JP6597768B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 339
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 123
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 113
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 80
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 53
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 26
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 16
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 12
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 8
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N silicon tungsten Chemical compound [Si].[W] WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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Description
図1は、本発明を適用した電気光学装置100の平面図である。図2は、図1に示す電気光学装置100の断面図である。図1および図2に示すように、電気光学装置100では、素子基板10と対向基板20とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされており、素子基板10と対向基板20とが対向している。シール材107は対向基板20の外縁に沿うように枠状に設けられており、素子基板10と対向基板20との間でシール材107によって囲まれた領域に液晶層等の電気光学層80が配置されている。従って、電気光学装置100は液晶装置として構成されている。シール材107は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。素子基板10および対向基板20はいずれも四角形であり、電気光学装置100の略中央には、表示領域10aが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材107も略四角形に設けられ、シール材107の内周縁と表示領域10aの外周縁との間には、矩形枠状の周辺領域10bが設けられている。
図3は、図1に示す電気光学装置100の電気的構成を示すブロック図である。図3において、電気光学装置100は、VAモードの液晶パネル100pを備えており、液晶パネル100pは、その中央領域に複数の画素100aがマトリクス状に配列された表示領域10aを備えている。液晶パネル100pにおいて、図1および図2等を参照して説明した素子基板10では、表示領域10aの内側に、第1方向Xに延在する複数の走査線3aと、第2方向Yに延在する複数のデータ線6aとが形成されており、複数の走査線3aと複数のデータ線6aとの各交差に対応して複数の画素100aが構成されている。複数の走査線3aは、走査線駆動回路104に電気的に接続され、複数のデータ線6aは、データ線駆動回路101に接続されている。また、複数のデータ線6aには、第2方向Yにおいてデータ線駆動回路101とは反対側で検査回路105が電気的に接続している。
図4は、図1に示す電気光学装置100において隣り合う複数の画素100aの平面図である。図5は、図4に示す画素100aの1つを拡大して示す平面図である。図6は、図4および図5に示す画素100aのA−A′断面図であり、半導体層31aに沿って切断したときの様子を模式的に示す断面図である。図7は、図4および図5に示す画素100aのB−B′断面図であり、第1遮光壁431および第2遮光壁432を通る位置に沿って切断したときの様子を模式的に示す断面図である。図8は、図4および図5に示す画素100aのC−C′断面図であり、走査線3aに沿って切断したときの様子を模式的に示す断面図である。なお、図4〜図13では、各層を認識しやすいように、配線等の幅や厚さの縮尺を異ならしめてある。また、図4、図5および後述する図9〜図13では、各層を以下の線で表してある。また、図4、図5および後述する図9〜図13では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
第1遮光層1a=太い一点鎖線
第2遮光層2a=細くて長い破線
半導体層31a=細くて短い破線
ゲート電極33a=細い二点鎖線
第1導電層4a=太くて短い破線
走査線3aおよび中継電極3b、3c=太い実線
第2導電層7a(第1容量電極)および中継電極7b、7c=細い実線
第2容量電極8aおよび中継電極8b、8d=細い一点鎖線
データ線6aおよび中継電極6c、6d=太くて長い破線
容量線5aおよび中継電極5c=太い二点鎖線
画素電極9a=極太の実線
図6、図7および図8を参照するとともに、以下の図9〜図13を適宜、参照して、素子基板10の詳細構成を説明する。図9は、図5に示す第1遮光層1a、第1導電層4a、および第2導電層7a等の平面図である。図10は、図5に示す第2遮光層2a、ゲート電極33a、および走査線3a等の平面図である。図11は、図5に示す保持容量55等の平面図である。図12は、図5に示すデータ線6a等の平面図である。図13は、図5に示す容量線5a等の平面図である。なお、図9〜図13には、それらの図に示す電極等の電気的な接続に関連するコンタクトホールを示すとともに、基準となる位置を示すために半導体層31aを示してある。
図5、図7および図9に示すように、素子基板10では、第1遮光層1aと第1導電層4aとは、第1遮光層1aと第1導電層4aとの間に介在する第1層間絶縁膜(層間絶縁膜41、42、43)に半導体層31aに沿うように設けられた第1コンタクトホール43eおよび第2コンタクトホール43fを介して電気的に接続されている。また、第1方向Xまたは第2方向Yから見て、第1コンタクトホール43eと第2コンタクトホール43fとの間では、半導体層31aのうち、少なくとも第2ソース・ドレイン領域31cが延在している。本形態では、第1方向Xから見て、第1コンタクトホール43eと第2コンタクトホール43fとの間では、半導体層31aのうち、少なくとも第2ソース・ドレイン領域31cが延在している。また、半導体層31aのうち、少なくとも、ゲート電極33aの第2ソース・ドレイン領域31c側の端部とゲート絶縁層32を介して重なる半導体層部分31c0が第1コンタクトホール43eと第2コンタクトホール43fとの間に位置する。
以上説明したように、本形態の電気光学装置100において、トランジスター30の半導体層31aは、走査線3aおよびデータ線6aの双方に重なるように屈曲して、第1方向Xおよび第2方向Yに延在するL字形状を有している。半導体層31aの第1方向Xおよび第2方向Yのサイズを短くした場合でも、半導体層31aに十分な長さを確保することができるので、適正なチャネル長を確保することができる。従って、画素100aの配置ピッチの縮小等に対応することができる。
上記実施形態において、中継電極同士の接続にプラグを用いたが、上層側の電極の一部がコンタクトホールの底部で下層側の電極に接している態様を採用してもよい。上記実施形態では、トランジスター30がLDD構造の場合を説明したが、第1ソース・ドレイン領域31bおよび第2ソース・ドレイン領域31cがゲート電極33aの端部から離間したオフセットゲート構造の場合に本発明を適用してもよい。上記実施形態では、対向基板20から光源光が入射する場合を説明したが、素子基板10から光源光が入射する場合に本発明を適用してもよい。上記実施形態では、透過型の電気光学装置100に本発明を適用したが、反射型の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
図14は、本発明を適用した電気光学装置100を用いた投射型表示装置(電子機器)の概略構成図である。なお、以下の説明では、互いに異なる波長域の光が供給される複数の光変調装置200(R)、(G)、(B)が用いられているが、いずれの光変調装置200(R)、(G)、(B)にも、本発明を適用した電気光学装置100が用いられている。図14に示す投射型表示装置210は、前方に設けられたスクリーン211に画像を投射する前方投影型のプロジェクターである。投射型表示装置210は、光源212と、ダイクロイックミラー213、214と、光変調装置200(R)、(G)、(B)と、投射光学系218と、クロスダイクロイックプリズム219と、リレー系220とを備えている。光変調装置200(R)、(G)、(B)は各々、図2等を参照して説明した光変調装置200であり、光Lの進行方向に沿って、第1偏光素子241、光学補償素子250、電気光学装置100、および第2偏向素子242を有している。
投射型表示装置において、光源部として、各色の光を出射するLED光源、レーザー光源等を用い、かかる光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
Claims (13)
- 第1基板と、
前記第1基板の一方面側に設けられた画素電極と、
前記第1基板と前記画素電極との間の層に設けられ、第1方向に延在する走査線と、
前記第1基板と前記画素電極との間の層に設けられ、前記走査線に交差する第2方向に延在するデータ線と、
ゲート電極と、前記第1方向および前記第2方向の各々に沿って延在する半導体層とを備えたトランジスターと、
前記第1基板と前記トランジスターとの間の層に設けられ、前記半導体層に平面視で重なる第1遮光層と、
前記第1遮光層と前記半導体層との間の層で前記半導体層に平面視で重なる第2遮光層と、
前記トランジスターと前記画素電極との間の層に設けられ、定電位が供給された第1導電層と、
前記第1遮光層と前記第1導電層とを電気的に接続し、前記半導体層に沿う第1コンタクトホールおよび第2コンタクトホールが設けられた第1層間絶縁膜と、
前記走査線に対して平面視で重なる領域のうち、前記ゲート電極に対して前記半導体層のソース・ドレイン領域とは反対側で、前記第2遮光層と前記ゲート電極との間に第3コンタクトホールを有する第2層間絶縁膜と、
を有し、
前記第1コンタクトホールの内壁には、遮光性の導電材料によって構成された第1遮光壁が設けられ、
前記第2コンタクトホールの内壁には、遮光性の導電材料によって構成された第2遮光壁が設けられ、
前記第3コンタクトホールの内壁には、遮光性の導電材料によって構成された第3遮光壁が設けられ、
前記ゲート電極は、前記半導体層と重なる第1電極部と、前記走査線と平面視で重なり、前記第1電極部から前記ソース・ドレイン領域とは反対側に向けて突出した第2電極部とを備え、
平面視で前記第1遮光壁と前記第2遮光壁との間に、前記半導体層のうち、少なくとも前記ソース・ドレイン領域が延在しており、
前記第3遮光壁は、前記第2遮光層および前記第2電極部に平面視で重なる位置に設けられていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1に記載の電気光学装置において、
前記ソース・ドレイン領域は、前記画素電極に電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1に記載の電気光学装置において、
前記半導体層のうち、少なくとも、前記トランジスターのゲート電極の前記ソース・ドレイン領域側の端部にゲート絶縁層を介して重なる半導体層部分が前記第1遮光壁と前記第2遮光壁との間に位置することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項3に記載の電気光学装置において、
前記ソース・ドレイン領域は、前記画素電極と電気的に接続される第1領域と、前記第1領域より不純物濃度が低く、チャネル領域と前記第1領域とに挟まれた第2領域と、を有し、
前記第2領域の全体が前記第1遮光壁と前記第2遮光壁との間に位置することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項3または4に記載の電気光学装置において、
前記第1遮光壁および前記第2遮光壁は、前記半導体層に沿って前記第1方向に延在していることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項3から5までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第1遮光壁は、前記第1コンタクトホールを埋める第1プラグであり、
前記第2遮光壁は、前記第2コンタクトホールを埋める第2プラグであることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項3から6までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第1導電層は、遮光性を有し、前記半導体層部分に平面視で重なっていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項3から7までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第1遮光層は、前記走査線と平面視で重なるように前記第1方向に延在していることを特徴とする電気光学装置。 - 第1基板と、
前記第1基板の一方面側に設けられた画素電極と、
前記第1基板と前記画素電極との間の層に設けられ、第1方向に延在する走査線と、
前記第1基板と前記画素電極との間の層に設けられ、前記走査線に交差する第2方向に延在するデータ線と、
ゲート電極と、前記第1方向および前記第2方向の各々に沿って延在する半導体層とを備えたトランジスターと、
前記第1基板と前記トランジスターとの間の層に設けられ、前記半導体層に平面視で重なる第1遮光層と、
前記第1遮光層と前記半導体層との間の層で前記半導体層に平面視で重なる第2遮光層と、
前記トランジスターと前記画素電極との間の層に設けられ、定電位が供給された第1導電層と、
前記第1遮光層と前記第1導電層とを電気的に接続し、前記半導体層に沿う第1コンタクトホールおよび第2コンタクトホールが設けられた第1層間絶縁膜と、
前記走査線に対して平面視で重なる領域のうち、前記ゲート電極に対して前記半導体層のソース・ドレイン領域とは反対側で、前記第2遮光層と前記ゲート電極との間に第3コンタクトホールを有する第2層間絶縁膜と、
を有し、
前記第1コンタクトホールの内壁には、遮光性の導電材料によって構成された第1遮光壁が設けられ、
前記第2コンタクトホールの内壁には、遮光性の導電材料によって構成された第2遮光壁が設けられ、
前記第3コンタクトホールの内壁には、遮光性の導電材料によって構成された第3遮光壁が設けられ、
平面視で前記第1遮光壁と前記第2遮光壁との間に、前記半導体層のうち、少なくとも前記ソース・ドレイン領域が延在しており、
前記走査線は、前記ゲート電極と前記画素電極との間の層に設けられ、
前記ゲート電極と前記走査線とは、平面視で前記ゲート電極に対して前記ソース・ドレイン領域とは反対側で、前記ゲート電極と前記走査線との間に介在する第3層間絶縁膜に設けられた第4コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。 - 第1基板と、
前記第1基板の一方面側に設けられた画素電極と、
前記第1基板と前記画素電極との間の層に設けられ、第1方向に延在する走査線と、
前記第1基板と前記画素電極との間の層に設けられ、前記走査線に交差する第2方向に延在するデータ線と、
ゲート電極と、前記第1方向および前記第2方向の各々に沿って延在する半導体層とを備えたトランジスターと、
前記第1基板と前記トランジスターとの間の層に設けられ、前記半導体層に平面視で重なる第1遮光層と、
前記トランジスターと前記画素電極との間の層に設けられ、定電位が供給された第1導電層と、
前記第1導電層と前記画素電極との間の層に設けられた第2導電層と、
前記第1遮光層と前記第1導電層とを電気的に接続し、前記半導体層に沿う第1コンタクトホールおよび第2コンタクトホールが設けられた第1層間絶縁膜と、
前記第1導電層と前記第2導電層との間に、一部が前記第1コンタクトホールに連通する第5コンタクトホールと、一部が前記第2コンタクトホールに連通する第6コンタクトホールとが設けられた第4層間絶縁膜と、
を有し、
前記第5コンタクトホールから前記第1コンタクトホールまでの内壁には、遮光性の導電材料によって構成された第1遮光壁が設けられ、
前記第6コンタクトホールから前記第2コンタクトホールまでの内壁には、遮光性の導電材料によって構成された第2遮光壁が設けられ、
平面視で前記第1遮光壁と前記第2遮光壁との間に、前記半導体層のうち、少なくとも前記ソース・ドレイン領域が延在していることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項10に記載の電気光学装置において、
前記第2導電層は第1容量電極であり、
前記第1導電層と前記画素電極との間には、前記第1容量電極に対して誘電体層を介して平面視で重なる第2容量電極が設けられ、
前記第2容量電極は、前記画素電極に電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から11までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第2基板の前記第1基板側の面に形成された共通電極と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた電気光学層と、
を有し、
前記定電位は、前記共通電極に印加される共通電位であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から12までのいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017250706A JP6597768B2 (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 電気光学装置および電子機器 |
US16/232,771 US10620494B2 (en) | 2017-12-27 | 2018-12-26 | Electro-optical device and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017250706A JP6597768B2 (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 電気光学装置および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019117264A JP2019117264A (ja) | 2019-07-18 |
JP6597768B2 true JP6597768B2 (ja) | 2019-10-30 |
Family
ID=66951144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017250706A Active JP6597768B2 (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 電気光学装置および電子機器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10620494B2 (ja) |
JP (1) | JP6597768B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7096718B2 (ja) * | 2018-07-09 | 2022-07-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6813045B2 (ja) * | 2019-03-14 | 2021-01-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
KR20200110573A (ko) * | 2019-03-15 | 2020-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN109859647B (zh) * | 2019-03-29 | 2022-04-08 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
US20220271066A1 (en) * | 2019-08-06 | 2022-08-25 | Sony Group Corporation | Transistor array substrate, method of manufacturing transistor array substrate, liquid crystal display apparatus, and electric equipment |
JP6939857B2 (ja) * | 2019-08-26 | 2021-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、および電子機器 |
JP7305510B2 (ja) * | 2019-10-11 | 2023-07-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び半導体装置 |
JP6908086B2 (ja) * | 2019-10-29 | 2021-07-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
JP7463872B2 (ja) * | 2020-06-17 | 2024-04-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
JP7505352B2 (ja) * | 2020-09-29 | 2024-06-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、および電子機器 |
JP7484632B2 (ja) * | 2020-09-30 | 2024-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、および電子機器 |
JP7521370B2 (ja) | 2020-10-09 | 2024-07-24 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、液晶装置の製造方法、および電子機器 |
JP2022127792A (ja) * | 2021-02-22 | 2022-09-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、及び電子機器 |
JP2022139567A (ja) * | 2021-03-12 | 2022-09-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4751196A (en) * | 1985-04-01 | 1988-06-14 | Motorola Inc. | High voltage thin film transistor on PLZT and method of manufacture thereof |
JP4011606B2 (ja) | 1995-05-08 | 2007-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JPH0926603A (ja) | 1995-05-08 | 1997-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP3690119B2 (ja) | 1998-06-23 | 2005-08-31 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及び投射型表示装置 |
JP2001177100A (ja) | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Matsushita Electronics Industry Corp | 薄膜トランジスタとそれを用いた液晶表示素子およびその製造方法 |
JP3767305B2 (ja) | 2000-03-01 | 2006-04-19 | ソニー株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
JP3736461B2 (ja) | 2000-04-21 | 2006-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、投射型表示装置及び電気光学装置の製造方法 |
JP2002196362A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP4118602B2 (ja) * | 2001-05-23 | 2008-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
US7027109B2 (en) | 2001-08-03 | 2006-04-11 | Nec Corporation | TFT array substrate and active-matrix addressing liquid-crystal display device |
JP3605823B2 (ja) * | 2001-08-03 | 2004-12-22 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタ・アレイ基板およびアクティブマトリックス型液晶表示装置 |
JP2003197917A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003270663A (ja) | 2002-03-14 | 2003-09-25 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
JP2003295168A (ja) | 2002-04-01 | 2003-10-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
CN1229682C (zh) | 2002-05-21 | 2005-11-30 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置和电子设备 |
JP2004045576A (ja) | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP3661669B2 (ja) | 2002-07-22 | 2005-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電子機器 |
JP4233307B2 (ja) | 2002-11-05 | 2009-03-04 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板および表示装置 |
JP2004170656A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2004126557A (ja) | 2003-08-28 | 2004-04-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2005091495A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Sharp Corp | 液晶表示素子及びそれを備えた液晶プロジェクタ |
JP2005241910A (ja) | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイ基板、それを用いた液晶パネルおよび液晶プロジェクタ |
JP3988782B2 (ja) | 2005-11-22 | 2007-10-10 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP3960353B2 (ja) | 2006-08-18 | 2007-08-15 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3988799B2 (ja) | 2006-12-28 | 2007-10-10 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2008249975A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 |
JP4706674B2 (ja) | 2007-08-03 | 2011-06-22 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2009199029A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器 |
JP5157783B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2013-03-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2012103385A (ja) * | 2010-11-09 | 2012-05-31 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器 |
JP6044358B2 (ja) | 2013-01-18 | 2016-12-14 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板、電気光学装置、および電子機器 |
JP2015170642A (ja) | 2014-03-05 | 2015-09-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6303748B2 (ja) * | 2014-04-14 | 2018-04-04 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、光学ユニット、及び電子機器 |
JP2016218382A (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-22 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、及び電子機器 |
CN105140294A (zh) * | 2015-08-11 | 2015-12-09 | 武汉华星光电技术有限公司 | 低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 |
JP2017097086A (ja) * | 2015-11-20 | 2017-06-01 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、及び電子機器 |
-
2017
- 2017-12-27 JP JP2017250706A patent/JP6597768B2/ja active Active
-
2018
- 2018-12-26 US US16/232,771 patent/US10620494B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190196281A1 (en) | 2019-06-27 |
JP2019117264A (ja) | 2019-07-18 |
US10620494B2 (en) | 2020-04-14 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20180910 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181205 |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181205 |
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A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190730 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190820 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190903 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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