JP2002014354A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JP2002014354A JP2002014354A JP2000197719A JP2000197719A JP2002014354A JP 2002014354 A JP2002014354 A JP 2002014354A JP 2000197719 A JP2000197719 A JP 2000197719A JP 2000197719 A JP2000197719 A JP 2000197719A JP 2002014354 A JP2002014354 A JP 2002014354A
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- Japan
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- liquid crystal
- substrate
- fluorine
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 イオン性不純物の偏在に起因する表示ムラの
改善と表示特性の向上を両立させる。 【解決手段】 表示セル１内の中央部分が、透明電極１
１，２１が対向的に配置されているアクティブ領域１Ａ
で、同アクティブ領域１Ａと周辺シール材３０との間
が、表示に関与しない非アクティブ領域１Ｂとされてい
る液晶表示素子において、アクティブ領域１Ａの配向膜
１２１，２２１には、フッ素を含まない非含フッ素系高
分子物質を用い、非アクティブ領域１Ｂには、フッ素を
含有する含フッ素系高分子物質からなる配向膜１２２，
２２２を形成する。
改善と表示特性の向上を両立させる。 【解決手段】 表示セル１内の中央部分が、透明電極１
１，２１が対向的に配置されているアクティブ領域１Ａ
で、同アクティブ領域１Ａと周辺シール材３０との間
が、表示に関与しない非アクティブ領域１Ｂとされてい
る液晶表示素子において、アクティブ領域１Ａの配向膜
１２１，２２１には、フッ素を含まない非含フッ素系高
分子物質を用い、非アクティブ領域１Ｂには、フッ素を
含有する含フッ素系高分子物質からなる配向膜１２２，
２２２を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子に関
し、さらに詳しく言えば、液晶内に含まれているイオン
性不純物に起因する表示ムラ対策に関するものである。
し、さらに詳しく言えば、液晶内に含まれているイオン
性不純物に起因する表示ムラ対策に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は基本的に、ガラスなどの
基板上に成膜されているＩＴＯ（インジウム・錫酸化
物）などからなる透明導電膜をパターニングして透明電
極を形成し、その上に例えばポリイミドからなる配向膜
を形成した透明電極基板の一対を周辺シール材を介して
貼り合わせ、一対の透明電極基板と周辺シール材とによ
って囲まれた空間に液晶を封入することにより構成され
る。
基板上に成膜されているＩＴＯ（インジウム・錫酸化
物）などからなる透明導電膜をパターニングして透明電
極を形成し、その上に例えばポリイミドからなる配向膜
を形成した透明電極基板の一対を周辺シール材を介して
貼り合わせ、一対の透明電極基板と周辺シール材とによ
って囲まれた空間に液晶を封入することにより構成され
る。
【０００３】液晶表示素子は、携帯電話や携帯情報端末
に多用されているが、このような電池を電源とする携帯
機器においては、近年ますます省電力化が図られてい
る。そこで、低電圧で駆動される液晶が好んで用いられ
る傾向にある。
に多用されているが、このような電池を電源とする携帯
機器においては、近年ますます省電力化が図られてい
る。そこで、低電圧で駆動される液晶が好んで用いられ
る傾向にある。
【０００４】すなわち、誘電率異方性Δεの大きな液晶
が使われてきているが、この種の液晶にはイオン性不純
物が多く含まれている。このイオン性不純物は、液晶駆
動電圧の印加により液晶分子が動くことに伴ない流動す
るため、これが原因で表示ムラが発生し、表示品位が損
なわれることがある。
が使われてきているが、この種の液晶にはイオン性不純
物が多く含まれている。このイオン性不純物は、液晶駆
動電圧の印加により液晶分子が動くことに伴ない流動す
るため、これが原因で表示ムラが発生し、表示品位が損
なわれることがある。
【０００５】例えば、携帯電話などに用いられる液晶表
示素子には、アイコンなどの固定表示部とドットマトリ
クスなどの可変表示部が設けられているが、これら表示
部を連続通電状態とすると、イオン性不純物が絶縁膜や
配向膜に局所的に吸着される。カラーフィルター層を有
する場合には、カラーフィルター層やその上に形成され
ている表面平滑化層にもイオン性不純物が不均一に吸着
される。このため、液晶駆動のしきい値電圧（Ｖｔｈ）
にむらが発生してしまう。この傾向は、特に高温下で連
続通電した場合に顕著に現れる。
示素子には、アイコンなどの固定表示部とドットマトリ
クスなどの可変表示部が設けられているが、これら表示
部を連続通電状態とすると、イオン性不純物が絶縁膜や
配向膜に局所的に吸着される。カラーフィルター層を有
する場合には、カラーフィルター層やその上に形成され
ている表面平滑化層にもイオン性不純物が不均一に吸着
される。このため、液晶駆動のしきい値電圧（Ｖｔｈ）
にむらが発生してしまう。この傾向は、特に高温下で連
続通電した場合に顕著に現れる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】これまでに、種々のイ
オン性不純物対策が講じられてきているが、その一つと
して、配向膜にフッ素を含有した含フッ素系高分子物質
を用いることが提案されている。フッ素はきわめて極性
が強いためイオントラップ効果が期待でき、実際に表示
ムラは改善されるが、他方において次のような課題があ
る。
オン性不純物対策が講じられてきているが、その一つと
して、配向膜にフッ素を含有した含フッ素系高分子物質
を用いることが提案されている。フッ素はきわめて極性
が強いためイオントラップ効果が期待でき、実際に表示
ムラは改善されるが、他方において次のような課題があ
る。
【０００７】すなわち、含フッ素系配向膜の場合、フッ
素の効果により液晶のプレチルト角が高プレチルト角と
なるため、プレチルト角のばらつき幅が大きくなり、駆
動電圧の制御に高精度が要求される。また、配向膜形成
時の熱処理条件やラビング条件などの工程条件によるプ
レチルト角の工程依存度が大きい。それに高価でもあ
り、材料の選定にも時間がかかる。
素の効果により液晶のプレチルト角が高プレチルト角と
なるため、プレチルト角のばらつき幅が大きくなり、駆
動電圧の制御に高精度が要求される。また、配向膜形成
時の熱処理条件やラビング条件などの工程条件によるプ
レチルト角の工程依存度が大きい。それに高価でもあ
り、材料の選定にも時間がかかる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、アクテ
ィブ領域と非アクティブ領域とで材質の異なる配向膜を
使い分けることにより上記した課題が解決される。
ィブ領域と非アクティブ領域とで材質の異なる配向膜を
使い分けることにより上記した課題が解決される。
【０００９】すなわち、本発明は、それぞれの透明電極
上に配向膜が形成された第１および第２基板を周辺シー
ル材を介して上記配向膜同士が対向するように圧着し、
その内部に液晶を封入してなる表示セルを含み、上記表
示セル内の中央部分が上記基板の各透明電極が対向的に
配置されているアクティブ領域で、同アクティブ領域と
上記周辺シール材との間が表示に関与しない非アクティ
ブ領域とされている液晶表示素子において、上記アクテ
ィブ領域の配向膜には、フッ素を含まない非含フッ素系
高分子物質を用い、上記非アクティブ領域には、フッ素
を含有する含フッ素系高分子物質からなる配向膜を形成
することを特徴としている。
上に配向膜が形成された第１および第２基板を周辺シー
ル材を介して上記配向膜同士が対向するように圧着し、
その内部に液晶を封入してなる表示セルを含み、上記表
示セル内の中央部分が上記基板の各透明電極が対向的に
配置されているアクティブ領域で、同アクティブ領域と
上記周辺シール材との間が表示に関与しない非アクティ
ブ領域とされている液晶表示素子において、上記アクテ
ィブ領域の配向膜には、フッ素を含まない非含フッ素系
高分子物質を用い、上記非アクティブ領域には、フッ素
を含有する含フッ素系高分子物質からなる配向膜を形成
することを特徴としている。
【００１０】非含フッ素系高分子物質にはイオントラッ
プ効果は期待できないが、工程依存度が小さく、また、
中チルト角以下のプレチルト角を設定できるため、アク
ティブ領域の配向膜として好適である。これに対して、
イオン性不純物は非アクティブ領域の含フッ素系の配向
膜にて吸着される。なお、非アクティブ領域は表示に関
与しないため、この領域内の液晶が含フッ素系配向膜に
より高プレチルト角に設定されても表示上の問題は生じ
ない。
プ効果は期待できないが、工程依存度が小さく、また、
中チルト角以下のプレチルト角を設定できるため、アク
ティブ領域の配向膜として好適である。これに対して、
イオン性不純物は非アクティブ領域の含フッ素系の配向
膜にて吸着される。なお、非アクティブ領域は表示に関
与しないため、この領域内の液晶が含フッ素系配向膜に
より高プレチルト角に設定されても表示上の問題は生じ
ない。
【００１１】本発明において、上記第１基板側配向膜の
ラビング方向と上記第２基板側配向膜のラビング方向の
合成ベクトル方向もしくはその反合成ベクトル方向の少
なくとも一方の上記非アクティブ領域内に、イオントラ
ップ用のダミー電極を設けることができ、これによれ
ば、イオン性不純物をより効果的に吸着することができ
る。
ラビング方向と上記第２基板側配向膜のラビング方向の
合成ベクトル方向もしくはその反合成ベクトル方向の少
なくとも一方の上記非アクティブ領域内に、イオントラ
ップ用のダミー電極を設けることができ、これによれ
ば、イオン性不純物をより効果的に吸着することができ
る。
【００１２】上記第１基板側の透明電極がコモン信号が
印加されるコモン電極であり、上記第２基板側の透明電
極がセグメント信号が印加されるセグメント電極である
場合において、上記ダミー電極には次の２通りの態様が
ある。
印加されるコモン電極であり、上記第２基板側の透明電
極がセグメント信号が印加されるセグメント電極である
場合において、上記ダミー電極には次の２通りの態様が
ある。
【００１３】第１の態様によれば、上記ダミー電極は、
上記第１基板および上記第２基板の各々に上記セグメン
ト電極に対し平行として対向的に形成され、かつ、所定
の導電手段により互いに等電位とされる電極対を含み、
これら電極対には上記セグメント信号が印加される。
上記第１基板および上記第２基板の各々に上記セグメン
ト電極に対し平行として対向的に形成され、かつ、所定
の導電手段により互いに等電位とされる電極対を含み、
これら電極対には上記セグメント信号が印加される。
【００１４】第２の態様によれば、上記ダミー電極は、
上記第２基板側の上記非アクティブ領域内で上記コモン
電極と１対１で対向するように形成され、かつ、所定の
導電手段によりその対向コモン電極と等電位とされる。
この第２の態様の場合、上記合成ベクトル方向と、その
反合成ベクトル方向の両側に設けることができる。
上記第２基板側の上記非アクティブ領域内で上記コモン
電極と１対１で対向するように形成され、かつ、所定の
導電手段によりその対向コモン電極と等電位とされる。
この第２の態様の場合、上記合成ベクトル方向と、その
反合成ベクトル方向の両側に設けることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施形態について説明する。図１は本発明による液
晶表示素子の基本的構成要素である表示セルの縦断面図
で、図２はそのＡ−Ａ線に沿った横断面図である。
明の実施形態について説明する。図１は本発明による液
晶表示素子の基本的構成要素である表示セルの縦断面図
で、図２はそのＡ−Ａ線に沿った横断面図である。
【００１６】これによると、この液晶表示素子の表示セ
ル１は、周辺シール材３０を介して対向的に貼り合わさ
れる透明な第１基板１０と第２基板２０とを備えてい
る。各基板１０，２０の材質は、ガラスもしくはプラス
チックのいずれであってもよい。また、その厚さや大き
さも任意である。
ル１は、周辺シール材３０を介して対向的に貼り合わさ
れる透明な第１基板１０と第２基板２０とを備えてい
る。各基板１０，２０の材質は、ガラスもしくはプラス
チックのいずれであってもよい。また、その厚さや大き
さも任意である。
【００１７】第１基板１０の内面には、ＩＴＯ（インジ
ウム・錫酸化物）からなる透明電極１１が形成されてお
り、その上には配向膜１２が設けられている。また、第
２基板２０の内面にも同様にＩＴＯからなる透明電極２
１が形成されており、その上には配向膜２２が設けられ
ている。そして、この配向膜１２，２２間に所定の液晶
４０が封入されている。
ウム・錫酸化物）からなる透明電極１１が形成されてお
り、その上には配向膜１２が設けられている。また、第
２基板２０の内面にも同様にＩＴＯからなる透明電極２
１が形成されており、その上には配向膜２２が設けられ
ている。そして、この配向膜１２，２２間に所定の液晶
４０が封入されている。
【００１８】この実施形態において、液晶表示素子はフ
ルドットマトリクス型であり、第１基板１０側の透明電
極１１は行方向（Ｘ方向）に沿ってストライプ状パター
ンとして形成されていて、この場合、第１基板１０側の
透明電極１１はコモン信号が印加されるコモン電極とさ
れている。
ルドットマトリクス型であり、第１基板１０側の透明電
極１１は行方向（Ｘ方向）に沿ってストライプ状パター
ンとして形成されていて、この場合、第１基板１０側の
透明電極１１はコモン信号が印加されるコモン電極とさ
れている。
【００１９】また、第２基板２０側の透明電極２１は列
方向（Ｙ方向）に沿ってストライプ状パターンとして形
成されており、対向する透明電極がコモン電極１１であ
ることから、この透明電極２１はセグメント信号が印加
されるセグメント電極とされている。以下の説明におい
て、第１基板１０側の透明電極１１をコモン電極とし、
第２基板側の透明電極２１をセグメント電極とする。
方向（Ｙ方向）に沿ってストライプ状パターンとして形
成されており、対向する透明電極がコモン電極１１であ
ることから、この透明電極２１はセグメント信号が印加
されるセグメント電極とされている。以下の説明におい
て、第１基板１０側の透明電極１１をコモン電極とし、
第２基板側の透明電極２１をセグメント電極とする。
【００２０】図１に示すように、第１基板１０には端子
部１０１が連設されていて、そのコモン電極１１の一端
が端子部１０１に引き出されている。同様に、第２基板
２０にも紙面と直交する方向に端子部が連設されてい
て、その端子部にセグメント電極２１の一端が引き出さ
れている。
部１０１が連設されていて、そのコモン電極１１の一端
が端子部１０１に引き出されている。同様に、第２基板
２０にも紙面と直交する方向に端子部が連設されてい
て、その端子部にセグメント電極２１の一端が引き出さ
れている。
【００２１】この表示セル１内は、アクティブ領域１Ａ
と非アクティブ領域１Ｂとに区画されている。アクティ
ブ領域１Ａとは、コモン電極１１とセグメント電極２１
とが対向している表示領域である。非アクティブ領域１
Ｂは、アクティブ領域１Ａの外側、すなわちアクティブ
領域１Ａと周辺シール材３０との間の表示に関与しない
領域である。
と非アクティブ領域１Ｂとに区画されている。アクティ
ブ領域１Ａとは、コモン電極１１とセグメント電極２１
とが対向している表示領域である。非アクティブ領域１
Ｂは、アクティブ領域１Ａの外側、すなわちアクティブ
領域１Ａと周辺シール材３０との間の表示に関与しない
領域である。
【００２２】配向膜１２，２２は、アクティブ領域１Ａ
と非アクティブ領域１Ｂの双方にわたって設けられる
が、本発明によると、アクティブ領域１Ａにはフッ素を
含まない非含フッ素系配向膜１２１，２２１が用いら
れ、これに対して、非アクティブ領域１Ｂにはフッ素を
含有する含フッ素系配向膜１２２，２２２が用いられて
いる。
と非アクティブ領域１Ｂの双方にわたって設けられる
が、本発明によると、アクティブ領域１Ａにはフッ素を
含まない非含フッ素系配向膜１２１，２２１が用いら
れ、これに対して、非アクティブ領域１Ｂにはフッ素を
含有する含フッ素系配向膜１２２，２２２が用いられて
いる。
【００２３】一例として、非含フッ素系配向膜１２１，
２２１に好適な高分子物質には、次の分子構造式で示さ
れるものがある。式中、Ｘはジアミン残基を表し、Ｙは
シクロアルカン環を表す。
２２１に好適な高分子物質には、次の分子構造式で示さ
れるものがある。式中、Ｘはジアミン残基を表し、Ｙは
シクロアルカン環を表す。
【化１】
【００２４】また、含フッ素系配向膜１２２，２２２に
用いられるフッ素を含有する高分子物質の構造などは特
に限定されないが、高分子物質中のフッ素の含有形態と
しては、ペルフルオルアルキレン基、オキシペルフルオ
ルアルキレン基、ペルフルオルアリーレン基、オキシペ
ルフルオルアリーレン基のごとき結合基の形態、あるい
はフッ素原子、ペルフルオルアルキル基、ペルフルオル
アルコキシ基、ペルフルオルアリール基、オキシペルフ
ルオルアリール基のごとき置換基の形態が例示される
が、入手の容易性、配向膜の安定性などの面からすれ
ば、ビストリフルオルメチルメチレンの形あるいは芳香
環の結合部位以外の水素すべてをフッ素で置き換えた形
が好ましく採用可能である。
用いられるフッ素を含有する高分子物質の構造などは特
に限定されないが、高分子物質中のフッ素の含有形態と
しては、ペルフルオルアルキレン基、オキシペルフルオ
ルアルキレン基、ペルフルオルアリーレン基、オキシペ
ルフルオルアリーレン基のごとき結合基の形態、あるい
はフッ素原子、ペルフルオルアルキル基、ペルフルオル
アルコキシ基、ペルフルオルアリール基、オキシペルフ
ルオルアリール基のごとき置換基の形態が例示される
が、入手の容易性、配向膜の安定性などの面からすれ
ば、ビストリフルオルメチルメチレンの形あるいは芳香
環の結合部位以外の水素すべてをフッ素で置き換えた形
が好ましく採用可能である。
【００２５】コモン電極１１とセグメント電極２１との
間に液晶駆動電圧を印加すると、液晶４０は背流効果に
より流動し表示セル１内を循環する。これに伴なって、
液晶４０に含まれているイオン性不純物も表示セル１内
を循環するため、非アクティブ領域１Ｂ内を流動してい
る過程で、イオン性不純物の多くが含フッ素系配向膜１
２２，２２２により吸着される。
間に液晶駆動電圧を印加すると、液晶４０は背流効果に
より流動し表示セル１内を循環する。これに伴なって、
液晶４０に含まれているイオン性不純物も表示セル１内
を循環するため、非アクティブ領域１Ｂ内を流動してい
る過程で、イオン性不純物の多くが含フッ素系配向膜１
２２，２２２により吸着される。
【００２６】ここで、図２に示されているように、第１
基板１０の配向膜１２側のラビング方向Ｒ１と第２基板
２０の配向膜２２側のラビング方向Ｒ２の合成ベクトル
方向が白抜き矢印Ｖ方向であるとすると、液晶４０は図
示鎖線のように合成ベクトル方向Ｖとは逆向きに流動す
る。
基板１０の配向膜１２側のラビング方向Ｒ１と第２基板
２０の配向膜２２側のラビング方向Ｒ２の合成ベクトル
方向が白抜き矢印Ｖ方向であるとすると、液晶４０は図
示鎖線のように合成ベクトル方向Ｖとは逆向きに流動す
る。
【００２７】すなわち、液晶４０はアクティブ領域１Ａ
から合成ベクトル方向Ｖとは逆向きに流動して非アクテ
ィブ領域１Ｂに至り、アクティブ領域１Ａの側方を通っ
て再びアクティブ領域１Ａ内に入るように、表示セル１
内を一方向に循環する。この循環経路からすると、アク
ティブ領域１Ａの合成ベクトル方向Ｖ側が液晶流入側
で、反合成ベクトル方向Ｖ側が液晶流出側となるが、液
晶流入側の方が液晶流出側よりも液晶４０の供給量が多
いと推測される。
から合成ベクトル方向Ｖとは逆向きに流動して非アクテ
ィブ領域１Ｂに至り、アクティブ領域１Ａの側方を通っ
て再びアクティブ領域１Ａ内に入るように、表示セル１
内を一方向に循環する。この循環経路からすると、アク
ティブ領域１Ａの合成ベクトル方向Ｖ側が液晶流入側
で、反合成ベクトル方向Ｖ側が液晶流出側となるが、液
晶流入側の方が液晶流出側よりも液晶４０の供給量が多
いと推測される。
【００２８】そこで、この実施形態においては、イオン
性不純物をより効果的に吸着させるための補助的手段と
して、非アクティブ領域１Ｂ内でアクティブ領域１Ａに
対する液晶流入側にイオントラップ用のダミー電極５０
を設けている。
性不純物をより効果的に吸着させるための補助的手段と
して、非アクティブ領域１Ｂ内でアクティブ領域１Ａに
対する液晶流入側にイオントラップ用のダミー電極５０
を設けている。
【００２９】図３を併せて参照すると、ダミー電極５０
は、第１基板１０側においてセグメント電極２１とほぼ
平行となるように帯状に形成された第１電極５１と、第
２基板２０側にセグメント電極２１に対してほぼ平行、
かつ、第１電極５１と対向するように帯状に形成された
第２電極５２とを備えている。
は、第１基板１０側においてセグメント電極２１とほぼ
平行となるように帯状に形成された第１電極５１と、第
２基板２０側にセグメント電極２１に対してほぼ平行、
かつ、第１電極５１と対向するように帯状に形成された
第２電極５２とを備えている。
【００３０】この第１および第２電極５１，５２は、等
電位となるように導電ビーズ（導電手段）５３により導
通されている。このダミー電極５０は、図示しない電気
的駆動制御手段側から見るとセグメント電極群内に含ま
れ、その電気的駆動制御手段からセグメント信号が印加
される。
電位となるように導電ビーズ（導電手段）５３により導
通されている。このダミー電極５０は、図示しない電気
的駆動制御手段側から見るとセグメント電極群内に含ま
れ、その電気的駆動制御手段からセグメント信号が印加
される。
【００３１】図４（ａ）に各電極５１，５２がプラス電
位とされたときのイオン性不純物の動きが、また、図４
（ｂ）に各電極５１，５２がマイナス電位とされたとき
のイオン性不純物の動きがそれぞれ模式的に示されてい
る。
位とされたときのイオン性不純物の動きが、また、図４
（ｂ）に各電極５１，５２がマイナス電位とされたとき
のイオン性不純物の動きがそれぞれ模式的に示されてい
る。
【００３２】これから分かるように、各電極５１，５２
は等電位であるため、それと同極性のイオン物質は最大
でもセルギャップの中央部までしか移動せず、また、逆
極性のイオン物質は最大で中央部からの電極側に引き寄
せられ、含フッ素系配向膜１２２，２２２の界面に吸着
される。
は等電位であるため、それと同極性のイオン物質は最大
でもセルギャップの中央部までしか移動せず、また、逆
極性のイオン物質は最大で中央部からの電極側に引き寄
せられ、含フッ素系配向膜１２２，２２２の界面に吸着
される。
【００３３】次に、図５により他の形態としてのダミー
電極６０について説明する。この場合には、まず、各コ
モン電極１１の他端側（端子部１０１の反対側；アクテ
ィブ領域１Ａに対する液晶流入側）が非アクティブ領域
１Ｂ内にまで延長される。
電極６０について説明する。この場合には、まず、各コ
モン電極１１の他端側（端子部１０１の反対側；アクテ
ィブ領域１Ａに対する液晶流入側）が非アクティブ領域
１Ｂ内にまで延長される。
【００３４】そして、アクティブ領域１Ａに対する液晶
流入側の非アクティブ領域１Ｂ内において、第２基板２
０側に各コモン電極１１と１対１で対向するように複数
のダミー電極６０が独立的に形成される。対向するコモ
ン電極１１とダミー電極６０は等電位となるように例え
ば導電ビーズ６１を介して互いに導通状態とされる。
流入側の非アクティブ領域１Ｂ内において、第２基板２
０側に各コモン電極１１と１対１で対向するように複数
のダミー電極６０が独立的に形成される。対向するコモ
ン電極１１とダミー電極６０は等電位となるように例え
ば導電ビーズ６１を介して互いに導通状態とされる。
【００３５】したがって、ダミー電極６０にはコモン信
号が印加され、上記ダミー電極５０と同様にしてイオン
性不純物の吸着が行なわれる。この他の形態によれば、
アクティブ領域１Ａに対する液晶流出側の非アクティブ
領域１Ｂ内にもダミー電極６０を設けることができる。
なお、このダミー電極６０はすべてのコモン電極１１に
対向して設けられることが好ましいが、例えば１本お
き、２本おきなどのように間引かれて設けられてもよ
い。
号が印加され、上記ダミー電極５０と同様にしてイオン
性不純物の吸着が行なわれる。この他の形態によれば、
アクティブ領域１Ａに対する液晶流出側の非アクティブ
領域１Ｂ内にもダミー電極６０を設けることができる。
なお、このダミー電極６０はすべてのコモン電極１１に
対向して設けられることが好ましいが、例えば１本お
き、２本おきなどのように間引かれて設けられてもよ
い。
【００３６】
【実施例】まず、非アクティブ領域１Ｂに、ピロメリッ
ト酸二無水物と４’’，４’’’−（ヘキサフルオルイ
ソプロピリデン）ビス（４−フェノキシアニリン）との
等モル重縮合物を原料として製膜したフッ素含量（炭素
原子１００個当たりのフッ素原子数）が１６．２であ
り、フッ素含有形態がビストリフルオルメチルメチレン
である含フッ素ポリイミド系配向膜材料を転写、焼成し
て厚さ４０ｎｍの含フッ素系配向膜１２２，２２２を形
成した。次に、アクティブ領域１Ａに、上記化１で示さ
れるフッ素を含まない高分子物質を転写、焼成して厚さ
４０ｎｍの非含フッ素系配向膜１２１，２２１を形成し
た後、これらの各配向膜に２４０゜ツイスト、６時視角
となるようにラビングを施して表示セルを作製した。な
お、液晶物質にはΔε＝±１６でしきい値電圧が１．５
Ｖとなるものを用いた。この表示セルに、６０℃下で７
２時間連続通電したところ、比較例として配向膜を非含
フッ素系配向膜のみで作成した表示セルに比べて、表示
ムラの改善が認められた。
ト酸二無水物と４’’，４’’’−（ヘキサフルオルイ
ソプロピリデン）ビス（４−フェノキシアニリン）との
等モル重縮合物を原料として製膜したフッ素含量（炭素
原子１００個当たりのフッ素原子数）が１６．２であ
り、フッ素含有形態がビストリフルオルメチルメチレン
である含フッ素ポリイミド系配向膜材料を転写、焼成し
て厚さ４０ｎｍの含フッ素系配向膜１２２，２２２を形
成した。次に、アクティブ領域１Ａに、上記化１で示さ
れるフッ素を含まない高分子物質を転写、焼成して厚さ
４０ｎｍの非含フッ素系配向膜１２１，２２１を形成し
た後、これらの各配向膜に２４０゜ツイスト、６時視角
となるようにラビングを施して表示セルを作製した。な
お、液晶物質にはΔε＝±１６でしきい値電圧が１．５
Ｖとなるものを用いた。この表示セルに、６０℃下で７
２時間連続通電したところ、比較例として配向膜を非含
フッ素系配向膜のみで作成した表示セルに比べて、表示
ムラの改善が認められた。
【００３７】また、上記表示セルの構成に加えて、図５
で説明したように、アクティブ領域１Ａの液晶流入側お
よび液晶流出側の非アクティブ領域１Ｂ内にイオントラ
ップ用のダミー電極６０をコモン電極１１と等電位とし
て設け、６０℃下で７２時間連続通電したところ、ダミ
ー電極なしの場合に比べて、表示ムラが著しく改善され
た。
で説明したように、アクティブ領域１Ａの液晶流入側お
よび液晶流出側の非アクティブ領域１Ｂ内にイオントラ
ップ用のダミー電極６０をコモン電極１１と等電位とし
て設け、６０℃下で７２時間連続通電したところ、ダミ
ー電極なしの場合に比べて、表示ムラが著しく改善され
た。
【００３８】参考例として、ダミー電極６０をコモン電
極１１と等電位とせずに、ダミー電極６０をグランド電
位としたところ、ダミー電極による表示ムラの改善は認
められなかった。また、ダミー電極をラビング方向の合
成ベクトル方向に対して垂直となる位置に形成して同様
な通電テストを行なったところ、表示ムラの改善は僅か
であった。
極１１と等電位とせずに、ダミー電極６０をグランド電
位としたところ、ダミー電極による表示ムラの改善は認
められなかった。また、ダミー電極をラビング方向の合
成ベクトル方向に対して垂直となる位置に形成して同様
な通電テストを行なったところ、表示ムラの改善は僅か
であった。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アクティブ領域には非含フッ素系配向膜を適用し、非ア
クティブ領域には含フッ素系配向膜を適用したことによ
り、液晶に含まれているイオン性不純物に起因する表示
ムラが改善されるとともに、含フッ素系配向膜の使用に
伴なう高プレチルト角や高い工程依存度および材料選定
の難しさなどの問題が解決され、表示特性の向上と表示
ムラの改善とを両立させることができる。
アクティブ領域には非含フッ素系配向膜を適用し、非ア
クティブ領域には含フッ素系配向膜を適用したことによ
り、液晶に含まれているイオン性不純物に起因する表示
ムラが改善されるとともに、含フッ素系配向膜の使用に
伴なう高プレチルト角や高い工程依存度および材料選定
の難しさなどの問題が解決され、表示特性の向上と表示
ムラの改善とを両立させることができる。
【００４０】また、各基板の配向膜ラビング方向の合成
ベクトル方向もしくはその反合成ベクトル方向の少なく
とも一方の上記非アクティブ領域内に、イオントラップ
用のダミー電極を設けることにより、イオン性不純物を
より効果的に吸着することができる。
ベクトル方向もしくはその反合成ベクトル方向の少なく
とも一方の上記非アクティブ領域内に、イオントラップ
用のダミー電極を設けることにより、イオン性不純物を
より効果的に吸着することができる。
【図１】本発明の実施形態を示した縦断面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線横断面図。
【図３】上記実施形態に適用されているイオントラップ
用ダミー電極の第１例を説明するための模式図。
用ダミー電極の第１例を説明するための模式図。
【図４】上記イオントラップ用ダミー電極の作用説明
図。
図。
【図５】上記イオントラップ用ダミー電極の第２例を説
明するための模式図。
明するための模式図。
１ 表示セル １Ａ アクティブ領域 １Ｂ 非アクティブ領域 １０ 第１基板 １１ 透明電極（コモン電極） １２１ 非含フッ素系配向膜 １２２ 含フッ素系配向膜 ２０ 第２基板 ２１ 透明電極（セグメント電極） ２２１ 非含フッ素系配向膜 ２２２ 含フッ素系配向膜 ３０ 周辺シール材 ４０ 液晶 ５０，６０ ダミー電極
Claims (5)
- 【請求項１】 それぞれの透明電極上に配向膜が形成さ
れた第１および第２基板を周辺シール材を介して上記配
向膜同士が対向するように圧着し、その内部に液晶を封
入してなる表示セルを含み、上記表示セル内の中央部分
が上記基板の各透明電極が対向的に配置されているアク
ティブ領域で、同アクティブ領域と上記周辺シール材と
の間が表示に関与しない非アクティブ領域とされている
液晶表示素子において、 上記アクティブ領域の配向膜には、フッ素を含まない非
含フッ素系高分子物質が用いられ、上記非アクティブ領
域には、フッ素を含有する含フッ素系高分子物質からな
る配向膜が形成されていることを特徴とする液晶表示素
子。 - 【請求項２】 上記第１基板側配向膜のラビング方向と
上記第２基板側配向膜のラビング方向の合成ベクトル方
向もしくはその反合成ベクトル方向の少なくとも一方の
上記非アクティブ領域内には、イオントラップ用のダミ
ー電極が設けられている請求項１に記載の液晶表示素
子。 - 【請求項３】 上記第１基板側の透明電極がコモン信号
が印加されるコモン電極であり、上記第２基板側の透明
電極がセグメント信号が印加されるセグメント電極であ
る場合において、上記ダミー電極は、上記第１基板およ
び上記第２基板の各々に上記セグメント電極に対し平行
として対向的に形成され、かつ、所定の導電手段により
互いに等電位とされる電極対を含み、これら電極対には
上記セグメント信号が印加される請求項２に記載の液晶
表示素子。 - 【請求項４】 上記第１基板側の透明電極がコモン信号
が印加されるコモン電極であり、上記第２基板側の透明
電極がセグメント信号が印加されるセグメント電極であ
る場合において、上記ダミー電極は、上記第２基板側の
上記非アクティブ領域内で上記コモン電極と１対１で対
向し、かつ、所定の導電手段によりその対向コモン電極
と等電位とされている請求項２に記載の液晶表示素子。 - 【請求項５】 上記ダミー電極は上記合成ベクトル方向
と、その反合成ベクトル方向の両側に設けられている請
求項４に記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000197719A JP2002014354A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000197719A JP2002014354A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002014354A true JP2002014354A (ja) | 2002-01-18 |
Family
ID=18696005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000197719A Withdrawn JP2002014354A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002014354A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008102557A (ja) * | 2008-01-17 | 2008-05-01 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2014026141A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 |
| JP2016045475A (ja) * | 2014-08-27 | 2016-04-04 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法 |
| US9670411B2 (en) | 2014-01-14 | 2017-06-06 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, method of manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus |
| JP2020187213A (ja) * | 2019-05-13 | 2020-11-19 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置および電子機器 |
| JP2021156996A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、及び電子機器 |
-
2000
- 2000-06-30 JP JP2000197719A patent/JP2002014354A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008102557A (ja) * | 2008-01-17 | 2008-05-01 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP4669887B2 (ja) * | 2008-01-17 | 2011-04-13 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2014026141A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 |
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| US10948783B2 (en) | 2019-05-13 | 2021-03-16 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal apparatus and electronic device |
| JP7268473B2 (ja) | 2019-05-13 | 2023-05-08 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置および電子機器 |
| JP2021156996A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、及び電子機器 |
| JP7415725B2 (ja) | 2020-03-26 | 2024-01-17 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、及び電子機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070904 |