WO2022153900A1

WO2022153900A1 - 画像表示装置及び電子機器

Info

Publication number: WO2022153900A1
Application number: PCT/JP2022/000110
Authority: WO
Inventors: 誠一郎甚田
Original assignee: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date: 2021-01-12
Filing date: 2022-01-05
Publication date: 2022-07-21
Also published as: JP2024038528A; US20240057427A1

Abstract

［課題］焼き付きを抑制可能な画像表示装置及び電子機器を提供する。［解決手段］画像表示装置は、二次元状に配置される複数の画素を備え、前記複数の画素は、発光するとともに可視光を透過させる画素を有する第１画素領域と、前記第１画素領域の周囲に配置され、前記第１画素領域内の画素の発光面積よりも大きい面積で発光する画素を有する第２画素領域と、前記第２画素領域の周囲に配置され、前記第２画素領域内の画素の発光面積よりも大きい面積で発光する画素を有する第３画素領域と、を有する。

Description

画像表示装置及び電子機器

　本開示は、画像表示装置及び電子機器に関する。

　最近のスマートフォンや携帯電話、ＰＣ（Personal Computer）などの電子機器では、表示パネルの額縁（ベゼル）に、カメラなどの種々のセンサを搭載している。搭載されるセンサも増える傾向にあり、カメラの他に、顔認証用のセンサや赤外線センサ、動体検出センサなどがある。その一方で、デザイン上の観点や軽薄短小化の傾向から、画面サイズに影響を与えずに電子機器の外形サイズをできるだけコンパクトにすることが求められており、ベゼル幅は狭まる傾向にある。このような背景から、表示パネルの真下にイメージセンサモジュールを配置して、表示パネルを通過した被写体光をイメージセンサモジュールで撮影する技術が提案されている。表示パネルの真下にイメージセンサモジュールを配置するには、表示パネルを透明化する必要がある（特許文献１参照）。

特開２０１１－１７５９６２号公報

　表示パネルを透明化するには、表示パネル内の少なくとも一部の画素内に、可視光を透過する透過部を設ける必要がある。しかしながら、画素内に透過部を設けると、画素内の発光部の面積が狭まり、有機ＥＬ素子（以下、ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Device）等の自発光素子の単位面積あたりの電流が増えてしまい、自発光素子の劣化が促進して焼き付きが起きやすくなる。なお、焼き付きとは、発光素子に流す電流を同じにしても発光輝度が低下する現象である。この焼き付きとは発光素子の電流-輝度効率の劣化であり、不可逆である。

　例えば、表示パネル内の一部の画素領域、具体的には、イメージセンサが真下に配置される画素領域だけに透過部を設ける場合、この画素領域内で焼き付きが起きると、表示パネルの発光輝度が部分的に低下し、ユーザに違和感を与えてしまう。

　そこで、本開示では、焼き付きを抑制可能な画像表示装置及び電子機器を提供するものである。

　上記の課題を解決するために、本開示の一態様によれば、二次元状に配置される複数の画素を備え、
　前記複数の画素は、
　発光するとともに可視光を透過させる画素を有する第１画素領域と、
　前記第１画素領域の周囲に配置され、前記第１画素領域内の画素の発光面積よりも大きい面積で発光する画素を有する第２画素領域と、
　前記第２画素領域の周囲に配置され、前記第２画素領域内の画素の発光面積よりも大きい面積で発光する画素を有する第３画素領域と、を有する、画像表示装置が提供される。

　前記第１画素領域内の画素は、
　所定の発光面積を有する第１発光領域と、
　可視光を透過させる第１透過窓を有する第１非発光領域と、を有し、
　前記第２画素領域内の画素は、前記所定の発光面積よりも大きい発光面積を有する第２発光領域を有し、
　前記第３画素領域内の画素は、前記第２発光領域の発光面積よりも大きい発光面積を有する第３発光領域を有してもよい。

　前記第２画素領域内の画素は、前記第１透過窓よりも小さい範囲内で可視光を透過させる第２透過窓を有する第２非発光領域を有してもよい。

　前記第２画素領域内の画素は、前記第２発光領域内に配置され、かつ前記第２非発光領域内に配置されない画素回路を有してもよい。

　前記第２画素領域内の画素は、前記第２発光領域内及び前記第２非発光領域内に配置される画素回路を有してもよい。

　前記第１画素領域内の画素及び前記第２画素領域内の画素は、それぞれ異なる色で発光する複数の色画素を有し、
　前記第１透過窓及び前記第２透過窓は、特定の色の色画素について設けられてもよい。

　前記第１画素領域内の画素及び前記第２画素領域内の画素は、それぞれ異なる色で発光する複数の色画素を有し、
　前記第１画素領域内の特定の色の色画素については、前記第１発光領域が設けられずに、前記第１非発光領域が設けられ、前記特定の色以外の色画素については、前記第１非発光領域が設けられずに前記第１発光領域が設けられ、
　前記第２画素領域内の前記特定の色の色画素については、前記第２発光領域及び前記第２非発光領域が設けられ、
　前記第２画素領域内の前記特定の色以外の色の色画素については、前記第２非発光領域が設けられずに前記第２発光領域が設けられてもよい。

　前記第２画素領域内の画素は、可視光を透過させない第２非発光領域を有してもよい。

　前記第２画素領域は、前記所定の発光面積から連続的又は段階的に小さくなる発光面積を有する複数の画素を有してもよい。

　前記第２発光領域内の画素は、自発光素子を有し、
　前記自発光素子は、
　光反射面を有する下部電極層と、
　前記下部電極層の上に配置される表示層と、
　前記表示層の上に配置される上部電極層と、を有してもよい。

　前記上部電極層及び前記表示層は、凹凸構造であり、
　前記凹凸構造の隣接する２つの凸部の間隔は不規則であってもよい。

　前記第１画素領域及び前記第２画素領域を含む画素群が、画像表示領域内の複数箇所に離隔して配置され、複数箇所の前記画素群の周囲に前記第３画素領域が配置されてもよい。

　本開示の他の一態様では、二次元状に配置される複数の画素を有する画像表示装置と、
　前記画像表示装置を通して入射される光を受光する受光装置と、を備え、
　前記画像表示装置は、
　二次元状に配置される複数の画素を備え、
　前記複数の画素は、
　発光するとともに可視光を透過させる画素を有する第１画素領域と、
　前記第１画素領域の周囲に配置され、前記第１画素領域内の画素の発光面積よりも大きい面積で発光する画素を有する第２画素領域と、
　前記第２画素領域の周囲に配置され、前記第２画素領域内の画素の発光面積よりも大きい面積で発光する画素を有する第３画素領域と、を有する、電子機器が提供される。

　前記受光装置は、前記第１画素領域を透過した光を受光してもよい。

　前記第１画素領域内の画素は、
　所定の発光面積を有する第１発光領域と、
　可視光を透過させる第１透過窓を有する第１非発光領域と、を有し、
　前記第２画素領域内の画素は、前記所定の発光面積よりも大きい発光面積を有する第２発光領域を有し、
　前記第３画素領域内の画素は、前記第２発光領域の発光面積よりも大きい発光面積を有する第３発光領域を有し、
　前記受光装置は、前記第１非発光領域を透過した光を受光してもよい。

　前記第２画素領域内の画素は、前記第１透過窓よりも小さい範囲内で可視光を透過させる第２透過窓を有する第２非発光領域を有し、
　前記受光装置は、前記第１発光領域及び前記第２非発光領域を透過した光を受光してもよい。

　前記受光装置は、前記第１非発光領域を通して入射された光を光電変換する撮像センサと、前記第１非発光領域を通して入射された光を受光して距離を計測する距離計測センサと、前記第１非発光領域を通して入射された光に基づいて温度を計測する温度センサと、の少なくとも一つを含んでもよい。

第１の実施形態による画像表示装置を備えた電子機器の平面図及び断面図。表示パネルの中央より上側の裏面側に二つのセンサを並べて配置した図。表示パネルの四隅にセンサを配置した例を示す図。第１画素領域内の透過画素の構造と、第３画素領域内の通常画素の構造とを模式的に示す図。センサの一例であるイメージセンサモジュールの断面図。イメージセンサモジュールの光学構成を模式的に説明する図。被写体からの光がイメージセンサ上に結像するまでの光路を説明する図。ＯＬＥＤを含む画素回路の基本構成を示す回路図。（ａ）（ｂ）（ｃ）は図７の画素回路を有する表示パネル内の画素のレイアウト図。センサが真下に配置されていない第３画素領域内の通常画素の断面図。表示層の断面構造を示す断面図。５つのトランジスタを有する画素回路の回路図。（ａ）（ｂ）（ｃ）は図１１の画素回路を有する表示パネル内の画素のレイアウト図。焼き付きを起こしていない表示パネルを模式的に示す外観図。焼き付きを起こした表示パネルを模式的に示す外観図。図１３の焼き付きを起こしていない表示パネル内の各画素の電流特性を示す図。図１３の表示パネル内のＯＬＥＤの素子特性を示す図。図１４の焼き付きを起こした表示パネル内の各画素の電流特性を示す図。図１４の表示パネル内のＯＬＥＤの素子特性を示す図。第１の実施形態による画像表示装置内の画素の構造を模式的に示す図。図１７の表示パネル内の画素の電流特性を示す図。図１７の表示パネル２内のＯＬＥＤの素子特性を示す図。第１の実施形態による画像表示装置内の表示パネルの模式的な外観図。（ａ）（ｂ）（ｃ）は図１９の表示パネルの平面レイアウト図。第１の実施形態による表示パネルの第１変形例の平面図。（ａ）（ｂ）（ｃ）は第１変形例の平面レイアウト図。第１の実施形態による表示パネルの第２変形例の平面図。（ａ）（ｂ）（ｃ）は第２変形例の平面レイアウト図。第１の実施形態による表示パネルの第３変形例の平面図。（ａ）（ｂ）（ｃ）は第３変形例の平面レイアウト図。第１～第３画素領域内の画素配置の第１例を示す図。図２７の一比較例による画素配置を示す図。第１～第３画素領域内の画素配置の第２例を示す図。第１～第３画素領域内の画素配置の第３例を示す図。第１～第３画素領域内の画素配置の第４例を示す図。画素の電流特性を示す図。画素回路内のＯＬＥＤの素子特性を示す図。第２の実施形態による表示パネルの平面図。（ａ）（ｂ）（ｃ）は図３３の表示パネルの画素レイアウト図。図３３の一変形例による表示パネルの平面図。図３５の表示パネルの画素レイアウト図。図３４及び図３６における複数の反射部材を有する表示パネルの断面図。乗物の後方から前方にかけての乗物の内部の様子を示す図。乗物の斜め後方から斜め前方にかけての乗物の内部の様子を示す図。電子機器の第２適用例であるデジタルカメラの正面図。デジタルカメラの背面図。電子機器の第３適用例であるＨＭＤの外観図。スマートグラスの外観図。電子機器の第４適用例であるＴＶの外観図。電子機器の第５適用例であるスマートフォンの外観図。

　以下、図面を参照して、画像表示装置及び電子機器の実施形態について説明する。以下では、画像表示装置及び電子機器の主要な構成部分を中心に説明するが、画像表示装置及び電子機器には、図示又は説明されていない構成部分や機能が存在しうる。以下の説明は、図示又は説明されていない構成部分や機能を除外するものではない。

　（第１の実施形態）
　図１は本開示の第１の実施形態による画像表示装置１を備えた電子機器５０の平面図及び断面図である。図示のように、本実施形態による画像表示装置１は、表示パネル２を備えている。表示パネル２には、例えばフレキシブル・プリント基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）３が接続されている。表示パネル２は、例えばガラス基板又は透明フィルム上に複数の層を積層したものであり、表示面２ｚには縦横に複数の画素が配置されている。ＦＰＣ３の上には、表示パネル２の駆動回路の少なくとも一部を内蔵するチップ（ＣＯＦ：Chip On Film）４が実装されている。なお、駆動回路をＣＯＧ（Chip On Glass）として表示パネル２に積層してもよい。

　本実施形態による画像表示装置１は、表示パネル２の真下に、表示パネル２を通して光を受光する各種のセンサ５を配置可能としている。本明細書では、画像表示装置１とセンサ５を備えた構成を電子機器５０と呼ぶ。電子機器５０内に設けられるセンサ５の種類は特に問わないが、例えば、表示パネル２を通して入射された光を光電変換する撮像センサ５、表示パネル２を通して光を投光するとともに、対象物で反射された光を表示パネル２を通して受光して、対象物までの距離を計測する距離計測センサ５、表示パネル２を通して入射された光に基づいて温度を計測する温度センサ５などである。このように、表示パネル２の真下に配置されるセンサ５は、光を受光する受光装置の機能を少なくとも備えている。なお、センサ５は、表示パネル２を通して光を投光する発光装置の機能を備えていてもよい。

　図１は表示パネル２の真下に配置されるセンサ５の具体的な場所の一例を破線で示している。図１のように、センサ５は、例えば、表示パネル２の中央よりも上側の裏面側に配置されている。なお、図１のセンサ５の配置場所は一例であり、センサ５の配置場所は任意である。表示パネル２の裏面側にセンサ５を配置することで、表示パネル２の周囲にセンサ５を配置しなくて済み、電子機器５０のベゼルを極小化することができ、電子機器５０の正面側のほぼ全域を表示パネル２にすることができ、表示パネル２の面積を小さくせずに電子機器５０の外形サイズを小型化できる。

　図１では、表示パネル２の一箇所にセンサ５を配置する例を示しているが、図２Ａ又は図２Ｂに示すように、複数箇所にセンサ５を配置してもよい。図２Ａは表示パネル２の中央より上側の裏面側に二つのセンサ５を並べて配置した例を示している。また、図２Ｂは、表示パネル２の四隅にセンサ５を配置した例を示している。図２Ｂのように、表示パネル２の四隅にセンサ５を配置するのは以下の理由である。表示パネル２内のセンサ５と重なる画素領域は、透過率を高くする工夫を施すため、その周囲の画素領域とは表示品質に若干の差異が生じるおそれがある。人間は画面中央を凝視するとき、中心視野となる画面中央部は詳細まで把握でき、若干の差異に気づくことができる。しかし、周辺視野となる外周部の詳細視認度は低くなる。通常の表示画像では画面中央を見ることが多いため、その差異を目立たなくするために四隅にセンサ５を配置することが推奨される。

　図２Ａや図２Ｂのように、表示パネル２の裏面側に複数のセンサ５を配置する場合、複数のセンサ５の種類は同じでも異なっていてもよい。例えば、焦点距離の異なる複数のイメージセンサモジュール９を配置してもよいし、あるいは、撮像センサ５とＴｏＦ（Time of Flight）センサ５などのように、異なる種類のセンサ５を配置してもよい。

　表示パネル２の真下にセンサ５を配置する場合、裏面側のセンサ５と重なる画素領域（第１画素領域）と、センサ５と重ならない画素領域（第３画素領域）で、画素の構造を変える必要がある。なお、本明細書では、第３画素領域内の各画素を通常画素と呼び、第１画素領域内の各画素を透過画素と呼ぶことがある。

　図３は第１画素領域６内の透過画素７の構造と、第３画素領域８内の通常画素７の構造とを模式的に示す図である。第１画素領域６内の透過画素７は、第１自発光素子６ａ、第１発光領域６ｂ、及び第１非発光領域６ｃを有する。第１発光領域６ｂは、第１自発光素子６ａにより発光される領域である。第１非発光領域６ｃは、第１自発光素子６ａによる発光は行わないものの、可視光を透過させる所定の形状の透過窓（第１透過窓）６ｄを有する。第３画素領域８内の通常画素７は、第３自発光素子８ａ及び第３発光領域８ｂを有する。第３発光領域８ｂは、第３自発光素子８ａにより発光され、第１発光領域６ｂよりも大きい面積を有する。また、第３画素領域８内の通常画素７には透過窓は設けられていない。

　第１自発光素子６ａ及び第３自発光素子８ａの代表例は、有機ＥＬ（Electroluminescence)素子（以下では、ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diodeとも呼ぶ）である。自発光素子は、バックライトを省略できるため、少なくとも一部を透明化することができる。以下では、自発光素子としてＯＬＥＤを用いる例を主に説明する。

　なお、センサ５と重なる画素領域とセンサ５と重ならない画素領域で画素７の構造を変えるのではなく、表示パネル２内の全画素７の構造を同じにすることも考えられる。この場合、表示パネル２内の任意の場所にセンサ５を重ねて配置できるように、全画素７を図３の第１発光領域６ｂと第１非発光領域６ｃで構成すればよい。ところが、第１発光領域６ｂは、通常画素に比べて発光面積が狭いため、単位面積当たりの電流が増えて、ＯＬＥＤの劣化が起きやすくなる。

　図４はセンサ５の一例であるイメージセンサモジュール９の断面図である。図４に示すように、イメージセンサモジュール９は、支持基板９ａの上に実装されるイメージセンサ９ｂと、ＩＲ（Infrared Ray）カットフィルタ９ｃと、レンズユニット９ｄと、コイル９ｅと、磁石９ｆと、バネ９ｇとを有する。レンズユニット９ｄは、１つ又は複数のレンズを有する。レンズユニット９ｄは、コイル９ｅに流す電流の方向に応じて光軸方向に移動可能とされている。なお、イメージセンサモジュール９の内部構成は、図４に示したものに限定されない。

　図５はイメージセンサモジュール９の光学構成を模式的に説明する図である。被写体１０からの光は、レンズユニット９ｄで屈折されて、イメージセンサ９ｂ上に結像する。レンズユニット９ｄに入射される光の量が多いほどイメージセンサ９ｂで受光される光量も増えて、感度が向上する。本実施形態の場合、被写体１０とレンズユニット９ｄとの間に表示パネル２が配置される。被写体１０からの光が表示パネル２を透過する際に、表示パネル２での吸収、反射、回折を抑制することが重要となる。

　図６は被写体１０からの光がイメージセンサ９ｂ上に結像するまでの光路を説明する図である。図６では、表示パネル２の各画素７とイメージセンサ９ｂの各画素７を模式的に矩形のマス目で表している。図示のように、表示パネル２の各画素７のサイズは、イメージセンサ９ｂの各画素７のサイズよりもはるかに大きい。被写体１０の特定位置からの光は、表示パネル２の透過窓６ｄを通過して、イメージセンサモジュール９のレンズユニット９ｄで屈折されて、イメージセンサ９ｂ上の特定画素で結像される。このように、被写体１０からの光は、表示パネル２の第１画素領域６内の複数画素７に設けられた複数の透過窓６ｄを透過して、イメージセンサモジュール９に入射される。

　図７はＯＬＥＤ２０を含む画素回路１２の基本構成を示す回路図である。図７の画素回路１２は、ＯＬＥＤ２０の他に、ドライブトランジスタＱ１と、サンプリングトランジスタＱ２と、画素容量Ｃsとを備えている。サンプリングトランジスタＱ２は、信号線ＳｉｇとドライブトランジスタＱ１のゲートとの間に接続されている。サンプリングトランジスタＱ２のゲートには、走査線Ｇａｔｅが接続されている。画素容量Ｃsは、ドライブトランジスタＱ１のゲートとＯＬＥＤ２０のアノード電極との間に接続されている。ドライブトランジスタＱ１は、電源電圧ノードＶccpとＯＬＥＤ２０のアノードとの間に接続されている。

　図８は図７の画素回路１２を有する表示パネル２内の画素７のレイアウト図である。図８には、横に２つの色画素７と、縦に２つの色画素７の計４つの色画素７の平面レイアウトが図示されている。

　図８（ａ）はこれら色画素のアノード電極１２ａより下方に配置される画素回路１２のレイアウト図、図８（ｂ）はセンサ５と重ならない第３画素領域８内の通常画素のレイアウト図、図８（ｃ）はセンサ５と重なる第１画素領域６内の透過画素のレイアウト図である。なお、本明細書では、簡略化のため、画素７と色画素７を同じ符号を付して説明するが、複数の色画素７で一つの画素７が構成される。

　第３画素領域８内の色画素７の一部に、図８（ａ）に示すように、画素回路１２が配置されている。画素回路１２内の第３自発光素子８ａで発光された光は、通常画素７のほぼ全域で発光する。このため、図８（ｂ）に示すように、色画素７のほぼ全域が第３発光領域８ｂになる。

　これに対して、第１画素領域６内の透過画素（色画素）７は、図８（ｃ）に示すように、第１発光領域６ｂと第１非発光領域６ｃを有する。第１発光領域６ｂには画素回路１２が配置されており、画素回路１２内の第１自発光素子６ａで発光した光は第１発光領域６ｂで発光し、第１非発光領域６ｃでは発光しない。このように、第１画素領域６内の色画素７は、第３画素領域８内の色画素７よりも、狭い面積で発光する。図８（ｃ）では、第１画素領域６内の色画素７の上側半分程度が第１発光領域６ｂである例を示している。

　図８（ａ）に示すように、色画素７の上端側には、電源電圧Ｖccp用の配線パターンと、走査線用の配線パターンが水平方向Ｘに配置されている。また、色画素７の縦方向Ｙの境界に沿って信号線Ｓｉｇの配線パターンが配置されている。これら配線パターンの配置場所は一例にすぎない。

　図９はセンサ５が真下に配置されていない第３画素領域８内の通常画素７（色画素７）の断面図である。図９は図８のＡ－Ａ線方向の断面構造を示しており、より詳細には画素回路１２内のドライブトランジスタＱ１の周辺の断面構造を示している。なお、図９を含めて、本明細書に添付した図面に記載された断面図は、特徴的な層構成を強調して図示しており、縦横の長さの比率は平面レイアウトとは必ずしも一致しない。

　図９の上面は表示パネル２の表示面側であり、図９の底面はセンサ５が配置される側である。図９の底面側から上面側（光出射側）にかけて、第１透明基板３１と、第１絶縁層３２と、第１配線層（ゲート電極）３３と、第２絶縁層３４と、第２配線層（ソース配線またはドレイン配線）３５と、第３絶縁層３６と、アノード電極層３８と、第４絶縁層３７と、表示層２ａと、カソード電極層３９と、第５絶縁層４０と、第２透明基板４１とが順に積層されている。

　第１透明基板３１と第２透明基板４１は、例えば、可視光透過性に優れた石英ガラスや透明フィルム等で形成されることが望ましい。あるいは第１透明基板３１と第２透明基板４１のどちらか一方を石英ガラス、もう一方を透明フィルムで形成してもよい。

　なお、製造観点から有色で透過率のそれほど高くないフィルム、例えばポリイミドフィルムを利用してもよい。あるいは第１透明基板３１と第２透明基板４１の少なくとも一方を、透明フィルムで形成してもよい。第１透明基板３１の上に、画素回路１２内の各回路素子を接続するための第１配線層（Ｍ１）３３が配置されている。または、保護層

　第１透明基板３１の上には、第１配線層３３を覆うように第１絶縁層３２が配置されている。第１絶縁層３２は、例えば、可視光透過性に優れたシリコン窒化層とシリコン酸化層の積層構造である。第１絶縁層３２の上には、画素回路１２内の各トランジスタのチャネル領域が形成される半導体層４２が配置されている。図９は、第１配線層３３に形成されるゲートと、第２配線層３５に形成されるソース及びドレインと、半導体層４２に形成されるチャネル領域とを有するドライブトランジスタＱ１の断面構造を模式的に図示しているが、他のトランジスタもこれらの層３３、３５、４２に配置されており、不図示のコンタクトにより第１配線層３３に接続されている。

　第１絶縁層３２の上には、トランジスタ等を覆うように第２絶縁層３４が配置されている。第２絶縁層３４は、例えば、可視光透過性に優れたシリコン酸化層、シリコン窒化層及びシリコン酸化層の積層構造である。第２絶縁層３４の一部にはトレンチ３４ａが形成されて、トレンチ３４ａ内にコンタクト部材３５ａを充填することにより、各トランジスタのソースやドレイン等に接続される第２配線層（Ｍ２）３５が形成されている。図９には、ドライブトランジスタＱ１とＯＬＥＤ２０のアノード電極１２ａとを接続するための第２配線層３５が図示されているが、他の回路素子に接続される第２配線層３５も同じ層に配置されている。また、後述するように、第２配線層３５とアノード電極１２ａとの間に、図９では不図示の第３配線層を設けてもよい。第３配線層は、画素回路１２内の配線として用いることができる他、アノード電極１２ａとの接続に用いてもよい。

　第２絶縁層３４の上には、第２配線層３５を覆って表面を平坦化するための第３絶縁層３６が配置されている。第３絶縁層３６は、アクリル樹脂等の樹脂材料で形成されている。第３絶縁層３６の膜厚は、第１～第２絶縁層３２，３４の膜厚よりも大きくしている。

　第３絶縁層３６の上面の一部にはトレンチ３６ａが形成されて、トレンチ３６ａ内にコンタクト部材３６ｂを充填して第２配線層３５との導通を図るとともに、コンタクト部材３６ｂを第３絶縁層３６の上面側まで延在させてアノード電極層３８が形成されている。アノード電極層３８は積層構造であり、金属材料層を含んでいる。金属材料層は、一般には可視光透過率が低く、光を反射させる反射層として機能する。具体的な金属材料としては、例えばＡｌＮｄやＡｇを適用可能である。

　アノード電極層３８の最下層は、トレンチ３６ａに接する部分であり、断線しやすいことから、少なくともトレンチ３６ａの角部は例えばＡｌＮｄなどの金属材料で形成される場合がある。アノード電極層３８の最上層は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電層で形成されている。あるいは、アノード電極層３８を、例えば、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造にしてもよい。Ａｇは本来的には不透明であるが、膜厚を薄くすることで、可視光透過率が向上する。Ａｇを薄くすると強度が弱くなるため、両面にＩＴＯを配置した積層構造にすることで、透明導電層として機能させることができる。

　第３絶縁層３６の上には、アノード電極層３８を覆うように第４絶縁層３７が配置されている。第４絶縁層３７も、第３絶縁層３６と同様にアクリル樹脂等の樹脂材料で形成されている。第４絶縁層３７は、ＯＬＥＤ２０の配置場所に合わせてパターニングされて、凹部３７ａが形成されている。

　第４絶縁層３７の凹部３７ａの底面及び側面を含むように表示層２ａが配置されている。表示層２ａは、例えば図１０に示すような積層構造を有する。図１０に示す表示層２ａは、アノード電極層３８側から積層順に、陽極２ｂ、正孔注入層２ｃ、正孔輸送層２ｄ、発光層２ｅ、電子輸送層２ｆ、電子注入層２ｇ、及び陰極２ｈを配置した積層構造である。陽極２ｂは、アノード電極１２ａとも呼ばれる。正孔注入層２ｃは、アノード電極１２ａからの正孔が注入される層である。正孔輸送層２ｄは、正孔を発光層２ｅに効率よく運ぶ層である。発光層２ｅは、正孔と電子を再結合させて励起子を生成し、励起子が基底状態に戻る際に光を発光する。陰極２ｈは、カソード電極とも呼ばれる。電子注入層２ｇは、陰極２ｈからの電子が注入される層である。電子輸送層２ｆは、電子を発光層２ｅに効率よく運ぶ層である。発光層２ｅは有機物を含んでいる。

　図９に示す表示層２ａの上には、カソード電極層３９が配置されている。カソード電極層３９は、アノード電極層３８と同様に透明導電層で形成されている。なお、アノード電極層３８の透明導電層は、例えばＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯで形成され、カソード電極層３９の透明電極層は、膜厚数ｎｍ～数十ｎｍのＭｇＡｇ（薄膜化することで半透明電極になる）、または膜厚数十ｎｍ～数百ｎｍのＩＺＯ（Indium Zinc Oxide；透明電極）などを用いて形成されうる。

　カソード電極層３９の上には第５絶縁層４０が配置されている。第５絶縁層４０は、上面を平坦化するとともに耐湿性に優れた絶縁材料で形成される。第５絶縁層４０の上には、第２透明基板４１が配置されている。

　図８及び図９に示すように、第３画素領域８には、色画素７のほぼ全域に反射膜として機能するアノード電極層３８が配置されており、可視光を透過させることはできない。

　図７の画素回路１２は２つのトランジスタを有するが、画素回路１２の具体的な回路構成には種々の変形例が考えられる。図１１は５つのトランジスタＱ１～Ｑ５を有する画素回路１２の回路図である。図１１の画素回路１２は、ＯＬＥＤ２０の他に、ドライブトランジスタＱ１と、サンプリングトランジスタＱ２と、電源トランジスタＱ３と、第１制御トランジスタＱ４と、第２制御トランジスタＱ５と、画素容量Ｃsとを有する。

　電源トランジスタＱ３とドライブトランジスタＱ１は、電源電圧ＶccpとＯＬＥＤ２０のアノードとの間にカスコード接続されている。ドライブトランジスタＱ１のゲートと信号線Ｓｉｇとの間には、サンプリングトランジスタＱ２が接続されている。ドライブトランジスタＱ１のゲートとＯＬＥＤ２０のアノードとの間には画素容量Ｃsが接続されている。ＯＬＥＤ２０のアノードと初期化電圧Ｖiniノードとの間には、第１制御トランジスタＱ４が接続されている。第１制御トランジスタＱ４のゲートには、第１制御信号線ＡＺ１が接続されている。ドライブトランジスタＱ１のゲートとオフセット電圧Ｖofsノードとの間には、第２制御トランジスタＱ５が接続されている。第２制御トランジスタＱ５のゲートには、第２制御信号線ＡＺ２が接続されている。

　図１２は図１１の画素回路１２を有する表示パネル２内の画素７のレイアウト図である。図１２には、横に２つの色画素７と、縦に２つの色画素７の計４つの色画素７の平面レイアウトが図示されている。図１２（ａ）はこれら色画素７のアノード電極１２ａより下方に配置される画素回路１２のレイアウト図、図１２（ｂ）はセンサ５と重ならない第３画素領域８のレイアウト図、図１２（ｃ）はセンサ５と重なる第１画素領域６のレイアウト図である。

　図１２（ａ）と図８（ａ）を比較すればわかるように、図１１の画素回路１２は、図７の画素回路１２よりも回路構成が複雑であるため、色画素７内のほぼ全域にわたって、画素回路１２内の配線パターン等が配置されている。

　図１２（ｂ）に示す第３画素領域８内の通常画素（色画素）７のレイアウトは、図８（ｂ）とほぼ同様であり、色画素７のほぼ全域が第３発光領域８ｂとして機能する。図１２（ｃ）に示す第１画素領域６内の透過画素（色画素）７は、図８（ｃ）と同様に、第１発光領域６ｂと第１非発光領域６ｃを有する。ただし、図８（ｃ）では第１非発光領域６ｃ内に画素回路１２の配線パターン等は配置されていなかったのに対して、図１２（ｃ）では、第１非発光領域６ｃ内に画素回路１２の配線パターン等が配置されている。第１非発光領域６ｃ内に画素回路１２の配線パターン等が配置されていたとしても、配線パターン等の隙間から可視光を透過させることができるため、第１非発光領域６ｃはセンサ５に光を入射させる透過窓６ｄとして機能する。

　上述したように、表示パネル２の真下にセンサ５を配置し、表示パネル２のセンサ５と重なる場所に図３に示すような第１画素領域６を設けた場合、第１画素領域６内の各画素７の第１発光領域６ｂは、第３画素領域８内の各通常画素７の第３発光領域８ｂよりも面積が小さくなる。このため、第１発光領域６ｂ内の単位面積当たりの電流は第３発光領域８ｂ内の単位面積当たりの電流よりも多くなり、劣化すなわち焼き付きが起きやすくなる。

　図１３は焼き付きを起こしていない表示パネル２を模式的に示す外観図、図１４は焼き付きを起こした表示パネル２を模式的に示す外観図である。図１３及び図１４における破線部分はセンサ５が真下に配置される第１画素領域６である。焼き付きが起きると、図１４に示すように、第１画素領域６は、その周囲の第３画素領域８よりも輝度が低下してしまい、表示パネル２の表示品質が低下する。このような焼き付きは、単位面積当たりの電流が大きい画素領域で起きやすくなる。

　図１５Ａは図１３の焼き付きを起こしていない表示パネル２内の各画素７の電流特性を示す図である。また、図１５Ｂは図１３の表示パネル２内のＯＬＥＤ２０の素子特性を示す図である。図１５Ａの横軸は画素７を流れる電流、縦軸は単位面積当たりの電流である。また、図１５Ｂの横軸は単位面積当たりの電流、縦軸は表示パネル２の輝度である。図１５Ａ及び図１５Ｂでは、第１画素領域６の面積を第３画素領域８の面積の半分にした例を示している。

　図１５Ａの波形ｗ１はセンサ５と重ならない第３画素領域８内の通常画素７の電流特性、波形ｗ２はセンサ５と重なる第１画素領域６内の透過画素７の電流特性を示している。センサ５と重なる第１画素領域６内の透過画素７は、第３画素領域８内の通常画素７に比べて発光面積が半分であるが、画素７全体に流れる電流が変わらないため、単位面積当たりの電流は２倍になる。

　図１５Ｂの波形ｗ３はセンサ５と重ならない第３画素領域８内のＯＬＥＤ２０の素子特性、波形ｗ４はセンサ５と重なる第１画素領域６内のＯＬＥＤ２０の素子特性を示している。センサ５と重なる第１画素領域６内の透過画素７は、第３画素領域８内の通常画素７に比べて、発光面積は半分である一方で、単位面積当たりの電流は２倍であるため、劣化が起きていない状態では輝度は同じになる。

　図１６Ａは図１４の焼き付きを起こした表示パネル２内の各画素７の電流特性を示す図である。また、図１６Ｂは図１４の表示パネル２内のＯＬＥＤ２０の素子特性を示す図である。図１６Ａの横軸は画素７を流れる電流、縦軸は単位面積当たりの電流である。また、図１６Ｂの横軸は単位面積当たりの電流、縦軸は表示パネル２の輝度である。図１６Ａ及び図１６Ｂは、第１画素領域６の面積を第３画素領域８の面積の半分にした例を示している。

　図１６Ａの波形ｗ５はセンサ５と重ならない第３画素領域８内の通常画素７の電流特性、波形ｗ６はセンサ５と重なる第１画素領域６内の透過画素７の電流特性を示している。センサ５と重なる第１画素領域６内の透過画素７は、第３画素領域８内の通常画素７に比べて発光面積が半分であるが、画素７全体に流れる電流が変わらないため、図１５Ａと同様に単位面積当たりの電流は２倍になる。

　図１６Ｂの波形ｗ７はセンサ５と重ならない第３画素領域８内の劣化後のＯＬＥＤ２０の素子特性、波形ｗ８はセンサ５と重なる第１画素領域６内の劣化後のＯＬＥＤ２０の素子特性を示している。波形ｗ７は波形ｗ３に比べて、傾きが緩やかになる。同様に、波形ｗ８は波形ｗ４に比べて、傾きが緩やかになる。波形ｗ７、ｗ８の傾きが緩やかになるのは、画素７が劣化すなわち焼き付きを起こしたためであり、ＯＬＥＤ２０に同一の電流を流しても、輝度が低下するためである。なお、波形ｗ７とｗ８の傾きを比較すると、波形ｗ８の方が傾きが緩やかになる程度が大きい。これは、画素７の輝度が同一の条件下では、画素７内の発光面積が小さいほど、単位面積当たりの電流が多くなり、ＯＬＥＤ２０の劣化すなわち焼き付きがより促進し、輝度がより低下するためである。

　このように、単位面積当たりの電流が大きい画素７は、単位面積当たりの電流が小さい画素７よりも劣化が生じやすい。このため、画素７内に透過窓６ｄを設けたために発光面積が小さくなる画素７については、劣化が生じやすいため、輝度低下が起こりやすくなる。表示パネル２内の一部の画素領域だけが輝度低下を起こすと、表示品質が低下してしまう。そこで、以下に説明する第１の実施形態による画像表示装置１では、劣化による輝度低下が目立たないような対策を行う。

　（第１の実施形態）
　図１７は第１の実施形態による画像表示装置１内の画素７の構造を模式的に示す図である。本実施形態による画像表示装置１内の表示パネル２の真下にはイメージセンサモジュール９等のセンサ５が配置されている。表示パネル２は、第１画素領域６と、第２画素領域１１と、第３画素領域８とを有する。第１画素領域６は、発光するとともに可視光を透過させる画素（透過画素）７を有する。第２画素領域１１は、第１画素領域６の周囲に配置され、第１画素領域６の発光面積よりも大きい面積で発光する画素７を有する。第３画素領域８は、第２画素領域１１の周囲に配置され、第２画素領域１１の発光面積よりも大きい面積で発光する画素（通常画素）７を有する。

　第１～第３画素領域６、１１、８の発光面積は、第１画素領域６、第２画素領域１１、及び第３画素領域８の順に大きくなる。第１画素領域６は、センサ５の真上に配置される。第２画素領域１１は、第１画素領域６に接する場所から、第１画素領域６の外側に配置される。第３画素領域８は、第２画素領域１１に接する場所から外側に配置される。第１～第３画素領域６、１１、８が同心状の円形である場合、第１画素領域６の外径よりも第２画素領域１１の外径は大きく、第２画素領域１１の外周縁の外側に第３画素領域８が配置されている。なお、第１～第３画素領域６、１１、８の外形形状は任意であるが、本明細書では、円形又は矩形である例を主に説明する。第２画素領域１１は、所定の発光面積から連続的又は段階的に小さくなる発光面積を有する複数の画素を有していてもよい。

　図１７の破線部はセンサ５の外周縁を示している。図１７の例では、センサ５の外周縁と同じ径、あるいは若干大きい径の範囲内に第１画素領域６が設けられている。また、第１画素領域６の外周縁から、第１画素領域６と同心円で第１画素領域６よりも大きい外周縁までの範囲内に第２画素領域１１が設けられている。また、第２画素領域１１に接する場所から外側には第３画素領域８が設けられている。

　図１８Ａは図１７の表示パネル２内の画素７の電流特性を示す図、図１８Ｂは図１７の表示パネル２内のＯＬＥＤ２０の素子特性を示す図である。図１８Ａの横軸は画素７の電流、縦軸は単位面積当たりの電流である。図１８Ｂの横軸は単位面積当たりの電流、縦軸は表示パネル２の輝度である。

　図１８Ａ及び図１８Ｂは、具体的な一例として、第３画素領域８の発光面積を１、第２画素領域１１の発光面積は３／４、第３画素領域８の発光面積は１／２としている。図１８Ａにおける波形ｗ１１は第３画素領域８内の通常画素７の電流特性、波形ｗ１２は第２画素領域１１内の画素７の電流特性、波形ｗ１３は第１画素領域６内の透過画素７の電流特性を示している。波形ｗ１１～ｗ１３からわかるように、第３画素領域８における単位面積当たりの電流を１倍とすると、第２画素領域１１における単位面積当たりの電流は４／３倍、第３画素領域８における単位面積当たりの電流は２倍になる。

　図１８Ｂにおける波形ｗ１４は第３画素領域８のＯＬＥＤ２０の素子特性、波形ｗ１５は第２画素領域１１のＯＬＥＤ２０の素子特性、波形ｗ１６は第１画素領域６のＯＬＥＤ２０の素子特性を示している。波形ｗ１４に示すように、第３画素領域８は、発光面積が１で、単位面積当たりの電流は１倍である。また、波形ｗ１５に示すように、第２画素領域１１は、発光面積が３／４で、単位面積当たりの電流は４／３倍である。また、波形ｗ１６に示すように、第１画素領域６は、発光面積が１／２で、単位面積当たりの電流は２倍である。よって、第１～第３画素領域６、１１、８の輝度は等しくなる。

　図１９は第１の実施形態による画像表示装置１内の表示パネル２の模式的な外観図、図２０は図１９の表示パネル２の平面レイアウト図である。図１９の表示パネル２は、第１画素領域６、第２画素領域１１、及び第３画素領域８を有する。図１９の表示パネル２の真下には、１つのセンサ５が配置されているが、図２Ａ又は図２Ｂに示すように、表示パネル２の真下に複数のセンサ５を配置してもよい。センサ５の外周縁と第１～第３画素領域６、１１、８の外周縁はいずれも中心位置を共通とする円形であり、センサ５の外径よりも第１画素領域６の外径が大きく、第１画素領域６の外径よりも第２画素領域１１の外径が大きく、第２画素領域１１の外周縁の外側に第３画素領域８が配置されている。

　図２０（ａ）は第３画素領域８内の各画素７の平面レイアウトを示している。第３画素領域８内の各通常画素７のほぼ全域が第３発光領域８ｂである。

　図２０（ｂ）は第２画素領域１１内の各画素７の平面レイアウトを示している。第２画素領域１１内の画素７は、第２自発光素子１１ａ、第２発光領域１１ｂ、及び第２非発光領域１１ｃを有する。第２発光領域１１ｂは、第３画素領域８内の第３発光領域８ｂの面積よりは小さく、かつ第１画素領域６内の第１発光領域６ｂの面積よりは大きい。第２画素領域１１内の第２非発光領域１１ｃは、透過窓６ｄを備えておらず、可視光を透過することができない領域である。

　図２０（ｃ）は第１画素領域６内の各透過画素７の平面レイアウトを示している。第１画素領域６内の透過画素７は、第１自発光素子６ａ、第１発光領域６ｂ、及び第１非発光領域６ｃを有する。第１発光領域６ｂの面積は、第２画素領域１１内の第２発光領域１１ｂと第３画素領域８内の第３発光領域の面積よりも小さい。第１非発光領域６ｃには、透過窓６ｄが設けられており、可視光を透過させることができる。図２０（ｃ）の例では、透過窓６ｄの部分に画素回路１２の配線パターン等が配置されていない。このため、透過窓６ｄに入射された光は、画素回路１２で遮られることなく、センサ５に入射される。

　図１９及び図２０は表示パネル２の一例であり、種々の変形例が考えられる。図２１は第１の実施形態による表示パネル２の第１変形例の平面図、図２２は第１変形例の平面レイアウト図である。

　図２１は第１画素領域６の外径よりもセンサ５の外径が大きい点で図１９と相違している。すなわち、図２１では、第１画素領域６の外径よりもセンサ５の外径が大きく、センサ５の外径よりも第２画素領域１１の外径が大きく、第２画素領域１１の外周縁の外側に第３画素領域８が配置されている。
　図２１の場合、第１画素領域６の外径よりもセンサ５の外径が大きいため、第２画素領域１１が光を通さないとすると、センサ５の画角の範囲内からの光の一部がセンサ５に入射されなくなるおそれがある。そこで、図２２（ｂ）に示すように、第２画素領域１１内の第２非発光領域１１ｃに透過窓（第２透過窓）１１ｄを設けて、光を透過させるようにしている。この点で、図２０（ｂ）とは異なる。図２２（ａ）の第１画素領域６及び図２２（ｃ）の第３画素領域８は、図２０（ａ）の第１画素領域６及び図２０（ｃ）の第３画素領域８と同様の構造である。

　図２３は第１の実施形態による表示パネル２の第２変形例の平面図、図２４は第２変形例の平面レイアウト図である。第２変形例は、図１９と同様に、センサ５の外径よりも第１画素領域６の外径が大きく、第１画素領域６の外径よりも第２画素領域１１の外径が大きく、第２画素領域１１の外周縁の外側に第３画素領域８が配置されている。第２変形例では、図２４（ａ）に示すように、第１画素領域６内の第１非発光領域６ｃには透過窓６ｄが設けられているが、透過窓６ｄ内に画素回路１２の配線パターン等が配置されている点で図２０（ａ）とは相違している。第２変形例では、センサ５の真上に位置する第１画素領域６内の透過窓６ｄ内に画素回路１２の配線パターン等が配置されており、センサ５に入射される光の光量が図１９の表示パネル２よりも少なくなるが、センサ５を正常に動作させることは可能である。

　図２５は第１の実施形態による表示パネル２の第３変形例の平面図、図２６は第３変形例の平面レイアウト図である。第３変形例は、図２１と同様に、第１画素領域６の外径よりもセンサ５の外径が大きく、センサ５の外径よりも第２画素領域１１の外径が大きく、第２画素領域１１の外周縁の外側に第３画素領域８が配置されている。第３変形例では、図２６（ａ）に示すように、第１画素領域６内の第２非発光領域１１ｃに透過窓６ｄが設けられ、かつ図２６（ｂ）に示すように、第２画素領域１１内の第２非発光領域１１ｃにも透過窓１１ｄが設けられている。これら透過窓６ｄ、１１ｄ内には画素回路１２の配線パターン等が配置されている点で、図２２（ａ）の第１画素領域６及び図２２（ｂ）の第２画素領域１１とは相違している。図２５の表示パネル２は、透過窓６ｄ、１１ｄ内に配線パターン等が存在するため、センサ５の入射光量が図２１の表示パネル２よりも少なくなるが、センサ５を正常に動作させることは可能である。

　（画素配置）
　図１７に示すように、本実施形態では、表示パネル２内に第１～第３画素領域６、１１、８を有する。第１画素領域６はセンサ５と重なる領域であり、第２画素領域１１は第１画素領域６に接して第１画素領域６の外側に配置される領域であり、第３画素領域８は第２画素領域１１に接して第２画素領域１１の外側に配置される領域である。第１～第３画素領域６、１１、８内の画素配置には複数通りが考えられる。以下、代表的な画素配置を順に説明する。

　図２７は第１～第３画素領域６、１１、８内の画素配置の第１例を示す図である。図２７では、第１及び第２画素領域６、１１を矩形状にする例を示しているが、第１～第３画素領域６、１１、８の形状は任意であり、図１９等に示したように円形であってもよい。第２画素領域１１は、第１画素領域６の外縁部から外側に、上下左右に同じ画素幅で配置されている。

　図２７における第１画素領域６内の各画素７は、第１発光領域６ｂと第１非発光領域６ｃとを有する。図２７では、第１発光領域６ｂは光を透過させないことから、「非」と表記している。また、第１画素領域６内の第１非発光領域６ｃは、透過窓６ｄを有することから、「窓」と表記している。第１画素領域６は、おおむねセンサ５の真上に位置するため、第１画素領域６内の各画素７は、同じサイズの透過窓６ｄを有する。

　図２７に示すように、第１画素領域６の外縁部から外側に、所定の画素幅の第２画素領域１１が配置されている。第２画素領域１１は、第２発光領域１１ｂと第２非発光領域１１ｃとを有する。第２画素領域１１内の第２発光領域１１ｂの発光面積は、第１画素領域６内の第１発光領域６ｂの発光面積よりも大きくしている。図２７の例では、第２画素領域１１内の第２非発光領域１１ｃは、透過窓１１ｄを有する。透過窓１１ｄのサイズは、透過窓６ｄより小さい。第２画素領域１１内の透過窓１１ｄを透過した光は、センサ５に入射可能となる。なお、第２画素領域１１内の第２非発光領域１１ｃに透過窓１１ｄを設けることは必須ではない。図２０（ｂ）の第２画素領域１１のように、透過窓１１ｄを設けないようにしてもよい。

　図２７に示すように、第２発光領域１１ｂの外縁部から外側には第３画素領域８が配置されている。第３画素領域８は、表示パネル２内の第１画素領域６及び第２画素領域１１を除く全域に配置されている。第３画素領域８内の各画素（通常画素）７は、第３発光領域８ｂを備えているものの、非発光領域は備えていない。よって、第３画素領域８内の各画素７は、各画素７内のほぼ全域で光を発光する。

　図２７からわかるように、第１～第３画素領域６、１１、８内の各画素７の発光面積は、第３画素領域８、第２画素領域１１、第１画素領域６の順に小さくなる。表示パネル２が焼き付きを起こしていない状態では、第１～第３画素領域６、１１、８内の各画素７は、単位面積当たりの電流を相違させることで、ほぼ同一の輝度で発光するが、劣化が進むに従って、発光面積がより小さい画素領域の輝度が低下する。具体的には、発光面積が最も小さい第１画素領域６内の各画素７の輝度が最も低下し、第３画素領域８内の各画素７の輝度との差が人間の目に視認されるおそれがある。しかしながら、図２７では、第１画素領域６と第３画素領域８の間に第２画素領域１１を配置し、第２画素領域１１内の各画素７の発光面積を第１画素領域６内の各画素７の発光面積よりも大きくし、かつ第３画素領域８内の各画素７の発光面積よりも小さくするため、第２画素領域１１内の劣化による輝度低下は、第１画素領域６内の劣化による輝度低下よりも少なくなる。よって、第２画素領域１１を設けることで、段階的に輝度低下が生じるようになり、表示パネル２の全域での第１画素領域６の劣化による輝度低下が目立ちにくくなる。なお、画素内の素子・配線・アノードのレイアウト効率重視で、開口率優先とすると図２７のように画素領域６，１１で発光領域が画素内で例えば上辺に偏りをもったレイアウトになる。しかし、画質重視で各画素の発光位置の重心をあわせるには画素領域６，１１で発光領域は画素の中心にレイアウトするのがよい。画素が視認できないほどの狭ピッチパネルの場合は気にならないが、画素が視認できる広ピッチパネルの場合は画質重視で各画素の発光位置の重心をあわせることを推奨する。目安としては２２０ｐｐｉよりも広いと画素が視認できる。

　図２８は図２７の一比較例による画素配置を示す図である。図２８は、図２７から第２画素領域１１を省略したものである。この場合、第１画素領域６が第３画素領域８に隣接して配置されることになり、第１画素領域６内の各画素７の劣化による輝度低下が目立ちやすくなる。

　図２９は第１～第３画素領域６、１１、８内の画素配置の第２例を示す図である。図２７の表示パネル２は、発光面積が異なる３種類の画素領域（第１～第３画素領域６、１１、８）を備えているが、発光面積がそれぞれ異なる４種類以上の画素領域を表示パネル２に設けてもよい。

　図２９では、第２画素領域１１が、発光面積が互いに異なる第２ａ画素領域１１ｅと、第２ｂ画素領域１１ｆとを有する例を示している。第２ａ画素領域１１ｅは、第１画素領域６の外縁部から外側に配置されており、第２ａ発光領域１１ｂ１と、第２ａ非発光領域１１ｃ１とを有する。第２ｂ画素領域１１ｆは、第２ａ画素領域１１ｅの外縁部から外側に配置されており、第２ｂ発光領域１１ｂ２と、第２ｂ非発光領域１１ｃ２とを有する。第２ａ発光領域１１ｂ１の発光面積は、第１発光領域６ｂの発光面積よりは大きく、かつ第２ｂ発光領域１１ｂ２の発光面積よりも小さい。

　図２９の表示パネル２は、発光面積が異なる３種類の画素領域（第１、第２ａ、第２ｂ画素領域６、１１ｅ、１１ｆ）を備えているため、発光面積が大きい順に劣化による輝度低下の度合いが高くなる。よって、第１画素領域６での劣化による輝度低下が図２７よりもさらに目立ちにくくなる。

　図２９の表示パネル２のさらなる変形例として、発光面積の異なる４種類以上の画素領域を設けてもよい。発光面積がそれぞれ異なる画素領域の種類を増やすほど、第１画素領域６での劣化による輝度低下がより目立ちにくくなる。

　図３０は第１～第３画素領域６、１１、８内の画素配置の第３例を示す図である。ＲＧＢの色画素７のうち、青（Ｂ）の色画素７は他の色の色画素７よりも劣化による輝度低下を起こしやすい。そこで、図３０は、青の色画素７には非発光領域を設けずに、全域を発光領域とする例を示している。

　図３０の第１画素領域６内の色画素７のうち、赤と緑の色画素７は、第１発光領域６ｂと第１非発光領域６ｃを有するのに対して、青の色画素７については、その全域が発光領域であり、第１非発光領域６ｃは設けられていない。同様に、第２画素領域１１内の色画素７のうち、赤と緑の色画素７は、第２発光領域１１ｂと第２非発光領域１１ｃを有するのに対して、青の色画素７については、その全域が発光領域であり、第２非発光領域１１ｃは設けられていない。

　図３０の表示パネル２では、青の色画素７については、光を透過させることができないが、他の色の色画素７内の透過窓６ｄを通して光を透過させることができるため、センサ５に入射される光量が多少減るものの、センサ５を正常に動作させることができる。

　図３１は第１～第３画素領域６、１１、８内の画素配置の第４例を示す図である。表示パネル２内にＲＧＢの３色以外の色の色画素７を設ける場合がある。図３１の表示パネル２は、ＲＧＢの３色以外に、白（Ｗ）の色画素７を有する。白の色画素７は本来的にはなくても、カラー表示を実現できるため、図３１の表示パネル２では、センサ５の真上に位置する第１画素領域６内の白の色画素７すべてを透過窓６ｄにしている。そして、第１画素領域６内のＲＧＢの色画素７については、全域を第１発光領域６ｂとし、第１非発光領域６ｃと透過窓６ｄを設けていない。また、第２画素領域１１内の白の色画素７については、第２発光領域１１ｂと第２非発光領域１１ｃを設けて、第２非発光領域１１ｃに透過窓６ｄを設けている。なお、第２画素領域１１内の第２非発光領域１１ｃには透過窓６ｄを設けなくてもよい。

　図３１の表示パネル２では、第１画素領域６と第２画素領域１１内の赤と緑の色画素７については変更しなくて済み、また、第１画素領域６内の白の色画素７の全域を透過窓６ｄに置換すればよいため、画素設計が容易になる。

　このように、第１の実施形態では、表示パネル２の真下にセンサ５を配置する際、表示パネル２のセンサ５に重なる位置に第１画素領域６を設け、第１画素領域６の外縁部から外側に第２画素領域１１を設け、第２画素領域１１の外縁部から外側に第３画素領域８を設ける。そして、第２画素領域１１の発光面積を第１画素領域６の発光面積よりも大きくし、かつ第３画素領域８の発光面積を第２画素領域１１の発光面積よりも大きくする。各画素７内の発光面積により、各画素７のＯＬＥＤ２０を流れる単位面積当たりの電流が異なり、発光面積が小さいほど劣化による輝度低下が起きやすくなる。本実施形態では、劣化による輝度低下が最も起きやすい第１画素領域６と、画素７内の全域で発光する第３画素領域８との間に、第１画素領域６よりも発光面積が大きくて、かつ第３画素領域８よりも発光面積が小さい第２画素領域１１を設けるため、劣化による輝度低下が第１画素領域６、第２画素領域１１、及び第３画素領域８の順に起こりやすくなり、表示パネル２の全体では、輝度低下が急激に生じる画素境界が存在しなくなるため、第１画素領域６の劣化による輝度低下が目立ちにくくなる。

　（第２の実施形態）
　第１の実施形態では、発光面積が異なる複数の画素領域を設けることで、劣化による輝度低下の度合いが徐々に変化するようにして、輝度低下が目立たないようにした。これに対して、第２の実施形態による画像表示装置１では、劣化による輝度低下を直接的に抑制するものである。

　図３２Ａは画素７の電流特性を示す図、図３２Ｂは画素回路１２内のＯＬＥＤ２０の素子特性を示す図である。図３２Ａの波形ｗ２１は発光面積が１倍の画素７の電流特性、波形ｗ２２は発光面積が１／２倍の電流特性を示している。図３２Ａの横軸は画素７の電流、縦軸は単位面積当たりの電流である。発光面積が１／２倍になると、単位面積当たりの電流が多くなるため、波形ｗ２２の傾きは波形ｗ２１の傾きよりも大きくなる。

　図３２Ｂの波形ｗ２３は発光面積が１／２倍で、かつ光取り出し効率が２倍の素子特性、波形ｗ２４は発光面積が１倍で、かつ光取り出し効率が１倍の素子特性である。図３２Ｂの横軸は単位面積当たりの電流、縦軸は輝度である。図３２Ｂの波形ｗ２３とｗ２４は、ほぼ同じ傾きになる。これはすなわち、発光面積が１／２倍であっても、光取り出し効率が２倍になれば、発光面積が１倍かつ光取り出し効率が１倍の画素７と同程度の劣化特性が得られることを意味する。なお、画素としての光取り出し効率が１～２倍の間となることを考慮すると、図２０、図２２と同様に発光面積を段階的に変化させる対策が有効である。

　図３３は第２の実施形態による表示パネル２の平面図である。図３３の表示パネル２は、センサ５の外縁部よりも外側に第１画素領域６の外縁部があり、第１画素領域６の外縁部から外側に第３画素領域８がある。

　図３４は図３３の表示パネル２の画素レイアウト図である。図３４（ａ）は第３画素領域８、図３４（ｂ）は第１画素領域６の画素レイアウトを示している。図３４（ｃ）は図３４（ｂ）の一変形例による第１画素領域６である。

　第１の実施形態による表示パネル２が備えていた第２画素領域１１は、図３３及び図３４に示す表示パネル２には存在しない。

　第１画素領域６は、第１発光領域６ｂと第１非発光領域６ｃとを有する。図３４（ｂ）の例では、第１非発光領域６ｃ内に透過窓６ｄが存在するが、透過窓６ｄは必須ではない。第１発光領域６ｂは、複数の反射部材１３を有する。複数の反射部材１３は、アノード電極層３８に近接して配置されており、アノード電極層３８とカソード電極層３９で挟まれた表示層２ａから発光された光を反射又は散乱させて光の取り出し効率を向上させる。図３４（ｂ）の第１発光領域６ｂ内の各反射部材１３は平面形状及びサイズが同一の例を示しているのに対して、図３４（ｃ）の第１発光領域６ｂ内の各反射部材１３は平面形状及びサイズが不均一すなわちランダムの例を示している。図３４（ｃ）の場合、各反射部材１３ごとに光の反射方向又は散乱方向がランダムになるため、画素７内の第１発光領域６ｂの全域から均一な光を出射できる。

　センサ５の真上に位置する第１画素領域６は、単位面積当たりの電流が大きくなるため、劣化が促進されて輝度低下が生じやすくなるが、図３４（ｂ）のように、第１画素領域６内に複数の反射部材１３を設けることで、ＯＬＥＤ２０から発光された光の取り出し効率を向上できるため、その分、ＯＬＥＤ２０に流す電流を減らすことができ、結果として、単位面積当たりの電流を抑制でき、劣化が起きにくくなって、輝度低下も生じにくくなる。

　図３３及び図３４の表示パネル２は、第１の実施形態による表示パネル２が備えていた第２画素領域１１を備えていないが、第２画素領域１１を備えつつ、光の取り出し効率を向上させた表示パネル２も考えられる。

　図３５は図３３の一変形例による表示パネル２の平面図である。図３５の表示パネル２は、センサ５の外縁部よりも外側に第１画素領域６の外縁部があり、第１画素領域６の外縁部よりも外側に第２画素領域１１の外縁部があり、第２画素領域１１の外縁部よりも外側に第３画素領域８が存在する。このように、図３５の表示パネル２は、第１の実施形態による表示パネル２と同様に、第１～第３画素領域６、１１、８を備えている。

　図３６は図３５の表示パネル２の画素レイアウト図である。図３６（ａ）は第３画素領域８、図３６（ｂ）は第２画素領域１１、図３６（ｃ）は第１画素領域６の画素レイアウトを示している。第３画素領域８は、画素７のほぼ全域が発光領域である。第１画素領域６は、第１発光領域６ｂと第１非発光領域６ｃを有する。第２画素領域１１は、第２発光領域１１ｂと第２非発光領域１１ｃを有する。第２発光領域１１ｂの発光面積は、第１発光領域６ｂの発光面積よりも大きい。このため、第１発光領域６ｂの単位面積当たりの電流は、第２発光領域１１ｂの単位面積当たりの電流よりも多くなる。図３６（ｃ）の第１画素領域６内の第１非発光領域６ｃと図３６（ｂ）の第２画素領域１１内の第２非発光領域１１ｃは、透過窓６ｄを備えていないが、透過窓６ｄを備えていてもよい。

　図３５及び図３６の表示パネル２は、第１発光領域６ｂと第２発光領域１１ｂ内に複数の反射部材１３を有するため、光取り出し効率を向上でき、その分、単位面積当たりの電流を減らしても輝度を確保できる。よって、単位面積当たりの電流を減らすことで、劣化による輝度低下が起きにくくすることができる。

　図３７は図３４及び図３６における複数の反射部材１３を有する表示パネル２の断面図である。複数の反射部材１３は、アノード電極層と、表示層と、カソード電極層とを含む積層体を凹凸構造にすることで形成可能である。凹凸構造の凸部は、テーパ状の側壁を有する。表示層から発光された光は、凸部の側壁部分で反射又は散乱されて、表示パネル２の表示面の法線方向に進行する。凸部の数を増やすことで、光取り出し効率を向上できる。また、隣接する凸部間の距離を不規則にすることで、図３４（ｃ）のような不規則形状の反射部材１３を形成可能である。

　このように、第２の実施形態による表示パネル２は、センサ５の真上に位置する第１画素領域６の光取り出し効率を向上させるため、焼き付きが起きにくくなり、劣化による輝度低下を抑制できる。よって、必ずしも輝度を段階的に低下させる第２画素領域１１を設けなくて済む。

　（本開示による画像表示装置１及び電子機器５０の適用例）
　（第１適用例）
　本開示による画像表示装置１及び電子機器５０は、種々の用途に用いることができる。図３８Ａ及び図３８Ｂは本開示による画像表示装置１を備えた電子機器５０の第１適用例である乗物１００の内部の構成を示す図である。図３８Ａは乗物１００の後方から前方にかけての乗物１００の内部の様子を示す図、図３８Ｂは乗物１００の斜め後方から斜め前方にかけての乗物１００の内部の様子を示す図である。

　図３８Ａ及び図３８Ｂの乗物１００は、センターディスプレイ１０１と、コンソールディスプレイ１０２と、ヘッドアップディスプレイ１０３と、デジタルリアミラー１０４と、ステアリングホイールディスプレイ１０５と、リアエンタテイメントディスプレイ１０６とを有する。

　センターディスプレイ１０１は、ダッシュボード１０７上の運転席１０８及び助手席１０９に対向する場所に配置されている。図３８では、運転席１０８側から助手席１０９側まで延びる横長形状のセンターディスプレイ１０１の例を示すが、センターディスプレイ１０１の画面サイズや配置場所は任意である。センターディスプレイ１０１には、種々のセンサ５で検知された情報を表示可能である。具体的な一例として、センターディスプレイ１０１には、イメージセンサで撮影した撮影画像、ＴｏＦセンサ５で計測された乗物前方や側方の障害物までの距離画像、赤外線センサ５で検出された乗客の体温などを表示可能である。センターディスプレイ１０１は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、及びエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。

　安全関連情報は、居眠り検知、よそ見検知、同乗している子供のいたずら検知、シートベルト装着有無、乗員の置き去り検知などの情報であり、例えばセンターディスプレイ１０１の裏面側に重ねて配置されたセンサ５にて検知される情報である。操作関連情報は、センサ５を用いて乗員の操作に関するジェスチャを検知する。検知されるジェスチャは、乗物１００内の種々の設備の操作を含んでいてもよい。例えば、空調設備、ナビゲーション装置、ＡＶ装置、照明装置等の操作を検知する。ライフログは、乗員全員のライフログを含む。例えば、ライフログは、乗車中の各乗員の行動記録を含む。ライフログを取得及び保存することで、事故時に乗員がどのような状態であったかを確認できる。健康関連情報は、温度センサ５を用いて乗員の体温を検知し、検知した体温に基づいて乗員の健康状態を推測する。あるいは、イメージセンサを用いて乗員の顔を撮像し、撮像した顔の表情から乗員の健康状態を推測してもよい。さらに、乗員に対して自動音声で会話を行って、乗員の回答内容に基づいて乗員の健康状態を推測してもよい。認証／識別関連情報は、センサ５を用いて顔認証を行うキーレスエントリ機能や、顔識別でシート高さや位置の自動調整機能などを含む。エンタテイメント関連情報は、センサ５を用いて乗員によるＡＶ装置の操作情報を検出する機能や、センサ５で乗員の顔を認識して、乗員に適したコンテンツをＡＶ装置にて提供する機能などを含む。

　コンソールディスプレイ１０２は、例えばライフログ情報の表示に用いることができる。コンソールディスプレイ１０２は、運転席１０８と助手席１０９の間のセンターコンソール１１０のシフトレバー１１１の近くに配置されている。コンソールディスプレイ１０２にも、種々のセンサ５で検知された情報を表示可能である。また、コンソールディスプレイ１０２には、イメージセンサで撮像された車両周辺の画像を表示してもよいし、車両周辺の障害物までの距離画像を表示してもよい。

　ヘッドアップディスプレイ１０３は、運転席１０８の前方のフロントガラス１１２の奥に仮想的に表示される。ヘッドアップディスプレイ１０３は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、及びエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。ヘッドアップディスプレイ１０３は、運転席１０８の正面に仮想的に配置されることが多いため、乗物１００の速度や燃料（バッテリ）残量などの乗物１００の操作に直接関連する情報を表示するのに適している。

　デジタルリアミラー１０４は、乗物１００の後方を表示できるだけでなく、後部座席の乗員の様子も表示できるため、デジタルリアミラー１０４の裏面側に重ねてセンサ５を配置することで、例えばライフログ情報の表示に用いることができる。

　ステアリングホイールディスプレイ１０５は、乗物１００のハンドル１１３の中心付近に配置されている。ステアリングホイールディスプレイ１０５は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、及びエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。特に、ステアリングホイールディスプレイ１０５は、運転者の手の近くにあるため、運転者の体温等のライフログ情報を表示したり、ＡＶ装置や空調設備等の操作に関する情報などを表示するのに適している。

　リアエンタテイメントディスプレイ１０６は、運転席１０８や助手席１０９の背面側に取り付けられており、後部座席の乗員が視聴するためのものである。リアエンタテイメントディスプレイ１０６は、例えば、安全関連情報、操作関連情報、ライフログ、健康関連情報、認証／識別関連情報、及びエンタテイメント関連情報の少なくとも一つを表示するために用いることができる。特に、リアエンタテイメントディスプレイ１０６は、後部座席の乗員の目の前にあるため、後部座席の乗員に関連する情報が表示される。例えば、ＡＶ装置や空調設備の操作に関する情報を表示したり、後部座席の乗員の体温等を温度センサ５で計測した結果を表示してもよい。

　上述したように、画像表示装置１の裏面側に重ねてセンサ５を配置することで、周囲に存在する物体までの距離を計測することができる。光学的な距離計測の手法には、大きく分けて、受動型と能動型がある。受動型は、センサ５から物体に光を投光せずに、物体からの光を受光して距離計測を行うものである。受動型には、レンズ焦点法、ステレオ法、及び単眼視法などがある。能動型は、物体に光を投光して、物体からの反射光をセンサ５で受光して距離計測を行うものである。能動型には、光レーダ方式、アクティブステレオ方式、照度差ステレオ法、モアレトポグラフィ法、干渉法などがある。本開示による画像表示装置１は、これらのどの方式の距離計測にも適用可能である。本開示による画像表示装置１の裏面側に重ねて配置されるセンサ５を用いることで、上述した受動型又は能動型の距離計測を行うことができる。

　（第２適用例）
　本開示による画像表示装置１は、乗物で用いられる種々のディスプレイに適用されるだけでなく、種々の電子機器５０に搭載されるディスプレイにも適用可能である。

　図３９Ａは電子機器５０の第２適用例であるデジタルカメラ１２０の正面図、図３９Ｂはデジタルカメラ１２０の背面図である。図３９Ａ及び図３９Ｂのデジタルカメラ１２０は、レンズ１２１を交換可能な一眼レフカメラの例を示しているが、レンズ１２１を交換できないカメラにも適用可能である。

　図３９Ａ及び図３９Ｂのカメラは、撮影者がカメラボディ１２２のグリップ１２３を把持した状態で電子ビューファインダ１２４を覗いて構図を決めて、焦点調節を行った状態でシャッタ１２５を押すと、カメラ内のメモリに撮影データが保存される。カメラの背面側には、図３９Ｂに示すように、撮影データ等やライブ画像等を表示するモニタ画面１２６と、電子ビューファインダ１２４とが設けられている。また、カメラの上面には、シャッタ速度や露出値などの設定情報を表示するサブ画面が設けられる場合もある。

　カメラに用いられるモニタ画面１２６、電子ビューファインダ１２４、サブ画面等の裏面側に重ねてセンサ５を配置することで、本開示による画像表示装置１として用いることができる。

　（第３適用例）
　本開示による画像表示装置１は、ヘッドマウントディスプレイ（以下、ＨＭＤと呼ぶ）にも適用可能である。ＨＭＤは、ＶＲ（Virtual Reality）、ＡＲ（Augmented Reality）、ＭＲ（Mixed Reality）、又はＳＲ（Substitutional Reality）等に利用されることができる。

　図４０Ａは電子機器５０の第３適用例であるＨＭＤ１３０の外観図である。図４０ＡのＨＭＤ１３０は、人間の目を覆うように装着するための装着部材１３１を有する。この装着部材１３１は例えば人間の耳に引っ掛けて固定される。ＨＭＤ１３０の内側には表示装置１３２が設けられており、ＨＭＤ１３０の装着者はこの表示装置１３２にて立体映像等を視認できる。ＨＭＤ１３０は例えば無線通信機能と加速度センサなどを備えており、装着者の姿勢やジェスチャなどに応じて、表示装置１３２に表示される立体映像等を切り換えることができる。

　また、ＨＭＤ１３０にカメラを設けて、装着者の周囲の画像を撮影し、カメラの撮影画像とコンピュータで生成した画像とを合成した画像を表示装置１３２で表示してもよい。例えば、ＨＭＤ１３０の装着者が視認する表示装置１３２の裏面側に重ねてカメラを配置して、このカメラで装着者の目の周辺を撮影し、その撮影画像をＨＭＤ１３０の外表面に設けた別のディスプレイに表示することで、装着者の周囲にいる人間は、装着者の顔の表情や目の動きをリアルタイムに把握可能となる。

　なお、ＨＭＤ１３０には種々のタイプが考えられる。例えば、図４０Ｂのように、本開示による画像表示装置１は、メガネ１３４に種々の情報を映し出すスマートグラス１３０ａにも適用可能である。図４０Ｂのスマートグラス１３０ａは、本体部１３５と、アーム部１３６と、鏡筒部１３７とを有する。本体部１３５はアーム部１３６に接続されている。本体部１３５は、メガネ１３４に着脱可能とされている。本体部１３５は、スマートグラス１３０ａの動作を制御するための制御基板や表示部を内蔵している。本体部１３５と鏡筒は、アーム部１３６を介して互いに連結されている。鏡筒部１３７は、本体部１３５からアーム部１３６を介して出射される画像光を、メガネ１３４のレンズ１３８側に出射する。この画像光は、レンズ１３８を通して人間の目に入る。図４０Ｂのスマートグラス１３０ａの装着者は、通常のメガネと同様に、周囲の状況だけでなく、鏡筒部１３７から出射された種々の情報を合わせて視認できる。

　（第４適用例）
　本開示による画像表示装置１は、テレビジョン装置（以下、ＴＶ）にも適用可能である。最近のＴＶは、小型化の観点及び意匠デザイン性の観点から、額縁をできるだけ小さくする傾向にある。このため、視聴者を撮影するカメラをＴＶに設ける場合には、ＴＶの表示パネル２の裏面側に重ねて配置するのが望ましい。

　図４１は電子機器５０の第４適用例であるＴＶ１４０の外観図である。図４１のＴＶ１４０は、額縁が極小化されており、正面側のほぼ全域が表示エリアとなっている。ＴＶ１４０には視聴者を撮影するためのカメラ等のセンサ５が内蔵されている。図４１のセンサ５は、表示パネル２内の一部（例えば破線箇所）の裏側に配置されている。センサ５は、イメージセンサモジュールでもよいし、顔認証用のセンサや距離計測用のセンサ、温度センサなど、種々のセンサが適用可能であり、複数種類のセンサをＴＶ１４０の表示パネル２の裏面側に配置してもよい。

　上述したように、本開示の画像表示装置１によれば、表示パネル２の裏面側に重ねてイメージセンサモジュール９を配置できるため、額縁にカメラ等を配置する必要がなくなり、ＴＶ１４０を小型化でき、かつ額縁により意匠デザインが損なわれるおそれもなくなる。

　（第５適用例）
　本開示による画像表示装置１は、スマートフォンや携帯電話にも適用可能である。図４２は電子機器５０の第５適用例であるスマートフォン１５０の外観図である。図４２の例では、電子機器５０の外形サイズの近くまで表示面２ｚが広がっており、表示面２ｚの周囲にあるベゼル２ｙの幅を数ｍｍ以下にしている。通常、ベゼル２ｙには、フロントカメラが搭載されることが多いが、図４２では、破線で示すように、表示面２ｚの例えば略中央部の裏面側にフロントカメラとして機能するイメージセンサモジュール９を配置している。このように、フロントカメラを表示面２ｚの裏面側に設けることで、ベゼル２ｙにフロントカメラを配置する必要がなくなり、ベゼル２ｙの幅を狭めることができる。

　なお、本技術は以下のような構成を取ることができる。
　（１）二次元状に配置される複数の画素を備え、
　前記複数の画素は、
　発光するとともに可視光を透過させる画素を有する第１画素領域と、
　前記第１画素領域の周囲に配置され、前記第１画素領域内の画素の発光面積よりも大きい面積で発光する画素を有する第２画素領域と、
　前記第２画素領域の周囲に配置され、前記第２画素領域内の画素の発光面積よりも大きい面積で発光する画素を有する第３画素領域と、を有する、画像表示装置。
　（２）前記第１画素領域内の画素は、
　所定の発光面積を有する第１発光領域と、
　可視光を透過させる第１透過窓を有する第１非発光領域と、を有し、
　前記第２画素領域内の画素は、前記所定の発光面積よりも大きい発光面積を有する第２発光領域を有し、
　前記第３画素領域内の画素は、前記第２発光領域の発光面積よりも大きい発光面積を有する第３発光領域を有する、（１）に記載の画像表示装置。
　（３）前記第２画素領域内の画素は、前記第１透過窓よりも小さい範囲内で可視光を透過させる第２透過窓を有する第２非発光領域を有する、（２）に記載の画像表示装置。
　（４）前記第２画素領域内の画素は、前記第２発光領域内に配置され、かつ前記第２非発光領域内に配置されない画素回路を有する、（３）に記載の画像表示装置。
　（５）前記第２画素領域内の画素は、前記第２発光領域内及び前記第２非発光領域内に配置される画素回路を有する、（３）に記載の画像表示装置。
　（６）前記第１画素領域内の画素及び前記第２画素領域内の画素は、それぞれ異なる色で発光する複数の色画素を有し、
　前記第１透過窓及び前記第２透過窓は、特定の色の色画素について設けられる、（３）乃至（５）のいずれか一項に記載の画像表示装置。
　（７）前記第１画素領域内の画素及び前記第２画素領域内の画素は、それぞれ異なる色で発光する複数の色画素を有し、
　前記第１画素領域内の特定の色の色画素については、前記第１発光領域が設けられずに、前記第１非発光領域が設けられ、前記特定の色以外の色画素については、前記第１非発光領域が設けられずに前記第１発光領域が設けられ、
　前記第２画素領域内の前記特定の色の色画素については、前記第２発光領域及び前記第２非発光領域が設けられ、
　前記第２画素領域内の前記特定の色以外の色の色画素については、前記第２非発光領域が設けられずに前記第２発光領域が設けられる、（３）乃至（５）のいずれか一項に記載の画像表示装置。
　（８）前記第２画素領域内の画素は、可視光を透過させない第２非発光領域を有する、（２）に記載の画像表示装置。
　（９）前記第２画素領域は、前記所定の発光面積から連続的又は段階的に小さくなる発光面積を有する複数の画素を有する、（２）乃至（８）のいずれか一項に記載の画像表示装置。
　（１０）前記第２発光領域内の画素は、自発光素子を有し、
　前記自発光素子は、
　光反射面を有する下部電極層と、
　前記下部電極層の上に配置される表示層と、
　前記表示層の上に配置される上部電極層と、を有する、（２）乃至（９）のいずれか一項に記載の画像表示装置。
　（１１）前記上部電極層及び前記表示層は、凹凸構造であり、
　前記凹凸構造の隣接する２つの凸部の間隔は不規則である、（１０）に記載の画像表示装置。
　（１２）前記第１画素領域及び前記第２画素領域を含む画素群が、画像表示領域内の複数箇所に離隔して配置され、複数箇所の前記画素群の周囲に前記第３画素領域が配置される、（１）乃至（１１）のいずれか一項に記載の画像表示装置。
　（１３）二次元状に配置される複数の画素を有する画像表示装置と、
　前記画像表示装置を通して入射される光を受光する受光装置と、を備え、
　前記画像表示装置は、
　二次元状に配置される複数の画素を備え、
　前記複数の画素は、
　発光するとともに可視光を透過させる画素を有する第１画素領域と、
　前記第１画素領域の周囲に配置され、前記第１画素領域内の画素の発光面積よりも大きい面積で発光する画素を有する第２画素領域と、
　前記第２画素領域の周囲に配置され、前記第２画素領域内の画素の発光面積よりも大きい面積で発光する画素を有する第３画素領域と、を有する、電子機器。
　（１４）前記受光装置は、前記第１画素領域を透過した光を受光する、（１３）に記載の電子機器。
　（１５）前記第１画素領域内の画素は、
　所定の発光面積を有する第１発光領域と、
　可視光を透過させる第１透過窓を有する第１非発光領域と、を有し、
　前記第２画素領域内の画素は、前記所定の発光面積よりも大きい発光面積を有する第２発光領域を有し、
　前記第３画素領域内の画素は、前記第２発光領域の発光面積よりも大きい発光面積を有する第３発光領域を有し、
　前記受光装置は、前記第１非発光領域を透過した光を受光する、（１４）記載の電子機器。
　（１６）前記第２画素領域内の画素は、前記第１透過窓よりも小さい範囲内で可視光を透過させる第２透過窓を有する第２非発光領域を有し、
　前記受光装置は、前記第１発光領域及び前記第２非発光領域を透過した光を受光する、（１５）に記載の電子機器。
　（１７）前記第２画素領域内の画素は、前記第２発光領域内に配置され、かつ前記第２非発光領域内に配置されない画素回路を有する、（１６）に記載の電子機器。
　（１８）前記第２画素領域内の画素は、前記第２発光領域内及び前記第２非発光領域内に配置される画素回路を有する、（１６）に記載の電子機器。
　（１９）前記第１画素領域内の画素及び前記第２画素領域内の画素は、それぞれ異なる色で発光する複数の色画素を有し、
　前記第１透過窓及び前記第２透過窓は、特定の色の色画素について設けられる、（１６）乃至（１８）のいずれか一項に記載の電子機器。
　（２０）前記受光装置は、前記第１非発光領域を通して入射された光を光電変換する撮像センサと、前記第１非発光領域を通して入射された光を受光して距離を計測する距離計測センサと、前記第１非発光領域を通して入射された光に基づいて温度を計測する温度センサと、の少なくとも一つを含む、（１５）乃至（１９）のいずれか一項に記載の電子機器。

　本開示の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形も含むものであり、本開示の効果も上述した内容に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本開示の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。

　１　画像表示装置、２　表示層、２　表示パネル、２ｂ　陽極、２ｃ　正孔注入層、２ｄ　正孔輸送層、２ｅ　発光層、２ｆ　電子輸送層、２ｇ　電子注入層、２ｈ　陰極、２ｙ　ベゼル、２ｚ　表示面、３　フレキシブル・プリント基板（ＦＰＣ）、４　チップ（ＣＯＦ）、５　センサ、６　第１画素領域、６ｂ　第１発光領域、６ｃ　第１非発光領域、６ｄ　透過窓（第１透過窓）、７　画素、８　第３画素領域、８ｂ　第３発光領域、９　イメージセンサモジュール、９ｂ　イメージセンサ、９ｃ　ＩＲカットフィルタ、９ｄ　レンズユニット、９ｅ　コイル、９ｆ　磁石、９ｇ　バネ、１０　被写体、１１　第２画素領域、１１ａ　第２自発光素子、１１ｂ　第２発光領域、１１ｂ１　第２ａ発光領域、１１ｂ２　第２ｂ発光領域、１１ｃ　第２非発光領域、１１ｃ１　第２ａ非発光領域、１１ｃ２　第２ｂ非発光領域、１１ｄ　透過窓（第２透過窓）、１１ｅ　第２ｂ画素領域、１１ｅ　第２ａ画素領域、１１ｆ　第２ｂ画素領域、１２　画素回路、１３　反射部材、３１　第１透明基板、３２　第１絶縁層、３３　第１配線層、３４　第２絶縁層、３５　第２配線層、３６　第３絶縁層、３６ｂ　コンタクト部材、３７　第４絶縁層、３８　アノード電極層、３９　カソード電極層、４０　第５絶縁層、４１　第２透明基板、４２　半導体層、５０　電子機器、１００　乗物、１０１　センターディスプレイ、１０２　コンソールディスプレイ、１０３　ヘッドアップディスプレイ、１０４　デジタルリアミラー、１０５　ステアリングホイールディスプレイ、１０６　リアエンタテイメントディスプレイ、１０７　ダッシュボード、１０８　運転席、１０９　助手席、１１０　センターコンソール、１１１　シフトレバー、１１２　フロントガラス、１１３　ハンドル、１２０　デジタルカメラ、１２１　レンズ、１２２　カメラボディ、１２３　グリップ、１２４　電子ビューファインダ、１２５　シャッタ、１２６　モニタ画面、１３０　スマートグラス、１３１　装着部材、１３２　表示装置、１３４　メガネ、１３５　本体部、１３６　アーム部、１３７　鏡筒部、１３８　レンズ、１５０　スマートフォン

Claims

　二次元状に配置される複数の画素を備え、
　前記複数の画素は、
　発光するとともに可視光を透過させる画素を有する第１画素領域と、
　前記第１画素領域の周囲に配置され、前記第１画素領域内の画素の発光面積よりも大きい面積で発光する画素を有する第２画素領域と、
　前記第２画素領域の周囲に配置され、前記第２画素領域内の画素の発光面積よりも大きい面積で発光する画素を有する第３画素領域と、を有する、画像表示装置。
　前記第１画素領域内の画素は、
　所定の発光面積を有する第１発光領域と、
　可視光を透過させる第１透過窓を有する第１非発光領域と、を有し、
　前記第２画素領域内の画素は、前記所定の発光面積よりも大きい発光面積を有する第２発光領域を有し、
　前記第３画素領域内の画素は、前記第２発光領域の発光面積よりも大きい発光面積を有する第３発光領域を有する、請求項１に記載の画像表示装置。
　前記第２画素領域内の画素は、前記第１透過窓よりも小さい範囲内で可視光を透過させる第２透過窓を有する第２非発光領域を有する、請求項２に記載の画像表示装置。
　前記第２画素領域内の画素は、前記第２発光領域内に配置され、かつ前記第２非発光領域内に配置されない画素回路を有する、請求項３に記載の画像表示装置。
　前記第２画素領域内の画素は、前記第２発光領域内及び前記第２非発光領域内に配置される画素回路を有する、請求項３に記載の画像表示装置。
　前記第１画素領域内の画素及び前記第２画素領域内の画素は、それぞれ異なる色で発光する複数の色画素を有し、
　前記第１透過窓及び前記第２透過窓は、特定の色の色画素について設けられる、請求項３に記載の画像表示装置。
　前記第１画素領域内の画素及び前記第２画素領域内の画素は、それぞれ異なる色で発光する複数の色画素を有し、
　前記第１画素領域内の特定の色の色画素については、前記第１発光領域が設けられずに、前記第１非発光領域が設けられ、前記特定の色以外の色画素については、前記第１非発光領域が設けられずに前記第１発光領域が設けられ、
　前記第２画素領域内の前記特定の色の色画素については、前記第２発光領域及び前記第２非発光領域が設けられ、
　前記第２画素領域内の前記特定の色以外の色の色画素については、前記第２非発光領域が設けられずに前記第２発光領域が設けられる、請求項３に記載の画像表示装置。
　前記第２画素領域内の画素は、可視光を透過させない第２非発光領域を有する、請求項２に記載の画像表示装置。
　前記第２画素領域は、前記所定の発光面積から連続的又は段階的に小さくなる発光面積を有する複数の画素を有する、請求項２に記載の画像表示装置。
　前記第２発光領域内の画素は、自発光素子を有し、
　前記自発光素子は、
　光反射面を有する下部電極層と、
　前記下部電極層の上に配置される表示層と、
　前記表示層の上に配置される上部電極層と、を有する、請求項２に記載の画像表示装置。
　前記上部電極層及び前記表示層は、凹凸構造であり、
　前記凹凸構造の隣接する２つの凸部の間隔は不規則である、請求項１０に記載の画像表示装置。
　前記第１画素領域及び前記第２画素領域を含む画素群が、画像表示領域内の複数箇所に離隔して配置され、複数箇所の前記画素群の周囲に前記第３画素領域が配置される、請求項１に記載の画像表示装置。
　二次元状に配置される複数の画素を有する画像表示装置と、
　前記画像表示装置を通して入射される光を受光する受光装置と、を備え、
　前記画像表示装置は、
　二次元状に配置される複数の画素を備え、
　前記複数の画素は、
　発光するとともに可視光を透過させる画素を有する第１画素領域と、
　前記第１画素領域の周囲に配置され、前記第１画素領域内の画素の発光面積よりも大きい面積で発光する画素を有する第２画素領域と、
　前記第２画素領域の周囲に配置され、前記第２画素領域内の画素の発光面積よりも大きい面積で発光する画素を有する第３画素領域と、を有する、電子機器。
　前記受光装置は、前記第１画素領域を透過した光を受光する、請求項１３に記載の電子機器。
　前記第１画素領域内の画素は、
　所定の発光面積を有する第１発光領域と、
　可視光を透過させる第１透過窓を有する第１非発光領域と、を有し、
　前記第２画素領域内の画素は、前記所定の発光面積よりも大きい発光面積を有する第２発光領域を有し、
　前記第３画素領域内の画素は、前記第２発光領域の発光面積よりも大きい発光面積を有する第３発光領域を有し、
　前記受光装置は、前記第１非発光領域を透過した光を受光する、請求項１４記載の電子機器。
　前記第２画素領域内の画素は、前記第１透過窓よりも小さい範囲内で可視光を透過させる第２透過窓を有する第２非発光領域を有し、
　前記受光装置は、前記第１発光領域及び前記第２非発光領域を透過した光を受光する、請求項１５に記載の電子機器。
　前記第２画素領域内の画素は、前記第２発光領域内に配置され、かつ前記第２非発光領域内に配置されない画素回路を有する、請求項１６に記載の電子機器。
　前記第２画素領域内の画素は、前記第２発光領域内及び前記第２非発光領域内に配置される画素回路を有する、請求項１６に記載の電子機器。
　前記第１画素領域内の画素及び前記第２画素領域内の画素は、それぞれ異なる色で発光する複数の色画素を有し、
　前記第１透過窓及び前記第２透過窓は、特定の色の色画素について設けられる、請求項１６に記載の電子機器。
　前記受光装置は、前記第１非発光領域を通して入射された光を光電変換する撮像センサと、前記第１非発光領域を通して入射された光を受光して距離を計測する距離計測センサと、前記第１非発光領域を通して入射された光に基づいて温度を計測する温度センサと、の少なくとも一つを含む、請求項１５に記載の電子機器。