JP7474654B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置に関する。

特許文献１には、マトリクス状に配列された複数の検出電極と、１つの検出電極に接続される複数のセンサ配線と、を有するセンサ付き表示装置が記載されている。また、特許文献２には、赤色、緑色、青色をそれぞれ表示する副画素に加え、白色を表示する副画素を有する表示装置が記載されている。また、特許文献２には、表示装置の駆動方法としてカラム反転駆動方式が記載されている。

特開２０１９－１４８８５５号公報 特開２０１５－２３０３４３号公報

特許文献２の表示装置は、特許文献１の技術のように共通電極にスリットをいれて複数の検出電極を設けると、いわゆるクロストークが発生し画質が低下する可能性がある。このため、信号線と検出電極（共通電極）との間に形成される寄生容量、特に、青色の副画素及び白色の副画素に共通に接続される信号線の寄生容量を低減することが望まれている。

本発明は、画質の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様の表示装置は、赤色を表示する複数の第１副画素と、緑色を表示する複数の第２副画素と、青色を表示する複数の第３副画素と、白色を表示する複数の第４副画素と、複数の前記第１副画素に接続される第１信号線と、複数の前記第２副画素に接続される第２信号線と、複数の前記第３副画素及び複数の前記第４副画素に接続される第３信号線と、マトリクス状に配列され、それぞれが複数の前記第１副画素、複数の前記第２副画素、複数の前記第３副画素及び複数の前記第４副画素と重畳して設けられた複数の検出電極と、複数の前記検出電極のそれぞれに接続された複数の信号供給配線と、を有し、前記信号供給配線は、前記第１信号線及び前記第２信号線の少なくとも一方と重畳して設けられ、前記第３信号線と非重畳に設けられる。

本発明の一態様の表示装置は、赤色を表示する複数の第１副画素と、緑色を表示する複数の第２副画素と、青色を表示する複数の第３副画素と、白色を表示する複数の第４副画素と、複数の前記第１副画素に接続される第１信号線と、複数の前記第２副画素に接続される第２信号線と、複数の前記第３副画素及び複数の前記第４副画素に接続される第３信号線と、前記第１信号線、前記第２信号線及び前記第３信号線の上に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に設けられた第２絶縁膜と、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に設けられた信号供給配線と、前記第２絶縁膜の上に設けられ、マトリクス状に配列された複数の検出電極と、を有し、前記信号供給配線は、前記第１信号線及び前記第２信号線の少なくとも一方と重畳する領域で、前記第２絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記検出電極と接続され、前記第３信号線と重畳する領域で、前記第２絶縁膜には前記第１絶縁膜を底面とするダミーコンタクトホールが設けられる。

図１は、第１実施形態の表示装置を示す分解斜視図である。 図２は、アレイ基板を模式的に示す平面図である。 図３は、第１実施形態の表示装置の画素配列を示す模式図である。 図４は、画素の構成を表す等価回路図である。 図５は、第１実施形態及び比較例に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。 図６は、複数の検出電極と、複数の駆動信号供給配線と、複数のダミー配線との関係を説明するための説明図である。 図７は、画素の模式的な平面図において、検出電極を説明するための平面図である。 図８は、画素の模式的な平面図において、駆動信号供給配線及びダミー配線を説明するための平面図である。 図９は、図８のＩＸ－ＩＸ’断面図である。 図１０は、第１実施形態のスイッチング素子を説明するための平面図である。 図１１は、コンタクトホールを説明するための断面図である。 図１２は、ダミーコンタクトホールを説明するための断面図である。 図１３は、第２実施形態の表示装置を説明するための平面図である。 図１４は、第３実施形態の表示装置を説明するための平面図である。 図１５は、第３実施形態の画素の模式的な平面図において、駆動信号供給配線及びダミー配線を説明するための平面図である。 図１６は、第４実施形態の表示装置を説明するための平面図である。 図１７は、第４実施形態の画素の模式的な平面図において、駆動信号供給配線及びダミー配線を説明するための平面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、本開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本開示と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

本明細書及び特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の表示装置を示す分解斜視図である。図１に示すように、表示装置ＰＮＬは、アレイ基板ＳＵＢ１と、対向基板ＳＵＢ２とを備えている。図１に示すように、表示装置ＰＮＬにおいて、表示領域ＤＡの外側に周辺領域ＢＥが設けられている。表示領域ＤＡは、四角形状に形成されているが、表示領域ＤＡの外形の形状は限定されない。例えば、表示領域ＤＡには、切り欠きがあってもよく、あるいは表示領域ＤＡが他の多角形状に形成されてもよいし、表示領域ＤＡが円形状あるいは楕円形状などの他の形状に形成されてもよい。

本実施形態において、第１方向Ｘは、表示領域ＤＡの短辺に沿った方向である。第２方向Ｙは、第１方向Ｘと交差（又は直交）する方向である。これに限定されず、第２方向Ｙは第１方向Ｘに対して９０°以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定される平面は、アレイ基板ＳＵＢ１の面と平行となる。また、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに直交する第３方向Ｚは、アレイ基板ＳＵＢ１の厚み方向である。また、平面視とは、第３方向Ｚから見たときの位置関係を示す。

表示領域ＤＡは、画像を表示させるための領域であり、複数の画素ＰＸと重なる領域である。周辺領域ＢＥは、アレイ基板ＳＵＢ１の外周よりも内側で、かつ、表示領域ＤＡよりも外側の領域を示す。なお、周辺領域ＢＥは表示領域ＤＡを囲う枠状であってもよく、その場合、周辺領域ＢＥは額縁領域とも言える。

画像を表示する表示領域ＤＡは、静電容量を検出する検出装置に含まれるセンサ領域を含む。図１に示すように、検出電極ＣＥは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に複数配列される。それぞれの検出電極ＣＥは、平面視で矩形状、又は正方形状で模式的に示すが、検出電極ＣＥの詳細な形状は、後述する。検出電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料で構成されている。

図１に示すように、アレイ基板ＳＵＢ１の一方の面側の周辺領域ＢＥには、外縁配線ＣＥ－Ｇと、集積回路ＣＰと、が設けられている。例えば、外縁配線ＣＥ－Ｇは、表示領域ＤＡの長辺と短辺とに沿って連続して設けられており、表示領域ＤＡを囲んでいる。

表示装置ＰＮＬは、表示領域ＤＡにセンサ領域が一体化されたセンサ付き表示装置である。具体的には、表示装置ＰＮＬにおいて、表示領域ＤＡの部材の一部が、センサ領域の検出電極ＣＥとなっている。

図２は、アレイ基板を模式的に示す平面図である。図２に示すように、検出電極ＣＥは、スリットＳＰＢにより、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに行列状に分けられている。周辺領域ＢＥの短辺側には、接続回路ＭＰと集積回路ＣＰとが設けられている。また、周辺領域ＢＥの短辺側には、不図示の配線基板が接続される。配線基板は、例えばフレキシブルプリント基板である。なお、接続回路ＭＰと集積回路ＣＰとの配置は、これに限定されず、例えばモジュール外部の制御基板やフレキシブルプリント基板上に備えられていてもよい。

検出電極ＣＥは、駆動信号供給配線ＴＬ及び接続回路ＭＰを介して、集積回路ＣＰと電気的に接続される。駆動信号供給配線ＴＬは、複数の検出電極ＣＥのそれぞれに接続され、タッチ検出の際に複数の検出電極ＣＥのそれぞれに駆動信号を供給し、静電量変化に応じた信号をアナログフロントエンドへ送る。あるいは、駆動信号供給配線ＴＬは、表示の期間に検出電極ＣＥに基準電位ＶＣＯＭを供給する。複数の駆動信号供給配線ＴＬはそれぞれ、表示領域ＤＡに配置された複数の検出電極ＣＥのそれぞれに電気的に接続され、周辺領域ＢＥまで引き出されている。複数の駆動信号供給配線ＴＬのそれぞれは第２方向Ｙに沿って延在し、複数の駆動信号供給配線ＴＬは第１方向Ｘに亘って並んで配置されている。例えば、集積回路ＣＰに内蔵された駆動回路は、周辺領域ＢＥに配置された接続回路ＭＰと、駆動信号供給配線ＴＬとを介して、複数の検出電極ＣＥにそれぞれ接続される。

コンタクトホールＣＨは、検出電極ＣＥと、検出電極ＣＥと重畳する駆動信号供給配線ＴＬとが電気的に接続する接続部がある。１つの駆動信号供給配線ＴＬは、図２において模式的に１つの検出電極ＣＥと接続される。後述するように、実際には、駆動信号供給配線ＴＬが複数の配線を束ねて、表示領域ＤＡ内に引き回されている。

表示装置ＰＮＬは、さらに接続回路ＭＰを備える。接続回路ＭＰは、検出電極ＣＥと集積回路ＣＰとの間に設けられる。接続回路ＭＰは、集積回路ＣＰから供給される制御信号に基づいて、検出駆動の対象となる検出電極ＣＥと集積回路ＣＰとの接続と遮断とを切り換える回路である。接続回路ＭＰは、例えばマルチプレクサである。集積回路ＣＰは、アナログフロントエンドを有している。

図３は、第１実施形態の表示装置の画素配列を示す模式図である。図３に示すように、複数の画素ＰＸは、マトリクス状に配列される。画素ＰＸは、第１副画素ＳＰＸ１と、第２副画素ＳＰＸ２と、第３副画素ＳＰＸ３と、第４副画素ＳＰＸ４と、を有する。第１副画素ＳＰＸ１は、第１原色として赤色を表示する。第２副画素ＳＰＸ２は、第２原色として緑色を表示する。第３副画素ＳＰＸ３は、第３原色として青色を表示する。第４副画素ＳＰＸ４は、白色を表示する。なお、第１副画素ＳＰＸ１、第２副画素ＳＰＸ２、第３副画素ＳＰＸ３及び第４副画素ＳＰＸ４を区別して説明する必要がない場合には、副画素ＳＰＸと表す場合がある。

画素ＰＸは、第１画素ＰＸ１と、第２画素ＰＸ２と、を有する。第１画素ＰＸ１は、第１副画素ＳＰＸ１と、第２副画素ＳＰＸ２と、第３副画素ＳＰＸ３と、を有する。第２画素ＰＸ２は、第１副画素ＳＰＸ１と、第２副画素ＳＰＸ２と、第４副画素ＳＰＸ４と、を有する。第１画素ＰＸ１と、第２画素ＰＸ２とは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにそれぞれ交互に配列されている。

より具体的には、第１副画素ＳＰＸ１は、第２方向Ｙに配列される。第２方向Ｙに配列された第１副画素ＳＰＸ１からなる第１副画素列は、共通の信号線Ｓ１、Ｓ４（第１信号線）に接続される。第２副画素ＳＰＸ２は、第２方向Ｙに配列される。第２方向Ｙに配列された第２副画素ＳＰＸ２からなる第２副画素列は、第１副画素列と第１方向Ｘに隣り合って配置される。第２副画素列は、共通の信号線Ｓ２、Ｓ５（第２信号線）に接続される。

第３副画素ＳＰＸ３及び第４副画素ＳＰＸ４は、第２方向Ｙに交互に配列される。第２方向Ｙに配列された第３副画素ＳＰＸ３及び第４副画素ＳＰＸ４からなる第３副画素列は、第２副画素列と第１方向Ｘに隣り合って配置される。第３副画素列は、共通の信号線Ｓ３、Ｓ６（第３信号線）に接続される。第１副画素列、第２副画素列及び第３副画素列は、この順で第１方向Ｘに繰り返し配列される。

また、第１方向Ｘに配列された第１画素ＰＸ１及び第２画素ＰＸ２は、各行ごとに走査線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３に接続される。以下の説明では、複数の走査線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３を総称して、ＧＬとすることがある。複数の信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６を総称して、信号線ＳＬとすることがある。

図４は、画素の構成を表す等価回路図である。アレイ基板ＳＵＢ１には、図４に示す各副画素ＳＰＸのスイッチング素子Ｔｒ、信号線ＳＬ、走査線ＧＬ等が形成されている。信号線ＳＬは、各副画素ＳＰＸの画素電極ＰＥ（図８参照）に画素信号を供給するための配線である。走査線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３は、各スイッチング素子Ｔｒを駆動するゲート信号ＶＧＬ１、ＶＧＬ２、ＶＧＬ３を供給するための配線である。

図４に示すように、副画素ＳＰＸは、それぞれスイッチング素子Ｔｒ及び液晶層ＬＣの保持容量Ｃｓ等の素子を備えている。スイッチング素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。後述する画素電極ＰＥと検出電極ＣＥとの間に絶縁膜１６（図９参照）が設けられ、これらによって図４に示す保持容量Ｃｓが形成される。

スイッチング素子Ｔｒのゲートは走査線ＧＬに接続される。スイッチング素子Ｔｒのソースは信号線ＳＬに接続される。スイッチング素子Ｔｒのドレインは画素電極ＰＥに接続される。図４に示す等価回路図において、スイッチング素子Ｔｒのドレインは保持容量Ｃｓの一端及び液晶層ＬＣの容量の一端に接続される。保持容量Ｃｓの他端及び液晶層ＬＣの容量の他端は、検出電極ＣＥに接続される。

さらに、副画素ＳＰＸには、寄生容量Ｃｓｇ、Ｃｓｃ、Ｃｇｃが形成される。寄生容量Ｃｓｇは、走査線ＧＬと信号線ＳＬとの間に形成される容量成分である。寄生容量Ｃｓｃは、検出電極ＣＥと信号線ＳＬとの間に形成される容量成分である。寄生容量Ｃｇｃは、検出電極ＣＥと走査線ＧＬとの間に形成される容量成分である。

次に、図３から図５を参照して、本実施形態の表示装置ＰＮＬの駆動方法、及び比較例の表示装置の駆動方法の一例について説明する。図５は、第１実施形態及び比較例に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。図５では、検出電極ＣＥに供給される波形について、第１実施形態の表示装置ＰＮＬを実線で示し、比較例の表示装置を点線で示している。なお、ゲート信号ＶＧＬ、セレクタＳＥＬＲ、ＳＥＬＧ、ＳＥＬＢに供給される制御信号、及び、画素信号ＳＩＧについては、第１実施形態及び比較例の表示装置に共通の信号が供給された場合について説明する。

本実施形態の表示装置ＰＮＬ及び比較例の駆動方法は、カラム反転駆動である。カラム反転駆動は、副画素又は副画素が組み合わされた画素の１ライン（列）に互いに逆極性の電圧が印加され、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転する駆動方式である。

例えばｎ－１周期目に表示される映像に対しては、信号線ＳＬ１、ＳＬ３、ＳＬ５には、基準電位ＶＣＯＭを基準としてマイナスの電圧に対応する画素信号ＳＩＧ１、ＳＩＧ３、ＳＩＧ５が供給される。信号線ＳＬ２、ＳＬ４、ＳＬ６には、基準電位ＶＣＯＭを基準としてプラスの電圧に対応する画素信号ＳＩＧ２、ＳＩＧ４、ＳＩＧ６が供給される。

次に、ｎ周期目に表示される映像に対しては、図３に示すように、信号線ＳＬ１、ＳＬ３、ＳＬ５には、基準電位ＶＣＯＭを基準としてプラスの電圧に対応する画素信号ＳＩＧ１、ＳＩＧ３、ＳＩＧ５が供給される。信号線ＳＬ２、ＳＬ４、ＳＬ６には、基準電位ＶＣＯＭを基準としてマイナスの電圧に対応する画素信号ＳＩＧ２、ＳＩＧ４、ＳＩＧ６が供給される。

また、以下の説明では、図３に示す領域１０１に含まれる複数の副画素ＳＰＸにおいて、第３副画素ＳＰＸ３に青色を表示する画素信号ＳＩＧが供給され、その他の副画素ＳＰＸには、電圧ＧＮＤが供給され黒を表示するものとする。領域１０１以外の表示領域ＤＡに含まれる複数の副画素ＳＰＸは、グレーの映像を表示する画素信号ＳＩＧが供給されるものとする。以下の説明では、領域１０１以外の複数の副画素ＳＰＸで構成される領域を背景部と表す。背景部で表示されるグレーの映像に対して、複数の副画素ＳＰＸに供給される電圧は、例えば、中間調の映像を表示する電圧と呼ぶ。

図５に示すように、走査線Ｇ２にゲート信号ＶＧＬ２が供給される。ゲート信号ＶＧＬ２がオンの期間に、セレクタＳＥＬＲ、ＳＥＬＧ、ＳＥＬＢＷのそれぞれにパルス信号が供給される。セレクタＳＥＬＲ、ＳＥＬＧ、ＳＥＬＢＷは、接続回路ＭＰ（図１参照）が有するスイッチ素子である。例えば、セレクタＳＥＬＲは、パルス信号がオンになると、それぞれ信号線Ｓ１、Ｓ４を選択し、信号線Ｓ１、Ｓ４に接続された第１副画素ＳＰＸ１に画素信号ＳＩＧ１、ＳＩＧ４を供給する。セレクタＳＥＬＧは、パルス信号がオンになると、それぞれ信号線Ｓ２、Ｓ５を選択し、信号線Ｓ２、Ｓ５に接続された第２副画素ＳＰＸ２に画素信号ＳＩＧ２、ＳＩＧ５を供給する。セレクタＳＥＬＢＷは、パルス信号がオンになると、それぞれ信号線Ｓ３、Ｓ６を選択し、信号線Ｓ３、Ｓ６に接続された第３副画素ＳＰＸ３及び第４副画素ＳＰＸ４に画素信号ＳＩＧ３、ＳＩＧ６を供給する。

図５に示すように、セレクタＳＥＬＢＷにパルス信号が供給された場合、信号線Ｓ３は、マイナスの電位から電位ＧＮＤに上昇し、走査線Ｇ２に選択された第４副画素ＳＰＸ４に、電位ＧＮＤに対応する白色の画素信号ＳＩＧ３を供給する。セレクタＳＥＬＢＷにより選択される前の期間に供給されるマイナスの電位は、１行前の走査線Ｇ１に選択された第３副画素ＳＰＸ３に供給される青色の画素信号ＳＩＧに対応する電位である。

また、セレクタＳＥＬＢＷにパルス信号が供給された場合、信号線Ｓ６は、電位ＧＮＤからプラスの電位に上昇し、走査線Ｇ２に選択された第３副画素ＳＰＸ３に、プラスの電位に対応する青色の画素信号ＳＩＧ６を供給する。セレクタＳＥＬＢＷにより選択される前の期間に供給される電位ＧＮＤは、１行前の走査線Ｇ１に選択された第４副画素ＳＰＸ４に供給される白色の画素信号ＳＩＧに対応する電位である。

すなわち、信号線Ｓ３、Ｓ６に供給される電位は、いずれも上昇する。上述したように、信号線ＳＬと検出電極ＣＥとは、寄生容量Ｃｓｃ（図４参照）により容量カップリングされている。このため、信号線Ｓ３、Ｓ６の電位の上昇に伴い検出電極ＣＥの電位も上昇する。また、図２に示す複数の駆動信号供給配線ＴＬは、複数の検出電極ＣＥと電気的に接続されている。このため、画素信号ＳＩＧ３、ＳＩＧ６が供給された領域１０１以外の背景部においても、複数の検出電極ＣＥ及び複数の駆動信号供給配線ＴＬの電位が上昇する。

図５に示すように、検出電極ＣＥの電位は、検出電極ＣＥ及び駆動信号供給配線ＴＬの時定数に応じて時間の経過とともに低下し、元の電位に収束する。しかし、大きい寄生容量Ｃｓｃを有する比較例の表示装置では、図５の点線ＧＱに示すように、セレクタＳＥＬＢＷに供給されるパルス信号がオフになる時刻Ｔｏｆｆまでに、クロストーク成分の電圧が収束しない。この検出電極ＣＥに生じる電圧差が、第４副画素ＳＰＸ４の実効電圧を大きくしてしまい、また、背景部に本来生じない画像が発現する可能性がある。なお、第４副画素ＳＰＸ４の輝度の変動は、他の副画素ＳＰＸの輝度の変動よりも大きく影響しやすい傾向にある。

また、表示装置ＰＮＬが高速で駆動される場合、ずなわち、セレクタＳＥＬＢＷに供給されるパルス信号のパルス幅が狭くなると、時刻Ｔｏｆｆでの電圧差が大きくなり、表示画質の低下が生じる可能性が増大する。

本実施形態では、信号線ＳＬと検出電極ＣＥとの間の寄生容量Ｃｓｃを抑制することにより、検出電極ＣＥ及び駆動信号供給配線ＴＬの時定数を小さくすることができる。この結果、検出電極ＣＥの電位は従来例よりも速く元の電位に収束し、時刻Ｔｏｆｆでの検出電極ＣＥに生じる電位差が抑制される。これにより、本実施形態では、クロストーク成分の電位差を抑制することができ、表示画質の低下を抑制することができる。

なお、図５に示すタイミング波形図は、あくまで一例であり、図５に示す例に限定されるものではない。

次に、検出電極ＣＥ及び駆動信号供給配線ＴＬの時定数を小さくする具体的な構成について説明する。図６は、複数の検出電極と、複数の駆動信号供給配線と、複数のダミー配線との関係を説明するための説明図である。

図６に示すように、検出電極ＣＥ１、ＣＥ２、ＣＥ３、ＣＥ４は、第２方向Ｙに配列されている。検出電極ＣＥ１、ＣＥ２、ＣＥ３、ＣＥ４は、それぞれ、複数の副画素ＳＰＸ（複数の第１副画素ＳＰＸ１、複数の第２副画素ＳＰＸ２、複数の第３副画素ＳＰＸ３及び複数の第４副画素ＳＰＸ４）と重畳して設けられる。また、図６は、図面を見やすくするために、検出電極ＣＥのそれぞれに重畳して、１行の副画素ＳＰＸを示している。ただし、実際には、１つの検出電極ＣＥは、複数行の副画素ＳＰＸと重畳して配置される。

以下の説明では、検出電極ＣＥ１、ＣＥ２、ＣＥ３、ＣＥ４を区別して説明する必要がない場合には、検出電極ＣＥと表す。検出電極ＣＥは、それぞれ主検出電極ＣＥＰと、副検出電極ＣＥＡ、ＣＥＢ（副検出電極ＣＥＡは図７参照）とを有する。第１方向Ｘに隣り合う主検出電極ＣＥＰの間にスリットＳＰＡが形成されている。なお、検出電極ＣＥの詳細な構成については、後述する。

駆動信号供給配線ＴＬ１は、複数の第１副画素ＳＰＸ１からなる第１副画素列に対応して設けられる。駆動信号供給配線ＴＬ２は、複数の第２副画素ＳＰＸ２からなる第２副画素列に対応して設けられる。駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２は、それぞれコンタクトホールＣＨを介して検出電極ＣＥと接続される。なお、以下の説明において、駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２を区別して説明する必要がない場合には、単に駆動信号供給配線ＴＬと表す。

より具体的には、第１方向Ｘに隣り合う１組の駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２を、配線グループＴＬＧとする。配線グループＴＬＧ１、ＴＬＧ２、ＴＬＧ３、ＴＬＧ４は、第１方向Ｘに配列され、それぞれ、検出電極ＣＥ１、ＣＥ２、ＣＥ３、ＣＥ４に接続される。配線グループＴＬＧ１、ＴＬＧ２、ＴＬＧ３、ＴＬＧ４の第２方向Ｙの長さは、この順で長くなる。検出電極ＣＥ１に接続される配線グループＴＬＧ１は、検出電極ＣＥ２、ＣＥ３、ＣＥ４と非重畳である。検出電極ＣＥ２に接続される配線グループＴＬＧ２は、検出電極ＣＥ３、ＣＥ４と非重畳である。検出電極ＣＥ３に接続される配線グループＴＬＧ３は、検出電極ＣＥ４と非重畳である。

１つの検出電極ＣＥにおいて、２本の駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２が接続される。駆動信号供給配線ＴＬ１は２つのコンタクトホールＣＨを介して検出電極ＣＥと接続され、駆動信号供給配線ＴＬ２は２つのコンタクトホールＣＨを介して検出電極ＣＥと接続される。図６では、検出電極ＣＥは、合計４つのコンタクトホールＣＨで駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２と電気的に接続される。ただし、これに限定されず、少なくとも１つの駆動信号供給配線ＴＬが設けられていればよい。また、１つの駆動信号供給配線ＴＬに対し、１つコンタクトホールＣＨが設けられていてもよいし、３つ以上のコンタクトホールＣＨが設けられていてもよい。

表示装置ＰＮＬは、さらに、第１ダミー配線ＴＬＤ１、第２ダミー配線ＴＬＤ２及び第３ダミー配線ＴＬＤ３を有する。第１ダミー配線ＴＬＤ１は、複数の第１副画素ＳＰＸ１からなる第１副画素列に対応して設けられ、駆動信号供給配線ＴＬ１と第２方向Ｙに隣り合って配置される。第２ダミー配線ＴＬＤ２は、複数の第２副画素ＳＰＸ２からなる第２副画素列に対応して設けられ、駆動信号供給配線ＴＬ２と第２方向Ｙに隣り合って配置される。

配線グループＴＬＧ１が設けられた副画素列では、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２は、検出電極ＣＥ２、ＣＥ３、ＣＥ４に重畳して、検出電極ＣＥ２、ＣＥ３、ＣＥ４ごとに離隔して配置される。配線グループＴＬＧ２が設けられた副画素列では、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２は、検出電極ＣＥ３、ＣＥ４に重畳して、検出電極ＣＥ３、ＣＥ４ごとに離隔して配置される。配線グループＴＬＧ３が設けられた副画素列では、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２は、検出電極ＣＥ４に重畳して配置される。

第３ダミー配線ＴＬＤ３は、複数の第３副画素ＳＰＸ３及び複数の第４副画素ＳＰＸ４からなる第３副画素列に対応して設けられる。第３ダミー配線ＴＬＤ３は、駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２と第１方向Ｘに隣り合って配置される。あるいは、第３ダミー配線ＴＬＤ３は、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２と第１方向Ｘに隣り合って配置される。

第３ダミー配線ＴＬＤ３の第２方向Ｙでの長さは、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２の第２方向Ｙでの長さよりも短い。例えば、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２は、第２方向Ｙに配列された検出電極ＣＥごとに離隔して設けられ、第３ダミー配線ＴＬＤ３は、第２方向Ｙに配列された副画素ＳＰＸ又は画素ＰＸごとに離隔して設けられる。

本実施形態では、第１ダミー配線ＴＬＤ１は、コンタクトホールＣＨを介して検出電極ＣＥと電気的に接続され、検出電極ＣＥと同じ電位が供給される。１つの第１ダミー配線ＴＬＤ１に設けられるコンタクトホールＣＨの数は、１つの駆動信号供給配線ＴＬ１に設けられるコンタクトホールＣＨの数と等しい。

第２ダミー配線ＴＬＤ２は、コンタクトホールＣＨが設けられず、検出電極ＣＥと非接続である。第２ダミー配線ＴＬＤ２は、駆動信号や基準電位ＶＣＯＭ等の信号が供給されずフローティング状態である。第３ダミー配線ＴＬＤ３も、検出電極ＣＥと非接続であり、フローティング状態である。

ダミーコンタクトホールＣＨＤは、第２方向Ｙに隣り合う第３ダミー配線ＴＬＤ３の間に設けられる。ダミーコンタクトホールＣＨＤは、第３ダミー配線ＴＬＤ３や信号線ＳＬ等の各種配線と非接続に設けられる。例えば、検出電極ＣＥ２に着目すると、最も左側の画素ＰＸに対応する領域で、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２と隣り合って配置された第３ダミー配線ＴＬＤ３には、２つのダミーコンタクトホールＣＨＤが設けられる。配線グループＴＬＧ２のそれぞれにコンタクトホールＣＨが設けられた画素ＰＸでは、駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２と隣り合って配置された第３ダミー配線ＴＬＤ３には、ダミーコンタクトホールＣＨＤが設けられていない。配線グループＴＬＧ３、ＴＬＧ４と重畳し、それぞれコンタクトホールＣＨが設けられない画素ＰＸでは、駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２と隣り合って配置された第３ダミー配線ＴＬＤ３には、４つのダミーコンタクトホールＣＨＤが設けられる。

このように、所定の領域（例えば、主検出電極ＣＥＰ）ごとに、コンタクトホールＣＨとダミーコンタクトホールＣＨＤの合計の数の差を抑制するように、ダミーコンタクトホールＣＨＤが設けられる。このため、コンタクトホールＣＨとダミーコンタクトホールＣＨＤの配置密度のばらつきが抑制され、表示画質の低下を抑制することができる。

なお、第１ダミー配線ＴＬＤ１に設けられるコンタクトホールＣＨの数及び第３ダミー配線ＴＬＤ３に設けられるダミーコンタクトホールＣＨＤの数は、適宜変更できる。例えば、第１ダミー配線ＴＬＤ１に設けられるコンタクトホールＣＨの数は、駆動信号供給配線ＴＬ１に設けられるコンタクトホールＣＨの数と異なっていてもよい。駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２にコンタクトホールＣＨが設けられた主検出電極ＣＥＰにおいても、第３ダミー配線ＴＬＤ３に、ダミーコンタクトホールＣＨＤが設けられてもよい。

次に、各副画素ＳＰＸの詳細な構成について説明する。図７は、画素の模式的な平面図において、検出電極を説明するための平面図である。図８は、画素の模式的な平面図において、駆動信号供給配線及びダミー配線を説明するための平面図である。図９は、図８のＩＸ－ＩＸ’断面図である。図１０は、第１実施形態のスイッチング素子を説明するための平面図である。

図９に示すように、第１絶縁基板１０の上方には、複数の信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、複数の画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、複数の検出電極ＣＥ、複数の駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２、ＴＬＤが形成されている。以下、複数の画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３を総称して、画素電極ＰＥとすることがある。

図７に示すように、走査線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３は、第１方向Ｘに沿ってそれぞれ延在し、第２方向Ｙに等ピッチで並んでいる。走査線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３も、図９に現れていないが、第１絶縁基板１０の上方に形成されている。

図７及び図８において、第２方向Ｙに対して反時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ１と定義し、第２方向Ｙに対して時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ２と定義する。なお、第２方向Ｙと方向Ｄ１とのなす角度θ１は、第２方向Ｙと方向Ｄ２とのなす角度θ２とほぼ同一である。信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、概ね第２方向Ｙに沿ってそれぞれ延出し、第１方向Ｘに等ピッチで並んでいる。図示した例では、信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、走査線Ｇ１と走査線Ｇ２との間においては方向Ｄ１に延在し、走査線Ｇ２と走査線Ｇ３との間においては方向Ｄ２に延在している。これらの走査線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３と、信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３とは、平面視において、互いに交差している。

図１０に示すように、スイッチング素子Ｔｒ１は、走査線Ｇ２と信号線Ｓ１との交差部付近に位置し、走査線Ｇ２及び信号線Ｓ１と電気的に接続されている。スイッチング素子Ｔｒ２は、走査線Ｇ２と信号線Ｓ２との交差部付近に位置し、走査線Ｇ２及び信号線Ｓ２と電気的に接続されている。スイッチング素子Ｔｒ３は、走査線Ｇ２と信号線Ｓ３との交差部付近に位置し、走査線Ｇ２及び信号線Ｓ３と電気的に接続されている。

図８に示すように、複数の画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３は、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。画素電極ＰＥ１は、２つの信号線ＳＬの間に位置している。複数の画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ４は、複数の画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３と、それぞれ第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。画素電極ＰＥ１は、２つの走査線ＧＬの間に位置している。複数の画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、ＰＥ４は、２つの信号線ＳＬ及び２つの走査線ＧＬに囲まれた領域にそれぞれある。

画素電極ＰＥは、それぞれ、コンタクト部ＰＡ、電極部ＰＢ、及び、連結部ＰＣを有している。コンタクト部ＰＡは、スイッチング素子Ｔｒ（図１０参照）と電気的に接続される。電極部ＰＢは、コンタクト部ＰＡから、走査線Ｇ２から走査線Ｇ１に近接する側に延在している。電極部ＰＢは、帯状電極、線状電極、櫛歯電極などと称される場合もある。図８において、１つの画素電極ＰＥは、２本の電極部ＰＢを有している。２本の電極部ＰＢは、コンタクト部ＰＡに接続される。これらの電極部ＰＢは、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。連結部ＰＣは、２本の電極部ＰＢの端部に繋がっている。

なお、画素電極ＰＥの形状は、図８の例に限らず、例えば、連結部ＰＣを省略してもよいし、電極部ＰＢの本数が２本でなく、例えば３本や４本でもよい。

画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、ＰＥ４は、互いに略同一の形状に形成されている。例えば、第１方向Ｘに配列された画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３では、それぞれの電極部ＰＢは、いずれも同一方向に延在しており、方向Ｄ１と平行な方向に延在している。また、第１方向Ｘに配列された画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ４では、それぞれの電極部ＰＢは、いずれも同一方向に延在しており、方向Ｄ２と平行な方向に延在している。なお、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、ＰＥ４の形状は、同一に限定されず、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、ＰＥ４の形状、面積が異なっていてもよい。

図７に示すように、検出電極ＣＥは、主検出電極ＣＥＰと、副検出電極ＣＥＡ及び副検出電極ＣＥＢを有している。主検出電極ＣＥＰは、アレイ基板ＳＵＢ１の表示領域ＤＡ（図１参照）の略全域に亘って形成されている。つまり、第１画素ＰＸ１は、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３を有し、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３と重畳する領域に、主検出電極ＣＥＰ（検出電極ＣＥ）が設けられている。あるいは、第２画素ＰＸ２は、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ４を有し、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ４と重畳する領域に、主検出電極ＣＥＰ（検出電極ＣＥ）が設けられている。

以下の説明では、第１画素ＰＸ１の構成について説明し、第２画素ＰＸ２について、重複する説明は省略する。平面視において、主検出電極ＣＥＰは、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２及び第３ダミー配線ＴＬＤ３と重畳するとともに、走査線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３と重畳していない。

図７に示すように、副検出電極ＣＥＡは、第２方向Ｙに延在し、第２方向Ｙに隣り合う主検出電極ＣＥＰを電気的に接続している。平面視において、副検出電極ＣＥＡは、走査線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、信号線Ｓ２、Ｓ５及び駆動信号供給配線ＴＬ２と重畳するとともに、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、信号線Ｓ１、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ６、駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２及び第３ダミー配線ＴＬＤ３と重畳していない。第２方向Ｙに隣り合う主検出電極ＣＥＰの間に、副検出電極ＣＥＡがないと、スリットＳＰＢ（図２参照）ができる。

副検出電極ＣＥＢは、第１方向Ｘに延在し、第１方向Ｘに隣り合う主検出電極ＣＥＰを電気的に接続している。第１方向Ｘに隣り合う主検出電極ＣＥＰと、副検出電極ＣＥＢとの間の領域に、スリットＳＰＡが形成される。スリットＳＰＡは、第１副画素ＳＰＸ１に接続される信号線Ｓ１、Ｓ４及び駆動信号供給配線ＴＬ１と重畳して形成される。第１方向Ｘに隣り合う主検出電極ＣＥＰの間に、副検出電極ＣＥＢがないと、スリットＳＰＢ（図２参照）ができる。

平面視において、副検出電極ＣＥＢは、信号線Ｓ１及び駆動信号供給配線ＴＬ１、拡幅部ＴＣと重畳するとともに、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、走査線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、信号線Ｓ２、Ｓ３、駆動信号供給配線ＴＬ２及び第３ダミー配線ＴＬＤ３と重畳していない。スリットＳＰＡを形成することにより、第１方向Ｘに隣り合う検出電極ＣＥの間にあるスリットＳＰＢとの視認性の差を小さくすることができ、また検出電極ＣＥと駆動信号供給配線ＴＬ１との間で生じる寄生容量を低減できる。

以上説明したように、検出電極ＣＥは、主検出電極ＣＥＰと、副検出電極ＣＥＡ、ＣＥＢとを有する。主検出電極ＣＥＰは、島状である。第１方向Ｘ又は第２方向Ｙに隣り合う主検出電極ＣＥＰは、副検出電極ＣＥＡ又はＣＥＢで電気的に接続される。その結果、検出電極ＣＥは、任意の大きさの面積を有することができる。主検出電極ＣＥＰは、画素ＰＸごと（第１画素ＰＸ１及び第２画素ＰＸ２ごと）に設けられ、スリットＳＰＡは、駆動信号供給配線ＴＬ１及び信号線Ｓ１と重畳する位置に設けられる。スリットＳＰＡと重畳する駆動信号供給配線ＴＬ１及び第１ダミー配線ＴＬＤ１には、検出電極ＣＥと同じ電位が供給される。これにより、本実施形態では、スリットＳＰＡが、フローティング状態の第２ダミー配線ＴＬＤ２又は第３ダミー配線ＴＬＤ３と重畳する位置に設けられた場合に比べ、駆動信号供給配線ＴＬ１及び第１ダミー配線ＴＬＤ１により、信号線ＳＬからの漏れ電界を抑制することができる。したがって、信号線ＳＬからの漏れ電界による画質の低下を抑制することができる。

図８に示すように、複数の駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２は、平面視で、それぞれ信号線Ｓ１、Ｓ２と重畳し、これらの信号線Ｓ１、Ｓ２と平行に延在している。駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２は、信号線Ｓ３とは非重畳である。駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２には、それぞれ拡幅部ＴＣが設けられており、コンタクトホールＣＨは拡幅部ＴＣと重畳して設けられる。

第３ダミー配線ＴＬＤ３は、平面視で、信号線Ｓ３と重畳し、信号線Ｓ３と平行に延在している。第３ダミー配線ＴＬＤ３は、第２方向Ｙに配列された画素ＰＸごとにスリットＳＰＬが設けられている。ダミーコンタクトホールＣＨＤは、スリットＳＰＬと重畳して設けられる。言い換えると、第３ダミー配線ＴＬＤ３は、第２方向Ｙに離隔して配列され、ダミーコンタクトホールＣＨＤは、信号線Ｓ３と重畳し、第２方向Ｙで隣り合う第３ダミー配線ＴＬＤ３の間に形成される。スリットＳＰＬ及びダミーコンタクトホールＣＨＤは、拡幅部ＴＣ及びコンタクトホールＣＨと第１方向Ｘで並んで配列される。また、ダミーコンタクトホールＣＨＤは、画素電極ＰＥ３（第３副画素ＳＰＸ３）に隣接する信号線Ｓ３上に設けられ、画素電極ＰＥ４（第４副画素ＳＰＸ４）に隣接する信号線Ｓ３上には設けられていない。

なお、図６に示す第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２は、複数の駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２と同様にそれぞれ信号線Ｓ１、Ｓ２と重畳し、これらの信号線Ｓ１、Ｓ２と平行に延在している。第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２は、後述する図１５に図示する。

以上のように、駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２はそれぞれ信号線Ｓ１、Ｓ２と重畳して設けられ、信号線Ｓ３と非重畳に設けられる。また、第３ダミー配線ＴＬＤ３は、信号線Ｓ３と重畳して設けられ、フローティング状態である。これにより、信号線Ｓ３と重畳して駆動信号供給配線ＴＬを設けた構成に比べて、第３副画素ＳＰＸ３及び第４副画素ＳＰＸ４に接続される信号線Ｓ３（第３信号線）に形成される寄生容量Ｃｓｃ（図４参照）を効果的に低減させることができる。

より具体的には、信号線Ｓ３と重畳して駆動信号供給配線ＴＬを設けた構成では、信号線Ｓ３に形成される寄生容量Ｃｓｃは、信号線Ｓ３と駆動信号供給配線ＴＬとの間に形成される容量を含む。本実施形態では、信号線Ｓ３と重畳してフローティング状態の第３ダミー配線ＴＬＤ３を設けられるので、信号線Ｓ３に形成される寄生容量Ｃｓｃは、信号線Ｓ３と第３ダミー配線ＴＬＤ３との間に形成される容量と、第３ダミー配線ＴＬＤ３と検出電極ＣＥとの間に形成される容量とが直列接続された合計の容量を含む。このため、第３ダミー配線ＴＬＤ３を設けることで、寄生容量Ｃｓｃを抑制することができる。この結果、本実施形態の表示装置ＰＮＬは、検出電極ＣＥ及び駆動信号供給配線ＴＬの時定数を小さくして、クロストーク成分の電位差を抑制することができ、表示画質の低下を抑制することができる。

図９に示すように、アレイ基板ＳＵＢ１は、ガラス基板や樹脂基板などの透光性を有する第１絶縁基板１０を基体としている。アレイ基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０の対向基板ＳＵＢ２と対向する側に、絶縁膜１１、１２、１３、第１有機絶縁膜１４（第１絶縁膜）、第２有機絶縁膜１５（第２絶縁膜）、絶縁膜１６、信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、検出電極ＣＥ、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。以下の説明において、アレイ基板ＳＵＢ１から対向基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方、あるいは、単に上と称する。

絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上に位置している。絶縁膜１２は、絶縁膜１１の上に位置している。絶縁膜１３は、絶縁膜１２の上に位置している。信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、絶縁膜１３の上に位置している。第１有機絶縁膜１４は、絶縁膜１３の上に位置し、信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を覆っている。

駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２及び第３ダミー配線ＴＬＤ３は、第１有機絶縁膜１４の上に位置している。駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２及び第３ダミー配線ＴＬＤ３は、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つを含む金属材料で形成されている。駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２及び第３ダミー配線ＴＬＤ３は、検出電極ＣＥよりも低抵抗であり、導電性を有している。また、駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２及び第３ダミー配線ＴＬＤ３は、第１有機絶縁膜１４を介して信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３と対向している。つまり、駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２及び第３ダミー配線ＴＬＤ３は、信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の上に重畳している。

なお、図９では図示されない第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２についても、第３ダミー配線ＴＬＤ３と同層に第１有機絶縁膜１４の上に位置している。そして、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２は、第１有機絶縁膜１４を介して信号線Ｓ１、Ｓ２と対向している。

第２有機絶縁膜１５は、第１有機絶縁膜１４の上に設けられ、駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２及び第３ダミー配線ＴＬＤ３は、第２有機絶縁膜１５によって覆われている。絶縁膜１１、１２、１３及び絶縁膜１６は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの透光性を有する無機系材料によって形成されている。第１有機絶縁膜１４及び第２有機絶縁膜１５は、アクリル樹脂などの透光性を有する樹脂材料によって形成され、無機系材料によって形成された他の絶縁膜と比べて厚い膜厚を有している。例えば、第１有機絶縁膜１４は、２μｍ以上３μｍ以下である。第２有機絶縁膜１５は、１μｍ以上２μｍ以下である。第１有機絶縁膜１４は、第２有機絶縁膜１５よりも厚く形成される。

検出電極ＣＥは、第２有機絶縁膜１５の上に位置している。また、図９において、検出電極ＣＥは、第２有機絶縁膜１５を介して駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２と対向している。検出電極ＣＥのスリットＳＰＡは、駆動信号供給配線ＴＬ１の直上に位置している。検出電極ＣＥは、絶縁膜１６によって覆われている。

画素電極ＰＥは、絶縁膜１６の上に位置し、絶縁膜１６を介して検出電極ＣＥと対向している。画素電極ＰＥ、及び、検出電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透光性を有する導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。第１配向膜ＡＬ１は、絶縁膜１６も覆っている。

対向基板ＳＵＢ２は、ガラス基板や樹脂基板などの透光性を有する第２絶縁基板２０を基体としている。対向基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＳＵＢ１と対向する側に、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。

図９に示すように、遮光層ＢＭは、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。そして、遮光層ＢＭは、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３とそれぞれ対向する開口部を規定している。遮光層ＢＭは、黒色の樹脂材料や、遮光性の金属材料によって形成されている。

カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢのそれぞれは、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＳＵＢ１と対向する側に位置し、それぞれの端部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦＲは、画素電極ＰＥ１と対向している。カラーフィルタＣＦＧは、画素電極ＰＥ２と対向している。カラーフィルタＣＦＢは、画素電極ＰＥ３と対向している。一例では、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、それぞれ青色、赤色、緑色に着色された樹脂材料によって形成されている。

オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透光性を有する樹脂材料によって形成されている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、例えば、水平配向性を示す材料によって形成されている。

また、遮光層ＢＭは、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢのいずれかとオーバーコート層ＯＣとの間に形成されるものであってもよく、さらに遮光層ＢＭは、オーバーコート層ＯＣと第２配向膜ＡＬ２との間に形成されるものであってもよい。

以上説明したように、対向基板ＳＵＢ２は、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢなどを備えている。遮光層ＢＭは、図４に示した走査線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、信号線Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、コンタクト部ＰＡ、スイッチング素子Ｔｒなどの配線部と対向する領域に配置されている。

図９において、対向基板ＳＵＢ２は、３色のカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢを備えていたが、青色、赤色、及び、緑色とは異なる他の色、例えば白色、透明、イエロー、マゼンタ、シアンなどのカラーフィルタを含む４色以上のカラーフィルタを備えていてもよい。また、これらのカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、アレイ基板ＳＵＢ１に備えられていてもよい。

上述したアレイ基板ＳＵＢ１及び対向基板ＳＵＢ２は、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が向かい合うように配置されている。液晶層ＬＣは、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に封入されている。液晶層ＬＣは、誘電率異方性が負のネガ型液晶材料、あるいは、誘電率異方性が正のポジ型液晶材料によって構成されている。

アレイ基板ＳＵＢ１がバックライトユニットＩＬと対向し、対向基板ＳＵＢ２が表示面側に位置する。バックライトユニットＩＬとしては、種々の形態のものが適用可能であるが、その詳細な構造については説明を省略する。

第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１は、第１絶縁基板１０の外面、あるいは、バックライトユニットＩＬと対向する面に配置される。第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２は、第２絶縁基板２０の外面、あるいは、観察位置側の面に配置される。第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸及び第２偏光板ＰＬ２の第２偏光軸は、例えばＸ－Ｙ平面においてクロスニコルの位置関係にある。なお、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、位相差板などの他の光学機能素子を含んでいてもよい。

例えば、液晶層ＬＣがネガ型液晶材料である場合であって、液晶層ＬＣに電圧が印加されていない状態では、液晶分子ＬＭは、Ｘ－Ｙ平面内において、その長軸が第１方向Ｘに沿う方向に初期配向している。一方、液晶層ＬＣに電圧が印加された状態、つまり、画素電極ＰＥと検出電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン時において、液晶分子ＬＭは、電界の影響を受けてその配向状態が変化する。オン時において、入射した直線偏光は、その偏光状態が液晶層ＬＣを通過する際に液晶分子ＬＭの配向状態に応じて変化する。

次に、図１０に示したスイッチング素子Ｔｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３の構造についてより詳細に説明する。なお、以下に説明するスイッチング素子Ｔｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３は、トップゲート型である。スイッチング素子Ｔｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３は、ボトムゲート型であってもよい。図１０では、スイッチング素子Ｔｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３の説明に必要な主要部のみを図示し、検出電極ＣＥ、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２などの図示を省略している。

スイッチング素子Ｔｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３は、第１方向Ｘに並んでいる。スイッチング素子Ｔｒ１は、半導体層ＳＣ１を備えている。スイッチング素子Ｔｒ２は、半導体層ＳＣ２を備えている。スイッチング素子Ｔｒ３は、半導体層ＳＣ３を備えている。半導体層ＳＣ１、ＳＣ２、ＳＣ３は、いずれも略Ｕ字状に形成され、走査線Ｇ２と２か所で交差している。以下、スイッチング素子Ｔｒ１について説明するが、スイッチング素子Ｔｒ１についての説明は、スイッチング素子Ｔｒ２、Ｔｒ３にも適用できる。

スイッチング素子Ｔｒ１において、半導体層ＳＣ１は、一方端側にある第１部分Ｅ１１及び他方端側にある第２部分Ｅ１２を有する。第１部分Ｅ１１は、コンタクトホールＣＨ１１を介して信号線Ｓ１と電気的に接続されている。第２部分Ｅ１２は、コンタクトホールＣＨ１２を介して画素電極ＰＥ１（図８参照）と電気的に接続されている。

走査線Ｇ２において、半導体層ＳＣ１と交差する２つの部分は、それぞれゲート電極ＷＧ１１及びＷＧ１２となる。

図８及び図１０に示すように、本実施形態では、副画素ＳＰＸのそれぞれで、画素電極ＰＥは、スイッチング素子Ｔｒを介して、それぞれの左側に位置する信号線ＳＬに電気的に接続される。また、３つの副画素ＳＰＸからなる画素ＰＸの境界に、第１副画素ＳＰＸ１に接続される信号線Ｓ１、Ｓ４（第１信号線）が配置される。

次にコンタクトホールＣＨ及びダミーコンタクトホールＣＨＤの断面構成について説明する。図１１は、コンタクトホールを説明するための断面図である。図１２は、ダミーコンタクトホールを説明するための断面図である。

図１１に示すように、信号線ＳＬの上に、第１有機絶縁膜１４、駆動信号供給配線ＴＬ、第２有機絶縁膜１５の順に積層されている。言い換えると、駆動信号供給配線ＴＬは、第１有機絶縁膜１４と第２有機絶縁膜１５との間に設けられる。第２有機絶縁膜１５には、駆動信号供給配線ＴＬの拡幅部ＴＣと重畳する位置にコンタクトホールＣＨが設けられる。コンタクトホールＣＨは、第２有機絶縁膜１５を貫通して形成され、駆動信号供給配線ＴＬの拡幅部ＴＣを底面とする。検出電極ＣＥは、第２有機絶縁膜１５の上に設けられ、コンタクトホールＣＨの底面で駆動信号供給配線ＴＬの拡幅部ＴＣと接する。このように、駆動信号供給配線ＴＬは、信号線ＳＬ（信号線Ｓ１）と重畳する領域で、第２有機絶縁膜１５に設けられたコンタクトホールＣＨを介して検出電極ＣＥと接続される。また、第１配向膜ＡＬ１は絶縁膜１６を覆い、コンタクトホールＣＨ内部にも存在している。

図１１では、検出電極ＣＥと駆動信号供給配線ＴＬとの接続箇所の断面構成について説明したが、検出電極ＣＥと第１ダミー配線ＴＬＤ１とを接続するコンタクトホールＣＨの断面構成も図１１と同様である。

図１２に示すように、ダミーコンタクトホールＣＨＤが設けられた領域では、第３ダミー配線ＴＬＤ３は、第１有機絶縁膜１４の上に設けられていない。上述したように第３ダミー配線ＴＬＤ３のスリットＳＰＬ（図８参照）が形成された領域にダミーコンタクトホールＣＨＤが設けられる。ダミーコンタクトホールＣＨＤは、信号線Ｓ３と重畳する領域で第２有機絶縁膜１５を貫通して形成され、第１有機絶縁膜１４を底面とする。検出電極ＣＥは、第２有機絶縁膜１５の上に設けられ、ダミーコンタクトホールＣＨＤの底面で第１有機絶縁膜１４と接する。言い換えると、検出電極ＣＥは、ダミーコンタクトホールＣＨＤを覆って形成され、第３ダミー配線ＴＬＤ３等の金属配線と非接続である。また、第１配向膜ＡＬ１は絶縁膜１６を覆い、ダミーコンタクトホールＣＨＤ内部にも存在している。ダミーコンタクトホールＣＨＤが形成されることにより、第１配向膜ＡＬ１の表示領域ＤＡでの塗布ムラを抑制し、第１配向膜ＡＬ１の膜厚の均一化に貢献する。

以上説明したように、本実施形態の表示装置ＰＮＬは、赤色を表示する複数の第１副画素ＳＰＸ１と、緑色を表示する複数の第２副画素ＳＰＸ２と、青色を表示する複数の第３副画素ＳＰＸ３と、白色を表示する複数の第４副画素ＳＰＸ４と、複数の第１副画素ＳＰＸ１に接続される第１信号線（信号線Ｓ１）と、複数の第２副画素ＳＰＸ２に接続される第２信号線（信号線Ｓ２）と、複数の第３副画素ＳＰＸ３及び複数の第４副画素ＳＰＸ４に接続される第３信号線（信号線Ｓ３）と、マトリクス状に配列され、それぞれが複数の第１副画素ＳＰＸ１、複数の第２副画素ＳＰＸ２、複数の第３副画素ＳＰＸ３及び複数の第４副画素ＳＰＸ４と重畳して設けられた複数の検出電極ＣＥと、複数の検出電極ＣＥのそれぞれに接続され、複数の検出電極ＣＥのそれぞれに駆動信号を供給する駆動信号供給配線ＴＬと、を有する。駆動信号供給配線ＴＬは、第１信号線及び第２信号線の少なくとも一方と重畳して設けられ、第３信号線と非重畳に設けられる。

また、表示装置ＰＮＬは、第１信号線に重畳して設けられた第１ダミー配線ＴＬＤ１と、第２信号線に重畳して設けられた第２ダミー配線ＴＬＤ２と、を有する。第１信号線、第２信号線及び第３信号線は、第１方向Ｘに隣り合って配列され、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２の少なくとも一方は、第１方向Ｘと交差する第２方向Ｙで、駆動信号供給配線ＴＬと隣り合って配置される。また、表示装置ＰＮＬは、第３信号線に重畳して設けられ、検出電極ＣＥと非接続であり、かつ、フローティング状態の第３ダミー配線ＴＬＤ３を有する。

これによれば、信号線Ｓ３と重畳して駆動信号供給配線ＴＬを設けた構成に比べて、第３副画素ＳＰＸ３及び第４副画素ＳＰＸ４に接続される第３信号線に形成される寄生容量Ｃｓｃ（図４参照）を効果的に低減させることができる。この結果、検出電極ＣＥ及び駆動信号供給配線ＴＬの時定数を小さくして、クロストーク成分の電圧差を抑制することができ、表示画質の低下を抑制することができる。

（第２実施形態）
図１３は、第２実施形態の表示装置を説明するための平面図である。なお、以下の説明では、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

上述した第１実施形態では、第２ダミー配線ＴＬＤ２がフローティング状態である構成について説明したがこれに限定されない。図１３に示すように、第２実施形態では、第２ダミー配線ＴＬＤ２は、コンタクトホールＣＨを介して検出電極ＣＥと電気的に接続される。すなわち、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２は、検出電極ＣＥと電気的に接続され、第３ダミー配線ＴＬＤ３は、フローティング状態である。第２ダミー配線ＴＬＤ２に設けられたコンタクトホールＣＨの数は、駆動信号供給配線ＴＬ２に設けられたコンタクトホールＣＨの数と等しい。また、第２ダミー配線ＴＬＤ２に設けられたコンタクトホールＣＨの数は、第１ダミー配線ＴＬＤ１に設けられたコンタクトホールＣＨの数と等しい。

また、本実施形態では、上述した第１実施形態に比べて、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２と隣り合う第３ダミー配線ＴＬＤ３には、ダミーコンタクトホールＣＨＤが設けられない点が異なる。例えば、検出電極ＣＥ２に着目すると、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２と隣り合って配置された第３ダミー配線ＴＬＤ３には、ダミーコンタクトホールＣＨＤが設けられない。また、配線グループＴＬＧ２の駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２と隣り合って配置された第３ダミー配線ＴＬＤ３には、ダミーコンタクトホールＣＨＤが設けられていない。配線グループＴＬＧ３、ＴＬＧ４と重畳し、それぞれコンタクトホールＣＨが設けられない副画素列では、駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２と隣り合って配置された第３ダミー配線ＴＬＤ３には、４つのダミーコンタクトホールＣＨＤが設けられる。

本実施形態では、第２ダミー配線ＴＬＤ２をフローティング状態とした場合に比べて、信号線Ｓ２の寄生容量が大きくなる。この場合であっても、第３ダミー配線ＴＬＤ３がフローティング状態であり、第３副画素ＳＰＸ３及び第４副画素ＳＰＸ４に接続される信号線Ｓ３の寄生容量Ｃｓｃを抑制することができる。また、本実施形態では、駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２のコンタクトホールＣＨの配置パターンと、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２のコンタクトホールＣＨの配置パターンとを共通化できる。

（第３実施形態）
図１４は、第３実施形態の表示装置を説明するための平面図である。図１５は、第３実施形態の画素の模式的な平面図において、駆動信号供給配線及びダミー配線を説明するための平面図である。図１５は、図１４に示す領域Ａの一部を拡大して示す平面図である。

図１４及び図１５に示すように、本実施形態では、上述した第１実施形態及び第２実施形態に比べて、第３ダミー配線ＴＬＤ３が設けられていない点が異なる。すなわち、駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２を含む金属配線は、信号線Ｓ３（第３信号線）と非重畳である。また、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２は、それぞれ信号線Ｓ１、Ｓ２と重畳し、これらの信号線Ｓ１、Ｓ２と平行に延在している。また、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２は、コンタクトホールＣＨを介して、検出電極ＣＥと電気的に接続される。

図１４に示すように、コンタクトホールＣＨが設けられていない画素ＰＸには、ダミーコンタクトホールＣＨＤが設けられる。例えば、検出電極ＣＥ２に着目すると、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２と隣り合って配置された副画素ＳＰＸには、ダミーコンタクトホールＣＨＤが設けられない。また、配線グループＴＬＧ２の駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２と隣り合って配置された副画素ＳＰＸには、ダミーコンタクトホールＣＨＤが設けられていない。配線グループＴＬＧ３、ＴＬＧ４と重畳し、それぞれコンタクトホールＣＨが設けられない副画素列では、駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２と隣り合って配置された副画素ＳＰＸには、４つのダミーコンタクトホールＣＨＤが設けられる。このような構成により、コンタクトホールＣＨ及びダミーコンタクトホールＣＨＤのばらつきを抑制することができる。

本実施形態では、信号線Ｓ３と重畳して第３ダミー配線ＴＬＤ３が設けられていないので、信号線Ｓ３に形成される寄生容量Ｃｓｃは、信号線Ｓ３と検出電極ＣＥとの間に形成される容量を含む。この場合、信号線Ｓ３と重畳して駆動信号供給配線ＴＬを設けた場合での、信号線Ｓ３と駆動信号供給配線ＴＬとの間の距離に比べ、信号線Ｓ３と検出電極ＣＥとの間の距離を大きくすることができる。この結果、本実施形態において、信号線Ｓ３に形成される寄生容量Ｃｓｃを低減することができる。

なお、第２ダミー配線ＴＬＤ２は、コンタクトホールＣＨを介して検出電極ＣＥと電気的に接続される構成を示したが、これに限定されない。第２ダミー配線ＴＬＤ２は、第１実施形態と同様に、フローティング状態としてもよい。また、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２と隣り合う副画素ＳＰＸにも、必要に応じて信号線Ｓ３と重畳してダミーコンタクトホールＣＨＤを設けてもよい。

（第４実施形態）
図１６は、第４実施形態の表示装置を説明するための平面図である。図１７は、第４実施形態の画素の模式的な平面図において、駆動信号供給配線及びダミー配線を説明するための平面図である。図１７は、図１６に示す領域Ａの一部を拡大して示す平面図である。

図１６及び図１７に示すように、本実施形態では、上述した実施形態に比べて、１つの駆動信号供給配線ＴＬ１に設けられたコンタクトホールＣＨの数と、１つの第１ダミー配線ＴＬＤ１に設けられたコンタクトホールＣＨの数とが異なる。例えば、１つの駆動信号供給配線ＴＬ１に２つのコンタクトホールＣＨが設けられ、１つの第１ダミー配線ＴＬＤ１に１つのコンタクトホールＣＨが設けられる。また、第２ダミー配線ＴＬＤ２は、コンタクトホールＣＨが設けられず、フローティング状態である。つまり、本実施形態では、第１ダミー配線ＴＬＤ１は、検出電極ＣＥと電気的に接続され、第２ダミー配線ＴＬＤ２は、フローティング状態である。

また、第３ダミー配線ＴＬＤ３及びダミーコンタクトホールＣＨＤも設けられていない。すなわち、本実施形態では、駆動信号供給配線ＴＬ１、ＴＬ２、第１ダミー配線ＴＬＤ１及び第２ダミー配線ＴＬＤ２を含む金属配線は、信号線Ｓ３（第３信号線）と非重畳である。ダミーコンタクトホールＣＨＤも信号線Ｓ３（第３信号線）と非重畳である。

このような構成により、本実施形態では、上述した第１実施形態から第３実施形態に比べ、コンタクトホールＣＨ及びダミーコンタクトホールＣＨＤの数を低減することができる。これにより、信号線ＳＬと検出電極ＣＥとの間の第１有機絶縁膜１４及び第２有機絶縁膜１５（図９参照）の膜厚ばらつきを抑制することができる。この結果、第３ダミー配線ＴＬＤ３が設けられていない場合であっても、信号線Ｓ３と検出電極ＣＥとの間の距離を確保することができ、信号線Ｓ３に形成される寄生容量Ｃｓｃを抑制することができる。

なお、図１６では、１つの第１ダミー配線ＴＬＤ１に１つのコンタクトホールＣＨが設けられるが、あくまで例示であり適宜変更できる。１つの第１ダミー配線ＴＬＤ１に設けられるコンタクトホールＣＨの数は、１つの駆動信号供給配線ＴＬ１に設けられるコンタクトホールＣＨの数よりも少なければよく、例えば２つ以上設けられていてもよい。また、第２ダミー配線ＴＬＤ２は、フローティング状態に限定されず、１又は複数のコンタクトホールＣＨが設けられていてもよい。

上述した第１実施形態から第４実施形態の構成は、それぞれ適宜変更してもよいし、各構成の一部を適宜組み合わせることができる。例えば、第１実施形態及び第２実施形態において、第３ダミー配線ＴＬＤ３を設けて、ダミーコンタクトホールＣＨＤを設けない構成としてもよい。

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した各実施形態及び各変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。

１０ 第１絶縁基板
１４ 第１有機絶縁膜
１５ 第２有機絶縁膜
２０ 第２絶縁基板
ＣＥ、ＣＥ１、ＣＥ２、ＣＥ３、ＣＥ４ 検出電極
ＣＨ、ＣＨ１１、ＣＨ１２ コンタクトホール
ＣＨＤ ダミーコンタクトホール
Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、ＧＬ 走査線
ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３、ＰＥ４ 画素電極
ＰＸ 画素
ＰＸ１ 第１画素
ＰＸ２ 第２画素
ＰＮＬ 表示装置
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６、ＳＬ 信号線
ＳＰＸ 副画素
ＳＰＸ１ 第１副画素
ＳＰＸ２ 第２副画素
ＳＰＸ３ 第３副画素
ＳＰＸ４ 第４副画素
ＳＰＡ、ＳＰＢ、ＳＰＬ スリット
ＳＵＢ１ アレイ基板
ＳＵＢ２ 対向基板
ＴＬ、ＴＬ１、ＴＬ２ 駆動信号供給配線
ＴＬＤ１ 第１ダミー配線
ＴＬＤ２ 第２ダミー配線
ＴＬＤ３ 第３ダミー配線

Claims (12)

1. 赤色を表示する複数の第１副画素と、緑色を表示する複数の第２副画素と、青色を表示する複数の第３副画素と、白色を表示する複数の第４副画素と、
   複数の前記第１副画素に接続される第１信号線と、複数の前記第２副画素に接続される第２信号線と、複数の前記第３副画素及び複数の前記第４副画素に接続される第３信号線と、
   マトリクス状に配列され、それぞれが複数の前記第１副画素、複数の前記第２副画素、複数の前記第３副画素及び複数の前記第４副画素と重畳して設けられた複数の検出電極と、
   複数の前記検出電極のそれぞれに接続された複数の信号供給配線と、を有し、
   前記信号供給配線は、前記第１信号線及び前記第２信号線の少なくとも一方と重畳して設けられ、前記第３信号線と非重畳に設けられる
   表示装置。
2. 前記第１信号線に重畳して設けられる第１ダミー配線と、
   前記第２信号線に重畳して設けられる第２ダミー配線と、を有し、
   前記第１信号線、前記第２信号線及び前記第３信号線は、第１方向に隣り合って配列され、
   前記第１ダミー配線及び前記第２ダミー配線の少なくとも一方は、前記第１方向と交差する第２方向で、前記信号供給配線と隣り合って配置される
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第３信号線に重畳して設けられ、前記検出電極と非接続であり、かつ、フローティング状態の第３ダミー配線を有する
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１ダミー配線は、前記検出電極と電気的に接続され、
   前記第２ダミー配線及び前記第３ダミー配線は、フローティング状態である
   請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第１ダミー配線及び前記第２ダミー配線は、前記検出電極と電気的に接続され、
   前記第３ダミー配線は、フローティング状態である
   請求項３に記載の表示装置。
6. 前記第１ダミー配線及び前記第２ダミー配線は、複数の前記検出電極ごとに離隔して配列され、
   前記第３ダミー配線は、複数の前記第３副画素及び複数の前記第４副画素ごとに離隔して配列される
   請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記信号供給配線、前記第１ダミー配線及び前記第２ダミー配線を含む金属配線は、前記第３信号線と非重畳であり、
   前記第１ダミー配線及び前記第２ダミー配線は、前記検出電極と電気的に接続される
   請求項２に記載の表示装置。
8. 前記信号供給配線、前記第１ダミー配線及び前記第２ダミー配線を含む金属配線は、前記第３信号線と非重畳であり、
   前記第１ダミー配線は、前記検出電極と電気的に接続され、
   前記第２ダミー配線は、フローティング状態である
   請求項２に記載の表示装置。
9. 前記検出電極は、絶縁膜を介して前記信号供給配線、前記第１ダミー配線及び前記第２ダミー配線の上側に設けられ、
   前記信号供給配線及び前記第１ダミー配線は、それぞれ、前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記検出電極と接続され、
   １つの前記信号供給配線に設けられた前記コンタクトホールの数と、１つの前記第１ダミー配線に設けられた前記コンタクトホールの数とが異なる
   請求項８に記載の表示装置。
10. 前記第１信号線、前記第２信号線及び前記第３信号線の上に設けられた第１絶縁膜と、
    前記第１絶縁膜の上に設けられた第２絶縁膜と、を有し、
    前記信号供給配線は、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に設けられ、
    前記検出電極は前記第２絶縁膜の上に設けられ、
    前記信号供給配線は、前記第１信号線及び前記第２信号線の少なくとも一方と重畳する領域で、前記第２絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記検出電極と接続され、
    前記第３信号線と重畳する領域で、前記第２絶縁膜には前記第１絶縁膜を底面とするダミーコンタクトホールが設けられる
    請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
11. 前記第１信号線、前記第２信号線及び前記第３信号線の上に設けられた第１絶縁膜と、
    前記第１絶縁膜の上に設けられた第２絶縁膜と、を有し、
    前記信号供給配線は、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に設けられ、
    前記検出電極は前記第２絶縁膜の上に設けられ、
    前記信号供給配線は、前記第１信号線及び前記第２信号線の少なくとも一方と重畳する領域で、前記第２絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記検出電極と接続され、
    前記第３信号線と重畳する領域で、前記第２絶縁膜には前記第１絶縁膜を底面とするダミーコンタクトホールが設けられ、
    複数の前記第３ダミー配線は、前記第２方向に離隔して配列され、
    前記ダミーコンタクトホールは、前記第２方向に隣り合う複数の前記第３ダミー配線の間に配置される
    請求項３から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
12. 前記検出電極は、複数の副画素と重畳し、第１方向に配列された複数の主検出電極と、前記第１方向に隣り合う前記主検出電極を接続する副検出電極とを有し、
    前記第１方向に隣り合う前記主検出電極の間には、前記第１信号線と重畳してスリットが設けられる
    請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。

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