JP2014102366A - 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品質を向上させることができる液晶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】素子基板１０及び第２対向基板のうち少なくとも素子基板１０は、少なくとも表示領域Ｅに設けられた第１部分Ｅ１と、少なくとも表示領域Ｅとシール材１４との間に設けられた第２部分Ｅ２と、を有し、第１部分Ｅ１には表面層４１が設けられており、第２部分Ｅ２には表面層４１が設けられていない。
【選択図】図６

Description

本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器に関する。

上記液晶装置の一つとして、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやプロジェクターのライトバルブなどにおいて用いられている。

このような液晶装置では、無機配向膜と接する液晶分子が、無機配向膜表面のシラノール基と光化学反応し、液晶装置の表示画像の品質が劣化する恐れがある。そこで、例えば、特許文献１には、無機配向膜の表面に有機化合物を反応固着（表面処理）させている技術が開示されている。

特開２００７−１１２２６号公報

しかしながら、液晶層を取り囲むシール材や封止剤から不純物が溶出して液晶装置の駆動や熱拡散によりその不純物が表示領域に拡散したり、液晶注入時に混入したりした不純物が、表示領域の一部に偏在することにより、液晶の表示特性が劣化する恐れがある。特に、特許文献１のように配向膜に表面処理をすると、不純物が配向膜の表面に吸着されないため、液晶層中の不純物が増加してしまい、液晶層中の不純物に起因して液晶抵抗が低下したり電圧保持率が低下したりするという課題がある。

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、前記第１基板と前記液晶層との間に設けられた第１配向膜と、前記第２基板と前記液晶層との間に設けられた第２配向膜と、を含み、前記第１配向膜は、少なくとも表示領域に設けられた第１部分と、前記第１部分と前記シール材との間に設けられた第２部分と、を有し、前記第１部分の表面より前記第２部分の表面の方が、疎水性基の密度が低いことを特徴とする。

本適用例によれば、第２部分が疎水性基の密度が低く、第２部分の配向膜が露出するので、液晶層中に含まれる不純物を露出した配向膜でトラップ（捕獲）することができる。

［適用例２］本適用例に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、前記第１基板と前記液晶層との間に設けられた第１配向膜と、前記第２基板と前記液晶層との間に設けられた第２配向膜と、を含み、前記第１配向膜は、少なくとも表示領域に設けられた第１部分と、前記第１部分と前記シール材との間に設けられた第２部分と、を有し、前記第１部分には表面処理膜が設けられており、前記第２部分には前記表面処理膜が設けられていないことを特徴とする。

本適用例によれば、第２部分に表面処理膜が設けられておらず、第２部分の配向膜が露出するので、液晶層中に含まれる不純物を露出した配向膜でトラップ（捕獲）することができる。

［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記表示領域には、画素毎に所定のピッチで配列する複数の画素電極が設けられ、前記表示領域の周囲に設けられたダミー表示領域には、前記複数の画素電極と同一層からなり、前記複数の画素電極と実質的に等しいサイズおよびピッチで配列する複数のダミー画素電極が設けられ、前記ダミー表示領域の周囲に設けられた非有効画素領域には、前記複数の画素電極と同一層からなり、前記複数の画素電極と実質的に等しいサイズおよびピッチで配列された複数の導電膜と、互いに隣り合う前記複数の導電膜を接続する導電性の接続部と、を有する導電パターンが設けられ、前記非有効画素領域の少なくとも一部に形成された前記第１配向膜は、前記表示領域及び前記ダミー表示領域に形成された前記第１配向膜よりも疎水性基の密度が低いことが好ましい。

本適用例によれば、非有効画素領域が疎水性基の密度が低い第２部分であり、ダミー表示領域から表示領域に亘って疎水性基の密度が高い第１部分であるので、同じ断面構造を有する領域が同じ疎水性基の密度の状態になる。よって、表示領域の周辺で表示ムラになることを抑えることが可能となり、表示品質の信頼性を向上させることができる。

［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、前記表示領域には、画素毎に所定のピッチで配列する複数の画素電極が設けられ、前記表示領域の周囲に設けられたダミー表示領域には、前記複数の画素電極と同一層からなり、前記複数の画素電極と実質的に等しいサイズおよびピッチで配列する複数のダミー画素電極が設けられ、前記ダミー表示領域の周囲に設けられた非有効画素領域には、前記複数の画素電極と同一層からなり、前記複数の画素電極と実質的に等しいサイズおよびピッチで配列された複数の導電膜と、互いに隣り合う前記複数の導電膜を接続する導電性の接続部と、を有する導電パターンが設けられ、前記ダミー表示領域及び非有効画素領域に形成された前記第１配向膜は、前記表示領域に形成された前記第１配向膜よりも疎水性基の密度が低いことが好ましい。

本適用例によれば、ダミー表示領域及び非有効画素領域の一部が疎水性基の密度が低い第２部分なので、疎水性基の密度が低い領域を広くすることができる。よって、不純物をトラップ（捕獲）する領域が広くなり、トラップ能力を向上させることができる。

［適用例５］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、前記第１基板と前記液晶層との間に設けられた第１配向膜と、前記第２基板と前記液晶層との間に設けられた第２配向膜と、を含む液晶装置の製造方法であって、前記第１配向膜及び前記第２配向膜のうち少なくとも前記第１配向膜の表示領域に表面処理を施し、表面処理膜が形成された第１部分と、前記表面処理膜がない第２部分と、を形成する表面処理膜形成工程を有することを特徴とする。

本適用例によれば、表面処理された第１部分と、表面処理されていない第２部分と、を形成するので、第２部分の配向膜を露出させることが可能となり、液晶層中に含まれる不純物を露出した配向膜でトラップ（捕獲）することができる。

［適用例６］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記表面処理膜形成工程は、前記第１配向膜の表面に表面処理を施して表面処理層を形成する表面処理工程と、少なくとも前記第１配向膜に形成された前記表示領域と前記シール材との間の前記表面処理層を除去して、前記第１部分及び前記第２部分を形成する除去工程と、を有することが好ましい。

本適用例によれば、表面処理された第１部分と、表面処理が除去された第２部分と、を形成するので、第２部分の配向膜を露出させることが可能となり、液晶層中に含まれる不純物を露出した配向膜でトラップ（捕獲）することができる。

［適用例７］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、前記第１基板と前記液晶層との間に設けられた第１配向膜と、前記第２基板と前記液晶層との間に設けられた第２配向膜と、を含む液晶装置の製造方法であって、前記第１配向膜及び前記第２配向膜に表面処理を施して表面処理膜を形成する表面処理膜形成工程と、前記第１基板及び前記第２基板を前記シール材を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記第１基板及び前記第２基板のうち、少なくとも一方の基板側から紫外線を照射して、少なくとも表示領域と前記シール材との間の前記表面処理膜を除去する除去工程と、を有することを特徴とする。

本適用例によれば、第１基板と第２基板とを貼り合わせてから、表示領域とシール材との間の表面処理膜を除去する、つまり、両方の基板の表面処理膜を同時に除去することが可能になるので、製造工程を簡略化することができる。

［適用例８］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記除去工程は、前記表示領域と、前記第１基板及び前記第２基板の周縁部と、の間の前記表面処理膜を除去することが好ましい。

本適用例によれば、表示領域のみ表面処理膜を残すので、例えば、マスクを用いて表面処理膜を除去する際、マスクの形状を簡単にすることができる。また、マスクの形状が簡単になるので、マスクとシール材などとの位置合わせを簡単にすることができる。

［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、上記した液晶装置を備えているので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。

第１実施形態の液晶装置の構成を示す模式平面図。 図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置の構造を示す模式断面図。 液晶装置のうち主に無機配向膜の構成を示す模式平面図。 図５に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。 液晶装置の領域を示す模式平面図。 図７に示す液晶装置のＫ部における画素電極層を示す拡大平面図。 液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。 液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式図。 液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。 第２実施形態の液晶装置のうち主に無機配向膜の構成を示す模式断面図。 液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。 液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

本実施形態では、液晶装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。

図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０（第１基板）および対向基板２０（第２基板）と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材１４の内側で、素子基板１０は対向基板２０の間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光膜（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。

素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。

対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と表示領域Ｅとの間には、遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。

これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。

図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う第１配向膜としての無機配向膜２８とが形成されている。

また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、無機配向膜２８を含むものである。

対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う第２配向膜としての無機配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも対向電極３１、無機配向膜３２を含むものである。

遮光膜１８は、図１に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

画素電極２７を覆う無機配向膜２８および対向電極３１を覆う無機配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。

このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きくて明表示となるノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さくて暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。

図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。

走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。

データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。

保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。

図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。

図４に示すように、液晶装置１００は、一対の基板のうち一方の基板である素子基板１０と、これに対向配置される他方の基板である対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。

第１基材１０ａ上には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等からなる下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。

下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記したように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。

半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。

チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。

ゲート電極３０ｇ、下地絶縁層１１ａ、及び走査線３ａ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。

容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。

第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ５２、中継層５５、コンタクトホールＣＮＴ５３、ＣＮＴ５１を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。

容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、第１層間絶縁層１１ｂ及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。

データ線６ａ上には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、第２層間絶縁層１１ｃ及び第３層間絶縁層１１ｄに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５２、ＣＮＴ５３、中継層５５を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。

画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した無機配向膜２８が設けられている。無機配向膜２８上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。

一方、第２基材２０ａ上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上（図４では下側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した無機配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。

液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で無機配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。

＜無機配向膜の構成＞
図５は、液晶装置のうち主に無機配向膜の構成を示す模式平面図である。図６は、図５に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。図７は、液晶装置の各領域を示す模式平面図である。図８は、図７に示す液晶装置のＫ部における画素電極層を示す拡大平面図である。以下、主に無機配向膜の構成について、図５〜図８を参照しながら説明する。なお、第１基材１０ａから第３層間絶縁層１１ｄまでを第１基材１０ａと称して説明する。

図５及び図６に示すように、液晶装置１００の素子基板１０を構成する第１基材１０ａ上には、画素電極２７が設けられている（図６では簡略化して図示する）。画素電極２７が設けられた第１基材１０ａ上の全体には、上記したように、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した無機配向膜２８が設けられている。

無機配向膜２８は、柱状構造物２８ａ（カラム）を有している。柱状構造物２８ａは、第１基材１０ａ上の全体に亘って密集して設けられている。複数の柱状構造物２８ａは、第１基材１０ａに対し傾斜して設けられており、傾斜角度によって液晶層１５の液晶分子にプレチルト角が付与されるようになっている。ここで、プレチルト角とは、第１基材１０ａの表面に直交する方向と液晶分子の長軸方向とのなす角度をいう。

柱状構造物２８ａを有する無機配向膜２８の表面には、シランカップリング材などによって表面処理が施されている。具体的には、少なくとも表示領域Ｅの無機配向膜２８の表面に表面処理が施されている。なお、図５及び図６では、表示領域Ｅより外側までの領域に表面処理が施されている。また、表面処理が施された領域を「第１部分Ｅ１」と称し、表面処理が施されていない領域を「第２部分Ｅ２」と称する。

また、シランカップリング材の疎水性基が無機配向膜の表面に付与されることで表面処理がされているので、表面処理が施されている領域「第１部分Ｅ１」と表面処理が施されていない領域「第２部分Ｅ２」との別の表現方法として、第２部分Ｅ２の無機配向膜２８は、第１部分の無機配向膜２８よりも疎水性基の密度が低いと表現してもよい。

一方、対向基板２０を構成する第２基材２０ａ上（第２基材２０ａの液晶層１５側の面）には、対向電極３１が設けられている。対向電極３１の表面には、素子基板１０側と同様に、柱状構造物３２ａを有する無機配向膜３２が設けられている。

無機配向膜３２の表面には、シランカップリング材などによって表面処理が施されている。具体的には、素子基板１０側と同様に、少なくとも表示領域Ｅの無機配向膜３２の表面に表面処理が施されている。

なお、表面処理が施された柱状構造物２８ａ，３２ａには、表面処理膜としての表面層４１を構成するアルキル基４１ａが生成されている。シランカップリング材を用いた表面処理方法については後述する。

図７は、対向基板２０（２０ａ）側から素子基板１０（１０ａ）側を見たときの構成を示す模式平面図である。図７に示すように、液晶装置１００は、中央の領域を含む領域が表示領域Ｅ（ａ）である。表示領域Ｅ（ａ）の周囲の領域がダミー表示領域ｂである。ダミー表示領域ｂから第１基材１０ａ端面までの領域が非有効画素領域ｃである。

表示領域Ｅは、表示に寄与する画素電極２７がマトリックス状に配列されている領域である。ダミー表示領域ｂは、表示領域Ｅを囲む領域であり、表示領域Ｅと周辺回路領域（データ線駆動回路２２や走査線駆動回路２４が設けられた領域）との間に位置する、表示に寄与しない領域である。非有効画素領域ｃは、ダミー表示領域ｂから第１基材１０ａの縁端部までの領域（シール材１４領域を含む）である。

また、図８は、図７のＫ部を拡大した模式平面図である。具体的には、表示領域Ｅ、ダミー表示領域ｂ、及び非有効画素領域ｃがＹ方向に沿って配列する領域を拡大した、画素電極２７層のパターニング形状を示す模式平面図である。

図７及び図８に示すように、表示領域Ｅは、画素電極２７がマトリックス状に配列されている。ダミー表示領域ｂは、表示領域Ｅの画素電極２７と同じサイズの画素電極２７ａがマトリックス状に配列されている。非有効画素領域ｃは、画素電極２７と同じサイズの電極をマトリックス配列させると共に、縦及び横で隣り合うもの同士を接続部４３によって相互に接続してパターン化した導電パターン２７ｂが設けられている。なお、導電パターン２７ｂは、画素電極２７に対して電気的にフローティングした構成となっている。

このような液晶装置１００の構成において、少なくとも表示領域Ｅの無機配向膜２８には、アルキル基４１ａを有する表面層４１が形成されている。ダミー表示領域ｂの一部及び非有効画素領域ｃにおける無機配向膜２８には、表面層４１が形成されていない。

このように、第１部分Ｅ１の周囲に表面層４１が形成されていない第２部分Ｅ２の無機配向膜２８があるので、この無機配向膜２８（柱状構造物２８ａ）に、液晶注入時に入り込む不純物や、シール材１４や封止材から出てきた不純物をトラップ（捕獲）することができる。また、表示領域Ｅの無機配向膜２８には、表面処理が施されているので、上記した不純物が無機配向膜２８に付着しにくい。よって、不純物が表示領域Ｅに凝集することを防ぐことができる。

＜液晶装置の製造方法＞
図９は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図１０は、液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式図である。以下、液晶装置の製造方法を、図９及び図１０を参照しながら説明する。

最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。なお、第１基材１０ａから第３層間絶縁層１１ｄまでを、第１基材１０ａと称して説明する。まず、ステップＳ１１では、ガラス基板などからなる第１基材１０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、画素電極２７等を形成する。

ステップＳ１２では、無機配向膜２８を形成する。具体的には、図１０（ａ）に示すように、画素電極２７が設けられた第３層間絶縁層１１ｄ（第１基材１０ａ）上の全体に、酸化シリコンなどの無機材料を斜方蒸着することで、柱状構造物２８ａを有する無機配向膜２８を形成する。

ステップＳ１３（表面処理工程、表面処理膜形成工程）では、無機配向膜２８に表面層４１を形成する。具体的には、図１０（ｂ）に示すように、化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition：以下ＣＶＤという。）を用いる。以下、図１０（ｂ）を参照しながら、ＣＶＤ装置７０の構造及び表面層４１の製造方法を説明する。

図１０（ｂ）に示すように、まず、素子基板１０と液状のアルキル基４１ａを有するシランカップリング材４１ａ１の入った容器７２とを、ＣＶＤ装置７０の真空槽の如き密閉チャンバー７１に入れる。次に、ヒーター７３によって容器７２を加熱し、シランカップリング材４１ａ１を気化させる。これにより、図１０（ｃ）に示すように、画素電極２７の表面、及び露出した第３層間絶縁層１１ｄの表面に、アルキル基４１ａが付与された表面層４１が形成される。

つまり、無機配向膜２８表面のシラノール基とシランカップリング材４１ａ１の加水分解基とが反応し、シランカップリング材４１ａ１が付着することにより、図１０（ｃ）に示すように、無機配向膜２８表面にアルキル基４１ａを有する表面層４１（表面処理層）が形成される。

ステップＳ１４（除去工程）では、素子基板１０に紫外線（Ultra Violet：ＵＶ）を照射して、形成された表面層４１（アルキル基４１ａ）の一部を分解して除去する。以下、図１０（ｄ）を参照しながら、紫外線の照射方法を説明する。

図１０（ｄ）に示すように、まず、素子基板１０を紫外線を照射する装置に入れる。その後、少なくとも表示領域Ｅと平面視で重なる領域に遮光部８１ａを有するフォトマスク８１を用いて、素子基板１０に紫外線（Vacuum Ultra Violet：ＵＶ）を照射する。

これにより、平面視で少なくとも表示領域Ｅの外側の領域の無機配向膜２８に形成された表面層４１（アルキル基４１ａ）が分解されて除去される。つまり、表示領域Ｅの無機配向膜２８に形成されている表面層４１（アルキル基４１ａ）は残存する。この表面層４１の除去は、真空紫外線の照射により表面層４１の有機官能基が直接励起されるとともにオゾン等の活性酸素が生成されて、この活性酸素によって励起された表面層４１が酸化されるためだと考えられている。

次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３１を形成する。

ステップＳ２２では、対向電極３１上に無機配向膜３２を形成する。無機配向膜３２の製造方法は、例えば、素子基板１０側の無機配向膜２８と同様に、斜方蒸着法を用いて形成する。

ステップＳ２３では、無機配向膜３２に表面層４１を形成する。具体的には、素子基板１０側と同様に、化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いて形成する。

ステップＳ２４では、対向基板２０に紫外線（ＵＶ）を照射して、形成された表面層４１（アルキル基４１ａ）の一部を分解して除去する。具体的には、素子基板１０側と同様にして形成する。

これにより、素子基板１０側と同様に、平面視で少なくとも表示領域Ｅの外側の領域（第２部分Ｅ２）の無機配向膜３２に付与された表面層４１（アルキル基４１ａ）が分解して除去される。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。

ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。具体的には、例えば、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に（表示領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。

ステップＳ３２では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に、塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板１０，２０の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。

ステップＳ３３では、液晶注入口（符号省略）から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止材で封止する。このように、表示領域Ｅ（第１部分Ｅ１）の周囲に表面処理が施されていない無機配向膜２８の領域（第２部分Ｅ２）があるので、この無機配向膜２８（柱状構造物２８ａ）に、液晶注入時に入り込む不純物や、シール材１４や封止材から出てきた不純物をトラップ（捕獲）することができる。なお、「表面処理が施されていない」とは、表面処理を除去したものも含むとする。以上により、液晶装置１００が完成する。

＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１１を参照して説明する。図１１は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。

図１１に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、焼き付き等が抑えられた液晶装置１００を用いているので、高い表示品質を実現することができる。

なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。

以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００、液晶装置１００の製造方法、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）第１実施形態の液晶装置１００によれば、少なくとも表示領域Ｅから外側の第２部分Ｅ２の無機配向膜２８，３２に表面層４１が設けられていないので、第２部分Ｅ２の無機配向膜２８，３２が露出し、液晶層１５中に含まれる不純物を露出した無機配向膜２８，３２でトラップ（捕獲）することができる。

（２）第１実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、表面層４１が形成された第１部分Ｅ１と、表面層４１が形成されていない第２部分Ｅ２と、を形成するので、第２部分Ｅ２の無機配向膜２８，３２を露出させることが可能となり、液晶層１５中に含まれる不純物を露出した無機配向膜２８，３２でトラップ（捕獲）することができる。

（３）第１実施形態の電子機器によれば、上記した液晶装置１００を備えているので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。

（第２実施形態）
＜無機配向膜の構成＞
図１２は、第２実施形態の液晶装置のうち主に無機配向膜の構成を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造について、図１２を参照しながら説明する。なお、第１基材１０ａから第３層間絶縁層１１ｄまでを第１基材１０ａと称して説明する。

第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態と比べて、表面層４１が設けられていない領域の範囲と、液晶装置の製造方法とが異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。

図１２に示すように、第２実施形態の液晶装置２００は、第１実施形態と同様に、液晶装置２００を構成する第１基材１０ａ上に画素電極２７が設けられており、画素電極２７上に無機配向膜２８が設けられている。また、第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、対向電極３１が設けられており、対向電極３１上に無機配向膜３２が設けられている。

第２実施形態の液晶装置２００の特徴として、表示領域Ｅ及びシール材１４と平面視で重なる領域（第１部分Ｅ１）の無機配向膜２８上に表面層４１が設けられている。つまり、表示領域Ｅとシール材１４との間の領域（第２部分Ｅ２）には、表面層４１が設けられていない。

このように、表示領域Ｅとシール材１４との間に表面処理が施されていない第２部分Ｅ２の無機配向膜２８があるので、この無機配向膜２８（柱状構造物２８ａ）に、液晶注入時に入り込む不純物や、シール材１４や封止材から出てきた不純物をトラップ（捕獲）することができる。

なお、第２実施形態では、表面処理が施されていない（除去された）領域として、例えば、液晶注入口や外部接続用端子６１周辺の領域も含む（図示せず）。

＜液晶装置の製造方法＞
図１３は、第２実施形態の液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図１４は、液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式図である。以下、液晶装置の製造方法を、図１３及び図１４を参照しながら説明する。

最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。なお、第１基材１０ａから第３層間絶縁層１１ｄまでを、第１基材１０ａと称して説明する。まず、ステップＳ１１では、第１実施形態と同様に、第１基材１０ａ上に画素電極２７等を形成する。

ステップＳ１２では、無機配向膜２８を形成する。具体的には、第１実施形態と同様に、画素電極２７が設けられた第３層間絶縁層１１ｄ上の全体に、酸化シリコンなどの無機材料を斜方蒸着することで、柱状構造物２８ａを有する無機配向膜２８を形成する。

ステップＳ１３では、無機配向膜２８に表面層４１を形成する。具体的には、第１実施形態と同様に、化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いて、表面層４１を形成する。これにより、図１４（ａ）に示すように、無機配向膜２８の表面にアルキル基４１ａを有する表面層４１が形成される。

次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、対向電極３１を形成する。

ステップＳ２２では、対向電極３１上に無機配向膜３２を形成する。無機配向膜３２の製造方法は、素子基板１０側の無機配向膜２８と同様に、斜方蒸着法を用いて形成する。

ステップＳ２３では、無機配向膜３２に表面層４１を形成する。具体的には、素子基板１０側と同様に、化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いて形成する。

次に、ステップＳ１３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。具体的には、例えば、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に（表示領域Ｅを囲むように）シール材１４を塗布する。

ステップＳ１３２（貼り合わせ工程）では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に、塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板１０，２０の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。

ステップＳ１３３（除去工程）では、素子基板１０と対向基板２０とが貼り合わされた状態の液晶装置２００ａに紫外線を照射する。具体的には、図１４（ｂ）に示すように、液晶装置２００ａを真空槽の如き密閉チャンバー８０に入れる。その後、少なくとも表示領域Ｅ及びシール材１４と平面視で重なる領域に遮光部１８１ａを有するフォトマスク１８１を用いて、液晶装置２００ａに真空紫外線（ＵＶ）を照射する。

これにより、平面視で少なくとも表示領域Ｅ及びシール材１４と重なる領域の無機配向膜２８に付与された表面層４１（アルキル基４１ａ）が残り、それ以外の領域（第２部分Ｅ２）の表面層４１は分解されて除去される。なお、分解された表面層４１（生成物）は、例えば、液晶注入口から真空引きによって外部に排出される。

ステップＳ１３４では、液晶注入口（符号省略）から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止材で封止する。このように、表示領域Ｅとシール材１４との間の第２部分Ｅ２に表面処理が施されていない無機配向膜２８の領域があるので、この無機配向膜２８（柱状構造物２８ａ）に、液晶注入時に入り込む不純物や、シール材１４や封止材から出てきた不純物をトラップ（捕獲）することができる。以上により、図１４（ｃ）に示す液晶装置２００が完成する。

以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置２００、及び液晶装置２００の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。

（４）第２実施形態の液晶装置２００及び液晶装置２００の製造方法によれば、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせてから、表示領域Ｅとシール材１４との間の第２部分Ｅ２の表面層４１を除去する、つまり、両方の基板の表面層４１を同時に除去するので、製造工程を簡略化することができる。

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記した第２実施形態は、少なくとも表示領域Ｅとシール材１４と平面視で重なる領域に表面層４１を残すことに限定されず、例えば、表示領域Ｅのみに表面層４１を残すようにしてもよい。製造方法としては、素子基板１０と対向基板２０とが貼り合わされた液晶装置２００ａに、表示領域Ｅと重なる領域に遮光部１８１ａを有するフォトマスク１８１を用いて、紫外線を照射する。

これによれば、表示領域Ｅから素子基板１０及び対向基板２０の周縁部との間の領域の表面層４１を分解して除去することができる。なお、この方法によれば、シール材１４と平面視で重なる領域も紫外線が照射される。これにより、シール材１４の接着強度が低下する恐れがあり、接着状況を確認する必要がある。しかしながら、フォトマスク１８１の形状が簡単になるなど、かかるコストを抑えることができる。また、フォトマスク１８１の形状が簡単であると、複数の液晶装置が面付けされたウエハに対してフォトマスク１８１の位置を合わせる際でも、第２実施形態の場合と比較して、比較的簡単に行うことができる。

（変形例２）
上記したように、表面層を選択的に形成する方法は、フォトマスク及びＵＶ照射で行うことに限定されず、例えば、液状の表面処理剤を用いてインクジェット法で必要な領域だけに形成するようにしてもよい。

（変形例３）
上記した第２実施形態は、表示領域Ｅと表面層４１が設けられている領域（第１部分Ｅ１）が同じであることに限定されず、第１実施形態のように、表示領域Ｅの外側の領域までが表面層４１の設けられている第１部分Ｅ１としてもよい。

（変形例４）
上記したように、表面層４１が設けられている第１部分Ｅ１としては、表示領域Ｅと同じ領域や表示領域Ｅより外側の領域までとすることに限定されず、例えば、表示領域Ｅ（ａ）からダミー表示領域（ｂ）に亘って表面層４１の設けられている第１部分Ｅ１としてもよい。これによれば、表示領域Ｅ（ａ）からダミー表示領域ｂに亘って表面処理が施された第１部分Ｅ１であるので、同じ断面構造を有する領域が同じ表面処理（表面層４１）の状態になる。よって、表示領域Ｅの周辺で表示ムラを抑えることが可能となり、表示品質の信頼性を向上させることができる。

（変形例５）
上記したように、透過型の液晶装置１００であることに限定されず、例えば、反射型の液晶装置に本発明を適用するようにしてもよい。

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…第１基板としての素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…第２基板としての対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７，２７ａ…画素電極、２７ｂ…導電パターン、２８，３２…無機配向膜（第１配向膜、第２配向膜）、２８ａ，３２ａ…柱状構造物、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…平坦化層、４１…表面処理膜としての表面層、４１ａ…アルキル基、４３…接続部、ＣＮＴ５１，５２，５３，５４…コンタクトホール、５５…中継層、６１…外部接続用端子、７０…ＣＶＤ装置、７１…密閉チャンバー、７２…容器、７３…ヒーター、８０…密閉チャンバー、８１，１８１…フォトマスク、８１ａ，１８１ａ…遮光部、１００，２００，２００ａ…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。

Claims (9)

1. 第１基板と、
   前記第１基板に対向配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
   前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、
   前記第１基板と前記液晶層との間に設けられた第１配向膜と、
   前記第２基板と前記液晶層との間に設けられた第２配向膜と、
   を含み、
   前記第１配向膜は、
   少なくとも表示領域に設けられた第１部分と、
   前記第１部分と前記シール材との間に設けられた第２部分と、
   を有し、
   前記第１部分の表面より前記第２部分の表面の方が、疎水性基の密度が低いことを特徴とする液晶装置。
2. 第１基板と、
   前記第１基板に対向配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
   前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、
   前記第１基板と前記液晶層との間に設けられた第１配向膜と、
   前記第２基板と前記液晶層との間に設けられた第２配向膜と、
   を含み、
   前記第１配向膜は、
   少なくとも表示領域に設けられた第１部分と、
   前記第１部分と前記シール材との間に設けられた第２部分と、
   を有し、
   前記第１部分には表面処理膜が設けられており、
   前記第２部分には前記表面処理膜が設けられていないことを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１に記載の液晶装置であって、
   前記表示領域には、
   画素毎に所定のピッチで配列する複数の画素電極が設けられ、
   前記表示領域の周囲に設けられたダミー表示領域には、
   前記複数の画素電極と同一層からなり、前記複数の画素電極と実質的に等しいサイズおよびピッチで配列する複数のダミー画素電極が設けられ、
   前記ダミー表示領域の周囲に設けられた非有効画素領域には、
   前記複数の画素電極と同一層からなり、前記複数の画素電極と実質的に等しいサイズおよびピッチで配列された複数の導電膜と、互いに隣り合う前記複数の導電膜を接続する導電性の接続部と、を有する導電パターンが設けられ、
   前記非有効画素領域の少なくとも一部に形成された前記第１配向膜は、前記表示領域及び前記ダミー表示領域に形成された前記第１配向膜よりも疎水性基の密度が低いことを特徴とする液晶装置。
4. 請求項１に記載の液晶装置であって、
   前記表示領域には、
   画素毎に所定のピッチで配列する複数の画素電極が設けられ、
   前記表示領域の周囲に設けられたダミー表示領域には、
   前記複数の画素電極と同一層からなり、前記複数の画素電極と実質的に等しいサイズおよびピッチで配列する複数のダミー画素電極が設けられ、
   前記ダミー表示領域の周囲に設けられた非有効画素領域には、
   前記複数の画素電極と同一層からなり、前記複数の画素電極と実質的に等しいサイズおよびピッチで配列された複数の導電膜と、互いに隣り合う前記複数の導電膜を接続する導電性の接続部と、を有する導電パターンが設けられ、
   前記ダミー表示領域及び非有効画素領域に形成された前記第１配向膜は、前記表示領域に形成された前記第１配向膜よりも疎水性基の密度が低いことを特徴とする液晶装置。
5. 第１基板と、
   前記第１基板に対向配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
   前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、
   前記第１基板と前記液晶層との間に設けられた第１配向膜と、
   前記第２基板と前記液晶層との間に設けられた第２配向膜と、
   を含む液晶装置の製造方法であって、
   前記第１配向膜及び前記第２配向膜のうち少なくとも前記第１配向膜の表示領域に表面処理を施し、表面処理膜が形成された第１部分と、前記表面処理膜がない第２部分と、を形成する表面処理膜形成工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
6. 請求項５に記載の液晶装置の製造方法であって、
   前記表面処理膜形成工程は、
   前記第１配向膜の表面に表面処理を施して表面処理層を形成する表面処理工程と、
   少なくとも前記第１配向膜に形成された前記表示領域と前記シール材との間の前記表面処理層を除去して、前記第１部分及び前記第２部分を形成する除去工程と、
   を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
7. 第１基板と、
   前記第１基板に対向配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
   前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、
   前記第１基板と前記液晶層との間に設けられた第１配向膜と、
   前記第２基板と前記液晶層との間に設けられた第２配向膜と、
   を含む液晶装置の製造方法であって、
   前記第１配向膜及び前記第２配向膜に表面処理を施して表面処理膜を形成する表面処理膜形成工程と、
   前記第１基板及び前記第２基板を前記シール材を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、
   前記第１基板及び前記第２基板のうち、少なくとも一方の基板側から紫外線を照射して、少なくとも表示領域と前記シール材との間の前記表面処理膜を除去する除去工程と、
   を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
8. 請求項７に記載の液晶装置の製造方法であって、
   前記除去工程は、前記表示領域と、前記第１基板及び前記第２基板の周縁部と、の間の前記表面処理膜を除去することを特徴とする液晶装置の製造方法。
9. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。

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