JP2013054863A - 有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法および電子機器 - Google Patents
有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013054863A JP2013054863A JP2011191035A JP2011191035A JP2013054863A JP 2013054863 A JP2013054863 A JP 2013054863A JP 2011191035 A JP2011191035 A JP 2011191035A JP 2011191035 A JP2011191035 A JP 2011191035A JP 2013054863 A JP2013054863 A JP 2013054863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- organic
- film
- electrode
- electrode pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 94
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 343
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 151
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 69
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 51
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 100
- 230000008569 process Effects 0.000 description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 101100153525 Homo sapiens TNFRSF25 gene Proteins 0.000 description 7
- 102100022203 Tumor necrosis factor receptor superfamily member 25 Human genes 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- -1 indium oxide compound Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- YPJRZWDWVBNDIW-MBALSZOMSA-N n,n-diphenyl-4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(n-phenylanilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]aniline Chemical group C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1/C=C/C(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1\C=C\C(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YPJRZWDWVBNDIW-MBALSZOMSA-N 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】表示画像の視認性を低下せることなく、小型化および高精細化を実現可能な有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、駆動基板上の表示領域に設けられた第１電極が、第１導電膜（反射膜）の下層に、これよりも低反射率の第２導電膜を有する積層膜からなる。周辺領域には、第２電極に接続される電極パッドが設けられ、この電極パッドが、第１電極を構成する積層膜のうちの少なくとも第２導電膜と同一材料よりなる導電膜を含む。第１電極では、積層膜のうちの反射膜としての第１導電膜の機能が発揮され、電極パッドでは、低反射率の第２導電膜と同一材料よりなる導電膜により、外光反射が抑えられる。
【選択図】図1
【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、駆動基板上の表示領域に設けられた第１電極が、第１導電膜（反射膜）の下層に、これよりも低反射率の第２導電膜を有する積層膜からなる。周辺領域には、第２電極に接続される電極パッドが設けられ、この電極パッドが、第１電極を構成する積層膜のうちの少なくとも第２導電膜と同一材料よりなる導電膜を含む。第１電極では、積層膜のうちの反射膜としての第１導電膜の機能が発揮され、電極パッドでは、低反射率の第２導電膜と同一材料よりなる導電膜により、外光反射が抑えられる。
【選択図】図1
Description
本開示は、有機材料の電界発光（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して画像表示を行う有機ＥＬ表示装置に関する。
上面発光型（トップエミッション型）の有機ＥＬ表示装置は、反射電極として機能する下部電極（例えばアノード電極）と、上部電極（例えばカソード電極）との間に有機電界発光層を挟み込んだ素子構造を有し、上部電極側から光取り出しを行うものである（例えば、特許文献１）。このような有機ＥＬ表示装置では、シリコンウェーハ上に素子構造を形成することで、画素間ピッチを数μｍ程度にまで小型高精細化することが可能である。ところが、このように画素間ピッチが微細化すると、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各画素の発光層を、蒸着マスクを用いた蒸着法により形成する（塗り分ける）場合、マスクの位置合わせ精度が不足し易い。このため、例えば上記３色の発光層を全画素にわたって積層して白色の発光を取り出す、いわゆるＲＧＢ−Ｗｈｉｔｅ方式が採用されている。
ところが、上記ＲＧＢ−Ｗｈｉｔｅ方式では、発光領域（表示領域）内の全域にわたって発光層が蒸着されるため、上部電極（カソード電極）を取り出す（カソード電極に配線接続を行う）ためのパッド等を発光領域内に形成することができない。従って、発光領域外にカソード接続用のパッド（以下、電極パッドという）を設ける必要がある。
この電極パッドは、発光素子よりも下層に配置される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等の配線層と同層に（同一工程において）形成できるが、この場合には、電極パッドとカソード電極との間に多数の層が介在することになる。従って、電極パッドとカソード電極との間の段差が大きくなり、カソード電極が局所的に薄くなったり、途切れ易くなる。尚、この段差による影響は、カソード電極の厚みを大きくすることで緩和されるが、厚みを大きくすると、カソード電極における光吸収により光取り出し効率が低下してしまう。これにより、表示画像において視認性が低下するという問題がある。
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、表示画像の視認性を低下せることなく、小型化および高精細化を実現可能な有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法および電子機器を提供することにある。
本開示の有機ＥＬ表示装置は、駆動基板上の表示領域に設けられると共に、それぞれが、２層以上からなる積層膜を有する複数の第１電極と、複数の第１電極上に表示領域の全域にわたって設けられ、発光層を含む有機層と、駆動基板上の表示領域の周辺領域に設けられた電極パッドと、有機層上から電極パッド上にわたって設けられた第２電極とを備えたものである。積層膜は、反射膜として機能する第１導電膜と、第１導電膜の下層に設けられて第１導電膜よりも低反射率を有する第２導電膜とを有し、電極パッドは、その積層膜の一部に対応すると共に、第２導電膜と同一材料よりなる導電膜を含んで構成されている。
本開示の有機ＥＬ表示装置では、駆動基板上の表示領域に設けられた第１電極が、第１導電膜（反射膜）の下層にこれよりも低反射率の第２導電膜を有する積層膜からなり、周辺領域において第２電極に接続される電極パッドが、そのような積層膜のうちの少なくとも第２導電膜と同一材料よりなる導電膜を含む。第１電極では、積層膜のうちの反射膜としての第１導電膜の機能が発揮され、電極パッドでは、低反射率の第２導電膜と同一材料よりなる導電膜により、外光反射が抑えられる。
本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、駆動基板上の表示領域に、それぞれが、２層以上からなる積層膜を有する複数の第１電極を形成する工程と、複数の第１電極上に表示領域の全域にわたって、発光層を含む有機層を形成する工程と、駆動基板上の表示領域の周辺領域に電極パッドを形成する工程と、有機層上から電極パッド上にわたって第２電極を形成する工程とを含む。複数の第１の電極を形成する工程では、積層膜として、反射電極として機能する第１導電膜と、第１導電膜の下層において第１導電膜よりも低反射率を有する第２導電膜とを形成する。電極パッドを形成する工程では、電極パッドとして、上記積層膜の一部に対応すると共に、第２導電膜と同一材料よりなる導電膜を形成する。
本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法では、駆動基板上の表示領域に、第１電極として、第１導電膜（反射膜）の下層にこれよりも低反射率の第２導電膜を有する積層膜を形成する。周辺領域では、電極パッドを、そのような積層膜のうちの少なくとも第２導電膜を含んで形成する。第１電極と電極パッドとを同一工程において成膜しつつも、第１電極では、反射膜としての機能を発揮させる一方、電極パッドでは、外光反射を抑えることができる。
本開示の電子機器は、上記本開示の有機ＥＬ表示装置を備えたものである。
本開示の有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法および電子機器によれば、駆動基板上の表示領域に設けられた第１電極が、第１導電膜（反射膜）の下層にこれよりも低反射率の第２導電膜を有する積層膜からなり、周辺領域において第２電極に接続される電極パッドが、そのような積層膜のうちの少なくとも第２導電膜を含んで構成される。これにより、第１電極では反射機能を発揮させる一方、電極パッドでは外光反射を抑えることができる。よって、表示画像の視認性を低下せることなく、小型化および高精細化を実現可能となる。
以下、本開示における実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（第１電極を構成する積層膜のうち、第１導電膜（高反射膜）をほぼ全域にわたって除去したものを電極パッドとして形成した例）
２．第２の実施の形態（第１電極を構成する積層膜のうち、第１導電膜（高反射膜）を部分的な領域において除去したものを電極パッドとして形成した例）
３．適用例（電子機器への適用例）
１．第１の実施の形態（第１電極を構成する積層膜のうち、第１導電膜（高反射膜）をほぼ全域にわたって除去したものを電極パッドとして形成した例）
２．第２の実施の形態（第１電極を構成する積層膜のうち、第１導電膜（高反射膜）を部分的な領域において除去したものを電極パッドとして形成した例）
３．適用例（電子機器への適用例）
＜第１の実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１）の断面構成を表すものである。有機ＥＬ表示装置１は、例えばいわゆるトップエミッション方式（上面発光方式）により発光を生じるものであり、例えば、駆動基板１０上の表示領域Ｓ１に、複数の有機ＥＬ素子（ＥＬ素子部１３Ａ）が例えばマトリクス状に配置されたものである。尚、図１には、１つのＥＬ素子部１３Ａと、後述の電極パッド１４Ｐ（表示領域Ｓ１と周辺領域Ｓ２との境界付近）について図示している。各ＥＬ素子部１３Ａは、例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の３つのサブピクセルのいずれかを構成しており、これらの３つのサブピクセルが１つのピクセルとして機能するようになっている。
［構成］
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１）の断面構成を表すものである。有機ＥＬ表示装置１は、例えばいわゆるトップエミッション方式（上面発光方式）により発光を生じるものであり、例えば、駆動基板１０上の表示領域Ｓ１に、複数の有機ＥＬ素子（ＥＬ素子部１３Ａ）が例えばマトリクス状に配置されたものである。尚、図１には、１つのＥＬ素子部１３Ａと、後述の電極パッド１４Ｐ（表示領域Ｓ１と周辺領域Ｓ２との境界付近）について図示している。各ＥＬ素子部１３Ａは、例えば赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の３つのサブピクセルのいずれかを構成しており、これらの３つのサブピクセルが１つのピクセルとして機能するようになっている。
（駆動基板１０）
駆動基板１０は、例えばアモルファスシリコン（非晶質シリコン）よりなる基板１０ａ上に、ＴＦＴ１１を含む駆動回路（後述の画素回路４０等）が配設されたものである。但し、基板１０ａは、アモルファスシリコンに限定されず、ポリシリコン（多結晶シリコン）、石英、ガラス、金属箔、シリコンまたはプラスチック等からなるものであってもよい。
駆動基板１０は、例えばアモルファスシリコン（非晶質シリコン）よりなる基板１０ａ上に、ＴＦＴ１１を含む駆動回路（後述の画素回路４０等）が配設されたものである。但し、基板１０ａは、アモルファスシリコンに限定されず、ポリシリコン（多結晶シリコン）、石英、ガラス、金属箔、シリコンまたはプラスチック等からなるものであってもよい。
ＴＦＴ１１は、例えば後述の画素回路４０におけるサンプリング用トランジスタ３Ａまたは書き込み用トランジスタ３Ｂに相当するものであり、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）であってもよい。基板１０ａ上には、このＴＦＴ１１を覆って第１絶縁膜１１０が設けられており、第１絶縁膜１１０上には、容量素子等を形成するための配線層１１１が設けられている。この配線層１１１を覆うように、基板全面にわたって第２絶縁膜１１２が形成されている。第１絶縁膜１１０は、例えば酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）または一酸化シリコン（ＳｉＯ）からなることが望ましく、第２絶縁膜１１２は、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなることが望ましい。これらの第１絶縁膜１１０および第２絶縁膜１１２には、ＥＬ素子部１３Ａに対応する領域にコンタクト層１１３Ａ、電極パッド１４Ｐに対応する領域にコンタクト層１１３Ｂがそれぞれ埋設されている。尚、図１では、コンタクト層１１３Ａは１本、コンタクト層１１３Ｂは、複数本（ここでは５本）、それぞれ設けているが、これらのコンタクト層１１３Ａ，１１３Ｂの本数や径等は図示したものに特に限定されない。
コンタクト層１１３Ａ，１１３Ｂは、例えば、第１絶縁膜１１０および第２絶縁膜１１２を貫通するコンタクトホールに、導電性材料が埋め込まれて形成されたものである。導電性材料としては、例えばタングステン（Ｗ）が挙げられる。コンタクト層１１３Ａは、ＥＬ素子部１３Ａの下部電極（第１電極１４）と、ＴＦＴ１１の電極（例えばソースまたはドレイン）とを電気的に接続させるものである。コンタクト層１１３Ｂは、電極パッド１４Ｐの導電膜（低反射導電膜１４ｂ）と、配線層１１ａとを電気的に接続させるものである。配線層１１ａは、基板１０ａ上において、ＴＦＴ１１と同層に形成されている。
（ＥＬ素子部１３Ａ）
ＥＬ素子部１３Ａは、例えばトップエミッション方式により発光を生じるものであり、駆動基板１０の第２絶縁膜１１２上に、例えば第１電極１４、有機層１６および第２電極１７を備えている。また、第１電極１４上には、基板全面にわたって画素間絶縁膜１５が形成されており、この画素間絶縁膜１５は、第１電極１４に対向して開口Ｈ１、電極パッド１４Ｐに対向して開口Ｈ２をそれぞれ有している。この画素間絶縁膜１５の開口Ｈ１に対向する領域が各ＥＬ素子部１３Ａにおける発光領域となる。
ＥＬ素子部１３Ａは、例えばトップエミッション方式により発光を生じるものであり、駆動基板１０の第２絶縁膜１１２上に、例えば第１電極１４、有機層１６および第２電極１７を備えている。また、第１電極１４上には、基板全面にわたって画素間絶縁膜１５が形成されており、この画素間絶縁膜１５は、第１電極１４に対向して開口Ｈ１、電極パッド１４Ｐに対向して開口Ｈ２をそれぞれ有している。この画素間絶縁膜１５の開口Ｈ１に対向する領域が各ＥＬ素子部１３Ａにおける発光領域となる。
画素間絶縁膜１５は、各ＥＬ素子部１３Ａを電気的に分離する（画素開口を区画する）機能を有するものであり、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）等の無機絶縁膜により構成されている。この画素間絶縁膜１５の厚みは、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
第１電極１４は、画素毎に設けられ、例えばアノードとして機能すると共に、反射電極として機能するものである。本実施の形態では、この第１電極１４が、反射膜としての高反射導電膜１４ａを有しており、これよりも下層に、低反射導電膜１４ｂを有している。即ち、第１電極１４は、駆動基板１０側から順に低反射導電膜１４ｂと高反射導電膜１４ａとを有する積層膜となっている。
高反射導電膜１４ａとしては、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウムを含む合金（例えばアルミニウムとネオジウム（Ｎｄ）との合金）が好適である。但し、この他にも、例えば銀（Ａｇ）の単体または合金（例えばマグネシウム（Ｍｇ）と銀との合金）が用いられてもよい。高反射導電膜１４ａの厚みは、例えば２０ｎｍ〜６００ｎｍである。
低反射導電膜１４ｂは、高反射導電膜１４ａよりも反射率の低い導電膜材料からなり、例えば、チタン（Ｔｉ）または窒化チタン（ＴｉＮ）、あるいはチタンを含む合金よりなることが望ましい。第１電極１４は、前述のようにコンタクト層１１３Ａを介してＴＦＴ１１の電極と電気的に接続されるが、コンタクト層１１３Ａにタングステンを用いた場合、このタングステンがアルミニウム（高反射導電膜１４ａ）に直に接すると反応が生じる。このため、これらの間に、チタンまたは窒化チタンよりなる低反射導電膜１４ｂを有することにより、バリアメタルとして機能し、上記反応を抑制することができる。この低反射導電膜１４ｂの厚みは、例えば５ｎｍ〜１００ｎｍである。
有機層１６は、例えば白色光を発する有機電界発光層（以下、白色発光層という）含むものであり、第１電極１４および第２電極１７を通じて電界をかけることにより電子と正孔との再結合を生じて、白色光を発生するようになっている。
白色発光層は、詳細には、例えば、赤色光を発する赤色発光層、緑色光を発する緑色発光層および青色光を発する青色発光層を積層した構造（タンデム構造）を有している。赤色発光層は、例えば赤色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４'−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を混合したものから構成されている。緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＡＤＮやＤＰＶＢｉにクマリン６を混合したものから構成されている。青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも１種を含み、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４'−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を混合したものから構成されている。
この有機層１６は、上記のような発光層の他にも、例えば正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層などを含んでいてもよい。具体的には、第１電極１４がアノードとして機能する場合には、第１電極１４側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、白色発光層および電子輸送層を積層した構造であってもよい。また、このような積層構造を有する有機層１６は、駆動基板１０上の全てのＥＬ素子部１３Ａに共通して形成されていてもよいが、一部の層がＥＬ素子部１３Ａ毎に設けられ、その他の層が全ＥＬ素子部１３Ａに共通して設けられていてもよい。また、有機層１６と第２電極１７との間には、更に、例えばＬｉＦよりなる電子注入層が設けられていてもよい。
尚、ここでは、白色発光層として、赤色発光層、緑色発光層および青色発光層を積層したものを例示したが、白色発光層の構成はこれに限定されず、混色により白色光を生成可能な構造であればよい。例えば、青色発光層と黄色発光層とを積層した構造、または青色発光層と橙色発光層とを積層した構造であってもよい。
第２電極１７は、例えば駆動基板１０上の全てのＥＬ素子部１３Ａに共通して設けられ、例えばカソードとして機能するものである。この第２電極１７は、例えば酸化インジウムの化合物（例えば酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ））またはマグネシウム（Ｍｇ）および銀の共蒸着膜（ＭｇＡｇ共蒸着膜）により構成されている。この第２電極１７は、後述の画素間絶縁膜１５の開口Ｈ２において電極パッド１４Ｐと電気的に接続されている。
（電極パッド１４Ｐ）
本実施の形態では、上記のようなＥＬ素子部１３Ａを含む表示領域Ｓ１の周辺領域Ｓ２（額縁領域）に、第２電極１７の配線接続用のパッドとして、上記第１電極１４を構成する積層膜の一部に対応する電極パッド１４Ｐが設けられている。具体的には、電極パッド１４Ｐは、第１電極１４の積層膜のうちの少なくとも低反射導電膜１４ｂを含む構造を有している。例えば、電極パッド１４Ｐでは、低反射導電膜１４ｂを有すると共に、低反射導電膜１４ｂ上の端部にのみ高反射導電膜１４ａが設けられている。このような電極パッド１４Ｐは、詳細は後述するが、第１電極１４と同一工程において高反射導電膜１４ａおよび低反射導電膜１４ｂからなる積層膜を成膜した後、高反射導電膜１４ａに対応する一部分を選択的に除去することで形成される。尚、電極パッド１４Ｐでは、高反射導電膜１４ａの全部が除去されていてもよい。
本実施の形態では、上記のようなＥＬ素子部１３Ａを含む表示領域Ｓ１の周辺領域Ｓ２（額縁領域）に、第２電極１７の配線接続用のパッドとして、上記第１電極１４を構成する積層膜の一部に対応する電極パッド１４Ｐが設けられている。具体的には、電極パッド１４Ｐは、第１電極１４の積層膜のうちの少なくとも低反射導電膜１４ｂを含む構造を有している。例えば、電極パッド１４Ｐでは、低反射導電膜１４ｂを有すると共に、低反射導電膜１４ｂ上の端部にのみ高反射導電膜１４ａが設けられている。このような電極パッド１４Ｐは、詳細は後述するが、第１電極１４と同一工程において高反射導電膜１４ａおよび低反射導電膜１４ｂからなる積層膜を成膜した後、高反射導電膜１４ａに対応する一部分を選択的に除去することで形成される。尚、電極パッド１４Ｐでは、高反射導電膜１４ａの全部が除去されていてもよい。
このような電極パッド１４Ｐは、上述のように画素間絶縁膜１５の開口Ｈ２において第２電極１７と接触しており、これにより第２電極１７との電気的接続が確保されている。ここで、本実施の形態では、有機層１６が、表示領域Ｓ１から周辺領域Ｓ２の電極パッド１４Ｐの一部を覆うように延在して形成されており、その端部１６ｅが電極パッド１４Ｐに向かってなだらかに傾斜している。第２電極１７は、そのような有機層１６の傾斜面に沿うように、基板全面にわたって形成されている。
第２電極１７上には、保護層１８が設けられている。保護層１８は、例えば厚みが２〜５μｍであり、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（ａ−Ｓｉ1-xＮx）、アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）等が好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。保護層１８上には、図示しない接着層により封止基板２０が貼り合わせられている。
封止基板２０は、保護層１８と共に、各ＥＬ素子部１３Ａを封止するものであり、例えばＲ，Ｇ，Ｂの各色光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。この封止基板２０には、図示しないカラーフィルタが設けられていてもよい。カラーフィルタは、例えば赤色，緑色または青色のフィルタを有し、例えば顔料や染料を混入した樹脂より構成されている。このようなカラーフィルタを設けることにより、各ＥＬ素子部１３Ａで発生した光（ここでは白色光）をＲ，Ｇ，Ｂの色光に変換して取り出すことができる。
［製造方法］
上記のような有機ＥＬ表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。
上記のような有機ＥＬ表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。
（駆動基板形成工程）
まず、駆動基板１０を用意する。具体的には、上述した材料よりなる基板１０ａ上に、所定の薄膜プロセスを経てＴＦＴ１１を含む駆動回路を形成した後、基板１０ａの全面にわたって、上述した材料よりなる第１絶縁膜１１０を、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により成膜する。続いて、成膜した第１絶縁膜１１０上に配線層１１１をパターン形成した後、基板１０ａの全面にわたって、上述した材料よりなる第２絶縁膜１１２を例えばＣＶＤ法により成膜する。
まず、駆動基板１０を用意する。具体的には、上述した材料よりなる基板１０ａ上に、所定の薄膜プロセスを経てＴＦＴ１１を含む駆動回路を形成した後、基板１０ａの全面にわたって、上述した材料よりなる第１絶縁膜１１０を、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により成膜する。続いて、成膜した第１絶縁膜１１０上に配線層１１１をパターン形成した後、基板１０ａの全面にわたって、上述した材料よりなる第２絶縁膜１１２を例えばＣＶＤ法により成膜する。
続いて、図２（Ａ）に示したように、基板１０ａ上の第１絶縁膜１１０および第２絶縁膜１１２にコンタクト層１１３Ａ，１１３Ｂ用のコンタクトホールＨａ１，Ｈａ２を形成する。具体的には、フォトリソグラフィ法を用いたドライエッチングにより、第１絶縁膜１１０および第２絶縁膜１１２の選択的な領域を、ＴＦＴ１１の表面または配線層１１ａの表面まで貫通するように除去する。
この後、図２（Ｂ）に示したように、形成したコンタクトホールＨａ１，Ｈａ２に、例えばタングステン等の導電性材料を、例えばスパッタ法により埋め込む。このようにして、コンタクト層１１３Ａ，１１３Ｂを有する駆動基板１０を形成する。
（第１電極，電極パッドの形成工程）
次いで、図３（Ａ）に示したように、駆動基板１０上に、上述した材料よりなる低反射導電膜１４ｂおよび高反射導電膜１４ａをこの順に、例えばスパッタ法により基板全面にわたって成膜する。この後、図３（Ｂ）に示したように、例えばフォトリソグラフィ法を用いたドライエッチングによりパターニングする。これにより、表示領域Ｓ１に、低反射導電膜１４ｂおよび高反射導電膜１４ａからなる第１電極１４を形成すると共に、周辺領域Ｓ２にも、同様の構成を有する積層膜１４Ｐ１を形成する。また、第１電極１４は、コンタクト層１１３Ａを介してＴＦＴ１１に電気的に接続され、周辺領域では、積層膜１４Ｐ１のうちの低反射導電膜１４ｂ（電極パッド１４Ｐに相当する部分）がコンタクト層１１３ｂを介して配線層１１ａに電気的に接続される。
次いで、図３（Ａ）に示したように、駆動基板１０上に、上述した材料よりなる低反射導電膜１４ｂおよび高反射導電膜１４ａをこの順に、例えばスパッタ法により基板全面にわたって成膜する。この後、図３（Ｂ）に示したように、例えばフォトリソグラフィ法を用いたドライエッチングによりパターニングする。これにより、表示領域Ｓ１に、低反射導電膜１４ｂおよび高反射導電膜１４ａからなる第１電極１４を形成すると共に、周辺領域Ｓ２にも、同様の構成を有する積層膜１４Ｐ１を形成する。また、第１電極１４は、コンタクト層１１３Ａを介してＴＦＴ１１に電気的に接続され、周辺領域では、積層膜１４Ｐ１のうちの低反射導電膜１４ｂ（電極パッド１４Ｐに相当する部分）がコンタクト層１１３ｂを介して配線層１１ａに電気的に接続される。
続いて、図４に示したように、基板全面にわたって、上述した材料よりなる画素間絶縁膜１５を、例えばプラズマＣＶＤ（plasma-enhanced chemical vapor deposition）法により成膜する。
この後、図５に示したように、例えばフォトリソグラフィ法を用いたドライエッチングにより、画素間絶縁膜１５のうち、第１電極１４に対向する領域と、積層膜１４Ｐ１に対向する領域とを選択的に除去し、開口Ｈ１，Ｈ２を形成する。
次いで、周辺領域Ｓ２に形成された積層膜１４Ｐ１のうち高反射導電膜１４ａを選択的に除去する。具体的には、まず、図６に示したように、積層膜１４Ｐ１に対向して（開口Ｈ２に対向して）開口１２０ａを有するフォトレジスト膜１２０を形成する。この後、図７に示したように、例えばドライエッチングまたはウェットエッチングを施すことにより、積層膜１４Ｐ１のうちの高反射導電膜１４ａのみを選択的に除去する。但し、詳細には、画素間絶縁膜１５およびフォトレジスト膜１２０が、積層膜１４Ｐ１の端部にオーバーラップして形成されるため、高反射導電膜１４ａのうちの端部分（１４ａ１）については除去されずに、低反射導電膜１４ｂ上に残存する。この後、図８に示したように、フォトレジスト膜１２０を剥離することにより、低反射導電膜１４ｂよりなる（詳細には、端部分１４ａ１を含む）電極パッド１４Ｐが形成される。
（有機層形成工程）
次いで、図９に示したように、少なくとも表示領域の全域にわたって、上述した積層構造および材料等よりなる有機層１６を形成する。この際、有機層１６を、例えば真空蒸着法により成膜する。例えば、白色発光層としてＲ，Ｇ，Ｂの各色の発光層を積層させる場合には、各色の発光材料をそれぞれ真空蒸着法により、例えば基板全面に渡って順に堆積させる。また、周辺領域Ｓ２では、有機層１６の端部１６ｅが、電極パッド１４Ｐの低反射導電膜１４ｂの一部を覆うように延在して形成されるようにする。但し、電極パッド１４Ｐの低反射導電膜１４ｂの表面の一部は露出させておく。
次いで、図９に示したように、少なくとも表示領域の全域にわたって、上述した積層構造および材料等よりなる有機層１６を形成する。この際、有機層１６を、例えば真空蒸着法により成膜する。例えば、白色発光層としてＲ，Ｇ，Ｂの各色の発光層を積層させる場合には、各色の発光材料をそれぞれ真空蒸着法により、例えば基板全面に渡って順に堆積させる。また、周辺領域Ｓ２では、有機層１６の端部１６ｅが、電極パッド１４Ｐの低反射導電膜１４ｂの一部を覆うように延在して形成されるようにする。但し、電極パッド１４Ｐの低反射導電膜１４ｂの表面の一部は露出させておく。
（第２電極形成工程）
この後、図１０に示したように、基板全面にわたって、上述した材料よりなる第２電極１７を例えばスパッタ法により成膜する。これにより、電極パッド１４Ｐの低反射導電膜１４ｂの有機層１６から露出した部分と、第２電極１７が接触して、これらが電気的に接続される。
この後、図１０に示したように、基板全面にわたって、上述した材料よりなる第２電極１７を例えばスパッタ法により成膜する。これにより、電極パッド１４Ｐの低反射導電膜１４ｂの有機層１６から露出した部分と、第２電極１７が接触して、これらが電気的に接続される。
次いで、図示はしないが、形成した第２電極１７上の全面を覆って、上述した材料よりなる上述した材料よりなる保護層１８を形成した後、接着層を用いて駆動基板１０と封止基板２０とを貼り合わせる。以上により、図１に示した有機ＥＬ表示装置１を完成する。
［作用・効果］
有機ＥＬ表示装置１では、各サブピクセル（ＥＬ素子部１３Ａ）に対し、映像信号に基づく駆動電流が第１電極１４および第２電極１７を通じて供給されると、各ＥＬ素子部１３Ａでは、有機層１６（白色発光層）において、正孔と電子との再結合により発光が起こる。このようにして生じた白色光のうち、第１電極１４側（下方）へ放たれた光は、第１電極１４等によって反射された後、封止基板２０の上方より出射する。一方、第２電極１７側（上方）へ放たれた光は、そのまま第２電極１７を透過した後、封止基板２０の上方より出射する。封止基板２０を出射する際には、図示しないカラーフィルタを透過することにより、Ｒ，Ｇ，Ｂの色光が表示光として取り出される。このようにして、トップエミッション方式によるフルカラーの映像表示がなされる。
有機ＥＬ表示装置１では、各サブピクセル（ＥＬ素子部１３Ａ）に対し、映像信号に基づく駆動電流が第１電極１４および第２電極１７を通じて供給されると、各ＥＬ素子部１３Ａでは、有機層１６（白色発光層）において、正孔と電子との再結合により発光が起こる。このようにして生じた白色光のうち、第１電極１４側（下方）へ放たれた光は、第１電極１４等によって反射された後、封止基板２０の上方より出射する。一方、第２電極１７側（上方）へ放たれた光は、そのまま第２電極１７を透過した後、封止基板２０の上方より出射する。封止基板２０を出射する際には、図示しないカラーフィルタを透過することにより、Ｒ，Ｇ，Ｂの色光が表示光として取り出される。このようにして、トップエミッション方式によるフルカラーの映像表示がなされる。
本実施の形態では、上述のように、駆動基板１０上において、表示領域Ｓ１に反射電極としての第１電極１４が設けられ、周辺領域Ｓ２には、第２電極１７を取り出すための電極パッド１４Ｐが設けられている。第１電極１４が高反射導電膜１４ａの下層にこれよりも低反射率の低反射導電膜１４ｂを有する積層膜からなり、電極パッド１４Ｐが、そのような積層膜の一部に対応する膜構造を有する（低反射導電膜１４ｂと同一材料よりなる導電膜を含む）。このような第１電極１４および電極パッド１４Ｐは、互いに同一工程において成膜された後、電極パッド１４Ｐにおいては積層膜の一部が選択的に除去されることにより形成される。
（比較例）
ここで、第１電極と電極パッドとを上記のように同一工程を経て形成する場合、それらを同一の導電膜材料を用いて形成することになるため、電極パッド部分も第１電極と同様の高反射材料が用いられる。このため、電極パッドにおいて高反射となり、外光反射が発生し易くなる。特に、基板１０ａとしてシリコン基板を用いた有機ＥＬ表示装置１においては、小型化および高精細化を実現するために、額縁（周辺領域Ｓ２）の幅を大きく確保できないことから、周辺領域Ｓ２における遮光性能に乏しい。尚、逆に、第１電極と電極パッドに使用する導電膜材料として、低反射材料を用いるようにすれば、周辺領域での外光反射は抑制できるものの、この場合には、反射率の低下により表示領域内での光取り出し効率が低下してしまう。
ここで、第１電極と電極パッドとを上記のように同一工程を経て形成する場合、それらを同一の導電膜材料を用いて形成することになるため、電極パッド部分も第１電極と同様の高反射材料が用いられる。このため、電極パッドにおいて高反射となり、外光反射が発生し易くなる。特に、基板１０ａとしてシリコン基板を用いた有機ＥＬ表示装置１においては、小型化および高精細化を実現するために、額縁（周辺領域Ｓ２）の幅を大きく確保できないことから、周辺領域Ｓ２における遮光性能に乏しい。尚、逆に、第１電極と電極パッドに使用する導電膜材料として、低反射材料を用いるようにすれば、周辺領域での外光反射は抑制できるものの、この場合には、反射率の低下により表示領域内での光取り出し効率が低下してしまう。
これに対し、本実施の形態では、第１電極１４と電極パッド１４Ｐとがそれぞれ上記構成を有していることにより、これらを同一工程において成膜しつつも、第１電極１４では、高反射導電膜１４ａの機能、電極パッド１４Ｐでは、低反射導電膜１４ｂの機能をそれぞれ発揮させることができる。従って、表示領域Ｓ１では、高反射導電膜１４ａによって高い光取り出し効率を確保しつつ、周辺領域Ｓ２では、低反射導電膜１４ｂによって外光反射を抑制することができる。尚、電極パッド１４Ｐには、低反射導電膜１４ｂ上の端部に高反射導電膜１４ａの一部が残存するが、これは、ほとんど外光反射に影響を与えない。
また、低反射導電膜１４ｂが例えばチタンまたは窒化チタン、あるいはチタンを含む合金により構成されていることにより、例えば、第２電極１７として酸化インジウム系あるいはＭｇＡｇ共蒸着膜等を用いた場合、第２電極１７と電極パッド１４Ｐとの良好なオーミック接続を確保することができる。ここで、アルミニウムは、通常、酸化インジウム系あるいはＭｇＡｇ共蒸着膜に対するオーミック性が良くないので、本実施の形態のような積層構造を採用することにより、電極パッド部分にアルミニウムを用いる場合に比べ、第２電極１７の材料の選択性が向上する。
更に、このような電極パッド１４Ｐの一部を覆うように有機層１６を延在形成することにより、第２電極１７がその有機層１６の表面形状に倣ってなだらかに形成され、電極パッド１３Ｂ上の領域まで、途切れたり（分断されたり）、局所的に薄くなったりしにくくなる。これにより、生産歩留まりが向上する。
以上のように本実施の形態では、駆動基板１０上において、表示領域Ｓ１に反射電極としての第１電極１４、周辺領域Ｓ２に電極パッド１４Ｐをそれぞれ設け、第１電極１４が低反射導電膜１４ｂ上に高反射導電膜１４ａを積層した積層膜からなり、電極パッド１４Ｐが、そのような積層膜のうちの低反射導電膜１４ｂを含む構造を有する。これにより、第１電極１４では高反射機能を発揮させる一方、電極パッドでは外光反射を抑えることができる。よって、表示画像の視認性を低下せることなく、小型化および高精細化を実現可能となる。
＜第２の実施の形態＞
［構成］
図１１は、本開示の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置２）の断面構成を表すものである。有機ＥＬ表示装置２は、上記実施の形態の有機ＥＬ表示装置１と同様、例えばトップエミッション方式により発光を生じるものであり、駆動基板１０上に、複数のＥＬ素子部１３Ａが例えばマトリクス状に配置されたものである。尚、上記実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
［構成］
図１１は、本開示の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置２）の断面構成を表すものである。有機ＥＬ表示装置２は、上記実施の形態の有機ＥＬ表示装置１と同様、例えばトップエミッション方式により発光を生じるものであり、駆動基板１０上に、複数のＥＬ素子部１３Ａが例えばマトリクス状に配置されたものである。尚、上記実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
駆動基板１０は、上記第１の実施の形態と同様、基板１０ａ上に、ＴＦＴ１１を含む駆動回路が配設されたものである。また、基板１０ａ上には、ＴＦＴ１１を覆って第１絶縁膜１１０、配線層１１１および第２絶縁膜１１２が設けられ、これらの第１絶縁膜１１０および第２絶縁膜１１２には、ＥＬ素子部１３Ａに対応する領域にコンタクト層１１４Ａ、電極パッド１４Ｐに対応する領域にコンタクト層１１４Ｂがそれぞれ埋設されている。
コンタクト層１１４Ａ，１１４Ｂは、上記第１の実施の形態と同様、第１絶縁膜１１０および第２絶縁膜１１２を貫通するコンタクトホールに、導電性材料（例えばタングステン）が埋め込まれて形成されたものである。また、コンタクト層１１４Ａは、ＥＬ素子部１３Ａの第１電極１４とＴＦＴ１１の電極とを電気的に接続させ、コンタクト層１１４Ｂは、電極パッド１４Ｐの導電膜（低反射導電膜１４ｂ）と配線層１１ａとを電気的に接続させるようになっている。但し、本実施の形態では、詳細は後述するが、このコンタクト層１１４Ａ，１１４Ｂの各表面（第１電極１４および電極パッド１４Ｐとの対向面）の形状が、上記第１の実施の形態のコンタクト層１１３Ａ，１１３Ｂと異なり、突形状を有している。
ＥＬ素子部１３Ａは、上記第１の実施の形態において説明したように、例えばトップエミッション方式により発光を生じるものであり、駆動基板１０の第２絶縁膜１１２上に、例えば第１電極１４、有機層１６および第２電極１７を備えている。また、第１電極１４上には、基板全面にわたって画素間絶縁膜１５が形成されており、この画素間絶縁膜１５は、第１電極１４に対向して開口Ｈ３、電極パッド１４Ｐに対向して開口Ｈ２をそれぞれ有している。
但し、本実施の形態では、開口Ｈ３の形成領域が、上記第１の実施の形態における開口Ｈ１の形成領域と異なっており、具体的には、開口Ｈ３がコンタクト層１１４Ａに非対向な領域に形成されている。換言すると、画素間絶縁膜１５が、コンタクト層１１４Ａに対向する領域を覆って形成されている。
（電極パッド２１Ｐ）
本実施の形態では、表示領域Ｓ１の周辺領域Ｓ２に、第２電極１７の配線接続用のパッドとして、上記第１の実施の形態と同様、第１電極１４を構成する積層膜の一部に対応する電極パッド２１Ｐが設けられている。具体的には、電極パッド２１Ｐは、第１電極１４の積層膜のうちの少なくとも低反射導電膜１４ｂを有すると共に、低反射導電膜１４ｂ上の選択的な部分（コンタクト層１１４Ｂに非対向の部分：高反射部１４ａ２）にのみ高反射導電膜１４ａが設けられている。換言すると、電極パッド２１Ｐでは、低反射導電膜１４ｂ上のコンタクト層１１４Ｂに対向する部分の高反射導電膜１４ａが選択的に除去されている。このような電極パッド２１Ｐは、詳細は後述するが、第１電極１４と同一工程において高反射導電膜１４ａおよび低反射導電膜１４ｂからなる積層膜を成膜した後、上記第１の実施の形態とは異なる手法を用いて、高反射導電膜１４ａの一部を選択的に除去することで形成される。
本実施の形態では、表示領域Ｓ１の周辺領域Ｓ２に、第２電極１７の配線接続用のパッドとして、上記第１の実施の形態と同様、第１電極１４を構成する積層膜の一部に対応する電極パッド２１Ｐが設けられている。具体的には、電極パッド２１Ｐは、第１電極１４の積層膜のうちの少なくとも低反射導電膜１４ｂを有すると共に、低反射導電膜１４ｂ上の選択的な部分（コンタクト層１１４Ｂに非対向の部分：高反射部１４ａ２）にのみ高反射導電膜１４ａが設けられている。換言すると、電極パッド２１Ｐでは、低反射導電膜１４ｂ上のコンタクト層１１４Ｂに対向する部分の高反射導電膜１４ａが選択的に除去されている。このような電極パッド２１Ｐは、詳細は後述するが、第１電極１４と同一工程において高反射導電膜１４ａおよび低反射導電膜１４ｂからなる積層膜を成膜した後、上記第１の実施の形態とは異なる手法を用いて、高反射導電膜１４ａの一部を選択的に除去することで形成される。
この電極パッド２１Ｐは、画素間絶縁膜１５の開口Ｈ２において第２電極１７と接触しており、これにより第２電極１７との電気的接続が確保されている。ここで、本実施の形態においても、有機層１６が、表示領域Ｓ１から周辺領域Ｓ２の電極パッド２１Ｐの一部を覆うように延在して形成されており、その端部１６ｅが電極パッド１４Ｐに向かってなだらかに傾斜している。第２電極１７は、そのような有機層１６の傾斜面に沿うように、基板全面にわたって形成され、電極パッド２１Ｐ上の有機層１６から露出した領域では、高反射部１４ａ２と低反射導電膜１４ｂとを覆って形成されている。これにより、電極パッド２１Ｐと第２電極１７との電気的接続が確保されている。
第２電極１７上には、上記第１の実施の形態と同様、保護層１８が形成されると共に、封止基板２０が貼り合わせられている。
［製造方法］
上記のような有機ＥＬ表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。
上記のような有機ＥＬ表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。
（駆動基板形成工程）
まず、上記第１の実施の形態と同様にして、上述した材料（例えばアモルファスシリコン）よりなる基板１０ａ上に、所定の薄膜プロセスを経てＴＦＴ１１を含む駆動回路を形成した後、第１絶縁膜１１０、配線層１１１および第２絶縁膜１１２を形成する。この後、図１２に示したように、コンタクト層１１４Ａ，１１４Ｂを形成する。以下、図１３（Ａ）〜（Ｃ）および図１４を参照して、コンタクト層１１４Ａ，１１４Ｂの具体的な形成手順について説明する。尚、図１３（Ａ）〜（Ｃ）および図１４には、コンタクト層１１４Ｂに対応する部分のみを拡大して示している。
まず、上記第１の実施の形態と同様にして、上述した材料（例えばアモルファスシリコン）よりなる基板１０ａ上に、所定の薄膜プロセスを経てＴＦＴ１１を含む駆動回路を形成した後、第１絶縁膜１１０、配線層１１１および第２絶縁膜１１２を形成する。この後、図１２に示したように、コンタクト層１１４Ａ，１１４Ｂを形成する。以下、図１３（Ａ）〜（Ｃ）および図１４を参照して、コンタクト層１１４Ａ，１１４Ｂの具体的な形成手順について説明する。尚、図１３（Ａ）〜（Ｃ）および図１４には、コンタクト層１１４Ｂに対応する部分のみを拡大して示している。
具体的には、まず、上記第１の実施の形態と同様にして、第１絶縁膜１１０および第２絶縁膜１１２にコンタクトホール（Ｈａ１，Ｈａ２）を形成する。続いて、図１３（Ａ）に示したように、これらのコンタクトホール（Ｈａ１，Ｈａ２）を、例えばタングステン等の導電膜１１４により埋め込む。尚、第２絶縁膜１１２の表面には、詳細には、例えばチタンまたは窒化チタンよりなるバリアメタル１１２ａが形成されている。
次いで、図１３（Ｂ）に示したように、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて、導電膜１１４のうちの第２絶縁膜１１２上に成膜された余剰部分（１１４ｅ）を除去する。
この後、図１３（Ｃ）に示したように、第２絶縁膜１１２およびコンタクト層１１４Ｂの表面側の領域Ａを加工し、コンタクト層１１４Ｂの表面に、図１４に示したような所定の突形状Ｂを形成する。具体的には、例えば２種類のスラリーＣ１，Ｃ２を用いたＣＭＰ法により、領域Ａのうち選択的な部分のみをエッチングする。突形状Ｂは、第２絶縁膜１１２上に突出した部分の厚みｄ１が、例えば、１０ｎｍ〜５０ｎｍであることが望ましい。
スラリーＣ１としては、一般的なタングステン膜研磨用スラリー（シリカ砥粒を含み、硝酸鉄やマロン酸が添加された溶液）を用いる。尚、必要に応じて純水に希釈し（純水との混合比が例えば１：１）、過酸化水素水を１〜３（体積％）加えて使用する。スラリーＣ２としては、主要成分にコロイダルシリカを４〜６％(メジアン砥粒径６０〜９０ｎｍ)含み、ｐＨ１〜３の溶液を使用する。このようなスラリーＣ１，Ｃ２を１：３〜１：６くらいまでの比率で（もしくはスラリーＣ２が更に多くなるような比率で）混ぜることにより、コンタクト層１１４Ｂの表面に、上記のような突形状Ｂを形成することができる。尚、スラリーＣ１，Ｃ２の混合比を調整することで、突形状Ｂの形状（厚みｄ１）を調整可能である。
このようにして、駆動基板１０では、コンタクト層１１４Ａ，１１４Ｂの各表面に突形状Ｂが形成される。
（第１電極，電極パッドの形成工程）
次いで、図１５に示したように、駆動基板１０上に、上記第１の実施の形態と同様にして、低反射導電膜１４ｂおよび高反射導電膜１４ａからなる第１電極１４を形成すると共に、周辺領域Ｓ２にも、同様の構成を有する積層膜１４Ｐ１を形成する。
次いで、図１５に示したように、駆動基板１０上に、上記第１の実施の形態と同様にして、低反射導電膜１４ｂおよび高反射導電膜１４ａからなる第１電極１４を形成すると共に、周辺領域Ｓ２にも、同様の構成を有する積層膜１４Ｐ１を形成する。
続いて、基板全面にわたって、画素間絶縁膜１５を成膜後、フォトリソグラフィ法を用いて、その画素間絶縁膜１５のうち、第１電極１４に対向する領域と、積層膜１４Ｐ１に対向する領域とを選択的に除去し、開口Ｈ３，Ｈ２を形成する。具体的には、まず、図１６に示したように、画素間絶縁膜１５およびフォトレジスト膜１２１をこの順に成膜する。
この後、図１７に示したように、フォトレジスト膜１２１の選択的な領域を露光し、第１電極１４に対向する領域と、積層膜１４Ｐ１に対向する領域とに、開口１２１ａ，１２１ｂをそれぞれ形成する。この際、開口１２１ａは、コンタクト層１１４Ａに非対向な領域に形成し、開口１２１ｂは、コンタクト層１１４Ｂに対向する領域に形成する。
次いで、図１８に示したように、フォトレジスト膜１２１をマスクとしてドライエッチングを行うことにより、開口Ｈ３，Ｈ２を所定の領域に形成する。この際、開口Ｈ３の端部からコンタクト層１１４Ａまでの距離ｄ２は、コンタクト層１１４Ａの径と、上記フォトレジスト膜１２１の露光時における合わせずれとを考慮して設定されることが望ましく、これにより、コンタクト層１１４Ａ上の領域は、画素間絶縁膜１５により覆われるように開口Ｈ３を設けることができる。
続いて、図１９に示したように、例えば酸素ガスを用いたプラズマアッシングを施すことにより、フォトレジスト膜１２１を除去する。この際、プラズマアッシングを、高温（例えば２００℃〜４００℃、望ましくは２００℃〜３００℃）雰囲気下において行う。これにより、いわゆるサーマルマイグレーションの効果によって、高反射導電膜１４ａのうちのコンタクト層１１４Ｂに対向する領域のみが選択的に除去され、低反射導電膜１４ｂと、この上に残存した高反射部１４ａ２とよりなる電極パッド２１Ｐが形成される。尚、第１電極１４では、コンタクト層１１４Ａが、画素間絶縁膜１５およびフォトレジスト膜１２１によって覆われているために、上記作用が生じず、高反射導電膜１４ａが除去されることはない。
この後、図２０に示したように、フォトレジスト膜１２１を剥離する。尚、この剥離工程において電解質の薬液に浸すことで、電池効果により高反射部１４ａ２（高反射導電膜１４ａの残存部分）をより小さくすることも可能である。
次いで、図２１に示したように、上記第１の実施の形態と同様にして、有機層１６を形成する。この際、上記第１の実施の形態と同様、周辺領域Ｓ２では、有機層１６の端部１６ｅが、電極パッド２１Ｐの一部を覆うように延在して形成されるようにし、低反射導電膜１４ｂの表面の一部は露出させておく。
この後、図２２に示したように、上記第１の実施の形態と同様にして、第２電極１７を成膜する。これにより、電極パッド２１Ｐの低反射導電膜１４ｂの有機層１６から露出した部分と、第２電極１７が接触して、これらが電気的に接続される。
次いで、図示はしないが、形成した第２電極１７上の全面を覆って、上述した材料よりなる上述した材料よりなる保護層１８を形成した後、接着層を用いて駆動基板１０と封止基板２０とを貼り合わせる。以上により、図１１に示した有機ＥＬ表示装置２を完成する。
［作用・効果］
上記のような有機ＥＬ表示装置２においても、上記第１の実施の形態の有機ＥＬ表示装置１と同様、各サブピクセル（ＥＬ素子部１３Ａ）に対し、映像信号に基づく駆動電流が供給されると、有機層１６（白色発光層）において発光が起こる。このようにして生じた白色光が第１電極１４等によって反射された後、あるいはそのまま封止基板２０の上方より出射することで、トップエミッション方式によるフルカラーの映像表示がなされる。
上記のような有機ＥＬ表示装置２においても、上記第１の実施の形態の有機ＥＬ表示装置１と同様、各サブピクセル（ＥＬ素子部１３Ａ）に対し、映像信号に基づく駆動電流が供給されると、有機層１６（白色発光層）において発光が起こる。このようにして生じた白色光が第１電極１４等によって反射された後、あるいはそのまま封止基板２０の上方より出射することで、トップエミッション方式によるフルカラーの映像表示がなされる。
また、駆動基板１０上において、表示領域Ｓ１に反射電極としての第１電極１４が設けられ、周辺領域Ｓ２には、第２電極１７を取り出すための電極パッド２１Ｐが設けられている。第１電極１４が高反射導電膜１４ａおよび低反射導電膜１４ｂを有する積層膜からなり、電極パッド２１Ｐが、そのような積層膜の一部に対応する膜構造を有する（低反射導電膜１４ｂと同一材料よりなる導電膜を含む）。このような第１電極１４および電極パッド２１Ｐは、互いに同一工程において成膜された後、電極パッド２１Ｐにおいては積層膜の一部が選択的に除去されることにより形成される。
従って、本実施の形態においても、第１電極１４と電極パッド２１Ｐとを同一工程において成膜しつつも、第１電極１４では、高反射導電膜１４ａの機能、電極パッド２１Ｐでは、低反射導電膜１４ｂの機能をそれぞれ発揮させることができる。従って、上記第１の実施の形態とほぼ同等の効果を得ることができる。
［有機ＥＬ表示装置の全体構成、画素回路構成］
次に、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１，２）の全体
構成および画素回路構成について説明する。図２３は、有機ＥＬディスプレイとして用
いられる表示装置の周辺回路を含む全体構成を表すものである。このように、例えば駆
動基板１０上には、有機ＥＬ素子を含む複数の画素ＰＸＬＣ（サブピクセル）がマトリ
クス状に配置されてなる表示領域Ｓ１が形成され、この表示領域Ｓ１の周辺に、信号線
駆動回路としての水平セレクタ（ＨＳＥＬ）３１と、走査線駆動回路としてのライトス
キャナ（ＷＳＣＮ）３２と、電源線駆動回路としての電源スキャナ（ＤＳＣＮ）３３と
が設けられている。
次に、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１，２）の全体
構成および画素回路構成について説明する。図２３は、有機ＥＬディスプレイとして用
いられる表示装置の周辺回路を含む全体構成を表すものである。このように、例えば駆
動基板１０上には、有機ＥＬ素子を含む複数の画素ＰＸＬＣ（サブピクセル）がマトリ
クス状に配置されてなる表示領域Ｓ１が形成され、この表示領域Ｓ１の周辺に、信号線
駆動回路としての水平セレクタ（ＨＳＥＬ）３１と、走査線駆動回路としてのライトス
キャナ（ＷＳＣＮ）３２と、電源線駆動回路としての電源スキャナ（ＤＳＣＮ）３３と
が設けられている。
表示領域Ｓ１において、列方向には複数（整数ｎ個）の信号線ＤＴＬ１〜ＤＴＬｎが
配置され、行方向には、複数（整数ｍ個）の走査線ＷＳＬ１〜ＷＳＬｍおよび電源線Ｄ
ＳＬ１〜ＤＳＬｍがそれぞれ配置されている。また、各信号線ＤＴＬと各走査線ＷＳＬ
との交差点に、各画素ＰＸＬＣ（Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する画素のいずれか１つ）が設けら
れている。各信号線ＤＴＬは水平セレクタ３１に接続され、この水平セレクタ３１から
各信号線ＤＴＬへ映像信号が供給されるようになっている。各走査線ＷＳＬはライトス
キャナ３２に接続され、このライトスキャナ３２から各走査線ＷＳＬへ走査信号（選択
パルス）が供給されるようになっている。各電源線ＤＳＬは電源スキャナ３３に接続さ
れ、この電源スキャナ３３から各電源線ＤＳＬへ電源信号（制御パルス）が供給される
ようになっている。
配置され、行方向には、複数（整数ｍ個）の走査線ＷＳＬ１〜ＷＳＬｍおよび電源線Ｄ
ＳＬ１〜ＤＳＬｍがそれぞれ配置されている。また、各信号線ＤＴＬと各走査線ＷＳＬ
との交差点に、各画素ＰＸＬＣ（Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する画素のいずれか１つ）が設けら
れている。各信号線ＤＴＬは水平セレクタ３１に接続され、この水平セレクタ３１から
各信号線ＤＴＬへ映像信号が供給されるようになっている。各走査線ＷＳＬはライトス
キャナ３２に接続され、このライトスキャナ３２から各走査線ＷＳＬへ走査信号（選択
パルス）が供給されるようになっている。各電源線ＤＳＬは電源スキャナ３３に接続さ
れ、この電源スキャナ３３から各電源線ＤＳＬへ電源信号（制御パルス）が供給される
ようになっている。
図２４は、画素ＰＸＬＣにおける具体的な回路構成例を表したものである。各画素Ｐ
ＸＬＣは、有機ＥＬ素子３Ｄ（上記ＥＬ素子部１３Ａに相当）を含む画素回路４０を有
している。この画素回路４０は、サンプリング用トランジスタ３Ａおよび駆動用トラン
ジスタ３Ｂと、保持容量素子３Ｃと、有機ＥＬ素子３Ｄとを有するアクティブ型の駆動
回路である。
ＸＬＣは、有機ＥＬ素子３Ｄ（上記ＥＬ素子部１３Ａに相当）を含む画素回路４０を有
している。この画素回路４０は、サンプリング用トランジスタ３Ａおよび駆動用トラン
ジスタ３Ｂと、保持容量素子３Ｃと、有機ＥＬ素子３Ｄとを有するアクティブ型の駆動
回路である。
サンプリング用トランジスタ３Ａは、そのゲートが対応する走査線ＷＳＬに接続され
、そのソースおよびドレインのうちの一方が対応する信号線ＤＴＬに接続され、他方が
駆動用トランジスタ３Ｂのゲートに接続されている。駆動用トランジスタ３Ｂは、その
ドレインが対応する電源線ＤＳＬに接続され、ソースが有機ＥＬ素子３Ｄのアノードに
接続されている。また、この有機ＥＬ素子３Ｄのカソードは、接地配線３Ｈに接続され
ている。なお、この接地配線３Ｈは、全ての画素ＰＸＬＣに対して共通に配線されてい
る。保持容量素子３Ｃは、駆動用トランジスタ３Ｂのソースとゲートとの間に配置され
ている。
、そのソースおよびドレインのうちの一方が対応する信号線ＤＴＬに接続され、他方が
駆動用トランジスタ３Ｂのゲートに接続されている。駆動用トランジスタ３Ｂは、その
ドレインが対応する電源線ＤＳＬに接続され、ソースが有機ＥＬ素子３Ｄのアノードに
接続されている。また、この有機ＥＬ素子３Ｄのカソードは、接地配線３Ｈに接続され
ている。なお、この接地配線３Ｈは、全ての画素ＰＸＬＣに対して共通に配線されてい
る。保持容量素子３Ｃは、駆動用トランジスタ３Ｂのソースとゲートとの間に配置され
ている。
サンプリング用トランジスタ３Ａは、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パ
ルス）に応じて導通することにより、信号線ＤＴＬから供給される映像信号の信号電位
をサンプリングし、保持容量素子３Ｃに保持するものである。駆動用トランジスタ３Ｂ
は、所定の第１電位（図示せず）に設定された電源線ＤＳＬから電流の供給を受け、保
持容量素子３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流を有機ＥＬ素子３Ｄへ供給す
るものである。有機ＥＬ素子３Ｄは、この駆動用トランジスタ３Ｂから供給された駆動
電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光するようになっている。
ルス）に応じて導通することにより、信号線ＤＴＬから供給される映像信号の信号電位
をサンプリングし、保持容量素子３Ｃに保持するものである。駆動用トランジスタ３Ｂ
は、所定の第１電位（図示せず）に設定された電源線ＤＳＬから電流の供給を受け、保
持容量素子３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流を有機ＥＬ素子３Ｄへ供給す
るものである。有機ＥＬ素子３Ｄは、この駆動用トランジスタ３Ｂから供給された駆動
電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光するようになっている。
このような回路構成では、走査線ＷＳＬから供給される走査信号（選択パルス）に応
じてサンプリング用トランジスタ３Ａが導通することにより、信号線ＤＴＬから供給さ
れた映像信号の信号電位がサンプリングされ、保持容量素子３Ｃに保持される。また、
上記第１電位に設定された電源線ＤＳＬから駆動用トランジスタ３Ｂへ電流が供給され
、保持容量素子３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流が有機ＥＬ素子３Ｄへ供
給される。そして、各有機ＥＬ素子３Ｄは、供給された駆動電流により、映像信号の信
号電位に応じた輝度で発光する。これにより、有機ＥＬ表示装置において、映像信号に
基づく映像表示がなされる。
じてサンプリング用トランジスタ３Ａが導通することにより、信号線ＤＴＬから供給さ
れた映像信号の信号電位がサンプリングされ、保持容量素子３Ｃに保持される。また、
上記第１電位に設定された電源線ＤＳＬから駆動用トランジスタ３Ｂへ電流が供給され
、保持容量素子３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流が有機ＥＬ素子３Ｄへ供
給される。そして、各有機ＥＬ素子３Ｄは、供給された駆動電流により、映像信号の信
号電位に応じた輝度で発光する。これにより、有機ＥＬ表示装置において、映像信号に
基づく映像表示がなされる。
＜適用例＞
以下、上記のような有機ＥＬ表示装置１等の電子機器への適用例について説明する。
有機ＥＬ表示装置１等は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコ
ンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電
子機器に適用することが可能である。言い換えると、有機ＥＬ表示装置１等は、外部か
ら入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表
示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
以下、上記のような有機ＥＬ表示装置１等の電子機器への適用例について説明する。
有機ＥＬ表示装置１等は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコ
ンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電
子機器に適用することが可能である。言い換えると、有機ＥＬ表示装置１等は、外部か
ら入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表
示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
（モジュール）
上記有機ＥＬ表示装置１等は、例えば図２５に示したようなモジュールとして、後述
の適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆
動基板１０の一辺に、封止基板２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域
２１０に、水平セレクタ３１、ライトスキャナ３２および電源スキャナ３３の配線を延
長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。この外部接続端子には、信号
の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）
２２０が設けられていてもよい。
上記有機ＥＬ表示装置１等は、例えば図２５に示したようなモジュールとして、後述
の適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆
動基板１０の一辺に、封止基板２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域
２１０に、水平セレクタ３１、ライトスキャナ３２および電源スキャナ３３の配線を延
長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。この外部接続端子には、信号
の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）
２２０が設けられていてもよい。
（適用例１）
図２６は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、
例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３
００を有しており、この映像表示画面部３００が有機ＥＬ表示装置１等に相当する。
図２６は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、
例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３
００を有しており、この映像表示画面部３００が有機ＥＬ表示装置１等に相当する。
（適用例２）
図２７は、デジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例え
ば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャ
ッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が有機ＥＬ表示装置１等に相当す
る。
図２７は、デジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例え
ば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャ
ッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が有機ＥＬ表示装置１等に相当す
る。
（適用例３）
図２８は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート
型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボ
ード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が有機
ＥＬ表示装置１等に相当する。
図２８は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート
型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボ
ード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が有機
ＥＬ表示装置１等に相当する。
（適用例４）
図２９は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、
本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０
，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。この
表示部６４０が有機ＥＬ表示装置１等に相当する。
図２９は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、
本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０
，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。この
表示部６４０が有機ＥＬ表示装置１等に相当する。
（適用例５）
図３０は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば上側筐
体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディ
スプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７
０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ
７５０が、有機ＥＬ表示装置１等に相当する。
図３０は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば上側筐
体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディ
スプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７
０を有している。そして、これらのうちのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ
７５０が、有機ＥＬ表示装置１等に相当する。
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて説明したが、本開示内容はこれらの
実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等にお
いて説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定される
ものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件
としてもよい。
実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等にお
いて説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定される
ものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件
としてもよい。
また、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の場合に
ついて説明したが、本開示はパッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置への適用も可能
である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実
施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加して
もよい。
ついて説明したが、本開示はパッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置への適用も可能
である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実
施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加して
もよい。
尚、本開示内容は、以下の（１）〜（１８）に記載したような構成であってもよい。
（１）駆動基板上の表示領域に設けられると共に、それぞれが、２層以上からなる積層膜を有する複数の第１電極と、前記複数の第１電極上に前記表示領域の全域にわたって設けられ、発光層を含む有機層と、前記駆動基板上の前記表示領域の周辺領域に設けられた電極パッドと、前記有機層上から前記電極パッド上にわたって設けられた第２電極とを備え、前記積層膜は、反射膜として機能する第１導電膜と、前記第１導電膜の下層に設けられて前記第１導電膜よりも低反射率を有する第２導電膜とを有し、前記電極パッドは、前記積層膜の一部に対応すると共に、前記第２導電膜と同一材料よりなる導電膜を含む有機ＥＬ表示装置。
（２）前記有機層は、前記表示領域から前記周辺領域の前記電極パッド上にまで延在して設けられている上記(1)に記載の有機ＥＬ表示装置。
（３）前記駆動基板は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う絶縁膜と、前記絶縁膜に埋設され、前記薄膜トランジスタと前記第１電極とを電気的に接続する第１のコンタクト層と、前記絶縁膜に埋設され、前記薄膜トランジスタと同層に設けられた配線層と、前記電極パッドとを電気的に接続する第２のコンタクト層とを有する上記(1)または(2)に記載の有機ＥＬ表示装置。
（４）前記駆動基板は、シリコン基板を含む上記(1)〜(3)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（５）前記電極パッドは、前記積層膜において、前記第２導電膜上の全域または端部を除く全域の前記第１導電膜が除去されたものである上記(1)〜(4)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（６）前記電極パッドは、前記積層膜において、前記第２導電膜上の前記第２のコンタクト層に対向する領域の前記第１導電膜が選択的に除去されたものである上記(3)または(4)に記載の有機ＥＬ表示装置。
（７）前記複数の第１電極と前記有機層との間に前記基板の全面にわたって設けられると共に、各第１電極に対向して第１開口、前記電極パッドに対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜を備え、前記第１開口は、前記第１のコンタクト層に非対向の領域に形成され、前記第２開口は、前記第２のコンタクト層に対向する領域に形成されている上記(6)に記載の有機ＥＬ表示装置。
（８）前記第１導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウムを含む合金からなり、前記第２導電膜は、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）またはチタンを含む合金を含むからなる上記(1)〜(7)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（９）前記第２電極は、酸化インジウムの化合物、またはマグネシウムと銀との共蒸着膜よりなる透明導電膜である上記(1)〜(8)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１０）前記有機層は、白色発光層を含む上記(1)〜(9)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１１）駆動基板上の表示領域に、それぞれが、２層以上からなる積層膜を有する複数の第１電極を形成する工程と、前記複数の第１電極上に前記表示領域の全域にわたって、発光層を含む有機層を形成する工程と、前記駆動基板上の前記表示領域の周辺領域に電極パッドを形成する工程と、前記有機層上から前記電極パッド上にわたって第２電極を形成する工程とを含み、前記複数の第１の電極を形成する工程では、前記積層膜として、反射電極として機能する第１導電膜と、前記第１導電膜の下層において前記第１導電膜よりも低反射率を有する第２導電膜とを形成し、前記電極パッドを形成する工程では、前記電極パッドとして、前記積層膜の一部に対応すると共に、前記第２導電膜と同一材料よりなる導電膜を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１２）前記有機層を形成する工程では、前記有機層を、前記表示領域から前記周辺領域の前記電極パッド上まで延在して形成する上記(11)に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１３）前記駆動基板は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う絶縁膜と、前記絶縁膜に埋設され、前記薄膜トランジスタと前記第１電極とを電気的に接続する第１のコンタクト層と、前記絶縁膜に埋設され、前記薄膜トランジスタと同層に設けられた配線層と、前記電極パッドとを電気的に接続する第２のコンタクト層とを有する上記(11)または(12)に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１４）前記駆動基板として、シリコン基板を用いる上記(11)〜(13)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１５）前記第１電極を形成する工程において、前記積層膜を、前記表示領域と前記周辺領域の一部とに成膜し、前記電極パッドを形成する工程では、前記周辺領域に成膜された積層膜において、前記第２導電膜上の全域または端部を除く全域の前記第１導電膜をエッチングにより除去し、前記電極パッドを形成する上記(11)〜(14)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１６）前記第１電極を形成する工程において、前記積層膜を、前記表示領域と前記周辺領域の一部とに成膜し、前記電極パッドを形成する工程では、前記周辺領域に成膜された積層膜において、前記第２導電膜上の前記第２のコンタクト層に対向する領域の前記第１導電膜を、酸素ガスを用いたプラズマアッシングの際の高温処理によって選択的に除去し、前記電極パッドを形成する上記(13)または(14)に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１７）前記駆動基板において、前記第１および第２のコンタクト層を、前記絶縁膜の最表面から突き出た突形状に加工する工程と、前記複数の第１電極を形成した後、前記有機層を形成する前に、前記基板の全面にわたって、各第１電極に対向して第１開口、前記電極パッドに対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜を形成する工程とを更に含み、前記画素間絶縁膜を形成する工程では、前記第１開口を、前記第１のコンタクト層に非対向の領域に形成し、前記第２開口を、前記第２のコンタクト層に対向する領域に形成する上記(16)に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１８）駆動基板上の表示領域に設けられると共に、それぞれが、２層以上からなる積層膜を有する複数の第１電極と、前記複数の第１電極上に前記表示領域の全域にわたって設けられ、発光層を含む有機層と、前記駆動基板上の前記表示領域の周辺領域に設けられた電極パッドと、前記有機層上から前記電極パッド上にわたって設けられた第２電極とを備え、前記積層膜は、反射膜として機能する第１導電膜と、前記第１導電膜の下層に設けられて前記第１導電膜よりも低反射率を有する第２導電膜とを有し、前記電極パッドは、前記積層膜の一部に対応すると共に、前記第２導電膜と同一材料よりなる導電膜を含む有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器。
（１）駆動基板上の表示領域に設けられると共に、それぞれが、２層以上からなる積層膜を有する複数の第１電極と、前記複数の第１電極上に前記表示領域の全域にわたって設けられ、発光層を含む有機層と、前記駆動基板上の前記表示領域の周辺領域に設けられた電極パッドと、前記有機層上から前記電極パッド上にわたって設けられた第２電極とを備え、前記積層膜は、反射膜として機能する第１導電膜と、前記第１導電膜の下層に設けられて前記第１導電膜よりも低反射率を有する第２導電膜とを有し、前記電極パッドは、前記積層膜の一部に対応すると共に、前記第２導電膜と同一材料よりなる導電膜を含む有機ＥＬ表示装置。
（２）前記有機層は、前記表示領域から前記周辺領域の前記電極パッド上にまで延在して設けられている上記(1)に記載の有機ＥＬ表示装置。
（３）前記駆動基板は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う絶縁膜と、前記絶縁膜に埋設され、前記薄膜トランジスタと前記第１電極とを電気的に接続する第１のコンタクト層と、前記絶縁膜に埋設され、前記薄膜トランジスタと同層に設けられた配線層と、前記電極パッドとを電気的に接続する第２のコンタクト層とを有する上記(1)または(2)に記載の有機ＥＬ表示装置。
（４）前記駆動基板は、シリコン基板を含む上記(1)〜(3)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（５）前記電極パッドは、前記積層膜において、前記第２導電膜上の全域または端部を除く全域の前記第１導電膜が除去されたものである上記(1)〜(4)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（６）前記電極パッドは、前記積層膜において、前記第２導電膜上の前記第２のコンタクト層に対向する領域の前記第１導電膜が選択的に除去されたものである上記(3)または(4)に記載の有機ＥＬ表示装置。
（７）前記複数の第１電極と前記有機層との間に前記基板の全面にわたって設けられると共に、各第１電極に対向して第１開口、前記電極パッドに対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜を備え、前記第１開口は、前記第１のコンタクト層に非対向の領域に形成され、前記第２開口は、前記第２のコンタクト層に対向する領域に形成されている上記(6)に記載の有機ＥＬ表示装置。
（８）前記第１導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウムを含む合金からなり、前記第２導電膜は、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）またはチタンを含む合金を含むからなる上記(1)〜(7)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（９）前記第２電極は、酸化インジウムの化合物、またはマグネシウムと銀との共蒸着膜よりなる透明導電膜である上記(1)〜(8)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１０）前記有機層は、白色発光層を含む上記(1)〜(9)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１１）駆動基板上の表示領域に、それぞれが、２層以上からなる積層膜を有する複数の第１電極を形成する工程と、前記複数の第１電極上に前記表示領域の全域にわたって、発光層を含む有機層を形成する工程と、前記駆動基板上の前記表示領域の周辺領域に電極パッドを形成する工程と、前記有機層上から前記電極パッド上にわたって第２電極を形成する工程とを含み、前記複数の第１の電極を形成する工程では、前記積層膜として、反射電極として機能する第１導電膜と、前記第１導電膜の下層において前記第１導電膜よりも低反射率を有する第２導電膜とを形成し、前記電極パッドを形成する工程では、前記電極パッドとして、前記積層膜の一部に対応すると共に、前記第２導電膜と同一材料よりなる導電膜を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１２）前記有機層を形成する工程では、前記有機層を、前記表示領域から前記周辺領域の前記電極パッド上まで延在して形成する上記(11)に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１３）前記駆動基板は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う絶縁膜と、前記絶縁膜に埋設され、前記薄膜トランジスタと前記第１電極とを電気的に接続する第１のコンタクト層と、前記絶縁膜に埋設され、前記薄膜トランジスタと同層に設けられた配線層と、前記電極パッドとを電気的に接続する第２のコンタクト層とを有する上記(11)または(12)に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１４）前記駆動基板として、シリコン基板を用いる上記(11)〜(13)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１５）前記第１電極を形成する工程において、前記積層膜を、前記表示領域と前記周辺領域の一部とに成膜し、前記電極パッドを形成する工程では、前記周辺領域に成膜された積層膜において、前記第２導電膜上の全域または端部を除く全域の前記第１導電膜をエッチングにより除去し、前記電極パッドを形成する上記(11)〜(14)のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１６）前記第１電極を形成する工程において、前記積層膜を、前記表示領域と前記周辺領域の一部とに成膜し、前記電極パッドを形成する工程では、前記周辺領域に成膜された積層膜において、前記第２導電膜上の前記第２のコンタクト層に対向する領域の前記第１導電膜を、酸素ガスを用いたプラズマアッシングの際の高温処理によって選択的に除去し、前記電極パッドを形成する上記(13)または(14)に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１７）前記駆動基板において、前記第１および第２のコンタクト層を、前記絶縁膜の最表面から突き出た突形状に加工する工程と、前記複数の第１電極を形成した後、前記有機層を形成する前に、前記基板の全面にわたって、各第１電極に対向して第１開口、前記電極パッドに対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜を形成する工程とを更に含み、前記画素間絶縁膜を形成する工程では、前記第１開口を、前記第１のコンタクト層に非対向の領域に形成し、前記第２開口を、前記第２のコンタクト層に対向する領域に形成する上記(16)に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
（１８）駆動基板上の表示領域に設けられると共に、それぞれが、２層以上からなる積層膜を有する複数の第１電極と、前記複数の第１電極上に前記表示領域の全域にわたって設けられ、発光層を含む有機層と、前記駆動基板上の前記表示領域の周辺領域に設けられた電極パッドと、前記有機層上から前記電極パッド上にわたって設けられた第２電極とを備え、前記積層膜は、反射膜として機能する第１導電膜と、前記第１導電膜の下層に設けられて前記第１導電膜よりも低反射率を有する第２導電膜とを有し、前記電極パッドは、前記積層膜の一部に対応すると共に、前記第２導電膜と同一材料よりなる導電膜を含む有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器。
１，２…有機ＥＬ表示装置、１３Ａ…ＥＬ素子部、１０…駆動基板、１１…ＴＦＴ、１４…第１電極、１４ａ…高反射導電膜、１４ｂ…低反射導電膜、１４Ｐ，２１Ｐ…電極パッド、１５…画素間絶縁膜、１６…有機層、１７…第２電極、１８…保護層、２０…封止基板、１１３Ａ，１１３Ｂ，１１４Ａ，１１４Ｂ…コンタクト層、Ｈ１〜Ｈ３…開口、Ｓ１…表示領域、Ｓ２…周辺領域。
Claims (18)
- 駆動基板上の表示領域に設けられると共に、それぞれが、２層以上からなる積層膜を有する複数の第１電極と、
前記複数の第１電極上に前記表示領域の全域にわたって設けられ、発光層を含む有機層と、
前記駆動基板上の前記表示領域の周辺領域に設けられた電極パッドと、
前記有機層上から前記電極パッド上にわたって設けられた第２電極とを備え、
前記積層膜は、
反射膜として機能する第１導電膜と、
前記第１導電膜の下層に設けられて前記第１導電膜よりも低反射率を有する第２導電膜とを有し、
前記電極パッドは、前記積層膜の一部に対応すると共に、前記第２導電膜と同一材料よりなる導電膜を含む
有機ＥＬ表示装置。 - 前記有機層は、前記表示領域から前記周辺領域の前記電極パッド上にまで延在して設けられている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。 - 前記駆動基板は、
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜に埋設され、前記薄膜トランジスタと前記第１電極とを電気的に接続する第１のコンタクト層と、
前記絶縁膜に埋設され、前記薄膜トランジスタと同層に設けられた配線層と、前記電極パッドとを電気的に接続する第２のコンタクト層とを有する
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。 - 前記駆動基板は、シリコン基板を含む
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。 - 前記電極パッドは、前記積層膜において、前記第２導電膜上の全域または端部を除く全域の前記第１導電膜が除去されたものである
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。 - 前記電極パッドは、前記積層膜において、前記第２導電膜上の前記第２のコンタクト層に対向する領域の前記第１導電膜が選択的に除去されたものである
請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。 - 前記複数の第１電極と前記有機層との間に前記基板の全面にわたって設けられると共に、各第１電極に対向して第１開口、前記電極パッドに対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜を備え、
前記第１開口は、前記第１のコンタクト層に非対向の領域に形成され、
前記第２開口は、前記第２のコンタクト層に対向する領域に形成されている
請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。 - 前記第１導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウムを含む合金からなり、 前記第２導電膜は、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）またはチタンを含む合金を含むからなる
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。 - 前記第２電極は、酸化インジウムの化合物、またはマグネシウムと銀との共蒸着膜よりなる透明導電膜である
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。 - 前記有機層は、白色発光層を含む
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。 - 駆動基板上の表示領域に、それぞれが、２層以上からなる積層膜を有する複数の第１電極を形成する工程と、
前記複数の第１電極上に前記表示領域の全域にわたって、発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記駆動基板上の前記表示領域の周辺領域に電極パッドを形成する工程と、
前記有機層上から前記電極パッド上にわたって第２電極を形成する工程とを含み、
前記複数の第１の電極を形成する工程では、
前記積層膜として、反射電極として機能する第１導電膜と、前記第１導電膜の下層において前記第１導電膜よりも低反射率を有する第２導電膜とを形成し、
前記電極パッドを形成する工程では、
前記電極パッドとして、前記積層膜の一部に対応すると共に、前記第２導電膜と同一材料よりなる導電膜を形成する
有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 前記有機層を形成する工程では、前記有機層を、前記表示領域から前記周辺領域の前記電極パッド上まで延在して形成する
請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 前記駆動基板は、
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜に埋設され、前記薄膜トランジスタと前記第１電極とを電気的に接続する第１のコンタクト層と、
前記絶縁膜に埋設され、前記薄膜トランジスタと同層に設けられた配線層と、前記電極パッドとを電気的に接続する第２のコンタクト層とを有する
請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 前記駆動基板として、シリコン基板を用いる
請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 前記第１電極を形成する工程において、前記積層膜を、前記表示領域と前記周辺領域の一部とに成膜し、
前記電極パッドを形成する工程では、前記周辺領域に成膜された積層膜において、前記第２導電膜上の全域または端部を除く全域の前記第１導電膜をエッチングにより除去し、前記電極パッドを形成する
請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 前記第１電極を形成する工程において、前記積層膜を、前記表示領域と前記周辺領域の一部とに成膜し、
前記電極パッドを形成する工程では、前記周辺領域に成膜された積層膜において、前記第２導電膜上の前記第２のコンタクト層に対向する領域の前記第１導電膜を、酸素ガスを用いたプラズマアッシングの際の高温処理によって選択的に除去し、前記電極パッドを形成する
請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 前記駆動基板において、前記第１および第２のコンタクト層を、前記絶縁膜の最表面から突き出た突形状に加工する工程と、
前記複数の第１電極を形成した後、前記有機層を形成する前に、前記基板の全面にわたって、各第１電極に対向して第１開口、前記電極パッドに対向して第２開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜を形成する工程とを更に含み、
前記画素間絶縁膜を形成する工程では、
前記第１開口を、前記第１のコンタクト層に非対向の領域に形成し、
前記第２開口を、前記第２のコンタクト層に対向する領域に形成する
請求項１６に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 駆動基板上の表示領域に設けられると共に、それぞれが、２層以上からなる積層膜を有する複数の第１電極と、
前記複数の第１電極上に前記表示領域の全域にわたって設けられ、発光層を含む有機層と、
前記駆動基板上の前記表示領域の周辺領域に設けられた電極パッドと、
前記有機層上から前記電極パッド上にわたって設けられた第２電極とを備え、
前記積層膜は、
反射膜として機能する第１導電膜と、
前記第１導電膜の下層に設けられて前記第１導電膜よりも低反射率を有する第２導電膜とを有し、
前記電極パッドは、前記積層膜の一部に対応すると共に、前記第２導電膜と同一材料よりなる導電膜を含む
有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011191035A JP2013054863A (ja) | 2011-09-01 | 2011-09-01 | 有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法および電子機器 |
| CN201210302831.5A CN102969457B (zh) | 2011-09-01 | 2012-08-23 | 有机el显示器、有机el显示器制造方法以及电子装置 |
| US13/594,274 US20130056714A1 (en) | 2011-09-01 | 2012-08-24 | Organic el display, method of producing organic el display, and electronic unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011191035A JP2013054863A (ja) | 2011-09-01 | 2011-09-01 | 有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法および電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013054863A true JP2013054863A (ja) | 2013-03-21 |
Family
ID=47752416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011191035A Withdrawn JP2013054863A (ja) | 2011-09-01 | 2011-09-01 | 有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法および電子機器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130056714A1 (ja) |
| JP (1) | JP2013054863A (ja) |
| CN (1) | CN102969457B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9117784B2 (en) | 2013-10-10 | 2015-08-25 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device and electronic apparatus |
| JP2016024949A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-02-08 | 株式会社デンソー | 有機半導体装置およびその製造方法 |
| JP2016122612A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、電子機器 |
| JP2016134236A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| WO2018116629A1 (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置の製造方法、表示装置及び電子機器 |
| WO2020158710A1 (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器 |
| EP3993082A1 (en) | 2020-10-28 | 2022-05-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device, display device, imaging device, electronic device, and method for producing light-emitting device |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102038075B1 (ko) * | 2012-12-14 | 2019-10-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| WO2015047044A1 (ko) | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자장치의 제조 방법 |
| JP6372084B2 (ja) * | 2014-01-22 | 2018-08-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、及び電子機器 |
| KR102346262B1 (ko) * | 2014-07-14 | 2022-01-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 이를 제조하는 방법 |
| CN105118924B (zh) * | 2015-07-29 | 2017-12-01 | 苏州大学 | 一种防短路的顶发射oled器件及其制备方法 |
| KR102454152B1 (ko) * | 2015-10-23 | 2022-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20180061866A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 봉지 유닛 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| CN108365125B (zh) * | 2018-02-24 | 2019-12-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、其制备方法及显示装置 |
| CN109300938B (zh) * | 2018-08-30 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| KR102578350B1 (ko) * | 2018-11-27 | 2023-09-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US20200343271A1 (en) * | 2019-04-29 | 2020-10-29 | Innolux Corporation | Electronic device |
| JP7445483B2 (ja) * | 2020-03-25 | 2024-03-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN113841250A (zh) * | 2020-03-27 | 2021-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| EP4131396A4 (en) * | 2020-03-27 | 2023-05-24 | BOE Technology Group Co., Ltd. | DISPLAY PANEL, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND ELECTRONIC DEVICE |
| CN114388597A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示终端 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW582121B (en) * | 2001-02-08 | 2004-04-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
| JP2003317971A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| US7897979B2 (en) * | 2002-06-07 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| KR100884477B1 (ko) * | 2007-08-08 | 2009-02-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR20090089586A (ko) * | 2008-02-19 | 2009-08-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
-
2011
- 2011-09-01 JP JP2011191035A patent/JP2013054863A/ja not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-08-23 CN CN201210302831.5A patent/CN102969457B/zh active Active
- 2012-08-24 US US13/594,274 patent/US20130056714A1/en not_active Abandoned
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9117784B2 (en) | 2013-10-10 | 2015-08-25 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device and electronic apparatus |
| JP2016024949A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-02-08 | 株式会社デンソー | 有機半導体装置およびその製造方法 |
| JP2016122612A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、電子機器 |
| JP2016134236A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| WO2018116629A1 (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置の製造方法、表示装置及び電子機器 |
| JPWO2018116629A1 (ja) * | 2016-12-21 | 2019-10-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置の製造方法、表示装置及び電子機器 |
| WO2020158710A1 (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法、並びに、電子機器 |
| EP3993082A1 (en) | 2020-10-28 | 2022-05-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device, display device, imaging device, electronic device, and method for producing light-emitting device |
| US11980053B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device, display device, imaging device, electronic device, and method for producing light-emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102969457B (zh) | 2016-08-03 |
| US20130056714A1 (en) | 2013-03-07 |
| CN102969457A (zh) | 2013-03-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2013054863A (ja) | 有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法および電子機器 | |
| JP6136578B2 (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法ならびに電子機器 | |
| US10886496B2 (en) | Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus | |
| KR102611500B1 (ko) | 유기발광표시장치와 그의 제조방법 | |
| WO2016056364A1 (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 | |
| US10937838B2 (en) | Organic light emitting display device | |
| JP2017212449A (ja) | 発光装置 | |
| JP6159946B2 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
| JP2013054979A (ja) | 有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法および電子機器 | |
| US9324741B2 (en) | Display device, manufacturing method of display device and electronic equipment | |
| KR20170119801A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| US9711576B2 (en) | Display, method of manufacturing display and electronic device | |
| JP2014032817A (ja) | 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器の製造方法 | |
| JP2014027192A (ja) | 発光素子およびこれを備えた表示装置、並びに電子機器 | |
| TWI414203B (zh) | A manufacturing method and a display device of a display device | |
| JP2019016429A (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
| JP2007258189A (ja) | 発光装置の作製方法 | |
| JP2017162832A (ja) | 表示装置および電子機器 | |
| JP2019129221A (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
| JP2009224118A (ja) | 有機発光素子の製造方法および有機発光表示装置、並びに自発光素子の製造方法および自発光表示装置 | |
| JP5201381B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| KR20230080147A (ko) | 표시장치 | |
| KR20160017371A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR20230095215A (ko) | 표시장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20141104 |