルギャップ）を所定値とするためのスペーサー等のギャップ材が含まれている。
ステップＳ３２では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に、塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。
ステップＳ３３では、液晶注入口から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止材で封止する。以上により、液晶装置１００が完成する。
＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
図１０に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０を用いているので、高い信頼性を得ることができる。
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００、液晶装置１００の製造方法、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
（１）第１実施形態の液晶装置１００によれば、無機配向膜３２（２８）を覆うようにフラーレンＣ６０を修飾させたシラン化合物の膜４１が配置されているので、例えば、液晶層１５に過度な光が照射されてラジカルが発生した場合でも、フラーレンＣ６０によってラジカルを捕捉することが可能となり、液晶の配向不良が発生するなど表示品質が低下することを抑えることができる。また、無機配向膜３２の表面のシラノールに、フラーレン類を修飾させたシラン化合物を結合させて膜（４１）を配置するので、無機配向膜３２の表面からフラーレンが離れることを抑えることができる。
（２）第１実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、無機配向膜３２（２８）を覆うようにフラーレンＣ６０を修飾させたシラン化合物の膜４１を形成するので、例えば、液晶層１５に過度な光が照射されてラジカルが発生した場合でも、フラーレンＣ６０によってラジカルを捕捉することが可能となり、液晶の配向不良が発生するなど表示品質が低下することを抑えることができる。
（３）第１実施形態の電子機器によれば、上記液晶装置１００を備えているので、表示品質の低下が抑えられた電子機器を提供することができる。
（第２実施形態）
＜液晶装置の構成、及び液晶装置の製造方法＞
図１１は、第２実施形態の液晶装置（対向基板）の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造について、図１１を参照しながら説明する。
第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態の液晶装置１００と比べて、配向膜１３２（第２配向膜、なお素子基板側は第１配向膜に対応）の下地にフラーレン類を修飾させたシラン化合物の膜４１（第２膜）を配置している部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。なお、第１実施形態と同様、対向基板１２０を例に説明する。
図１１に示すように、第２実施形態の液晶装置２００の対向基板１２０は、第２基材２０ａ上に絶縁層３３が配置され、絶縁層３３上に対向電極３１が配置されている。対向電極３１上には、フラーレン類を修飾させたシラン化合物の膜４１が配置されている。そして、フラーレン類を修飾させたシラン化合物の膜４１の上に、配向膜１３２が配置されている。なお、本実施形態の配向膜１３２は、無機配向膜でもよいし有機配向膜でもよい。
この構成によれば、シラノールが対向電極３１の表面に少なく、シラノールとフラーレンを修飾させたシラン化合物が結合することが難しいものの、配向膜１３２の下地にフラーレン類を修飾させたシラン化合物の膜４１が配置されているので、液晶層１５に過度な光が照射されてラジカルが発生した場合でも、配向膜１３２を通過したラジカルをフラーレンによって捕捉することが可能となる。よって、液晶の配向不良が発生するなど表示品質が低下することを抑えることができる。
加えて、フラーレン類を修飾させたシラン化合物の膜４１の上に配向膜１３２が配置され、配向膜１３２と液晶とが直接接触するので、第１実施形態の液晶装置１００と比較して、配向規制力を高めることができる。
第２実施形態の液晶装置２００の製造方法は、第１基材１０ａから画素電極２７、及び第２基材２０ａから対向電極３１を形成するまでは第１実施形態と同様である。画素電極２７及び対向電極３１上にフラーレン類を修飾させたシラン化合物の膜４１を形成する方法としては、第１実施形態と同様、シランカップリング法を用いて形成するようにしてもよいし、その他公知の方法を用いて形成するようにしてもよい。
以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置２００、液晶装置２００の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
（４）第２実施形態の液晶装置２００、及び液晶装置２００の製造方法によれば、配向膜１３２の下地にフラーレンＣ６０を修飾させたシラン化合物の膜４１を形成するので、例えば、液晶層１５に過度な光が照射されてラジカルが発生した場合でも、配向膜１３２を通過したラジカルをフラーレンＣ６０によって捕捉することが可能となる。よって、液晶の配向不良が発生するなど表示品質が低下することを抑えることができる。加えて、フラーレンＣ６０を修飾させたシラン化合物の膜４１の上に配向膜１３２が配置され、配向膜１３２と液晶とが直接接触するので、配向規制力を高めることができる。
（第３実施形態）
＜液晶装置の構成、及び液晶装置の製造方法＞
図１２は、第３実施形態の液晶装置（対向基板）の構造を示す模式断面図である。図１３は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。以下、第３実施形態の液晶装置の構造、及び製造方法を、図１２及び図１３を参照しながら説明する。なお、図１２は、第１実施形態及び第２実施形態と同様、対向基板のみを示している。
第３実施形態の液晶装置３００は、上述の第１実施形態の液晶装置１００と比べて、配向膜が有機配向膜２３２であると共に、有機配向膜２３２がフラーレン類を含んでいる部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第３実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
図１２に示すように、第３実施形態の液晶装置３００の対向基板２２０は、第１実施形態のように、第２基材２０ａから対向電極３１まで同様に配置されている。対向電極３１上には、フラーレンＣ６０を含む有機配向膜２３２（第２有機配向膜）が配置されている。フラーレンＣ６０は、有機配向膜２３２の表面だけでなく、有機配向膜２３２の中の全体にも含まれるように構成されている。言い換えれば、ポリイミド化したフラーレンのような有機配向膜２３２である。
この構造によれば、有機配向膜２３２がフラーレンＣ６０を含むポリイミドで構成されているので、例えば、液晶層１５に過度な光が照射されてラジカルが発生した場合でも、ラジカルをフラーレンＣ６０によって捕捉することが可能となる。また、有機配向膜２３２の中の全体にもフラーレンＣ６０が含まれているので、ラジカルの捕捉能力を高めることができる。よって、液晶の配向不良が発生するなど表示品質が低下することをより抑えることができる。また、有機配向膜２３２にも本発明を適用することができる。
次に、第３実施形態の液晶装置３００の製造方法を説明する。まず、素子基板１０の製造方法は、図１３に示すように、ステップＳ１２までは、第１実施形態と同様である。ステップＳ１１３では、フラーレンＣ６０を含む有機配向膜（第１有機配向膜）を形成する。具体的には、フラーレンＣ６０をポリアミック酸に修飾し、画素電極２７上に塗布し、イミド化（焼成）する。これにより、フラーレンＣ６０を含む有機配向膜を形成することができる。この後、ラビング処理を行う。なお、ラビング処理は、必要に応じて行うことができる。
また、対向基板２２０の製造方法は、ステップＳ２１は、第１実施形態と同様である。ステップＳ１２２では、対向基板２２０上に、フラーレンＣ６０を含む有機配向膜２３２を形成する。具体的には、フラーレンＣ６０をポリアミック酸に修飾し、対向電極３１上に塗布し、イミド化する。これにより、フラーレンＣ６０を含む有機配向膜２３２を形成することができる。この後、ラビング処理を行う。なお、上記したように、ラビング処理は必要に応じて行うことができる。
ステップＳ３１からステップＳ３３までの製造方法は、第１実施形態と同様である。
以上詳述したように、第３実施形態の液晶装置３００、及び液晶装置３００の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
（５）第３実施形態の液晶装置３００、及び液晶装置３００の製造方法によれば、有機配向膜２３２をフラーレンＣ６０を含むポリイミドで形成するので、例えば、液晶層１５に過度な光が照射されてラジカルが発生した場合でも、ラジカルをフラーレンＣ６０によって捕捉することが可能となる。よって、液晶の配向不良が発生するなど表示品質が低下することを抑えることができる。また、有機配向膜２３２の中の全体にもフラーレンＣ６０が含まれているので、ラジカルの捕捉能力を高めることができる。よって、より液晶の配向不良が発生するなど表示品質が低下することを抑えることができる。また、有機配向膜２３２にも本発明を適用することができる。
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
（変形例１）
上記したように、フラーレン類を修飾させたシラン化合物の膜４１は、素子基板１０及び対向基板２０の両方に配置することに限定されず、例えば、どちらか一方の基板のみに配置するようにしてもよい。これによれば、少なくとも一方の基板（素子基板１０、又は対向基板２０）にフラーレン類を修飾させたシラン化合物の膜４１を配置するので、液晶層１５中のラジカルを捕捉することができる。
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…第１基板としての素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁層、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０，１２０，２２０…第２基板としての対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…無機配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…絶縁層、４１…フラーレン類を修飾させたシラン化合物の膜、６１…外部接続用端子、１００，２００，３００…液晶装置、１３２…配向膜、２３２…有機配向膜、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。

Claims (9)

  1. 第１基板と、
    前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、
    前記第１基板と前記液晶層との間に配置された第１無機配向膜と、
    前記第２基板と前記液晶層との間に配置された第２無機配向膜と、
    を備え、
    前記第１無機配向膜及び前記第２無機配向膜を覆うようにフラーレン類を修飾させたシラン化合物の第１膜が配置されていることを特徴とする液晶装置。
  2. 第１基板と、
    前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、
    前記第１基板と前記液晶層との間に配置された第１配向膜と、
    前記第２基板と前記液晶層との間に配置された第２配向膜と、
    を備え、
    前記第１配向膜と前記第１基板との間、及び前記第２配向膜と前記第２基板との間に、フラーレン類を含む第２膜が配置されていることを特徴とする液晶装置。
  3. 第１基板と、
    前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、
    前記第１基板と前記液晶層との間に配置された第１有機配向膜と、
    前記第２基板と前記液晶層との間に配置された第２有機配向膜と、
    を備え、
    前記第１有機配向膜及び前記第２有機配向膜は、フラーレン類を含むポリイミドを含むことを特徴とする液晶装置。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
    前記フラーレン類は、フラーレンＣ６０及び高次フラーレンのうち少なくとも一方を含むことを特徴とする液晶装置。
  5. 第１基板と、
    前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、
    前記第１基板と前記液晶層との間に配置された第１無機配向膜と、
    前記第２基板と前記液晶層との間に配置された第２無機配向膜と、
    を備える液晶装置の製造方法であって、
    前記第１無機配向膜及び前記第２無機配向膜のシラノールにフラーレン類が修飾するように表面処理を行い第１膜を形成する工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
  6. 第１基板と、
    前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、
    前記第１基板と前記液晶層との間に配置された第１配向膜と、
    前記第２基板と前記液晶層との間に配置された第２配向膜と、
    を備える液晶装置の製造方法であって、
    前記第１配向膜と前記第１基板との間、及び前記第２配向膜と前記第２基板との間に、フラーレン類を含む第２膜を形成する工程と、
    前記第２膜の上に前記第１配向膜及び前記第２配向膜を形成する工程と、
    を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
  7. 第１基板と、
    前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、
    前記第１基板と前記液晶層との間に配置された第１有機配向膜と、
    前記第２基板と前記液晶層との間に配置された第２有機配向膜と、
    を備える液晶装置の製造方法であって、
    前記第１有機配向膜及び前記第２有機配向膜を形成する工程は、フラーレンをポリアミック酸に修飾してイミド化する工程を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
  8. 請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記フラーレン類は、フラーレンＣ６０及び高次フラーレンのうち少なくとも一方を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
  9. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
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