JP2014045166A - 表示装置、表示装置の製造方法、電子機器および表示装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】自発光型の発光装置において、発光領域をより大きくする。
【解決手段】基板上に形成される配線パターンと、上記配線パターン上に積層され、所定の位置に上下方向のコンタクトホールが形成される第１の絶縁膜と、上記第１の絶縁膜上に形成され、上記コンタクトホールに貫入して上記配線パターンに電気的に接続されるコンタクト部を有する下部電極と、上記下部電極上に形成される発光層と、上記発光層上に形成される上部電極と、上記発光層が上記下部電極と上記上部電極とに挟まれる発光領域を、上記コンタクト部を含む領域として規定する発光領域規定部材と、上記基板上で少なくとも上記コンタクト部に対応する領域に配置されるカラーフィルタとを含む表示装置が提供される。
【選択図】図６

Description

本開示は、表示装置、電子機器、表示装置の製造方法および表示装置の駆動方法に関する。

近年、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）やＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）を発光素子として用いた自発光型の表示装置が普及している。こうした表示装置では、陽極（アノード）と陰極（カソード）との間に発光素子を配置し、電圧を印加することによって素子を発光させる。素子が電極間に挟まれて発光する領域を発光領域という。表示領域に占める発光領域の割合が大きいほど、表示装置は効率的に発光することになる。

ところが、実際には、さまざまな原因で発光領域の大きさが制限される。そこで、限られた発光領域の中でより効率的に光を取り出す技術が提案されている。例えば、特許文献１には、発光素子の発光面の周囲に凹面鏡部を立設して光を反射させることによって、配光特性の均一さを維持しつつ配光角度や分布などを制御する技術が記載されている。

一方、特許文献２には、表示装置の画素駆動回路において、発光素子を逆バイアス状態で容量性素子として機能させる技術が記載されている。この場合、発光領域の大きさが、発光素子が容量性素子として機能する場合の容量に影響する。発光領域が大きければ、容量素子として機能する場合により大きな容量が得られる。

特開２００８−２１８２９６号公報 特開２００７−１７１８２８号公報

上記のように、自発光型の表示装置では、発光領域をより大きくすることが求められる場合がある。そこで、本開示では、自発光型の発光装置において、発光領域をより大きくすることが可能な、新規かつ改良された表示装置、表示装置の製造方法、電子機器および表示装置の駆動方法を提供する。

本開示によれば、基板上に形成される配線パターンと、上記配線パターン上に積層され、所定の位置に上下方向のコンタクトホールが形成される第１の絶縁膜と、上記第１の絶縁膜上に形成され、上記コンタクトホールに貫入して上記配線パターンに電気的に接続されるコンタクト部を有する下部電極と、上記下部電極上に形成される発光層と、上記発光層上に形成される上部電極と、上記発光層が上記下部電極と上記上部電極とに挟まれる発光領域を、上記コンタクト部を含む領域として規定する発光領域規定部材と、上記基板上で少なくとも上記コンタクト部に対応する領域に配置されるカラーフィルタとを含む表示装置が提供される。

また、本開示によれば、基板上に配線パターンを形成する工程と、上記配線パターン上に第１の絶縁膜を積層し、該第１の絶縁膜の所定の位置に上下方向のコンタクトホールを形成する工程と、上記第１の絶縁膜上に、上記コンタクトホールに貫入して上記配線パターンに電気的に接続されるコンタクト部を有する下部電極を形成する工程と、上記下部電極上に発光層を形成する工程と、上記発光層上に上部電極を形成する工程と、上記発光層が上記下部電極と上記上部電極に挟まれる発光領域を、上記コンタクト部を含む領域として規定する工程と、上記基板上で少なくとも上記コンタクト部に対応する領域にカラーフィルタを配置する工程とを含む、表示装置の製造方法が提供される。

また、本開示によれば、基板上に形成される配線パターンと、上記配線パターン上に積層され、所定の位置に上下方向のコンタクトホールが形成される第１の絶縁膜と、上記第１の絶縁膜上に形成され、上記コンタクトホールに貫入して上記配線パターンに電気的に接続されるコンタクト部を有する下部電極と、上記下部電極上に形成される発光層と、上記発光層上に形成される上部電極と、上記発光層が上記下部電極と上記上部電極に挟まれる発光領域を、上記コンタクト部を含む領域として規定する発光領域規定部材と、上記基板上で少なくとも上記コンタクト部に対応する領域に配置されるカラーフィルタとを有する表示装置を含む電子機器が提供される。

また、本開示によれば、基板上に形成される配線パターンと、上記配線パターン上に積層され、所定の位置に上下方向のコンタクトホールが形成される第１の絶縁膜と、上記第１の絶縁膜上に形成され、上記コンタクトホールに貫入して上記配線パターンに電気的に接続されるコンタクト部を有する下部電極と、上記下部電極上に形成される発光層と、上記発光層上に形成される上部電極と、上記発光層が上記下部電極と上記上部電極に挟まれる発光領域を、上記コンタクト部を含む領域として規定する発光領域規定部材と、上記基板上で少なくとも上記コンタクト部に対応する領域に配置されるカラーフィルタとを含む表示装置を、上記配線パターンに電気的に接続される画素駆動回路によって、上記発光層を含む発光素子が逆バイアス状態で容量性素子として機能するように駆動させる、表示装置の駆動方法が提供される。

発光領域に下部電極のコンタクト部を含めることで、コンタクト部を含めない場合に比べて発光領域を大きくすることが可能である。コンタクト部で発光層の膜厚が変化することによる発光の色度のずれは、カラーフィルタを用いてカットすることができる。

以上説明したように本開示によれば、自発光型の発光装置において、発光領域をより大きくすることができる。

コンタクト部によって発光領域が制限される例を示す断面図である。 コンタクト部によって発光領域が制限される例を示す平面図である。 本開示の第１の実施形態に係る表示装置の構成の例を示す図である。 本開示の第１の実施形態に係る表示装置に設けられる画素駆動回路の構成例を示す図である。 本開示の第１の実施形態に係る表示装置における表示領域の平面構成の例を示す図である。 図５のＩ−Ｉ断面図である。 本開示の第１の実施形態に係る表示装置の発光素子を示す平面図である。 本開示の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 本開示の第２の実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図である。 本開示の第３の実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図である。 本開示の第４の実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図である。 発光領域の第１のバリエーションを示す平面図である。 図１２ＡのＡ−Ａ断面図である。 発光領域の第２のバリエーションを示す平面図である。 図１３ＡのＢ−Ｂ断面図である。 発光領域の第３のバリエーションを示す平面図である。 図１４ＡのＣ−Ｃ断面図の第１の例である。 図１４ＡのＣ−Ｃ断面図の第２の例である。 図１４ＡのＣ−Ｃ断面図の第３の例である。 本開示の第５の実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図である。 本開示の第６の実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図である。 本開示の第５または第６の実施形態に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 発光領域の第４のバリエーションを示す平面図である。 図１８ＡのＤ−Ｄ断面図である。 発光領域の第４のバリエーションにおいて、付加絶縁膜を設けた場合を示す断面図である。 発光領域の第５のバリエーションを示す平面図である。 図２０ＡのＥ−Ｅ断面図である。 発光領域の第５のバリエーションにおいて、付加絶縁膜を設けた場合を示す断面図である。 発光領域の第６のバリエーションを示す平面図である。 図２２ＡのＦ−Ｆ断面図である。 発光領域の第６のバリエーションにおいて、付加絶縁膜を設けた場合を示す断面図である。 発光領域の第７のバリエーションを示す平面図である。 図２４ＡのＧ−Ｇ断面図である。 発光領域の第７のバリエーションにおいて、付加絶縁膜を設けた場合を示す断面図である。 発光領域の第８のバリエーションを示す平面図である。 図２６ＡのＨ−Ｈ断面図である。 発光層の第１のバリエーションを示す平面図である。 発光層の第２のバリエーションを示す平面図である。 発光層の第３のバリエーションを示す平面図である。 発光層の第４のバリエーションを示す平面図である。 発光層の第５のバリエーションを示す平面図である。 メタルマスク蒸着法で用いられる線蒸着源の例を示す図である。 メタルマスク蒸着法で用いられる点蒸着源の例を示す図である。 メタルマスク蒸着法で用いられるエリアマスクの例を示す図である。 メタルマスク蒸着法で用いられるスリットマスクの例を示す図である。 メタルマスク蒸着法で用いられるスリットマスクの例を示す図である。 メタルマスク蒸着法で用いられるスロットマスクの例を示す図である。 画素パターンの反転配置の第１の例を示す図である。 画素パターンの反転配置の第１の例を示す図である。 図３６Ａの例における発光層の配置を示す図である。 図３６Ｂの例における発光層の配置を示す図である。 画素パターンの反転配置の第２の例を示す図である。 画素パターンの反転配置の第３の例を示す図である。 画素パターンの反転配置の第３の例を示す図である。 図３９Ａの例における発光層の配置を示す図である。 図３９Ｂの例における発光層の配置を示す図である。 画素パターンの反転配置の第４の例を示す図である。 発光層の構成の例を示す図である。 発光層の構成の別の例を示す図である。 電子機器の構成を示す概略的なブロック図である。

以下に添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

なお、説明は以下の順序で行うものとする。
１．第１の実施形態
１−１．関連技術の説明
１−２．表示装置の構成
１−３．表示装置の製造方法
２．第２の実施形態
３．第３の実施形態
４．第４の実施形態
５．発光領域のバリエーション−１
６．第５の実施形態
７．第６の実施形態
８．発光領域のバリエーション−２
９．発光層のバリエーション
１０．画素パターンの配置
１１．電子機器への適用
１２．補足

（１．第１の実施形態）
（１−１．関連技術の説明）
はじめに、本開示の実施形態の理解のために、関連技術について説明する。既に述べたように、自発光型の表示装置では、さまざまな原因で発光領域の大きさが制限される。その原因の１つが、下部電極を配線パターンに接続するコンタクト部の存在である。これについて、以下で図１および図２を参照して説明する。

図１は、コンタクト部によって発光領域が制限される例を示す断面図である。図１には、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ１０が示されている。有機ＥＬディスプレイ１０は、基板１１、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）層２０、平坦化絶縁膜３０、下部電極４０、発光層５０、上部電極６０、および開口規定絶縁膜７０を有する。ＴＦＴ層２０は、ゲート電極２１、ゲート絶縁膜２２、半導体層２３、層間絶縁膜２４、および配線パターン２５を含む。有機ＥＬディスプレイ１０は、上部電極６０側から光を取り出すトップエミッション型の表示装置である。

図示された有機ＥＬディスプレイ１０において、発光領域Ｅ_０は、発光層５０が下部電極４０と上部電極６０との間に挟まれている領域である。ここで、発光領域Ｅ_０は、開口規定絶縁膜７０に形成された開口部によって規定される。発光領域Ｅ_０以外の領域では、下部電極４０と発光層５０との間に開口規定絶縁膜７０が介在しているため、発光層５０は発光しない。

ここで、下部電極４０は、コンタクト部４０ｃで配線パターン２５に電気的に接続されている。コンタクト部４０ｃは、下部電極４０が平坦化絶縁膜３０に形成されたコンタクトホール３０ｃに貫入する部分である。コンタクトホール３０ｃは、平坦化絶縁膜３０を上下方向に貫通して形成される開口部である。

図示されているように、有機ＥＬディスプレイ１０における発光領域Ｅ_０は、下部電極４０のコンタクト部４０ｃを含まないように設定される。これは、コンタクト部４０ｃを発光領域Ｅ_０として下部電極４０上に発光層５０を形成すると、形成された段差（配線パターン２５に向かって凹んでいる）のために発光層５０の膜厚が他の部分とは異なってしまうためである。発光層５０の膜厚が発光領域の中で変化すると、その部分で発光の色度がずれてしまう。特に、キャビティ設計によって発光層５０の厚さを設定している場合、色度のずれは特に大きくなる。

図２は、コンタクト部によって発光領域が制限される例を示す平面図である。上記のように、有機ＥＬディスプレイ１０では、発光領域Ｅ_０が下部電極４０のコンタクト部４０ｃを含まないように設定される。従って、図示されているように、発光領域Ｅ_０の大きさは、下部電極４０の大きさに比べて、コンタクト部４０ｃの分だけ小さくなってしまう。

以下で説明する本開示の実施形態は、上記の例のように、下部電極と配線パターンとの間のコンタクト部のために発光領域の大きさが制限されないようにし、発光領域をより大きく設定することを可能にするものである。

（１−２．表示装置の構成）
（全体構成）
図３は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の構成の例を示す図である。本実施形態に係る表示装置は、有機ＥＬディスプレイ１００である。

図３を参照すると、有機ＥＬディスプレイ１００は、基板１１１上に、赤色発光素子１１０Ｒ、緑色発光素子１１０Ｇ、および青色発光素子１１０Ｂがマトリクス状に配列された表示領域１０１を有する。一組の赤色発光素子１１０Ｒ、緑色発光素子１１０Ｇ、および青色発光素子１１０Ｂによって、画素１１０が構成される。表示領域１０１の周辺には、映像表示用のドライバとして、信号線駆動回路１０２および走査線駆動回路１０３が設けられる。

また、表示領域１０１には、赤色発光素子１１０Ｒ、緑色発光素子１１０Ｇ、および青色発光素子１１０Ｂにそれぞれ接続される画素駆動回路１０４が設けられる。この画素駆動回路１０４の構成について、以下で図４を参照してさらに説明する。

（画素駆動回路の構成）
図４は、有機ＥＬディスプレイ１００に設けられる画素駆動回路１０４の構成例を示す図である。本実施形態において、画素駆動回路１０４は、後述する発光素子の下部電極の下層に形成されるアクティブ型の駆動回路である。

図４を参照すると、画素駆動回路１０４には、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２が設けられ、駆動トランジスタＴｒ１と書き込みトランジスタＴｒ２との間にはキャパシタＣｓが接続される。赤色発光素子１１０Ｒ、緑色発光素子１１０Ｇ、または青色発光素子１１０Ｂは、第１の電源ラインＶｃｃと第２の電源ラインＧＮＤとの間で駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続される。

ここで、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタである。ＴＦＴの構造としては、例えば逆スタガ構造（ボトムゲート型）、またはスタガ構造（トップゲート型）など、各種の構造が用いられうる。

また、画素駆動回路１０４では、列方向の信号線１０２Ａと行方向の走査線１０３Ａとが、それぞれ複数配列される。信号線１０２Ａと走査線１０３Ａとの交点は、それぞれが赤色発光素子１１０Ｒ、緑色発光素子１１０Ｇ、または青色発光素子１１０Ｂのいずれかに対応する。それぞれの信号線１０２Ａは上記の信号線駆動回路１０２に接続され、信号線駆動回路１０２は信号線１０２Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号を供給する。同様に、それぞれの走査線１０３Ａは上記の走査線駆動回路１０３に接続され、走査線駆動回路１０３は走査線１０３Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号を順次供給する。

（表示領域の構成）
図５は、有機ＥＬディスプレイ１００における表示領域１０１の平面構成の例を示す図である。図５に示すように、表示領域１０１には、赤色発光素子１１０Ｒ、緑色発光素子１１０Ｇ、および青色発光素子１１０Ｂがマトリクス状に配列される。一組の赤色発光素子１１０Ｒ、緑色発光素子１１０Ｇ、および青色発光素子１１０Ｂは、画素１１０を構成する。

図６は、図５の緑色発光素子１１０Ｇ部分のＩ−Ｉ断面図である。なお、以下で説明しる構造は、赤色発光素子１１０Ｒ、および青色発光素子１１０Ｂの部分についても同様である。図６に示すように、基板１１１上には、基板１１１側から順に、ＴＦＴ層１２０、平坦化絶縁膜１３０、下部電極１４０、発光層１５０、上部電極１６０、および開口規定絶縁膜１７０が形成される。上部電極１６０上には、図示しない封止用基板が配置される。上部電極１６０と封止用基板との間には、保護層などのさらなる層が形成されてもよい。下部電極１４０、発光層１５０、および上部電極１６０によって、発光素子が構成される。なお、有機ＥＬディスプレイ１００は、発光素子の光が上部電極１６０側から取り出されるトップエミッション型の表示装置である。

基板１１１は、平坦面を有する支持体である。基板１１としては、例えば、石英、ガラス、金属箔、または樹脂製のフィルムやシートなどが用いられる。

ＴＦＴ層１２０は、ゲート電極１２１、ゲート絶縁膜１２２、半導体層１２３、層間絶縁膜１２４、および配線パターン１２５を含む。ＴＦＴ層１２０には、例えば図４に示した駆動トランジスタＴｒ１、書き込みトランジスタＴｒ２、およびキャパシタＣｓなどを含む画素駆動回路が形成される。ゲート電極１２１は、例えばＭｏによって形成されうる。また、配線パターン１２５は、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層構造によって形成されうる。

ここで、上述の通り、ＴＦＴの構造としては各種の構造を用いることが可能である。従って、図示されたボトムゲート構造のＴＦＴ層１２０は一例にすぎず、ＴＦＴ層１２０はトップゲート構造であってもよい。また、ＴＦＴ層１２０には、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）ＴＦＴ、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Low-Temperature Poly Silicon）ＴＦＴ、有機ＴＦＴ、または透明酸化物半導体（ＴＯＳ：Transparent Oxide Semiconductor）ＴＦＴなど、各種のＴＦＴを形成することが可能である。なお、例えばスマートフォンや携帯電話などのモバイル機器における高精細化のためには移動度が高いＬＴＰＳが適し、フレキシブルパネルには折り曲げに強い有機ＴＦＴが適し、大型ディスプレイには大型プロセスに対応可能なａ−ＳｉやＴＯＳが適する。

平坦化絶縁膜１３０は、ＴＦＴ層１２０の表面を平坦化するために設けられる。平坦化絶縁膜１３０には、コンタクトホール１３０ｃが形成される。コンタクトホール１３０ｃは、平坦化絶縁膜１３０を上下方向に貫通して形成される開口部であり、そこに下部電極１４０のコンタクト部１４０ｃが貫入して配線パターン１２５に電気的に接続される。そのため、平坦化絶縁膜１３０は、例えばポリイミド系の有機材料、または酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）などの無機材料のような、パターン精度がよい材料によって形成されることが望ましい。

下部電極１４０は、発光素子のアノードであり、上述のようにコンタクトホール１３０ｃに貫入するコンタクト部１４０ｃによってＴＦＴ層１２０の配線パターン１２５に電気的に接続される。下部電極１４０は、発光素子ごとに設けられ、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）／Ａｌ合金、またはＡｌ合金のような金属材料で形成される。なお、後述するように有機ＥＬディスプレイ１００はボトムエミッション型であってもよいが、その場合、下部電極１４０は、例えばＩＴＯを用いて、厚さが数十ｎｍ〜数百ｎｍの透明電極として形成される。

発光層１５０は、発光素子の色に対応する所定の波長範囲に少なくとも１つのピーク波長を有する発光材料を含んで形成され、下部電極１４０と上部電極１６０との間に電圧が印加されることによって発光する層である。発光層１５０は、例えば、アノード側から正孔注入層、正孔輸送層、発光材料層、電子輸送層、電子注入層の積層構造によって形成される。本実施形態では、発光層１５０が発光素子ごとに塗り分けられてもいる。この場合、塗り分けられるのは発光材料層だけであり、正孔注入層など他の層は表示領域１０１の全面に共通して形成されてもよい。発光層１５０は、印刷または転写によって形成されてもよく、蒸着によって形成されてもよい。

上部電極１６０は、発光素子のカソードであり、低抵抗化のために表示領域１０１の全面に共通して設けられる。つまり、上部電極１６０は、各発光素子の共通電極である。上部電極１６０は、例えば膜厚数ｎｍ〜数十ｎｍのＭｇＡｇ（薄膜化することで半透明電極になる）、または膜厚数十ｎｍ〜数百ｎｍのＩＺＯ（Indium Zinc Oxide；透明電極）などを用いて形成されうる。なお、有機ＥＬディスプレイ１００がボトムエミッション型である場合、上部電極１６０は、例えば膜厚数十ｎｍ〜数百ｎｍのＭｇＡｇなどを用いて形成されうる。

開口規定絶縁膜１７０は、下部電極１４０と上部電極１６０との間の絶縁性を確保するとともに、形成された開口部によって発光領域を規定する。開口規定絶縁膜１７０は、例えば酸化ケイ素などの無機絶縁材料によって形成されてもよい。あるいは、開口規定絶縁膜１７０は、上記の無機絶縁材料の上に、感光性ポリイミドなどの感光性樹脂を積層して形成されてもよい。

上記のような有機ＥＬディスプレイ１００において、発光領域Ｅ_１は、発光層１５０が下部電極１４０と上部電極１６０との間に挟まれている領域である。発光領域Ｅ_１は、開口規定絶縁膜１７０に形成された開口部によって規定される。発光領域Ｅ_１以外の領域では、下部電極１４０と発光層１５０との間に開口規定絶縁膜１７０が介在しているため、発光層１５０は発光しない。

図示されているように、発光領域Ｅ_１は、下部電極１４０のコンタクト部１４０ｃを含んで設定される。上述のように、コンタクト部１４０ｃを発光領域Ｅ_１に含め、コンタクト部１４０ｃで下部電極１４０上に発光層１５０を形成すると、形成された段差（配線パターン１２５に向かって凹んでいる）のために発光層１５０の膜厚が他の部分とは異なることによって、発光の色度のずれが生じる。そこで、本実施形態では、発光の色度のずれを、発光領域Ｅ_１に設けられるカラーフィルタ（図示せず）を用いてカットすることによって、コンタクト部１４０ｃを含む発光領域Ｅ_１を設定することを可能にする。

図７は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の発光素子部分を示す平面図である。上記のように、有機ＥＬディスプレイ１００では、発光領域Ｅ_１が下部電極１４０のコンタクト部１４０ｃを含んで設定される。従って、図示されているように、発光領域Ｅ_１の大きさを、下部電極１４０の大きさに近づけることが可能である。つまり、図２の例の有機ＥＬディスプレイ１０の発光領域Ｅ_０に比べて、発光領域Ｅ_１の大きさは少なくともコンタクト部１４０ｃの分だけ大きくなる。

これによって、有機ＥＬディスプレイ１００では、例えば上記の有機ＥＬディスプレイ１０に比べて、表示領域に占める発光領域の割合が増加する。従って、有機ＥＬディスプレイ１００は、有機ＥＬディスプレイ１０よりも効率的に発光することが可能である。

また、下部電極１４０は、上記のように光を透過しない金属材料で形成されるため、下部電極１４０に入射した光は全反射する。従って、発光領域Ｅ_１のコンタクト部１４０ｃにあたる部分では、発光層１５０から放出された光が下部電極１４０で反射して上部電極１６０側、すなわち光の取り出し側に向かう。つまり、発光領域Ｅ_１のコンタクト部１４０ｃにあたる部分では、側面の下部電極１４０によって、例えば特開２００８−２１８２９６号公報に記載されたような反射面の効果が得られるため、発光の横方向のロスが減少し、光の取り出し効率が向上する。

さらに、例えば、特開２００７−１７１８２８号公報、特開２０１２−０８８７２４号公報、または特開２０１２−０８８７２５号公報に記載されたように、発光素子が逆バイアス状態で容量性素子として機能するようにＴＦＴ層１２０に画素駆動回路を形成した場合、発光領域Ｅ_１のコンタクト部１４０ｃにあたる部分では、形成された段差の分だけ、面積あたりの容量が大きくなる。つまり、発光領域Ｅ_１の他の部分では発光素子によって平板キャパシタが構成されるのに対して、コンタクト部１４０ｃでは発光素子によってトレンチキャパシタが構成される。従って、発光領域Ｅ_１をコンタクト部１４０ｃを含む領域まで拡大することで、単純な面積の拡大分以上に、キャパシタとしての容量が増加する。

なお、上記のキャパシタ容量についての利点は、有機ＥＬディスプレイ１００がトップエミッション型である場合には限られない。例えば、有機ＥＬディスプレイ１００は、下部電極１４０（アノード）をＩＴＯなどの透明電極とし、発光素子の光が基板１１１側から取り出されるボトムエミッション型の表示装置であってもよい。この場合、コンタクト部１４０ｃと基板１１１との間には配線パターン１２５（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉなどのような金属材料で形成され、光を透過しない）が存在するため、発光領域Ｅ_１をコンタクト部１４０ｃを含む領域まで拡大しても、発光面積は変わらない。しかし、この場合であっても、上記のように発光素子が逆バイアス状態で容量性素子として機能するように画素駆動回路を形成するのであれば、発光領域Ｅ_１が拡大したことによるキャパシタ容量の増加の利点を享受することができる。

（１−３．表示装置の製造方法）
図８は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。図８を参照すると、本実施形態に係る表示装置である有機ＥＬディスプレイ１００の製造方法では、まず、ＴＦＴ基板工程が実行される（ステップＳ１０１）。ＴＦＴ基板工程は、基板１１１上に配線パターン１２５を含むＴＦＴ層１２０を形成する工程である。上記のように、ＴＦＴ層１２０には各種のＴＦＴ構造を適用することが可能であるため、ＴＦＴ基板工程は適用されるＴＦＴ構造によって異なる。ＴＦＴ基板工程では、それぞれのＴＦＴ構造に応じた公知の技術を適用することが可能であるためここでは詳細な説明を省略する。また、カラーフィルタを配置する工程についても、カラーフィルタは公知の技術に従って任意の位置に配置されうるため、図示を省略している。

次に、平坦化絶縁膜１３０（第１の絶縁膜層）を形成する（ステップＳ１０３）。上記のように、平坦化絶縁膜１３０にはコンタクトホール１３０ｃが形成される。図示された製造方法では、パターニングによって平坦化絶縁膜１３０にコンタクトホール１３０ｃを形成する。より具体的には、まず感光性ポリイミドなどで形成された絶縁膜をＴＦＴ層１２０上に配置し、続いてコンタクトホール１３０ｃに対応する部分に開口を有するマスクを用いて露光することで、コンタクトホール１３０ｃを形成する。

次に、下部電極１４０（アノード層）を形成する（ステップＳ１０５）。下部電極１４０は、各発光素子に対応した形状にパターニングされる。

次に、開口規定絶縁膜１７０（第２の絶縁膜層）を形成する（ステップＳ１０７）。開口規定絶縁膜１７０は、例えば、下部電極１４０上に酸化ケイ素などの無機絶縁材料を成膜した後、これに感光性樹脂を積層させてパターニングすることによって形成される。ここで、開口規定絶縁膜１７０は、下部電極１４０のコンタクト部１４０ｃを含む領域が開口になるようにパターニングされる。

次に、発光層１５０を形成する（ステップＳ１０９）。ＯＬＥＤの特徴である広色再現性（例えばＮＴＳＣ（National Television System Committee）比１００％以上）を実現するためには、画素を構成する各色の発光層（発光材料層）を、発光素子ごとに塗り分けるのがよい。本実施形態では、発光層１５０が、印刷または転写によって、赤色発光素子１１０Ｒ、緑色発光素子１１０Ｇ、および青色発光素子１１０Ｂのそれぞれについて塗り分けられる。一方、後述する本開示の他の実施形態では、発光層１５０が蒸着によって形成される。この場合、発光層１５０は、２つ以上の色の発光素子に共通して形成されたり、表示領域１０１の全面に形成されたりしてもよい（詳細は後述）。

次に、上部電極１６０（カソード層）を形成する（ステップＳ１１１）。上部電極１６０は、低抵抗化のために、表示領域１０１の全面に形成されうる。

さらに、付加的な工程として、上部電極１６０上に保護層が形成されてもよい（ステップＳ１１３）。保護層は、例えば無機アモルファス性の絶縁性材料で形成されうる。保護層も、上部電極と同様に表示領域の全面に形成されうる。

（２．第２の実施形態）
次に、図９を参照して、本開示の第２の実施形態について説明する。図９は、本開示の第２の実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図である。なお、以下で説明する点を除いて、本実施形態の構成は上記の第１の実施形態の構成と同様である。

図９に示されるように、本開示の第２の実施形態に係る表示装置である有機ＥＬディスプレイ２００では、発光層２５０が、複数の発光素子に共通して形成される。発光層２５０を共有する各発光素子では、カラーフィルタ（図示せず）が設けられ、発光層の光から各発光素子に対応する色の光を取り出す。ここで設けられるカラーフィルタは、コンタクト部１４０ｃの部分で発光層２５０の膜厚が他の部分と異なることによって生じる発光の色度のずれをカットするためにも用いられる。

このように共通形成される発光層２５０の例としては、赤色（Ｒ）および緑色（Ｇ）（黄色（Ｙ）が加えられてもよい）の発光素子に共通して形成される黄色発光層、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）（白色（Ｗ）が加えられてもよい）の発光素子に共通して形成される白色発光層などがある。白色発光層の場合、画素を構成するすべての発光素子が共通の発光層を用いることになるため、発光層２５０は表示領域１０１の全面に形成される。

例えば、発光層を共通形成することで、発光層を発光素子ごとに塗り分ける場合に比べて高い解像度を実現することが可能である。例えば、第１の実施形態のように発光層を発光素子ごとに塗り分ける場合、現在のメタルマスク蒸着技術では解像度２００ｐｐｉ程度が限界であるために、それ以上の解像度の場合には印刷または転写によって発光層を形成する。

一方、発光層を青色（Ｂ）および黄色（Ｙ）の２色の塗り分けとすれば、解像度３００ｐｐｉ程度までメタルマスク蒸着技術で製造することが可能である。また、発光層を白色（Ｗ）１色のみとして表示領域１０１の全面に形成すれば、解像度５００ｐｐｉ程度までメタルマスク蒸着技術で製造することが可能である。

なお、発光層の塗り分けやカラーフィルタの配置に関するバリエーションについては、後でさらに詳しく説明する。

（３．第３の実施形態）
次に、図１０を参照して、本開示の第３の実施形態について説明する。図１０は、本開示の第３の実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図である。なお、以下で説明する点を除いて、本実施形態の構成は上記の第１の実施形態の構成と同様である。

図１０に示されるように、本開示の第３の実施形態に係る表示装置である有機ＥＬディスプレイ３００では、第１の実施形態で設けられていた開口規定絶縁膜１７０が存在しない。つまり、有機ＥＬディスプレイ３００では、下部電極１４０の全体に対応して発光層１５０が形成され、その上に上部電極１６０が形成される。

従って、有機ＥＬディスプレイ３００では、下部電極１４０が形成された領域の全体が、発光層１５０が下部電極１４０と上部電極１６０に挟まれる発光領域Ｅ_１になる。つまり、本実施形態において、発光領域Ｅ_１を規定しているのは下部電極１４０である。

例えば、図１の例に示した有機ＥＬディスプレイ１０のように、発光領域Ｅ_０からコンタクト部４０ｃを除外する場合、コンタクト部４０ｃに対応する領域では下部電極４０と上部電極６０との間を絶縁しなければならないために、開口規定絶縁膜７０が設けられる。これに対して、有機ＥＬディスプレイ３００では、発光領域Ｅ_１がコンタクト部１４０ｃを含むために、下部電極１４０が形成される領域の全体で、下部電極１４０と上部電極１６０との間を絶縁する必要がなく、開口規定絶縁膜１７０を省略した簡単な構成とすることが可能である。

（４．第４の実施形態）
次に、図１１を参照して、本開示の第４の実施形態について説明する。図１１は、本開示の第４の実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図である。なお、以下で説明する点を除いて、本実施形態の構成は上記の第１の実施形態の構成と同様である。

図１１に示されるように、本開示の第４の実施形態に係る表示装置である有機ＥＬディスプレイ４００では、発光層２５０が、複数の発光素子に共通して形成される。発光層２５０を共有する各発光素子では、カラーフィルタ（図示せず）が設けられ、発光層の光から各発光素子に対応する色の光を取り出す。ここで設けられるカラーフィルタは、コンタクト部１４０ｃの部分で発光層２５０の膜厚が他の部分と異なることによって生じる発光の色度のずれをカットするためにも用いられる。

さらに、有機ＥＬディスプレイ４００では、開口規定絶縁膜１７０が存在しない。つまり、有機ＥＬディスプレイ４００では、下部電極１４０の全体に対応して発光層１５０が形成され、その上に上部電極１６０が形成される。従って、有機ＥＬディスプレイ４００では、下部電極１４０が形成された領域の全体が、発光層１５０が下部電極１４０と上部電極１６０に挟まれる発光領域Ｅ_１になる。つまり、本実施形態において、発光領域Ｅ_１を規定しているのは下部電極１４０である。

以上の説明からわかるように、本実施形態は、上記の第２の実施形態における発光層の共通形成と、第３の実施形態における開口規定絶縁膜の省略とを組み合わせた実施形態である。従って、効果としても、これらの実施形態のそれぞれの効果が得られる。

（５．発光領域のバリエーション−１）
次に、図１２Ａ〜図１４Ｄを参照して、本開示の第１〜第４の実施形態における発光領域のバリエーションを、第１〜第３のバリエーションとして説明する。以下で説明する発光領域のバリエーションは、発光層２５０が共通形成され開口規定絶縁膜１７０が設けられる第２の実施形態をベースに説明されているが、同様に第１の実施形態にも適用可能である。また、第２のバリエーション以外は、第３、第４の実施形態にも適用可能である。

なお、以下の説明の図では、有機ＥＬディスプレイの構成を単純化し、配線パターン１２５、平坦化絶縁膜１３０、下部電極１４０、発光層２５０、上部電極１６０、および開口規定絶縁膜１７０のみを図示している。

図１２Ａは、発光領域の第１のバリエーションを示す平面図である。図１２Ｂは、図１２ＡのＡ−Ａ断面図である。この例では、１つの発光素子について、発光領域Ｅ_２が一体的に形成される。平坦化絶縁膜１３０にはコンタクトホール１３０ｃが１つ形成され、下部電極１４０はこのコンタクトホール１３０ｃに貫入するコンタクト部１４０ｃを１つ有する。コンタクト部１４０ｃは、図示されているように発光領域Ｅ_２の中央付近に位置してもよいし、図７に示したように発光領域の周辺部分に位置してもよい。

図１３Ａは、発光領域の第２のバリエーションを示す平面図である。図１３Ｂは、図１３ＡのＢ−Ｂ断面図である。この例では、１つの発光素子について、複数に分離した発光領域Ｅ_３が形成される。発光領域Ｅ_３は、例えば、特開２００８−２１８２９６号公報に記載されたような技術を利用して、開口規定絶縁膜１７０の開口部の側面に形成された下部電極１４０による全反射の効果を最大化するように設計された領域でありうる。

上記の技術において、全反射の効果を最大化するためには、発光領域となる開口部がある程度以下の大きさであることが望ましい。一例として、開口部の大きさ、すなわち各発光領域の断面積は、５μｍ程度であることが望ましい。また、開口部の側面は回転放物面であることが望ましいため、各発光領域の断面形状は円形になる。従って、発光領域Ｅ_３は、所定の断面積以下の円形の発光領域の集合になる。

ここでも、発光面積は大きい方がよいため、発光領域Ｅ_３を構成する各発光領域は、例えば発光素子に対応する所定の領域Ｒに可能な限り高い密度で充填されることが望ましい。本開示の実施形態では、下部電極１４０のコンタクト部１４０ｃに対応する領域も発光領域Ｅ_３に含めることが可能であるため、任意の充填パターンで各発光領域を配置でき、反射面による効果を得るとともに、表示領域に占める発光領域の割合を増加させることができる。

図１４Ａは、発光領域の第３のバリエーションを示す平面図である。図１４Ｂは、図１４ＡのＣ−Ｃ断面図の第１の例である。この例では、１つの発光素子について、発光領域Ｅ_４が一体的に形成される。第１のバリエーションとの違いとして、平坦化絶縁膜１３０にはコンタクトホール１３０ｃが複数（図示された例では６つ）形成され、下部電極１４０はこれらのコンタクトホール１３０ｃに貫入するコンタクト部１４０ｃを同じ数だけ（図示された例では６つ）有する。なお、コンタクト部１４０ｃの位置は、図示された例に限らず任意に設定されうる。

この例では、それぞれのコンタクト部１４０ｃにおいて、下部電極１４０によって形成された側面での反射効果を得ることを目的としている。つまり、特開２００８−２１８２９６号公報でいうところの凹面鏡部にあたる部分が、コンタクト部１４０ｃの側面の下部電極１４０によって形成される。そのために、発光領域Ｅ_４の中には、断面形状が円形のコンタクト部１４０ｃが複数配置される。なお、発光領域Ｅ_４の断面形状は、図示された矩形には限られず、例えば円形のコンタクト部１４０ｃを充填配置しやすい六角形などであってもよい。

図１４Ｃは、図１４ＡのＣ−Ｃ断面図の第２の例である。第１の例との違いとして、各コンタクト部１４０ｃが接続される配線パターン１２５が、コンタクト部１４０ｃごとに複数の部分に分離している。これらの配線パターン１２５は、そのいずれもがＴＦＴ層１２０の画素駆動回路に接続されていてもよいし、画素駆動回路には接続されないものが含まれていてもよい。画素駆動回路に接続されない配線パターンを、以下ではダミー配線パターン１２５ｄと称する。なお、ダミー配線パターン１２５ｄが導電性の素材で形成される場合、ダミー配線パターン１２５ｄは下部電極１４０に接続しているため、配線パターン１２５と下部電極１４０とダミー配線パターン１２５ｄとは等電位になる。ダミー配線パターン１２５ｄは、例えば配線パターン１２５と同様にＴｉ／Ａｌ／Ｔｉなどのような金属材料で形成されうる。

一方、ダミー配線パターン１２５ｄに接続される下部電極１４０の部分は、コンタクト部１４０ｃと同様の形状は有しているものの、画素駆動回路に電気的に接続されないため機能が異なる。このような部分を、以下ではダミーコンタクト部１４０ｄと称する。画素駆動回路との電気的な接続については、下部電極１４０は、コンタクト部１４０ｃを１つ有すれば十分である。従って、反射効果を得るために設けられる他の部分は、ダミーコンタクト部１４０ｄとすることが可能である。

ダミーコンタクト部１４０ｄが設けられる場合、平坦化絶縁膜１３０には、コンタクト部１４０ｃの数よりも多くのコンタクトホール１３０ｃが形成される。コンタクトホール１３０ｃの一部にはコンタクト部１４０ｃが貫入し、残りにはダミーコンタクト部１４０ｄが貫入する。

図１４Ｄは、図１４ＡのＣ−Ｃ断面図の第３の例である。ここでは、ダミーコンタクト部１４０ｄに対応する部分にはダミー配線パターン１２５ｄが設けられない。ダミーコンタクト部１４０ｄは画素駆動回路に電気的に接続されないため、ダミーコンタクト部１４０ｄに対応するダミー配線パターン１２５ｄは、必ずしも設けられなくてもよい。ただし、平坦化絶縁膜１３０にダミー配線パターン１２５ｄが設けられる方が、パターニングによるコンタクトホール１３０ｃの加工は容易である。

（６．第５の実施形態）
次に、図１５を参照して、本開示の第５の実施形態について説明する。図１５は、本開示の第５の実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図である。なお、以下で説明する点を除いて、本実施形態の構成は上記の第１の実施形態の構成と同様である。

図１５に示されるように、本開示の第５の実施形態に係る表示装置である有機ＥＬディスプレイ５００では、下部電極５４０が開口規定絶縁膜１７０の開口部の側面に沿って立ち上がり、開口規定絶縁膜１７０の上面に達している。図示された例では、第１の実施形態における下部電極１４０と同様の形状であり、ＴＦＴ層１２０の配線パターン１２５に電気的に接続されるコンタクト部５４０ｃを有する第１の下部電極５４０ａと、第１の下部電極５４０ａに電気的に接続されて開口規定絶縁膜１７０の側面に沿って立ち上がる第２の下部電極５４０ｂとが設けられている。

この場合、第１の下部電極５４０ａは、配線パターン１２５と第２の下部電極５４０ｂとを電気的に接続する機能を有するため、配線パターン１２５と同じ、例えばＡｌ，Ｍｏ，Ｃｕなどの各種金属によって形成されうる。一方、第２の下部電極５４０ｂは、発光層１５０に面するため、反射率が高い金属材料で形成されることが望ましい。第２の下部電極５４０ｂは、例えばＡｇ，Ａｌ合金、Ａｇ合金などによって形成されることが望ましい。

本実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ５００では、例えば特開２００７−１７１８２８号公報、特開２０１２−０８８７２４号公報、または特開２０１２−０８８７２５号公報に記載されたように、発光素子が逆バイアス状態で容量性素子として機能するようにＴＦＴ層１２０に画素駆動回路を形成した場合、発光層１５０が下部電極５４０と上部電極１６０との間に挟まれている面積が増加することで、容量性素子の容量が増加する。また、開口規定絶縁膜１７０の開口部の側面ではトレンチキャパシタが構成されるため、単純な面積の拡大分以上に、キャパシタとしての容量が増加する。発光素子が容量性素子として機能する場合の容量が増加すると、例えば、ＤＯＣ回路（ドロップアウト補償回路）の駆動マージンを上げることができる。

かかるキャパシタ容量についての利点は、有機ＥＬディスプレイ５００がトップエミッション型である場合には限られない。例えば、有機ＥＬディスプレイ５００は、下部電極５４０（アノード）をＩＴＯなどの透明電極とし、発光素子の光が基板１１１側から取り出されるボトムエミッション型の表示装置であってもよい。

また、有機ＥＬディスプレイ５００では、発光層１５０が下部電極５４０と上部電極１６０との間に挟まれている面積が増加することで、発光素子における発光開口率も増加する。発光開口率が増加すると、例えば、発光素子における電流密度が下がるため、長寿命化や焼き付きの改善が期待される。

なお、本実施形態において、開口規定絶縁膜１７０に形成された開口部によって規定される発光領域に、下部電極５４０のコンタクト部５４０を含めるか否かは任意である。図１５に示された例のように、発光領域は必ずしもコンタクト部５４０ｃを含んでいなくてもよい。

（７．第６の実施形態）
次に、図１６および図１７を参照して、本開示の第６の実施形態について説明する。図１６は、本開示の第６の実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図である。なお、以下で説明する点を除いて、本実施形態の構成は上記の第５の実施形態の構成と同様である。

図１６に示されるように、本開示の第６の実施形態に係る表示装置である有機ＥＬディスプレイ６００では、開口規定絶縁膜１７０上に付加絶縁膜６８０が設けられる。付加絶縁膜６８０は、開口規定絶縁膜１７０上の下部電極５４０（図示された例では第２の下部電極５４０）を覆うように設けられ、開口規定絶縁膜１７０の開口を含むように開口が形成される。ただし、付加絶縁膜６８０の開口は、開口規定絶縁膜１７０上にある下部電極５４０の端部を含まない。つまり、付加絶縁膜６８０は、少なくとも開口規定絶縁膜１７０の開口に対応する領域を開口として確保するとともに、開口規定絶縁膜１７０上にある下部電極５４０の端部を覆う。

下部電極５４０は、上記の第１の実施形態における下部電極１４０と同様にパターニングによって形成されうるが、この場合端部が不規則な形状になることが多い。例えば下部電極５４０の端部に鋭利な突起が形成された状態でその上に発光層１５０を形成し、さらにその上に上部電極１６０を形成すると、突起が発光層１５０を貫通して上部電極１６０に接触し、ショートが発生してしまう可能性がある。それゆえ、本実施形態では、下部電極５４０の端部を覆うように付加絶縁膜６８０を形成し、発光層１５０および上部電極１６０を下部電極５４０の端部から分離することによって、ショートの発生を防止する。

図１７は、本開示の第５または第６の実施形態に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。なお、図８に示した製造方法と同様の工程については、同じ符号を付することによって詳細な説明を省略する。図１７を参照すると、有機ＥＬディスプレイの製造方法では、まず、ＴＦＴ基板工程が実行される（ステップＳ１０１）。次に、平坦化絶縁膜１３０（第１の絶縁膜層）を形成する（ステップＳ１０３）。平坦化絶縁膜１３０には、パターニングによってコンタクトホール１３０ｃが形成される。

次に、第１の下部電極５４０ａ（第１のアノード層）を形成する（ステップＳ２０１）。第１の下部電極５４０ａは、各発光素子に対応した形状にパターニングされうる。なお、後述するように、開口規定絶縁膜１７０の開口の領域が下部電極５４０のコンタクト部分５４０ｃを含む場合、下部電極５４０は一体的に形成されうる。この場合、ステップＳ２０１の形成工程が省略される。

次に、開口規定絶縁膜１７０（第２の絶縁膜層）を形成する（ステップＳ２０３）。開口規定絶縁膜１７０は、例えば、下部電極１４０上に酸化ケイ素などの無機絶縁材料を成膜した後、これに感光性樹脂を積層させてパターニングすることによって形成される。ここで、開口規定絶縁膜１７０のパターニングにあたり、下部電極５４０のコンタクト部５４０ｃを含む領域を開口としてパターニングするか、コンタクト部５４０ｃを含まない領域を開口としてパターニングするかは任意である。

次に、第２の下部電極５４０ｂ（第２のアノード層）を形成する（ステップＳ２０５）。第２の下部電極５４０ｂは、各発光素子に対応した形状にパターニングされうる。上記のように、開口規定絶縁膜１７０の開口の領域がコンタクト部分５４０ｃを含む場合、下部電極５４０はこのステップＳ２０５の形成工程において一体的に形成されうる。

次に、第６の実施形態では、付加絶縁膜６８０（第３の絶縁膜層）を形成する（ステップＳ２０７）。付加絶縁膜６８０は、例えば開口規定絶縁膜１７０と同様の材料によって形成されうる。例えば、付加絶縁膜６８０は、開口規定絶縁膜１７０および下部電極５４０の上に酸化ケイ素などの無機絶縁材料を成膜した後、これに感光性樹脂を積層させてパターニングすることによって形成される。ここで、付加絶縁膜６８０は、開口規定絶縁膜１７０に設けられた開口部を含む領域が開口になるようにパターニングされる。なお、第５の実施形態では、このステップＳ２０７の形成工程は省略される。

次に、発光層１５０を形成し（ステップＳ１０９）、さらに上部電極１６０（カソード層）を形成する（ステップＳ１１１）。さらに、付加的な工程として、上部電極１６０上に保護層が形成されてもよい（ステップＳ１１３）。

（８．発光領域のバリエーション−２）
次に、図１８Ａ〜図２６Ｂを参照して、本開示の第５および第６の実施形態における発光領域のバリエーションを、第４〜第８のバリエーションとして説明する。以下で説明する発光領域のバリエーションは、上記の第５の実施形態において、発光層２５０が共通形成される変形例をベースに説明されているが、同様に変形例でない第５の実施形態および第６の実施形態にも適用可能である。

なお、以下の説明の図では、有機ＥＬディスプレイの構成を単純化し、配線パターン１２５、平坦化絶縁膜１３０、下部電極５４０、発光層２５０、上部電極１６０、開口規定絶縁膜１７０、および付加絶縁膜６８０のみを図示している。

図１８Ａは、発光領域の第４のバリエーションを示す平面図である。図１８Ｂは、図１８ＡのＤ−Ｄ断面図である。図示された例の構成は、上記で図１５を参照して説明した第５の実施形態と同様の構成であり、発光領域Ｅ_５が第１の下部電極５４０ａのコンタクト部５４０ｃを含まずに形成される。

図１９は、発光領域の第４のバリエーションにおいて、付加絶縁膜を設けた場合を示す断面図である。図示された例の構成は、上記で図１６を参照して説明した第６の実施形態と同様の構成であり、発光領域Ｅ_５が第１の下部電極５４０ａのコンタクト部５４０ｃを含まずに形成される。また、第２の下部電極５４０ｂの端部と発光層１５０との間に付加絶縁膜６８０が形成される。

図２０Ａは、発光領域の第５のバリエーションを示す平面図である。図２０Ｂは、図２０ＡのＥ−Ｅ断面図である。この例では、１つの発光素子について、発光領域Ｅ_６が一体的に形成される。平坦化絶縁膜１３０にはコンタクトホール１３０ｃが１つ形成され、第１の下部電極５４０ａはこのコンタクトホール１３０ｃに貫入するコンタクト部５４０ｃを１つ有する。コンタクト部５４０ｃは、発光領域Ｅ_６に含まれる。コンタクト部５４０ｃは、図示されているように発光領域Ｅ_６の中央付近に位置してもよいし、あるいは発光領域Ｅ_６の周辺部分に位置してもよい。

図２１は、発光領域の第５のバリエーションにおいて、付加絶縁膜を設けた場合を示す断面図である。図示された例の構成では、第１の下部電極５４０ａのコンタクト部５４０ｃが発光領域Ｅ_６に含まれるとともに、第２の下部電極５４０ｂの端部と発光層１５０との間に付加絶縁膜６８０が形成される。

図２２Ａは、発光領域の第６のバリエーションを示す平面図である。図２２Ｂは、図２２ＡのＦ−Ｆ断面図である。この例では、１つの発光素子について、複数の分離したキャビティ部分を含む発光領域Ｅ_７が形成される。発光領域Ｅ_７は、例えば、特開２００８−２１８２９６号公報に記載されたような技術を利用して、開口規定絶縁膜１７０の開口部の側面に形成された第２の下部電極５４０ｂによる全反射の効果を最大化するように設計された領域でありうる。上記の第２のバリエーションとの違いとして、第２の下部電極５４０ｂが開口規定絶縁膜１７０上にも形成されるため、各キャビティ部分が分離した発光領域になるのではなく、一体的な発光領域が形成される。

上記の技術において、全反射の効果を最大化するためには、発光領域となる開口部がある程度以下の大きさであることが望ましい。一例として、開口部の大きさ、すなわち各キャビティ部分の断面積は、５μｍ程度であることが望ましい。また、開口部の側面は回転放物面であることが望ましいため、各キャビティ部分の断面形状は円形になる。従って、発光領域Ｅ_７は、所定の断面積以下の円形の発光領域の集合になる。

ここでも、発光面積は大きい方がよいため、発光領域Ｅ_７に含まれる各キャビティ部分は、例えば発光領域Ｅ_７に可能な限り高い密度で充填されることが望ましい。本開示の実施形態では、下部電極５４０のコンタクト部５４０ｃに対応する領域も発光領域Ｅ_７に含めることが可能であるため、任意の充填パターンで各キャビティ部分を配置でき、反射面による効果を最大化させることができる。

図２３は、発光領域の第６のバリエーションにおいて、付加絶縁膜を設けた場合を示す断面図である。図示された例の構成では、複数の分離したキャビティ部分を含む発光領域Ｅ_７が形成されるとともに、第２の下部電極５４０ｂの端部と発光層１５０との間に付加絶縁膜６８０が形成される。

図２４Ａは、発光領域の第７のバリエーションを示す平面図である。図２４Ｂは、図２４ＡのＧ−Ｇ断面図である。この例でも、１つの発光素子について、複数の分離したキャビティ部分を含む発光領域Ｅ_８が形成される。上記の第６のバリエーションとの違いとして、下部電極５４０が一体的に形成される。このように、発光領域に下部電極５４０のコンタクト部５４０ｃが含まれる場合には、下部電極５４０を一体的に形成することができる。

図２５は、発光領域の第７のバリエーションにおいて、付加絶縁膜を設けた場合を示す断面図である。図示された例の構成では、複数の分離したキャビティ部分を含む発光領域Ｅ_８が形成され、また下部電極５４０が一体的に形成される。さらに、第２の下部電極５４０ｂの端部と発光層１５０との間に付加絶縁膜６８０が形成される。

ここで、下部電極５４０を一体的に形成する場合とそうでない場合との違いについて説明する。例えば、図２２Ａおよび図２２Ｂに示した例のように下部電極５４０を第１の下部電極５４０ａと第２の下部電極５４０ｂとに分けて形成する場合、開口規定絶縁膜１７０よりも先に第１の下部電極５４０ａが形成されている。従って、開口規定絶縁膜１７０をパターニングしてキャビティ部分を形成するときには、第１の下部電極５４０ａをエッチングストッパーとして利用することができ、オーバーエッチングも許容される。

一方、図２４Ａおよび図２４Ｂに示した例のように下部電極５４０を一体的に形成する場合、下部電極５４０を形成する工程が１回で済む。しかしながら、開口規定絶縁膜１７０が形成される時点ではまだ下部電極５４０が形成されていない。従って、開口規定絶縁膜１７０をパターニングしてキャビティ部分を形成するときには、エッチングストッパーを利用することなく、所定の深さでエッチングを止める必要があり、オーバーエッチングは許容されない。

図２６Ａは、発光領域の第８のバリエーションを示す平面図である。図２６Ｂは、図２６ＡのＨ−Ｈ断面図である。この例では、１つの発光素子について、発光領域Ｅ_９が一体的に形成される。第５のバリエーションとの違いとして、平坦化絶縁膜１３０にはコンタクトホール１３０ｃが複数（図示された例では６つ）形成され、下部電極５４０はこれらのコンタクトホール１３０ｃに貫入するコンタクト部５４０ｃを同じ数だけ（図示された例では６つ）有する。なお、コンタクト部５４０ｃの位置は、図示された例に限らず任意に設定されうる。

この例では、それぞれのコンタクト部５４０ｃにおいて、下部電極５４０によって形成された側面での反射効果を得ることを目的としている。つまり、特開２００８−２１８２９６号公報でいうところの凹面鏡部にあたる部分が、コンタクト部５４０ｃの側面の下部電極５４０によって形成される。そのために、発光領域Ｅ_９の中には、断面形状が円形のコンタクト部５４０ｃが複数配置される。なお、発光領域Ｅ_９の断面形状は、図示された矩形には限られず、例えば円形のコンタクト部５４０ｃを充填配置しやすい六角形などであってもよい。

（９．発光層のバリエーション）
次に、図２７〜図３１を参照して、本開示の実施形態における発光層のバリエーションについて説明する。上述のように、本開示の実施形態は、発光層が発光素子間で塗り分けられる場合（例えば第１および第３の実施形態）と、発光層が発光素子間で共通形成される場合（例えば第２および第４の実施形態）とを含む。これらの実施形態を単独で、または組み合わせて実現することによって、任意のパターンの発光層の配置を実現することが可能である。

なお、以下の説明の図では、カラーフィルタの配置が“ＣＦ”として、発光層の配置（塗り分け）が“ＯＬＥＤ”として、発光領域（開口部）の配置が“ＷＩＮ”として、それぞれ示されている。これらの配置の重ね合わせによって、“Ｐｉｘｅｌ”として示す各種の画素配置が実現される。また、以下の説明の図では、例えば黄色の発光層を発光層Ｙ、青色の発光素子を発光素子Ｂ、といったように、色を示す文字によって各色の発光層を区別して示す場合がある。

図２７は、発光層の第１のバリエーションを示す平面図である。この例では、発光層が黄色（Ｙ）および青色（Ｂ）の２色塗り分けで形成される。カラーフィルタは、発光層Ｙに赤色（Ｒ）、黄色（Ｙ）および緑色（Ｇ）が、発光層Ｂに青色（Ｂ）が配置される。これによって、Ｒ，Ｙ，Ｇ，Ｂの４色の発光素子からなる画素配置が実現される。

なお、この場合、発光素子Ｙ，Ｂでは、発光する色と発光層の色とが同じであるために、必ずしもカラーフィルタは設けられなくてもよい。しかしながら、上述の通り、発光素子においてコンタクト部１４０ｃを含む発光領域を設定する場合、コンタクト部１４０ｃの部分で発光層２５０の膜厚が他の部分と異なることによって生じる発光の色度のずれをカットするためにカラーフィルタが用いられる。従って、コンタクト部１４０ｃを発光領域に含めるのであれば、発光素子Ｙ，Ｂでもカラーフィルタが設けられる。

図２８は、発光層の第２のバリエーションを示す平面図である。この例では、上記の第１のバリエーションと同じく、発光層が黄色（Ｙ）および青色（Ｂ）の２色塗り分けで形成される。一方、カラーフィルタは、発光層Ｙに赤色（Ｒ）および緑色（Ｇ）が、発光層Ｂに青色（Ｂ）が配置される。これによって、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色の発光素子からなる画素配置が実現される。この場合も、コンタクト部１４０ｃを発光領域に含めるのであれば、発光素子Ｂでもカラーフィルタが設けられる。

図２９は、発光層の第３のバリエーションを示す平面図である。この例では、発光層が白色（Ｗ）の１色のみで形成される。従って、発光層は、表示領域１０１の全面に形成されうる。カラーフィルタは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）および白色（Ｗ）が配置される。これによって、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗの４色の発光素子からなる画素配置が実現される。

なお、この場合、発光素子Ｗでは、発光する色と発光層の色とが同じであるために、必ずしもカラーフィルタは設けられなくてもよい。しかしながら、上記の他のバリエーションと同様に、コンタクト部１４０ｃを発光領域に含めるのであれば、発光素子Ｗでもカラーフィルタが設けられる。発光素子Ｗのカラーフィルタは、例えば薄い青色のカラーフィルタであり、発光を所望の白色度にするためのものでありうる。

図３０は、発光層の第４のバリエーションを示す平面図である。この例では、上記の第３のバリエーションと同じく、発光層が白色（Ｗ）の１色のみで形成される。一方、カラーフィルタは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）が配置される。これによって、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色の発光素子からなる画素配置が実現される。この場合、各発光素子をそれぞれの色で発光させるためにはカラーフィルタＲ，Ｇ，Ｂがいずれも設けられるため、いずれの発光素子でもコンタクト部１４０ｃを発光領域に含めることが可能である。

図３１は、発光層の第５のバリエーションを示す平面図である。この例では、発光層が、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の３色に塗り分けられる。従って、発光素子Ｒ，Ｇ，Ｂのそれぞれについて、発光する色と発光層の色とが同じであるために、必ずしもカラーフィルタは設けられなくてもよい。しかしながら、上記の他のバリエーションと同様に、コンタクト部１４０ｃを発光領域に含めるのであれば、それぞれの発光素子でカラーフィルタが設けられる。

（１０．画素パターンの配置）
次に、図３２Ａ〜図４２を参照して、本開示の実施形態における付加的な構成としても採用することが可能な、画素パターンの配置について説明する。

まず、図３２Ａ〜図３５を参照して、メタルマスク蒸着による発光層の形成方法について説明する。上述のように、有機ＥＬディスプレイにおいて発光層を形成するための方法としては、メタルマスク蒸着、レーザーなどを用いた転写、およびインクジェットなどを用いた印刷などがある。これらのうち、量産化の観点から有利なのがメタルマスク蒸着法である。

図３２Ａおよび図３２Ｂは、メタルマスク蒸着法で用いられる蒸着源の形状の例を示す図である。図３２Ａに示されるのは、線蒸着源１９１である。線蒸着源１９１は、基板１１１の幅と同程度の長さを有し、線蒸着源１９１の上方を通過する基板１１１に向けて、基板１１１の幅方向の線状の領域で材料を蒸発させる。線状の領域に一括して材料を付着させることができ、基板１１１が線蒸着源１９１の上方を通過すれば蒸着が完了するため、工程の高速化が可能である。

図３２Ｂに示されるのは、点蒸着源１９２である。点蒸着源１９２は、任意の大きさを有し、点蒸着源１９２の上方で面内方向に回転する基板１１１に向けて材料を蒸発させる。材料を蒸発させる領域が線蒸着源１９１に比べて小さいため、基板１１１上に均一に材料が付着するように蒸発量を制御することが容易である。

図３３は、メタルマスク蒸着法で用いられるエリアマスクの例を示す図である。エリアマスクは、所定の領域の全体が開口したマスクであり、例えば発光層の第３、第４のバリエーションにおいて表示領域１０１の全体に形成される白色（Ｗ）発光層の蒸着などに用いられる。

図３４Ａおよび図３４Ｂは、メタルマスク蒸着法で用いられるスリットマスクの例を示す図である。スリットマスクは、所定の領域の中のスリット状の部分が開口したマスクであり、例えば発光層の第１、第２のバリエーションにおいて帯状に配列される黄色（Ｙ）発光層の蒸着などに用いられる。

図３５は、メタルマスク蒸着法で用いられるスロットマスクの例を示す図である。スロットマスクは、所定の領域の中に任意のパターンで配置されたスロットが開口したマスクであり、例えば発光層の第５のバリエーションにおいて分散して配置される赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）発光層のそれぞれの蒸着などに用いられる。

例えば、上記のスリットマスクやスロットマスクを用いた蒸着によって複数の発光層を塗り分けて形成する場合、発光層の形成位置にはある程度の誤差が生じる。例えば発光層の第５のバリエーションのように発光素子ごとに発光層を塗り分ける場合、発光層はスロットマスクを用いた蒸着によって形成されるが、発光層の境界が多いため上記の誤差の影響がより大きくなる。一方、例えば発光層の第１、第２のバリエーションのように発光層をある方向に帯状に塗り分ける場合、発光層はスリットマスクを用いた蒸着によって形成されるが、発光層の境界は少なくなるため誤差の影響は比較的小さい。

図３６Ａおよび図３６Ｂは、画素パターンの反転配置の第１の例を示す図である。この例では、図２７を参照して説明した発光層の第１のバリエーションと同様に、黄色（Ｙ）および青色（Ｂ）の２色塗り分けで発光層が形成され、発光層Ｙに赤色（Ｒ）、黄色（Ｙ）および緑色（Ｇ）、発光層Ｂに青色（Ｂ）のカラーフィルタが配置される。

図３６Ａは、Ｒ，Ｙ，Ｇ，Ｂの４色の発光素子によって構成される画素配置のパターンが、発光層Ｙと発光層Ｂとが交互に配列される方向（図中のｙ軸方向）に配列された状態を示す。この例において、パターンＰ１１，Ｐ１２，Ｐ１３は、反転していない。一方、図３６Ｂは、図３６Ａに示された画素配置のパターンを１つおきに反転させた状態を示す。図示された例では、図３６ＡではＰ１２として示されたパターンがｙ軸方向について反転して、Ｐ１２Ｒになっている。

図３７Ａおよび図３７Ｂは、それぞれ、図３６Ａおよび図３６Ｂの例における発光層の配置を示す図である。図示された例では、発光素子Ｒ，Ｙ，Ｇに対応する領域に黄色（Ｙ）発光層が、発光素子Ｂに対応する領域に青色（Ｂ）発光層が、それぞれ形成されている。これらの発光層は、例えば、発光層Ｂを表示領域の全面にエリアマスクを用いて蒸着し、発光層Ｙを所定の領域にスリットマスクを用いて蒸着することによって形成される。なお、発光層Ｙは、転写または印刷によって形成されてもよい。

このとき、塗り分けの境界部分では、蒸着の誤差を考慮して、発光素子の発光領域との間にマージンが設けられる。図３７Ａに示された、画素配置のパターンが反転されない例では、発光層Ｙと発光層Ｂとの境界部分で、発光層Ｙ側ではマージンｙ（ｍ１）が、発光層Ｂ側ではマージンｙ（ｍ２）が設けられる。この結果、ｙ軸方向について、発光層Ｙの発光領域ｙ（ｒｇｙ）と、発光層Ｂの発光領域ｙ（ｂ）とは、画素全体のサイズｙ（ｐｉｘ）に対して、下記の式１を満たすように設定される。

一方、図３７Ｂに示された、画素配置のパターンが反転される例では、発光層Ｙと発光層Ｂとの境界部分でマージンｙ（ｍ１），ｙ（ｍ２）が設けられることは反転されない例と同じである。しかし、反転したパターンとそうではないパターンとの境界部分、すなわちパターンＰ１１とパターンＰ１２Ｒとの境界部分、およびパターンＰ１２ＲとＰ１３との境界部分では、発光層Ｂ、または発光層Ｙが続いており、蒸着の誤差を考慮しなくてよいために、マージンｙ（ｍ１），ｙ（ｍ２）を設けなくてよい。この場合の隣接する発光領域同士の間隔を、ｙ（ｍ３）とする。ここで、ｙ（ｍ３）＜ｙ（ｍ１）＋ｙ（ｍ２）である。この結果、ｙ軸方向について、発光層Ｙの発光領域ｙ（ｒｇｙ）と、発光層Ｂの発光領域ｙ（ｂ）とは、画素全体のサイズｙ（ｐｉｘ）に対して、下記の式２を満たすように設定される。

上記のようにｙ（ｍ３）＜ｙ（ｍ１）＋ｙ（ｍ２）であるために、この場合、発光領域ｙ（ｒｇｙ）および発光領域ｙ（ｂ）として使える領域が（ｙ（ｍ１）＋ｙ（ｍ２））−ｙ（ｍ３）だけ大きくなる。従って、図３６Ａおよび図３７Ａに示されたようにパターンを反転させずに配置する場合よりも、図３６Ｂおよび図３７Ｂに示されたようにパターンを１つおきに反転させて配置する場合の方が、開口率、つまり表示領域における発光領域の割合は大きくなる。

図３８は、画素パターンの反転配置の第２の例を示す図である。この例は、図３６Ａ〜図３７Ｂを参照して説明した第１の例で、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）との位置を逆にし、さらに、反転したパターンＰ１２Ｒでは、パターンをｘ軸方向についても反転させたものである。

図３９Ａおよび図３９Ｂは、画素パターンの反転配置の第３の例を示す図である。この例では、図２８を参照して説明した発光層の第２のバリエーションと同様に、黄色（Ｙ）および青色（Ｂ）の２色塗り分けで発光層が形成され、発光層Ｙに赤色（Ｒ）および緑色（Ｇ）、発光層Ｂに青色（Ｂ）のカラーフィルタが配置される。

図３９Ａは、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色によって構成される画素配置のパターンが、発光層Ｙと発光層Ｂとが交互に配列される方向（図中のｙ軸方向）に配列された状態を示す。この例において、パターンＰ２１，Ｐ２２，Ｐ２３は、反転していない。一方、図３９Ｂは、図３９Ａに示された画素配置のパターンを１つおきに反転させた状態を示す。図示された例では、図３９ＡではＰ２２として示されたパターンがｙ軸方向について反転して、Ｐ２２Ｒになっている。

図４０Ａおよび図４０Ｂは、それぞれ、図３９Ａおよび図３９Ｂの例における発光層の配置を示す図である。図示された例では、発光素子Ｒ，Ｇに対応する領域に黄色（Ｙ）発光層が、発光素子Ｂに対応する領域に青色（Ｂ）発光層が、それぞれ形成されている。これらの発光層は、例えば、発光層Ｂを表示領域の全面にエリアマスクを用いて蒸着し、発光層Ｙを所定の領域にスリットマスクを用いて蒸着することによって形成されうる。発光層Ｂをエリアマスクによる蒸着とすることで、マスクの精度を求められるのが発光層Ｙだけになる。これによって、例えば発光層Ｂと発光層Ｙとをいずれもスロットマスクまたはスリットマスクを用いた蒸着で塗り分ける場合に比べて製造のプロセスが単純になり、生産性が向上する。なお、発光層Ｙは、転写または印刷によって形成されてもよい。

図４０Ａおよび図４０Ｂの例における発光層の構成は、上記で図３７Ａおよび図３７Ｂを参照して説明した例と同様であるため、詳細な説明は省略する。結果としては、図３９Ａおよび図４０Ａに示されたようにパターンを反転させずに配置する場合よりも、図３９Ｂおよび図４０Ｂに示されたようにパターンを１つおきに反転させて配置する場合の方が、開口率、つまり表示領域における発光領域の割合は大きくなる。

図４１は、画素パターンの反転配置の第４の例を示す図である。この例は、図３９Ａ〜図４０Ｂを参照して説明した第１の例で、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）との位置を逆にし、さらに、反転したパターンＰ２２Ｒでは、パターンをｘ軸方向についても反転させたものである。

図４２は、上記のような画素パターンにおいて用いられうる発光層の構成の例を示す図である。図４２には、有機ＥＬディスプレイ１００の構成要素のうち、下部電極１４０、正孔注入層・正孔輸送層１５１、黄色発光層１５２ｙ、青色発光層１５２ｂ、電子輸送層・電子注入層１５３、および上部電極１６０が模式的に示されている。正孔注入層・正孔輸送層１５１、黄色発光層１５２ｙ、青色発光層１５２ｂ、電子輸送層・電子注入層１５３は、上記の説明における発光層１５０に対応する。このうち、黄色発光層１５２ｙは領域ごとに塗り分けられ、それ以外の層（正孔注入層・正孔輸送層１５１、青色発光層１５２ｂ、電子輸送層・電子注入層１５３）は表示領域の全面に形成される。なお、このうち正孔注入層・正孔輸送層１５１は塗り分けられてもよい。黄色発光層１５２ｙと青色発光層１５２ｂとが重なっている部分では、青色発光層１５２ｂが電子輸送層として機能する（つまり、それ自体は発光しない）ため、青色発光層１５２ｂが重なっていても、黄色発光層１５２ｙによる黄色の発光が得られる。上記のように、黄色発光層１５２ｙによる黄色の発光は、例えば赤色（Ｒ）および緑色（Ｇ）などのカラーフィルタを通過して、画素を構成する所定の色の光として取り出される。

図４３は、発光層の構成の別の例を示す図である。図４３には、有機ＥＬディスプレイ１００の構成要素のうち、基板１１１、ＴＦＴ層１２０、平坦化絶縁膜１３０、下部電極１４０、発光層１５０、および上部電極１６０が模式的に示されている。発光層１５０は、正孔注入層・正孔輸送層１５１、黄色発光層１５２ｙ、青色発光層１５２ｂ、電子輸送層・電子注入層１５３に加えて、電荷発生層（ＣＧＬ：charge generation layer）１５４を含む。図示された例では、発光層１５０において、黄色発光層１５２ｙと青色発光層１５２ｂとが全面的に重畳して形成される。重畳された黄色発光層１５２ｙと青色発光層１５２ｂとが両方発光することによって、白色の発光が得られる。つまり、発光層１５０は、表示領域の全面に形成される白色（Ｗ）発光層である。このとき、黄色発光層１５２ｙと青色発光層１５２ｂとの間に電荷発生層１５４を設けることによって、下部電極１４０（アノード）と上部電極１５０（カソード）とに直接挟まれていない黄色発光層１５２ｙと青色発光層１５２ｂとをより効率的に発光させることができる。

（１１．電子機器への適用）
次に、図４４を参照して、本開示の実施形態に係る表示装置を有する電子機器の構成について説明する。図４４は、電子機器の構成を示す概略的なブロック図である。

図４４を参照すると、電子機器１０００は、有機ＥＬディスプレイ１００、制御回路１１００、操作部１２００、記憶部１３００、および通信部１４００を含む。電子機器１０００は、例えば、テレビジョン、携帯電話（スマートフォン）、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータなど、表示部として有機ＥＬディスプレイ１００を有する何らかの機器である。なお、図示された例では、表示部として上記の第１の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１００が示されているが、第２〜第４の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ２００〜４００であってもよく、他の実施形態に係る表示装置であってもよい。

制御回路１１００は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、およびＲＯＭ（Read Only Memory）などによって構成され、電子機器１０００の各部を制御する。有機ＥＬディスプレイ１００も、この制御回路１１００によって制御される。

操作部１２００は、例えばタッチパッド、ボタン、キーボード、またはマウスなどによって構成され、電子機器１０００に対するユーザの操作入力を受け付ける。制御回路１１００は、操作部１２００が取得した操作入力に従って電子機器１０００を制御する。

記憶部１３００は、例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスクなどによって構成され、電子機器１０００が機能するために必要な各種のデータを格納する。制御回路１１００は、記憶部１３００に格納されたプログラムを読み出して実行することによって動作してもよい。

通信部１４００は、付加的に設けられる。通信部１４００は、有線または無線のネットワーク１５００に接続される通信インターフェースであり、例えばモデムやポート、またはアンテナなどによって構成される。制御回路１１００は、通信部１４００を介して、ネットワーク１５００からデータを受信し、またネットワーク１５００にデータを送信する。

上記で説明した有機ＥＬディスプレイ１００だけではなく、これを有する電子機器１０００もまた、本開示の実施形態に含まれる。

（１２．補足）
以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。

なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板上に形成される配線パターンと、
前記配線パターン上に積層され、所定の位置に上下方向のコンタクトホールが形成される第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールに貫入して前記配線パターンに電気的に接続されるコンタクト部を有する下部電極と、
前記下部電極上に形成される発光層と、
前記発光層上に形成される上部電極と、
前記発光層が前記下部電極と前記上部電極とに挟まれる発光領域を、前記コンタクト部を含む領域として規定する発光領域規定部材と、
前記基板上で少なくとも前記コンタクト部に対応する領域に配置されるカラーフィルタと
を備える表示装置。
（２）前記第１の絶縁膜には、前記コンタクト部の数と同じ数の前記コンタクトホールが形成される、前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記第１の絶縁膜には、前記コンタクト部の数よりも多くの前記コンタクトホールが形成され、
前記下部電極は、前記コンタクトホールに貫入するが前記配線パターンには接続されないダミーコンタクト部をさらに有する、前記（１）に記載の表示装置。
（４）前記下部電極ごとに複数に分離した前記発光領域が形成される、前記（１）に記載の表示装置。
（５）前記下部電極は、前記複数に分離した発光領域のうちのいずれかに対応する位置に前記コンタクト部を有する、前記（４）に記載の表示装置。
（６）前記配線パターンに電気的に接続され、前記発光層を含む発光素子を逆バイアス状態で容量性素子として機能させる画素駆動回路をさらに備える、前記（１）〜（５）のいずれか１項に記載の表示装置。
（７）前記発光領域規定部材は、前記下部電極と前記上部電極との間に積層され、前記発光領域に開口部が形成される第２の絶縁膜である、前記（１）〜（６）のいずれか１項に記載の表示装置。
（８）前記下部電極が、前記発光領域に対応する領域に形成されることによって前記発光領域規定部材として機能する、前記（１）〜（６）のいずれか１項に記載の表示装置。
（９）前記第１の絶縁膜と前記下部電極との間に積層され、所定の位置に開口部が形成される第２の絶縁膜をさらに備え、
前記下部電極は、前記第１の絶縁膜上から前記開口部の側面に沿って立ち上がり、前記第２の絶縁膜の上面に達する、前記（８）に記載の表示装置。
（１０）前記第２の絶縁膜と前記発光層との間に積層され、前記第２の絶縁膜上の前記下部電極の端部を覆う第３の絶縁膜をさらに備える、前記（９）に記載の表示装置。
（１１）前記発光層は、少なくとも前記基板上の第１の領域に形成されて第１の色で発光する第１の発光層と、前記基板上の第２の領域に形成されて第２の色で発光する第２の発光層とを含み、
前記第１の領域と前記第２の領域との配置パターンが、前記基板上で第１の方向について１つおきに反転している、前記（１）〜（１０）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１２）前記第１の領域および前記第２の領域は、前記基板上で前記第１の方向に直交する第２の方向に延びる帯状の領域である、前記（１１）に記載の表示装置。
（１３）前記第１の発光層は、前記第１の領域および前記第２の領域に形成され、
前記第２の発光層は、前記第１の発光層に重畳して前記第２の領域に形成される、前記（１２）に記載の表示装置。
（１４）前記第１の発光層および前記第２の発光層は、いずれも蒸着によって形成される、前記（１３）に記載の表示装置。
（１５）第１の色で発光する第１の発光層と第２の色で発光する第２の発光層とが全面的に重畳して形成され、前記第１の発光層と前記第２の発光層との間に電荷発生層が形成される、前記（１）〜（１０）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１６）基板上に配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターン上に第１の絶縁膜を積層し、該第１の絶縁膜の所定の位置に上下方向のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に、前記コンタクトホールに貫入して前記配線パターンに電気的に接続されるコンタクト部を有する下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に発光層を形成する工程と、
前記発光層上に上部電極を形成する工程と、
前記発光層が前記下部電極と前記上部電極に挟まれる発光領域を、前記コンタクト部を含む領域として規定する工程と、
前記基板上で少なくとも前記コンタクト部に対応する領域にカラーフィルタを配置する工程と
を含む、表示装置の製造方法。
（１７）前記下部電極を形成する工程は、
前記第１の絶縁膜上に前記コンタクトホールに貫入して前記配線パターンに電気的に接続されるコンタクト部を有する第１の下部電極を形成する工程と、
前記第１の下部電極上に第２の絶縁膜を積層し、該第２の絶縁膜の所定の位置に開口部を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上に、前記開口部の側面に貫入して前記下部電極に接続される第２の下部電極を形成する工程と
を含み、
前記発光領域を規定する工程では、前記発光層が前記第２の下部電極と前記上部電極に挟まれる領域を前記発光領域として規定する、前記（１６）に記載の表示装置の製造方法。
（１８）基板上に配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターン上に第１の絶縁膜を積層し、該第１の絶縁膜の所定の位置に上下方向のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を積層し、該第２の絶縁膜の所定の位置に、前記コンタクトホールを包含する開口部を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上に、前記開口部および前記コンタクトホールに貫入して前記配線パターンに電気的に接続されるコンタクト部を有する下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に発光層を形成する工程と、
前記発光層上に上部電極を形成する工程と、
前記発光層が前記下部電極と前記上部電極に挟まれる発光領域を、前記コンタクト部を含む領域として規定する工程と、
前記基板上で少なくとも前記コンタクト部に対応する領域にカラーフィルタを配置する工程と
を含む、表示装置の製造方法。
（１９）基板上に形成される配線パターンと、
前記配線パターン上に積層され、所定の位置に上下方向のコンタクトホールが形成される第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールに貫入して前記配線パターンに電気的に接続されるコンタクト部を有する下部電極と、
前記下部電極上に形成される発光層と、
前記発光層上に形成される上部電極と、
前記発光層が前記下部電極と前記上部電極に挟まれる発光領域を、前記コンタクト部を含む領域として規定する発光領域規定部材と、
前記基板上で少なくとも前記コンタクト部に対応する領域に配置されるカラーフィルタと
を有する表示装置を備える電子機器。
（２０）基板上に形成される配線パターンと、前記配線パターン上に積層され、所定の位置に上下方向のコンタクトホールが形成される第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールに貫入して前記配線パターンに電気的に接続されるコンタクト部を有する下部電極と、前記下部電極上に形成される発光層と、前記発光層上に形成される上部電極と、前記発光層が前記下部電極と前記上部電極に挟まれる発光領域を、前記コンタクト部を含む領域として規定する発光領域規定部材と、前記基板上で少なくとも前記コンタクト部に対応する領域に配置されるカラーフィルタとを含む表示装置を、
前記配線パターンに電気的に接続される画素駆動回路によって、前記発光層を含む発光素子が逆バイアス状態で容量性素子として機能するように駆動させる、表示装置の駆動方法。

１００，２００，３００，４００，５００，６００ 有機ＥＬディスプレイ
１１１ 基板
１２０ ＴＦＴ層
１２５ 配線パターン
１２５ｄ ダミー配線パターン
１３０ 平坦化絶縁膜
１３０ｃ コンタクトホール
１４０，５４０ 下部電極
５４０ａ 第１の下部電極
５４０ｂ 第２の下部電極
１４０ｃ コンタクト部
１４０ｄ ダミーコンタクト部
１５０ 発光層
１５４ 接続層
１６０ 上部電極
１７０ 開口規定絶縁膜
６８０ 付加絶縁膜

Claims (20)

1. 基板上に形成される配線パターンと、
   前記配線パターン上に積層され、所定の位置に上下方向のコンタクトホールが形成される第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールに貫入して前記配線パターンに電気的に接続されるコンタクト部を有する下部電極と、
   前記下部電極上に形成される発光層と、
   前記発光層上に形成される上部電極と、
   前記発光層が前記下部電極と前記上部電極とに挟まれる発光領域を、前記コンタクト部を含む領域として規定する発光領域規定部材と、
   前記基板上で少なくとも前記コンタクト部に対応する領域に配置されるカラーフィルタと
   を備える表示装置。
2. 前記第１の絶縁膜には、前記コンタクト部の数と同じ数の前記コンタクトホールが形成される、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１の絶縁膜には、前記コンタクト部の数よりも多くの前記コンタクトホールが形成され、
   前記下部電極は、前記コンタクトホールに貫入するが前記配線パターンには接続されないダミーコンタクト部をさらに有する、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記下部電極ごとに複数に分離した前記発光領域が形成される、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記下部電極は、前記複数に分離した発光領域のうちのいずれかに対応する位置に前記コンタクト部を有する、請求項４に記載の表示装置。
6. 前記配線パターンに電気的に接続され、前記発光層を含む発光素子を逆バイアス状態で容量性素子として機能させる画素駆動回路をさらに備える、請求項１に記載の表示装置。
7. 前記発光領域規定部材は、前記下部電極と前記上部電極との間に積層され、前記発光領域に開口部が形成される第２の絶縁膜である、請求項１に記載の表示装置。
8. 前記下部電極が、前記発光領域に対応する領域に形成されることによって前記発光領域規定部材として機能する、請求項１に記載の表示装置。
9. 前記第１の絶縁膜と前記下部電極との間に積層され、所定の位置に開口部が形成される第２の絶縁膜をさらに備え、
   前記下部電極は、前記第１の絶縁膜上から前記開口部の側面に沿って立ち上がり、前記第２の絶縁膜の上面に達する、請求項８に記載の表示装置。
10. 前記第２の絶縁膜と前記発光層との間に積層され、前記第２の絶縁膜上の前記下部電極の端部を覆う第３の絶縁膜をさらに備える、請求項９に記載の表示装置。
11. 前記発光層は、少なくとも前記基板上の第１の領域に形成されて第１の色で発光する第１の発光層と、前記基板上の第２の領域に形成されて第２の色で発光する第２の発光層とを含み、
    前記第１の領域と前記第２の領域との配置パターンが、前記基板上で第１の方向について１つおきに反転している、請求項１に記載の表示装置。
12. 前記第１の領域および前記第２の領域は、前記基板上で前記第１の方向に直交する第２の方向に延びる帯状の領域である、請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記第１の発光層は、前記第１の領域および前記第２の領域に形成され、
    前記第２の発光層は、前記第１の発光層に重畳して前記第２の領域に形成される、請求項１２に記載の表示装置。
14. 前記第１の発光層および前記第２の発光層は、いずれも蒸着によって形成される、請求項１３に記載の表示装置。
15. 第１の色で発光する第１の発光層と第２の色で発光する第２の発光層とが全面的に重畳して形成され、前記第１の発光層と前記第２の発光層との間に電荷発生層が形成される、請求項１に記載の表示装置。
16. 基板上に配線パターンを形成する工程と、
    前記配線パターン上に第１の絶縁膜を積層し、該第１の絶縁膜の所定の位置に上下方向のコンタクトホールを形成する工程と、
    前記第１の絶縁膜上に、前記コンタクトホールに貫入して前記配線パターンに電気的に接続されるコンタクト部を有する下部電極を形成する工程と、
    前記下部電極上に発光層を形成する工程と、
    前記発光層上に上部電極を形成する工程と、
    前記発光層が前記下部電極と前記上部電極に挟まれる発光領域を、前記コンタクト部を含む領域として規定する工程と、
    前記基板上で少なくとも前記コンタクト部に対応する領域にカラーフィルタを配置する工程と
    を含む、表示装置の製造方法。
17. 前記下部電極を形成する工程は、
    前記第１の絶縁膜上に前記コンタクトホールに貫入して前記配線パターンに電気的に接続されるコンタクト部を有する第１の下部電極を形成する工程と、
    前記第１の下部電極上に第２の絶縁膜を積層し、該第２の絶縁膜の所定の位置に開口部を形成する工程と、
    前記第２の絶縁膜上に、前記開口部の側面に貫入して前記下部電極に接続される第２の下部電極を形成する工程と
    を含み、
    前記発光領域を規定する工程では、前記発光層が前記第２の下部電極と前記上部電極に挟まれる領域を前記発光領域として規定する、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
18. 基板上に配線パターンを形成する工程と、
    前記配線パターン上に第１の絶縁膜を積層し、該第１の絶縁膜の所定の位置に上下方向のコンタクトホールを形成する工程と、
    前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を積層し、該第２の絶縁膜の所定の位置に、前記コンタクトホールを包含する開口部を形成する工程と、
    前記第２の絶縁膜上に、前記開口部および前記コンタクトホールに貫入して前記配線パターンに電気的に接続されるコンタクト部を有する下部電極を形成する工程と、
    前記下部電極上に発光層を形成する工程と、
    前記発光層上に上部電極を形成する工程と、
    前記発光層が前記下部電極と前記上部電極に挟まれる発光領域を、前記コンタクト部を含む領域として規定する工程と、
    前記基板上で少なくとも前記コンタクト部に対応する領域にカラーフィルタを配置する工程と
    を含む、表示装置の製造方法。
19. 基板上に形成される配線パターンと、
    前記配線パターン上に積層され、所定の位置に上下方向のコンタクトホールが形成される第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールに貫入して前記配線パターンに電気的に接続されるコンタクト部を有する下部電極と、
    前記下部電極上に形成される発光層と、
    前記発光層上に形成される上部電極と、
    前記発光層が前記下部電極と前記上部電極に挟まれる発光領域を、前記コンタクト部を含む領域として規定する発光領域規定部材と、
    前記基板上で少なくとも前記コンタクト部に対応する領域に配置されるカラーフィルタと
    を有する表示装置を備える電子機器。
20. 基板上に形成される配線パターンと、前記配線パターン上に積層され、所定の位置に上下方向のコンタクトホールが形成される第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールに貫入して前記配線パターンに電気的に接続されるコンタクト部を有する下部電極と、前記下部電極上に形成される発光層と、前記発光層上に形成される上部電極と、前記発光層が前記下部電極と前記上部電極に挟まれる発光領域を、前記コンタクト部を含む領域として規定する発光領域規定部材と、前記基板上で少なくとも前記コンタクト部に対応する領域に配置されるカラーフィルタとを含む表示装置を、
    前記配線パターンに電気的に接続される画素駆動回路によって、前記発光層を含む発光素子が逆バイアス状態で容量性素子として機能するように駆動させる、表示装置の駆動方法。
    

Images