JP2015200692A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品質を高めることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子基板１０と、素子基板１０とシール材を介して対向するように配置された対向基板２０と、シール材で囲まれた領域に封入された液晶層１５と、素子基板１０と液晶層１５との間に配置された画素電極２７と、対向基板２０と液晶層１５との間に配置された対向電極３１と、画素電極２７を覆うように配置された第１無機配向膜２８と、対向電極３１を覆うように配置された第２無機配向膜３２と、第１無機配向膜２８の上に被覆された第１有機膜２８ａと、第２無機配向膜３２の上に被覆された第２有機膜３２ａと、を含み、第１有機膜２８ａを形成するのに用いられる表面処理剤が含む原料の炭素数と比較して、第２有機膜３２ａを形成するのに用いられる表面処理剤が含む原料の炭素数が多い。
【選択図】図５

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。

上記電気光学装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやライトバルブなどにおいて用いられている。

液晶装置は、例えば、画素電極が形成された素子基板と、共通電極が形成された対向基板との間に液晶層が挟持されている。このような液晶装置は、画素電極と液晶層との間の電荷移動量と、共通電極と液晶層との間の電荷移動量とにおいて差が生じやすい。これにより、プラス方向又はマイナス方向にフリッカーミニマムとなる最適Ｖcomがシフトし、その結果、フリッカーが生じるという問題がある。

そこで、特許文献１では、金属電極からなる画素電極のみに表面処理を施し、画素電極と液晶層との間の電荷移動量と、共通電極と液晶層との間の電荷移動量とを合わせて、フリッカーなど表示品質が低下することを抑えている方法が開示されている。

特開２０１１−２０９５４７号公報

しかしながら、電極の材質だけでなく、画素電極と共通電極との平面的な面積差によっても電荷移動量が変わることから、フリッカーが生じるなど表示品質が低下するという課題がある。

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、素子基板と、前記素子基板とシール材を介して対向するように配置された対向基板と、前記シール材で囲まれた領域に封入された電気光学層と、前記素子基板と前記電気光学層との間に配置された画素電極と、前記対向基板と前記電気光学層との間に配置された対向電極と、前記画素電極を覆うように配置された第１配向膜と、前記対向電極を覆うように配置された第２配向膜と、前記第１配向膜を覆うように配置された第１有機膜と、前記第２配向膜を覆うように配置された第２有機膜と、を含み、前記第１有機膜の分子が含む炭素数と比較して、前記第２有機膜の分子が含む炭素数が多いことを特徴とする。この電気光学装置は、前記第１有機膜を形成するための表面処理剤が含む原料の分子の炭素数と比較して、前記第２有機膜を形成するための表面処理剤が含む原料の分子の炭素数が多いというものである。

本適用例によれば、マイナスイオンの吸着量は炭素数に比例するので、第２有機膜を形成するための表面処理剤が含む原料の分子の炭素数を多くすることにより、第２有機膜の分子の炭素数が多くなる。よって、第２有機膜に多くのマイナスイオンを吸着させることが可能となる。よって、透過型の電気光学装置のように、電極の材質が同じであり、電極の面積に差がある場合、具体的には、画素電極と比較して対向電極の開口面積が大きい場合、対向電極側に多くのマイナスイオンを集めることが可能となり、画素電極と液晶層との間の電荷移動量と、対向電極と液晶層との電荷移動量とを、略等しくすることができる。言い換えれば、配向膜へのイオンの吸着量の偏りを補正することができる。これにより、Ｖcomシフトを抑えることが可能となり、フリッカーが生じるなど表示品質が低下することを抑えることができる。

［適用例２］本適用例に係る電気光学装置は、素子基板と、前記素子基板とシール材を介して対向するように配置された対向基板と、前記シール材で囲まれた領域に封入された電気光学層と、前記素子基板と前記電気光学層との間に配置された画素電極と、前記対向基板と前記電気光学層との間に配置された対向電極と、前記画素電極を覆うように配置された第１配向膜と、前記対向電極を覆うように配置された第２配向膜と、前記第１配向膜を覆うように配置された第１有機膜と、前記第２配向膜を覆うように配置された第２有機膜と、を含み、前記第１有機膜の分子が含む炭素数と比較して、前記第２有機膜の分子が含む炭素数が少ないことを特徴とする。この電気光学装置は、前記第１有機膜を形成するための表面処理剤が含む原料の分子の炭素数と比較して、前記第２有機膜を形成するための表面処理剤が含む原料の分子の炭素数が少ないというものである。

本適用例によれば、マイナスイオンの吸着量は炭素数に比例するので、第２有機膜を形成するための表面処理剤が含む原料の炭素数が少ない、つまり第１有機膜の分子の炭素数を多くすることにより、第１有機膜に多くのマイナスイオンを吸着させることが可能となる。よって、反射型の電気光学装置のように、電極の材質が異なる場合、具体的には、画素電極に金属材料を用いて、対向電極にＩＴＯを用いた場合、画素電極側に多くのマイナスイオンを集めることが可能となり、画素電極と液晶層との間の電荷移動量と、対向電極と液晶層との電荷移動量とを、略等しくすることができる。言い換えれば、配向膜へのイオンの吸着量の偏りを補正することができる。これにより、フリッカーが生じるなど表示品質が低下することを抑えることができる。

［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２有機膜の分子が含む炭素数は、前記第１有機膜の分子が含む炭素数より１〜３多いことが好ましい。これにより、前記第２有機膜の分子が含む炭素数は、前記第１有機膜の分子が含む炭素数より１〜３多くなる。

本適用例によれば、第２有機膜を形成するための表面処理剤が含む原料の分子の炭素数が多いので、第２有機膜の分子の炭素数が多くなる。よって、第２有機膜に多くのマイナスイオンを吸着させることが可能となる。よって、透過型の電気光学装置のように、電極の材質が同じであり、電極の面積に差がある場合、具体的には、画素電極と比較して対向電極の開口面積が大きい場合、対向電極側に多くのマイナスイオンを集めることが可能となり、画素電極と液晶層との間の電荷移動量と、対向電極と液晶層との電荷移動量とを、略等しくすることができる。言い換えれば、配向膜へのイオンの吸着量の偏りを補正することができる。これにより、フリッカーが生じるなど表示品質が低下することを抑えることができる。

［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１有機膜の分子が含む炭素数は、前記第２有機膜の分子が含む炭素数より５〜１０多いことが好ましい。これにより、前記第１有機膜の分子が含む炭素数は、前記第２有機膜の分子が含む炭素数より５〜１０多くなる。

本適用例によれば、第１有機膜を形成するための表面処理剤が含む分子の原料の炭素数が多いので、第１有機膜の分子の炭素数が多くなる。よって、第１有機膜に多くのマイナスイオンを吸着させることが可能となる。よって、反射型の電気光学装置のように、電極の材質が異なる場合、具体的には、画素電極に金属材料を用いて、対向電極にＩＴＯを用いた場合、画素電極側に多くのマイナスイオンを集めることが可能となり、画素電極と液晶層との間の電荷移動量と、対向電極と液晶層との電荷移動量とを、略等しくすることができる。言い換えれば、配向膜へのイオンの吸着量の偏りを補正することができる。これにより、フリッカーが生じるなど表示品質が低下することを抑えることができる。

［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１配向膜及び前記第２配向膜は、無機配向膜であり、前記第１有機膜は、シランカップリング材から生成される物質を含むことが好ましい。

本適用例によれば、第１配向膜及び第２配向膜が無機配向膜であり、無機配向膜の表面にシラノール基が存在するので、シラノール基とシランカップリング材の加水分解基とを反応させることが可能となり、無機配向膜の表面にシランカップリング材から生成される物質を付与することができる。その結果、無機配向膜に表面処理を施すことが可能となり、表示品質が低下することを抑えることができる。

［適用例６］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、画素電極を覆うように配置された第１配向膜に第１の表面処理を行い、第１有機膜を形成する工程と、対向電極を覆うように配置された第２配向膜に第２の表面処理を行い、第２有機膜を形成する工程と、を含み、前記第１の表面処理を行い、前記第１有機膜を形成する工程に用いる第１の表面処理剤が含む原料の分子の炭素数と比較して、前記第２の表面処理を行い、前記第２有機膜を形成する工程に用いる第２の表面処理剤が含む原料の分子の炭素数が多いことを特徴とする。この製造方法は、前記第１配向膜の上に第１有機膜を表面処理により形成する工程と、前記第２配向膜の上に第２有機膜を表面処理により形成する工程と、を有し、前記表面処理する工程は、前記第１有機膜を形成するための表面処理剤が含む原料の分子の炭素数と比較して、前記第２有機膜を形成するための表面処理剤が含む原料の分子の炭素数が多くなるように表面処理をすることを特徴とする。

本適用例によれば、第２有機膜を形成するための表面処理剤が含む原料の分子の炭素数が多くなるように表面処理をするので、例えば、透過型の電気光学装置のように、電極の材質が同じであり、電極の面積に差がある場合、具体的には、画素電極と比較して対向電極の開口面積が大きい場合、第２有機膜に多くのマイナスイオンを吸着させることが可能となる。よって、画素電極と液晶層との間の電荷移動量と、対向電極と液晶層との電荷移動量とを、略等しくすることができる。言い換えれば、配向膜へのイオンの吸着量の偏りを補正することができる。これにより、フリッカーが生じるなど表示品質が低下することを抑えることができる。

［適用例７］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、画素電極を覆うように配置された第１配向膜に第１の表面処理を行い、第１有機膜を形成する工程と、対向電極を覆うように配置された第２配向膜に第２の表面処理を行い、第２有機膜を形成する工程と、を含み、前記第１の表面処理を行い、前記第１有機膜を形成する工程に用いる第１の表面処理剤が含む原料の分子の炭素数と比較して、前記第２の表面処理を行い、前記第２有機膜を形成する工程に用いる第２の表面処理剤が含む原料の分子の炭素数が少ないことを特徴とする。この製造方法は、前記第１配向膜の上に第１有機膜を表面処理により形成する工程と、前記第２配向膜の上に第２有機膜を表面処理により形成する工程と、を有し、前記表面処理する工程は、前記第１有機膜を形成するための表面処理剤が含む原料の炭素数と比較して、前記第２有機膜を形成するための表面処理剤が含む原料の炭素数が少なくなるように表面処理をすることを特徴とする。

本適用例によれば、第２有機膜を形成するための表面処理剤が含む原料の分子の炭素数が少ない、つまり第１有機膜の分子の炭素数が多くなるように表面処理をするので、例えば、反射型の電気光学装置のように、電極の材質が異なる場合、具体的には、画素電極に金属材料を用いて、対向電極にＩＴＯを用いた場合、第１有機膜に多くのマイナスイオンを吸着させることが可能となる。よって、画素電極と液晶層との間の電荷移動量と、対向電極と液晶層との電荷移動量とを、略等しくすることができる。言い換えれば、配向膜へのイオンの吸着量の偏りを補正することができる。これにより、フリッカーが生じるなど表示品質が低下することを抑えることができる。

［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１配向膜及び前記第２配向膜は、無機配向膜であり、前記第１の表面処理及び前記第２の表面処理は、シランカップリング処理であることが好ましい。

本適用例によれば、第１配向膜及び第２配向膜が無機配向膜であり、無機配向膜の表面にシラノール基が存在するので、シラノール基とシランカップリング材の加水分解基とを反応させることが可能となり、無機配向膜の表面にシランカップリング材から生成された物質を付与することができる。その結果、無機配向膜に表面処理を施すことが可能となり、表示品質が低下することを抑えることができる。

［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記電気光学装置を備えていることを特徴とする。

本適用例によれば、上記電気光学装置を備えているので、表示特性を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。

液晶装置の構成を示す模式平面図。 図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図。 液晶装置のうち主に無機配向膜の構成、及び有機膜の構成を示す模式断面図。 液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。 液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す模式断面図。 液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す模式断面図。 ＣＶＤ装置の構造を示す模式図。 液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。 変形例の液晶装置の構造を示す模式断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

本実施形態では、電気光学装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。

図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向するように配置された素子基板１０（第１基板）および対向基板２０（第２基板）と、これら一対の基板１０，２０によって挟持された電気光学層としての液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する基板としての第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板１０，２０は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材１４の内側で、素子基板１０は対向基板２０の間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光膜（ブラックマトリックス：ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。

素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。

対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と表示領域Ｅとの間には、遮光部材としての遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。

これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。

図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。

また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、配向膜２８を含むものである。

対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁膜３３と、絶縁膜３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも絶縁膜３３、対向電極３１、配向膜３２を含むものである。

遮光膜１８は、図１に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

絶縁膜３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁膜３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

対向電極３１は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなり、絶縁膜３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

画素電極２７を覆う配向膜２８、および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。

このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。

図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、共通電位配線としての容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。

走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。

データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。

保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。

＜液晶装置を構成する画素の構成＞
図４は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置のうち画素の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。

図４に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。

図４に示すように、第１基材１０ａ上には、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）等の材料を含む下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Ｐの開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、導電性を有し、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。

下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。

半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。

チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。

ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。

誘電体膜１６ｃは、例えば、シリコン窒化膜である。第２容量電極１６ｂ（容量線３ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。

第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。

容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、ゲート絶縁層１１ｇ、第１層間絶縁層１１ｂ、誘電体膜１６ｃ、及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ２を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。

データ線６ａの上層には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。第３層間絶縁層１１ｄは、例えば、シリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生じる表面の凸部を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。第３層間絶縁層１１ｄには、コンタクトホールＣＮＴ４が形成されている。

画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ４，ＣＮＴ３を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。

画素電極２７及び隣り合う画素電極２７間の第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。配向膜２８上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。

一方、第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、例えば、ＰＳＧ膜（リンをドーピングしたシリコン酸化膜）などからなる絶縁膜３３が設けられている。絶縁膜３３上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。

液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、素子基板１０と対向基板２０の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。

＜透過型の液晶装置における、配向膜の構成、有機膜の構成＞
図５は、液晶装置のうち主に無機配向膜の構成、及び有機膜の構成を示す模式断面図である。以下、無機配向膜、及び有機膜の構成について、図５を参照しながら説明する。なお、図５は、説明しやすいように簡略化して図示する。

図５に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ上の表示領域Ｅには、画素電極２７が設けられている。画素電極２７の表面、及び画素電極２７が設けられていない第１基材１０ａの表面には、斜方蒸着法によって成膜された柱状構造物（カラム）を有する第１配向膜としての第１無機配向膜２８が設けられている。

柱状構造物（図示せず）は、第１基材１０ａ上の全体に亘って密集して設けられている。これら柱状構造物は、第１基材１０ａに対し傾斜して設けられており、傾斜角度によって液晶層１５の液晶分子にプレチルト角が付与されるようになっている。ここで、プレチルト角とは、第１基材１０ａ表面に直交する方向と液晶分子の長軸方向とのなす角度をいう。

第１無機配向膜２８には、第１有機膜２８ａが表面処理によって付与されている。第１有機膜２８ａは、例えば、シランカップリング材を用いて形成された表面処理膜である。

対向基板２０を構成する第２基材２０ａ上（液晶層側）には、対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、対向電極３１を覆うように斜方蒸着法によって成膜された第２配向膜としての第２無機配向膜３２が設けられている。第２無機配向膜３２上には、第２有機膜３２ａが表面処理によって付与されている。第２有機膜３２ａは、第１有機膜２８ａと同様に、シランカップリング材を用いて形成された表面処理膜である。

表面処理剤としては、直鎖アルキルを有するシランカップリング材が用いられる。本実施形態のように、透過型の液晶装置１００の場合、第２有機膜３２ａを形成するための表面処理剤が含む原料の分子の炭素数を、第１有機膜２８ａを形成するための表面処理剤が含む原料の分子の炭素数より多くする。

具体的には、第１有機膜２８ａを形成するための表面処理剤が含む原料の炭素数より、第２有機膜３２ａを形成するための表面処理剤が含む原料の分子の炭素数を、１〜３多くする。例えば、第１有機膜２８ａを形成するための表面処理剤が含む原料の分子の炭素数を８とする。第２有機膜３２ａを形成するための表面処理剤が含む原料の分子の炭素数を１０とする。

マイナスイオンの吸着量は、炭素数に比例する。よって、本実施形態の透過型の液晶装置１００のように、電極の材質が同じであり、電極の面積に差がある場合、具体的には、画素電極２７と比較して対向電極３１の開口面積が大きい場合、対向電極３１側の第２有機膜３２ａに多くのマイナスイオンを吸着させることが可能となり、画素電極２７と液晶層１５との間の電荷移動量と、対向電極３１と液晶層１５との電荷移動量とを、略等しくすることができる。言い換えれば、表面処理剤が含む原料の分子の炭素数を調整することにより配向膜へのイオンの吸着量の偏りを補正することができる。これにより、Ｖcomシフトを抑えることが可能となり、フリッカーが生じるなど表示品質が低下することを抑えることができる。

＜液晶装置の製造方法＞
図６は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図７及び図８は、液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す模式断面図である。図９は、ＣＶＤ装置の構造を示す模式図である。以下、液晶装置の製造方法を、図６〜図９を参照しながら説明する。

最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ１１では、石英基板などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０を形成する。具体的には、まず、第１基材１０ａ上に、アルミニウムなどからなる下側遮光膜３ｃ（図４参照）を成膜する。その後、周知の成膜技術を用いて、シリコン酸化膜などからなる下地絶縁層１１ａを成膜する。

次に、下地絶縁層１１ａ上に、ＴＦＴ３０を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、ＴＦＴ３０を形成する。以降、これらが形成された層を回路層と称して簡略化して説明する。

ステップＳ１２では、画素電極２７を形成する。具体的には、図７（ａ）に示すように、ＴＦＴ３０などを含む回路層（図示せず）の上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、ＩＴＯなどからなる画素電極２７を形成する。

ステップＳ１３では、第１無機配向膜２８を形成する。具体的には、図７（ｂ）に示すように、画素電極２７を覆うように第１無機配向膜２８を形成する。第１無機配向膜２８の製造方法としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。

ステップＳ１４では、第１無機配向膜２８に第１有機膜２８ａを付与する。具体的には、図７（ｃ）に示すように、化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition：以下ＣＶＤという。）を用いる。以下、図９を参照しながら、ＣＶＤ装置７０の構造及び第１有機膜２８ａの製造方法を説明する。

図９に示すように、まず、素子基板１０と液状のシランカップリング材の入った容器７２とを、ＣＶＤ装置７０の真空槽の如き密閉チャンバー７１に入れる。このときのシランカップリング材は、表面処理剤が含む原料の分子の炭素数が８となるように調製されている。次に、ヒーター７３によって容器７２を加熱し、シランカップリング材を気化させる。これにより、図７（ｃ）に示すように、第１無機配向膜２８の表面に第１有機膜２８ａが付与される。

具体的には、第１無機配向膜２８の表面のシラノール基とシランカップシング材の加水分解基とが反応し、シランカップリング材から生成される物質が付着することにより第１有機膜２８ａが形成される。以上により、素子基板１０側が完成する。

次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、図８（ａ）に示すように、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３１を形成する。

ステップＳ２２では、対向電極３１上に第２無機配向膜３２を形成する。具体的には、図８（ｂ）に示すように、例えば、第１無機配向膜２８と同様に、斜方蒸着法を用いて形成する。

ステップＳ２３では、第２無機配向膜３２に第２有機膜３２ａを付与する。具体的には、図８（ｃ）に示すように、素子基板１０と同じ化学気相成長法を用いる。まず、対向基板２０と液状のシランカップリング材の入った容器７２とを、ＣＶＤ装置７０（図９参照）の真空槽の如き密閉チャンバー７１に入れる。このときのシランカップリング材は、表面処理剤が含む原料の分子の炭素数が１０となるように調製されている。次に、ヒーター７３によって容器７２を加熱し、シランカップリング材を気化させる。これにより、第２無機配向膜３２の表面に第２有機膜３２ａが付与される。

以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。

ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。具体的には、例えば、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に（表示領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。

シール材１４としては、例えば、紫外線硬化型エポキシ樹脂が挙げられる。なお、紫外線などの光硬化型樹脂に限定されず、熱硬化型樹脂などを用いるようにしてもよい。また、シール材１４には、例えば、素子基板１０と対向基板２０との間隔（ギャップ或いはセルギャップ）を所定値とするためのスペーサー等のギャップ材が含まれている。

ステップＳ３２では、シール材１４で囲まれた中に液晶を滴下する。詳しくは、シール材１４で囲まれた領域に液晶を滴下する（ＯＤＦ（One Drop Fill）方式）。滴下する方法としては、例えば、インクジェットヘッドなどを用いることができる。また、液晶は、シール材１４によって囲まれた領域（表示領域Ｅ）の中央部に滴下することが望ましい。

ステップＳ３３では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板１０，２０の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。以上により、液晶装置１００が完成する。

＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。

図１０に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このような投射型表示装置１０００には、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０を用いているので、高い信頼性を得ることができる。

なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。

以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１００、液晶装置１００の製造方法、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）本実施形態の液晶装置１００、及び液晶装置１００の製造方法によれば、マイナスイオンの吸着量は炭素数に比例するので、第２有機膜３２ａを形成するための表面処理剤が含む原料の分子の炭素数を多くすることにより、第２有機膜３２ａに多くのマイナスイオンを吸着させることが可能となる。よって、透過型の液晶装置１００のように、電極の材質が同じであり、電極の面積に差がある場合、具体的には、画素電極２７と比較して対向電極３１の開口面積が大きい場合、対向電極３１側に多くのマイナスイオンを集めることが可能となり、画素電極２７と液晶層１５との間の電荷移動量と、対向電極３１と液晶層１５との電荷移動量とを、略等しくすることができる。言い換えれば、表面処理剤が含む原料の分子の炭素数を調整することにより、配向膜へのイオンの吸着量の偏りを補正することができる。これにより、Ｖcomシフトを抑えることが可能となり、フリッカーが生じるなど表示品質が低下することを抑えることができる。

（２）本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、配向膜が無機配向膜であり、無機配向膜の表面にシラノール基が存在するので、シラノール基とシランカップリング材の加水分解基とを反応させることが可能となり、第１無機配向膜２８及び第２無機配向膜３２の表面にシランカップリング材から生成された物質を付与することができる。その結果、第１無機配向膜２８及び第２無機配向膜３２に表面処理を施すことが可能となり、表示品質が低下することを抑えることができる。

（３）本実施形態の電子機器によれば、上記液晶装置１００を備えているので、表示特性を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記したように、透過型の液晶装置１００であることに限定されず、反射型の液晶装置２００に適用するようにしてもよい。反射型の液晶装置２００の場合の構造を、以下に説明する。図１１は、反射型の液晶装置２００の構造を示す模式断面図である。

図１１に示す反射型の液晶装置２００は、素子基板１０側の第１有機膜２８ａを形成するための表面処理剤が含む原料の炭素数を、対向基板２０側の第２有機膜３２ａを形成するための表面処理剤が含む原料の炭素数より多く（５〜１０）なるように形成されている。反射型の液晶装置２００は、画素電極２７が金属材料（例えば、アルミニウム）で構成されている。

液晶装置２００の製造方法は、第１実施形態の液晶装置１００の製造方法と略同様である。具体的には、素子基板１０の製造方法において、シランカップリング材の表面処理剤が含む原料の分子の炭素数を、例えば、１８に調製する。また、対向基板２０の製造方法において、シランカップリング材の表面処理剤が含む原料の炭素数を、例えば、１０に調製する。

このように、マイナスイオンの吸着量は炭素数に比例するので、第２有機膜を形成するための３２ａの表面処理剤が含む原料の炭素数が少ない、つまり第１有機膜２８ａの分子の炭素数を多くすることにより、第１有機膜２８ａに多くのマイナスイオンを吸着させることが可能となる。よって、反射型の液晶装置２００のように、電極の材質が異なる場合、具体的には、画素電極２７に金属材料を用いて、対向電極３１にＩＴＯを用いた場合、画素電極２７側に多くのマイナスイオンを集めることが可能となり、画素電極２７と液晶層１５との間の電荷移動量と、対向電極３１と液晶層１５との電荷移動量とを、略等しくすることができる。言い換えれば、配向膜へのイオンの吸着量の偏りを補正することができる。これにより、Ｖcomシフトを抑えることが可能となり、フリッカーが生じるなど表示品質が低下することを抑えることができる。

（変形例２）
上記したように、アクティブマトリックス型の液晶装置１００に適用することに限定されず、例えば、単純マトリックス型の液晶装置に適用するようにしてもよい。

（変形例３）
上記したように、電気光学装置として液晶装置１００を適用することに限定されず、例えば、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー（ＥＰＤ）等に適用するようにしてもよい。

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、ＣＮＴ１〜ＣＮＴ４…コンタクトホール、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁層、１４…シール材、１５…電気光学層としての液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８…第１配向膜としての第１無機配向膜、２８ａ…第１有機膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３２…第２配向膜としての第２無機配向膜、３２ａ…第２有機膜、３３…絶縁膜、６１…外部接続用端子、７０…ＣＶＤ装置、７１…密閉チャンバー、７２…容器、７３…ヒーター、１００…透過型の液晶装置、２００…反射型の液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。

Claims (9)

1. 素子基板と、
   前記素子基板とシール材を介して対向するように配置された対向基板と、
   前記シール材で囲まれた領域に封入された電気光学層と、
   前記素子基板と前記電気光学層との間に配置された画素電極と、
   前記対向基板と前記電気光学層との間に配置された対向電極と、
   前記画素電極を覆うように配置された第１配向膜と、
   前記対向電極を覆うように配置された第２配向膜と、
   前記第１配向膜を覆うように配置された第１有機膜と、
   前記第２配向膜を覆うように配置された第２有機膜と、
   を含み、
   前記第１有機膜の分子が含む炭素数と比較して、前記第２有機膜の分子が含む炭素数が多いことを特徴とする電気光学装置。
2. 素子基板と、
   前記素子基板とシール材を介して対向するように配置された対向基板と、
   前記シール材で囲まれた領域に封入された電気光学層と、
   前記素子基板と前記電気光学層との間に配置された画素電極と、
   前記対向基板と前記電気光学層との間に配置された対向電極と、
   前記画素電極を覆うように配置された第１配向膜と、
   前記対向電極を覆うように配置された第２配向膜と、
   前記第１配向膜を覆うように配置された第１有機膜と、
   前記第２配向膜を覆うように配置された第２有機膜と、
   を含み、
   前記第１有機膜の分子が含む炭素数と比較して、前記第２有機膜の分子が含む炭素数が少ないことを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１に記載の電気光学装置であって、
   前記第２有機膜の分子が含む炭素数は、前記第１有機膜の分子が含む炭素数より１〜３多いことを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項２に記載の電気光学装置であって、
   前記第１有機膜の分子が含む炭素数は、前記第２有機膜の分子が含む炭素数より５〜１０多いことを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記第１配向膜及び前記第２配向膜は、無機配向膜であり、
   前記第１有機膜は、シランカップリング材から生成される物質を含むことを特徴とする電気光学装置。
6. 画素電極を覆うように配置された第１配向膜に第１の表面処理を行い、第１有機膜を形成する工程と、
   対向電極を覆うように配置された第２配向膜に第２の表面処理を行い、第２有機膜を形成する工程と、
   を含み、
   前記第１の表面処理を行い、前記第１有機膜を形成する工程に用いる第１の表面処理剤が含む原料の分子の炭素数と比較して、前記第２の表面処理を行い、前記第２有機膜を形成する工程に用いる第２の表面処理剤が含む原料の分子の炭素数が多いことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 画素電極を覆うように配置された第１配向膜に第１の表面処理を行い、第１有機膜を形成する工程と、
   対向電極を覆うように配置された第２配向膜に第２の表面処理を行い、第２有機膜を形成する工程と、
   を含み、
   前記第１の表面処理を行い、前記第１有機膜を形成する工程に用いる第１の表面処理剤が含む原料の分子の炭素数と比較して、前記第２の表面処理を行い、前記第２有機膜を形成する工程に用いる第２の表面処理剤が含む原料の分子の炭素数が少ないことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 請求項６又は請求項７に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記第１配向膜及び前記第２配向膜は、無機配向膜であり、
   前記第１の表面処理及び前記第２の表面処理は、シランカップリング処理であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
9. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。

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