JP7096718B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置に関する。

特許文献１には、コンタクトホール周囲の配向膜に起因する表示むらを抑制する表示装置が記載されている。

特開２０１７－１４６４４９号公報

特許文献１の技術では、コンタクトホール周囲の配向膜に起因する表示むらが抑制されるものの、より表示むらの発生を抑制することが望まれている。

本発明は、コンタクトホール周囲の配向膜に起因する表示むらを抑制する表示装置を提供することを目的とする。

一態様の表示装置は、アレイ基板と、カラーフィルタを備えた対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、を備え、前記アレイ基板の一方の面には、第１方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、第２方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、前記信号線の上に設けられた第１有機絶縁膜と、前記第１有機絶縁膜の上に設けられた第２有機絶縁膜とが設けられ、前記走査線と前記信号線とに囲まれた領域には、半導体層と、第１コンタクト導電層と、第２コンタクト導電層と、第１電極と、がそれぞれ設けられ、前記半導体層の第１部分には、前記信号線が電気的に接続され、前記半導体層の第２部分には、前記第１コンタクト導電層が電気的に接続され、前記第２コンタクト導電層は、前記第１有機絶縁膜に開けられた第１のコンタクトホールを介して、前記第１コンタクト導電層と接触し、前記第２コンタクト導電層が前記第１コンタクト導電層と接触しているコンタクト領域の少なくとも一部は、前記第２有機絶縁膜で覆われ、前記第２有機絶縁膜に開けられた第２のコンタクトホールを介して、前記第１電極と、前記第２コンタクト導電層とが電気的に接続し、前記第１のコンタクトホールと、前記第２のコンタクトホールは互いに前記第２方向にずれている。

図１は、実施形態１の表示装置を示す分解斜視図である。 図２は、アレイ基板を模式的に示す平面図である。 図３は、実施形態１に係る表示領域の画素配列を表す回路図である。 図４は、画素の模式的な平面図において、検出電極を説明する平面図である。 図５は、画素の模式的な平面図において、画素電極を説明する平面図である。 図６は、図４のＶＩ－ＶＩ’断面を説明する部分断面図である。 図７は、実施形態１のスイッチング素子を説明するための平面図である。 図８は、実施形態１のコンタクトホールを説明するための平面図である。 図９は、図８のＩＸ－ＩＸ’断面を説明する部分断面図である。 図１０は、金属配線の拡幅部を説明するための断面図である。 図１１は、センサ配線の拡幅部を説明するための断面図である。 図１２は、金属配線の拡幅部を説明するための断面図である。 図１３は、金属配線の拡幅部を説明するための平面図である。 図１４は、実施形態２のコンタクトホールを説明するための平面図である。 図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ’断面を説明する部分断面図である。 図１６は、実施形態３のスイッチング素子を説明するための平面図である。 図１７は、実施形態３の副画素を説明するための模式的な説明図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、本開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本開示と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（実施形態１）
図１は、実施形態１の表示装置を示す分解斜視図である。図１に示すように、表示装置ＰＮＬは、アレイ基板ＳＵＢ１と、対向基板ＳＵＢ２とを備えている。図１に示すように、表示装置ＰＮＬにおいて、表示領域ＤＡの外側に周辺領域ＢＥが設けられている。表示領域ＤＡは、四角形状に形成されているが、表示領域ＤＡの外形の形状は限定されない。例えば、表示領域ＤＡには、切り欠きがあってもよく、あるいは表示領域ＤＡが他の多角形状に形成されてもよいし、表示領域ＤＡが円形状あるいは楕円形状などの他の形状に形成されてもよい。

本実施形態において、第１方向Ｘは、表示領域ＤＡの短辺に沿った方向である。第２方向Ｙは、第１方向Ｘと交差（又は直交）する方向である。これに限定されず、第２方向Ｙは第１方向Ｘに対して９０°以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定される平面は、アレイ基板ＳＵＢ１の面と平行となる。また、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに直交する第３方向Ｚは、アレイ基板ＳＵＢ１の厚み方向である。

表示領域ＤＡは、画像を表示させるための領域であり、複数の画素Ｐｉｘと重なる領域である。周辺領域ＢＥは、アレイ基板ＳＵＢ１の外周よりも内側で、かつ、表示領域ＤＡよりも外側の領域を示す。なお、周辺領域ＢＥは表示領域ＤＡを囲う枠状であってもよく、その場合、周辺領域ＢＥは額縁領域とも言える。

画像を表示する表示領域ＤＡは、静電容量を検出する検出装置に含まれるセンサ領域を含む。図１に示すように、検出電極ＣＥは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに行列状に複数配列される。それぞれの検出電極ＣＥは、平面視で矩形状、又は正方形状で模式的に示すが、検出電極ＣＥの詳細な形状は、後述する。検出電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料で構成されている。

図１に示すように、アレイ基板ＳＵＢ１の一方の面側の周辺領域ＢＥには、外縁配線ＣＥ－Ｇと、集積回路ＣＰと、が設けられている。例えば、外縁配線ＣＥ－Ｇは、表示領域ＤＡの長辺と短辺とに沿って連続して設けられており、表示領域ＤＡを囲んでいる。

表示装置ＰＮＬは、表示領域ＤＡにセンサ領域が一体化されたセンサ付き表示装置である。具体的には、表示装置ＰＮＬにおいて、表示領域ＤＡの部材の一部が、センサ領域の検出電極ＣＥとなっている。

図２は、アレイ基板を模式的に示す平面図である。図２に示すように、検出電極ＣＥは、スリットＳＰＢにより、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに行列状に分けられている。周辺領域ＢＥの短辺側には、接続回路ＭＰと集積回路ＣＰとが設けられている。また、周辺領域ＢＥの短辺側には、不図示のフレキシブル基板が接続される。なお、接続回路ＭＰと集積回路ＣＰとの配置は、これに限定されず、例えばモジュール外部の制御基板やフレキシブル基板上に備えられていてもよい。

検出電極ＣＥは、金属配線ＴＬ及び接続回路ＭＰを介して、集積回路ＣＰと電気的に接続される。金属配線ＴＬは、検出電極ＣＥに供給する駆動信号を供給し、静電量変化に応じた信号をアナログフロントエンドへ送る。複数の金属配線ＴＬはそれぞれ、表示領域ＤＡに配置された、複数の検出電極ＣＥのそれぞれに電気的に接続され、周辺領域ＢＥまで引き出されている。複数の金属配線ＴＬのそれぞれは第２方向Ｙに沿って延在し、複数の金属配線ＴＬは第１方向Ｘに亘って並んで配置されている。例えば、集積回路ＣＰに内蔵された駆動回路は、周辺領域ＢＥに配置された接続回路ＭＰと、金属配線ＴＬとを介して、複数の検出電極ＣＥにそれぞれ接続される。

コンタクトホールＴＨには、検出電極ＣＥと、検出電極ＣＥと重畳する金属配線ＴＬとが電気的に接続する接続部ＣＴ（図１０から図１２参照）がある。１つの金属配線ＴＬは、図２において模式的に１つの検出電極ＣＥと接続される。後述するように、実際には、金属配線ＴＬが複数の配線を束ねて、表示領域ＤＡ内に引き回されている。

表示装置ＰＮＬは、さらに接続回路ＭＰを備える。接続回路ＭＰは、検出電極ＣＥと集積回路ＣＰとの間に設けられる。接続回路ＭＰは、集積回路ＣＰから供給される制御信号に基づいて、検出駆動の対象となる検出電極ＣＥと集積回路ＣＰとの接続と遮断とを切り換える回路である。接続回路ＭＰは、アナログフロントエンドを有している。

図３は、実施形態１に係る表示領域の画素配列を表す回路図である。以下、複数の走査線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３を総称して、ＧＬとすることがある。複数の信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を総称して、信号線ＳＬとすることがある。アレイ基板ＳＵＢ１には、図３に示す各副画素ＳＰｉｘ１、ＳＰｉｘ２、ＳＰｉｘ３のスイッチング素子ＴｒＤ１、ＴｒＤ２、ＴｒＤ３、信号線ＳＬ、走査線ＧＬ等が形成されている。信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、各画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３（図４参照）に画素信号を供給するための配線である。走査線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３は、各スイッチング素子ＴｒＤ１、ＴｒＤ２、ＴｒＤ３を駆動するゲート信号を供給するための配線である。

図１に示す表示領域ＤＡの画素Ｐｉｘには、図３に示すように、マトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘ１、ＳＰｉｘ２、ＳＰｉｘ３が含まれる。以下、複数の副画素ＳＰｉｘ１、ＳＰｉｘ２、ＳＰｉｘ３を総称して、副画素ＳＰｉｘとすることがある。副画素ＳＰｉｘ１、ＳＰｉｘ２、ＳＰｉｘ３は、それぞれスイッチング素子ＴｒＤ１、ＴｒＤ２、ＴｒＤ３及び液晶層ＬＣの容量を備えている。スイッチング素子ＴｒＤ１、ＴｒＤ２、ＴｒＤ３は、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。後述する画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３と検出電極ＣＥとの間に第６絶縁膜１６（図６参照）が設けられ、これらによって図３に示す保持容量Ｃｓが形成される。

図３に示すカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色された色領域が周期的に配列されている。上述した図３に示す各副画素ＳＰｉｘ１、ＳＰｉｘ２、ＳＰｉｘ３に、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域が１組として対応付けられる。そして、３色の色領域に対応する副画素ＳＰｉｘ１、ＳＰｉｘ２、ＳＰｉｘ３を１組として画素Ｐｉｘが構成される。なお、カラーフィルタは、４色以上の色領域を含んでいてもよい。

図４は、画素の模式的な平面図において、検出電極を説明する平面図である。図５は、画素の模式的な平面図において、画素電極を説明する平面図である。図６は、図４のＶＩ－ＶＩ’断面を説明する部分断面図である。図７は、実施形態１のスイッチング素子を説明するための平面図である。図８は、実施形態１のコンタクトホールを説明するための平面図である。図９は、図８のＩＸ－ＩＸ’断面を説明する部分断面図である。図１０から図１２は、金属配線の拡幅部を説明するための断面図である。図１３は、金属配線の拡幅部を説明するための平面図である。図１３は、金属配線の拡幅部を説明するための説明図である。以下、図１から図１３を用いて、実施形態１の具体的な表示装置について説明する。

図６に示すように、第１絶縁基板１０の上方には、複数の信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、複数の画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、複数の検出電極ＣＥ、複数の金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３が形成されている。以下、複数の金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３を総称して、金属配線ＴＬとすることがある。以下、複数の画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３を総称して、画素電極ＰＥとすることがある。図４に示すように、走査線Ｇ１からＧ３は、第１方向Ｘに沿ってそれぞれ延出し、第２方向Ｙに等ピッチで並んでいる。走査線Ｇ１からＧ３も、図６に現れていないが、第１絶縁基板１０の上方に形成されている。

図４及び図５において、第２方向Ｙに対して反時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ１と定義し、第２方向Ｙに対して時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ２と定義する。なお、第２方向Ｙと方向Ｄ１とのなす角度θ１は、第２方向Ｙと方向Ｄ２とのなす角度θ２とほぼ同一である。信号線Ｓ１からＳ３は、概ね第２方向Ｙに沿ってそれぞれ延出し、第１方向Ｘに等ピッチで並んでいる。図示した例では、信号線Ｓ１からＳ３は、走査線Ｇ１と走査線Ｇ２との間においては方向Ｄ１に延出し、走査線Ｇ２と走査線Ｇ３との間においては方向Ｄ２に延出している。これらの走査線Ｇ１からＧ３と、信号線Ｓ１からＳ３とは、Ｘ－Ｙ平面の平面視において、互いに交差している。

図７に示すように、スイッチング素子ＴｒＤ１は、走査線Ｇ２と信号線Ｓ１との交差部付近に位置し、走査線Ｇ２及び信号線Ｓ１と電気的に接続されている。スイッチング素子ＴｒＤ２は、走査線Ｇ２と信号線Ｓ２との交差部付近に位置し、走査線Ｇ２及び信号線Ｓ２と電気的に接続されている。スイッチング素子ＴｒＤ３は、走査線Ｇ２と信号線Ｓ３との交差部付近に位置し、走査線Ｇ２及び信号線Ｓ３と電気的に接続されている。

図５に示すように、複数の画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３は、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。画素電極ＰＥ１は、２つの信号線ＳＬの間に位置している。複数の画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３は、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。画素電極ＰＥ１は、２つの走査線ＧＬの間に位置している。複数の画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３は、２つの信号線ＳＬ及び２つの走査線ＧＬに囲まれた領域にそれぞれある。

画素電極ＰＥ１は、コンタクト部ＰＡ１、電極部ＰＢ１、及び、連結部ＰＣ１を有している。コンタクト部ＰＡ１は、スイッチング素子ＴｒＤ１（図７参照）と電気的に接続される。電極部ＰＢ１は、コンタクト部ＰＡ１から、走査線Ｇ２に対して他方の側である走査線Ｇ１に近接する側に延出している。電極部ＰＢ１は、帯状電極、線状電極、櫛歯電極などと称される場合もある。図５において、１つの画素電極ＰＥ１は、２本の電極部ＰＢ１を有している。２本の電極部ＰＢ１は、コンタクト部ＰＡ１に接続される。これらの電極部ＰＢ１は、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。連結部ＰＣ１は、２本の電極部ＰＢ１の端部に繋がっている。これにより、一方の電極部ＰＢ１の一部分で断線が発生したとしても、連結部ＰＣ１を介して他方の電極部ＰＢ１から一方の電極部ＰＢ１に画素電位を供給することが可能となる。

なお、画素電極ＰＥ１の形状は、図５の例に限らず、例えば、連結部ＰＣ１を省略してもよいし、電極部ＰＢ１の本数が２本でなく、例えば３本や４本でもよい。

画素電極ＰＥ２も、画素電極ＰＥ１と略同一の形状に形成されている。画素電極ＰＥ２は、２つの信号線の間に位置している。画素電極ＰＥ２は、コンタクト部ＰＡ２、電極部ＰＢ２、及び、連結部ＰＣ２を有している。コンタクト部ＰＡ２は、スイッチング素子ＴｒＤ２（図７参照）と電気的に接続される。電極部ＰＢ２は、コンタクト部ＰＡ２から走査線Ｇ１に向かって延出している。

画素電極ＰＥ３も、画素電極ＰＥ１と略同一の形状に形成されている。画素電極ＰＥ３は、２つの信号線の間に位置している。画素電極ＰＥ３は、コンタクト部ＰＡ３、電極部ＰＢ３、及び、連結部ＰＣ３を有している。コンタクト部ＰＡ３は、スイッチング素子ＴｒＤ３（図７参照）と電気的に接続される。電極部ＰＢ３は、コンタクト部ＰＡ３から走査線Ｇ１に向かって延出している。

電極部ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３は、いずれも同一方向に延出しており、方向Ｄ１と平行な方向に延出している。電極部ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３は、いずれも各コンタクト部から走査線Ｇ１に向かって延出している。なお、走査線Ｇ２とＧ３との間にある画素電極も画素電極ＰＥ１から画素電極ＰＥ３と同様の構成となるが、電極部の延出が方向Ｄ２に沿っている。

図４に示すように、検出電極ＣＥは、主検出電極ＣＥＰと、副検出電極ＣＥＡ、副検出電極ＣＥＢを有している。主検出電極ＣＥＰは、アレイ基板ＳＵＢ１の表示領域ＤＡ（図１参照）の略全域に亘って形成されている。つまり、副画素は、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３を有し、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３と重畳する領域に、主検出電極ＣＥＰ（検出電極ＣＥ）が設けられている。Ｘ－Ｙ平面の平面視において、主検出電極ＣＥＰは、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、及び金属配線ＴＬ１、ＴＬ２と重畳するとともに、走査線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３と重畳していない。

図４に示すように、副検出電極ＣＥＡは、第２方向Ｙに延在し、第２方向Ｙに隣り合う主検出電極ＣＥＰを電気的に接続している。Ｘ－Ｙ平面の平面視において、副検出電極ＣＥＡは、走査線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、信号線Ｓ２及び金属配線ＴＬ２と重畳するとともに、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、信号線Ｓ１、Ｓ３及び金属配線ＴＬ１、ＴＬ３と重畳していない。第２方向Ｙに隣り合う主検出電極ＣＥＰの間に、副検出電極ＣＥＡがないと、スリットＳＰＢができる。

図４に示すように、副検出電極ＣＥＢは、第１方向Ｘに延在し、第１方向Ｘに隣り合う主検出電極ＣＥＰを電気的に接続している。図４に示すように、第１方向Ｘに隣り合う主検出電極ＣＥＰの間に、副検出電極ＣＥＢがないと、スリットＳＰＢができる。Ｘ－Ｙ平面の平面視において、副検出電極ＣＥＢは、信号線Ｓ３及び金属配線ＴＬ３、拡幅部ＴＣＥ３と重畳するとともに、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、走査線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、信号線Ｓ１、Ｓ２及び金属配線ＴＬ１、ＴＬ２と重畳していない。副検出電極ＣＥＢは、拡幅部ＴＣＥ３と重畳するとともに、スリットＳＰＡを形成し、第１方向Ｘに隣り合う検出電極ＣＥの間にあるスリットＳＰＢとの視認性の差を小さくすることができ、また検出電極ＣＥと金属配線ＴＬとの間で生じる寄生容量を低減できる。

以上説明したように、検出電極ＣＥは、主検出電極ＣＥＰと、副検出電極ＣＥＡ、ＣＥＢとを有する。主検出電極ＣＥＰは、島状である。第１方向Ｘ又は第２方向Ｙに隣り合う主検出電極ＣＥＰは、副検出電極ＣＥＡ又はＣＥＢで電気的に接続される。その結果、検出電極ＣＥは、任意の大きさの面積を有することができる。

複数の金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３は、Ｘ－Ｙ平面の平面視において、それぞれ信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３と重畳し、これらの信号線と平行に延出している。

図６において、アレイ基板ＳＵＢ１は、ガラス基板や樹脂基板などの透光性を有する第１絶縁基板１０を基体としている。アレイ基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０の対向基板ＳＵＢ２と対向する側に、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４、第５絶縁膜１５、第６絶縁膜１６、信号線Ｓ１からＳ３、画素電極ＰＥ１からＰＥ３、検出電極ＣＥ、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。以下の説明において、アレイ基板ＳＵＢ１から対向基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方、あるいは、単に上と称する。

第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上に位置している。第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上に位置している。第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上に位置している。信号線Ｓ１からＳ３は、第３絶縁膜１３の上に位置している。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３の上に位置し、信号線Ｓ１からＳ４を覆っている。

金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３は、第４絶縁膜１４の上に位置している。金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３は、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つを含む金属材料で形成されている。金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３は、検出電極ＣＥよりも低抵抗であり、導電性を有している。また、金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３は、第４絶縁膜１４を介して信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３と対向している。つまり、金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３は、信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の上に重畳している。金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３は、第５絶縁膜１５によって覆われている。第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、及び、第６絶縁膜１６は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの透光性を有する無機系材料によって形成されている。第４絶縁膜１４及び第５絶縁膜１５は、アクリル樹脂などの透光性を有する樹脂材料によって形成され、無機系材料によって形成された他の絶縁膜と比べて厚い膜厚を有している。第４絶縁膜１４は、第１有機絶縁膜となり、第５絶縁膜１５は、第２有機絶縁膜となる。例えば、第４絶縁膜１４は、２μｍ以上３μｍ以下である。第５絶縁膜１５は、１μｍ以上２μｍ以下である。第４絶縁膜１４は、第５絶縁膜１５よりも厚く形成される。

検出電極ＣＥは、第５絶縁膜１５の上に位置している。また、図６において、検出電極ＣＥは、第５絶縁膜１５を介して金属配線ＴＬ１、ＴＬ２と対向している。図６において、検出電極ＣＥのスリットＳＰＡは、金属配線ＴＬ３の直上に位置している。検出電極ＣＥは、第６絶縁膜１６によって覆われている。第６絶縁膜１６は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの透光性を有する無機系材料によって形成されている。

画素電極ＰＥ１からＰＥ３は、第６絶縁膜１６の上に位置し、第６絶縁膜１６を介して検出電極ＣＥと対向している。画素電極ＰＥ１からＰＥ３、及び、検出電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透光性を有する導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥ１からＰＥ３は、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。第１配向膜ＡＬ１は、第６絶縁膜１６も覆っている。

対向基板ＳＵＢ２は、ガラス基板や樹脂基板などの透光性を有する第２絶縁基板２０を基体としている。対向基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＳＵＢ１と対向する側に、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。

図６に示すように、遮光層ＢＭは、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。そして、図５に示すように、遮光層ＢＭは、画素電極ＰＥ１からＰＥ３とそれぞれ対向する開口部ＡＰを規定している。遮光層ＢＭは、黒色の樹脂材料や、遮光性の金属材料によって形成されている。

カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢのそれぞれは、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＳＵＢ１と対向する側に位置し、それぞれの端部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦＲは、画素電極ＰＥ１と対向している。カラーフィルタＣＦＧは、画素電極ＰＥ２と対向している。カラーフィルタＣＦＢは、画素電極ＰＥ３と対向している。一例では、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、それぞれ青色、赤色、緑色に着色された樹脂材料によって形成されている。

オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透光性を有する樹脂材料によって形成されている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、例えば、水平配向性を示す材料によって形成されている。

また、遮光層ＢＭは、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢのいずれかとオーバーコート層ＯＣとの間に形成されるものであってもよく、さらには遮光層ＢＭは、オーバーコート層ＯＣと第２配向膜ＡＬ２との間に形成されるものであってもよい。

以上説明したように、対向基板ＳＵＢ２は、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢなどを備えている。遮光層ＢＭは、図４に示した走査線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、コンタクト部ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、スイッチング素子ＴｒＤ１、ＴｒＤ２、ＴｒＤ３などの配線部と対向する領域に配置されている。

図６において、対向基板ＳＵＢ２は、３色のカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢを備えていたが、青色、赤色、及び、緑色とは異なる他の色、例えば白色、透明、イエロー、マゼンタ、シアンなどのカラーフィルタを含む４色以上のカラーフィルタを備えていてもよい。また、これらのカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、アレイ基板ＳＵＢ１に備えられていてもよい。

上述したアレイ基板ＳＵＢ１及び対向基板ＳＵＢ２は、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が向かい合うように配置されている。液晶層ＬＣは、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に封入されている。液晶層ＬＣは、誘電率異方性が負のネガ型液晶材料、あるいは、誘電率異方性が正のポジ型液晶材料によって構成されている。

アレイ基板ＳＵＢ１がバックライトユニットＩＬと対向し、対向基板ＳＵＢ２が表示面側に位置する。バックライトユニットＩＬとしては、種々の形態のものが適用可能であるが、その詳細な構造については説明を省略する。

第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１は、第１絶縁基板１０の外面、あるいは、バックライトユニットＩＬと対向する面に配置される。第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２は、第２絶縁基板２０の外面、あるいは、観察位置側の面に配置される。第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸及び第２偏光板ＰＬ２の第２偏光軸は、例えばＸ－Ｙ平面においてクロスニコルの位置関係にある。なお、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、位相差板などの他の光学機能素子を含んでいてもよい。

例えば、液晶層ＬＣがネガ型液晶材料である場合であって、液晶層ＬＣに電圧が印加されていない状態では、液晶分子ＬＭは、Ｘ－Ｙ平面内において、その長軸が第１方向Ｘに沿う方向に初期配向している。一方、液晶層ＬＣに電圧が印加された状態、つまり、画素電極ＰＥ１からＰＥ３と検出電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン時において、液晶分子ＬＭは、電界の影響を受けてその配向状態が変化する。オン時において、入射した直線偏光は、その偏光状態が液晶層ＬＣを通過する際に液晶分子ＬＭの配向状態に応じて変化する。

次に、図７に示したスイッチング素子ＴｒＤ１、ＴｒＤ２、ＴｒＤ３の構造についてより詳細に説明する。なお、以下に説明するスイッチング素子ＴｒＤ１、ＴｒＤ２、ＴｒＤ３は、トップゲート型である。スイッチング素子ＴｒＤ１、ＴｒＤ２、ＴｒＤ３は、ボトムゲート型であってもよい。図７では、スイッチング素子ＴｒＤ１、ＴｒＤ２、ＴｒＤ３の説明に必要な主要部のみを図示し、検出電極ＣＥ、画素電極ＰＥ１からＰＥ３、金属配線ＴＬ１からＴＬ３などの図示を省略している。

スイッチング素子ＴｒＤ１、ＴｒＤ２、ＴｒＤ３は、第１方向Ｘに並んでいる。スイッチング素子ＴｒＤ１は、半導体層ＳＣ１を備えている。スイッチング素子ＴｒＤ２は、半導体層ＳＣ２を備えている。スイッチング素子ＴｒＤ３は、半導体層ＳＣ３を備えている。半導体層ＳＣ１からＳ３は、いずれも略Ｕ字状に形成され、走査線Ｇ２と２か所で交差している。

スイッチング素子ＴｒＤ１において、半導体層ＳＣ１は、一方端側にある第１部分Ｅ１１及び他方端側にある第２部分Ｅ１２を有する。第１部分Ｅ１１は、コンタクトホールＣＨ１１を介して信号線Ｓ１と電気的に接続されている。第２部分Ｅ１２は、コンタクトホールＣＨ１２を介して画素電極ＰＥ１（図５参照）と電気的に接続されている。

走査線Ｇ２において、半導体層ＳＣ１と交差する２つの部分は、それぞれゲート電極ＷＧ１１及びＷＧ１２となる。

スイッチング素子ＴｒＤ２において、半導体層ＳＣ２は、一方端側にある第１部分Ｅ２１及び他方端側にある第２部分Ｅ２２を有する。第１部分Ｅ２１は、コンタクトホールＣＨ２１を介して信号線Ｓ２と電気的に接続されている。第２部分Ｅ２２は、コンタクトホールＣＨ２２を介して画素電極ＰＥ２（図５参照）と電気的に接続されている。

走査線Ｇ２において、半導体層ＳＣ２と交差する２つの部分は、それぞれゲート電極ＷＧ２１及びＷＧ２２となる。

スイッチング素子ＴｒＤ３において、半導体層ＳＣ３は、一方端側にある第１部分Ｅ３１及び他方端側にある第２部分Ｅ３２を有する。第１部分Ｅ３１は、コンタクトホールＣＨ３１を介して信号線Ｓ３と電気的に接続されている。第２部分Ｅ３２は、コンタクトホールＣＨ３２を介して画素電極ＰＥ３（図５参照）と電気的に接続されている。

走査線Ｇ２において、半導体層ＳＣ３と交差する２つの部分は、それぞれゲート電極ＷＧ３１及びＷＧ３２となる。走査線Ｇ２が延びる方向に並ぶ３つの半導体層ＳＣ１、ＳＣ２、ＳＣ３のうち、２つの半導体層ＳＣ１及び半導体層ＳＣ２がそれぞれ備える第２部分Ｅ１２及び第２部分Ｅ２２が並ぶ直線上に他の半導体層ＳＣ３の第２部分Ｅ３２がある。以下、複数の半導体層ＳＣ１、ＳＣ２、ＳＣ３を総称して、ＳＣとすることがある。

コンタクトホールＣＨ２２及びコンタクトホールＣＨ３２は、コンタクトホールＣＨ１２と同じ構成であるので、以下、コンタクトホールＣＨ１２について説明し、コンタクトホールＣＨ２２及びコンタクトホールＣＨ３２の説明を省略する。図８及び図９に示すように、画素電極ＰＥ１のコンタクト部ＰＡ１は、コンタクト電極ＲＥと対向し、コンタクトホールＣＨ１２を介してコンタクト電極ＲＥと電気的に接続されている。なお、図９において、図６に示す第１配向膜ＡＬ１より下の構成が示されている。

図９において、第１絶縁膜１１は、シリコン窒化物の下地膜１１１と、下地膜１１１の上に積層されたシリコン酸化物の絶縁膜１１２を有している。第２絶縁膜１２は、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）によるシリコン酸化物である。

図８に示すように、コンタクトホールＣＨ１２は、コンタクトホールＣＨ１２１、コンタクトホールＣＨ１２２、コンタクトホールＣＨ１２３及びコンタクトホールＣＨ１２４を含む。図８及び図９に示すコンタクトホールＣＨ１２１、コンタクトホールＣＨ１２２、コンタクトホールＣＨ１２３及びコンタクトホールＣＨ１２４は、Ｘ－Ｙ平面の平面視で、底面の大きさを表している。

図９に示すように、遮光体ＬＳは、第１絶縁基板１０と第１絶縁膜１１との間に位置している。半導体層ＳＣ１は、第１絶縁膜１１と第２絶縁膜１２との間に位置している。半導体層ＳＣ１は、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや、酸化物半導体などによって形成されていてもよい。

コンタクト電極ＲＥは、第１コンタクト導電層ＲＥ１、第２コンタクト導電層ＲＥ２及び第３コンタクト導電層ＲＥ３を含む。第１コンタクト導電層ＲＥ１は、図７に示すスイッチング素子ＴｒＤ１の第２部分Ｅ１２に接続される。第１コンタクト導電層ＲＥ１は、スイッチング素子ＴｒＤ１のドレイン（又はソース）となる。第１コンタクト導電層ＲＥ１は、信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３と同時に形成され、信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３と同じ材料で形成される。

第２コンタクト導電層ＲＥ２は、金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３と同時に形成され、金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３と同じ材料で形成されている。第２コンタクト導電層ＲＥ２は、第１コンタクト導電層ＲＥ１の上に電気的に接続されている。

第３コンタクト導電層ＲＥ３は、検出電極ＣＥと同時に形成され、検出電極ＣＥと同じ材料で形成されている。画素電極ＰＥ１のコンタクト部ＰＡ１と、第２コンタクト導電層ＲＥ２とは、第３コンタクト導電層ＲＥ３を介して、電気的に接続されている。

図９に示すように、第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上に設けられている。第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上に設けられた遮光体ＬＳを覆う。

半導体層ＳＣ１は、第１絶縁膜１１の上に設けられている。第２絶縁膜１２は、半導体層ＳＣ１の上に設けられている。ゲート電極ＷＧ１２は、第２絶縁膜の上に設けられている。第３絶縁膜１３は、ゲート電極ＷＧ１２の上に設けられ、ゲート電極ＷＧ１２及び半導体層ＳＣ１を覆う。

図６に示すように、信号線Ｓ１は、第３絶縁膜１３の上に設けられている。図７に示すように、信号線Ｓ１は、半導体層ＳＣ１の第１部分Ｅ１１に接続される。図９に示す第１コンタクト導電層ＲＥ１は、第３絶縁膜１３の上に設けられている。第１コンタクト導電層ＲＥ１は、第３絶縁膜１３に開けられたコンタクトホールＣＨ１２１を介して、半導体層ＳＣ１の第２部分Ｅ１２に接続される。

図６に示すように、第４絶縁膜１４は、信号線Ｓ１の上に設けられる。図９に示すように、第２コンタクト導電層ＲＥ２は、第４絶縁膜１４の上に設けられる。第２コンタクト導電層ＲＥ２は、第４絶縁膜１４に開けられたコンタクトホールＣＨ１２２を介して、第１コンタクト導電層ＲＥ１と接触する。図８に図示したコンタクトホールＣＨ１２２の底面の領域が、第１コンタクト導電層ＲＥ１と第２コンタクト導電層ＲＥ２が接する第２コンタクト導電層ＲＥ２のコンタクト領域である。

図６に示すように、金属配線ＴＬ１は、第４絶縁膜１４の上に設けられる。第５絶縁膜１５は、第４絶縁膜１４及び金属配線ＴＬ１の上を覆う。図９に示すように、第５絶縁膜１５は、第１コンタクト導電層ＲＥ１と接触しているコンタクト領域の第２コンタクト導電層ＲＥ２の一部を覆い、第２コンタクト導電層ＲＥ２の残部がコンタクトホールＣＨ１２３又はコンタクトホールＣＨ１２４で露出する。第２コンタクト導電層ＲＥ２の残部は、第３コンタクト導電層ＲＥ３で覆われる。

図９に示すように、第３コンタクト導電層ＲＥ３は、第５絶縁膜１５と第２コンタクト導電層ＲＥ２との上に跨がって設けられる。

検出電極ＣＥは、第５絶縁膜１５の上に設けられる。第６絶縁膜１６は、検出電極ＣＥ及び第３コンタクト導電層ＲＥ３の上に設けられる。

画素電極ＰＥ１のコンタクト部ＰＡ１は、第６絶縁膜１６に開けられたコンタクトホールＣＨ１２４を介して、第３コンタクト導電層ＲＥ３に接する。図８に示すように、コンタクトホールＣＨ１２４とコンタクトホールＣＨ１２３とは、Ｘ－Ｙ平面の平面視で重なる位置にある。これにより、第２コンタクト導電層ＲＥ２と画素電極ＰＥ１のコンタクト部ＰＡ１とが電気的に接続される。

第５絶縁膜１５は、第１コンタクト導電層ＲＥ１と接触しているコンタクト領域の第２コンタクト導電層ＲＥ２のうち第２方向Ｙ寄りの一部を覆うので、コンタクトホールＣＨ１２４は、コンタクトホールＣＨ１２２より第２方向Ｙにずれている。

角度ψ１は、第４絶縁膜１４に開けられたコンタクトホールＣＨ１２２の壁面が第１絶縁基板１０のＸ－Ｙ平面と平行な面となす角度である。角度ψ２は、第５絶縁膜に開けられたコンタクトホールＣＨ１２４の壁面が前記第１基板の面と平行な面となす角度である。

角度ψ２は、角度ψ１よりも小さい。角度ψ２は、６０度未満である。例えば、角度ψ２は、４５度以上５５度以下である。

図８に示すように、コンタクト電極ＲＥは、Ｘ－Ｙ平面の平面視で、走査線Ｇ１と重畳しない。これにより、コンタクト電極ＲＥと、走査線Ｇ１との間の寄生容量を抑制することができる。

図４に示すように、検出電極ＣＥと金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３とは、金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３の一部である拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３のいずれかで電気的に接続される。図５を参照すると、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３は、コンタクトホールＣＨ１２、ＣＨ２２、ＣＨ３２があるコンタクト部ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３と一直線上に並ばない位置に配置される。これにより、第２方向Ｙに隣り合う主検出電極ＣＥＰを接続する副検出電極ＣＥＡは、金属配線ＴＬ２に重畳する位置に配置されている。このため、第５絶縁膜１５の厚みを維持でき、副画素ＳＰｉｘの第１方向Ｘの幅を小さくできる。その結果、実施形態１の表示装置ＰＮＬは、高精細化される。

図６に示すように、第１方向Ｘにおいて、金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３の本線ＭＬ（図４参照）の幅は、遮光層ＢＭの幅以下である。これにより、金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３の本線ＭＬは、視認されにくくなる。

図５に示すように、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３は、第１方向Ｘにおいて、金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３の本線ＭＬの幅よりも大きな幅を有している。図５において、遮光層ＢＭは、第１方向Ｘに延在する複数の第１部分ＢＭ１と、第２方向Ｙに延在する複数の第２部分ＢＭ２とを備える。遮光層ＢＭは、副画素ＳＰｉｘの開口部ＡＰをＸ－Ｙ平面の平面視で囲む。これにより、Ｘ－Ｙ平面の平面視において、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３の少なくとも一部は、第２部分ＢＭ２に重なり、他の部分が第２部分ＢＭ２からはみ出る。つまり、図５に示すように、第１方向Ｘにおいて、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３の幅は、遮光層ＢＭの第２部分ＢＭ２の幅よりも大きい。

そこで、実施形態１の表示装置ＰＮＬでは、図１３に示すように、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３があることで、接続部ＣＴ（図１０から図１２参照）がある画素Ｐｉｘ（第１画素）がある。これに対して、実施形態１の表示装置ＰＮＬでは、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３がないことで、接続部ＣＴがない画素Ｐｉｘ（第２画素）がある。そして、接続部ＣＴ（図１０から図１２参照）がある画素Ｐｉｘ（第１画素）と接続部ＣＴがない画素Ｐｉｘ（第２画素）とが第１方向Ｘに交互に配置されている。また、接続部ＣＴがある画素Ｐｉｘと、接続部ＣＴがない画素Ｐｉｘとが第２方向Ｙに交互に配置されている。このように、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３がない非接続領域ＰＴＮが、画素Ｐｉｘ単位で１つおきにあるので、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３の影響による遮光量が低減される。

図１３に示すように、第１接続領域ＰＴ１、第２接続領域ＰＴ２、第３接続領域ＰＴ３、非接続領域ＰＴＮが、６行６列の画素Ｐｉｘに配置されている。第１接続領域ＰＴ１、第２接続領域ＰＴ２及び第３接続領域ＰＴ３において、画素Ｐｉｘには、各副画素ＳＰｉｘに、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３いずれかがある。

第１接続領域ＰＴ１において、拡幅部ＴＣＥ１がコンタクトホールＴＨで検出電極ＣＥと電気的に接続される。これにより、図１０に示すように、拡幅部ＴＣＥ１が接続部ＣＴとして、検出電極ＣＥと接続される。第１接続領域ＰＴ１において、拡幅部ＴＣＥ２、ＴＣＥ３が検出電極ＣＥと非接続になる。

第２接続領域ＰＴ２において、拡幅部ＴＣＥ２がコンタクトホールＴＨで検出電極ＣＥと電気的に接続される。これにより、図１１に示すように、拡幅部ＴＣＥ２が接続部ＣＴとして、検出電極ＣＥと接続される。第２接続領域ＰＴ２において、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ３が検出電極ＣＥと非接続になる。

第３接続領域ＰＴ３において、拡幅部ＴＣＥ３がコンタクトホールＴＨで検出電極ＣＥと電気的に接続される。これにより、図１２に示すように、拡幅部ＴＣＥ３が接続部ＣＴとして、検出電極ＣＥと接続される。第３接続領域ＰＴ３において、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２が検出電極ＣＥと非接続になる。

図１３に示すように、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３がある画素Ｐｉｘ（第１画素）は、副画素ＳＰｉｘ１、ＳＰｉｘ２、ＳＰｉｘ３を含む。同様に、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３がない画素Ｐｉｘ（第２画素）も、副画素ＳＰｉｘ１、ＳＰｉｘ２、ＳＰｉｘ３を含む。拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３がある画素Ｐｉｘ（第１画素）は、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３がない画素Ｐｉｘ（第２画素）を挟んで、第２方向Ｙに３つ並ぶ。この３つの拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３がある画素Ｐｉｘ（第１画素）のうち、いずれか１つの画素Ｐｉｘは、第１接続領域ＰＴ１において、副画素ＳＰｉｘ１の拡幅部ＴＣＥ１と検出電極ＣＥとがコンタクトホールＴＨで接続される。

同様に、３つの拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３がある画素Ｐｉｘ（第１画素）のうち、いずれか１つの画素Ｐｉｘは、第２接続領域ＰＴ２において、副画素ＳＰｉｘ２の拡幅部ＴＣＥ２と検出電極ＣＥとがコンタクトホールＴＨで接続される。これにより、図１１に示すように、拡幅部ＴＣＥ２が接続部ＣＴとして、検出電極ＣＥと接続される。さらに、３つの拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３がある画素Ｐｉｘ（第１画素）のうち、いずれか１つの画素Ｐｉｘは、副画素ＳＰｉｘ３の拡幅部ＴＣＥ３と検出電極ＣＥとがコンタクトホールＴＨで接続される。

拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３がある画素Ｐｉｘ（第１画素）は、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３がない画素Ｐｉｘ（第２画素）を挟んで、第１方向Ｘに３つ並ぶ。この３つの拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３がある画素Ｐｉｘ（第１画素）のうち、いずれか１つの画素Ｐｉｘは、第１接続領域ＰＴ１において、副画素ＳＰｉｘ１の拡幅部ＴＣＥ１と検出電極ＣＥとがコンタクトホールＴＨで接続される。同様に、３つの拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３がある画素Ｐｉｘ（第１画素）のうち、いずれか１つの画素Ｐｉｘは、第２接続領域ＰＴ２において、副画素ＳＰｉｘ２の拡幅部ＴＣＥ２と検出電極ＣＥとがコンタクトホールＴＨで接続される。さらに、３つの拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３がある画素Ｐｉｘ（第１画素）のうち、いずれか１つの画素Ｐｉｘは、副画素ＳＰｉｘ３の拡幅部ＴＣＥ３と検出電極ＣＥとがコンタクトホールＴＨで接続される。

これにより、コンタクトホールＴＨの位置は、均等に分散される。その結果、コンタクトホールＴＨの影響による第１配向膜ＡＬ１の歪みが目立ちにくくなる。その結果、表示品位が劣化しにくい。

第１接続領域ＰＴ１、第２接続領域ＰＴ２、第３接続領域ＰＴ３のそれぞれにおいて、副画素ＳＰｉｘ１、ＳＰｉｘ２、ＳＰｉｘ３には、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３がある。このため、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥは、副画素ＳＰｉｘ１、ＳＰｉｘ２、ＳＰｉｘ３のそれぞれに影響を与えるので、遮光のばらつきが少ない。

図１０は、図１３のＸ－Ｘ’断面である。図１０に示すように、コンタクトホールＴＨにおいて、拡幅部ＴＣＥ１と検出電極ＣＥとが電気的に接続される。接続部ＣＴは、拡幅部ＴＣＥ１と検出電極ＣＥとが直接接している。なお、接続部ＣＴにおいて、拡幅部ＴＣＥ１及び検出電極ＣＥの間に他の導電層が介在していてもよい。拡幅部ＴＣＥ２と検出電極ＣＥとは、図１３におけるＸ－Ｘ’断面では、電気的に接続されていない。拡幅部ＴＣＥ３と検出電極ＣＥとは、図１３におけるＸ－Ｘ’断面では、電気的に接続されていない。

図１１は、図１３のＸＩ－ＸＩ’断面である。図１１に示すように、コンタクトホールＴＨにおいて、拡幅部ＴＣＥ２と検出電極ＣＥとが電気的に接続される。接続部ＣＴは、拡幅部ＴＣＥ２と検出電極ＣＥとが直接接している。なお、接続部ＣＴにおいて、拡幅部ＴＣＥ２及び検出電極ＣＥの間に他の導電層が介在していてもよい。拡幅部ＴＣＥ１と検出電極ＣＥとは、図１３におけるＸＩ－ＸＩ’断面では、電気的に接続されていない。拡幅部ＴＣＥ３と検出電極ＣＥとは、図１３におけるＸＩ－ＸＩ’断面では、電気的に接続されていない。

図１２は、図１３のＸＩＩ－ＸＩＩ’断面である。図１２に示すように、コンタクトホールＴＨにおいて、拡幅部ＴＣＥ３と検出電極ＣＥとが電気的に接続される。接続部ＣＴは、拡幅部ＴＣＥ３と検出電極ＣＥとが直接接している。なお、接続部ＣＴにおいて、拡幅部ＴＣＥ３及び検出電極ＣＥの間に他の導電層が介在していてもよい。拡幅部ＴＣＥ１と検出電極ＣＥとは、図１３におけるＸＩＩ－ＸＩＩ’断面では、電気的に接続されていない。拡幅部ＴＣＥ２と検出電極ＣＥとは、図１３におけるＸＩＩ－ＸＩＩ’断面では、電気的に接続されていない。

図１３に示すように、第１接続領域ＰＴ１、第２接続領域ＰＴ２、第３接続領域ＰＴ３のそれぞれにおいて、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３のうち１つが検出電極ＣＥと接続され、２つが検出電極ＣＥと接続されていない。６行６列の画素Ｐｉｘ内の第１方向Ｘでは、第１接続領域ＰＴ１、第２接続領域ＰＴ２、第３接続領域ＰＴ３がそれぞれ１つ配置される。６行６列の画素Ｐｉｘ内の第２方向Ｙでは、第１接続領域ＰＴ１、第２接続領域ＰＴ２、第３接続領域ＰＴ３がそれぞれ１つ配置される。

特許文献１の図７には、コンタクトホールに配向膜が形成されない現象を説明する断面図が記載されている。特許文献１の図７のように、コンタクトホールの底部に気泡がある状態で、液状の配向膜材料が塗布されると、気泡が配向膜材料を分断すると考えられている。コンタクトホール内にあった配向膜材料は、コンタクトホールの周囲にある配向膜材料に重なり、配向膜材料の膜厚むらを生じさせる可能性がある。配向膜材料の膜厚むらが遮光層ＢＭで遮光できる範囲を超えて、影響を与えると表示装置ＰＮＬの表示むらを生じさせる可能性がある。

そこで、実施形態１の表示装置ＰＮＬは、アレイ基板ＳＵＢ１と、カラーフィルタを備えた対向基板ＳＵＢ２と、アレイ基板ＳＵＢ１と対向基板ＳＵＢ２との間の液晶層ＬＣと、を備える。アレイ基板ＳＵＢ１の一方の面には、第２方向Ｙに間隔をおいて並ぶ複数の走査線ＧＬと、第１方向Ｘに間隔をおいて並ぶ複数の信号線ＳＬと、信号線ＳＬの上に設けられた第１有機絶縁膜である第４絶縁膜１４と、第４絶縁膜１４膜の上に設けられた第２有機絶縁膜である第５絶縁膜１５とが設けられている。走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域には、半導体層ＳＣと、第１コンタクト導電層ＲＥ１と、第２コンタクト導電層ＲＥ２と、第１電極である画素電極ＰＥと、がそれぞれ設けられている。半導体層ＳＣの第１部分には、信号線ＳＬが電気的に接続され、半導体層ＳＣの第２部分には、第１コンタクト導電層ＲＥ１が電気的に接続されている。第２コンタクト導電層ＲＥ２は、第４絶縁膜１４に開けられた第１のコンタクトホールＣＨ１２２を介して、第１コンタクト導電層ＲＥ１と接触する。第２コンタクト導電層ＲＥ２が第１コンタクト導電層ＲＥ１と接触している第２コンタクト導電層ＲＥ２のコンタクト領域の少なくとも一部は、第５絶縁膜１５で覆われている。第５絶縁膜１５に開けられた第２のコンタクトホールＣＨ１２４を介して、画素電極ＰＥと、第２コンタクト導電層ＲＥ２とが電気的に接続している。また、第１のコンタクトホールＣＨ１２２と、第２のコンタクトホールＣＨ１２４とは、互いに、第２方向Ｙにずれている。

この構造により、第５絶縁膜１５に開けられた第２のコンタクトホールＣＨ１２４の空間体積は小さくなる。第２のコンタクトホールＣＨ１２４の底部に、第１配向膜ＡＬ１となる配向膜材料が塗布されて、気泡が生じたとしても、気泡がコンタクトホールＣＨ１２４の外周に排出する配向膜材料の量が小さくなる。その結果、コンタクトホールＣＨ１２４の周囲において、第１配向膜ＡＬ１の膜厚むらが小さくなる。そして、配向膜材料の膜厚むらが遮光層ＢＭで遮光できる範囲を超えて、影響を与える可能性が小さくなり、表示装置ＰＮＬの表示むらが抑制される。

また、角度ψ２は、角度ψ１よりも小さい。これにより、第１配向膜ＡＬ１となる配向膜材料との接触角が小さくなるため、配向膜材料がコンタクトホールＣＨ１２４内に充填されやすくなる。また、気泡が生じにくくなる。その結果、表示装置ＰＮＬの表示むらが抑制される。

実施形態１の表示装置ＰＮＬは、第５絶縁膜１５の上に設けられた第２電極である検出電極ＣＥと、検出電極ＣＥの上に設けられた無機絶縁膜である第６絶縁膜１６と、金属配線ＴＬとを備えている。第６絶縁膜１６の上には、画素電極ＰＥが設けられている。金属配線ＴＬは、検出電極ＣＥと、コンタクトホールＴＨを介して電気的に接続され、第４絶縁膜１４の上に設けられる。金属配線ＴＬは、第５絶縁膜１５に覆われている。金属配線ＴＬは、図２に示すように、電気的に接続される検出電極ＣＥ及び電気的に接続されない検出電極ＣＥの両方に、Ｘ－Ｙ平面の平面視で重畳する。第５絶縁膜１５は、有機絶縁膜であるため、厚く形成できる。このため、図２に示すように、金属配線ＴＬを伝送する信号は、接続されない検出電極ＣＥに影響を与えにくい。

金属配線ＴＬは、信号線ＳＬと重畳する。第４絶縁膜１４は、有機絶縁膜であるため、厚く形成できる。このため、図６に示すように、金属配線ＴＬを伝送する信号は、信号線ＳＬに影響を与えにくい。信号線ＳＬを伝送する信号は、金属配線ＴＬに影響も与えにくい。

金属配線ＴＬは、信号線ＳＬと重畳するので、信号線ＳＬよりも第１方向Ｘの幅が大きい。これにより、成膜時のアライメントがしやすく、金属配線ＴＬの抵抗も低減される。金属配線ＴＬの本線ＭＬは、第１方向Ｘの幅が重畳する遮光層ＢＭの幅以下であることが望ましい。これにより、金属配線ＴＬが視認されにくくなる。

金属配線ＴＬは、一部に本線よりも第１方向Ｘの幅が大きい拡幅部ＴＣＥ１からＴＣＥ３のいずれかを有する。拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３の幅を十分大きくとったことで、第５絶縁膜１５の厚みを大きくしても、コンタクトホールＴＨを設けて拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３のいずれか１つと検出電極ＣＥとの接触面積を確保できる。このように、第５絶縁膜１５には、コンタクトホールＴＨがあり、コンタクトホールＴＨには、検出電極ＣＥ及び拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３のいずれかが接続される接続部ＣＴがある。その結果、金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３と、検出電極ＣＥとの第３方向Ｚの距離を確保し、検出電極ＣＥを通過する金属配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３との寄生容量を低減できる。また、拡幅部ＴＣＥ１の幅を十分大きくとったことで、薄く成膜しにくい樹脂材料で、第５絶縁膜１５を成膜することができる。

検出電極ＣＥは、第３方向Ｚにおいて、第５絶縁膜１５を介して金属配線ＴＬよりも上方に配置される。第５絶縁膜１５には、検出電極ＣＥと拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３のいずれか１つとを接続するコンタクトホールＴＨがある。拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３が、信号線ＳＬの上方に配置され重畳しているので、コンタクトホールＴＨの影響による第１配向膜ＡＬ１の歪みが画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３に影響しにくくなる。その結果、表示品位が劣化しにくい。

図１４に示すようにコンタクトホールＴＨは、例えば、１つの検出電極ＣＥと１つの金属配線ＴＬ１との間に複数設けられている。これにより、接続抵抗が低減し、検出電極ＣＥに供給する駆動信号の波形劣化を抑制することができる。その結果、表示装置ＰＮＬは、静電量の検出精度が向上する。

図５に示すように、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３は、隣り合う２つの走査線Ｇ１、Ｇ２の間に配置されている。また、Ｘ－Ｙ平面の平面視において、拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３は、第１部分ＢＭ１に重ならない。これにより、図５に示す画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３の各コンタクト部ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３と位置を異ならせることができる。その結果、図１４に示すようにコンタクトホールＴＨの形成精度が高くなり、検出電極ＣＥと、金属配線ＴＬとの電気的な接続の信頼性が高くなる。

（実施形態２）
図１４は、実施形態２のコンタクトホールを説明するための平面図である。図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ’断面を説明する部分断面図である。図１７は、実施形態３の副画素を説明するための模式的な説明図である。なお、実施形態１で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。図１４及び図１５に示すように、実施形態３において、コンタクトホールＣＨ１２３及びコンタクトホールＣＨ１２４の構成が実施形態１とは異なる。

図１５に示すように、第１コンタクト導電層と接触しているコンタクト領域の第２コンタクト導電層ＲＥ２の全部を覆う。第４絶縁膜１４の上にある第２コンタクト導電層ＲＥ２がコンタクトホールＣＨ１２３又はコンタクトホールＣＨ１２４で露出する。

第５絶縁膜１５に開けられたコンタクトホールＣＨ１２３は、底部が第４絶縁膜１４の上にある第２コンタクト導電層ＲＥ２を露出する。第３コンタクト導電層ＲＥ３は、第５絶縁膜１５と第２コンタクト導電層ＲＥ２との上に跨がって設けられる。

検出電極ＣＥは、第５絶縁膜１５の上に設けられる。第６絶縁膜１６は、検出電極ＣＥ及び第３コンタクト導電層ＲＥ３の上に設けられる。

画素電極ＰＥ１のコンタクト部ＰＡ１は、第６絶縁膜１６に開けられたコンタクトホールＣＨ１２４を介して、第３コンタクト導電層ＲＥ３に接する。

コンタクトホールＣＨ１２４とコンタクトホールＣＨ１２３とは、Ｘ－Ｙ平面の平面視で重なる位置にある。これにより、第２コンタクト導電層ＲＥ２と画素電極ＰＥ１のコンタクト部ＰＡ１とが電気的に接続される。

第５絶縁膜１５は、第１コンタクト導電層ＲＥ１と接触しているコンタクト領域の第２コンタクト導電層ＲＥ２の全部を覆うので、コンタクトホールＣＨ１２４は、コンタクトホールＣＨ１２２より第２方向Ｙにずれている。

角度ψ２は、角度ψ１よりも小さい。角度ψ２は、６０度未満である。例えば、角度ψ２は、４５度以上５５度以下である。

以上説明したように、第１コンタクト導電層と接触しているコンタクト領域の第２コンタクト導電層ＲＥ２の全部は、第５絶縁膜１５で覆われている。Ｘ－Ｙ平面の平面視で、第１のコンタクトホールＣＨ１２２と、第２のコンタクトホールＣＨ１２４とが重ならない。この構造により、第５絶縁膜１５に開けられた第２のコンタクトホールＣＨ１２４の空間体積は小さくなる。第２のコンタクトホールＣＨ１２４の底部に、第１配向膜ＡＬ１となる配向膜材料が塗布されて、気泡が生じたとしても、気泡がコンタクトホールＣＨ１２４の外周に排出する配向膜材料の量が小さくなる。その結果、コンタクトホールＣＨ１２４の周囲において、第１配向膜ＡＬ１の膜厚むらが小さくなる。そして、配向膜材料の膜厚むらが遮光層ＢＭで遮光できる範囲を超えて、影響を与える可能性が小さくなり、表示装置ＰＮＬの表示むらが抑制される。

（実施形態３）
図１６は、実施形態３のスイッチング素子を説明するための平面図である。図１７は、実施形態３の副画素を説明するための模式的な説明図である。なお、実施形態１で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。実施形態２において、副画素ＳＰｉｘ１３の構成が実施形態１とは異なる。

実施形態３のスイッチング素子ＴｒＤ３において、半導体層ＳＣ３は、一方端側にある第１部分Ｅ３１及び他方端側にある第２部分Ｅ３２を有する。第１部分Ｅ３１は、コンタクトホールＣＨ３１を介して信号線Ｓ３と電気的に接続されている。第２部分Ｅ３２は、コンタクトホールＣＨ３２を介してコンタクト電極ＲＥと電気的に接続されている。コンタクト電極ＲＥは、信号線Ｓ２及びＳ３の間に位置している。また、スイッチング素子ＴｒＤ３のコンタクト電極ＲＥ、及び、第１部分Ｅ３１及び第２部分Ｅ３２は、いずれも走査線Ｇ２に対して走査線Ｇ３側に位置している。

走査線Ｇ２において、半導体層ＳＣ３と交差する２つの部分は、それぞれゲート電極ＷＧ３１及びＷＧ３２として機能する。遮光体ＬＳは、半導体層ＳＣ３のうち、ゲート電極ＷＧ３２と交差する部分の直下に位置している。第２部分Ｅ３２は、第２部分Ｅ１２及び第２部分Ｅ３３が並ぶ位置から、走査線Ｇ２を挟んで反対側にずれている。

このように、走査線Ｇ２において、半導体層ＳＣ３と交差する２つの部分は、それぞれゲート電極ＷＧ３１及びＷＧ３２となる。走査線Ｇ２が延びる方向に並ぶ３つの半導体層ＳＣ１、ＳＣ２、ＳＣ３のうち、２つの半導体層ＳＣ１及び半導体層ＳＣ２がそれぞれ備える第２部分Ｅ１２及び第２部分Ｅ２２が並ぶ直線上とは、ずれた位置に他の半導体層ＳＣ３の第２部分Ｅ３２がある。これにより、副画素ＳＰｉｘ１３の面積を大きくすることができる。

そして、コンタクトホールＣＨ１２及びＣＨ２２は、第１方向Ｘに沿った同一直線上に並んでいる。これに対して、コンタクトホールＣＨ１２及びＣＨ２２に対して、コンタクトホールＣＨ３２は、第１方向Ｘと交差する斜め方向に並んでいる。つまり、コンタクトホールＣＨ３２は、コンタクトホールＣＨ１２及びＣＨ２２が並ぶ同一直線上からずれた位置に設けられている。

ここで、上述した拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３は、図１６に示すコンタクトホールＣＨ１１、ＣＨ２１、ＣＨ３１のいずれかの上方にあり、重畳している。その結果、コンタクトホールＴＨの形成精度が高くなり、検出電極ＣＥと、金属配線ＴＬとの電気的な接続の信頼性が高くなる。

図１７に示すように、副画素ＳＰｉｘ１は、第１列に第２方向Ｙに沿って配列される。副画素ＳＰｉｘ２は、第１列の次列である第２列に第２方向Ｙに沿って配列される。副画素ＳＰｉｘ３と、副画素ＳＰｉｘ１３とは、第２列の次列である第３列に、第２方向Ｙに交互に配列されている。第１列、第２列、第３列は、第１方向Ｘに周期的に配列される。副画素ＳＰｉｘ１には、赤色（Ｒ）のカラーフィルタが配置されている。副画素ＳＰｉｘ２には、緑色（Ｇ）のカラーフィルタが配置されている。副画素ＳＰｉｘ３には、白又は透明（Ｗ）のカラーフィルタが配置されている。副画素ＳＰｉｘ１３には、青色（Ｂ）のカラーフィルタが配置されている。

副画素ＳＰｉｘ１３が輝度を向上させる分、バックライトユニットＩＬの電流値を下げ、消費電力を低減することができる。また、視感度の低い、青色（Ｂ）の面積が確保される。

以上、好適な実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。

例えば、以上説明した拡幅部ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３は、中継電極、接続部、幅広部、拡張部、拡幅部及び台座部のいずれかとしてもよく、若しくは単に、金属配線ＴＬの第１部分等と表現してもよい。接続部ＣＴも、コンタクト部と表現してもよい。

金属配線ＴＬは、検出電極ＣＥに駆動信号に供給しない補助配線であってもよく、検出電極ＣＥは、ベタ膜の電極であってもよい。

第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定される平面は、アレイ基板ＳＵＢ１の面と平行としたが、アレイ基板ＳＵＢ１の面が湾曲していてもよい。この場合、表示装置ＰＮＬが最大面積でみる方向からみて、所定の方向が第１方向となり、その第１方向と交差する方向が第２方向となる。表示装置ＰＮＬが最大面積でみる方向は、第１方向及び第２方向に直交する第３方向が規定されればよい。

１０ 第１絶縁基板
１５ 第５絶縁膜
１６ 第６絶縁膜
２０ 第２絶縁基板
ＡＬ１ 第１配向膜
ＡＬ２ 第２配向膜
ＢＥ 周辺領域
ＢＭ 遮光層
ＣＥ－Ｇ 外縁配線
ＣＥ 検出電極
ＣＥＡ、ＣＥＢ 副検出電極
ＣＥＰ 主検出電極
ＤＡ 表示領域
Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、ＧＬ 走査線
ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３ 画素電極
Ｐｉｘ 画素
ＰＮＬ 表示装置
ＰＴ１ 第１接続領域
ＰＴ２ 第２接続領域
ＰＴ３ 第３接続領域
ＰＴＮ 非接続領域
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、ＳＬ 信号線
ＳＰｉｘ、ＳＰｉｘ１、ＳＰｉｘ２、ＳＰｉｘ３、ＳＰｉｘ１３ 副画素
ＳＵＢ１ アレイ基板
ＳＵＢ２ 対向基板
ＴＣＥ１、ＴＣＥ２、ＴＣＥ３ 拡幅部
ＴＨ コンタクトホール
ＴＬ、ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬ３ 金属配線
ＴｒＤ１、ＴｒＤ２、ＴｒＤ３ スイッチング素子

Claims (12)

1. アレイ基板と、
   カラーフィルタを備えた対向基板と、
   前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、を備え、
   前記アレイ基板の一方の面には、第１方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、第２方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、前記信号線の上に設けられた第１有機絶縁膜と、前記第１有機絶縁膜の上に設けられた第２有機絶縁膜とが設けられ、
   前記走査線と前記信号線とに囲まれた領域には、半導体層と、第１コンタクト導電層と、第２コンタクト導電層と、第１電極と、がそれぞれ設けられ、
   前記半導体層の第１部分には、前記信号線が電気的に接続され、前記半導体層の第２部分には、前記第１コンタクト導電層が電気的に接続され、
   前記第２コンタクト導電層は、前記第１有機絶縁膜に開けられた第１のコンタクトホールを介して、前記第１コンタクト導電層と接触し、
   前記第２コンタクト導電層が前記第１コンタクト導電層と接触しているコンタクト領域の少なくとも一部は、前記第２有機絶縁膜で覆われ、
   前記第２有機絶縁膜に開けられた第２のコンタクトホールを介して、前記第１電極と、前記第２コンタクト導電層とが電気的に接続し、
   前記第１のコンタクトホールと、前記第２のコンタクトホールは互いに前記第２方向にずれている、
   表示装置。
2. 前記第２有機絶縁膜に開けられた前記第１のコンタクトホールの壁面が前記アレイ基板の面と平行な面となす角度は、前記第１有機絶縁膜に開けられた前記第２のコンタクトホールの壁面が前記アレイ基板の面と平行な面となす角度よりも小さい、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２のコンタクトホールの壁面が前記アレイ基板の面と平行な面となす角度が６０度未満である、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第２のコンタクトホールの壁面が前記アレイ基板の面と平行な面となす角度が４５度以上５５度以下である、請求項３に記載の表示装置。
5. さらに、前記第２有機絶縁膜の上に設けられた第２電極と、
   前記第２電極の上に設けられた無機絶縁膜と、を備え、
   前記無機絶縁膜の上に、前記第１電極が設けられている、請求項１から４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. さらに、前記第２有機絶縁膜と前記第２コンタクト導電層との上に跨がって設けられた第３コンタクト導電層を備え、
   前記第１電極は、前記無機絶縁膜に開けられた第３のコンタクトホールを介して、前記第３コンタクト導電層に接触する、請求項５に記載の表示装置。
7. 前記第２電極と電気的に接続され、前記第１有機絶縁膜の上に設けられる複数の金属配線を有し、
   前記金属配線は、前記第２有機絶縁膜に覆われている、請求項５又は６に記載の表示装置。
8. 複数の前記第２電極は、行列状に配列されている、請求項５から７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記コンタクト領域の一部は、前記第２有機絶縁膜で覆われ、平面視で前記第１のコンタクトホールの一部と、前記第２のコンタクトホールとが重なる請求項１から８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記コンタクト領域の全部は、前記第２有機絶縁膜で覆われ、平面視で前記第１のコンタクトホールと、前記第２のコンタクトホールとが重ならない請求項１から８のいずれか１項に記載の表示装置。
11. 前記走査線が延びる方向に並ぶ３つの前記半導体層のうち、２つの前記半導体層がそれぞれ備える前記第２部分が並ぶ直線上に他の前記半導体層の前記第２部分がある、請求項１から１０のいずれか１項に記載の表示装置。
12. 前記走査線が延びる方向に並ぶ３つの前記半導体層のうち、２つの前記半導体層がそれぞれ備える前記第２部分が並ぶ直線上とは、ずれた位置に他の前記半導体層の前記第２部分がある、請求項１から１０のいずれか１項に記載の表示装置。

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