JP2004053630A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】開口率を低下させることなく、各方向から入射する光の光量を低減することができ、TFTの特性劣化を防止する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置の一方の基板は、半導体膜24の上方に、活性層となるチャネル領域24sとLDD領域24lとを覆う直上の上部第1遮光膜27と、ソース電極30及びドレイン電極31の上方に設けられた上部第2遮光膜34とによる2重の遮光構造を有しているので、上部第2遮光膜34を回り込んだ光(回折光)が上部第1遮光膜27によって遮光することができるので、上部第1遮光膜を有しない従来構造の液晶表示装置に比較して遮光効果を高くすることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明の液晶表示装置の一方の基板は、半導体膜24の上方に、活性層となるチャネル領域24sとLDD領域24lとを覆う直上の上部第1遮光膜27と、ソース電極30及びドレイン電極31の上方に設けられた上部第2遮光膜34とによる2重の遮光構造を有しているので、上部第2遮光膜34を回り込んだ光(回折光)が上部第1遮光膜27によって遮光することができるので、上部第1遮光膜を有しない従来構造の液晶表示装置に比較して遮光効果を高くすることができる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス基板を一方の基板として用いた液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、遮光性に優れた液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置においては、アクティブマトリクス型の液晶表示装置によって画像を表示することが主流になっている。アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、マトリクス状に配置した複数の画素を有するアクティブマトリクス基板と、このアクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板とを有している。この両基板の間には、表示媒体である液晶が充填されて液晶層が形成される。
【0003】
アクティブマトリクス基板は、画像表示の一単位となる画素毎に、マトリクス状に配置された複数の画素電極を有しており、各画素電極は、それぞれの画素電極に対応して配置されたスイッチング素子に接続されている。液晶層を挟んでアクティブマトリクス基板に対応して配置された対向基板には、対向電極が形成されている。
【0004】
このような構成を有するアクティブマトリクス型の液晶表示装置を用いて画像を表示する場合、アクティブマトリクス基板に形成された各画素電極に接続されたスイッチング素子のオン・オフを制御して、表示信号となる表示電圧を各画素電極に印加する。スイッチング素子がオンになって、表示電圧が画素電極に印加されると、アクティブマトリクス基板の電圧が印加された画素電極と、対向基板に設けられたその画素電極に対向して配置された対向電極との間で所定の電位差が形成され、これにより、両電極間に存在する液晶層の液晶の配向状態が変化し、この液晶の配向状態の変化によって各画素を透過する光量が変化する。このように液晶を透過する光量を、スイッチング素子のオン・オフ及び表示電圧の印加を各画素ごとに制御することによって、全体として画素表示が行われる。
【0005】
画素電極をオン・オフするスイッチング素子としては、薄膜トランジスタ(以下、TFTと略す。)、ダイオード等の非線形素子が用いられるが、液晶表示装置の駆動回路と一体形成することができ、かつ、応答速度を高速化することができる点で、ポリシリコンから形成されたTFTが最も好適であり、このため、スイッチング素子としては、通常、ポリシリコンから形成されたTFTが用いられる。
【0006】
しかし、上記のアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、シリコン等の半導体に照射された光によって、光吸収が起こった場合、半導体には電子、荷電子帯には正孔がそれぞれ励起されることにより電子−正孔対が生成されて、いわゆる光電効果が起こることが一般的に知られている。このため、ポリシリコン薄膜を活性層(チャネル領域)に用いたTFTは、光が照射されると、電子−正孔対に起因した光電流が発生し、TFTのオフ時のリーク電流が増大する。その結果、ポリシリコン薄膜から形成されたTFTに光が照射されると、この光照射に起因して、クロストークの発生、コントラストの低下等によって、画像品質が低下するという問題点がある。
【0007】
このように光電効果によって画像品質が低下することを防止するために、ポリシリコンTFTが形成されているアクティブマトリクス基板における光の入射側となる液晶層側または対向基板に、TFTが形成される位置に対向して遮光膜を設け、液晶層側からTFTに入射される光を遮光する液晶表示装置が提案されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、液晶表示装置の液晶への光の入射側にのみ遮光膜を設けて、TFTに直接入射される光を遮光しても、遮光膜が形成されていない部分を通り抜けた光が、液晶表示装置の外部に設けられているレンズ、偏光板、ミラー等の光学部分、または、液晶表示装置の内壁等に反射されて、TFTに光が照射されるおそれがある。特に透過型のプロジェクション表示装置に液晶表示装置を用いた場合には、小型に構成された液晶表示装置を用いて画像を拡大投影するために、非常に強い光が液晶表示装置に照射され、液晶表示装置の内外の各部を反射する反射光の光量が大きくなる。このため、TFTに直接入射する光だけを遮光し得る遮光膜を設けても、各部を反射する反射光がTFTに入射するおそれがあり、TFTのオフリークが生じ、その結果、クロストークの発生、コントラスト低下などによって、表示品質が著しく低下するおそれが強い。
【0009】
TFTに直接入射する入射光及び液晶表示装置内外の各部から反射される反射光を防止する構成を有する液晶表示装置として、例えば、特開2000−131716号公報に提案された液晶表示装置が知られている。
【0010】
図9には、この公報に記載された液晶表示装置のアクティブマトリクス基板に使用される半導体装置の概略構成を説明する断面図を示している。
【0011】
この公報に記載された半導体装置1は、石英基板2上に形成されている。石英基板2上には、石英基板2の下方から照射される光を遮光する下部遮光膜3が所定形状に形成されている。この下部遮光膜3が形成された石英基板2上には、絶縁膜4が形成されて、その上面が全体にわたって同一の高さとされている。
【0012】
絶縁膜4上には、下部遮光膜3が形成された位置に対応して、薄膜トランジスタ(TFT)の活性層が形成される島状のシリコン薄膜5が形成されている。この島状のシリコン薄膜5は、中央部にチャネル領域5cが形成され、このチャネル領域5cを挟む両側部に、ソース領域5s、ドレイン領域5dがそれぞれ形成されている。
【0013】
TFTとなるシリコン薄膜5が形成された絶縁膜4上には、薄膜のゲート絶縁膜6が形成されている。このゲート絶縁膜6上には、シリコン薄膜5に形成されたチャネル領域5cに対応してゲート電極7が形成されている。ゲート電極7が形成されたゲート絶縁膜6上には、下層のシリコン薄膜5が形成された部分において厚くなるように層間絶縁膜8が厚膜に形成されている。この層間絶縁膜8及びゲート絶縁膜6には、下層のシリコン薄膜5のソース領域5s及びドレイン領域5dがそれぞれ存在する位置に対応して、電極取り出し用のコンタクトホール9が形成されている。
【0014】
この各コンタクトホール9には、それぞれ、金属膜が埋め込まれて引出電極10が形成されている。各引出電極10は、それぞれ、コンタクトホール9を介して下層のシリコン薄膜5のソース領域5s及びドレイン領域5dに接続されている。
【0015】
引出電極10が形成された層間絶縁膜8上には、パッシベーション膜11が形成されている。このパッシベーション膜11上には、下層の下部遮光膜3が形成された位置に対応して上部遮光膜12が形成されている。
【0016】
図9に示す半導体装置1では、TFTとなるシリコン薄膜5の下方及び上方に、それぞれ、下部遮光膜3及び上部遮光膜12が設けられており、上方から直接TFTに向けて入射してくる入射光が上部遮光膜12によって遮光され、下方からの反射光が下部遮光膜3によって遮光される。
【0017】
しかし、このように上部遮光膜12が設けられた半導体装置1では、上部遮光膜12と引出電極10との相対的位置関係が重要であり、例えば、アライメント精度によって位置ずれが生じて引出電極10の線幅よりも上部遮光膜12幅のほうが広くなる場合に、その上部遮光膜12の端部で回折されて入射される光の強度が大きくなり、半導体膜5のチャネル領域5cに達する光の強度が増大するおそれがある。したがって、この半導体装置1では、半導体装置内外において反射して、上部遮光膜12及び下部遮光膜3によって遮光されない角度で半導体膜5に光が入射することを防止することができず、遮光が不十分であるという問題がある。また、上部及び下部にそれぞれ形成された上部遮光膜12及び下部遮光膜3の幅を広げれば、各方向から照射される光を遮光する遮光効果を高めることができるが、その代償として、各遮光膜の幅が広がることにより、開口率が低下するという問題がある。
【0018】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、開口率を低下させることなく、各方向から入射する光の光量を低減することができ、TFTの特性劣化を防止することができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の液晶表示装置は、透明基板上にマトリクス状に薄膜トランジスタを配置したアクティブマトリクス基板を一方の基板とする液晶表示装置において、該アクティブマトリクス基板は、透明基板上に形成され、薄膜トランジスタのソース領域及びチャネル領域及びドレイン領域及びLDD領域となる所定の島状の半導体膜と、該半導体薄膜と該透明基板との間に、該透明基板の下方から該半導体膜に光が照射されることを防止するように形成された下部遮光膜と、薄膜トランジスタの活性層となる該半導体膜のチャネル領域及びLDD領域上の直上に設けられ、上方からの光の照射を防止する上部第1遮光膜と、該半導体膜のソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極上に配置され、該ソース電極及びドレイン電極の形状に対応して設けられた上部第2遮光膜と、を備えたことを特徴とするものである。
【0020】
上記本発明の液晶表示装置において、前記上部第1遮光膜は、ポリシリコン薄膜により形成されることが好ましい。
【0021】
上記本発明の液晶表示装置において、前記上部第1遮光膜は、薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜のチャネル領域の上方を取り囲むように配置されていることが好ましい。
【0022】
上記本発明の液晶表示装置において、前記上部第1遮光膜は、前記半導体膜のソース領域及びドレイン領域の双方またはいずれか一方に電気的に接続されていることが好ましい。
【0023】
上記本発明の液晶表示装置において、前記上部第1遮光膜は、前記半導体装置の外部に設置された外部電圧に電気的に接続され、該上部第1遮光膜の電位は該外部電圧の電位に固定されることが好ましい。
【0024】
上記本発明の液晶表示装置において、前記上部第1遮光膜は、前記外部電圧のhigh電圧に電位が固定されていることが好ましい。
【0025】
上記本発明の液晶表示装置において、前記上部第1遮光膜は、マトリクス状に配置された画素電極間に引き回されて前記外部電圧に接続されていることが好ましい。
【0026】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、透明基板上に下部遮光膜を形成する工程と、該下部遮光膜が形成された透明基板の上方に、島状の半導体膜を形成する工程と、該半導体膜に不純物を注入して、ソース領域及びドレイン領域及びチャネル領域及びLDD領域を形成する工程と、該半導体膜の活性層となるチャネル領域とLDD領域とに光が照射されることを防止する上部第1遮光膜を形成する工程と、該半導体膜のソース領域及びドレイン領域に電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、該ソース電極及びドレイン電極の上方に、該ソース電極及びドレイン電極の形状に対応した上部第2遮光膜を形成する工程と、を包含することを特徴とするものである。
【0027】
上記本発明の液晶表示装置の製造方法において、前記各工程におけるプロセス最高温度は、900〜1200℃の範囲であることが好ましい。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の液晶表示装置及びその製造方法について、図面に基づいて詳細に説明する。
【0029】
本発明の液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板を一方の基板とするアクティブマトリクス型の液晶表示装置であり、アクティブマトリクス基板の透明基板上に薄膜トランジスタ等により構成される半導体装置がマトリクス状に配置されている。
【0030】
図1は、本発明に関する半導体装置20の概略構成を示しており、この半導体装置20におけるチャネル方向に沿う断面図である。
【0031】
この半導体装置20は、ガラス基板等の透明基板21上に形成されている。透明基板21上には、透明基板21の下方から照射される光を遮光する下部遮光膜22が所定形状に形成されている。この下部遮光膜22が形成された透明基板21上には、絶縁膜23が形成されて、その上面が平坦化されている。
【0032】
絶縁膜23上には、下部遮光膜22が形成された位置に対応して、薄膜トランジスタ(以下、TFTという)の活性層となる島状の半導体膜24が形成されている。この島状の半導体膜24は、チャネル領域24cが所定位置に2箇所にわたって形成され、この2箇所のチャネル領域24cの両側には、それぞれ、LDD領域24lが形成されている。また、この半導体膜24の両側部には、LDD領域24lに隣接してソース領域24s及びドレイン領域24dがそれぞれ形成されている。半導体膜24は、下部遮光膜22の上方において下部遮光膜22の面積よりも小さな面積で形成されている。
【0033】
TFTとなる半導体膜24が形成された絶縁膜23上には、薄膜のゲート絶縁膜25が形成されている。このゲート絶縁膜25において、下層の半導体膜24のソース領域24s及びドレイン領域24dに対応する領域には、それぞれ、開口部が形成されている。また、ゲート絶縁膜25上には、半導体膜24に形成された2箇所のチャネル領域24cのそれぞれに対応してゲート電極26が形成されている。また、ゲート絶縁膜25上に形成された各開口部上には、ポリシリコン薄膜から形成された上部第一遮光膜27が設けられている。この上部第一遮光膜27は、ゲート絶縁膜25に形成された開口部上から各ゲート電極26に近傍する位置まで平坦に形成され、各ゲート電極26に近傍する端部から各ゲート電極26よりも所定高さ上方まで、垂直方向に延び、各ゲート電極26上から各ゲート電極26の所定領域を覆う寸法に平坦に延びる形状を有するように形成されている。これにより、各ゲート電極26の下層の半導体膜24の活性層となるチャネル領域24c及びLDD領域24lは、上部第一遮光膜27により遮光された状態になっている。ゲート電極26及び上部第一遮光膜27がそれぞれ形成されたゲート絶縁膜25上には、下層の半導体膜24が形成された部分で厚くなるように厚膜の層間絶縁膜28が形成されている。この層間絶縁膜28及びゲート絶縁膜25には、下層の半導体層24のソース領域及びドレイン領域が形成された位置に対応して、各上部第一遮光膜27の上面に達するコンタクトホールが形成されている。
【0034】
層間絶縁膜28上には、各コンタクトホールをそれぞれ覆うように、ソース電極30及びドレイン電極31が設けられている。ソース電極30及びドレイン電極31は、それぞれ、コンタクトーホール内に遮光性の金属を充填するとともに、層間絶縁膜28上にチャネル方向に直交する方向に長い長方形の平板状の金属膜を有するように形成されている。このソース電極30及びドレイン電極31は、コンタクトホール内に充填された金属によって、上部第一遮光膜27を介して、半導体膜24のソース領域24s及びドレイン領域24dに、それぞれ、電気的に接続されている。
【0035】
層間絶縁膜28上には、窒化膜32及び酸化膜33がこの順に積層されて、酸化膜33の上面は一定の高さとされている。酸化膜33上には、上部第二遮光膜34が設けられている。この上部第二遮光膜34は、下層の下部遮光膜22が形成された位置に対応して同一形状に形成されている。
【0036】
次に、図1に示す半導体装置20の製造方法について、図2(a)〜(e)および図3(a)〜(c)を用いて、工程毎に説明する。
【0037】
まず、ガラスまたは石英等の透明基板21上に、遮光膜を、CVD法、スパッタ法等を用いて堆積し、続いて、この遮光膜を、フォトリソグラフィ及びエッチングを用いて所定形状にパターニングして、図2(a)に示すように、下部遮光膜22とする。
【0038】
下部遮光膜22としては、シリコン膜上に、例えば、タングステン(W)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)等の金属とポリシリコンとを組み合わせて、遮光効果のある材料(金属シリサイド)を構成し、これを膜状として、シリコン膜とシリサイド膜の積層膜としたものが用いられる。下部遮光膜22をこのように構成すれば、十分な遮光効果が得られると共に、シリコン膜の融点が約1400℃、シリサイド膜の融点が1300〜1500℃またはそれ以上であり、これにより、通常のバックライトは勿論、プロジェクション用のハライドランプのような強力な光を発するランプが用いられた場合においても、十分な耐熱性を有している。さらに、このような構成の下部遮光膜を用いることにより、後述の製造工程にて、900〜1200℃という高温のプロセス温度による高温熱処理を実施しても、十分な耐熱性を有しているため、より良好な安定したTFT特性が得られるプロセスを構築することが可能になる。
【0039】
次に、図2(b)に示すように、下部遮光膜22が形成された透明基板21上の全面にわたって、SiO2膜等の絶縁膜23を形成する。この絶縁膜23の膜厚は、下部遮光膜22を反射して、絶縁膜23を通過する光が干渉効果により、照射された光の反射量を打ち消すような膜厚に設定される。
【0040】
次に、図2(c)に示すように、絶縁膜23上に薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜24を形成する。この半導体膜24は、非晶質、多結晶または単結晶等のSi膜、Ge膜、GaAs膜またはGaP膜等の半導体によって構成される。例えば、半導体膜24として、多結晶シリコン膜を形成する場合には、絶縁膜23上に非晶質シリコン膜を50〜150nmの膜厚に形成した後、高温条件での熱処理またはレーザー光照射を実施することによって多結晶化する方法を用いることが一般的である。続いて、絶縁膜上に形成された半導体膜に対して、フォトリソグラフィ及びエッチングを実施することにより、半導体膜を所定の島状にパターニングする。なお、このような島状の半導体膜を形成した後、閾値電圧を制御するために、不純物イオンを注入する工程を実施してもよい。
【0041】
次に、図2(d)に示すように、半導体膜24が形成された絶縁膜23の全面にわたって、ゲート酸化膜25を形成する。このゲート酸化膜25は、CVD法を用いて新たに堆積する方法、または、半導体膜24を酸化する方法によって形成される。さらに、新たに堆積する方法及び半導体膜を酸化する方法の両方を用いることによって形成してもよい。続いて、半導体膜24上の部分のゲート酸化膜25にゲート電極26を2箇所にわたって形成する。
【0042】
次に、半導体膜24に不純物を注入して、図2(e)に示すように、ソース領域24s、ドレイン領域24d、チャネル領域24c、LDD領域24lを形成する。このために、ゲート絶縁膜25上のゲート電極26を覆うマスク(図示を省略する)を形成し、半導体膜24に所定の不純物を注入する。これにより、不純物が注入された領域の半導体膜24がソース領域24s及びドレイン領域24dとなる。続いて、ゲート電極26を覆うマスクを除去し、ゲート電極26をマスクとして、半導体膜24に不純物を注入する。このときの不純物の注入量は、ソース領域24s及びドレイン領域24d形成時の不純物量よりも少なくなるように調整され、これにより、新たに不純物が注入された領域が、LDD(Lightly Doped Drain)領域24lとなる。また、マスクとなるゲート電極26の下の半導体膜24の領域は、不純物が注入されないことにより、チャネル領域24cとなる。
【0043】
次に、図3(a)に示すように、半導体膜24のソース領域24s及びドレイン領域24dの位置に対応してゲート絶縁膜25に開口部を形成し、続いて、ゲート絶縁膜25上に所定厚さの平坦なポリシリコン薄膜を形成する。このポリシリコン薄膜に対して、ソース領域24s上及びドレイン領域24d上の各開口部上から各ゲート電極26に近傍する位置までの部分を残して他の部分を除去するようにパターニングする。
【0044】
次いで、ゲート電極26が形成されたゲート絶縁膜25上の全面にわたって、所定の膜厚の層間絶縁膜28を形成し、その上面を平坦化する。続いて、ゲート絶縁膜28上に形成されたポリシリコン薄膜の各ゲート電極26側の端部に相当する位置に上面からこの端部に達するホールを層間絶縁膜28に形成する。続いて、このホール内にポリシリコンが充填されると共に、層間絶縁膜28上にポリシリコン薄膜が形成されるように上部第一遮光膜27となるポリシリコンを堆積する。そして、層間絶縁膜28上のポリシリコン薄膜に対して、ゲート電極26の近傍部分からゲート電極26上にゲート電極26のほぼ全体を覆う部分を残して他の部分を除去するようにパターニングする。このようにして、各ゲート電極26の外側側面及び上面を覆い、半導体層24の活性層となるチャネル領域24c及びLDD領域24lを遮光する上部第一遮光膜27が形成される。この上部第一遮光膜27は、プロセスを容易にするために、半導体膜24及びゲート電極26と同様にポリシリコン薄膜からなる材料を用いて形成することが好適である。
【0045】
次いで、ポリシリコン膜が形成された層間絶縁膜28に対して、さらに層間絶縁膜28を堆積する。この層間絶縁膜28の全体の厚さは、層間絶縁膜28を通過する光が干渉効果によって、互いに打ち消し合うような膜厚に設定される。
【0046】
次いで、層間絶縁膜28に、下層の半導体膜24のソース領域24s及びドレイン領域24dが形成された位置に対応して、それぞれ、ソース領域24s上及びドレイン領域24d上の上部第一遮光膜27に達するコンタクトホールを形成する。
【0047】
続いて、コンタクトホールがそれぞれ形成された層間絶縁膜28上の全体にわたって、Al等の金属層を堆積する。このAl等の金属層は、層間絶縁膜28上に堆積されると共に、各コンタクトホール内に充填される。そして、金属層を全面にわたって形成した後、エッチングを実施することにより、半導体膜24のソース領域24s、チャネル領域24c、ドレイン領域24dが配列した方向と直交する方向に延びる形状が残るようにそれ以外の部分を除去する。これにより、下層の半導体膜24のソース領域24s及びドレイン領域24dに導通可能なソース電極30及びドレイン電極31がそれぞれ形成される。
【0048】
次に、図3(b)に示すように、ソース電極30及びドレイン電極31がそれぞれ形成された層間絶縁膜28上の全面にわたって窒化膜32を形成し、続いて、酸化膜33を形成する。層間絶縁膜28上の窒化膜32、酸化膜33は、金属により形成されたソース電極30及びドレイン電極31を保護するためのパッシベーション膜として形成されている。酸化膜33を形成すると、その後、水素化処理を行う。続いて、凹凸が形成される酸化膜33の表面上に対して、エッチバックまたはCMP(Chemical Mechanical Polishing)等を行うことにより平坦化する。
【0049】
次に、図3(c)に示すように、平坦化された酸化膜33上にCVD法、スパッタ法等を用いて遮光膜を形成し、その後、フォトリソグラフィ及びエッチングを行うことにより所定の形状にパターニングして、斜め方向から入射される光を遮光する上部第二遮光膜34とする。上部第二遮光膜34は、下層の下部遮光膜22と同様に、種々の遮光性材料により形成することが可能である。
【0050】
上記のようにして製造された半導体装置20を、液晶表示装置のアクティブマトリクス基板として用いる場合、ドレイン電極31上の窒化膜32及び酸化膜33上に、コンタクトホールを形成した後、酸化膜33上に、画素電極となる透明金属膜をITO等によって形成し、所定形状にエッチングする。この透明電極膜により形成された画素電極は、ドレイン電極31上に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極31に接続される。
【0051】
次に、本願発明者らは、波動光学シミュレーションを利用して半導体膜24の活性層となるチャネル領域24s及びLDD領域24lに入射される光量に関する検証を行ったので、その検証結果について、以下に説明する。
【0052】
図4は、本願発明者らが実際に行った波動光学シミュレーションに用いた半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。また、図5は、図4に示す半導体装置の活性領域(チャネル領域)へ入射される入射光量を、本発明の構成の半導体装置と従来の構成の半導体装置とを比較して示すグラフである。
【0053】
ここで、図5に示すグラフにおいて、横軸は本発明に関する上部第一遮光膜27の膜幅d(μm)を示しており、縦軸は、入射光量1に対する半導体膜24の活性層であるチャネル領域24cに入射される相対入射光強度を示している。
【0054】
図5のグラフに示すように、従来の半導体装置においては、上部第一遮光膜27が設けられておらず、d=0μmであり、第二遮光層34の幅寸法を変更することにより、チャネル領域24cに入射される光量は、グラフ中の縦軸の黒丸(●)で示された光強度値を上限値とし、黒四角(■)で示された光強度値を下限値として変動する。
【0055】
また、本発明の半導体装置について、従来の構成の半導体装置と同程度の上部第二遮光膜34の膜幅条件として、上部第一遮光膜27の膜幅を種々変更して入射光量を比較した。この結果、図5のグラフに示されているように、上部第一遮光膜27の膜幅を大きくすることにより、チャネル領域24sに入射される光量が低下される傾向があることが明らかになっている。
【0056】
したがって、このシミュレーション結果に基づくと、本発明の半導体装置のように、上部第一遮光膜27と上部第二遮光膜34との二重の遮光膜の構成を用いることにより、半導体膜24の活性層(チャネル領域24s)及びこのチャネル領域の両側部を挟むように形成されたLDD領域24lに入射される光量が低減される。これにより、層間絶縁膜28上に形成されるソース電極30またはドレイン電極31の幅を狭く形成しても十分な遮光効果を得ることができ、画素部の開口率を大きくとることが可能になる。
【0057】
この上部第一遮光膜27は、活性層の直上部を取り囲むように配置されており、スイッチング素子である半導体装置のオン・オフ制御に悪影響を及ぼさないようにすることが望ましい。このために、上述の上部第一遮光膜27は、それぞれ、Dual−Gate構造のチャネル領域を有する半導体装置において、半導体膜24のソース領域24s上及びドレイン領域24d上に配置されて、ソース電極30及びドレイン電極31に電気的に接続されている。
【0058】
上部第1遮光膜27を電気的に接続する場合、大別して2種類の方法がある。一方法としては、上記のように半導体膜24のソース領域24s及びドレイン領域24dの双方、またはソース領域24s及びドレイン領域24dのいずれかに接続する方法があり、他の方法としては、外部電圧に接続する方法がある。以下、図6及び図7によって、この2種類の接続方法の具体例について説明する。なお、この図6及び図7では、一例として、Dual−Gate構造のチャネル領域を有する半導体装置を用いて説明しており、各場合についての拡大断面図を示している。
【0059】
図6は、上部第一遮光膜27が、下層の半導体膜24のソース領域24sあるいはドレイン領域24dに接続された場合の断面図であり、(a)は、ソース領域24s及びドレイン領域24dの近傍に分離されて形成された各上部第一遮光膜27が、それぞれ、ソース領域24s及びドレイン領域24dに接続されている場合である。これは、上述の実施の形態と同一の接続方法を示している。(b)は、(a)の上部遮光膜27と概略同一の構成とされているが、さらに、各ゲート電極26の上面から内部側の側面を覆う形状に形成されて、ゲート電極26の内部側のLDD領域24lをも覆う形状に形成されている。(c)は、上部第一遮光膜27が、ソース領域24s上に形成された後、ソース側に近いゲート電極26からドレイン電極31側のゲート電極26側にまで延び、ドレイン領域24d側のLDD領域24l上で終端されているものである。(d)は、上部第一遮光膜27が、ドレイン領域24d上に形成された後、ドレイン側に近いゲート電極26からソース電極31側のゲート電極26側にまで延び、ソース領域24s側のLDD領域24l上で終端されているものである。
【0060】
図7は、上部第一遮光膜27が外部電圧に接続された場合の断面図である。この接続方法では、例えば、この半導体装置が液晶表示装置に用いられた場合、マトリクス状に配置された画素電極間を引き回され、さらに駆動回路(周辺ドライバ)を駆動させるための外部電圧に接続される。
【0061】
この場合、図7(a)に示すように、各ゲート電極26上及び各ゲート電極26に隣接するそれぞれのLDD領域24lの全てを覆う形状、(b)ドレイン領域24d側のLDD領域24l以外の領域を覆う形状、(c)ソース領域24s側のLDD領域24l以外の領域を覆う形状に形成される。
【0062】
このように設けられた上部第一遮光膜27では、それぞれのゲート電極26上を併せて覆っているため、ゲート電圧に悪影響を及ぼさないように、上部第一遮光膜27は、外部のhigh電圧に接続されることが望ましい。
【0063】
図8は、上部第一遮光膜27を、駆動回路(周辺ドライバ)を駆動させるための外部電圧に接続した場合における、上部第一遮光膜27の電圧と画素欠陥個数との関係を調べた結果を示す図である。
【0064】
この図8に示されるように、上部第一遮光膜27の電圧が、特に、low電圧からコモン電圧の間にある場合には、ゲート電極26とオーバーラップしている上部第一遮光膜27の電位の影響により、ゲート電極26に印加される電圧が十分でなくなり、この影響により画素のオン不良が生じて、これに伴う画素欠陥が増大していることが示されている。
【0065】
一方、上部第一遮光膜27の電圧が、コモン電圧からhigh電圧の間にある場合には、上記の画素欠陥の発生は低減されている。この場合、ゲート電極26とオーバーラップしている上部第一遮光膜27とゲート電極26との間の距離(絶縁層膜厚)によっても電位の影響は変化するため、上部第一遮光膜27は、high電圧になっていることが望ましい。
【0066】
さらに、上記のように上部第一遮光膜27を外部電圧に接続する場合、データ線及びソース線に沿ってマトリクス状に配置された画素電極間に引き回して接続することが望ましい。例えば、ゲート線に沿って引き回した場合には、上述したように、上部第一遮光膜27の電位の影響によりゲート信号の遅延が生じ、表示領域全体が鮮明に品質良く表示することができなくなるおそれが強くなるためである。
【0067】
このように、上記の本発明の上部第一遮光膜27を接続すれば、半導体膜24の上部を2重の遮光構造を有するように形成しただけではなく、新たに設けた上部第一遮光膜27の電気的接続を最適化することができ、より効果的に遮光することができると共に、表示品質を左右するTFT特性を安定化することが可能となる。
【0068】
【発明の効果】
本発明の液晶表示装置では、半導体膜の上方に、活性層となるチャネル領域とLDD領域とを覆う直上の上部第1遮光膜と、ソース電極及びドレイン電極の上方に設けられた上部第2遮光膜とによる2重の遮光構造を有しているので、上部第2遮光膜を回り込んだ光(回折光)が上部第1遮光膜によって遮光することができるので、上部第1遮光膜を有しない従来構造の液晶表示装置に比較して遮光効果を高くすることができる。
【0069】
また、この上部第1遮光膜を、ソース電極及びドレイン電極の双方またはそのいずれかに接続するか、または、外部電圧に接続することによって、表示品質を左右するTFT特性を安定化することができる。
【0070】
このような上部第1遮光膜及び上部第2遮光膜の2重の遮光構造を有することによって、遮光膜幅を必要以上に大きく設けることなく効果的に入射光を遮光して、開口率を向上することができるので、小型で高精細な液晶表示装置を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に関する半導体装置のチャネル方向に沿う断面図である。
【図2】(a)〜(e)は、それぞれ、本発明の液晶表示装置に関する半導体装置を製造する方法を工程毎に説明する断面図である。
【図3】(a)〜(c)は、それぞれ、その半導体装置を製造する方法を工程毎に説明する断面図である。
【図4】本願発明者らが実際に行った波動光学シミュレーションに用いた半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図5】図4に示す半導体装置の活性領域(チャネル領域)へ入射される入射光量を、本発明の構成の半導体装置と従来の構成の半導体装置とを比較して示すグラフである。
【図6】上部第一遮光膜が、下層の半導体膜のソース領域あるいはドレイン領域に接続された場合の断面図である。
【図7】上部第一遮光膜が外部電圧に接続された場合の断面図である。
【図8】上部第一遮光膜を、駆動回路(周辺ドライバ)を駆動させるための外部電圧に接続した場合における、上部第一遮光膜の電圧と画素欠陥個数との関係を調べた結果を示す図である。
【図9】従来の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板に使用される半導体装置の概略構成を説明する断面図である。
【符号の説明】
20 半導体装置
21 透明基板
22 下部遮光膜
23 絶縁膜
24 半導体膜
25 ゲート絶縁膜
26 ゲート電極
27 上部第一遮光膜
28 層間絶縁膜
30 ソース電極
31 ドレイン電極
32 窒化膜
33 酸化膜
34 上部第二遮光膜
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス基板を一方の基板として用いた液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、遮光性に優れた液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置においては、アクティブマトリクス型の液晶表示装置によって画像を表示することが主流になっている。アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、マトリクス状に配置した複数の画素を有するアクティブマトリクス基板と、このアクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板とを有している。この両基板の間には、表示媒体である液晶が充填されて液晶層が形成される。
【0003】
アクティブマトリクス基板は、画像表示の一単位となる画素毎に、マトリクス状に配置された複数の画素電極を有しており、各画素電極は、それぞれの画素電極に対応して配置されたスイッチング素子に接続されている。液晶層を挟んでアクティブマトリクス基板に対応して配置された対向基板には、対向電極が形成されている。
【0004】
このような構成を有するアクティブマトリクス型の液晶表示装置を用いて画像を表示する場合、アクティブマトリクス基板に形成された各画素電極に接続されたスイッチング素子のオン・オフを制御して、表示信号となる表示電圧を各画素電極に印加する。スイッチング素子がオンになって、表示電圧が画素電極に印加されると、アクティブマトリクス基板の電圧が印加された画素電極と、対向基板に設けられたその画素電極に対向して配置された対向電極との間で所定の電位差が形成され、これにより、両電極間に存在する液晶層の液晶の配向状態が変化し、この液晶の配向状態の変化によって各画素を透過する光量が変化する。このように液晶を透過する光量を、スイッチング素子のオン・オフ及び表示電圧の印加を各画素ごとに制御することによって、全体として画素表示が行われる。
【0005】
画素電極をオン・オフするスイッチング素子としては、薄膜トランジスタ(以下、TFTと略す。)、ダイオード等の非線形素子が用いられるが、液晶表示装置の駆動回路と一体形成することができ、かつ、応答速度を高速化することができる点で、ポリシリコンから形成されたTFTが最も好適であり、このため、スイッチング素子としては、通常、ポリシリコンから形成されたTFTが用いられる。
【0006】
しかし、上記のアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、シリコン等の半導体に照射された光によって、光吸収が起こった場合、半導体には電子、荷電子帯には正孔がそれぞれ励起されることにより電子−正孔対が生成されて、いわゆる光電効果が起こることが一般的に知られている。このため、ポリシリコン薄膜を活性層(チャネル領域)に用いたTFTは、光が照射されると、電子−正孔対に起因した光電流が発生し、TFTのオフ時のリーク電流が増大する。その結果、ポリシリコン薄膜から形成されたTFTに光が照射されると、この光照射に起因して、クロストークの発生、コントラストの低下等によって、画像品質が低下するという問題点がある。
【0007】
このように光電効果によって画像品質が低下することを防止するために、ポリシリコンTFTが形成されているアクティブマトリクス基板における光の入射側となる液晶層側または対向基板に、TFTが形成される位置に対向して遮光膜を設け、液晶層側からTFTに入射される光を遮光する液晶表示装置が提案されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、液晶表示装置の液晶への光の入射側にのみ遮光膜を設けて、TFTに直接入射される光を遮光しても、遮光膜が形成されていない部分を通り抜けた光が、液晶表示装置の外部に設けられているレンズ、偏光板、ミラー等の光学部分、または、液晶表示装置の内壁等に反射されて、TFTに光が照射されるおそれがある。特に透過型のプロジェクション表示装置に液晶表示装置を用いた場合には、小型に構成された液晶表示装置を用いて画像を拡大投影するために、非常に強い光が液晶表示装置に照射され、液晶表示装置の内外の各部を反射する反射光の光量が大きくなる。このため、TFTに直接入射する光だけを遮光し得る遮光膜を設けても、各部を反射する反射光がTFTに入射するおそれがあり、TFTのオフリークが生じ、その結果、クロストークの発生、コントラスト低下などによって、表示品質が著しく低下するおそれが強い。
【0009】
TFTに直接入射する入射光及び液晶表示装置内外の各部から反射される反射光を防止する構成を有する液晶表示装置として、例えば、特開2000−131716号公報に提案された液晶表示装置が知られている。
【0010】
図9には、この公報に記載された液晶表示装置のアクティブマトリクス基板に使用される半導体装置の概略構成を説明する断面図を示している。
【0011】
この公報に記載された半導体装置1は、石英基板2上に形成されている。石英基板2上には、石英基板2の下方から照射される光を遮光する下部遮光膜3が所定形状に形成されている。この下部遮光膜3が形成された石英基板2上には、絶縁膜4が形成されて、その上面が全体にわたって同一の高さとされている。
【0012】
絶縁膜4上には、下部遮光膜3が形成された位置に対応して、薄膜トランジスタ(TFT)の活性層が形成される島状のシリコン薄膜5が形成されている。この島状のシリコン薄膜5は、中央部にチャネル領域5cが形成され、このチャネル領域5cを挟む両側部に、ソース領域5s、ドレイン領域5dがそれぞれ形成されている。
【0013】
TFTとなるシリコン薄膜5が形成された絶縁膜4上には、薄膜のゲート絶縁膜6が形成されている。このゲート絶縁膜6上には、シリコン薄膜5に形成されたチャネル領域5cに対応してゲート電極7が形成されている。ゲート電極7が形成されたゲート絶縁膜6上には、下層のシリコン薄膜5が形成された部分において厚くなるように層間絶縁膜8が厚膜に形成されている。この層間絶縁膜8及びゲート絶縁膜6には、下層のシリコン薄膜5のソース領域5s及びドレイン領域5dがそれぞれ存在する位置に対応して、電極取り出し用のコンタクトホール9が形成されている。
【0014】
この各コンタクトホール9には、それぞれ、金属膜が埋め込まれて引出電極10が形成されている。各引出電極10は、それぞれ、コンタクトホール9を介して下層のシリコン薄膜5のソース領域5s及びドレイン領域5dに接続されている。
【0015】
引出電極10が形成された層間絶縁膜8上には、パッシベーション膜11が形成されている。このパッシベーション膜11上には、下層の下部遮光膜3が形成された位置に対応して上部遮光膜12が形成されている。
【0016】
図9に示す半導体装置1では、TFTとなるシリコン薄膜5の下方及び上方に、それぞれ、下部遮光膜3及び上部遮光膜12が設けられており、上方から直接TFTに向けて入射してくる入射光が上部遮光膜12によって遮光され、下方からの反射光が下部遮光膜3によって遮光される。
【0017】
しかし、このように上部遮光膜12が設けられた半導体装置1では、上部遮光膜12と引出電極10との相対的位置関係が重要であり、例えば、アライメント精度によって位置ずれが生じて引出電極10の線幅よりも上部遮光膜12幅のほうが広くなる場合に、その上部遮光膜12の端部で回折されて入射される光の強度が大きくなり、半導体膜5のチャネル領域5cに達する光の強度が増大するおそれがある。したがって、この半導体装置1では、半導体装置内外において反射して、上部遮光膜12及び下部遮光膜3によって遮光されない角度で半導体膜5に光が入射することを防止することができず、遮光が不十分であるという問題がある。また、上部及び下部にそれぞれ形成された上部遮光膜12及び下部遮光膜3の幅を広げれば、各方向から照射される光を遮光する遮光効果を高めることができるが、その代償として、各遮光膜の幅が広がることにより、開口率が低下するという問題がある。
【0018】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、開口率を低下させることなく、各方向から入射する光の光量を低減することができ、TFTの特性劣化を防止することができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の液晶表示装置は、透明基板上にマトリクス状に薄膜トランジスタを配置したアクティブマトリクス基板を一方の基板とする液晶表示装置において、該アクティブマトリクス基板は、透明基板上に形成され、薄膜トランジスタのソース領域及びチャネル領域及びドレイン領域及びLDD領域となる所定の島状の半導体膜と、該半導体薄膜と該透明基板との間に、該透明基板の下方から該半導体膜に光が照射されることを防止するように形成された下部遮光膜と、薄膜トランジスタの活性層となる該半導体膜のチャネル領域及びLDD領域上の直上に設けられ、上方からの光の照射を防止する上部第1遮光膜と、該半導体膜のソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極上に配置され、該ソース電極及びドレイン電極の形状に対応して設けられた上部第2遮光膜と、を備えたことを特徴とするものである。
【0020】
上記本発明の液晶表示装置において、前記上部第1遮光膜は、ポリシリコン薄膜により形成されることが好ましい。
【0021】
上記本発明の液晶表示装置において、前記上部第1遮光膜は、薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜のチャネル領域の上方を取り囲むように配置されていることが好ましい。
【0022】
上記本発明の液晶表示装置において、前記上部第1遮光膜は、前記半導体膜のソース領域及びドレイン領域の双方またはいずれか一方に電気的に接続されていることが好ましい。
【0023】
上記本発明の液晶表示装置において、前記上部第1遮光膜は、前記半導体装置の外部に設置された外部電圧に電気的に接続され、該上部第1遮光膜の電位は該外部電圧の電位に固定されることが好ましい。
【0024】
上記本発明の液晶表示装置において、前記上部第1遮光膜は、前記外部電圧のhigh電圧に電位が固定されていることが好ましい。
【0025】
上記本発明の液晶表示装置において、前記上部第1遮光膜は、マトリクス状に配置された画素電極間に引き回されて前記外部電圧に接続されていることが好ましい。
【0026】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、透明基板上に下部遮光膜を形成する工程と、該下部遮光膜が形成された透明基板の上方に、島状の半導体膜を形成する工程と、該半導体膜に不純物を注入して、ソース領域及びドレイン領域及びチャネル領域及びLDD領域を形成する工程と、該半導体膜の活性層となるチャネル領域とLDD領域とに光が照射されることを防止する上部第1遮光膜を形成する工程と、該半導体膜のソース領域及びドレイン領域に電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、該ソース電極及びドレイン電極の上方に、該ソース電極及びドレイン電極の形状に対応した上部第2遮光膜を形成する工程と、を包含することを特徴とするものである。
【0027】
上記本発明の液晶表示装置の製造方法において、前記各工程におけるプロセス最高温度は、900〜1200℃の範囲であることが好ましい。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の液晶表示装置及びその製造方法について、図面に基づいて詳細に説明する。
【0029】
本発明の液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板を一方の基板とするアクティブマトリクス型の液晶表示装置であり、アクティブマトリクス基板の透明基板上に薄膜トランジスタ等により構成される半導体装置がマトリクス状に配置されている。
【0030】
図1は、本発明に関する半導体装置20の概略構成を示しており、この半導体装置20におけるチャネル方向に沿う断面図である。
【0031】
この半導体装置20は、ガラス基板等の透明基板21上に形成されている。透明基板21上には、透明基板21の下方から照射される光を遮光する下部遮光膜22が所定形状に形成されている。この下部遮光膜22が形成された透明基板21上には、絶縁膜23が形成されて、その上面が平坦化されている。
【0032】
絶縁膜23上には、下部遮光膜22が形成された位置に対応して、薄膜トランジスタ(以下、TFTという)の活性層となる島状の半導体膜24が形成されている。この島状の半導体膜24は、チャネル領域24cが所定位置に2箇所にわたって形成され、この2箇所のチャネル領域24cの両側には、それぞれ、LDD領域24lが形成されている。また、この半導体膜24の両側部には、LDD領域24lに隣接してソース領域24s及びドレイン領域24dがそれぞれ形成されている。半導体膜24は、下部遮光膜22の上方において下部遮光膜22の面積よりも小さな面積で形成されている。
【0033】
TFTとなる半導体膜24が形成された絶縁膜23上には、薄膜のゲート絶縁膜25が形成されている。このゲート絶縁膜25において、下層の半導体膜24のソース領域24s及びドレイン領域24dに対応する領域には、それぞれ、開口部が形成されている。また、ゲート絶縁膜25上には、半導体膜24に形成された2箇所のチャネル領域24cのそれぞれに対応してゲート電極26が形成されている。また、ゲート絶縁膜25上に形成された各開口部上には、ポリシリコン薄膜から形成された上部第一遮光膜27が設けられている。この上部第一遮光膜27は、ゲート絶縁膜25に形成された開口部上から各ゲート電極26に近傍する位置まで平坦に形成され、各ゲート電極26に近傍する端部から各ゲート電極26よりも所定高さ上方まで、垂直方向に延び、各ゲート電極26上から各ゲート電極26の所定領域を覆う寸法に平坦に延びる形状を有するように形成されている。これにより、各ゲート電極26の下層の半導体膜24の活性層となるチャネル領域24c及びLDD領域24lは、上部第一遮光膜27により遮光された状態になっている。ゲート電極26及び上部第一遮光膜27がそれぞれ形成されたゲート絶縁膜25上には、下層の半導体膜24が形成された部分で厚くなるように厚膜の層間絶縁膜28が形成されている。この層間絶縁膜28及びゲート絶縁膜25には、下層の半導体層24のソース領域及びドレイン領域が形成された位置に対応して、各上部第一遮光膜27の上面に達するコンタクトホールが形成されている。
【0034】
層間絶縁膜28上には、各コンタクトホールをそれぞれ覆うように、ソース電極30及びドレイン電極31が設けられている。ソース電極30及びドレイン電極31は、それぞれ、コンタクトーホール内に遮光性の金属を充填するとともに、層間絶縁膜28上にチャネル方向に直交する方向に長い長方形の平板状の金属膜を有するように形成されている。このソース電極30及びドレイン電極31は、コンタクトホール内に充填された金属によって、上部第一遮光膜27を介して、半導体膜24のソース領域24s及びドレイン領域24dに、それぞれ、電気的に接続されている。
【0035】
層間絶縁膜28上には、窒化膜32及び酸化膜33がこの順に積層されて、酸化膜33の上面は一定の高さとされている。酸化膜33上には、上部第二遮光膜34が設けられている。この上部第二遮光膜34は、下層の下部遮光膜22が形成された位置に対応して同一形状に形成されている。
【0036】
次に、図1に示す半導体装置20の製造方法について、図2(a)〜(e)および図3(a)〜(c)を用いて、工程毎に説明する。
【0037】
まず、ガラスまたは石英等の透明基板21上に、遮光膜を、CVD法、スパッタ法等を用いて堆積し、続いて、この遮光膜を、フォトリソグラフィ及びエッチングを用いて所定形状にパターニングして、図2(a)に示すように、下部遮光膜22とする。
【0038】
下部遮光膜22としては、シリコン膜上に、例えば、タングステン(W)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)等の金属とポリシリコンとを組み合わせて、遮光効果のある材料(金属シリサイド)を構成し、これを膜状として、シリコン膜とシリサイド膜の積層膜としたものが用いられる。下部遮光膜22をこのように構成すれば、十分な遮光効果が得られると共に、シリコン膜の融点が約1400℃、シリサイド膜の融点が1300〜1500℃またはそれ以上であり、これにより、通常のバックライトは勿論、プロジェクション用のハライドランプのような強力な光を発するランプが用いられた場合においても、十分な耐熱性を有している。さらに、このような構成の下部遮光膜を用いることにより、後述の製造工程にて、900〜1200℃という高温のプロセス温度による高温熱処理を実施しても、十分な耐熱性を有しているため、より良好な安定したTFT特性が得られるプロセスを構築することが可能になる。
【0039】
次に、図2(b)に示すように、下部遮光膜22が形成された透明基板21上の全面にわたって、SiO2膜等の絶縁膜23を形成する。この絶縁膜23の膜厚は、下部遮光膜22を反射して、絶縁膜23を通過する光が干渉効果により、照射された光の反射量を打ち消すような膜厚に設定される。
【0040】
次に、図2(c)に示すように、絶縁膜23上に薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜24を形成する。この半導体膜24は、非晶質、多結晶または単結晶等のSi膜、Ge膜、GaAs膜またはGaP膜等の半導体によって構成される。例えば、半導体膜24として、多結晶シリコン膜を形成する場合には、絶縁膜23上に非晶質シリコン膜を50〜150nmの膜厚に形成した後、高温条件での熱処理またはレーザー光照射を実施することによって多結晶化する方法を用いることが一般的である。続いて、絶縁膜上に形成された半導体膜に対して、フォトリソグラフィ及びエッチングを実施することにより、半導体膜を所定の島状にパターニングする。なお、このような島状の半導体膜を形成した後、閾値電圧を制御するために、不純物イオンを注入する工程を実施してもよい。
【0041】
次に、図2(d)に示すように、半導体膜24が形成された絶縁膜23の全面にわたって、ゲート酸化膜25を形成する。このゲート酸化膜25は、CVD法を用いて新たに堆積する方法、または、半導体膜24を酸化する方法によって形成される。さらに、新たに堆積する方法及び半導体膜を酸化する方法の両方を用いることによって形成してもよい。続いて、半導体膜24上の部分のゲート酸化膜25にゲート電極26を2箇所にわたって形成する。
【0042】
次に、半導体膜24に不純物を注入して、図2(e)に示すように、ソース領域24s、ドレイン領域24d、チャネル領域24c、LDD領域24lを形成する。このために、ゲート絶縁膜25上のゲート電極26を覆うマスク(図示を省略する)を形成し、半導体膜24に所定の不純物を注入する。これにより、不純物が注入された領域の半導体膜24がソース領域24s及びドレイン領域24dとなる。続いて、ゲート電極26を覆うマスクを除去し、ゲート電極26をマスクとして、半導体膜24に不純物を注入する。このときの不純物の注入量は、ソース領域24s及びドレイン領域24d形成時の不純物量よりも少なくなるように調整され、これにより、新たに不純物が注入された領域が、LDD(Lightly Doped Drain)領域24lとなる。また、マスクとなるゲート電極26の下の半導体膜24の領域は、不純物が注入されないことにより、チャネル領域24cとなる。
【0043】
次に、図3(a)に示すように、半導体膜24のソース領域24s及びドレイン領域24dの位置に対応してゲート絶縁膜25に開口部を形成し、続いて、ゲート絶縁膜25上に所定厚さの平坦なポリシリコン薄膜を形成する。このポリシリコン薄膜に対して、ソース領域24s上及びドレイン領域24d上の各開口部上から各ゲート電極26に近傍する位置までの部分を残して他の部分を除去するようにパターニングする。
【0044】
次いで、ゲート電極26が形成されたゲート絶縁膜25上の全面にわたって、所定の膜厚の層間絶縁膜28を形成し、その上面を平坦化する。続いて、ゲート絶縁膜28上に形成されたポリシリコン薄膜の各ゲート電極26側の端部に相当する位置に上面からこの端部に達するホールを層間絶縁膜28に形成する。続いて、このホール内にポリシリコンが充填されると共に、層間絶縁膜28上にポリシリコン薄膜が形成されるように上部第一遮光膜27となるポリシリコンを堆積する。そして、層間絶縁膜28上のポリシリコン薄膜に対して、ゲート電極26の近傍部分からゲート電極26上にゲート電極26のほぼ全体を覆う部分を残して他の部分を除去するようにパターニングする。このようにして、各ゲート電極26の外側側面及び上面を覆い、半導体層24の活性層となるチャネル領域24c及びLDD領域24lを遮光する上部第一遮光膜27が形成される。この上部第一遮光膜27は、プロセスを容易にするために、半導体膜24及びゲート電極26と同様にポリシリコン薄膜からなる材料を用いて形成することが好適である。
【0045】
次いで、ポリシリコン膜が形成された層間絶縁膜28に対して、さらに層間絶縁膜28を堆積する。この層間絶縁膜28の全体の厚さは、層間絶縁膜28を通過する光が干渉効果によって、互いに打ち消し合うような膜厚に設定される。
【0046】
次いで、層間絶縁膜28に、下層の半導体膜24のソース領域24s及びドレイン領域24dが形成された位置に対応して、それぞれ、ソース領域24s上及びドレイン領域24d上の上部第一遮光膜27に達するコンタクトホールを形成する。
【0047】
続いて、コンタクトホールがそれぞれ形成された層間絶縁膜28上の全体にわたって、Al等の金属層を堆積する。このAl等の金属層は、層間絶縁膜28上に堆積されると共に、各コンタクトホール内に充填される。そして、金属層を全面にわたって形成した後、エッチングを実施することにより、半導体膜24のソース領域24s、チャネル領域24c、ドレイン領域24dが配列した方向と直交する方向に延びる形状が残るようにそれ以外の部分を除去する。これにより、下層の半導体膜24のソース領域24s及びドレイン領域24dに導通可能なソース電極30及びドレイン電極31がそれぞれ形成される。
【0048】
次に、図3(b)に示すように、ソース電極30及びドレイン電極31がそれぞれ形成された層間絶縁膜28上の全面にわたって窒化膜32を形成し、続いて、酸化膜33を形成する。層間絶縁膜28上の窒化膜32、酸化膜33は、金属により形成されたソース電極30及びドレイン電極31を保護するためのパッシベーション膜として形成されている。酸化膜33を形成すると、その後、水素化処理を行う。続いて、凹凸が形成される酸化膜33の表面上に対して、エッチバックまたはCMP(Chemical Mechanical Polishing)等を行うことにより平坦化する。
【0049】
次に、図3(c)に示すように、平坦化された酸化膜33上にCVD法、スパッタ法等を用いて遮光膜を形成し、その後、フォトリソグラフィ及びエッチングを行うことにより所定の形状にパターニングして、斜め方向から入射される光を遮光する上部第二遮光膜34とする。上部第二遮光膜34は、下層の下部遮光膜22と同様に、種々の遮光性材料により形成することが可能である。
【0050】
上記のようにして製造された半導体装置20を、液晶表示装置のアクティブマトリクス基板として用いる場合、ドレイン電極31上の窒化膜32及び酸化膜33上に、コンタクトホールを形成した後、酸化膜33上に、画素電極となる透明金属膜をITO等によって形成し、所定形状にエッチングする。この透明電極膜により形成された画素電極は、ドレイン電極31上に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極31に接続される。
【0051】
次に、本願発明者らは、波動光学シミュレーションを利用して半導体膜24の活性層となるチャネル領域24s及びLDD領域24lに入射される光量に関する検証を行ったので、その検証結果について、以下に説明する。
【0052】
図4は、本願発明者らが実際に行った波動光学シミュレーションに用いた半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。また、図5は、図4に示す半導体装置の活性領域(チャネル領域)へ入射される入射光量を、本発明の構成の半導体装置と従来の構成の半導体装置とを比較して示すグラフである。
【0053】
ここで、図5に示すグラフにおいて、横軸は本発明に関する上部第一遮光膜27の膜幅d(μm)を示しており、縦軸は、入射光量1に対する半導体膜24の活性層であるチャネル領域24cに入射される相対入射光強度を示している。
【0054】
図5のグラフに示すように、従来の半導体装置においては、上部第一遮光膜27が設けられておらず、d=0μmであり、第二遮光層34の幅寸法を変更することにより、チャネル領域24cに入射される光量は、グラフ中の縦軸の黒丸(●)で示された光強度値を上限値とし、黒四角(■)で示された光強度値を下限値として変動する。
【0055】
また、本発明の半導体装置について、従来の構成の半導体装置と同程度の上部第二遮光膜34の膜幅条件として、上部第一遮光膜27の膜幅を種々変更して入射光量を比較した。この結果、図5のグラフに示されているように、上部第一遮光膜27の膜幅を大きくすることにより、チャネル領域24sに入射される光量が低下される傾向があることが明らかになっている。
【0056】
したがって、このシミュレーション結果に基づくと、本発明の半導体装置のように、上部第一遮光膜27と上部第二遮光膜34との二重の遮光膜の構成を用いることにより、半導体膜24の活性層(チャネル領域24s)及びこのチャネル領域の両側部を挟むように形成されたLDD領域24lに入射される光量が低減される。これにより、層間絶縁膜28上に形成されるソース電極30またはドレイン電極31の幅を狭く形成しても十分な遮光効果を得ることができ、画素部の開口率を大きくとることが可能になる。
【0057】
この上部第一遮光膜27は、活性層の直上部を取り囲むように配置されており、スイッチング素子である半導体装置のオン・オフ制御に悪影響を及ぼさないようにすることが望ましい。このために、上述の上部第一遮光膜27は、それぞれ、Dual−Gate構造のチャネル領域を有する半導体装置において、半導体膜24のソース領域24s上及びドレイン領域24d上に配置されて、ソース電極30及びドレイン電極31に電気的に接続されている。
【0058】
上部第1遮光膜27を電気的に接続する場合、大別して2種類の方法がある。一方法としては、上記のように半導体膜24のソース領域24s及びドレイン領域24dの双方、またはソース領域24s及びドレイン領域24dのいずれかに接続する方法があり、他の方法としては、外部電圧に接続する方法がある。以下、図6及び図7によって、この2種類の接続方法の具体例について説明する。なお、この図6及び図7では、一例として、Dual−Gate構造のチャネル領域を有する半導体装置を用いて説明しており、各場合についての拡大断面図を示している。
【0059】
図6は、上部第一遮光膜27が、下層の半導体膜24のソース領域24sあるいはドレイン領域24dに接続された場合の断面図であり、(a)は、ソース領域24s及びドレイン領域24dの近傍に分離されて形成された各上部第一遮光膜27が、それぞれ、ソース領域24s及びドレイン領域24dに接続されている場合である。これは、上述の実施の形態と同一の接続方法を示している。(b)は、(a)の上部遮光膜27と概略同一の構成とされているが、さらに、各ゲート電極26の上面から内部側の側面を覆う形状に形成されて、ゲート電極26の内部側のLDD領域24lをも覆う形状に形成されている。(c)は、上部第一遮光膜27が、ソース領域24s上に形成された後、ソース側に近いゲート電極26からドレイン電極31側のゲート電極26側にまで延び、ドレイン領域24d側のLDD領域24l上で終端されているものである。(d)は、上部第一遮光膜27が、ドレイン領域24d上に形成された後、ドレイン側に近いゲート電極26からソース電極31側のゲート電極26側にまで延び、ソース領域24s側のLDD領域24l上で終端されているものである。
【0060】
図7は、上部第一遮光膜27が外部電圧に接続された場合の断面図である。この接続方法では、例えば、この半導体装置が液晶表示装置に用いられた場合、マトリクス状に配置された画素電極間を引き回され、さらに駆動回路(周辺ドライバ)を駆動させるための外部電圧に接続される。
【0061】
この場合、図7(a)に示すように、各ゲート電極26上及び各ゲート電極26に隣接するそれぞれのLDD領域24lの全てを覆う形状、(b)ドレイン領域24d側のLDD領域24l以外の領域を覆う形状、(c)ソース領域24s側のLDD領域24l以外の領域を覆う形状に形成される。
【0062】
このように設けられた上部第一遮光膜27では、それぞれのゲート電極26上を併せて覆っているため、ゲート電圧に悪影響を及ぼさないように、上部第一遮光膜27は、外部のhigh電圧に接続されることが望ましい。
【0063】
図8は、上部第一遮光膜27を、駆動回路(周辺ドライバ)を駆動させるための外部電圧に接続した場合における、上部第一遮光膜27の電圧と画素欠陥個数との関係を調べた結果を示す図である。
【0064】
この図8に示されるように、上部第一遮光膜27の電圧が、特に、low電圧からコモン電圧の間にある場合には、ゲート電極26とオーバーラップしている上部第一遮光膜27の電位の影響により、ゲート電極26に印加される電圧が十分でなくなり、この影響により画素のオン不良が生じて、これに伴う画素欠陥が増大していることが示されている。
【0065】
一方、上部第一遮光膜27の電圧が、コモン電圧からhigh電圧の間にある場合には、上記の画素欠陥の発生は低減されている。この場合、ゲート電極26とオーバーラップしている上部第一遮光膜27とゲート電極26との間の距離(絶縁層膜厚)によっても電位の影響は変化するため、上部第一遮光膜27は、high電圧になっていることが望ましい。
【0066】
さらに、上記のように上部第一遮光膜27を外部電圧に接続する場合、データ線及びソース線に沿ってマトリクス状に配置された画素電極間に引き回して接続することが望ましい。例えば、ゲート線に沿って引き回した場合には、上述したように、上部第一遮光膜27の電位の影響によりゲート信号の遅延が生じ、表示領域全体が鮮明に品質良く表示することができなくなるおそれが強くなるためである。
【0067】
このように、上記の本発明の上部第一遮光膜27を接続すれば、半導体膜24の上部を2重の遮光構造を有するように形成しただけではなく、新たに設けた上部第一遮光膜27の電気的接続を最適化することができ、より効果的に遮光することができると共に、表示品質を左右するTFT特性を安定化することが可能となる。
【0068】
【発明の効果】
本発明の液晶表示装置では、半導体膜の上方に、活性層となるチャネル領域とLDD領域とを覆う直上の上部第1遮光膜と、ソース電極及びドレイン電極の上方に設けられた上部第2遮光膜とによる2重の遮光構造を有しているので、上部第2遮光膜を回り込んだ光(回折光)が上部第1遮光膜によって遮光することができるので、上部第1遮光膜を有しない従来構造の液晶表示装置に比較して遮光効果を高くすることができる。
【0069】
また、この上部第1遮光膜を、ソース電極及びドレイン電極の双方またはそのいずれかに接続するか、または、外部電圧に接続することによって、表示品質を左右するTFT特性を安定化することができる。
【0070】
このような上部第1遮光膜及び上部第2遮光膜の2重の遮光構造を有することによって、遮光膜幅を必要以上に大きく設けることなく効果的に入射光を遮光して、開口率を向上することができるので、小型で高精細な液晶表示装置を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に関する半導体装置のチャネル方向に沿う断面図である。
【図2】(a)〜(e)は、それぞれ、本発明の液晶表示装置に関する半導体装置を製造する方法を工程毎に説明する断面図である。
【図3】(a)〜(c)は、それぞれ、その半導体装置を製造する方法を工程毎に説明する断面図である。
【図4】本願発明者らが実際に行った波動光学シミュレーションに用いた半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図5】図4に示す半導体装置の活性領域(チャネル領域)へ入射される入射光量を、本発明の構成の半導体装置と従来の構成の半導体装置とを比較して示すグラフである。
【図6】上部第一遮光膜が、下層の半導体膜のソース領域あるいはドレイン領域に接続された場合の断面図である。
【図7】上部第一遮光膜が外部電圧に接続された場合の断面図である。
【図8】上部第一遮光膜を、駆動回路(周辺ドライバ)を駆動させるための外部電圧に接続した場合における、上部第一遮光膜の電圧と画素欠陥個数との関係を調べた結果を示す図である。
【図9】従来の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板に使用される半導体装置の概略構成を説明する断面図である。
【符号の説明】
20 半導体装置
21 透明基板
22 下部遮光膜
23 絶縁膜
24 半導体膜
25 ゲート絶縁膜
26 ゲート電極
27 上部第一遮光膜
28 層間絶縁膜
30 ソース電極
31 ドレイン電極
32 窒化膜
33 酸化膜
34 上部第二遮光膜
Claims (9)
- 透明基板上にマトリクス状に薄膜トランジスタを配置したアクティブマトリクス基板を一方の基板とする液晶表示装置において、
該アクティブマトリクス基板は、透明基板上に形成され、薄膜トランジスタのソース領域及びチャネル領域及びドレイン領域及びLDD領域となる所定の島状の半導体膜と、該半導体薄膜と該透明基板との間に、該透明基板の下方から該半導体膜に光が照射されることを防止するように形成された下部遮光膜と、薄膜トランジスタの活性層となる該半導体膜のチャネル領域及びLDD領域上の直上に設けられ、上方からの光の照射を防止する上部第1遮光膜と、該半導体膜のソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極上に配置され、該ソース電極及びドレイン電極の形状に対応して設けられた上部第2遮光膜と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記上部第1遮光膜は、ポリシリコン薄膜により形成される、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記上部第1遮光膜は、薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜のチャネル領域の上方を取り囲むように配置されている、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記上部第1遮光膜は、前記半導体膜のソース領域及びドレイン領域の双方またはいずれか一方に電気的に接続されている、請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記上部第1遮光膜は、前記半導体装置の外部に設置された外部電圧に電気的に接続され、該上部第1遮光膜の電位は該外部電圧の電位に固定される、請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記上部第1遮光膜は、前記外部電圧のhigh電圧に電位が固定されている、請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記上部第1遮光膜は、マトリクス状に配置された画素電極間に引き回されて前記外部電圧に接続されている、請求項5に記載の液晶表示装置。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の液晶表示装置を製造する方法であって、
透明基板上に下部遮光膜を形成する工程と、
該下部遮光膜が形成された透明基板の上方に、島状の半導体膜を形成する工程と、
該半導体膜に不純物を注入して、ソース領域及びドレイン領域及びチャネル領域及びLDD領域を形成する工程と、
該半導体膜の活性層となるチャネル領域とLDD領域とに光が照射されることを防止する上部第1遮光膜を形成する工程と、
該半導体膜のソース領域及びドレイン領域に電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
該ソース電極及びドレイン電極の上方に、該ソース電極及びドレイン電極の形状に対応した上部第2遮光膜を形成する工程と、
を包含することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記各工程におけるプロセス最高温度は、900〜1200℃の範囲である、請求項8に記載の液晶表示装置の製造方法。
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