KR101087567B1 - 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
이때, 상기 기판과 제 1 전극 사이에는, 상기 제 1 전극과 연결되는 박막트랜지스터를 포함하는 어레이 소자층이 더 포함되는 것을 특징으로 하며, 상기 광차단 수단을 이루는 물질은, 파장대 380 ~ 780 nm에서 투과율 10% 미만으로, OD(optical density)가 적어도 1 이상인 물질에서 선택되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제 2 전극을 이루는 물질은 투과성을 가지는 전도성 물질에서 선택되고, 상기 유기발광층에서 발광된 빛은 상기 제 2 전극 쪽으로 투과되는 상부발광 방식으로 구동됨을 특징으로 하며, 상기 제 1 전극을 이루는 물질은 투광성을 가지는 전도성 물질로 이루어지고, 상기 유기발광층에서 발광된 빛은 상기 제 1 전극 쪽으로 투과되는 하부발광 방식으로 구동됨을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 1 전극은 화면을 구현하는 최소 단위인 화소 영역별로 분리되어 형성되고, 상기 제 2 전극은 기판 전면에 형성되는 것을 특징으로 하며, 상기 광차단 수단은, 상기 제 1 전극의 에지부를 포함한 비발광 영역에 형성되는 뱅크 레이어(bank layer)인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 2 전극을 덮는 영역에 보호층을 더 포함하며, 상기 기판과 대향되는 상부에 또 하나의 인캡슐레이션 기판이 구비되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 광차단 수단은 상기 인캡슐레이션 기판에 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 2 특징으로는 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판 상에, 각 화소영역 별로 유기발광층을 분리하여 형성하는 단계와; 상기 유기발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극, 유기발광층, 제 2 전극은 유기전계발광 다이오드를 이루고, 상기 유기전계발광 다이오드의 비발광 영역과 대응된 위치에 반사광 차단을 위한 광차단 수단을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 유기발광층은 상기 광차단 수단을 통해 분리하며, 상기 광차단 수단의 상기 기판으로부터의 높이가 상기 제 1 전극과 접촉하는 영역의 유기발광층에 비해 높게 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조방법을 제공한다.
이때, 상기 광차단 수단은, 상기 제 1 전극을 형성하는 단계와, 상기 유기발광층을 형성하는 단계 사이 공정에서, 상기 제 1 전극의 에지부를 포함한 비발광 영역에 형성하는 것을 특징으로 하며, 상기 광차단 수단은, 상기 기판과 대향되게 위치하여 상기 기판을 인캡슐레이션하는 기판에 형성하는 것을 특징으로 한다.
Claims (16)
- 기판 상에 형성된 제 1 전극과;상기 제 1 전극 상에, 각 화소영역 별로 분리된 유기발광층과;상기 유기발광층에 형성된 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 전극, 유기발광층, 제 2 전극은 유기전계발광 다이오드를 이루고, 상기 유기전계발광 다이오드의 비발광 영역과 대응된 위치에는 반사광 차단을 위한 광차단 수단이 구비되며, 상기 유기발광층은 각 화소영역 별로 상기 광차단수단을 통해 분리되는 것을 특징으로 하며, 상기 광차단 수단은 상기 기판으로부터의 높이가 상기 제 1 전극과 접촉하는 영역의 상기 유기발광층에 비해 높게 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판과 제 1 전극 사이에는, 상기 제 1 전극과 연결되는 박막트랜지스터를 포함하는 어레이 소자층이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 광차단 수단을 이루는 물질은, 파장대 380 ~ 780 nm에서 투과율 10% 미만으로, OD(optical density)가 적어도 1 이상인 물질에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극을 이루는 물질은 투과성을 가지는 전도성 물질에서 선택되고, 상기 유기발광층에서 발광된 빛은 상기 제 2 전극 쪽으로 투과되는 상부발광 방식으로 구동됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극을 이루는 물질은 투광성을 가지는 전도성 물질로 이루어지고, 상기 유기발광층에서 발광된 빛은 상기 제 1 전극 쪽으로 투과되는 하부발광 방식으로 구동됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 화면을 구현하는 최소 단위인 화소 영역별로 분리되어 형성되고, 상기 제 2 전극은 기판 전면에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 광차단 수단은, 상기 제 1 전극의 에지부를 포함한 비발광 영역에 형성되는 뱅크 레이어(bank layer)인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극을 덮는 영역에 보호층을 더 포함하는 유기전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판과 대향되는 상부에 또 하나의 인캡슐레이션 기판이 구비되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
- 제 9 항에 있어서,상기 광차단 수단은 상기 인캡슐레이션 기판에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
- 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 기판 상에, 각 화소영역 별로 유기발광층을 분리하여 형성하는 단계와;상기 유기발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 전극, 유기발광층, 제 2 전극은 유기전계발광 다이오드를 이루고, 상기 유기전계발광 다이오드의 비발광 영역과 대응된 위치에 반사광 차단을 위한 광차단 수단을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 유기발광층은 상기 광차단 수단을 통해 분리하며, 상기 광차단 수단의 상기 기판으로부터의 높이가 상기 제 1 전극과 접촉하는 영역의 유기발광층에 비해 높게 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 광차단 수단은, 상기 제 1 전극을 형성하는 단계와, 상기 유기발광층을 형성하는 단계 사이 공정에서, 상기 제 1 전극의 에지부를 포함한 비발광 영역에 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 광차단 수단은, 상기 기판과 대향되게 위치하여 상기 기판을 인캡슐레이션하는 기판에 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조방법.
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