JP2022071601A - 発光装置、表示装置、撮像装置および電子機器、ならびに発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置、表示装置、撮像装置および電子機器、ならびに発光装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】外光反射の抑制と高い発光効率を両立可能な発光装置を提供する。【解決手段】基板上に、少なくとも第一発光素子を備えた表示領域と、前記表示領域の外周にある外周領域とを有し、前記第一発光素子は、前記基板側から順に、下部電極と、発光層と、上部電極が積層された発光領域を有し、前記第一発光素子の前記下部電極と前記基板の間に、前記基板側から順に、第一高反射層と、前記第一高反射層より反射率の低い第一低反射層が積層された第一積層部を有し、前記外周領域において、前記基板上に、前記基板側から順に、外周高反射層と、前記外周高反射層より反射率の低い外周低反射層が積層された外周積層部を有し、前記発光領域と平面視で重畳する前記第一積層部の少なくとも一部は、前記第一高反射層が露出するように前記第一低反射層が開口を有する、ことを特徴とする発光装置。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置、表示装置、撮像装置および電子機器、ならびに発光装置の製造方法に関する。
有機ＥＬ素子は、一対の電極とその間に配置されている発光層を含む有機化合物層とを有する発光素子である。有機ＥＬ素子は、面発光特性、軽量、視認性といった優れた特徴を有しており、そのため薄型ディスプレイや照明器具、ヘッドマウントディスプレイ、電子写真方式プリンタのプリントヘッド用光源など発光装置としての実用化が進みつつある。
特に有機ＥＬ表示装置の高精細化の要求は高まりつつある。高精細化技術の一つとして、白色有機ＥＬ素子とカラーフィルタを使った方式（以後、白＋ＣＦ方式）が知られている。白＋ＣＦ方式は、有機ＥＬ素子が発する白色光の出射方向に、吸収する光の波長依存性が異なるカラーフィルタを複数設置する方式である。例えば、カラーフィルタ透過後の発光色が赤、緑、青になるように各色カラーフィルタを形成することにより、加法混色によるフルカラー表示が可能となる。白＋ＣＦ方式は発光画素単位で有機化合物層を成膜しなくてもよいため、発光画素の高精細化が容易である。
ところで、有機ＥＬ表示装置の消費電力や色度の改善のため、有機ＥＬ素子の発光層と反射膜の光学距離を最適化することが知られている。特許文献１では、白＋ＣＦ方式の有機ＥＬ表示装置において、発光色が異なる画素ごとに下部電極と反射膜の間の光学距離を異ならせる技術が開示されている。
一方、表示装置の表示品位の改善のため、外光反射の低減が知られている。特許文献２においては、表示領域外に設けられた電極の外光反射の低減技術が開示されている。
特開２０１７－１４２９２６号公報 特開２０１３－０５４８６３号公報
特許文献１においては、外光反射による表示品位の低下については言及されていない。特許文献１の発光装置には、表示領域および表示領域外に設けられた反射層の光出射側の全領域に、アルミニウム合金が設けられているため、表示領域および表示領域外において外光反射が大きいと考えられる。外光反射が大きい場合、映り込みや色付きや散乱が発生し表示品位が低下してしまう。
上記実情を鑑み、本発明における目的は、外光反射の抑制と高い発光効率を両立可能な発光装置を提供することにある。
本発明の第一態様は、基板上に、少なくとも第一発光素子を備えた表示領域と、前記発光領域の外周にある外周領域とを有し、前記第一発光素子は、前記基板側から順に、下部
電極と、発光層と、上部電極が積層された発光領域を有し、前記第一発光素子の前記下部電極と前記基板の間に、前記基板側から順に、第一高反射層と、前記第一高反射層より反射率の低い第一低反射層が積層された第一積層部を有し、前記外周領域において、前記基板上に、前記基板側から順に、外周高反射層と、前記外周高反射層より反射率の低い外周低反射層が積層された外周積層部を有し、前記発光領域と平面視で重畳する前記第一積層部の少なくとも一部は、前記第一高反射層が露出するように前記第一低反射層が開口を有する、ことを特徴とする発光装置である。
本発明の第二態様は、基板上に、少なくとも第一発光素子を備えた表示領域と、前記表示領域の外周にある外周領域とを有し、前記第一発光素子は、前記基板側から順に、下部電極と、発光層と、上部電極が積層された発光領域を有し、前記第一発光素子の前記下部電極と前記基板の間に、前記基板側から順に、第一高反射層と第一低反射層が積層された第一積層部を有し、前記外周領域において、前記基板上に、前記基板側から順に、外周高反射層と、前記外周高反射層より反射率の低い外周低反射層が積層された外周積層部を有し、前記第一高反射層および前記外周高反射層は、ＡｌまたはＡｇを有する材料で構成され、前記第一低反射層および前記外周低反射層は、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗのいずれかを有する材料で構成され、前記発光領域と平面視で重畳する前記第一積層部の少なくとも一部は、前記第一高反射層が露出するように前記第一低反射層が開口を有する、ことを特徴とする発光装置である。
本発明の第三態様は、発光素子を備えた表示領域と、前記発光領域の外周にある外周領域とを有する発光装置の製造方法であって、基板上に、第一材料で構成される高反射層と、前記第一材料よりも反射率の低い第二材料で構成される低反射層を、この順で積層するステップと、前記表示領域において、前記低反射層の少なくとも一部を除去して、前記高反射層が露出する開口部を設けるステップと、前記開口部の上に、下部電極、発光層、および上部電極をこの順で含む発光素子を形成するステップと、を含む、発光装置の製造方法である。
本発明の第四態様は、発光素子を備えた表示領域と、前記表示領域の外周にある外周領域とを有する発光装置の製造方法であって、基板上に、ＡｌまたはＡｇを有する材料で構成される高反射層と、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗのいずれかを有する材料で構成される低反射層を、この順で積層するステップと、前記表示領域において、前記低反射層の少なくとも一部を除去して、前記高反射層が露出する開口部を設けるステップと、前記開口部の上に、下部電極、発光層、および上部電極をこの順で含む発光素子を形成するステップと、を含む、発光装置の製造方法である。
本発明によれば、外光反射の抑制と高い発光効率を両立可能な発光装置を提供可能である。
第一実施形態に係る発光装置の一例の断面の模式図である。 第一実施形態に係る発光装置の一例の平面の模式図である。 第一実施形態に係る発光装置の一例の平面の模式図である。 第一実施形態に係る発光装置の一例の平面の模式図である。 第二実施形態に係る発光装置の一例の断面の模式図である。 第二実施形態に係る発光装置の一例の断面の模式図である。 第二実施形態に係る発光装置の一例の平面の模式図である。 第二実施形態に係る発光装置の一例の平面の模式図である。 第三実施形態に係る表示装置を示す模式図である。 第三実施形態に係る撮像装置と電子機器を示す模式図である。 第三実施形態に係る表示装置を示す模式図である。 第三実施形態に係る照明装置と移動体を示す模式図である。 第三実施形態に係るウェアラブルデバイスを示す模式図である。
以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施形態について詳説する。ただし、この実施形態に記載されている構成要素はあくまで例示であり、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲によって確定されるのであって、以下の個別の実施形態によって限定されるわけではない。また、本発明は下記実施形態に限定されるものではなく、本明細書の開示の趣旨に基づき種々の変形（各実施形態の有機的な組合せを含む）が可能であり、それらを本明細書の開示の範囲から除外するものではない。即ち、後述する各実施例及びその変形例を組み合わせた構成も全て本明細書に開示の実施形態に含まれるものである。
［第一実施形態］
本発明に係る発光装置の一実施形態としての有機ＥＬデバイス１０の構成について説明する。図１は第一実施形態の断面の模式図である。図２は第一実施形態の平面の模式図であり、表示領域５０における第一積層部１０４と外周領域４００における外周積層部４０４の平面的な位置関係を示したものである。図１は、図２におけるＡ－Ａ’線分における断面図である。なお、本実施形態は、発光素子として、発光層に有機発光材料を含む有機ＥＬ発光素子を用いているが、発光層に無機発光材料を含む無機ＥＬ発光素子を用いて発光装置を構成してもよい。
以下の説明では、基板に対する発光層の方向を上方向と称し、その反対方向を下方向と称する。本実施形態において光の出射方向は上方向である。また、第１の層の上に第２の層が設けられているというのは、第１の層と第２の層が接している場合と、第１の層と第２の層の間に１つまたは複数の第３の層が介在する場合の両方を含む。
（全体構成）
有機ＥＬデバイス１０は、表示を行う表示領域５０と、表示領域５０の周辺の領域であり表示を行わない外周領域４００を有する。図１では、表示領域５０に第一有機ＥＬ素子１００、第二有機ＥＬ素子２００、第三有機ＥＬ素子３００が設けられているが、有機ＥＬデバイス１０が備える有機ＥＬ素子の数は特に限定されない。それぞれの有機ＥＬ素子の構成は基本的に同様であるため、以下では代表して第一有機ＥＬ素子１００について説明する。
有機ＥＬデバイス１０は、基板１、積層部１０４，２０４，３０４，４０４，光学干渉層３０、下部電極２、有機化合物層３、上部電極４、保護層６、カラーフィルタ１２１，２２１，３２１、マイクロレンズ１２２，２２２，３２２を有する。なお、図１に示す構成の全てが本発明に係る有機ＥＬデバイスの実施に必要なわけではなく、一部の構成は省略しても構わない。
表示領域５０内の第一有機ＥＬ素子（第一発光素子）１００は、基板側から順に、下部電極と、発光層と、上部電極が積層された発光領域を有する。より詳細には、第一有機ＥＬ素子１００は、下部電極２と上部電極４と、下部電極２と上部電極４に挟まれた少なくとも発光層を含む有機化合物層３を含む。第一有機ＥＬ素子１００の下部電極２と基板１の間には、第一積層部１０４が設けられている。第二有機ＥＬ素子２００および第三有機ＥＬ素子３００も同様である。一方、外周領域４００には、外周積層部４０４が設けられている。以下で、有機ＥＬデバイス１０を詳細に説明する。
（基板１）
基板１は下部電極２、有機化合物層３、上部電極４を支持できる材料で形成される。基板１の材料は、ガラス、プラスチック、シリコンなどが好適である。基板１にはトランジスタ等のスイッチング素子（不図示）や配線２１や層間絶縁膜２２などが形成されていても良い。
（下部電極２）
下部電極２は発光効率の観点から光の透過性を有する材料の薄膜であることが好ましい。下部電極２の材料は、具体的には、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電酸化物や、ＡｌやＡｇやＰｔなどの金属や合金が好適である。また、第一有機ＥＬ素子１００、第二有機ＥＬ素子２００、第三有機ＥＬ素子３００のそれぞれの下部電極２は、電気的に分離されている。また光学干渉の最適化のため、下部電極２の膜厚は、第一有機ＥＬ素子１００と、第二有機ＥＬ素子２００、第三有機ＥＬ素子３００のそれぞれで異なっていても構わない。
（有機化合物層３）
有機化合物層３は、第一有機ＥＬ素子１００の下部電極２上に配置されていて、蒸着法やスピンコート法など公知の技術により形成することができる。有機化合物層３は、少なくとも発光層を含む層であり、複数の層から構成されていてもよい。複数の層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層が挙げられる。有機化合物層３は、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子が発光層において再結合することで、発光層から光を出射する。発光層の構成は単層でも複数層でもよい。各発光層のいずれかに赤色発光材料、緑色発光材料、青色発光材料を有することができ、各発光色を混合することで、白色光を得ることも可能である。また、各発光層のいずれかに、青色発光材料と黄色発光材料などの補色同士の関係の発光材料を有していてもよい。
有機化合物層３は、第一有機ＥＬ素子１００の下部電極２、第二有機ＥＬ素子２００の下部電極２および第三有機ＥＬ素子３００の下部電極２にまたがって配置されていてもよい。また、第一有機ＥＬ素子１００、第二有機ＥＬ素子２００、第三有機ＥＬ素子３００の有機化合物層３のすべてもしくは一部が素子ごとにパターニングされていても構わない。また有機化合物層３は表示領域５０の外周にある外周領域４００に形成されていてもよい。
（上部電極４）
上部電極４は、第一有機ＥＬ素子の有機化合物層３上に配置されていて、透光性を有している。また上部電極４はその表面に到達した光の一部を透過するとともに他の一部を反射する性質（すなわち半透過反射性）を持った半透過材料であってもよい。上部電極４を構成する材料は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電酸化物や、金属材料からなる半透過材料から構成される。金属材料の例は、アルミニウムや銀や金などの単体金属、リチウムやセシウムなどのアルカリ金属、マグネシウムやカルシウムやバリウムなどのアルカリ土類金属、これらの金属材料を含んだ合金材料である。半透過材料は特にマグネシウムや銀を主成分とする合金が好ましい。また上部電極４は好ましい透過率を有するならば、上記材料の積層構成であってもよい。
上部電極４は、第一有機ＥＬ素子１００の有機化合物層３、第二有機ＥＬ素子２００の有機化合物層３および第三有機ＥＬ素子３００の有機化合物層３にまたがって配置されていてもよい。また上部電極４は表示領域５０の外周にある外周領域４００に形成されていてもよい。
本実施形態において、下部電極２が陽極、上部電極４が陰極であってもよいし、下部電
極２が陰極、上部電極４が陽極であってもよい。
（絶縁層５）
本実施形態に係る有機ＥＬデバイス１０は、第一有機ＥＬ素子１００の下部電極２の外周部に、絶縁層５が設けられていてもよい。絶縁層５は下部電極２の一部に設けられ、絶縁層５が設けられない部分の下部電極２が露出している。下部電極２が露出している領域が、有機化合物層３が発光する発光領域となる。絶縁層５は第一発光領域１０１を正確に所望の形状にするために形成される。絶縁層５を設けない場合には、下部電極２の形状により第一発光領域１０１が規定される。絶縁層５は、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、またはシリコン酸化物（ＳｉＯ）など無機材料で形成される。絶縁層５はスパッタリング法や化学気相堆積法（ＣＶＤ法）など公知の技術を用いて形成が可能である。また絶縁層５はアクリル樹脂やポリイミド樹脂のような有機材料を用いて形成することも可能である。
（光学干渉層３０）
本実施形態に係る有機ＥＬデバイス１０は、第一有機ＥＬ素子１００の下部電極２と第一積層部１０４の間に、光学干渉層３０を有する。光学干渉層３０の厚み調整することにより、第一有機ＥＬ素子１００の発光層と第一高反射層１０２との光学距離を最適化することが可能になるため、光学干渉を利用した発光効率の向上が可能となる。図１は、第一有機ＥＬ素子１００の光学干渉層３０が第一光学干渉層３１、第二光学干渉層３２、第三光学干渉層３３からなる３層構造である例を示しているが、層数は特に限定されず、単層構造であっても構わない。
第二有機ＥＬ素子２００や第三有機ＥＬ素子３００も光学干渉層３０を有していて構わない。第一有機ＥＬ素子１００と第二有機ＥＬ素子２００と第三有機ＥＬ素子３００の光学干渉層の厚みをそれぞれ異ならせることにより、各々の有機ＥＬ素子から発せられる光の色を調整することが可能である。光学干渉層３０は複数層の積層構成とし、素子に応じて積層数を異ならせることで光学干渉層３０の厚みを容易に調整可能である。例えば、第一有機ＥＬ素子１００、第二有機ＥＬ素子２００、第三有機ＥＬ素子３００の順に光学干渉層３０を薄くする場合、第一積層部１０４の上には第一光学干渉層３１と第二光学干渉層３２と第三光学干渉層３３の３層を設ける。一方、第二積層部２０４の上には第二光学干渉層３２と第三光学干渉層３３の２層を設け、第三積層部３０４の上には第三光学干渉層３３のみを設けることができる。
光学干渉層３０は透明な材料で構成されていることが好ましく、特にＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮで構成されることが好ましい。形成手法はスパッタリング法やＣＶＤ法、ＡＬＤ法など公知技術を利用することができる。
なお、有機ＥＬデバイス１０の一部または全部の有機ＥＬ素子において、光学干渉層３０を設けなくてもよい。例えば、第一有機ＥＬ素子１００において光学干渉層３０を設けない場合には、下部電極２と第一積層部１０４が接する。
（積層部１０４，２０４，３０４，４０４）
本実施形態において、第一有機ＥＬ素子１００は、下部電極２と基板１の間に第一積層部１０４を有する。第一積層部１０４は、互いに絶縁された第一画素反射領域１０５および第一画素コンタクト領域１１５を含む。第一積層部１０４の第一画素反射領域１０５および第一画素コンタクト領域１１５はいずれも、基板側から第一高反射層１０２と第一低反射層１０３の順に積層されて構成される。第一画素反射領域１０５のうち、第一発光領域１０１と平面視で重畳する領域の少なくとも一部において、第一積層部１０４の第一低反射層１０３は第一高反射層１０２を露出するような開口を有する。当該開口部において
は、光学干渉層３０と第一高反射層１０２とが接触する。
第一高反射層１０２は第一低反射層１０３よりも反射率が高いため、第一有機ＥＬ素子で発光した光は、下部電極２を透過し、第一高反射層１０２で効率よく反射することができる。第一高反射層１０２で反射した光は、上部電極４から光出射側に取り出されるため、本実施形態の有機ＥＬデバイスは高い発光効率の特性を得ることができる。ここで光出射側とは、下部電極２に対する上部電極４の方向を指す。
同様に、第二有機ＥＬ素子２００および第三有機ＥＬ素子３００はそれぞれ、第二積層部２０４，第三積層部３０４を有する。第二積層部２０４は、互いに絶縁された第二画素反射領域２０５および第二画素コンタクト領域２１５を含み、第三積層部３０４は、互いに絶縁された第三画素反射領域３０５および第三画素コンタクト領域３１５を含む。第二積層部２０４は、基板１側から第二高反射層２０２と第二低反射層２０３の順に積層されて構成され、第三積層部３０４は、基板１側から第三高反射層３０２と第三低反射層３０３の順に積層されて構成される。第二画素反射領域２０５のうち、第二発光領域２０１と平面視で重畳する領域の少なくとも一部において、第二積層部２０４の第二低反射層２０３は第二高反射層２０２を露出するような開口を有する。第三画素反射領域３０５のうち、第三発光領域３０１と平面視で重畳する領域の少なくとも一部において、第三積層部３０４の第三低反射層３０３は第三高反射層３０２を露出するような開口を有する。それぞれの開口部においては、光学干渉層３０と第二高反射層２０２または第三高反射層３０２とが接触する。
一方で、外周領域４００は、外周積層部４０４を有する。外周積層部４０４は、基板１側から外周高反射層４０２、外周低反射層４０３の順に積層されて構成される。本実施形態では、外周低反射層４０３は、外周高反射層４０２が露出するような開口を有さない。したがって、外光が光出射側から外周領域４００に入射した場合、外周低反射層４０３が外周積層部４０４の光出射側にあるため、外光が反射されにくい。さらに、表示領域５０の第一積層部１０４と第一発光領域１０１が重畳しない領域の少なくとも一部においても、第一積層部１０４の光出射側には第一低反射層１０３があるため、外光が反射されにくい。したがって、本実施形態においては、周囲からの外光が有機ＥＬデバイスに入射した場合であっても、周囲光の映り込みや、色付きや、ぎらつきや、散乱といった表示品位の低下要因を抑制することができる。
なお、第一発光領域１０１と重畳する領域に設けられた、第一積層部１０４の第一低反射層１０３の開口は、第一発光領域１０１と重畳する領域の少なくとも一部に有していれば、本実施形態の効果を得られる。第一積層部１０４が第一低反射層１０３を有していれば、開口の大きさは特に制限されないが、発光効率向上の観点から、第一発光領域１０１と同じ大きさ以上であることが特に好ましい。
また、外周領域４００の外周積層部４０４においては、外周低反射層４０３が光出射側に設けられている領域は、外光反射抑制の観点から外周積層部４０４の全領域であることが好ましいが、一部の外周低反射層４０３が除かれている箇所があっても構わない。一部の外周低反射層４０３が除かれている箇所においては、光出射側に低反射率の材料や光吸収材料が形成されていることが好ましい。
第一積層部１０４の第一高反射層１０２と、外周積層部４０４の外周高反射層４０２は、主成分が同一の材料で構成されることが好ましい。第一積層部１０４の第一低反射層１０３と、外周積層部４０４の外周低反射層４０３は、主成分が同一の材料で構成されることが好ましい。ここで主成分は組成比（元素比）が最も高い元素を指す。また、第一積層部１０４の第一高反射層１０２と、外周積層部４０４の外周高反射層４０２は、反射率が
略同一の材料で構成されることが好ましい。第一積層部１０４の第一低反射層１０３と、外周積層部４０４の外周低反射層４０３は、反射率が略同一の材料で構成されることが好ましい。反射率が略同一というのは、反射率の差が１０％ポイント以内であることを意味し、より好ましくは、反射率の差が５％ポイント以内であることを意味する。
第一積層部１０４および外周積層部４０４を構成する積層材料は、反射率が所定の条件を満足していれば特に制限されものではない。表１に第一積層部１０４および外周積層部４０４を構成する材料の代表的な一例を示す。各積層部の積層材料は、表１に示すような材料から反射率の関係を考慮し選択されることが好ましい。第一高反射層１０２と第一低反射層１０３の反射率の差は、１０％ポイント以上あることが好ましく、さらに３０％ポイント以上あることが特に好ましい。例えば、第一高反射層１０２および外周高反射層４０２はＡｇまたはＡｌを有する材料から構成されることが好ましく、ＡｇまたはＡｌを主成分とする材料から構成されることがより好ましい。また、第一低反射層１０３および外周低反射層４０３は、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗなどかの少なくともいずれかを有する材料から構成されることが好ましく、これらのいずれかを主成分とする材料から構成されることがより好ましい。また、第一高反射層１０２および外周高反射層４０２および第一低反射層１０３および外周低反射層４０３は、合金や化合物であっても構わない。
Figure 2022071601000002
材料の組み合わせの一例を挙げると、第一高反射層１０２および外周高反射層４０２がＡｌを主成分とする材料であり、第一低反射層１０３および外周低反射層４０３がＴｉまたはＴｉＮを主成分とする材料である。さらに、第一高反射層１０２および外周高反射層４０２はＡｌを主成分としＣｕが含有されていることが好ましい。また第一低反射層１０３および外周低反射層４０３はＴｉＮを主成分とすることが好ましい。第一低反射層１０３および外周低反射層４０３は、導電性と反射抑制の効果が得られる厚さを有することが好ましい。第一低反射層１０３および外周低反射層４０３がＴｉＮを主成分とする場合、その厚さは、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下がより好ましい。また第一積層部１０４や外周積層部４０４の基板側にはＴｉやＴｉＮなどのバリアメタルを設けてもよい。
第一高反射層１０２よび外周高反射層４０２および第一低反射層１０３および外周低反
射層４０３は、スパッタリング法やＣＶＤ法やＡＬＤ法などの公知の成膜手法で形成することができる。第一高反射層１０２および外周高反射層４０２は、高反射率の材料を基板上に成膜した後、公知のエッチングプロセスでパターニングすることにより、同時に主成分が同じ材料で形成することが可能である。また、第一低反射層１０３および外周低反射層４０３も、低反射率の材料を基板上に成膜した後、公知のエッチングプロセスでパターニングすることにより、同時に主成分が同じ材料で形成することが可能である。好ましくは、基板上に高反射率材料を形成し、次に低反射率材料を形成し、エッチングプロセスでパターニングすることにより、第一積層部１０４および外周積層部４０４を同時に形成することができる。
成膜時やエッチングによるパターニング時のプロセスばらつきの抑制の観点から、第一積層部１０４と基板１の距離と、外周積層部４０４と基板１との距離は略同一であることが好ましい。また、第一高反射層１０２よび外周高反射層４０２の膜厚は略同一であることが好ましく、第一低反射層１０３および外周低反射層４０３の膜厚は略同一であることが好ましい。
また第一積層部１０４に設けた第一低反射層１０３の開口部は、公知のエッチングプロセスで第一低反射層１０３を取り除くことにより形成することが可能である。開口部の第一高反射層１０２の反射率が所望の特性であれば、開口部で露出した第一高反射層１０２において、第一低反射層１０３の成分を有していても構わない。例えば、開口部で露出した第一高反射層１０２において、第一高反射層１０２の主成分であるＡｌに対して、第一低反射層１０３の主成分であるＴｉＮが含まれていてもよい。所望の特性は、例えば、開口部の第一高反射層１０２の反射率が、第一低反射層１０３の反射率よりも１０％ポイント以上、より好ましくは３０％ポイント以上高いことである。
本実施形態では、第一積層部１０４および外周積層部４０４は、基板側に高反射率の部材があり、光出射側に低反射率の部材を設けているため、高反射率が必要な発光領域と重畳する領域の第一低反射層のみを取り除けばよい。したがって、表示領域５０における第一積層部１０４の第一低反射層１０３の面積と、外周領域４００における外周積層部４０４の外周低反射層４０３の平面視での面積が異なっていても構わない。
本実施形態においては、外周領域４００で外周積層部４０４の少なくとも一部と上部電極４の少なくとも一部とが、平面視において重畳し、断面視において少なくとも各々の一部が離間していてもよい。上部電極４が半透過半反射性の場合や上部電極４と上部電極４の光出射側の材料との屈折率差が大きい場合、上部電極４の反射率が高くなる。このような場合、有機ＥＬデバイスの周囲から入射した外光は、外周積層部４０４と上部電極４の光学距離により光学干渉が発生する。本実施形態においては、外周積層部４０４の反射率が低いため、外周積層部４０４と上部電極４で発生する光学干渉による色づきを抑制することができる。
さらに、外周積層部４０４と有機化合物層３と上部電極４とが平面視で重畳する場合、外周低反射層４０３と上部電極４の間の少なくとも一部において、有機化合物層３あるいは発光層の厚みが平面方向で変化していても構わない。外周積層部４０４と上部電極４の間で有機化合物層３の厚みが変化すると、外周積層部４０４と上部電極４の光学距離が変化するため、光学干渉で強められる光の波長が変化してしまう。しかしながら、本実施形態においては、外周積層部４０４の反射率が低いため、外周積層部４０４と有機化合物層３と上部電極４で発生する色づきの変化を抑制することが可能である。
本実施形態においては、下部電極２と第一積層部１０４は電気的に接続していても構わない。第一積層部１０４は導電材料で形成し、下部電極２と第一積層部１０４を電気的に
接続することにより、第一積層部１０４から第一有機ＥＬ素子１００に電流を流すことが可能である。より詳細には、下部電極２を、第一積層部１０４の第一低反射層１０３を介して第一高反射層１０２に接続することにより、第一高反射層か１０２から下部電極２に電流を流すことができる。また、光学干渉層３０を設ける場合には、光学干渉層３０を貫通するプラグ１２を設けてプラグ内に導電性材料を形成することにより、第一有機ＥＬ素子１００の下部電極２と、第一積層部１０４の第一低反射層１０３を電気的に接続してもよい。プラグ内に設ける導電性材料は、ＷやＴｉやＴｉＮのような公知の導電材料を用いることが可能である。プラグ内に設ける導電性材料は、下部電極２と同じ材料であってもよい。言い換えると、プラグを通じて、下部電極２と第一積層部１０４が接していても構わない。第一積層部１０４においてプラグ１２と接する箇所は、外光反射の抑制の観点から第一低反射層１０３であることが好ましい。
プラグを設ける領域は、例えば図２、図３において示すように、第一積層部１０４の第一低反射層がある画素コンタクト領域１１５が好ましい。第一積層部１０４と下部電極２が直接接する場合は、特に第一低反射層１０３と下部電極２はガルバニック腐食を起こしにくい組み合わせであることが好ましい。例えば、第一低反射層１０４がＴｉＮを主成分とする材料で形成され、下部電極２はＩＴＯもしくはＩＺＯであることが好ましい。
図２で示す構成では、第一積層部１０４は、第一画素反射領域１０５とは絶縁し下部電極２と電気に接続した画素コンタクト領域１１５を有している。より詳細には、画素コンタクト領域１１５において第一積層部１０４の第一高反射層１０２は、外部電源につながる配線に接している。当該配線と第一高反射層１０２の接点は、基板１に対する正射影において、第一積層部１０４の開口部と重畳しない位置に設けられる。また、基板１に対する正射影において、開口部と重畳する第一高反射層１０２（第一画素反射領域１０５の第一高反射層１０２）は、配線との接点における第一高反射層１０２（画素コンタクト領域１１５における第一高反射層１０２）と離間している。図３で示す構成では、第一画素反射領域１０５と画素コンタクト領域１１５が電気的に接続している。いずれの場合も第一有機ＥＬ素子１００は画素コンタクト領域１１５を通じて下部電極２に電流を流すことができる。
さらに、第二有機ＥＬ素子２００や第三有機ＥＬ素子３００も、それぞれ同様の画素コンタクト領域２１５や画素コンタクト領域３１５を有していても構わない。各有機ＥＬ素子の画素反射領域と画素コンタクト領域が接続している場合には、図３で示すように、各有機ＥＬ素子の画素反射領域を分離して電気的に絶縁する。一方、各有機ＥＬ素子の画素反射領域と画素コンタクト領域が電気的に絶縁されている場合には、さらに、図２で示すように、隣接する有機ＥＬ素子の画素反射領域は互いに接していて、電気的に接続していても構わない。また、図４に示すように、第一有機ＥＬ素子１００および第二有機ＥＬ素子２００および第三有機ＥＬ素子３００のそれぞれの画素反射領域および外周積層部４０４が接することにより、電気的に接続していても構わない。
第一有機ＥＬ素子１００、第二有機ＥＬ素子２００および第三有機ＥＬ素子３００の各画素反射領域が電気的に接続し、画素反射領域が画素コンタクト領域とは絶縁している場合、画素反射領域の電位は任意に設定することができる。特に、画素反射領域と上部電極４との電位差が、有機ＥＬ素子の発光閾値電圧以下であることが好ましい。製造上のばらつきにより、画素反射領域とある素子の画素コンタクト領域が電気的に接続した欠陥がある場合、画素コンタクト領域の電位は画素反射領域の電位と同じとなる。画素コンタクト領域と下部電極は同電位であるため、画素反射領域と上部電極との電位差が、有機ＥＬ素子の発光閾値電圧以下に設定されている場合、画素反射領域と下部電極が電気的に接続した有機ＥＬ素子は発光しない。よって、大きな画素欠陥となる可能性を低減できる。さらに画素反射領域の電位は、上部電極４と同じであることが好ましい。
（保護層６）
本実施形態に係る有機ＥＬデバイス１０は、保護層６が少なくとも第一有機ＥＬ素子１００を覆うように形成されていてもよい。保護層６は透光性を有し、外部からの酸素や水分の透過性が極めて低い無機材料を含むことが好まし。特にシリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）、チタン酸化物（ＴｉＯ２）などの無機材料が好ましい。特に封止性能の面において、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３の無機材料が好ましい。保護層６の形成には化学気相堆積法（ＣＶＤ法）、原子層堆積法（ＡＬＤ法）、スパッタリング法を用いることが好ましい。保護層６は十分な水分遮断性能があれば、単層構造であっても、上記材料や形成手法を組み合わせた積層構造であってもよい。また無機材料と、樹脂等の有機材料との積層構造であってもよい。また第二有機ＥＬ素子２００、第三有機ＥＬ素子３００を形成する場合には、第一有機ＥＬ素子の上部電極４、第二有機ＥＬ素子の上部電極４および第三有機ＥＬ素子の上部電極４上にまたがって保護層６が配置されていてもよい。保護層６は、さらに外周領域４００まで延在して配置されていてもよい。
（平坦化層７）
第一有機ＥＬ素子１００の保護層６の上には平坦化層７を形成することも可能である。平坦化層７はスピンコート法、ディップコート法、スリットコート法、ブレードコート法などのウエットプロセスで形成されることが好ましい。ウエットプロセスで行なうことにより平坦化層７の光出射側の面を平坦にすることが容易となる。ウエットプロセスで形成された平坦化層７は形成後に加熱やＵＶ照射などによって硬化させることが好ましい。また第二有機ＥＬ素子２００、第三有機ＥＬ素子３００を形成する場合には、第一有機ＥＬ素子の保護層６、第二有機ＥＬ素子の保護層６および第三有機ＥＬ素子の保護層６上にまたがって平坦化層７が配置されていてもよい。
（カラーフィルタ１２１，２２１，３２１）
第一有機ＥＬ素子１００の平坦化層７の光出射側には第一カラーフィルタ１２１が設けられていてもよい。第二有機ＥＬ素子２００の平坦化層７の光出射側には第二カラーフィルタ２２１を設け、第三有機ＥＬ素子３００の平坦化層７の光出射側には第三カラーフィルタ３２１を設けることも可能である。第一カラーフィルタ１２１と第二カラーフィルタ２２１と第三カラーフィルタ３２１は透過する光の波長成分を異ならせることが可能である。第一カラーフィルタ１２１、第二カラーフィルタ２２１および第三カラーフィルタ３２１は、平坦化層７等の下地の上にカラーレジストを塗布した後、それをリソグラフィによってパターニングすることによって形成されうる。カラーレジストは、例えば、光硬化性樹脂で構成され、紫外線等が照射された部位を硬化させることによりパターンを形成する。
（レンズ１２２，２２２，３２２）
第一有機ＥＬ素子１００の第一カラーフィルタ１２１の光出射側には、第一レンズ１２２を設けてもよい。第一レンズ１２２は、第一カラーフィルタ１２２の基板側に設けてもよい。第一レンズ１０３を設けることにより、第一有機ＥＬ素子１００の発光効率を向上することが可能である。さらに第二有機ＥＬ素子２００の第二カラーフィルタ２２１の上側もしくは下側には第二レンズ２２２を設け、第三有機ＥＬ素子３００の第三カラーフィルタ３２１の上側もしくは下側には第三レンズ３２２を設けることも可能である。
第一レンズ１２２は光透過性を有し、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などの有機材料や、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、またはシリコン酸化物（ＳｉＯ）など無機材料によって構成される。
第一レンズ１２２の形状は凸形状であっても凹形状であってもよい。凸形状の場合には、レンズの光出射側にはレンズを構成する材料よりも屈折率が低い材料が形成される。特に、空気、窒素等の気体や、シリカエアロゲルなどの屈折率が低い材料や、真空状態が好ましい。凸形状のレンズをＳｉＮなどの高屈折材料で構成する場合には、レンズの光出射側はクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などの有機材料や、シリコン酸化物（ＳｉＯ）等の無機材料など、比較的低屈折率な材料で構成することも可能である。また凹形状のレンズの場合、光出射側にはレンズを構成する材料よりも屈折率が高い材料が形成される。レンズの形状は特に制限されない。球面、非球面のどちらであってもよい。
第二レンズ２２２および第三レンズ３２２の材料および形状は第一レンズ１２２と同様とすることができるが、第一レンズ１２２と異なる材料または異なる形状を採用してもよい。
本実施形態では、第一有機ＥＬ素子１００および第二有機ＥＬ素子２００および第三有機ＥＬ素子３００など複数の有機ＥＬ素子をそれぞれ副画素とみなし、複数の有機ＥＬ素子を一つの主画素みなすことができる。副画素の画素配列は、ストライプ配列、デルタ配列、ベイヤー配列など、どのような画素配列でも可能である。特に、デルタ配列は、円状のレンズを表示平面内に配置しやすいため、好ましい。また主画素を表示平面内に複数設けることにより、高精細の表示装置を得ることができる。
（本実施形態の有利な効果）
本実施形態では、外周積層部４０４の光出射側に低反射率の部材が設けられているため、外光反射を抑制できる。また、光学干渉層３０による照射光波長成分の増強、および、第一積層部１０４に露出している高反射率の部材により、高い発光効率を達成できる。
本実施形態では、第一積層部１０４および外周積層部４０４は、基板側に高反射率の部材があり、光出射側に低反射率の部材を設けているため、高反射率が必要な発光領域と重畳する領域の第一低反射層のみを取り除けばよい。
外光反射抑制のために、特許文献２は、下部電極２の基板側の反射膜は、基板側に設けられた低反射率の部材と光出射側に設けられた高反射率の部材から構成される。このような構成においては、外光反射抑制するためには、例えばエッチングプロセス技術で、光出射側の高反射率の部材を取り除く必要がある。一般的には、表示領域５０における高反射率の部材を取り除く領域と、外周領域における高反射率の部材を取り除く領域は、面積が異なることが多い。例えば、外周領域では高反射率の部材全体を取り除くことが望ましく、表示領域では中心部に高反射率の部材を残し周辺部の高反射率の部材を取り除くことが望ましい。特に、プラグ１２を用いて下部電極２と反射膜とを接続する場合には、ガルバニック腐食を防止する観点から高反射率の部材を取り除いて、プラグ１２を低反射率の部材と接続することが望ましい。
取り除く高反射率の部材の面積が表示領域５０と外周領域４００で異なる場合、エッチングする速度が異なってしまうため、高反射率の部材を表示領域５０と外周領域で同時に取り除くプロセスは困難である。また、表示領域５０における高反射率の部材を取り除くプロセスと、外周領域における高反射率の部材を取り除くプロセスの二つの工程を別々に行うことも可能であるが、プロセスが増加してしまう。また、表示領域において高反射率の部材の取り残しが発生すると、ガルバニック腐食が発生し高抵抗化する恐れがある。
これに対して、本実施形態では、上述したように、表示領域のうち高反射率が必要な発光領域と重畳する領域の低反射層のみを取り除けばよく、その他の領域では低反射層の除去が不要である。したがって、本実施形態によれば、外光反射の抑制と高い意発光効率を
両立可能な有機ＥＬデバイスを、簡易なプロセスによって製造することができる。
［第二実施形態］
本発明に係る発光装置の第２の実施形態として、有機ＥＬデバイスを多数備える有機ＥＬデバイス２０の構成を説明する。
図５および図６は本実施形態の断面の模式図である。図７および図８は本実施形態における表示領域５０の第一積層部１０４および外周領域４００の外周積層部の平面的な関係を示したものである。図５は図７の線分Ｂ－Ｂ’における断面模式図であり、図６は図８の線分Ｃ－Ｃ’における断面模式図である。本実施形態において、外周領域４００は、ダミー領域５００，上部電極コンタクト領域６００、配線領域７００、防湿領域８００を含む。
なお、図５および図７は、ダミー領域５００の積層部５０４と上部電極コンタクト領域６００の積層部６０４を電気的に絶縁した構成例であり、図６および図８はこれらの積層部を電気的に接続した構成例である。積層部５０４と積層部６０４が接続しているか否かを除いて、図５および図７の構成と、図６および図８の構成は同様である。また、本実施形態において特に説明のない構成は、第一実施形態の構成を適用できる。
有機ＥＬデバイス２０の表示領域５０には、第一有機ＥＬ素子１００および第二有機ＥＬ素子２００および第三有機ＥＬ素子３００がデルタ配列される。表示領域５０の周囲には、ダミー画素が形成されるダミー領域５００が設けられる。ダミー領域５００の周囲には、上部電極４に電流を供給するための上部電極コンタクト領域６００が設けられる。上部電極コンタクト領域６００の周囲には配線領域７００が設けられ、さらにその周囲に防湿領域８００が設けられる。
（ダミー領域５００）
図５において、ダミー領域５００は表示領域５０の外周にある外周領域４００内に設けられている。ダミー領域５００において、外周積層部５０４は、基板側に外周高反射層５０２が設けられ、外周積層部５０４の光出射側（基板１とは反対側）に外周低反射層５０３が設けられている。外周高反射層５０２は、第一積層部１０４の第一高反射層１０２と主成分が同じであり、外周低反射層５０３は、第一積層部１０４の第一低反射層１０３と主成分が同じである。
ダミー領域５００は、表示領域５０の第一有機ＥＬ素子１００の少なくとも一部の構成と同じ構成が設けられている外周領域４００内の領域である。ダミー領域５００の形成により、表示領域５０内での製造上のばらつきを抑制できる。例えば、図５や図６に示すようにダミー領域５００に、下部電極２や絶縁層５や有機化合物層３や上部電極４を表示領域５０と同様に形成することができる。
ダミー領域５００において、外周積層部５０４の光出射側には外周低反射層５０３が設けられていることから、本実施形態においては、外周領域４００の外光反射を抑制することが可能である。
ダミー領域５００の外周積層部５０４は、第一積層部１０４と絶縁していてもよい。また、第一有機ＥＬ素子１００の画素コンタクト領域１１５が画素反射領域１０５と絶縁されている場合には、図５および図７に示すようにダミー領域５００の外周積層部５０４と表示領域５０の画素反射領域１０５は電気的に接続されていてもよい。第二有機ＥＬ素子２００の画素反射領域２０５および第三有機ＥＬ素子３００の画素反射領域３０５についても同様である。
また、ダミー領域５００の外周積層部５０４は、部分的に外周低反射層５０３が除かれていてもよいが、外周積層部５０４の光出射側に光吸収材料が形成されていることが好ましい。さらに光吸収材料は、第一カラーフィルタ１２１、第二カラーフィルタ２２１、第三カラーフィルタ３２１のいずれかであってもよい。
第一積層部１０４および外周積層部５０４は、基板上に高反射率材料の膜を形成し、次に低反射率材料の膜を形成し、エッチングプロセスでパターニングすることにより、同時に形成することができる。成膜時やエッチングによるパターニング時のプロセスばらつきの抑制の観点から、第一積層部１０４と基板１の距離と、外周積層部５０４と基板１との距離は略同一であることが好ましい。また、第一高反射層１０２よび外周高反射層５０２の膜厚は略同一であることが好ましく、第一低反射層１０３および外周低反射層５０３の膜厚は略同一であることが好ましい。
（上部電極コンタクト領域６００）
図５において、上部電極コンタクト領域６００は表示領域５０の外周にある外周領域４００内に設けられている。上部電極コンタクト領域６００において、外周積層部６０４は、基板側に外周高反射層６０２が設けられ、外周積層部６０４の光出射側に外周低反射層６０３が設けられている。外周高反射層６０２は、第一積層部１０４の第一高反射層１０２と主成分が同じであり、外周低反射層６０３第一積層部１０４の第一低反射層１０３と主成分が同じである。
上部電極コンタクト領域６００とは、上部電極４と電気的に接触する電極を有し、上部電極４に対して電流を供給可能な領域である。上部電極４と外周積層部６０４は直接接してもよいし、上部電極４と外周積層部６０４の間に、電気な接続を中継する部材があってもよい。例えば、図５や図６に示すように、上部電極コンタクト領域６００の外周積層部６０４上に、プラグ６０６と中間電極６０５を形成することで、上部電極４と外周積層部６０４を電気的に接続することが可能である。中間電極６０５は、下部電極２と主成分が同じ材料で構成できる。また、プラグ６０６は中間電極６０５で充填されていてもよいし、例えばＷやＴｉＮやＴｉのような他の材料で充填されていてもよい。図５および図７に示すように、外周積層部６０４は、第一積層部１０４と電気的に絶縁していても構わない。
上部電極コンタクト領域６００において、外周積層部６０４の光出射側には外周低反射層６０３が設けられていることから、本実施形態においては、外周領域４００の外光反射を抑制することが可能である。
また、第一有機ＥＬ素子１００の画素コンタクト領域が画素反射領域と絶縁されている場合には、上部電極コンタクト領域６００の外周積層部６０４と、表示領域５０の画素反射領域１０５は電気的に接続されていてもよい。第二有機ＥＬ素子２００の画素反射領域２０５および第三有機ＥＬ素子３００の画素反射領域３０５についても同様である。このような場合、上部電極４および画素反射領域１０５，２０５，３０５の電位は同じとなる。製造上のばらつきにより、画素反射領域とある素子の画素コンタクト領域が電気的に接続する欠陥がある場合、上部電極コンタクト領域６００の外周積層部６０４と画素反射領域が接続していれば、画素コンタクト領域の電位は上部電極４の電位と同じとなる。上部電極４と下部電極２は同電位になることから、画素反射領域と下部電極が電気的に接続した有機ＥＬ素子は発光しないので、大きな画素欠陥になることを防ぐことができる。
さらに、上記のように各有機ＥＬ素子の画素コンタクト領域が画素反射領域と絶縁されている場合には、図６および図８に示すように、外周積層部６０４と、外周積層部５０４
と、表示領域５０の画素反射領域は電気的に接続されていてもよい。このような場合、上部電極４および外周積層部６０４および外周積層部５０４および画素反射領域の電位は同じとなり、上記のように大きな画素欠陥を防ぐことができる。
第一積層部１０４および外周積層部６０４は、基板上に高反射率材料の膜を形成し、次に低反射率材料の膜を形成し、エッチングプロセスでパターニングすることにより、同時に形成することができる。成膜時やエッチングによるパターニング時のプロセスばらつきの抑制の観点から、第一積層部１０４と基板１の距離と、外周積層部６０４と基板１との距離は略同一であることが好ましい。また、第一高反射層１０２よび外周高反射層６０２の膜厚は略同一であることが好ましく、第一低反射層１０３および外周低反射層６０３の膜厚は略同一であることが好ましい。
（配線領域７００）
図５において、配線領域７００は表示領域５０の外周にある外周領域４００内に設けられている。配線領域７００において、外周積層部７０４は、基板側に外周高反射層７０２が設けられ、外周積層部７０４の光出射側に外周低反射層７０３が設けられている。外周高反射層７０２は、第一積層部１０４の第一高反射層１０２と主成分が同じであり、外周低反射層７０３は、第一積層部１０４の第一低反射層と主成分が同じである。
配線領域７００とは、上部電極４とは電気的に絶縁している外周積層部７０４が配線として設けられている領域である。配線の用途は特に限定されない。
配線領域７００において、外周積層部７０４の光出射側には外周低反射層７０３が設けられていることから、本実施形態においては、配線領域７００の外光反射を抑制することが可能である。
第一積層部１０４および外周積層部７０４は、基板上に高反射率材料の膜を形成し、次に低反射率材料の膜を形成し、エッチングプロセスでパターニングすることにより、同時に形成することができる。成膜時やエッチングによるパターニング時のプロセスばらつきの抑制の観点から、第一積層部１０４と基板１の距離と、外周積層部７０４と基板１との距離は略同一であることが好ましい。また、第一高反射層１０２よび外周高反射層７０２の膜厚は略同一であることが好ましく、第一低反射層１０３および外周低反射層７０３の膜厚は略同一であることが好ましい。
（防湿領域８００）
図５において、防湿領域８００は表示領域５０の外周にある外周領域４００内に設けられている。防湿領域８００において、外周積層部８０４は、基板側に外周高反射層８０２が設けられ、外周積層部８０４の光出射側に外周低反射層８０３が設けられている。外周高反射層８０２は、第一積層部１０４の第一高反射層１０２と主成分が同じであり、外周低反射層８０３は、第一積層部１０４の第一低反射層と主成分が同じである。
防湿領域８００は有機ＥＬデバイスの最外周に設けられており、有機ＥＬデバイスの周囲から水分の侵入を防ぐ目的で形成する。したがって、防湿性の観点から外周積層部８０４は有機ＥＬデバイス１０の最外周に連続的に形成されていることが好ましい。防湿領域８００において、外周積層部８０４の基板側にはプラグ８０５が設けられ、外周積層部８０４の光出射側にはプラグ８０６が設けられる。プラグ８０５およびプラグ８０６も、防湿性の観点から有機ＥＬデバイスの最外周に連続的に形成されていることが好ましい。さらにプラグ８０６の上部に設けられた密着部８０７も、防湿性の観点から有機ＥＬデバイスの最外周に連続的に形成されていることが好ましい。特に保護層６を設ける場合には、保護層６と密着部８０７が直接接していることがより好ましい。密着部８０７は、下部電
極２と主成分が同じ材料で形成することができる。
防湿領域８００において、外周積層部８０４の光出射側には外周低反射層８０３が設けられていることから、本実施形態においては、防湿領域８００の外光反射を抑制することが可能である。
第一積層部１０４および外周積層部８０４は、基板上に高反射率材料の膜を形成し、次に低反射率材料の膜を形成し、エッチングプロセスでパターニングすることにより、同時に形成することができる。成膜時やエッチングによるパターニング時のプロセスばらつきの抑制の観点から、第一積層部１０４と基板１の距離と、外周積層部８０４と基板１との距離は略同一であることが好ましい。また、第一高反射層１０２よび外周高反射層８０２の膜厚は略同一であることが好ましく、第一低反射層１０３および外周低反射層８０３の膜厚は略同一であることが好ましい。
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態では、第１および第２実施形態に係る発光装置１０を各種装置に適用した例を説明する。
図９は、本実施形態に係る表示装置の一例である表示装置１０００を表す模式図である。表示装置１０００は、上部カバー１００１と、下部カバー１００９と、の間に、タッチパネル１００３、表示パネル１００５、フレーム１００６、回路基板１００７、バッテリー１００８、を有してよい。表示パネル１００５は、第１および第２実施形態に係る発光装置１０を有する表示部であり、発光装置１０から発せられた光を用いて表示を行う。タッチパネル１００３および表示パネル１００５には、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ１００２，１００４が接続されている。回路基板１００７には、トランジスタを含む制御回路がプリントされており、表示パネル１００５の制御などの各種制御を行う。バッテリー１００８は、表示装置が携帯機器でなければ、設けなくてもよいし、携帯機器であっても、別の位置に設けてもよい。表示装置１０００は、赤色、緑色、青色にそれぞれ対応する３種類のカラーフィルタを有してよい。複数のカラーフィルタがデルタ配列で配置されてよい。
表示装置１０００は、携帯端末の表示部に用いられてもよい。その際には、表示装置１０００は、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォン等の携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイ等が挙げられる。
表示装置１０００は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光する撮像素子とを有する撮像装置の表示部に用いられてよい。撮像装置は、撮像素子が取得した情報（撮像素子が撮像した画像など）を表示する表示部を有してよい。また、表示部は、撮像装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。撮像装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどであってよい。
図１０（Ａ）は、本実施形態に係る撮像装置の一例である撮像装置１１００を表す模式図である。撮像装置１１００は、ビューファインダ１１０１、背面ディスプレイ１１０２、操作部１１０３、筐体１１０４を有してよい。ビューファインダ１１０１は、本実施形態に係る表示装置（第１および第２実施形態に係る発光装置１０を有し、発光装置１０から発せられた光を用いて表示を行う表示装置）を有してよい。その場合、表示装置は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示等を表示してよい。環境情報は、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性等であってよい。背面ディスプレイ１１０２も、本実施形態に係る表示装置を有してよい。
撮像に好適なタイミングはわずかな時間であるため、少しでも早く情報を表示した方がよい。したがって、応答速度が速い有機発光素子を用いた表示装置を用いるのが好ましい。有機発光素子を用いた表示装置は、表示速度が要求される装置において、液晶表示装置などよりも好適に用いることができる。
撮像装置１１００は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、筐体１１０４内に収容されている撮像素子に光を結像する。複数のレンズは、それらの相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。撮像装置１１００は光電変換装置と呼ばれてもよい。光電変換装置は逐次撮像するのではなく、前画像からの差分を検出する方法、記録されている画像の一部を切り出す方法等を撮像の方法として含むことができる。
図１０（Ｂ）は、本実施形態に係る電子機器の一例である電子機器１２００を表す模式図である。電子機器１２００は、表示部１２０１と、操作部１２０２と、筐体１２０３とを有する。表示部１２０１は、第１および第２実施形態に係る発光装置１０を有し、発光装置１０から発せられた光を用いて表示を行う。電子機器１２００は、筐体１２０３には、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、外部と通信する通信部、を有してよい。操作部１２０２は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する電子機器は通信機器ということもできる。電子機器は、レンズと撮像素子とを備えることでカメラ機能をさらに有してよい。カメラ機能により撮像された画像が表示部に映される。電子機器としては、スマートフォン、ノートパソコン等があげられる。
図１１（Ａ）は、本実施形態に係る表示装置の一例である表示装置１３００を表す模式図である。表示装置１３００は、テレビモニタやＰＣモニタ等の表示装置である。表示装置１３００は、額縁１３０１と、表示部１３０２と、額縁１３０１および表示部１３０２を支える土台１３０３とを有する。表示部１３０２は、第１および第２実施形態に係る発光装置１０を有し、発光装置１０から発せられた光を用いて表示を行う。土台１３０３の形態は、図１１（Ａ）の形態に限られない。額縁１３０１の下辺が土台１３０３を兼ねてもよい。また、額縁１３０１および表示部１３０２は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、５０００ｍｍ以上且つ６０００ｍｍ以下であってよい。
図１１（Ｂ）は、本実施形態に係る別の表示装置の一例である表示装置１３１０を表す模式図である。表示装置１３１０は、折り曲げ可能に構成された、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置１３１０は、第１表示部１３１１、第２表示部１３１２、筐体１３１３、屈曲点１３１４を有する。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とのそれぞれは、第１および第２実施形態に係る発光装置１０を有し、発光装置１０から発せられた光を用いて表示を行う。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、つなぎ目のない１枚の表示装置であってよい。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、屈曲点で分けることができる。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とで１つの画像を表示してもよい。
図１２（Ａ）は、本実施形態に係る照明装置の一例である照明装置１４００を表す模式図である。照明装置１４００は、筐体１４０１と、光源１４０２と、回路基板１４０３と、光学フィルム１４０４と、光拡散部１４０５と、を有してよい。光源１４０２は、第１および第２実施形態に係る発光装置１０を有する。光学フィルム１４０４は光源１４０２の演色性を向上させるフィルタ（光学フィルタ）であってよい。光拡散部１４０５は、ライトアップ等、光源１４０２の光を効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。光学フィルム１４０４と光拡散部１４０５は、照明装置１４００の光出射側に設けられ
てよい。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。
照明装置１４００は例えば室内を照明する装置である。照明装置１４００は白色、昼白色、その他の色（青色から赤色までのいずれの色）を発光するものであってよい。白色とは色温度が４２００Ｋの色であり、昼白色とは色温度が５０００Ｋの色である。照明装置１４００は、照明装置１４００の発光色を調光する調光回路を有してよい。照明装置１４００は、光源１４０２に接続される電源回路を有してよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、照明装置１４００はカラーフィルタを有してもよい。また、照明装置１４００は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコン等が挙げられる。
図１２（Ｂ）は、本実施形態に係る移動体の一例である自動車１５００を表す模式図である。自動車１５００は灯具の一例であるテールランプ１５０１を有してよい。テールランプ１５０１は、ブレーキ操作等に応じて点灯する。
テールランプ１５０１は、第１および第２実施形態に係る発光装置１０を有する。テールランプ１５０１は、発光装置１０を保護する保護部材を有してよい。保護部材はある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネート等で構成されることが好ましい。ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体等を混ぜてよい。
自動車１５００は、車体１５０３と、車体１５０３に取り付けられている窓１５０２とを有してよい。窓１５０２は、自動車１５００の前後を確認するための窓でなければ、透明なディスプレイであってもよい。透明なディスプレイは、第１および第２実施形態に係る発光装置１０を有してよい。この場合に、発光装置１０が有する電極等の構成材料は透明な部材で構成される。
本実施形態に係る移動体は、船舶、航空機、ドローン等であってよい。移動体は、機体と当該機体に設けられた灯具を有してよい。灯具は、機体の位置を知らせるための発光をしてよい。灯具は第１および第２実施形態に係る発光装置１０を有する。
本実施形態に係る表示装置（第１および第２実施形態に係る発光装置１０を有し、発光装置１０から発せられた光を用いて表示を行う表示装置）は、例えばスマートグラスやＨＭＤ、スマートコンタクトのようなウェアラブルデバイスにも適用できる。本実施形態に係る表示装置は、ウェアラブルデバイスなどを有するシステムにも適用できる。ウェアラブルデバイスなどとして使用される撮像表示装置は、可視光を光電変換可能な撮像装置と、可視光を発光可能な表示装置とを有する。
図１３（Ａ）は、本実施形態に係るウェアラブルデバイスの一例である眼鏡１６００（スマートグラス）を表す模式図である。眼鏡１６００のレンズ１６０１の表面側に、ＣＭＯＳセンサやＳＰＡＤのような撮像装置１６０２が設けられている。また、レンズ１６０１の裏面側には、本実施形態に係る表示装置（第１および第２実施形態に係る発光装置１０を有し、発光装置１０から発せられた光を用いて表示を行う表示装置）が設けられている。
眼鏡１６００は、制御装置１６０３をさらに備える。制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と上記表示装置に電力を供給する電源として機能する。また、制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と表示装置の動作を制御する。レンズ１６０１には、撮像装置１６０２に光を集光するための光学系が形成されている。
図１３（Ｂ）は、本実施形態に係るウェアラブルデバイスの一例である眼鏡１６１０（スマートグラス）を表す模式図である。眼鏡１６１０は、制御装置１６１２を有しており、制御装置１６１２に、撮像装置１６０２に相当する撮像装置と、本実施形態に係る表示装置とが搭載される。レンズ１６１１には、制御装置１６１２内の撮像装置と、表示装置からの発光を投影するための光学系が形成されており、レンズ１６１１に画像が投影される。制御装置１６１２は、撮像装置および表示装置に電力を供給する電源として機能するとともに、撮像装置および表示装置の動作を制御する。
制御装置は、眼鏡１６１０の装着者の視線を検知する視線検知部を有してもよい。視線の検知は赤外線を用いてよい。赤外発光部は、表示画像を注視しているユーザーの眼球に対して、赤外光を発する。発せられた赤外光の眼球からの反射光を、受光素子を有する撮像部が検出することで眼球の撮像画像が得られる。平面視における赤外発光部から表示部への光を低減する低減部を有することで、表示装置からレンズ１６１１に投影された画像の品位低下が低減される。赤外光の撮像により得られた眼球の撮像画像から表示画像に対するユーザーの視線を検出する。眼球の撮像画像を用いた視線検出には任意の公知の手法が適用できる。一例として、角膜での照射光の反射によるプルキニエ像に基づく視線検出方法を用いることができる。より具体的には、瞳孔角膜反射法に基づく視線検出処理が行われる。瞳孔角膜反射法を用いて、眼球の撮像画像に含まれる瞳孔の像とプルキニエ像とに基づいて、眼球の向き（回転角度）を表す視線ベクトルが算出されることにより、ユーザーの視線が検出される。
なお、視認検知（視線検知）に基づいて表示制御を行う場合には、第１および第２実施形態に係る発光装置１０は、外部を撮像する撮像装置を有するスマートグラスに好ましく適用できる。スマートグラスは、撮像した外部情報をリアルタイムで表示することができる。
なお、本実施形態に係る表示装置（第１、第２実施形態に係る発光装置１０を有し、発光装置１０から発せられた光を用いて表示を行う表示装置）は、受光素子を有する撮像装置を有し、撮像装置からのユーザーの視線情報に基づいて表示画像を制御してよい。具体的には、視線情報に基づいて、ユーザーが注視する第１の視界領域と、第１の視界領域以外の第２の視界領域とが決定される。第１の視界領域と第２の視界領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを表示装置が受信してもよい。表示装置の表示領域において、第１の視界領域の表示解像度を第２の視界領域の表示解像度よりも高く制御してよい。つまり、第２の視界領域の解像度を第２の視界領域よりも低くしてよい。
また、表示領域は、第１の表示領域、第１の表示領域とは異なる第２の表示領域とを有し、視線情報に基づいて、第１の表示領域および第２の表示領域から優先度が高い領域を決定してもよい。第１の表示領域、第２の表示領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを表示装置が受信してもよい。優先度の高い領域の解像度を、優先度が高い領域以外の領域の解像度よりも高く制御してよい。つまり優先度が相対的に低い領域の解像度を低くしてよい。
なお、第１の視界領域や優先度が高い領域などの決定には、ＡＩを用いてもよい。ＡＩは、眼球の画像と当該画像の眼球が実際に視ていた方向とを教師データとして、眼球の画像から視線の角度、視線の先の目的物までの距離を推定するよう構成されたモデルであってよい。ＡＩプログラムは、表示装置が有しても、撮像装置が有しても、外部装置が有してもよい。外部装置が有する場合は、通信を介して、表示装置に伝えられる。
以上説明した通り、第１および第２実施形態に係る発光装置１０を各種装置に用いるこ
とにより、良好な画質で表示を行ったり、良好な発光を行ったりすることができる。
［実施例］
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
図１に示される構成を有する有機ＥＬデバイスを以下のように作製した。
まず、基板１上にＡｌとＴｉをスパッタリング法で形成し、これをパターニングすることによって配線２１を形成した。次にＳｉＯをＣＶＤ法で形成し、エッチングによりプラグ１１を形成した。次にＡｌ：Ｃｕ合金をスパッタリング法で形成し、さらにＴｉＮをスパッタリング法で形成することで、Ａｌ：Ｃｕ合金とＴｉＮの積層膜を形成した。Ａｌ：Ｃｕ合金が第一の材料の一例であり、Ａｌ：Ｃｕ合金の層が高反射層に相当する。同様に、ＴｉＮが第二材料の一例であり、ＴｉＮの層が低反射層に相当する。 Ａｌ：Ｃｕ合金
およびＴｉＮをエッチングより、第一有機ＥＬ素子の第一積層部１０４および第二有機ＥＬ素子の第二積層部２０４および第三有機ＥＬ素子の第三積層部３０４の外周積層部４０４の形状を形成した。第一積層部１０４のＴｉＮを一部エッチングにより除去し、Ａｌ：Ｃｕ合金が露出した開口を得た。
次に光学干渉層３１として、ＳｉＯをＣＶＤ法で形成し、エッチングにより光学干渉層３１と第二積層部２０４のＴｉＮを同プロセスで除去し、第二積層部２０４にＡｌ：Ｃｕ合金が露出した開口を得た。次に光学干渉層３２として、ＳｉＯをＣＶＤ法で形成し、エッチングにより光学干渉層３２と第三積層部３０４のＴｉＮを同プロセスで除去し、第三積層部３０４にＡｌ：Ｃｕ合金が露出した開口を得た。次に光学干渉層３３としてＳｉＯをＣＶＤ法で形成した。
第一有機ＥＬ素子および第二有機ＥＬ素子および第三有機ＥＬ素子の各々の光学干渉層３０の膜厚を異ならせることで、それぞれ所望の光学距離を得た。次に、プラグ１２を光学干渉層３０に形成することで第一積層部１０４および第二積層部２０４および第三積層部３０４のＴｉＮを露出させた。
次に、スパッタリング法でＩＴＯを成膜し、エッチングすることにより第一有機ＥＬ素子および第二有機ＥＬ素子および第三有機ＥＬ素子の下部電極２を形成した。次に、下部電極２上に絶縁層５をＣＶＤ法でＳｉＯを成膜した。各発光素子の絶縁層５に開口部を設け、第一発光領域１０１、第二発光領域２０１、第三発光領域３０１とした。第一発光領域１０１、第二発光領域２０１、第三発光領域３０１は、それぞれ第一積層部１０４、第二積層部２０４、第三積層部３０４のＡｌ：Ｃｕ合金が露出した開口と平面視で重畳していることを確認した。
次に、下部電極２上に有機化合物層３を形成した。具体的には、正孔注入層として下記の化合物１を３ｎｍの厚さで形成した。次に、正孔輸送層として、下記化合物２を１５ｎｍ、電子ブロック層として下記化合物３を１０ｎｍの厚さで形成した。
第一発光層は、ホスト材料として下記化合物４を重量比９７％、発光ドーパントとして下記化合物５を重量比３％となるように、１０ｎｍの厚さで形成した。第二発光層は、ホスト材料として下記化合物４を重量比９８％、発光ドーパントとして下記化合物６と下記化合物７をそれぞれ重量比１％となるように、１０ｎｍの厚さで形成した。電子輸送層は、下記化合物８を１１０ｎｍの厚さで形成した。電子注入層はフッ化リチウムを１ｎｍの厚さで形成した。
Figure 2022071601000003
次に、上部電極４としてＭｇＡｇ合金を１０ｎｍの厚さで形成した。ＭｇとＡｇとの比率は１：１とした。その後、保護層６としてＣＶＤ法にてＳｉＮ膜を２μｍの厚さで形成した。さらにＳｉＮ膜上に平坦化層７をスピンコートにより３００ｎｍの厚さで形成した。
次に、カラーフィルタを平坦化層７の上に形成した。第一カラーフィルタ１２１は赤成分を透過するカラーフィルタ、第二カラーフィルタ２２１は緑成分を透過するカラーフィルタ、第三カラーフィルタ３２１は青成分を透過するカラーフィルタとした。次に平坦化層８を各々のカラーフィルタ上に形成した。次にレンズ１２２を第一カラーフィルタ１２１上に形成し、レンズ２２２を第二カラーフィルタ２２１上に形成し、レンズ３２２を第三カラーフィルタ３２１上に形成した。
（比較例１）
第一有機ＥＬ素子の第一積層部１０４および第二有機ＥＬ素子の第二積層部２０４および第三有機ＥＬ素子の第三積層部３０４の外周積層部４０４および光学干渉層の形成プロセス以外は、実施例１と同様に作成した。実施例１との違いについて説明する。
プラグ１１を形成後、ＴｉＮをスパッタリング法で形成し、さらにＡｌ：Ｃｕ合金をスパッタリング法で形成することで、ＴｉＮとＡｌ：Ｃｕ合金の積層膜を形成した。ＴｉＮおよびＡｌ：Ｃｕ合金をエッチングより、第一有機ＥＬ素子の第一積層部１０４および第二有機ＥＬ素子の第二積層部２０４および第三有機ＥＬ素子の第三積層部３０４の外周積層部４０４の形状を形成した。
次に光学干渉層３１として、ＳｉＯをＣＶＤ法で形成し、エッチングにより第一積層部１０４上の光学干渉層３１を除去した。次に光学干渉層３２として、ＳｉＯをＣＶＤ法で
形成し、第二積層部２０４上の光学干渉層３２を除去した。次に光学干渉層３３としてＳｉＯをＣＶＤ法で形成した。
第一有機ＥＬ素子および第二有機ＥＬ素子および第三有機ＥＬ素子の各々の光学干渉層３０の膜厚を異ならせることで、それぞれ所望の光学距離を得た。次に、プラグ１２工程以降は実施例１と同じである。
（実施例１と比較例１の比較）
実施例１と比較例１の有機ＥＬデバイスの外光反射の影響を評価した。評価は、外光が有機ＥＬデバイスに入射する明所において行った。比較例１においては、表示領域５０および外周領域４００の外光反射が強く、映り込みや色付きが確認された。一方、実施例１では、比較例１と比べて表示領域５０および外周領域４００の映り込みや色付き抑制されていることが確認することができたため、本発明における有機ＥＬデバイス構成の外光反射抑制効果を確認することができた。
１：基板、２：下部電極、３：有機化合物層、４：上部電極、１０：有機ＥＬデバイス
５０：表示領域、 １０２：第一高反射層、１０３：第一低反射層、１０４：第一積層部４００：外周領域、４０２：外周高反射層、４０３：外周低反射層、４０４：外周積層部

Claims (27)

  1. 基板上に、少なくとも第一発光素子を備えた表示領域と、前記表示領域の外周にある外周領域とを有し、
    前記第一発光素子は、前記基板側から順に、下部電極と、発光層と、上部電極が積層された発光領域を有し、
    前記第一発光素子の前記下部電極と前記基板の間に、前記基板側から順に、第一高反射層と、前記第一高反射層より反射率の低い第一低反射層が積層された第一積層部を有し、
    前記外周領域において、前記基板上に、前記基板側から順に、外周高反射層と、前記外周高反射層より反射率の低い外周低反射層が積層された外周積層部を有し、
    前記発光領域と平面視で重畳する前記第一積層部の少なくとも一部は、前記第一高反射層が露出するように前記第一低反射層が開口を有する、
    ことを特徴とする発光装置。
  2. 前記第一高反射層と前記外周高反射層は、主成分が同一の材料で構成され、
    前記第一低反射層と前記外周低反射層は、主成分が同一の材料で構成される、
    請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記第一高反射層と前記外周高反射層は、反射率が略同一の材料で構成され、
    前記第一低反射層と前記外周低反射層は、反射率が略同一の材料で構成される、
    請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 前記第一高反射層と前記第一低反射層の反射率の差が１０％ポイント以上である、
    請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 前記第一高反射層は、Ａｌを主成分とする材料で構成され、
    前記第一低反射層は、ＴｉまたはＴｉＮを主成分とする材料で構成される、
    請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 前記第一低反射層の厚さは、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、
    請求項５に記載の発光装置。
  7. 前記第一発光素子の前記下部電極は、前記第一積層部の前記第一低反射層を介して、前記第一高反射層に接する、
    請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
  8. 前記第一発光素子の前記下部電極と前記第一積層部の間に、光学干渉層を有し、
    前記第一発光素子の下部電極と、前記第一積層部の前記第一低反射層が、前記光学干渉層を貫通するプラグ内の導電性材料を介して電気的に接続している、
    請求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
  9. 前記第一発光素子の前記下部電極と前記第一積層部の間に、光学干渉層を有し、
    前記光学干渉層が前記開口部において、前記第一高反射層と接する、
    請求項１から８のいずれか１項に記載の発光装置。
  10. 前記第一積層部と前記基板との距離と、前記外周積層部と前記基板との距離と、は略同一である、
    請求項１から９のいずれか１項に記載の発光装置。
  11. 前記外周低反射層と前記上部電極は、平面視において少なくとも各々の一部が重畳し、
    断面視において少なくとも各々の一部が離間している、
    請求項１から１０のいずれか１項に記載の発光装置。
  12. 前記外周低反射層と前記上部電極の間の少なくとも一部において、前記発光層の厚みが平面方向に変化している、
    請求項１から１１のいずれか１項に記載の発光装置。
  13. 前記第一積層部の前記第一高反射層は、外部電源につながる配線に接し、
    前記基板に対する正射影において、前記配線と前記第一高反射層との接点は、前記開口部と重畳しないことを特徴とする、
    請求項１から１２のいずれか１項に記載の発光装置。
  14. 基板に対する正射影において、前記開口部と重畳する前記第一高反射層は、前記配線との接点における前記第一高反射層と離間していることを特徴とする、 請求項１３に記載の発光装置。
  15. 前記外周領域は、上部電極コンタクト領域を含み、
    前記上部電極コンタクト領域において、前記外周積層部は、上部電極と電気的に接続している、
    請求項１から１４のいずれか１項に記載の発光装置。
  16. 前記外周領域は、配線領域を含み、
    前記配線領域の前記外周積層部は、上部電極と電気的に接続していない配線である、
    請求項１から１５のいずれか１項に記載の発光装置。
  17. 前記外周領域は、防湿領域を含み、
    前記防湿領域において、前記外周積層部は表示領域を囲むように連続的に設けられている、
    請求項１から１６のいずれか１項に記載の発光装置。
  18. 前記上部電極の基板とは反対側に、前記外周領域に延在する保護層が設けられ、
    前記防湿領域に、前記下部電極と主成分が同じ材料で構成され密着部が、表示領域を囲むように連続的に設けられ、
    前記外周積層部と前記密着部は、平面視において少なくとも一部は重畳し、
    前記密着部は保護層と直接接している、
    請求項１７に記載の発光装置。
  19. 前記第一発光素子は、前記発光層に有機発光材料を含む、有機ＥＬ素子である、
    請求項１から１８のいずれか１項に記載の発光装置。
  20. 基板上に、少なくとも第一発光素子を備えた表示領域と、前記表示領域の外周にある外周領域とを有し、
    前記第一発光素子は、前記基板側から順に、下部電極と、発光層と、上部電極が積層された発光領域を有し、
    前記第一発光素子の前記下部電極と前記基板の間に、前記基板側から順に、第一高反射層と第一低反射層が積層された第一積層部を有し、
    前記外周領域において、前記基板上に、前記基板側から順に、外周高反射層と、前記外周高反射層より反射率の低い外周低反射層が積層された外周積層部を有し、
    前記第一高反射層および前記外周高反射層は、ＡｌまたはＡｇを有する材料で構成され、
    前記第一低反射層および前記外周低反射層は、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗのいずれかを有する材料で構成され、
    前記発光領域と平面視で重畳する前記第一積層部の少なくとも一部は、前記第一高反射層が露出するように前記第一低反射層が開口を有する、
    ことを特徴とする発光装置。
  21. 請求項１から２０のいずれか１項に記載の発光装置を有する表示部と、
    前記表示部を制御する制御回路と、
    を有する、表示装置。
  22. 光学部と、
    前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、
    前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部と、
    を有し、
    前記表示部は、請求項１から２０のいずれか１項に記載の発光装置を有する、
    撮像装置。
  23. 請求項１から２０のいずれか１項に記載の発光装置を有する表示部と、
    前記表示部が設けられた筐体と、
    前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、
    を有することを特徴とする電子機器。
  24. 発光素子を備えた表示領域と、前記表示領域の外周にある外周領域とを有する発光装置の製造方法であって、
    基板上に、第一材料で構成される高反射層と、前記第一材料よりも反射率の低い第二材料で構成される低反射層を、この順で積層するステップと、
    前記表示領域において、前記低反射層の少なくとも一部を除去して、前記高反射層が露出する開口部を設けるステップと、
    前記開口部の上に、下部電極、発光層、および上部電極をこの順で含む発光素子を形成するステップと、
    を含む、発光装置の製造方法。
  25. 前記開口部および前記低反射層の上に光学干渉層を設けるステップと、
    前記表示領域の前記開口部が設けられていない部分の前記光学干渉層を除去して、前記低反射層を露出するプラグを形成するステップと、
    を含み、
    前記発光素子を形成するステップでは、前記下部電極が前記プラグを介して前記低反射層と電気的に接続するように前記下部電極を形成する、
    請求項２４に記載の発光装置の製造方法。
  26. 前記発光装置は、前記表示領域に第一発光素子と第二発光素子を含み、
    前記第一発光素子を設ける領域について、前記低反射層の少なくとも一部を除去して、前記高反射層が露出する開口部を設け、
    前記第一発光素子および前記第二発光素子を設ける領域に、第一光学干渉層を設け、
    前記第二発光素子を設ける領域について、前記第一光学干渉層および前記低反射層の少なくとも一部を除去して、前記高反射層が露出する開口部を設け、
    前記第一発光素子および前記第二発光素子を設ける領域に、第二光学干渉層を設ける
    請求項２５に記載の発光装置の製造方法。
  27. 発光素子を備えた表示領域と、前記表示領域の外周にある外周領域とを有する発光装置
    の製造方法であって、
    基板上に、ＡｌまたはＡｇを有する材料で構成される高反射層と、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗのいずれかを有する材料で構成される低反射層を、この順で積層するステップと、
    前記表示領域において、前記低反射層の少なくとも一部を除去して、前記高反射層が露出する開口部を設けるステップと、
    前記開口部の上に、下部電極、発光層、および上部電極をこの順で含む発光素子を形成するステップと、
    を含む、発光装置の製造方法。
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