CN113946240A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了显示装置，能够抑制画质降低。显示装置具有：显示红色的多个第一子像素、显示绿色的多个第二子像素、显示蓝色的多个第三子像素和显示白色的多个第四子像素；第一信号线、第二信号线和第三信号线，第一信号线连接于多个第一子像素，第二信号线连接于多个第二子像素，第三信号线连接于多个第三子像素以及多个第四子像素；多个检测电极，多个检测电极排列成矩阵状，且分别与多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素以及多个第四子像素重叠地设置；以及与多个检测电极分别连接的多个信号供给布线，信号供给布线与第一信号线以及第二信号线中的至少一方重叠地设置，且与第三信号线不重叠地设置。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及显示装置。

背景技术

在专利文献1中记载了一种带传感器的显示装置，该显示装置具有排列成矩阵状的多个检测电极和连接于一个检测电极的多个传感器布线。此外，在专利文献2中记载了一种显示装置，该显示装置除了具有分别显示红色、绿色、蓝色的子像素之外，还具有显示白色的子像素。此外，作为显示装置的驱动方法，在专利文献2中记载了列反转驱动方式。

专利文献1：日本特开2019-148855号公报

专利文献2：日本特开2015-230343号公报

在专利文献2的显示装置中，当像专利文献1的技术那样在公共电极放入狭缝而设置多个检测电极时，有可能会发生所谓的串扰而导致画质降低。因此，期望减少形成于信号线与检测电极(公共电极)之间的寄生电容、特别是共同连接于蓝色的子像素以及白色的子像素的信号线的寄生电容。

发明内容

本发明的目的在于提供能够抑制画质降低的显示装置。

本发明的一方式的显示装置，具有：多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素和多个第四子像素，该多个第一子像素显示红色，该多个第二子像素显示绿色，该多个第三子像素显示蓝色，该多个第四子像素显示白色；第一信号线、第二信号线和第三信号线，该第一信号线连接于多个所述第一子像素，该第二信号线连接于多个所述第二子像素，该第三信号线连接于多个所述第三子像素以及多个所述第四子像素；多个检测电极，该多个检测电极排列成矩阵状，且分别与多个所述第一子像素、多个所述第二子像素、多个所述第三子像素以及多个所述第四子像素重叠地设置；以及多个信号供给布线，该多个信号供给布线与多个所述检测电极分别连接，所述信号供给布线与所述第一信号线以及所述第二信号线中的至少一方重叠地设置，且与所述第三信号线不重叠地设置。

本发明的一方式的显示装置，具有：多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素和多个第四子像素，该多个第一子像素显示红色，该多个第二子像素显示绿色，该多个第三子像素显示蓝色，该多个第四子像素显示白色；第一信号线、第二信号线和第三信号线，该第一信号线连接于多个所述第一子像素，该第二信号线连接于多个所述第二子像素，该第三信号线连接于多个所述第三子像素以及多个所述第四子像素；第一绝缘膜，该第一绝缘膜设置于所述第一信号线、所述第二信号线以及所述第三信号线之上；第二绝缘膜，该第二绝缘膜设置于所述第一绝缘膜之上；信号供给布线，该信号供给布线设置于所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜之间；以及多个检测电极，该多个检测电极设置于所述第二绝缘膜之上并排列成矩阵状，所述信号供给布线在与所述第一信号线以及所述第二信号线中的至少一方重叠的区域中经由设置于所述第二绝缘膜的接触孔与所述检测电极连接，在与所述第三信号线重叠的区域中，在所述第二绝缘膜设置有将所述第一绝缘膜作为底面的虚设接触孔。

附图说明

图1是示出第一实施方式的显示装置的分解立体图。

图2是示意性地示出阵列基板的俯视图。

图3是示出第一实施方式的显示装置的像素排列的示意图。

图4是表示像素的结构的等效电路图。

图5是示出第一实施方式以及比较例所涉及的显示装置的动作例的定时波形图。

图6是用于说明多个检测电极、多个驱动信号供给布线与多个虚设布线的关系的说明图。

图7是用于在像素的示意性俯视图中说明检测电极的俯视图。

图8是用于在像素的示意性俯视图中说明驱动信号供给布线以及虚设布线的俯视图。

图9是图8的IX-IX’剖视图。

图10是用于说明第一实施方式的开关元件的俯视图。

图11是用于说明接触孔的剖视图。

图12是用于说明虚设接触孔的剖视图。

图13是用于说明第二实施方式的显示装置的俯视图。

图14是用于说明第三实施方式的显示装置的俯视图。

图15是用于在第三实施方式的像素的示意性俯视图中说明驱动信号供给布线以及虚设布线的俯视图。

图16是用于说明第四实施方式的显示装置的俯视图。

图17是用于在第四实施方式的像素的示意性俯视图中说明驱动信号供给布线以及虚设布线的俯视图。

附图标记说明

10…第一绝缘基板；14…第一有机绝缘膜；15…第二有机绝缘膜；20…第二绝缘基板；CE、CE1、CE2、CE3、CE4…检测电极；CH、CH11、CH12…接触孔；CHD…虚设接触孔；G1、G2、G3、GL…扫描线；PE1、PE2、PE3、PE4…像素电极；PX…像素；PX1…第一像素；PX2…第二像素；PNL…显示装置；S1、S2、S3、S4、S5、S6、SL…信号线；SPX…子像素；SPX1…第一子像素；SPX2…第二子像素；SPX3…第三子像素；SPX4…第四子像素；SPA、SPB、SPL…狭缝；SUB1…阵列基板；SUB2…对置基板；TL、TL1、TL2…驱动信号供给布线；TLD1…第一虚设布线；TLD2…第二虚设布线；TLD3…第三虚设布线。

具体实施方式

参照附图对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细说明。本公开并不由以下的实施方式所记载的内容来限定。此外，在以下所记载的构成要素中，包括本领域技术人员能够容易想到的、实质上相同的构成要素。进一步地，可以适当组合以下所记载的构成要素。另外，公开的仅仅是示例，关于本领域技术人员能够容易想到保持本公开的主旨的适当变更的方式，当然也包含在本公开的范围中。此外，为了更清楚地进行说明，与实际的方式相比，有时附图会示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等，但这些仅仅是示例，并不用于限定本公开的解释。此外，在本公开和各图中，有时对与已出现的附图描述过的要素同样的要素标注相同的附图标记并适当省略详细的说明。

在本说明书以及权利要求中，在对在某一构造体之上配置其他构造体的方式进行表达时，在简单地表述为“在……之上”的情况下，只要没有特别说明，则包括如下两种情况：以使与某一构造体接触的方式将其他构造体配置在上方(或正上方)的情况；以及进一步地经由别的构造体将其他构造体配置在某一构造体的上方的情况。

(第一实施方式)

图1是示出第一实施方式的显示装置的分解立体图。如图1所示，显示装置PNL具备阵列基板SUB1和对置基板SUB2。如图1所示，在显示装置PNL中，在显示区域DA的外侧设置有周边区域BE。显示区域DA形成为四边形，但对于显示区域DA的外形的形状并无限定。例如，在显示区域DA也可以有缺口，或者显示区域DA也可以形成为其他多边形，显示区域DA也可以形成为圆形或者椭圆形等其他形状。

在本实施方式中，第一方向X是沿着显示区域DA的短边的方向。第二方向Y是与第一方向X交叉(或正交)的方向。并不限定于此，第二方向Y也可以相对于第一方向X以90°以外的角度交叉。由第一方向X和第二方向Y规定的平面与阵列基板SUB1的面平行。此外，与第一方向X以及第二方向Y正交的第三方向Z是阵列基板SUB1的厚度方向。此外，俯视观察表示从第三方向Z观察时的位置关系。

显示区域DA是用于显示图像的区域，是与多个像素PX重合的区域。周边区域BE表示比阵列基板SUB1的外周靠内侧且比显示区域DA靠外侧的区域。另外，周边区域BE也可以是将显示区域DA包围的框状，在该情况下，也可以说周边区域BE是边框区域。

对图像进行显示的显示区域DA包括在检测静电电容的检测装置中包括的传感器区域。如图1所示，多个检测电极CE在显示区域DA中在第一方向X以及第二方向Y上排列成矩阵状。各个检测电极CE在俯视观察下由矩形或正方形示意性地示出，对检测电极CE的详细形状进行后述。检测电极CE例如由ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)等具有透光性的导电性材料构成。

如图1所示，在阵列基板SUB1的一个面侧的周边区域BE设置有外缘布线CE-G和集成电路CP。例如，外缘布线CE-G沿着显示区域DA的长边和短边连续地设置而将显示区域DA包围。

显示装置PNL是将传感器区域与显示区域DA一体化的带传感器的显示装置。具体而言，在显示区域PNL中，显示区域DA的部件的一部分构成了传感器区域的检测电极CE。

图2是示意性地示出阵列基板的俯视图。如图2所示，检测电极CE通过狭缝SPB在第一方向X以及第二方向Y上分成矩阵状。在周边区域BE的短边侧设置有连接电路MP和集成电路CP。此外，未图示的布线基板连接于周边区域BE的短边侧。布线基板例如是柔性印刷基板。另外，连接电路MP和集成电路CP的配置并不限定于此，例如也可以设于模块外部的控制基板、柔性印刷基板上。

检测电极CE经由驱动信号供给布线TL以及连接电路MP而与集成电路CP电连接。驱动信号供给布线TL与多个检测电极CE分别连接，在触摸检测时，向多个检测电极CE分别供给驱动信号，将与静电量变化相应的信号向模拟前端发送。或者，驱动信号供给布线TL在显示的期间向检测电极CE供给基准电位VCOM。多个驱动信号供给布线TL分别与配置于显示区域DA的多个检测电极CE分别电连接，且被引出至周边区域BE。多个驱动信号供给布线TL分别沿着第二方向Y延伸，多个驱动信号供给布线TL在第一方向X上并排配置。例如，内置于集成电路CP的驱动电路经由配置于周边区域BE的连接电路MP和驱动信号供给布线TL而分别连接于多个检测电极CE。

接触孔CH具有检测电极CE和与检测电极CE重叠的驱动信号供给布线TL进行电连接的连接部。一个驱动信号供给布线TL在图2中示意性地与一个检测电极CE连接。如后述那样，实际上，驱动信号供给布线TL将多个布线集束并引绕到显示区域DA内。

显示装置PNL还具备连接电路MP。连接电路MP设置于检测电极CE与集成电路CP之间。连接电路MP是基于从集成电路CP供给的控制信号来切换成为检测驱动对象的检测电极CE与集成电路CP的连接和切断的电路。连接电路MP例如是多路选择器。集成电路CP具有模拟前端。

图3是示出第一实施方式的显示装置的像素排列的示意图。如图3所示，多个像素PX排列成矩阵状。像素PX具有第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3和第四子像素SPX4。第一子像素SPX1显示红色来作为第一原色。第二子像素SPX2显示绿色来作为第二原色。第三子像素SPX3显示蓝色来作为第三原色。第四子像素SPX4显示白色。另外，在不需要区别说明第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3以及第四子像素SPX4的情况下，有时将它们表示为子像素SPX。

像素PX具有第一像素PX1和第二像素PX2。第一像素PX1具有第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。第二像素PX2具有第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第四子像素SPX4。第一像素PX1和第二像素PX2在第一方向X以及第二方向Y上分别交替地排列。

更具体而言，第一子像素SPX1在第二方向Y上排列。由在第二方向Y上排列的第一子像素SPX1构成的第一子像素列与公共的信号线S1、S4(第一信号线)连接。第二子像素SPX2在第二方向Y上排列。由在第二方向Y上排列的第二子像素SPX2构成的第二子像素列与第一子像素列在第一方向X上相邻地配置。第二子像素列与公共的信号线S2、S5(第二信号线)连接。

第三子像素SPX3以及第四子像素SPX4在第二方向Y上交替地排列。由在第二方向Y上排列的第三子像素SPX3以及第四子像素SPX4构成的第三子像素列与第二子像素列在第一方向X上相邻地配置。第三子像素列与公共的信号线S3、S6(第三信号线)连接。第一子像素列、第二子像素列以及第三子像素列依次在第一方向X上重复地排列。

此外，在第一方向X上排列的第一像素PX1以及第二像素PX2在各行的每行上都与扫描线G1、G2、G3连接。在以下的说明中，有时将多个扫描线G1、G2、G3统称为扫描线GL。有时将多个信号线S1、S2、S3、S4、S5、S6统称为信号线SL。

图4是表示像素的结构的等效电路图。在阵列基板SUB1形成有图4所示的各子像素SPX的开关元件Tr、信号线SL、扫描线GL等。信号线SL是用于向各子像素SPX的像素电极PE(参照图8)供给像素信号的布线。扫描线G1、G2、G3是用于供给对各开关元件Tr进行驱动的栅极信号VGL1、VGL2、VGL3的布线。

如图4所示，子像素SPX分别具备开关元件Tr以及液晶层LC的保持电容Cs等元件。开关元件Tr由薄膜晶体管构成，在该例子中，由n沟道的MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体)型的TFT构成。在后述的像素电极PE与检测电极CE之间设置有绝缘膜16(参照图9)，由它们形成图4所示的保持电容Cs。

开关元件Tr的栅极连接于扫描线GL。开关元件Tr的源极连接于信号线SL。开关元件Tr的漏极连接于像素电极PE。在图4所示的等效电路图中，开关元件Tr的漏极连接于保持电容Cs的一端以及液晶层LC的电容的一端。保持电容Cs的另一端以及液晶层LC的电容的另一端连接于检测电极CE。

进一步地，在子像素SPX形成寄生电容Csg、Csc、Cgc。寄生电容Csg是形成于扫描线GL与信号线SL之间的电容分量。寄生电容Csc是形成于检测电极CE与信号线SL之间的电容分量。寄生电容Cgc是形成于检测电极CE与扫描线GL之间的电容分量。

接下来，参照图3到图5，对本实施方式的显示装置PNL的驱动方法以及比较例的显示装置的驱动方法的一例进行说明。图5是示出第一实施方式以及比较例所涉及的显示装置的动作例的定时波形图。在图5中，关于向检测电极CE供给的波形，由实线示出第一实施方式的显示装置PNL，由虚线示出比较例的显示装置。另外，关于栅极信号VGL、向选择器SELR、SELG、SELBW供给的控制信号、以及像素信号SIG，对向第一实施方式以及比较例的显示装置供给了公共信号的情况进行说明。

本实施方式的显示装置PNL以及比较例的驱动方法是列反转驱动。列反转驱动是如下驱动方式：对子像素或通过组合子像素而成的像素的一条线(列)施加相互相反极性的电压，并以预定的周期对施加的该电压的极性进行反转。

例如，针对在第n-1个周期显示的影像，向信号线SL1、SL3、SL5供给以基准电位VCOM为基准而与负的电压相对应的像素信号SIG1、SIG3、SIG5。向信号线SL2、SL4、SL6供给以基准电位VCOM为基准而与正的电压相对应的像素信号SIG2、SIG4、SIG6。

接下来，相对于在第n周期显示的影像，如图3所示，向信号线SL1、SL3、SL5供给以基准电位VCOM为基准而与正的电压相对应的像素信号SIG1、SIG3、SIG5。向信号线SL2、SL4、SL6供给以基准电位VCOM为基准而与负的电压相对应的像素信号SIG2、SIG4、SIG6。

此外，在以下的说明中，假设在图3所示的区域101所包括的多个子像素SPX中向第三子像素SPX3供给显示蓝色的像素信号SIG，向其他子像素SPX供给电压GND而显示黑色。假设区域101以外的显示区域DA所包括的多个子像素SPX被供给显示灰色的影像的像素信号SIG。在以下的说明中，将由区域101以外的多个子像素SPX构成的区域表示为背景部。将针对在背景部中显示的灰色的影像，向多个子像素SPX供给的电压例如称为显示中间色调的影像的电压。

如图5所示，向扫描线G2供给栅极信号VGL2。在栅极信号VGL2导通的期间，向选择器SELR、SELG、SELBW分别供给脉冲信号。选择器SELR、SELG、SELBW是连接电路MP(参照图1)具有的开关元件。例如，当脉冲信号变为导通时，选择器SELR分别选择信号线S1、S4，向连接于信号线S1、S4的第一子像素SPX1供给像素信号SIG1、SIG4。当脉冲信号变为导通时，选择器SELG分别选择信号线S2、S5，向连接于信号线S2、S5的第二子像素SPX2供给像素信号SIG2、SIG5。当脉冲信号变为导通时，选择器SELBW分别选择信号线S3、S6，向连接于信号线S3、S6的第三子像素SPX3以及第四子像素SPX4供给像素信号SIG3、SIG6。

如图5所示，在向选择器SELBW供给了脉冲信号的情况下，信号线S3从负的电位上升到电位GND，向被扫描线G2选择的第四子像素SPX4供给与电位GND相对应的白色的像素信号SIG3。在被选择器SELBW选择之前的期间被供给的负的电位，是与向被前一行的扫描线G1选择的第三子像素SPX3供给的蓝色的像素信号SIG相对应的电位。

此外，在向选择器SELBW供给了脉冲信号的情况下，信号线S6从电位GND上升到正的电位，向被扫描线G2选择的第三子像素SPX3供给与正的电位相对应的蓝色的像素信号SIG6。在被选择器SELBW选择之前的期间被供给的电位GND，是与向被前一行的扫描线G1选择的第四子像素SPX4供给的白色的像素信号SIG相对应的电位。

即，向信号线S3、S6供给的电位都上升。如上述那样，信号线SL和检测电极CE被寄生电容Csc(参照图4)电容耦合。因此，随着信号线S3、S6的电位的上升，检测电极CE的电位也上升。此外，图2所示的多个驱动信号供给布线TL与多个检测电极CE电连接。因此，在被供给了像素信号SIG3、SIG6的区域101以外的背景部中，多个检测电极CE以及多个驱动信号供给布线TL的电位也上升。

如图5所示，检测电极CE的电位根据检测电极CE以及驱动信号供给布线TL的时间常数，随时间的经过而降低，并收敛为原来的电位。但是，在具有较大的寄生电容Csc的比较例的显示装置中，如图5的虚线GQ所示，在向选择器SELBW供给的脉冲信号变为关断的时刻Toff之前，串扰分量的电压不会收敛。有可能在该检测电极CE产生的电压差导致第四子像素SPX4的有效电压增大，出现原本不会在背景部产生的图像。另外，第四子像素SPX4的亮度的变动比其他子像素SPX的亮度的变动大而存在容易影响的趋势。

此外，在高速地驱动显示装置PNL的情况下，即，当向选择器SELBW供给的脉冲信号的脉冲宽度变窄时，时刻Toff时的电压差变大，增大发生显示画质降低的可能性。

在本实施方式中，通过抑制信号线SL与检测电极CE之间的寄生电容Csc而能够缩小检测电极CE以及驱动信号供给布线TL的时间常数。其结果，检测电极CE的电位会比现有例快速地收敛为原来的电位，抑制了在时刻Toff时的检测电极CE产生的电位差。由此，在本实施方式中，能够抑制串扰分量的电位差，能够抑制显示画质的降低。

另外，图5所示的定时波形图仅仅是一例，并不限定于图5所示的例子。

接下来，对将检测电极CE以及驱动信号供给布线TL的时间常数减小的具体结构进行说明。图6是用于说明多个检测电极、多个驱动信号供给布线与多个虚设布线的关系的说明图。

如图6所示，检测电极CE1、CE2、CE3、CE4在第二方向Y上排列。检测电极CE1、CE2、CE3、CE4分别与多个子像素SPX(多个第一子像素SPX1、多个第二子像素SPX2、多个第三子像素SPX3以及多个第四子像素SPX4)重叠地设置。此外，为了易于观察附图，图6中与检测电极CE分别重叠地示出一行子像素SPX。但在实际上，一个检测电极CE与多行子像素SPX重叠地配置。

在以下的说明中，在不需要区别说明检测电极CE1、CE2、CE3、CE4的情况下，表示为检测电极CE。检测电极CE分别具有主检测电极CEP和子检测电极CEA、CEB(对于子检测电极CEA可参照图7)。在第一方向X上相邻的主检测电极CEP之间，形成有狭缝SPA。另外，对检测电极CE的详细结构进行后述。

驱动信号供给布线TL1与由多个第一子像素SPX1构成的第一子像素列对应地设置。驱动信号供给布线TL2与由多个第二子像素SPX2构成的第二子像素列对应地设置。驱动信号供给布线TL1、TL2分别经由接触孔CH与检测电极CE连接。另外，在以下的说明中，在不需要区别说明驱动信号供给布线TL1、TL2的情况下，简单地表示为驱动信号供给布线TL。

更具体而言，将在第一方向X上相邻的一组驱动信号供给布线TL1、TL2设为布线组TLG。布线组TLG1、TLG2、TLG3、TLG4在第一方向X上排列，且分别连接于检测电极CE1、CE2、CE3、CE4。布线组TLG1、TLG2、TLG3、TLG4在第二方向Y的长度依次变长。连接于检测电极CE1的布线组TLG1与检测电极CE2、CE3、CE4不重叠。连接于检测电极CE2的布线组TLG2与检测电极CE3、CE4不重叠。连接于检测电极CE3的布线组TLG3与检测电极CE4不重叠。

在一个检测电极CE中，连接有两条驱动信号供给布线TL1、TL2。驱动信号供给布线TL1经由两个接触孔CH与检测电极CE连接，驱动信号供给布线TL2经由两个接触孔CH与检测电极CE连接。在图6中，检测电极CE通过总计四个接触孔CH与驱动信号供给布线TL1、TL2电连接。但并不限定于此，只要设置有至少一个驱动信号供给布线TL即可。此外，针对一个驱动信号供给布线TL，可以设置一个接触孔CH，也可以设置三个以上的接触孔CH。

显示装置PNL还具有第一虚设布线TLD1、第二虚设布线TLD2以及第三虚设布线TLD3。第一虚设布线TLD1与由多个第一子像素SPX1构成的第一子像素列对应地设置，与驱动信号供给布线TL1在第二方向Y上相邻地配置。第二虚设布线TLD2与由多个第二子像素SPX2构成的第二子像素列对应地设置，且与驱动信号供给布线TL2在第二方向Y上相邻地配置。

在设置有布线组TLG1的子像素列中，第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2与检测电极CE2、CE3、CE4重叠，且以分离的方式配置于每个检测电极CE2、CE3、CE4。在设置有布线组TLG2的子像素列中，第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2与检测电极CE3、CE4重叠，且以分离的方式配置于每个检测电极CE3、CE4。在设置有布线组TLG3的子像素列中，第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2与检测电极CE4重叠地配置。

第三虚设布线TLD3与由多个第三子像素SPX3以及多个第四子像素SPX4构成的第三子像素列对应地设置。第三虚设布线TLD3与驱动信号供给布线TL1、TL2在第一方向X上相邻地配置。或者，第三虚设布线TLD3与第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2在第一方向X上相邻地配置。

第三虚设布线TLD3的在第二方向Y上的长度比第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2的在第二方向Y上的长度短。例如，第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2以分离的方式设置于在第二方向Y上排列的每个检测电极CE，第三虚设布线TLD3以分离的方式设置于在第二方向Y上排列的每个子像素SPX或像素PX。

在本实施方式中，第一虚设布线TLD1经由接触孔CH与检测电极CE电连接，且被供给与检测电极CE相同的电位。设置于一个第一虚设布线TLD1的接触孔CH的数量与设置于一个驱动信号供给布线TL1的接触孔CH的数量相等。

第二虚设布线TLD2不设置有接触孔CH，而不与检测电极CE连接。第二虚设布线TLD2不被供给驱动信号、基准电位VCOM等信号，处于浮动状态。第三虚设布线TLD3也不与检测电极CE连接，处于浮动状态。

虚设接触孔CHD设置于在第二方向Y上相邻的第三虚设布线TLD3之间。虚设接触孔CHD被设置为不与第三虚设布线TLD3、信号线SL等各种布线连接。例如，当着眼于检测电极CE2时，在与最左侧的像素PX相对应的区域中，在与第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2相邻地配置的第三虚设布线TLD3，设置有两个虚设接触孔CHD。在布线组TLG2分别设置有接触孔CH的像素PX中，在与驱动信号供给布线TL1、TL2相邻地配置的第三虚设布线TLD3，未设置有虚设接触孔CHD。在与布线组TLG3、TLG4重叠且并分别未设置有接触孔CH的像素PX中，在与驱动信号供给布线TL1、TL2相邻地配置的第三虚设布线TLD3，设置有四个虚设接触孔CHD。

这样，以抑制接触孔CH和虚设接触孔CHD的总计数量之差的方式，在每个预定的区域(例如，主检测电极CEP)设置虚设接触孔CHD。因此，抑制了接触孔CH和虚设接触孔CHD的配置密度的偏差，从而能够抑制显示画质的降低。

另外，能够适当变更设置于第一虚设布线TLD1的接触孔CH的数量以及设置于第三虚设布线TLD3的虚设接触孔CHD的数量。例如，设置于第一虚设布线TLD1的接触孔CH的数量也可以与设置于驱动信号供给布线TL1的接触孔CH的数量不同。在将接触孔CH设置于驱动信号供给布线TL1、TL2的主检测电极CEP中，也可以在第三虚设布线TLD3设置虚设接触孔CHD。

接下来，对各子像素SPX的详细结构进行说明。图7是用于在像素的示意性俯视图中说明检测电极的俯视图。图8是用于在像素的示意性俯视图中说明驱动信号供给布线以及虚设布线的俯视图。图9是图8的IX-IX’剖视图。图10是用于说明第一实施方式的开关元件的俯视图。

如图9所示，在第一绝缘基板10的上方形成有多个信号线S1、S2、S3、多个像素电极PE1、PE2、PE3、多个检测电极CE、多个驱动信号供给布线TL1、TL2、TLD。以下，有时将多个像素电极PE1、PE2、PE3统称为像素电极PE。

如图7所示，扫描线G1、G2、G3分别沿着第一方向X延伸，在第二方向Y上等间距并排。扫描线G1、G2、G3虽然也未出现在图9中，但是是形成于第一绝缘基板10的上方的。

在图7以及图8中，将相对于第二方向Y绕逆时针以锐角交叉的方向定义为方向D1，将相对于第二方向Y绕顺时针以锐角交叉的方向定义为方向D2。另外，第二方向Y与方向D1所成的角度θ1和第二方向Y与方向D2所成的角度θ2基本相同。信号线S1、S2、S3大致分别沿着第二方向Y延伸，且在第一方向X上以等间距并排。在图中示出的例子中，信号线S1、S2、S3在扫描线G1与扫描线G2之间沿方向D1延伸，在扫描线G2与扫描线G3之间沿方向D2延伸。这些扫描线G1、G2、G3与信号线S1、S2、S3在俯视观察下相互交叉。

如图10所示，开关元件Tr1位于扫描线G2与信号线S1的交叉部附近，与扫描线G2以及信号线S1电连接。开关元件Tr2位于扫描线G2与信号线S2的交叉部附近，与扫描线G2以及信号线S2电连接。开关元件Tr3位于扫描线G2与信号线S3的交叉部附近，与扫描线G2以及信号线S3电连接。

如图8所示，多个像素电极PE1、PE2、PE3在第一方向X上隔开间隔地并排。像素电极PE1位于两个信号线SL之间。多个像素电极PE1、PE2、PE4与多个像素电极PE1、PE2、PE3分别在第二方向Y上隔开间隔地并排。像素电极PE1位于两个扫描线GL之间。多个像素电极PE1、PE2、PE3、PE4分别位于被两个信号线SL以及两个扫描线GL包围的区域中。

像素电极PE分别具有接触部PA、电极部PB以及连结部PC。接触部PA与开关元件Tr(参照图10)电连接。电极部PB从接触部PA向从扫描线G2接近扫描线G1的一侧延伸。电极部PB有时也被称为带状电极、线状电极、梳齿电极等。在图8中，一个像素电极PE具有两个电极部PB。两个电极部PB连接于接触部PA。这些电极部PB在第一方向X上隔开间隔地并排。连结部PC与两个电极部PB的端部相连。

另外，像素电极PE的形状并不限于图8的例子，例如，也可以省略连结部PC，电极部PB的数量也可以不是两个，例如可以是三个、四个。

像素电极PE1、PE2、PE3、PE4形成为彼此大致相同的形状。例如，在第一方向X上排列的像素电极PE1、PE2、PE3中，各个电极部PB均在同一方向上延伸，且在与方向D1平行的方向上延伸。此外，在第一方向X上排列的像素电极PE1、PE2、PE4中，各个电极部PB均在同一方向上延伸，且在与方向D2平行的方向上延伸。另外，像素电极PE1、PE2、PE3、PE4的形状并不限定于相同形状，像素电极PE1、PE2、PE3、PE4的形状、面积也可以不同。

如图7所示，检测电极CE具有主检测电极CEP、以及子检测电极CEA和子检测电极CEB。在阵列基板SUB1的显示区域DA(参照图1)的大致整个区域上形成有主检测电极CEP。也就是说，第一像素PX1具有像素电极PE1、PE2、PE3，在与像素电极PE1、PE2、PE3重叠的区域设置有主检测电极CEP(检测电极CE)。或者，第二像素PX2具有像素电极PE1、PE2、PE4，且在与像素电极PE1、PE2、PE4重叠的区域设置有主检测电极CEP(检测电极CE)。

在以下的说明中，对第一像素PX1的结构进行说明，关于第二像素PX2则省略重复的说明。在俯视观察下，主检测电极CEP与像素电极PE1、PE2、PE3、信号线S1、S2、S3、驱动信号供给布线TL1、TL2以及第三虚设布线TLD3重叠，并且不与扫描线G1、G2、G3重叠。

如图7所示，子检测电极CEA在第二方向Y上延伸，将在第二方向Y上相邻的主检测电极CEP电连接。在俯视观察下，子检测电极CEA与扫描线G1、G2、G3、信号线S2、S5以及驱动信号供给布线TL2重叠，并且不与像素电极PE1、PE2、PE3、信号线S1、S3、S4、S6、驱动信号供给布线TL1、TL2以及第三虚设布线TLD3重叠。当在第二方向Y上相邻的主检测电极CEP之间没有子检测电极CEA时，形成狭缝SPB(参照图2)。

子检测电极CEB在第一方向X上延伸，将在第一方向X上相邻的主检测电极CEP电连接。在第一方向X上相邻的主检测电极CEP与子检测电极CEB之间的区域，形成狭缝SPA。狭缝SPA与连接于第一子像素SPX1的信号线S1、S4以及驱动信号供给布线TL1重叠地形成。当在第一方向X上相邻的主检测电极CEP之间没有子检测电极CEB时，形成狭缝SPB(参照图2)。

在俯视观察下，子检测电极CEB与信号线S1以及驱动信号供给布线TL1、扩宽部TC重叠，并且不与像素电极PE1、PE2、PE3、扫描线G1、G2、G3、信号线S2、S3、驱动信号供给布线TL2以及第三虚设布线TLD3重叠。通过形成狭缝SPA，能够缩小与处于在第一方向X上相邻的检测电极CE之间的狭缝SPB的可视性的差异，此外，能够减少在检测电极CE与驱动信号供给布线TL1之间产生的寄生电容。

如以上所说明的那样，检测电极CE具有主检测电极CEP和子检测电极CEA、CEB。主检测电极CEP为岛状。在第一方向X或第二方向Y上相邻的主检测电极CEP通过子检测电极CEA或CEB电连接。其结果，检测电极CE可以具有任意大小的面积。主检测电极CEP设置于每个像素PX(每个第一像素PX1以及第二像素PX2)，狭缝SPA设置于与驱动信号供给布线TL1以及信号线S1重叠的位置。向与狭缝SPA重叠的驱动信号供给布线TL1以及第一虚设布线TLD1供给与检测电极CE相同的电位。由此，在本实施方式中，与将狭缝SPA设置于与浮动状态的第二虚设布线TLD2或第三虚设布线TLD3重叠的位置的情况相比，通过驱动信号供给布线TL1以及第一虚设布线TLD1能够抑制来自信号线SL的泄漏电场。因此，能够抑制由来自信号线SL的泄漏电场引起的画质的降低。

如图8所示，多个驱动信号供给布线TL1、TL2在俯视观察下分别与信号线S1、S2重叠，且与这些信号线S1、S2平行地延伸。驱动信号供给布线TL1、TL2与信号线S3不重叠。在驱动信号供给布线TL1、TL2分别设置有扩宽部TC，接触孔CH与扩宽部TC重叠地设置。

第三虚设布线TLD3在俯视观察下与信号线S3重叠，且与信号线S3平行地延伸。第三虚设布线TLD3在第二方向Y上排列的每个像素PX都设置有狭缝SPL。虚设接触孔CHD与狭缝SPL重叠地设置。换言之，第三虚设布线TLD3在第二方向Y上以分离的方式排列，虚设接触孔CHD与信号线S3重叠，在第二方向Y上相邻的第三虚设布线TLD3之间形成。狭缝SPL以及虚设接触孔CHD与扩宽部TC以及接触孔CH在第一方向X上并排地排列。此外，虚设接触孔CHD设置于与像素电极PE3(第三子像素SPX3)相邻的信号线S3上，而未设置于与像素电极PE4(第四子像素SPX4)相邻的信号线S3上。

另外，与多个驱动信号供给布线TL1、TL2同样地，图6所示的第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2分别与信号线S1、S2重叠，且与这些信号线S1、S2平行地延伸。在后述的图15中示出第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2。

如以上那样，驱动信号供给布线TL1、TL2分别与信号线S1、S2重叠地设置，且与信号线S3不重叠地设置。此外，第三虚设布线TLD3与信号线S3重叠地设置，处于浮动状态。由此，和与信号线S3重叠地设置有驱动信号供给布线TL的结构相比，能够有效地减少形成于与第三子像素SPX3以及第四子像素SPX4连接的信号线S3(第三信号线)的寄生电容Csc(参照图4)。

更具体而言，在与信号线S3重叠地设置有驱动信号供给布线TL的结构中，形成于信号线S3的寄生电容Csc包括形成于信号线S3与驱动信号供给布线TL之间的电容。在本实施方式中，由于与信号线S3重叠地设置浮动状态的第三虚设布线TLD3，因此形成于信号线S3的寄生电容Csc包括如下电容：将形成于信号线S3与第三虚设布线TLD3之间的电容和形成于第三虚设布线TLD3与检测电极CE之间的电容串联连接而得的合计电容。因此，通过设置第三虚设布线TLD3，能够抑制寄生电容Csc。其结果，本实施方式的显示装置PNL能够减小检测电极CE以及驱动信号供给布线TL的时间常数，抑制串扰分量的电位差，能够抑制显示画质的降低。

如图9所示，阵列基板SUB1将玻璃基板、树脂基板等具有透光性的第一绝缘基板10作为基体。阵列基板SUB1在与第一绝缘基板10的对置基板SUB2对置的一侧具备绝缘膜11、12、13、第一有机绝缘膜14(第一绝缘膜)、第二有机绝缘膜15(第二绝缘膜)、绝缘膜16、信号线S1、S2、S3、像素电极PE1、PE2、PE3、检测电极CE、第一取向膜AL1等。在以下的说明中，将从阵列基板SUB1朝向对置基板SUB2的方向称为上方或者简称为上。

绝缘膜11位于第一绝缘基板10之上。绝缘膜12位于绝缘膜11之上。绝缘膜13位于绝缘膜12之上。信号线S1、S2、S3位于绝缘膜13之上。第一有机绝缘膜14位于绝缘膜13之上，且覆盖信号线S1、S2、S3。

驱动信号供给布线TL1、TL2以及第三虚设布线TLD3位于第一有机绝缘膜4之上。驱动信号供给布线TL1、TL2以及第三虚设布线TLD3由包括Al、Mo、W中的任一种的金属材料形成。驱动信号供给布线TL1、TL2以及第三虚设布线TLD3的电阻比检测电极CE的电阻低，具有导电性。此外，驱动信号供给布线TL1、TL2以及第三虚设布线TLD3隔着第一绝缘膜14与信号线S1、S2、S3对置。也就是说，驱动信号供给布线TL1、TL2以及第三虚设布线TLD3在信号线S1、S2、S3之上重叠。

另外，关于在图9中未示出的第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2，也与第三虚设布线TLD3同层地位于第一有机绝缘膜14之上。而且，第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2隔着第一有机绝缘膜14与信号线S1、S2对置。

第二有机绝缘膜15设置于第一有机绝缘膜14之上，驱动信号供给布线TL1、TL2以及第三虚设布线TLD3被第二有机绝缘膜15覆盖。绝缘膜11、12、13以及绝缘膜16例如由硅氧化物、硅氮化物等具有透光性的无机类材料形成。第一有机绝缘膜14以及第二有机绝缘膜15由丙烯酸树脂等具有透光性的树脂材料形成，与由无机类材料形成的其他绝缘膜相比，具有较厚的膜厚。例如，第一有机绝缘膜14为2μm以上且3μm以下。第二有机绝缘膜15为1μm以上且2μm以下。第一有机绝缘膜14比第二有机绝缘膜15形成得更厚。

检测电极CE位于第二有机绝缘膜15之上。此外，在图9中，检测电极CE隔着第二有机绝缘膜15与驱动信号供给布线TL1、TL2对置。检测电极CE的狭缝SPA位于驱动信号供给布线TL1的正上方。检测电极CE被绝缘膜16覆盖。

像素电极PE位于绝缘膜16之上，隔着绝缘膜16与检测电极CE对置。像素电极PE以及检测电极CE例如由ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)等具有透光性的导电性材料形成。像素电极PE被第一取向膜AL1覆盖。第一取向膜AL1还覆盖绝缘膜16。

对置基板SUB2将玻璃基板、树脂基板等具有透光性的第二绝缘基板20作为基体。对置基板SUB2在第二绝缘基板20的与阵列基板SUB1对置的一侧具备遮光层BM、滤色器CFR、CFG、CFB、外覆层OC、第二取向膜AL2等。

如图9所示，遮光层BM位于与第二绝缘基板20的阵列基板SUB1对置的一侧。而且，遮光层BM规定了分别与像素电极PE1、PE2、PE3对置的开口部。遮光部BM由黑色的树脂材料、遮光性的金属材料形成。

滤色器CFR、CFG、CFB分别位于第二绝缘基板20的与阵列基板SUB1的对置的一侧，且各个端部与遮光层BM重合。滤色器CFR与像素电极PE1对置。滤色器CFG与像素电极PE2对置。滤色器CFB与像素电极PE3对置。在一例中，滤色器CFR、CFG、CFB分别由被着色为蓝色、红色、绿色的树脂材料形成。

外覆层OC覆盖滤色器CFR、CFG、CFB。外覆层OC由具有透光性的树脂材料形成。第二取向膜AL2覆盖外覆层OC。第一取向膜AL1以及第二取向膜AL2例如由呈现水平取向性的材料形成。

此外，遮光层BM也可以形成于滤色器CFR、CFG、CFB的任一方与外覆层OC之间，进一步地，遮光层BM也可以形成于外覆层OC与第二取向膜AL2之间。

如以上所说明的那样，对置基板SUB2具备遮光层BM、滤色器CFR、CFG、CFB等。遮光层BM配置于图4所示的扫描线G1、G2、G3、信号线S1、S2、S3、接触部PA、开关元件Tr等的与布线部对置的区域。

在图9中，对置基板SUB2具备三种颜色的滤色器CFR、CFG、CFB，但也可以具备与蓝色、红色以及绿色不同的其他颜色、例如包括白色、透明色、黄色、品红色、青色等滤色器的四种颜色以上的滤色器。此外，这些滤色器CFR、CFG、CFB也可以设于阵列基板SUB1。

以使第一取向膜AL1和第二取向膜AL2相面对的方式，配置上述的阵列基板SUB1以及对置基板SUB2。液晶层LC被封入第一取向膜AL1与第二取向膜AL2之间。液晶层LC由介电常数各向异性为负的负型液晶材料、或者介电常数各向异性为正的正型液晶材料构成。

阵列基板SUB1与背灯单元IL对置，对置基板SUB2位于显示面侧。作为背灯单元IL，可以应用各种方式，关于其详细构造则省略说明。

包括第一偏光板PL1的第一光学元件OD1配置于第一绝缘基板10的外表面或者与背灯单元IL对置的面。包括第二偏光板PL2的第二光学元件OD2配置于第二绝缘基板20的外表面或者观察位置侧的面。第一偏光板PL1的第一偏光轴以及第二偏光板PL2的第二偏光轴例如在X-Y平面中处于正交尼科尔(Crossed Nicol)的位置关系。另外，第一光学元件OD1以及第二光学元件OD2也可以包括相位差板等其他光学功能元件。

例如，在液晶层LC是负型液晶材料的情况下，在未向液晶层LC施加电压的状态下，液晶分子LM在X-Y平面内在其长轴沿着第一方向X的方向上初始取向。另一方面，在向液晶层LC施加了电压的状态下，也就是在像素电极PE与检测电极CE之间形成了电场的开启时，液晶分子LM受到电场的影响，其取向状态发生变化。在开启时，入射的直线偏光的偏光状态在该直线偏光穿过液晶层LC时根据液晶分子LM的取向状态而发生变化。

接下来，对图10所示的开关元件Tr1、Tr2、Tr3的构造进行更详细说明。另外，以下说明的开关元件Tr1、Tr2、Tr3是顶栅型。开关元件Tr1、Tr2、Tr3也可以是底栅型。在图10中，仅示出说明开关元件Tr1、Tr2、Tr3时需要的主要部分，而省略检测电极CE、像素电极PE1、PE2、PE3、驱动信号供给布线TL1、TL2等的图示。

开关元件Tr1、Tr2、Tr3在第一方向X上并排。开关元件Tr1具备半导体层SC1。开关元件Tr2具备半导体层SC2。开关元件Tr3具备半导体层SC3。半导体层SC1、SC2、SC3均形成为大致U字状，且与扫描线G2在两个部位交叉。以下，对开关元件Tr1进行说明，但关于开关元件Tr1的说明也能够用于开关元件Tr2、Tr3。

在开关元件Tr1中，半导体层SC1具有处于一个端侧的第一部分E11以及处于另一个端侧的第二部分E12。第一部分E11经由接触孔CH11与信号线S1电连接。第二部分E12经由接触孔CH12与像素电极PE1(参照图8)电连接。

在扫描线G2中，与半导体层SC1交叉的两个部分分别为栅极电极WG11以及WG12。

如图8以及图10所示，在本实施方式中，在各个子像素SPX中，像素电极PE经由开关元件Tr与位于各自的左侧的信号线SL电连接。此外，在由三个子像素SPX构成的像素PX的边界，配置有与第一子像素SPX1连接的信号线S1、S4(第一信号线)。

接下来，对接触孔CH以及虚设接触孔CHD的剖面结构进行说明。图11是用于说明接触孔的剖视图。图12是用于说明虚设接触孔的剖视图。

如图11所示，在信号线SL之上依次层叠有第一有机绝缘膜14、驱动信号供给布线TL、第二有机绝缘膜15。换言之，驱动信号供给布线TL设置于第一有机绝缘膜14与第二有机绝缘膜15之间。在第二有机绝缘膜15，在与驱动信号供给布线TL的扩宽部TC重叠的位置设置接触孔CH。接触孔CH贯通第二有机绝缘膜15而形成，将驱动信号供给布线TL的扩宽部TC作为底面。检测电极CE设置于第二有机绝缘膜15之上，且在接触孔CH的底面处与驱动信号供给布线TL的扩宽部TC接触。这样，驱动信号供给布线TL在与信号线SL(信号线S1)重叠的区域中，经由设置于第二有机绝缘膜15的接触孔CH而与检测电极CE连接。此外，第一取向膜AL1覆盖绝缘膜16，并且还存在于接触孔CH的内部。

在图11中，对检测电极CE与驱动信号供给布线TL的接触部位的剖面结构进行了说明，但将检测电极CE和第一虚设布线TLD1连接的接触孔CH的剖面结构也与图11是同样的。

如图12所示，在设置有虚设接触孔CHD的区域中，第三虚设布线TLD3未设置于第一有机绝缘膜14之上。如上述那样，在形成有第三虚设布线TLD3的狭缝SPL(参照图8)的区域设置虚设接触孔CHD。虚设接触孔CHD在与信号线S3重叠的区域中贯通第二有机绝缘膜15而形成，且将第一有机绝缘膜14作为底面。检测电极CE设置于第二有机绝缘膜15之上，在虚设接触孔CHD的底面处与第一有机绝缘膜14接触。换言之，检测电极CE形成为覆盖虚设接触孔CHD，不与第三虚设布线TLD3等金属布线连接。此外，第一取向膜AL1覆盖绝缘膜16，并且还存在于虚设接触孔CHD内部。通过形成虚设接触孔CHD，抑制第一取向膜AL1的显示区域DA中的涂布不均，有助于第一取向膜AL1的膜厚的均匀化。

与以上所说明的那样，本实施方式的显示装置PNL具有：多个第一子像素SPX1、多个第二子像素SPX2、多个第三子像素SPX3和多个第四子像素SPX4，该多个第一子像素SPX1显示红色，该多个第二子像素SPX2显示绿色，该多个第三子像素SPX3显示蓝色，该多个第四子像素SPX4显示白色；第一信号线(信号线S1)、第二信号线(信号线S2)和第三信号线(信号线S3)，该第一信号线(信号线S1)连接于多个第一子像素SPX1，该第二信号线(信号线S2)连接于多个第二子像素SPX2，该第三信号线(信号线S3)连接于多个第三子像素SPX3以及多个第四子像素SPX4；多个检测电极CE，该多个检测电极CE排列成矩阵状，分别与多个第一子像素SPX1、多个第二子像素SPX2、多个第三子像素SPX3以及多个第四子像素SPX4重叠地设置；以及驱动信号供给布线TL，该驱动信号供给布线TL与多个检测电极CE分别连接，且向多个检测电极CE分别供给驱动信号。驱动信号供给布线TL与第一信号线以及第二信号线中的至少一方重叠地设置，与第三信号线不重叠地设置。

此外，显示装置PNL具有与第一信号线重叠地设置的第一虚设布线TLD1和与第二信号线重叠地设置的第二虚设布线TLD2。第一信号线、第二信号线以及第三信号线在第一方向X上相邻地排列，第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2中的至少一方在与第一方向X交叉的第二方向Y上与驱动信号供给布线TL相邻地配置。此外，显示装置PNL具有与第三信号线重叠地设置、不与检测电极CE连接且为浮动状态的第三虚设布线TLD3。

根据此，和与信号线S3重叠地设置有驱动信号供给布线TL的结构相比，能够有效地减少形成于与第三子像素SPX3以及第四子像素SPX4连接的第三信号线的寄生电容Csc(参照图4)。其结果，能够减小检测电极CE以及驱动信号供给布线TL的时间常数，抑制串扰分量的电压差，能够抑制显示画质的降低。

(第二实施方式)

图13是用于说明第二实施方式的显示装置的俯视图。另外，在以下的说明中，对与在上述的实施方式中所说明的构成要素相同的构成要素标注相同的附图标记并省略重复的说明。

在上述的第一实施方式中，对第二虚设布线TLD2为浮动状态的结构进行了说明，但并不限定于此。如图13所示，在第二实施方式中，第二虚设布线TLD2经由接触孔CH与检测电极CE电连接。即，第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2与检测电极CE电连接，第三虚设布线TLD3为浮动状态。设置于第二虚设布线TLD2的接触孔CH的数量与设置于驱动信号供给布线TL2的接触孔CH的数量相等。此外，设置于第二虚设布线TLD2的接触孔CH的数量与设置于第一虚设布线TLD1的接触孔CH的数量相等。

此外，在本实施方式中，与上述的第一实施方式相比，在与第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2相邻的第三虚设布线TLD3未设置虚设接触孔CHD这一点上是不同的。例如，当着眼于检测电极CE2时，在与第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2相邻地配置的第三虚设布线TLD3未设置虚设接触孔CHD。此外，在与布线组TLG2的驱动信号供给布线TL1、TL2相邻地配置的第三虚设布线TLD3未设置虚设接触孔CHD。在与布线组TLG3、TLG4重叠且分别未设置接触孔CH的子像素列中，在与驱动信号供给布线TL1、TL2相邻地配置的第三虚设布线TLD3设置四个虚设接触孔CHD。

在本实施方式中，与将第二虚设布线TLD2设为浮动状态的情况相比，信号线S2的寄生电容变大。即使在该情况下，第三虚设布线TLD3也为浮动状态，能够抑制连接于第三子像素SPX3以及第四子像素SPX4的信号线S3的寄生电容Csc。此外，在本实施方式中，能够将驱动信号供给布线TL1、TL2的接触孔CH的配置图案以及第一虚设布线TLD1和第二虚设布线TLD2的接触孔CH的配置图案共同化。

(第三实施方式)

图14是用于说明第三实施方式的显示装置的俯视图。图15是用于在第三实施方式的像素的示意性俯视图中说明驱动信号供给布线以及虚设布线的俯视图。图15是将图14所示的区域A的一部分放大示出的俯视图。

如图14以及图15所示，在本实施方式中，与上述的第一实施方式以及第二实施方式相比，在未设置第三虚设布线TLD3这一点上是不同的。即，包括驱动信号供给布线TL1、TL2、第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2的金属布线，与信号线S3(第三信号线)不重叠。此外，第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2分别与信号线S1、S2重叠，且与这些信号线S1、S2平行地延伸。此外，第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2经由接触孔CH与检测电极CE电连接。

如图14所示，在未设置接触孔CH的像素PX设置虚设接触孔CHD。例如，当着眼于检测电极CE2时，在与第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2相邻地配置的子像素SPX未设置虚设接触孔CHD。此外，在与布线组TLG2的驱动信号供给布线TL1、TL2相邻地配置的子像素SPX未设置虚设接触孔CHD。在与布线组TLG3、TLG4重叠且分别未设置接触孔CH的子像素列中，在与驱动信号供给布线TL1、TL2相邻地配置的子像素SPX设置四个虚设接触孔CHD。根据这样的结构，能够抑制接触孔CH以及虚设接触孔CHD的偏差。

在本实施方式中，由于未与信号线S3重叠地设置第三虚设布线TLD3，因此形成于信号线S3的寄生电容Csc包括形成于信号线S3与检测电极CE之间的电容。在该情况下，和与信号线S3重叠地设置有驱动信号供给布线TL时的、信号线S3与驱动信号供给布线TL之间的距离相比，能够增大信号线S3与检测电极CE之间的距离。其结果，在本实施方式中，能够减少形成于信号线S3的寄生电容Csc。

另外，示出了第二虚设布线TLD2经由接触孔CH与检测电极CE电连接的结构，但并不限定于此。与第一实施方式同样地，也可以将第二虚设布线TLD2设为浮动状态。此外，在与第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2相邻的子像素SPX，根据需要也可以与信号线S3重叠地设置虚设接触孔CHD。

(第四实施方式)

图16是用于说明第四实施方式的显示装置的俯视图。图17是用于在第四实施方式的像素的示意性俯视图中说明驱动信号供给布线以及虚设布线的俯视图。图17是将图16所示的区域A的一部分放大示出的俯视图。

如图16以及图17所示，在本实施方式中，与上述的实施方式相比，设置于一个驱动信号供给布线TL1的接触孔CH的数量与设置于一个第一虚设布线TLD1的接触孔CH的数量不同。例如，在一个驱动信号供给布线TL1设置两个接触孔CH，在一个第一虚设布线TLD1设置一个接触孔CH。此外，第二虚设布线TLD2不设置有接触孔CH，而处于浮动状态。也就是说，在本实施方式中，第一虚设布线TLD1与检测电极CE电连接，第二虚设布线TLD2为浮动状态。

此外，也未设置第三虚设布线TLD3以及虚设接触孔CHD。即，在本实施方式中，包括驱动信号供给布线TL1、TL2、第一虚设布线TLD1以及第二虚设布线TLD2的金属布线，与信号线S3(第三信号线)不重叠。虚设接触孔CHD也与信号线S3(第三信号线)不重叠。

根据这样的结构，在本实施方式中，与上述的第一实施方式至第三实施方式相比，能够减少接触孔CH以及虚设接触孔CHD的数量。由此，能够抑制信号线SL与检测电极CE之间的第一有机绝缘膜14以及第二有机绝缘膜15(参照图9)的膜厚偏差。其结果，即使在未设置第三虚设布线TLD3的情况下，也能够确保信号线S3与检测电极CE之间的距离，能够抑制形成于信号线S3的寄生电容Csc。

另外，在图6中，在一个第一虚设布线TLD1设置一个接触孔CH，但这仅仅是示例，能够适当变更。设置于一个第一虚设布线TLD1的接触孔CH的数量只要比设置于一个驱动信号供给布线TL1的接触孔CH的数量少即可，例如也可以设置有两个以上。此外，第二虚设布线TLD2并不限定于浮动状态，也可以设置有一个或多个接触孔CH。

上述的第一实施方式至第四实施方式的结构也可以分别进行适当变更，也可以对各结构的一部分进行适当组合。例如，在第一实施方式以及第二实施方式中，也可以构成为，设置第三虚设布线TLD3，而不设置虚设接触孔CHD。

以上，说明了本发明的优选的实施方式，但本发明并不限定于这样的实施方式。在实施方式中公开的内容仅仅是示例，在不脱离本发明的宗旨的范围中能够进行各种变更。关于在不脱离本发明的宗旨的范围中进行的适当的变更，当然也属于本发明的技术范围。在不脱离上述的各实施方式以及各变形例的要旨的范围中能够进行构成要素的各种省略、替换以及变更中的至少一个。

Claims (13)

1.一种显示装置，其特征在于，具有：

多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素和多个第四子像素，多个所述第一子像素显示红色，多个所述第二子像素显示绿色，多个所述第三子像素显示蓝色，多个所述第四子像素显示白色；

第一信号线、第二信号线和第三信号线，所述第一信号线连接于多个所述第一子像素，所述第二信号线连接于多个所述第二子像素，所述第三信号线连接于多个所述第三子像素以及多个所述第四子像素；

多个检测电极，多个所述检测电极排列成矩阵状，且分别与多个所述第一子像素、多个所述第二子像素、多个所述第三子像素以及多个所述第四子像素重叠地设置；以及

多个信号供给布线，多个所述信号供给布线与多个所述检测电极分别连接，

所述信号供给布线与所述第一信号线以及所述第二信号线中的至少一方重叠地设置，且与所述第三信号线不重叠地设置。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述显示装置具有：

第一虚设布线，所述第一虚设布线与所述第一信号线重叠地设置；以及

第二虚设布线，所述第二虚设布线与所述第二信号线重叠地设置，

所述第一信号线、所述第二信号线以及所述第三信号线在第一方向上相邻地排列，

所述第一虚设布线以及所述第二虚设布线中的至少一方在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述信号供给布线相邻地配置。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

所述显示装置具有浮动状态的第三虚设布线，所述第三虚设布线与所述第三信号线重叠地设置，且不与所述检测电极连接。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，

所述第一虚设布线与所述检测电极电连接，

所述第二虚设布线以及所述第三虚设布线为浮动状态。

5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，

所述第一虚设布线以及所述第二虚设布线与所述检测电极电连接，

所述第三虚设布线为浮动状态。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的显示装置，其特征在于，

所述第一虚设布线以及所述第二虚设布线以分离的方式排列于多个所述检测电极的每个，

所述第三虚设布线以分离的方式排列于多个所述第三子像素以及多个所述第四子像素的每个。

7.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

包括所述信号供给布线、所述第一虚设布线以及所述第二虚设布线的金属布线与所述第三信号线不重叠，

所述第一虚设布线以及所述第二虚设布线与所述检测电极电连接。

8.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

包括所述信号供给布线、所述第一虚设布线以及所述第二虚设布线的金属布线与所述第三信号线不重叠，

所述第一虚设布线与所述检测电极电连接，

所述第二虚设布线为浮动状态。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，

所述检测电极经由绝缘膜设置于所述信号供给布线、所述第一虚设布线以及所述第二虚设布线的上侧，

所述信号供给布线以及所述第一虚设布线分别经由设置于所述绝缘膜的接触孔与所述检测电极连接，

设置于一个所述信号供给布线的所述接触孔的数量与设置于一个所述第一虚设布线的所述接触孔的数量不同。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的显示装置，其特征在于，

所述显示装置具有：

第一绝缘膜，所述第一绝缘膜设置于所述第一信号线、所述第二信号线以及所述第三信号线之上；以及

第二绝缘膜，所述第二绝缘膜设置于所述第一绝缘膜之上，

所述信号供给布线设置于所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜之间，

所述检测电极设置于所述第二绝缘膜之上，

所述信号供给布线在与所述第一信号线以及所述第二信号线中的至少一方重叠的区域中经由设置于所述第二绝缘膜的接触孔与所述检测电极连接，

在与所述第三信号线重叠的区域中，在所述第二绝缘膜设置将所述第一绝缘膜作为底面的虚设接触孔。

11.根据权利要求3至6中任一项所述的显示装置，其特征在于，

所述显示装置具有：

第一绝缘膜，所述第一绝缘膜设置于所述第一信号线、所述第二信号线以及所述第三信号线之上；以及

第二绝缘膜，所述第二绝缘膜设置于所述第一绝缘膜之上，

所述信号供给布线设置于所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜之间，

所述检测电极设置于所述第二绝缘膜之上，

所述信号供给布线在与所述第一信号线以及所述第二信号线中的至少一方重叠的区域中经由设置于所述第二绝缘膜的接触孔与所述检测电极连接，

在与所述第三信号线重叠的区域中，在所述第二绝缘膜设置有将所述第一绝缘膜作为底面的虚设接触孔，

多个所述第三虚设布线在所述第二方向上分离地排列，

所述虚设接触孔配置于在所述第二方向上相邻的多个所述第三虚设布线之间。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的显示装置，其特征在于，

所述检测电极具有多个主检测电极和子检测电极，多个所述主检测电极与多个子像素重叠并在第一方向上排列，所述子检测电极将在所述第一方向上相邻的所述主检测电极连接，

在所述第一方向上相邻的所述主检测电极之间，与所述第一信号线重叠地设置有狭缝。

13.一种显示装置，其特征在于，具有：

多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素和多个第四子像素，多个所述第一子像素显示红色，多个所述第二子像素显示绿色，多个所述第三子像素显示蓝色，多个所述第四子像素显示白色；

第一信号线、第二信号线和第三信号线，所述第一信号线连接于多个所述第一子像素，所述第二信号线连接于多个所述第二子像素，所述第三信号线连接于多个所述第三子像素以及多个所述第四子像素；

第一绝缘膜，所述第一绝缘膜设置于所述第一信号线、所述第二信号线以及所述第三信号线之上；

第二绝缘膜，所述第二绝缘膜设置于所述第一绝缘膜之上；

信号供给布线，所述信号供给布线设置于所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜之间；以及

多个检测电极，多个所述检测电极设置于所述第二绝缘膜之上，且排列成矩阵状，

所述信号供给布线在与所述第一信号线以及所述第二信号线中的至少一方重叠的区域中经由设置于所述第二绝缘膜的接触孔与所述检测电极连接，

在与所述第三信号线重叠的区域中，在所述第二绝缘膜设置将所述第一绝缘膜作为底面的虚设接触孔。

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