JP2014224889A - 液晶装置、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】素子基板10は、表示領域Eに設けられた画素電極27と、平面視で、表示領域Eとシール材14との間に設けられた第1周辺電極41と、を有し、対向基板20は、表示領域Eに設けられ共通電位が印加される対向電極31と、第1周辺電極41と対向するように配置され、共通電位が印加される第2周辺電極42と、を有し、第1周辺電極41及び第2周辺電極42の少なくともどちらか一方は、絶縁層からなる凸部の上に設けられており、第1周辺電極41の表面から第2周辺電極42の表面までの距離は画素電極27の表面から対向電極31の表面までの距離より短く、かつ、第1周辺電極41と第2周辺電極42とは離間して配置されている。
【選択図】図6
Description
図1は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図2は、図1に示す液晶装置のH−H’線に沿う模式断面図である。図3は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図1〜図3を参照しながら説明する。
図4は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置のうち画素の構造を、図4を参照しながら説明する。なお、図4は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
図5は、液晶装置のうち主に周辺電極の構成を示す模式平面図である。図6は、図5に示す液晶装置のA−A’線に沿う模式断面図である。以下、周辺電極の構成について、図5及び図6を参照しながら説明する。
図7は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図8は、液晶装置の製造方法のうち主に対向基板の製造方法を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図7及び図8を参照しながら説明する。
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図9を参照しながら説明する。図9は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
上記した実施形態のように、対向基板20側のみ対向電極31の表面より突出する凸部42aを設けることに限定されず、素子基板10側も画素電極27の下面より突出する凸部41aを設けるようにしてもよい。
上記した実施形態のように、対向基板20側に対向電極31の表面より突出する凸部42aを設けることに限定されず、例えば、対向基板20側の第2周辺電極42(対向電極31)は対向電極31の表面と同じ高さにして、素子基板10側のみ、画素電極27の下面より突出する第1周辺電極41を設けるようにしてもよい。これによれば、対向基板20側は、対向電極31を第2基材20a上の全面に形成することで対応することができる。よって、製造工程を簡略化することができる。
上記したように、第1周辺電極41を覆うように配向膜28、及び第2周辺電極42を覆うように配向膜32を設けることに限定されず、例えば、図13に示すようにしてもよい。図13は、変形例の液晶装置の構造を示す模式断面図である。図14は、変形例の液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図である。図15は、図14(c)に示す素子基板10のB部を拡大して示す模式断面図である。
次に、変形例の液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を説明する。図14(a)に示す工程では、素子基板10上の全体に配向膜28aを形成する。具体的には、酸化シリコン(SiO2)などの無機材料を斜方蒸着法を用いて形成する。雰囲気圧力は、例えば、5×10-3Pa程度である。
上記したように、対向基板20に設けられた遮光膜18と平面視で重なるように第1周辺電極41及び第2周辺電極42を配置することに限定されず、例えば、遮光膜18より外側(シール材14側)に第1周辺電極41及び第2周辺電極42を配置するようにしてもよい。
上記したように、第1周辺電極41の上面の幅と、第2周辺電極42との上面の幅とを同じにすることに限定されず、例えば、第2周辺電極42の方が広くなるようにしてもよい。また、表示領域Eに配向不良の影響が現れにくいようであれば、第1周辺電極41の方が広くなるようにしてもよい。
上記したように、素子基板10側は、新たに第1周辺電極41を形成することに限定されず、例えば、表示領域Eの周囲に配置されたダミー画素電極を用いるようにしてもよい。対向基板20側は、例えば、上記実施形態と同様に形成する。これによれば、従来の構成にあるダミー画素電極を第1周辺電極41として適用することができ、新たにプロセス工程を増やすことなく対応できる。
上記したように、第1周辺電極41の幅、及び第2周辺電極42の幅を、表示領域Eの周囲に亘って同じ幅で設けられていることに限定されず、例えば、液晶注入口のある側の端面に沿って、他の領域と比較して幅が広くなるように配置してもよい。これによれば、液晶注入口の封止材側の第1周辺電極41及び第2周辺電極42の幅を太くするので、液晶注入時に混入したイオン性不純物44や封止材から溶出したイオン性不純物44を、効率よく引き寄せ、吸着させることができる。
上記したように、第1周辺電極41の幅W1と第2周辺電極42の幅W2とを略等しくすることに限定されず、第1周辺電極41と第2周辺電極42との間で斜めの電界がかからないようにすればよく、絶縁膜33からなる凸部42aのみが、平面視で表示領域E側にずれて配置されていてもよい。
上記したように、第1周辺電極41と第2周辺電極42とを近づけるために、凸部41a,42aを絶縁膜33や絶縁層11eに形成することに限定されず、第1基材10aや第2基材20aに凸部を形成し、その凸部に倣って各周辺電極41,42を形成するようにしてもよい。
上記したように、透過型の液晶装置100であることに限定されず、例えば、反射型の液晶装置に本発明を適用するようにしてもよい。
Claims (8)
- 表示領域に形成された画素電極と、
前記表示領域の外側に設けられ、第1電位が供給される第1電極と、
前記画素電極に対向するように配置された対向電極と、
前記第1電極に対向するように配置され、前記第1電位と異なる第2電位が供給される第2電極と、
前記画素電極と前記共通電極との間、及び前記第1電極と前記第2電極との間に挟持された液晶層と、
前記画素電極及び前記第1電極の前記液晶層と反対側に設けられた第1絶縁膜と、
前記対向電極及び前記第2電極の前記液晶層と反対側に設けられた第2絶縁膜と、
を有し、
前記第1絶縁膜の前記第1電極と重なる領域の少なくとも一部、及び前記第2絶縁膜の前記第2電極と重なる領域の少なくとも一部のいずれか一方に、前記液晶層側に突出する凸部が形成され、
前記第1電極の前記液晶層側の面から前記第2電極の前記液晶層側の面までの距離は前記画素電極の前記液晶層側の面から前記対向電極の前記液晶層側の面までの距離より小さく、かつ、前記第1電極と前記第2電極とは離間して配置されていることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1に記載の液晶装置であって、
前記凸部は、少なくとも前記第2絶縁膜に設けられていることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1に記載の液晶装置であって、
前記凸部は、少なくとも前記第1絶縁膜に設けられていることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記第1電極及び前記第2電極における前記表示領域側の端部は、前記凸部における前記表示領域側の端部より前記シール材側に配置されていることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記表示領域の縁に沿って遮光膜が配置されており、
前記凸部における前記表示領域側の端部は、前記遮光膜の内縁より前記シール材側に配置されていることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記シール材に囲まれた領域に液晶を注入する注入口を封止する封止材を備え、
前記封止材側の前記第1電極及び前記第2電極の幅は、他の領域の前記第1電極及び前記第2電極の幅より太い幅を有することを特徴とする液晶装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記表示領域と前記シール材との間の領域に、ダミー画素領域が配置されており、
前記第1電極は、前記ダミー画素領域に設けられたダミー画素電極であることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
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---|---|---|---|---|
JP2018124310A (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-09 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、液晶装置の駆動方法、電子機器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009003285A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2012198395A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Seiko Epson Corp | 液晶装置および投射型表示装置 |
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