JP4233307B2

JP4233307B2 - アクティブマトリクス基板および表示装置

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Publication number: JP4233307B2
Application number: JP2002320694A
Authority: JP
Inventors: 康守福島; 佳則樋上; 徹上田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2002-11-05
Filing date: 2002-11-05
Publication date: 2009-03-04
Anticipated expiration: 2022-11-05
Also published as: JP2004158518A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置および表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板に関し、特に、アクティブマトリクス基板の半導体素子が有する半導体層を遮光する構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置は、軽量、薄型および低消費電力などの利点から広く利用されている。特にアクティブマトリクス型液晶表示装置は、各画素毎にスイッチング素子を備えているため高精細で高品位の表示が可能である。
【０００３】
なお、本明細書において、アクティブマトリクス型液晶表示装置を構成する基板のうち、上記スイッチング素子が形成されている基板を「アクティブマトリクス基板」ということにする。アクティブマトリクス型液晶表示装置は、典型的には、アクティブマトリクス基板と対向基板とこれらの間に設けられた液晶層とを備える。アクティブマトリクス基板に形成された画素電極と、対向基板に形成された対向電極（共通電極）とによって液晶層に電圧を印加し、液晶層の配向状態を変化させ、液晶層を通過する光の偏光状態を制御することによって表示を行う。なお、アクティブマトリクス基板に画素電極（表示信号電極）と対向電極とを備えたＩＰＳモードの液晶表示装置もある。
【０００４】
現在、アクティブマトリクス型液晶表示装置のスイッチング素子として、アモルファスシリコン薄膜を用いたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が広く用いられている。最近では、アモルファスシリコン薄膜を６００℃程度以上の温度で熱処理するか、あるいはエキシマレーザー等の照射により再結晶化させるレーザー結晶化等により形成したポリシリコン薄膜を用いたＴＦＴも利用されつつある。ポリシリコン薄膜は、アモルファスシリコン薄膜よりも高い移動度を有し、画素ごとに設けられるＴＦＴ（画素用ＴＦＴ）だけでなく、画素を駆動するための駆動回路のＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）を形成することもできるので、駆動回路用ＴＦＴをアクティブマトリクス基板上に一体に形成できる利点がある。
【０００５】
液晶表示装置は、自発光型の表示装置ではないので、何らかの照明装置（光源）が必要である。例えば、透過型液晶表示装置の場合、液晶パネルの背後に照明装置（バックライト等）を配置して、液晶パネルに入射する光によって表示を行う。あるいは、プロジェクター（投影型表示装置）等では、メタルハライドランプ等の光源を用い、レンズ系と液晶表示パネルとを組み合わせて投影表示する。なお、反射型の場合、外部からの入射光を反射電極（または反射層）により反射させることで表示を行っている。また、最近は、画素毎に透明電極と反射電極とを備えた透過・反射両用型（「半透過型」と呼ばれることもある。）液晶表示装置が携帯電話等の表示装置として利用されている。
【０００６】
アモルファスシリコンやポリシリコン等の半導体に光が照射され、光吸収が起こると導電帯に電子、価電子帯には正孔が励起されて電子―正孔対が生成され、いわゆる光電効果（内部光電効果）が起こる。従って、ＴＦＴの半導体層（チャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を含む。）に光が照射されると、電子―正孔対に起因した光電流が発生し、ＴＦＴのオフ時のリーク電流を増大させることになり、表示のコントラスト比等を劣化させるなどの問題を引き起こす。
【０００７】
透過型（半透過型を含む）液晶表示装置の場合、ＴＦＴはバックライトからの直接の光に晒されるだけでなく、バックライト以外の方向からの間接的な入射光がＴＦＴに到達する可能性がある。また、プロジェクターなどの場合では、一旦液晶表示装置を通過した光がレンズ系等での反射によりＴＦＴに戻ってくることがある。これらの入射光がＴＦＴに到達しないよう、ＴＦＴの上方や下方に光を遮るための遮光層を配置し、リーク電流の低減を図っている。なお、反射型液晶表示装置においては、ＴＦＴを覆うように反射電極を配置すれば、外部からの入射光が直接、ＴＦＴの半導体層に到達することを防止できるので、上述の問題が起こりにくい。
【０００８】
近年、透過型液晶表示装置については、アクティブマトリクス基板に対して垂直に入射する光だけでなく、斜め方向からＴＦＴの半導体層へ入射する光による光リーク電流を抑制するために、いろいろな遮光構造が提案されている。
【０００９】
例えば、特許文献１には、図６（ａ）に示すような遮光構造が開示されている。図６に示す構成では、半導体層６４の下に絶縁層６３を介して遮光層６２を配置し、さらに、絶縁層６５を介して半導体層６４を覆うメタル電極層６７を絶縁層６３および６５に設けた溝６６内にまで延設している。
【００１０】
また、特許文献２には、図７（ａ）に示すような遮光構造が開示されている。図７（ａ）に示す構成では、半導体層７４の下に絶縁層７３を介して遮光層７２を設け、絶縁層７３に形成したダミーコンタクトホール７６の側壁に導電材料（ここではゲート電極材料）からなる層を形成している。すなわち、図示の例では、絶縁層７３上に半導体層７４およびゲート絶縁層７５を形成した後、ゲート電極（不図示）をゲート絶縁層７５上に形成する前に、絶縁層７３にダミーコンタクホール７６を形成し、続いてゲート電極層（ゲート電極およびゲート配線を含む）を形成する工程で、ダミーコンタクトホール７６の側壁に遮光性を有する層を形成している。なお、特許文献２には、ダミーコンタクトホール７６の側壁に設ける遮光性の膜をソース電極層（ソース電極およびソース配線を含む）を用いる方法も開示されている。
【００１１】
【特許文献１】
特開２０００−９１５８１号公報
【特許文献２】
特開２０００−３５６７８７号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来例では、以下のような問題がある。
【００１３】
特許文献１に開示されている構成では、図６（ａ）に示したように、メタル電極層６７の下の絶縁層６５および絶縁層６３を貫通する溝６６が形成されている。通常、メタル電極層６７の下の絶縁層６５の厚さは通常０．５μｍ〜１．５μｍ程度が必要であると考えられる。これは、半導体層６４上に形成されるゲート電極層とメタル電極層６７と間に十分な絶縁性を得るため、およびメタル電極層６７の配線容量の増大を防ぐためである。また、絶縁層６３の厚さは、半導体層６４と遮光層６２との間に十分な絶縁性を得るために、０．５μｍ〜１μｍ程度とされる。従って、絶縁層６３および６５を貫通する溝６６の深さは、１μｍ〜２．５μｍとなる。
【００１４】
深さが１μｍ以上ある溝６６の底部分（透明基板６１の表面が露出されている部分）でメタル電極層６７をパターニングすると、図６（ｂ）に示すように、メタル電極層６７を残さない側の溝の側壁部分にサイドウォール７０が残ってしまうことがある。また、スパッタリング法等により金属材料（例えばＡｌ）を堆積する場合、アスペクト比（溝の幅に対する溝の深さの比）の大きな溝６７の底部分では金属材料の被覆性が悪くなるため、図６（ｃ）に示すように、溝６７の底部分では金属材料の膜厚が薄くなる。アスペクト比が大きくなるほど、この傾向は顕著になる。従って、金属材料をスパッタリング法等により溝６６の側壁に被覆性良く形成するには、アスペクト比が０．５〜１程度となるように溝６６の幅を広くする必要があり、そうすると、サイドウォール７０はメタル電極層６７の側壁から１μｍ〜２μｍ以上離れたところに形成される。このような位置に形成されたサイドウォール７０は、画素開口率の低下の要因となる。
【００１５】
特許文献２に開示されている構成のうち、図７（ａ）に示したように、ゲート電極層を利用してダミーコンタクトホール７６に遮光層を形成する構成を採用すると、チャネル領域以外の半導体層７４上にはゲート電極層を残すことが出来ないため、半導体層７４とデータ線７７との間には遮光層が形成されず、斜め上方向から入射する光が半導体層７４へ届いてしまう問題がある。特に、リーク電流低減のためにチャネル領域に隣接して低濃度不純物領域を有するＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ）構造のＴＦＴでは、ＬＤＤ部分での光電変換効果が大きいため、ＬＤＤ部分の遮光が不十分の場合に、光リーク電流が増大する問題がある。絶縁層７７上に幅の広いブラックマトリクス７８を形成することによって、斜め上方向からの入射光を効果的に遮光できるが、開口率が低下する問題がある。
【００１６】
また、特許文献２に開示されているソース電極層７７を利用してダミーコンタクトホール７５に遮光層８０を形成する構成を採用し、ダミーコンタクトホール（溝）７５の深さが１μｍ程度以上に対して、溝７５の幅を狭く（例えば０．５μｍ程度）とすると、上述しようにスパッタリング法などによりソース電極材料を堆積した場合には、図７（ｂ）に模式的に示すように、溝７５の入り口付近に先に遮光層８０が形成され、溝７５の底付近に電極材料が供給されず、空洞が形成されるため、溝７５の底部分の側壁に電極材料が堆積されなくなると予想される。従って、上述した特許文献１に記載されている構成と同様に、１μｍ以上の深い溝に電極材料を被覆性良く形成するには、溝７５の幅を１μｍ〜２μｍ程度以上に広くとることが必要となり、結果として、開口率の低下を引き起こすことになる。
【００１７】
ここでは、液晶表示装置を例に従来のアクティブマトリクス型表示装置における遮光構造の問題を説明したが、上記の問題は液晶表示装置に限られず、例えば電気泳動型表示装置など自発光型でない他の表示装置においても問題となる。
【００１８】
本発明は、かかる諸点に鑑みてなされたものであり、スイッチング素子の半導体層に入射する光を効果的に遮光し、かつ、開口率の低下を抑制したアクティブマトリクス型表示装置およびそれに用いられるアクティブマトリクス基板を提供することを目的としている。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明のアクティブマトリクス基板は、基板上に複数の半導体素子が形成されたアクティブマトリクス基板であって、前記複数の半導体素子のそれぞれが形成された半導体素子部が、基板上に形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成された半導体層と、前記半導体層上に絶縁膜を介して形成された第１電極層と、前記第１電極層および前記半導体層を覆う第２絶縁層と、前記第１および前記第２絶縁層上に形成され、前記半導体層の少なくとも一部を覆う第１遮光層と、前記第１遮光層上に形成された第３絶縁層と、前記第３絶縁層上に形成された第２電極層とを有し、前記半導体層の周縁部には、前記第１および第２絶縁層を含む絶縁性積層膜が形成されており、前記絶縁性積層膜は前記半導体層の周縁の近傍に溝を有し、前記溝の底部は前記第２絶縁層よりも下部に位置し、前記第１遮光層は前記半導体層上から前記溝の底部まで延設されていることを特徴とし、そのことによって上記目的が達成される。
【００２０】
ある好ましい実施形態において、前記半導体層の下部の前記基板と前記第１絶縁層との間に第２遮光層を更に有し、前記第２遮光層は周縁部の少なくとも一部が前記溝と重なるように配置されている。
【００２１】
前記溝は前記絶縁性積層膜を貫通しており、前記第１遮光層は前記溝内で前記第２遮光層と接触してもよい。あるいは、前記溝の底部は前記第１絶縁層内に形成され、前記第２遮光層と接触しなくてもよい。
【００２２】
ある好ましい実施形態において、前記第２電極層上に形成された第４絶縁層と、前記第４絶縁層上に形成された第３遮光層とを更に有し、前記第３遮光層は前記半導体層の少なくとも一部と重なるように配置されている。
【００２３】
ある好ましい実施形態において、前記第１電極層はゲート電極層であって、前記第２電極層はソース電極とドレイン電極とを含む。
【００２４】
前記１遮光層は、前記ゲート上で２つに分割されたソース側遮光部とドレイン側遮光部とを有し、前記ソース側遮光部および前記ドレイン側遮は、前記ゲート電極と部分的に重なるように配置されてもよい。
【００２５】
前記第１遮光層は導電性を有し、前記ソース側遮光部と前記ソース電極、および／または前記ドレイン側遮光部と前記ドレイン電極とが、互いに電気的に接続されてもよい。
【００２６】
ある好ましい実施形態において、前記複数の半導体素子のそれぞれはＬＤＤ構造を有している。
【００２７】
前記半導体層は、ソース側高濃度領域／ソース側低濃度領域／チャネル領域／ドレイン側低濃度領域／ドレイン側高濃度領域を有し、前記第１遮光層は前記ソース側低濃度領域／前記チャネル領域／前記ドレイン側低濃度領域を少なくとも覆い、前記溝は、前記ソース側低濃度領域／前記チャネル領域／前記ドレイン側低濃度領域の近傍に形成されていることが好ましい。
【００２８】
前記第１遮光層、および／または前記第２遮光層、および／または前記第３遮光層は、少なくとも１枚の導電膜から形成され得る。すなわち、遮光層は、単一の導電膜からなる単層構造であってもよいし、複数の導電膜を含む多層構造であってもよい。
【００２９】
前記少なくとも１枚の導電膜は、ポリシリコン、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＭｏＳｉ₂、ＴａＳｉ₂、ＷＳｉ₂、ＣｏＳｉ₂、ＮｉＳｉ₂、ＰｔＳｉ、Ｐｄ₂Ｓ、ＨｆＮ、ＺｒＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＴｉＣ、ＴａＣおよびＴｉＢ₂から構成される群から選択された少なくとも１つの材料から形成されていることが好ましい。
【００３０】
前記半導体層は、非晶質シリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコンで形成されていることが好ましい。
【００３１】
本発明の表示装置は、上記のいずれかのアクティブマトリクス基板と表示媒体層とを備えたことを特徴とする。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態による表示装置の構成を説明する。ここでは、ＭＩＳ（ＭｅｔａｌＩｎｓｕｌａｔｏｒＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子とし備えるアクティブマトリクス型の液晶表示装置を例に説明するが、本発明はこれに限定されない。
【００３３】
図１は本発明による実施形態のアクティブマトリクス基板の半導体素子が形成された部分（半導体素子部）を模式的に示す断面図である。
【００３４】
このアクティブマトリクス基板の半導体素子部は、基板１ａ上に形成された第１絶縁層３ａと、第１絶縁層３ａ上に形成された半導体層４ａと、半導体層４ａ上に形成された第１電極層５ａと、第１電極層５ａおよび半導体層４ａを覆う第２絶縁層６ａと、第１絶縁層３ａおよび第２絶縁層６ａ上に形成され、半導体層４ａの少なくとも一部を覆う第１遮光層８ａと、第１遮光層８ａ上に形成された第３絶縁層９ａと、第３絶縁層９ａ上に形成された第２電極層１１ａとを有する。半導体層４ａの周縁部には、第１絶縁層３ａおよび第２絶縁層６ａを含む絶縁性積層膜が形成されており、絶縁性積層膜は半導体層４ａの周縁の近傍に溝７ａを有し、溝７ａの底部は第２絶縁層６ａよりも下部に位置し、第１遮光層８ａは半導体層４ａ上から溝７ａの底部まで延設されている。
【００３５】
このアクティブマトリクス基板は、さらに、半導体層４ａの下部の基板１ａと第１絶縁層３ａとの間に第２遮光層２ａを更に有し、第２遮光層２ａは周縁部の少なくとも一部が溝７ａと重なるように配置されている。また、このアクティブマトリクス基板は、第２電極層１１ａ上に形成された第４絶縁層１２ａと、第４絶縁層１２ａ上に形成された第３遮光層１３ａとを有し、第３遮光層１３ａは半導体層１１ａの少なくとも一部と重なるように配置されている。なお、アクティブマトリクス基板の配置や表示装置の構成によっては、第２遮光層２ａおよび第３遮光層１３ａのいずれか一方、または、両方を省略しても良い。
【００３６】
本発明の実施形態によるアクティブマトリクス基板は、上述のような構成を有しているので、上述した従来の構成よりも半導体層４ａの近くに第１遮光層（「中間遮光層」ということもある。）８ａを配置することが可能になるので開口率の低下が少なく、上斜め方向から入射する光ＬＡを遮光できると共に、溝７ａの側壁に形成された第１遮光層８ａによって下斜め方向からの光ＬＢをも遮光することが可能できる。ここで、第１遮光層８ａは、図１に示したように、溝７ａの両側の側面を覆うように形成することが好ましいが、少なくとも溝７ａの底部まで延設されていれば、実用上十分な遮光効果が得られる場合もある。
【００３７】
また、ここで例示しているＴＦＴはトップゲート型であり、第１電極層５ａはゲート電極層（ゲート電極およびゲート配線を含み、同一工程で形成される電極層）であって、第２電極層１１ａはソース電極とドレイン電極とを含むソース電極層である（ソース電極、ソース配線およびドレイン電極を含み、同一工程で形成される電極層）。なお、図１に示されている第１電極層５ａはゲート電極であり、第２電極層１１ａはソース配線である。第１電極層（ゲート電極）５ａと半導体層４ａとの間には絶縁層（ゲート絶縁層）５ｂが設けられている。
【００３８】
典型的には、第２絶縁層６ａの厚さは０．１μｍ〜０．３μｍとすることができるので、溝７ａの深さは０．６μｍ〜１．３μｍ程度となり、従来の約半分となるので、溝７ａの幅もそれに応じて狭く形成しても第１遮光層８ａを被覆性良く形成することが可能となる。その結果、開口率の低下を極力抑えることができる。
【００３９】
ここでは、溝７ａの底部は第１絶縁層３ａ内に形成されており、第１遮光層８ａと第２遮光層２ａとは接触していない構成を例示しているが、溝７ａが第１絶縁層３ａを貫通し、第１遮光層８ａが溝７ａ内で第２遮光層２ａと接触する構成としても良い。第１遮光層８ａと第２遮光層２ａとは接触していない構成を採用すると、第１遮光層８ａと第２遮光層２ａとに印加する電圧の自由度を高めることができる。逆に、第１遮光層８ａが溝７ａ内で第２遮光層２ａと接触する構成を採用すると、半導体層４ａに入射する光をさらに低減することができる。いずれの構成を採用するかは用途等に応じて適宜選択される。
【００４０】
また、後に具体的に示すように、第１遮光層８ａをゲート電極５ａ上でソース側遮光部とドレイン側遮光部とに２つに分割してもよい。この構成により、ソース側とドレイン側とに独立に電圧を印加することができ、例えば、ソース側遮光部およびドレイン側遮光部の少なくとも一方に互いに独立に電圧を印加することによって、第１遮光層８ａの形成に伴う容量増大を抑制することができる。このとき、ソース側遮光部およびドレイン側遮光部は、ゲート電極と部分的に重なるように配置することが遮光性の観点から好ましい。
【００４１】
ＴＦＴのリーク電流を低減するために、ＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ）構造を採用しても良い。このとき、第１遮光層８ａは、ソース側低濃度領域／チャネル領域／ドレイン側低濃度領域を少なくとも覆い、溝７ａは、ソース側低濃度領域／チャネル領域／ドレイン側低濃度領域の近傍に形成することが好ましい。半導体層４ａのこれらの領域に光が照射されると、リーク電流が顕著に増加するので、これらの領域を遮光することが好ましい。
【００４２】
第１遮光層８ａ、第２遮光層２ａおよび第３遮光層１３ａを導電性を有する材料で形成すると、後に例示するように、各層の電位を制御できる利点や、導電層を形成する材料と共通化できるなどの利点が得られるが、導電性を有しない材料を用いても良い。
【００４３】
遮光層の形成に用いられる導電性を有する好ましい材料としては、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、ＣｒおよびＮｉなどの金属、ポリシリコン等の半導体、ＭｏＳｉ₂、ＴａＳｉ₂、ＷＳｉ₂、ＣｏＳｉ₂、ＮｉＳｉ₂およびＰｔＳｉなどの金属シリサイド、さらに、Ｐｄ₂Ｓ、ＨｆＮ、ＺｒＮ、ＴｉＮ、ＴＡＮ、ＮｂＮ、ＴｉＣ、ＴａＣおよびＴｉＢ₂などの金属化合物を例示することができる。遮光層は、単層構造であっても良いし、多層構造であってもよい。上記の材料は、成膜が容易であり、かつ遮光性に優れている。半導体層は、非晶質シリコン、多結晶シリコン、および単結晶シリコンなど汎用の半導体材料を用いて形成される。
【００４４】
図１に示したアクティブマトリクス基板は、液晶表示装置に好適に用いられ、典型的には図１中の基板１の下方にバックライト（または光源）が配置されるが、これに限られず、基板１を観察者側（または投影光学系側）に配置してもよい。
【００４５】
（実施形態１）
図２（ａ）に示すように、ガラスあるいは石英などの透明基板１上にＴＦＴの下部遮光層（第２遮光層）となる遮光層をＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等により堆積し、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程を経て、下部遮光層２を形成する。遮光層としては、金属膜（Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ）やポリシリコンなどの単層膜、ＭｏＳｉ₂、ＴａＳｉ₂、ＷＳｉ₂、ＣｏＳｉ₂、ＮｉＳｉ₂、ＰｔＳｉ、Ｐｄ₂Ｓ、ＨｆＮ、ＺｒＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＴｉＣ、ＴａＣ、ＴｉＢ₂やそれらを組み合わせたものなど遮光効果のある材料が用いられる。
【００４６】
次に、図２（ｂ）に示すように、全面にＳｉＯ₂膜等の絶縁層３を堆積する。膜厚は２００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度、例えば５００ｎｍ程度とする。なお、下部遮光層２の形成により半導体層の下方からの光を遮ることができるが、半導体層の下方からの光によるリーク電流増大の影響が大きく無い場合には、下部遮光層形成を必ずしも行う必要はない。
【００４７】
次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁層３上にトランジスタの活性層（半導体層）４を形成する。活性層はＳｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ等の半導体から形成され、非晶質、多結晶、単結晶などの形態であってよい。例えば、多結晶シリコンの場合、一般的には、絶縁層３上に非晶質シリコン薄膜を５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の膜厚でＣＶＤ等により堆積した後、高温での熱処理または、レーザー光照射により多結晶化させる。その後フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程によりパターニングを行い、所定の形状の活性層４を形成する。この後、しきい値電圧制御のため不純物イオン注入を行っても良い。
【００４８】
図２（ｄ）に示すように、活性層４の上にゲート絶縁層５を５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度、例えば１００ｎｍ形成する。ゲート絶縁層５はＣＶＤによる堆積、あるいは酸化、またはその両方等により形成する。続いて、ゲート絶縁層５上にゲート電極６を形成する。
【００４９】
次に、図２（ｅ）に示すように、ゲート電極６をマスクにしてＮ型低濃度不純物（リン、砒素等）を５×１０¹²〜１×１０¹⁴ｃｍ^-2程度のドーズ量でイオン注入により活性層４に注入し、低濃度不純物領域７および８を形成する。ゲート電極６下の部分はチャネル領域９となる。
【００５０】
次に、図２（ｆ）に示すように、フォトレジストでマスク１０を形成した後、Ｎ型高濃度不純物（リン、砒素等）をドーズ量１×１０¹⁵〜５×１０¹⁵ｃｍ^-2で活性層４に注入し、低濃度不純物領域７および８の外側にソース側高濃度不純物領域１１、ドレイン側高濃度不純物領域１２を形成する。チャネル領域９とソース側高濃度不純物領域１１、ドレイン側高濃度不純物領域１２の間に低濃度不純物領域７および８を形成し、ＬＤＤ構造とすることにより、チャネル−ドレイン間の電界強度を弱め、その結果、リーク電流を低減する効果が得られる。低濃度不純物領域を形成する工程は必ずしも行う必要は無い。
【００５１】
続いて、図２（ｇ）に示すように、マスク１０を除去した後、ＣＶＤ等により、層間絶縁層１３を１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度堆積する。この後、層間絶縁層１３の下部遮光層２上の部分に溝１４（破線で示す）を形成する。溝１４は、中間遮光層を下部遮光層２と同一電位とする場合は、下部遮光層２まで到達する深さまで形成する。ここでは、下部遮光層２に到達しない溝１４を形成する場合を説明する。溝１４（すなわち、これを埋めるように形成される中間遮光層１５（図３（ｃ）参照））が下部遮光層２に到達しない構成を採用すると、中間遮光層１５の電位を下部遮光層２と独立に設定することが可能となる。
【００５２】
図３（ａ）には、図２（ｇ）のＡ−Ａ’の断面図を示す。ここでは、半導体層４の低濃度不純物領域７および８を囲うように溝１４を形成している。溝１４の深さは下部遮光層２に達しないように形成している。
【００５３】
また、後で形成する中間遮光層１５が溝１４の側壁を十分に被覆するようにアスペクト比が０．５から１の範囲となるように溝１４の幅を設定する。例えば、絶縁層３の膜厚が５００ｎｍ、ゲート絶縁層５の膜厚が１００ｎｍ、層間絶縁層１３の膜厚が２００ｎｍの場合、溝１４の幅を０．５μｍ〜１μｍとする。
【００５４】
図３（ｂ）は、図２（ｇ）および図３（ａ）を上から見た図を示す。溝１４は半導体層４に沿って形成され、ソース側高濃度不純物領域１１と低濃度不純物領域７の境界部分、低濃度不純物領域７、低濃度不純物領域７とチャネル領域９の境界部分、チャネル領域９と低濃度不純物領域８の境界部分、低濃度不純物領域８、低濃度不純物領域８とドレイン側高濃度不純物領域１２の境界部分を囲うようにしている。
【００５５】
続いて、図３（ｃ）に示すように、中間遮光層１５となる遮光層をＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等により堆積し、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程を経て、中間遮光層（第１遮光層）１５を形成する。遮光層としては、金属膜（Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ）やポリシリコンなどの単層膜、ＭｏＳｉ₂、ＴａＳｉ₂、ＷＳｉ₂、ＣｏＳｉ₂、ＮｉＳｉ₂、ＰｔＳｉ、Ｐｄ₂Ｓ、ＨｆＮ、ＺｒＮ、ＴｉＮ、ＴＡＮ、ＮｂＮ、ＴｉＣ、ＴａＣ、ＴｉＢ₂やそれらを組み合わせたものなど遮光効果のある材料が用いられる。
【００５６】
遮光層１５は少なくとも、ソース側高濃度不純物領域１１と低濃度不純物領域７の境界部分、低濃度不純物領域７、低濃度不純物領域７とチャネル領域９の境界部分、チャネル領域９と低濃度不純物領域８の境界部分、低濃度不純物領域８、低濃度不純物領域８とドレイン側高濃度不純物領域１２の境界部分を覆うように形成することが好ましい。これらの領域に光が照射されると、光リーク電流が顕著に増加するので、少なくともこれらの領域を遮光することが好ましい。
【００５７】
また、中間遮光層１５はゲート電極（ゲート電極層）６の段差に沿ってＬ字型に形成されているため、ゲート電極層が無い部分での中間遮光層１５と半導体層４との間隔が広がることがないので、斜め方向から入射する光を効果的に遮光することが出来る。
【００５８】
図３（ｃ）の断面Ａ−Ａ’を図３（ｄ）に示す。溝１４が下部遮光層２の上に配置され、溝１４の内壁に中間遮光層１５が被覆性良く形成されるため、斜め下方からの光を効果的に遮光できる。
【００５９】
次に図４（ａ）に示すように、全面に絶縁層を例えば６００ｎｍ程度堆積し、層間絶縁層１６を形成する。続いてソース側高濃度不純物領域１１、ドレイン側高濃度不純物領域１２上に電極取り出し用のコンタクトホール１７を開口し、Ａｌ等の金属材料からなるソース電極１８およびドレイン電極１９を形成する。ソース電極１８およびドレイン電極１９は、ソース配線（不図示）と共に同一の工程で形成され、これらをまとめて、ソース電極層またはデータ電極層ということもある。
【００６０】
なお、層間絶縁層１６をＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅｇｌａｓｓ）で形成し、その後高温８５０℃〜９５０℃程度で熱処理する、あるいはＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）処理する等により平坦化を行ってもよい。
【００６１】
次に、図４（ｂ）に示すように、全面に窒化膜２０を堆積し、パッシベーション膜を形成した後、水素化処理を行う。続いて、ＳｉＯ₂などの層間絶縁層を堆積した後、エッチバックあるいはＣＭＰ等により平坦化を行い、層間絶縁層２１を形成する。
【００６２】
次に、図４（ｃ）に示すように、トランジスタの上部遮光層（第３遮光層）２２となる遮光層をＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等により堆積し、パターニングすることにより、上部遮光層２２を形成する。遮光層としては、金属膜（Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ）やポリシリコンなどの単層膜、ＭｏＳｉ₂、ＴａＳｉ₂、ＷＳｉ₂、ＣｏＳｉ₂、ＮｉＳｉ₂、ＰｔＳｉ、Ｐｄ₂Ｓ、ＨｆＮ、ＺｒＮ、ＴｉＮ、ＴＡＮ、ＮｂＮ、ＴｉＣ、ＴａＣ、ＴｉＢ₂やそれらを組み合わせたものなど遮光効果のある材料が用いられる。なお、中間遮光層１５により半導体層４の上方からの光の遮光が十分な場合、上部遮光層を形成してもしなくても良い。
【００６３】
この後、図示しないが、絶縁層を形成した後、その絶縁層にコンタクトホールを形成し、ドレイン電極１９に電気的に接続された画素電極を例えばＩＴＯ等の透明導電材料を用いて形成する。
【００６４】
図４（ｄ）には、図４（ｃ）のＡ−Ａ’断面を示す。中間遮光層１５が斜め上方から入射する光ＬＡおよび斜め下方からの光ＬＢを遮ることにより活性層４の低濃度不純物領域７に光が届かないので、光リーク電流が発生することを抑制できる。
【００６５】
（実施形態２）
図５に、本発明の他の実施形態によるアクティブマトリクス基板の半導体素子部の断面図を模式的に示す。
【００６６】
上述の実施形態１のアクティブマトリクス基板と同様に層間絶縁層１３を形成した後、ソース側高濃度不純物領域１１、ドレイン側高濃度不純物領域１２上に各々コンタクトホール３１、３２を形成し、続いて中間遮光層を形成する。ここでは、中間遮光層をパターニングする際に、ゲート電極６上２つに分割し、ソース電極側の中間遮光部３３およびドレイン電極側の中間遮光部３４を形成する。
【００６７】
その後、ソース電極側の中間遮光層３３にソース電極１８、ドレイン電極側の中間遮光層３４にドレイン電極１９を電気的に接続する。
【００６８】
このような構成を採用すると、ソース側中間遮光部３３とドレイン側中間遮光部３４とに独立に電圧を印加する自由度が得られる。
【００６９】
なお、コンタクトホール３１、３２を形成せずに、ソース側中間遮光部３３およびドレイン側中間遮光部３４の各々の電位をソース電位およびドレイン電位に固定せずに、別の電位に固定してもよいし、あるいは固定しなくてもよい。もちろん、ソース側中間遮光部３３およびドレイン側中間遮光部３４のどちらか一方のみをソース電位またはドレイン電位に固定してもよい。
【００７０】
実施形態１および２のアクティブマトリクス基板を用いて、公知の製造方法に従って液晶パネルを製造することができる。得られた液晶パネルは、直視型の透過型液晶表示装置や投影型液晶表示装置に好適に用いられる。特に、実施形態で例示したように、上部および下部遮光層と共に中間遮光層を設けることによって、極めて遮光性能の優れた液晶パネルが得られるので、強い光が照射される投影型表示装置に好適に用いられる。
【００７１】
【発明の効果】
本発明によると、スイッチング素子の半導体層に入射する光を効果的に遮光し、かつ、開口率の低下を抑制したアクティブマトリクス型表示装置およびそれに用いられるアクティブマトリクス基板が提供される。
【００７２】
本発明は、透過型液晶表示装置、透過・反射両用型液晶表示装置および投影型液晶表示装置や電気泳動型表示装置など非自発光型表示装置に好適に適用される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態によるアクティブマトリクス基板の半導体素子部を模式的に示す断面図である。
【図２】（ａ）から（ｇ）は、本発明の実施形態１によるアクティブマトリクス基板の半導体素子部の製造工程を説明するための模式図である。
【図３】（ａ）から（ｄ）は、本発明の実施形態１によるアクティブマトリクス基板の半導体素子部の他の製造工程を説明するための模式図である。
【図４】（ａ）から（ｄ）は、本発明の実施形態１によるアクティブマトリクス基板の半導体素子部の他の製造工程を説明するための模式図である。
【図５】本発明の実施形態２によるアクティブマトリクス基板の半導体素子部を模式的に示す断面図である。
【図６】（ａ）から（ｃ）は、従来のアクティブマトリクス基板の半導体素子部を模式的に示す断面図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、従来の他のアクティブマトリクス基板の半導体素子部を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１ａ基板
２ａ第２遮光層（下部遮光層）
３ａ第１絶縁層
４ａ半導体層
５ａ第１電極層
５ｂ絶縁層（ゲート絶縁層）
６ａ第２絶縁層
７ａ溝
８ａ第１遮光層（中間遮光層）
９ａ第３絶縁層
１１ａ第２電極層
１２ａ第４絶縁層
１３ａ第３遮光層（上部遮光層）
１透明基板
２下部遮光層
３絶縁層
４活性層
５ゲート絶縁層
６ゲート電極
７、８低濃度不純物領域（ＬＤＤ）
９チャネル領域
１０フォトレジストから形成されたマスク
１１ソース領域
１２ドレイン領域
１３層間絶縁層
１４溝
１５中間遮光層
１６層間絶縁層
１７コンタクトホール
１８ソース電極
１９ドレイン電極
２０窒化膜
２１層間絶縁層
２２上部遮光層
３１、３２コンタクトホール
３３ソース電極側の中間遮光層
３４ドレイン電極側の中間遮光層
６１透明基板
６２遮光層
６３絶縁層
６４半導体層
６５絶縁層
６６溝
６７メタル電極層
７０サイドウォール
７１透明基板
７２遮光層
７３絶縁層
７４半導体層
７５ダミーコンタクトホール
７６ダミーコンタクトホール
７７絶縁層
７８データ線
７９ブラックマトリクス

Claims

基板上に複数の半導体素子が形成されたアクティブマトリクス基板であって、前記複数の半導体素子のそれぞれが形成された半導体素子部が、
基板上に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成された、ソース領域、チャネル領域およびドレイン領域を有する半導体層と、
前記半導体層上に絶縁膜を介して形成された第１電極層と、
前記第１電極層および前記半導体層を覆う第２絶縁層と、
前記第１および前記第２絶縁層上に形成され、前記第１電極層と少なくとも部分的に重なり、且つ、前記半導体層の少なくとも、前記チャネル領域の一部から前記ソース領域の一部に至る部分と前記チャネル領域の一部から前記ドレイン領域の一部に至る部分を覆う第１遮光層と、
前記第１遮光層上に形成された第３絶縁層と、
前記第３絶縁層上に形成された第２電極層とを有し、
前記半導体層の周縁部には、前記第１および第２絶縁層を含む絶縁性積層膜が形成されており、前記絶縁性積層膜は前記半導体層の周縁の近傍に溝を有し、前記溝の底部は前記第２絶縁層よりも下部に位置し、前記第１遮光層は前記半導体層上から前記溝の底部まで延設されており、
前記第１電極層はゲート電極層であって、前記第２電極層はソース電極とドレイン電極とを含み、前記第２絶縁層の厚さは、０．１μｍ〜０．３μｍである、アクティブマトリクス基板。
前記半導体層の下部の前記基板と前記第１絶縁層との間に第２遮光層を更に有し、前記第２遮光層は周縁部の少なくとも一部が前記溝と重なるように配置されている、請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
前記溝は前記絶縁性積層膜を貫通しており、前記第１遮光層は前記溝内で前記第２遮光層と接触している、請求項２に記載のアクティブマトリクス基板。
前記溝の底部は前記第１絶縁層内に形成されている、請求項２に記載のアクティブマトリクス基板。
前記第２電極層上に形成された第４絶縁層と、前記第４絶縁層上に形成された第３遮光層とを更に有し、前記第３遮光層は前記半導体層の少なくとも一部と重なるように配置されている、請求項１から４のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
前記第１遮光層は、前記ゲート電極上で２つに分割されたソース側遮光部とドレイン側遮光部とを有し、前記ソース側遮光部および前記ドレイン側遮光部は、前記ゲート電極と部分的に重なるように配置されている、請求項１から５のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
前記第１遮光層は導電性を有し、前記ソース側遮光部と前記ソース電極、および／または前記ドレイン側遮光部と前記ドレイン電極とが、互いに電気的に接続されている、請求項６に記載のアクティブマトリクス基板。
前記複数の半導体素子のそれぞれはＬＤＤ構造を有している、請求項１から７のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
前記半導体層は、ソース側高濃度領域／ソース側低濃度領域／チャネル領域／ドレイン側低濃度領域／ドレイン側高濃度領域を有し、前記第１遮光層は前記ソース側低濃度領域／前記チャネル領域／前記ドレイン側低濃度領域を少なくとも覆い、前記溝は、前記ソース側低濃度領域／前記チャネル領域／前記ドレイン側低濃度領域の近傍に形成されている、請求項８に記載のアクティブマトリクス基板。
前記第１遮光層、および／または前記第２遮光層は、少なくとも１枚の導電膜から形成されている、請求項１から９のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
前記少なくとも１枚の導電膜は、ポリシリコン、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＭｏＳｉ₂、ＴａＳｉ₂、ＷＳｉ₂、ＣｏＳｉ₂、ＮｉＳｉ₂、ＰｔＳｉ、Ｐｄ₂Ｓ、ＨｆＮ、ＺｒＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＴｉＣ、ＴａＣおよびＴｉＢ₂から構成される群から選択された少なくとも１つの材料から形成されている、請求項１０に記載のアクティブマトリクス基板。
前記半導体層は、非晶質シリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコンで形成されている請求項１から１１のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
請求項１から１２のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板と表示媒体層とを備えた表示装置。