WO2016056364A1

WO2016056364A1 - 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器

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Publication number: WO2016056364A1
Application number: PCT/JP2015/076244
Authority: WO
Inventors: 上田　大輔
Original assignee: ソニー株式会社
Priority date: 2014-10-09
Filing date: 2015-09-16
Publication date: 2016-04-14
Also published as: US11871611B2; JP2016081562A; US20230083513A1; US20210013451A1; US20200083483A1; US10497903B2; US10826023B2; US20170288174A1; US20190229293A1; US11563198B2; US10290832B2

Abstract

　表示装置は、各々が、第１電極の上に発光層を含む有機層と第２電極とをこの順に有する複数の画素と、各画素の周囲に光反射面を有するリフレクタ層と、リフレクタ層上に、光反射面の上端から張り出して設けられた補助電極とを備える。補助電極の一部が有機層から露出し、この露出した部分が第２電極により覆われている。

Description

表示装置、表示装置の製造方法および電子機器

　本開示は、有機電界発光装置などの表示装置およびその製造方法、ならびにそのような表示装置を備えた電子機器に関する。

　近年、有機電界発光（ＥＬ：Electroluminescence）素子を用いた表示装置（有機ＥＬディスプレイ）の開発が進んでいる。この表示装置は、上面発光方式（トップエミッション方式）のものと、下面発光方式（ボトムエミッション方式）のものとに大別される。

　上面発光方式の表示装置では、一般に、光取り出し側の上部電極（例えばカソード）が、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などの透明導電膜により構成されることから、抵抗（カソード抵抗）が高くなる。この結果、パネル中央部において電圧が降下し（いわゆる電圧降下が生じ）、消費電力の増大や画質劣化を招く。ここで、上部電極に金属を用いることで、抵抗を低下させることができるが、金属は光透過性が良好ではない。そのため、上部電極に金属を用いると、光取り出し効率が低減し、輝度が低下する。

　また、カソード抵抗を下げるために透明導電膜を有機電界発光素子の直上に形成する手法もあるが、一般的に透明導電膜は薄膜での抵抗値が高いことから、抵抗値を下げるために厚膜化することが望ましい。ところが、透明導電膜を厚膜化すると、光透過性が低下し、輝度の低下につながる。このように、上部電極において、光透過性と導電性との両立は容易ではない。

　一方で、光取り出し効率を向上させて輝度を高めるために、いわゆるアノードリフレクタを用いた素子構造が提案されている（例えば、特許文献１）。具体的には、画素開口を取り囲むように斜面をもつ構造体が、所定の屈折率材料を用いて形成される。

特開２０１３－１９１５３３号公報

　しかしながら、上記特許文献１のようなリフレクタを用いた手法では、構造体の斜面において上部電極が薄膜化され、抵抗値が上昇し易い。このように、リフレクタを用いた場合には、特にカソード抵抗が高くなり易く、改善が望まれる。

　したがって、輝度を向上させつつ、消費電力を低減することが可能な表示装置、表示装置の製造方法および電子機器を提供することが望ましい。

　本開示の一実施の形態の表示装置は、各々が、第１電極の上に発光層を含む有機層と第２電極とをこの順に有する複数の画素と、各画素の周囲に光反射面を有するリフレクタ層と、リフレクタ層上に、光反射面の上端から張り出して設けられた補助電極とを備える。補助電極の一部が有機層から露出し、この露出した部分が第２電極により覆われている。

　本開示の一実施の形態の表示装置の製造方法は、各々が、第１電極の上に発光層を含む有機層と第２電極とをこの順に有する複数の画素を形成し、各画素の周囲に光反射面を有するリフレクタ層を形成し、リフレクタ層上に光反射面の上端から張り出す補助電極を形成する。リフレクタ層と補助電極とを形成したのちに、有機層と第２電極とを形成する。

　本開示の一実施の形態の電子機器は、上記本開示の一実施の形態の表示装置を有するものである。

　本開示の一実施の形態の表示装置および電子機器では、光反射面を有するリフレクタ層により有機層から発せられた光の取り出し効率が向上する。また、このリフレクタ層上に、補助電極が光反射面の上端から張り出して設けられると共に、補助電極の一部が有機層から露出し、この露出部分が第２電極によって覆われている。これにより、補助電極と第２電極との電気的接続が確保される。

　本開示の一実施の形態の表示装置の製造方法では、リフレクタ層と、その光反射面の上端から張り出す補助電極とを形成したのちに、有機層を成膜することで、補助電極によって有機層が分断され（断切れし）、補助電極の一部が有機層から露出する。この露出部分が第２電極によって覆われ、補助電極と第２電極との電気的接続が確保される。

　本開示の一実施の形態の表示装置、表示装置の製造方法および電子機器では、リフレクタ層により光取り出し効率を向上させることができる。また、補助電極がリフレクタ層の光反射面の上端から張り出して設けられることにより、補助電極と第２電極との電気的接続を確保することができる。これにより、第２電極を厚膜化することなく、即ち光透過性を低減させることなく、第２電極における抵抗値を下げることができる。よって、輝度を向上させつつ、消費電力を低減することが可能となる。

　尚、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。

本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。図１に示した表示装置の構成を表す断面図である。図２の一部を拡大した断面図である。図２に示した補助電極とリフレクタ層との一例を表す平面模式図である。図２に示した補助電極とリフレクタ層との他の例を表す平面模式図である。図２に示した表示装置の製造方法を説明するための断面図である。図５Ａに続く工程を表す断面図である。図５Ｂに続く工程を表す断面図である。図５Ｃに続く工程を表す断面図である。図５Ｄに続く工程を表す断面図である。図５Ｅに続く工程を表す断面図である。図５Ｆに続く工程を表す断面図である。図５Ｇに続く工程を表す断面図である。図５Ｈに続く工程を表す断面図である。リフレクタ層による効果を説明するためのシミュレーション図である。リフレクタ層による効果を説明するためのシミュレーション図である。スマートフォンの構成を表す斜視図である。スマートフォンの構成を表す斜視図である。タブレット型パーソナルコンピュータの構成を表す斜視図である。テレビジョン装置の構成を表す斜視図である。携帯電話機の構成を表す平面図である。携帯電話機の構成を表す平面図である。デジタル一眼レフカメラの構成を表す正面図である。デジタル一眼レフカメラの構成を表す背面図である。ヘッドマウントディスプレイの構成を表す斜視図である。デジタルスチルカメラの構成を表す正面図である。デジタルスチルカメラの構成を表す背面図である。ノート型パーソナルコンピュータの構成を表す斜視図である。ビデオカメラの構成を表す斜視図である。

　以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（リフレクタ層上に、その光反射面から張り出す補助電極を設けた表示装置の例）
２．適用例（電子機器の例）

＜実施の形態＞
［構成］
　図１Ａは、本開示の一実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の構成を表すものである。この表示装置１は、有機ＥＬディスプレイであり、第１基板１１上の表示領域１１０Ａには、それぞれが有機ＥＬ素子１０を含む複数の画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されている。各画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ赤色の光ＬＲ（波長６２０ｎｍ～７５０ｎｍ），緑色の光ＬＧ（波長４９５ｎｍ～５７０ｎｍ），青色の光ＬＢ（波長４５０ｎｍ～４９５ｎｍ）を発生する。画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂはサブピクセル（Ｒ画素，Ｇ画素，Ｂ画素）に相当するものであり、例えばこれらのＲ画素，Ｇ画素，Ｂ画素の組を１つのピクセルとして画像表示がなされる。表示領域１１０Ａの周辺には、映像表示用の信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。

　表示領域１１０Ａ内には、例えばアクティブ型の駆動回路（画素回路１４０）が設けられている。画素回路１４０は、図１Ｂに示したように駆動用のトランジスタＴｒ１および書き込み用のトランジスタＴｒ２を有し、これらのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間にはキャパシタＣｓが設けられている。第１の電源ライン（Ｖｃｃ）と第２の電源ライン（ＧＮＤ）との間において、有機ＥＬ素子１０がトランジスタＴｒ１に直列に接続されている。信号線駆動回路１２０は、列方向に配置された複数の信号線１２０Ａを通じてトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号を供給する。走査線駆動回路１３０は、行方向に配置された複数の走査線１３０Ａを通じてトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号を順次供給する。

　図２は図１Ａに示した表示装置１の断面構成を表すものである。尚、図２では、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応する領域について示している。有機ＥＬ素子１０は、第１基板１１と第２基板２２との間に設けられている。第１基板１１上には、上記の画素回路１４０が設けられ、この画素回路１４０を覆うように平坦化層１３が形成され、平坦化層１３上に、例えば陽極としての第１電極１４が設けられている。第１電極１４は、画素回路１４０に設けられたトランジスタＴｒ１と電気的に接続されている。図２には、画素回路１４０のうち、トランジスタＴｒ１に相当するＴＦＴ１２のみを図示している。

　有機ＥＬ素子１０は、第１基板１１の側から順に、第１電極１４と、発光層を含む有機層１６と、例えば陰極としての第２電極１８とが積層されたものである。この有機ＥＬ素子１０上には、保護層１９および封止層２０を間にして第２基板２２が貼り合わされている。第２基板２２の第１基板１１との対向面には、赤色フィルタ２１Ｒ，緑色フィルタ２１Ｇおよび青色フィルタ２１Ｂとブラックマトリクス層ＢＭとを含むカラーフィルタ層２１が形成されている。

　この表示装置１は、例えば有機層１６で発生した光が第２電極１８側から取り出される、いわゆるトップエミッション方式（上面発光方式）の有機ＥＬディスプレイである。この有機層１６は、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通する層構造を有している。例えば、有機層１６は、複数の発光ユニットを含んで構成され、全体として白色光を発するように構成されている。各有機ＥＬ素子１０から発せられた白色光が、カラーフィルタ層２１を通過することにより、赤色光ＬＲ，緑色光ＬＧ，青色光ＬＢが出射するようになっている。以下、各部の構成について説明する。

　第１基板１１は、例えばガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハ、樹脂あるいは導電性基板などにより構成されている。導電性基板としては、例えば表面を酸化シリコン（ＳｉＯ₂）や樹脂等により絶縁化したものが用いられる。

　ＴＦＴ１２は、例えばボトムゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）であり、例えばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）により構成されている。このＴＦＴ１２では、第１基板１１上に、例えば、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、チャネルを形成する半導体薄膜と、層間絶縁膜とがこの順に積層されており、半導体薄膜に電気的に接続してソース電極およびドレイン電極が形成されている。ＴＦＴ１２の例えばドレイン電極には第１電極１４が電気的に接続されている。尚、ＴＦＴ１２は、このようなボトムゲート型に限らず、トップゲート型のものであってもよい。また、半導体薄膜は、結晶性シリコンおよびアモルファスシリコンなどから構成されていてもよいし、酸化物半導体から構成されていてもよい。

　平坦化層１３は、ＴＦＴ１２が形成された第１基板１１の表面を平坦化し、有機ＥＬ素子１０の各層の膜厚を均一に形成するためのものである。この平坦化層１３は、第１電極１４とＴＦＴ１２のドレイン電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールを有し、第１電極１４とＴＦＴ１２のドレイン電極とが不必要に接触することを防ぐ役割をも果たしている。平坦化層１３の構成材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂およびノボラック樹脂などの有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ₂），窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料が挙げられる。

　第１電極１４は、画素毎に設けられると共に、有機層１６に例えば正孔を注入する電極として機能するものである。第１電極１４は、光反射性を有しており、できるだけ高い反射率を有することが発光効率を高める上で望ましい。このような第１電極１４の構成材料としては、例えば銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）およびクロム（Ｃｒ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。また、第１電極１４は、上述した金属の単体または合金を含む単層膜であってもよいし積層膜であってもよい。

　有機層１６は、発光層を含むと共に、この他にも例えば正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport Layer）、正孔注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）および電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）などを含んでいてもよい。また、発光色の異なる複数種類の発光層を積層した、いわゆるタンデム構造を有している。積層された複数種類の発光層から発せられた色光の混色により、所望の発光スペクトル（例えば白色光）を得ることが出来る。このようなタンデム構造の一例としては、青色発光層と黄色発光層とを積層したもの、あるいは赤色発光層と緑色発光層と青色発光層とを積層したものなどが挙げられる。この有機層１６は、第１基板１１の表示領域１１０Ａの全域にわたって形成されている。但し、厳密には、有機層１６は、補助電極１７の一部において分断されている（第１電極１４上に有機層１６が、補助電極１７上には有機層１６ａがそれぞれ形成されている）。また、ここでは、有機層１６が、複数の発光層を積層したものであり、混色により白色光を発する場合を例に挙げたが、有機層１６は単一の発光層を含む構成であってもよい（単色発光であってもよい）。

　第２電極１８は、光透過性を有し、例えば画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの全てに共通して、表示領域１１０Ａの全面にわたって形成されている。この第２電極１８は、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），酸化チタン（ＴｉＯ），インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミニウムを添加した酸化亜鉛（ＡＺＯ），フッ素（Ｆ）を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｆ），フッ素を添加した酸化錫（ＦＴＯ）およびフッ素を添加した酸化シリコン（ＳｉＯ₂：Ｆ）などのうちの少なくとも１種により構成されている。あるいは、第２電極１８には、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）および銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が用いられてもよい。この第２電極１８は、例えばスパッタ法または原子層堆積法により形成可能である。

　保護層１９は、例えば窒化シリコン、酸化シリコンまたは金属酸化物などから構成されている。封止層２０は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂からなり、接着層として機能する。

　第２基板２２は、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおいて発生した各色光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。

　カラーフィルタ層２１では、遮光性を有するブラックマトリクス層ＢＭが、有機ＥＬ素子１０に対向して開口を有している。このブラックマトリクス層ＢＭの各開口に赤色フィルタ２１Ｒ，緑色フィルタ２１Ｇまたは青色フィルタ２１Ｂが形成されている。赤色フィルタ２１Ｒは、赤色光を選択的に透過するものである。緑色フィルタ２１Ｇは、緑色光を選択的に透過するものである。青色フィルタ２１Ｂは、青色光を選択的に透過するものである。カラーフィルタ層２１は、第２基板２２の光入射側（素子側）および光出射側のどちらの面に設けられてもよいが、例えば光入射側の面に設けられている。なお、ここでは、カラーフィルタ層２１にブラックマトリクス層ＢＭを設けた構成を例示したが、ブラックマトリクス層ＢＭは設けられていなくともよい。

（リフレクタ層１５）
　表示装置１は、上記構成において、更にリフレクタ（いわゆるアノードリフレクタ）構造を有している。即ち、各画素の周囲に光反射面（後述の面Ｔ）を有するリフレクタ層１５が設けられている。本実施の形態では、このリフレクタ層１５上に補助電極１７が設けられている。

　図３は、図２の一部を拡大して表したものである。リフレクタ層１５は、詳細には、有機ＥＬ素子１０（即ち、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）を取り囲むように、光反射面（面Ｔ）を有している。換言すると、リフレクタ層１５は、各画素に対向して凹部１５Ａを有し、有機ＥＬ素子１０同士の間（即ち、画素間）の領域に凸部１５Ｂを有している。このリフレクタ層１５は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ₂），フッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂），フッ化リチウム（ＬｉＦ），ポリイミド樹脂，アクリル樹脂，フッ素樹脂，シリコーン樹脂，フッ素系ポリマーまたはシリコン系ポリマーなどの低屈折率材料を含んで構成されている。このような構成により、凹部１５Ａ（凸部１５Ｂ）の面Ｔにおいて、有機層１６から発せられた光が、上方へ向けて反射されるようになっている。凹部１５Ａの全体の形状は、例えば逆円錐台形状（平面視的には円形状）である。なお、この凹部１５Ａ内には、他の屈折率材料が埋め込まれていてもよい。また、凹部１５Ａおよび凸部１５Ｂの表面を更に他の屈折率材料からなる膜が覆っていてもよい。また、凹部１５Ａの形状は、例えばすり鉢状のように断面において丸みを帯びていてもよい。

（補助電極１７）
　このリフレクタ層１５上に（凸部１５Ｂに隣接して）、補助電極１７が設けられている。補助電極１７は、その一部が面Ｔの上端Ｅ１から（画素中心に向かって）張り出して設けられている。換言すると、面Ｔの上端Ｅ１は、補助電極１７の端面（後述の開口Ｈの内側の面）１７ａから後退した位置に配置されている。この補助電極１７の張出部分の幅Ｂは、後述の製造プロセスにおいて有機層１６が分断される（断切れする）ように、有機層１６の厚み、補助電極１７の厚み、リフレクタ層１５の厚みおよび画素サイズなどを考慮して適切な大きさに設定される。幅Ｂは、リフレクタ層１５を形成する際のエッチング条件などにより調整可能である。この補助電極１７の構成材料としては、例えばチタン（Ｔｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ）およびアルミニウム（Ａｌ）のうちの少なくとも１種を含む金属が挙げられる。あるいは、補助電極１７として、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化チタン（ＴｉＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミニウムを添加した酸化亜鉛（ＡＺＯ），フッ素（Ｆ）を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｆ），フッ素を添加した酸化錫（ＦＴＯ）およびフッ素を添加した酸化シリコン（ＳｉＯ₂：Ｆ）などのうちの少なくとも１種を含む透明導電膜が用いることもできる。

　このような補助電極１７の構成に起因して、補助電極１７の一部（具体的には、補助電極１７の張出部分の下面、図３中の部分Ｃ１）が有機層１６から露出している。この露出した部分Ｃ１は、第２電極１８により覆われている。部分Ｃ１において、補助電極１７と第２電極１８とが電気的に接続される。なお、補助電極１７上には、有機層１６とは電気的に分離された有機層１６ａが形成されている。有機層１６ａは、有機層１６の成膜の際に補助電極１７上に堆積したものであり、有機層１６と同一材料により構成されている。

　図４Ａは、補助電極１７とリフレクタ層１５との平面配置（第１基板１１の主面に平行な面における配置）の一例を表したものである。このように、平面視的には、凹部１５Ａは、例えば円形状を有している。具体的には、凹部１５Ａ（面Ｔ）の上端Ｅ１の成す面形状（上端Ｅ１側の面形状）Ｓ１と、下端Ｅ２の成す面形状（下端Ｅ２側の面形状）Ｓ２とは、それぞれ円形状である。補助電極１７は、凹部１５Ａに対向して開口Ｈを有している。開口Ｈの開口形状は、例えば、凹部１５Ａの面形状Ｓ１と略相似であり、また、面形状Ｓ１よりも小さくなっている。ここでは、開口Ｈの開口形状は、面形状Ｓ１よりも径の小さい円形状を有する。有機層１６は、凹部１５Ａの下端Ｅ２側において第１電極１４と接する。つまり、面形状Ｓ２に対応する領域が、発光に寄与する領域（画素開口）となる。補助電極１７および凹部１５Ａは、それぞれ画素毎に設けられる。これらの補助電極１７および凹部１５Ａの配置は、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのレイアウトに応じて、例えば図４Ａのように、直交する２方向に沿ってマトリクス状に配置されている。但し、例えば図４Ｂに示したように、図４Ａの配列を基準として、一部の行または列が一方向に沿ってシフトしたような配置であってもよい。

　なお、ここでは、補助電極１７の開口Ｈの開口形状と、リフレクタ層１５の凹部１５Ａの面形状との一例として円形状を挙げたが、この円形状に限らず、他の様々な形状をとることができる。例えば、楕円形状であってもよいし、矩形状や正六角形などの多角形状であってもよい。また、対称性を持たない形状や、曲線と直線とが混在するような形状であってもよい。更に、開口Ｈと凹部１５Ａとの形状および大きさは、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ同士の間で、同じであってもよいが、画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎（発光色毎）に、異なっていてもよい。

［製造方法］
　上記のような表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。図５Ａ～図５Ｉは、本実施の形態の表示装置１の製造方法を説明するための模式図である。

　まず、図５Ａに示したように、第１基板１１上に、ＴＦＴ１２を含む画素回路１４０形成する（ここではＴＦＴ１２のみを示す）。例えば、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、層間絶縁膜、ソース電極およびドレイン電極などを、公知の薄膜プロセスを用いて形成する。

　続いて、図５Ｂに示したように、第１基板１１上に、ＴＦＴ１２等を覆って平坦化層１３を成膜した後、ＴＦＴ１２の例えばドレイン電極に対応する位置にコンタクトホール１３ａを形成する。

（第１電極１４の形成）
　次に、図５Ｃに示したように、平坦化層１３上に、第１電極１４を形成する。具体的には、上述したような金属材料を、例えば蒸着法またはスパッタ法などにより、平坦化層１３上に成膜する。その後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素毎にパターニングする。このようにして第１電極１４を形成する。この第１電極１４はコンタクトホール１３ａを介してＴＦＴ１２と電気的に接続される。

（リフレクタ層１５，補助電極１７の形成）
　この後、図５Ｄに示したように、第１電極１４上に、第１基板１１の全面にわたって、上述した屈折率材料（例えばＳｉＯ_Xからなるリフレクタ材料１５０）を、例えば蒸着法またはスパッタ法などにより成膜する。

　続いて、リフレクタ材料１５０上に、上述した導電性材料からなる補助電極１７を形成する。具体的には、図５Ｅに示したように、リフレクタ材料１５０上に、上述した導電性材料（例えばチタンなど）を、例えばスパッタ法などにより成膜する。この後、図５Ｆに示したように、補助電極１７を、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりパターニングし、複数の開口Ｈを形成する。この際、第１電極１４に対向する位置に開口Ｈを形成する。

　次に、図５Ｇに示したように、リフレクタ材料１５０のパターニングを行い、リフレクタ層１５を形成する。具体的には、補助電極１７をマスクとして、リフレクタ材料１５０に対して等方性のエッチングを行う。これにより、補助電極１７の開口Ｈに対向する領域が選択的に除去される。第１電極１４上に凹部１５Ａを、画素間の領域に凸部１５Ｂをそれぞれ持つリフレクタ層１５が形成される。また、等方性のエッチングによって、補助電極１７が面Ｔの上端Ｅ１から張り出して形成される（面Ｔの上端Ｅ１が補助電極１７の端面１７ａから後退した位置に配される）。

（有機層１６の形成）
　この後、図５Ｈに示したように、有機層１６を形成する。具体的には、第１基板１１の全域にわたって、例えば真空蒸着法により有機材料を連続的に成膜する（堆積させる）。ここで、真空蒸着法による成膜では、比較的カバレッジが悪いことから、補助電極１７の張出部分の下方（裏側）まで回り込みにくい。この結果、有機層１６は、補助電極１７の端面１７ａ付近において分断されつつ堆積され、補助電極１７の一部（張出部分の下面の部分Ｃ１）が有機層１６から露出する。また、補助電極１７の上面を覆うように有機層１６ａが堆積する。

（第２電極１８の形成）
　続いて、図５Ｉに示したように、例えばスパッタ法または原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法を用いて、上述した材料よりなる第２電極１８を形成する。ここで、スパッタ法またはＡＬＤ法による成膜では、比較的カバレッジが良いことから、第２電極１８は、補助電極１７の張出部分の下方にも回り込み易い。この結果、第２電極１８は、有機層１６から露出した部分Ｃ１にも付着し、部分Ｃ１を覆って成膜される。これにより、補助電極１７と第２電極１８との電気的接続が確保される。

　最後に、図示は省略するが、第２電極１８上に保護層１９を形成した後、カラーフィルタ層２１が形成された第２基板２２を、封止層２０を介して貼り合わせる。以上により、図２に示した表示装置１が完成する。

［作用，効果］
　表示装置１では、図１Ａおよび図１Ｂに示したように、走査線駆動回路１３０から各画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０ＢのトランジスタＴｒ２のゲートに走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０からは画像信号が、トランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに供給され、保持される。この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じてトランジスタＴｒ１（ＴＦＴ１２）がオンオフ制御され、これによって、各画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機ＥＬ素子１０に駆動電流Ｉｄが注入される。この駆動電流Ｉｄが、第１電極１４および第２電極１８を通じて有機層１６の発光層に注入されることにより、正孔と電子とが再結合し、発光が起こる。

　各有機ＥＬ素子１０から白色光が発生すると、これらの各白色光は、第２電極１８、保護層１９等を透過した後、カラーフィルタ層２１のうちの赤色フィルタ２１Ｒ，緑色フィルタ２１Ｇおよび青色フィルタ２１Ｂのいずれかを透過する。これにより、赤色光ＬＲ，緑色光ＬＧ，青色光ＬＢとなって、第２基板２２の上方へ向けて出射する。このようにして、表示装置１では、上面発光方式による画像表示が行われる。

　また、本実施の形態では、アノードリフレクタとしてリフレクタ層１５が設けられている。これにより、例えば図６Ａに示したように、有機層１６から発せられた光の少なくとも一部が上方（斜め上方）へ向けて反射され、光取り出し効率が向上する。この結果、輝度（正面輝度）が向上する。また、リフレクタ層１５および補助電極１７が画素間の壁となり、隣接画素への光線の漏れ込みを防ぐことができ、混色を抑制することができる。なお、このようなリフレクタ層１５が設けない場合には、例えば図６Ｂに示したように、発光光の放射範囲が大きくなり、例えば隣接画素への光線の漏れ込みが生じて、輝度低減あるいは画質低下につながる。

　一方で、上面発光方式の場合、光取り出し側の上部電極（第２電極１８に相当）として光透過性を有する透明導電膜が用いられることから、抵抗値（カソード抵抗）が高くなり、いわゆる電圧降下を生じ易い。これは、消費電力の増大あるいは画質劣化につながり、望ましくない。

　これに対し、本実施の形態では、リフレクタ層１５上に補助電極１７が設けられている。この補助電極１７は、リフレクタ層１５の面Ｔの上端から張り出しており、その張出部分の一部（部分Ｃ１）が有機層１６から露出している。この部分Ｃ１が第２電極１８によって覆われている。これにより、補助電極１７と第２電極１８との電気的接続が確保される。この結果、第２電極１８における抵抗値が低減する。

　以上説明したように、本実施の形態では、リフレクタ層１５が設けられていることにより、光取り出し効率を向上させることができ、輝度を向上させることができる。また、このリフレクタ層１５上に、補助電極１７が面Ｔの上端から張り出して設けられることにより、補助電極１７と第２電極１８との電気的接続を確保することができる。ここで、第２電極１８に用いられる透明導電膜は、厚膜化によって光透過性が低減する傾向がある。また、金属は導電性に優れるが光透過性が乏しい。本実施の形態では、第２電極の抵抗値を下げるために、透明導電膜を厚膜化したり、あるいは第２電極１８として金属を用いたりする必要がない。つまり、光透過性を低減することなく電圧降下を抑制することが可能となる。よって、輝度を向上させつつ、消費電力を低減することが可能となる。

＜適用例＞
　上記実施の形態および変形例において説明した表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、映像として表示するあらゆる分野の電子機器に用いることができる。特に、中型および小型の電子機器に好適に用いることができる。以下にその一例を示す。

　図７Ａおよび図７Ｂは、スマートフォン２２０の外観を表したものである。このスマートフォン２２０は、例えば、表側に表示部２２１および操作部２２２を有し、裏側にカメラ２２３を有しており、表示部２２１に上記実施の形態の表示装置１が搭載されている。

　図８は、タブレット型パーソナルコンピュータ２４０の外観を表したものである。このタブレット型パーソナルコンピュータ２４０は、例えば、タッチパネル部２４１および筐体２４２を有しており、タッチパネル部２４１に上記実施の形態の表示装置１が搭載されている。

　図９は、テレビジョン装置２５０の外観を表したものである。このテレビジョン装置２５０は、例えば、本体部２５１とスタンド２５２とを有している。本体部２５１に、上記実施の形態の表示装置１が搭載されている。

　図１０Ａおよび図１０Ｂは、携帯電話機２９０の外観を表したものである。この携帯電話機２９０は、例えば、上側筐体２９１と下側筐体２９２とを連結部（ヒンジ部）２９３で連結したものであり、ディスプレイ２９４，サブディスプレイ２９５，ピクチャーライト２９６およびカメラ２９７を有している。ディスプレイ２９４またはサブディスプレイ２９５に、上記実施の形態の表示装置１が搭載されている。

　図１１Ａおよび図１１Ｂは、デジタル一眼レフカメラ４１０の外観を表したものである。このデジタル一眼レフカメラ４１０は、例えば本体部４１１，レンズ４１２，グリップ４１３，表示部４１４およびビューファインダ４１５などを有している。表示部４１４またはビューファインダ４１５に、上記実施の形態の表示装置１が搭載されている。

　図１２は、ヘッドマウントディスプレイ４２０の外観を表したものである。ヘッドマウントディスプレイ４２０は、例えば眼鏡型の表示部４２１および支持部４２２を有している。表示部４２１に、上記実施の形態の表示装置１が搭載されている。

　図１３Ａおよび図１３Ｂは、デジタルスチルカメラ５２０の外観を表したものである。このデジタルスチルカメラ５２０は、例えば、フラッシュ用の発光部５２１、表示部５２２、メニュースイッチ５２３およびシャッターボタン５２４を有している。表示部５２２に、上記実施の形態の表示装置１が搭載されている。

　図１４は、ノート型パーソナルコンピュータ５３０の外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータ５３０は、例えば、本体５３１，文字等の入力操作のためのキーボード５３２および画像を表示する表示部５３３を有している。表示部５３３に、上記実施の形態の表示装置１が搭載されている。

　図１５は、ビデオカメラ５４０の外観を表したものである。このビデオカメラ５４０は、例えば、本体部５４１，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５４２，撮影時のスタート／ストップスイッチ５４３および表示部５４４を有している。表示部５４４に、上記実施の形態の表示装置１が搭載されている。

　以上、実施の形態を挙げて説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、補助電極１７の形状および配置は上述したものに限定されず、他の様々な構成とすることができる。上記実施の形態等では、補助電極１７の開口Ｈの開口形状が、平面視的にリフレクタ層１５の凹部１５Ａの面形状Ｓ１と略相似となる場合を例示したが、これらは相似でなくともよい。補助電極がリフレクタ層の光反射面の上端から張り出して形成されていればよく、補助電極の開口形状は特に限定されない。また、補助電極は１つであってもよいが、複数設けられていてもよい。但し、上記実施の形態のように、補助電極１７をマスクとしたエッチングによりリフレクタ層１５を形成する場合には、補助電極１７の開口形状と、リフレクタ層１５の凹部１５Ａの面形状とは略相似形となる。

　また、上記実施の形態では、リフレクタ層１５の凹部１５Ａを、補助電極１７をマスクとした、等方性のエッチングにより形成したが、凹部１５Ａの形成手法はこれに限定されるものではない。例えば、複数回の異方性のエッチングを組み合わせてもよい。一例としては、リフレクタ材料を厚み方向（縦方向）に沿ってエッチングした後、面内方向（横方向）に沿ってエッチングすることで、等方性エッチングの場合と同様の構造を形成することができる。また、補助電極１７をマスクとして用いるのではなく、他のマスク（フォトレジストなど）を用いてエッチングしてもよい。

　更に、上記実施の形態等に記載した各層の材料および厚みは列挙したものに限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよい。また、表示装置では、上述した全ての層を備えている必要はなく、あるいは上述した各層に加えて更に他の層を備えていてもよい。また、上記実施の形態等において説明した効果は一例であり、本開示の効果は、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。

　なお、本開示は以下のような構成であってもよい。
（１）
　各々が、第１電極の上に発光層を含む有機層と第２電極とをこの順に有する複数の画素と、
　各画素の周囲に光反射面を有するリフレクタ層と、
　前記リフレクタ層上に、前記光反射面の上端から張り出して設けられた補助電極と
　を備え、
　前記補助電極の一部が前記有機層から露出し、この露出した部分が前記第２電極により覆われている
　表示装置。
（２）
　前記リフレクタ層は、各画素に対向して前記光反射面を有する凹部を有し、
　前記補助電極は、複数の前記凹部に対向して複数の開口を有し、
　前記補助電極における前記開口の開口形状は、平面視的に前記凹部の上端側の形状よりも小さい
　上記（１）に記載の表示装置。
（３）
　前記凹部の形状と前記開口の開口形状とは略相似である
　上記（２）に記載の表示装置。
（４）
　前記開口の開口形状は、前記凹部の形状よりも小さい
　上記（３）に記載の表示装置。
（５）
　前記補助電極上に、前記有機層と同一材料を含む他の有機層が形成されている
　上記（１）～（４）のいずれかに記載の表示装置。
（６）
　前記リフレクタ層は、酸化シリコン（ＳｉＯ_x），フッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂），フッ化リチウム（ＬｉＦ），ポリイミド樹脂，アクリル樹脂，フッ素樹脂，シリコーン樹脂，フッ素系ポリマーまたはシリコン系ポリマーを含む
　上記（１）～（５）のいずれかに記載の表示装置。
（７）
　前記補助電極は、チタン（Ｔｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ）およびアルミニウム（Ａｌ）のうちの少なくとも１種を含む
　上記（１）～（６）のいずれかに記載の表示装置。
（８）
　前記補助電極は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化チタン（ＴｉＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミニウムを添加した酸化亜鉛（ＡＺＯ），フッ素（Ｆ）を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｆ），フッ素を添加した酸化錫（ＦＴＯ）およびフッ素を添加した酸化シリコン（ＳｉＯ₂：Ｆ）のうちの少なくとも１種を含む
　上記（１）～（６）のいずれかに記載の表示装置。
（９）
　前記有機層は、単一の発光層または積層された複数の発光層を有する
　上記（１）～（８）のいずれかに記載の表示装置。
（１０）
　各々が、第１電極の上に発光層を含む有機層と第２電極とをこの順に有する複数の画素を形成する工程と、
　各画素の周囲に光反射面を有するリフレクタ層を形成する工程と、
　前記リフレクタ層上に、前記光反射面の上端から張り出す補助電極を形成する工程と
　を含み、
　前記リフレクタ層と前記補助電極とを形成したのちに、前記有機層と前記第２電極とを形成する
　表示装置の製造方法。
（１１）
　前記第１電極上にリフレクタ材料を介して前記補助電極を形成したのち、
　前記補助電極をマスクとした等方性のエッチングを行うことにより、前記リフレクタ層を形成する
　上記（１０）に記載の表示装置の製造方法。
（１２）
　前記第２電極を、スパッタ法または原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法により形成する
　上記（１０）または（１１）に記載の表示装置の製造方法。
（１３）
　各々が、第１電極の上に発光層を含む有機層と第２電極とをこの順に有する複数の画素と、
　各画素の周囲に光反射面を有するリフレクタ層と、
　前記リフレクタ層上に、前記光反射面の上端から張り出して設けられた補助電極と　を備え、
　前記補助電極の一部が前記有機層から露出し、この露出した部分が前記第２電極により覆われている
　表示装置を備えた電子機器。

　本出願は、日本国特許庁において２０１４年１０月９日に出願された日本特許出願番号第２０１４－２０８１１６号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。

　当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims

　各々が、第１電極の上に発光層を含む有機層と第２電極とをこの順に有する複数の画素と、
　各画素の周囲に光反射面を有するリフレクタ層と、
　前記リフレクタ層上に、前記光反射面の上端から張り出して設けられた補助電極と
　を備え、
　前記補助電極の一部が前記有機層から露出し、この露出した部分が前記第２電極により覆われている
　表示装置。
　前記リフレクタ層は、各画素に対向して前記光反射面を有する凹部を有し、
　前記補助電極は、複数の前記凹部に対向して複数の開口を有し、
　前記補助電極における前記開口の開口形状は、平面視的に前記凹部の上端側の形状よりも小さい
　請求項１に記載の表示装置。
　前記凹部の形状と前記開口の開口形状とは略相似である
　請求項２に記載の表示装置。
　前記開口の開口形状は、前記凹部の形状よりも小さい
　請求項３に記載の表示装置。
　前記補助電極上に、前記有機層と同一材料を含む他の有機層が形成されている
　請求項１に記載の表示装置。
　前記リフレクタ層は、酸化シリコン（ＳｉＯ_x），フッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂），フッ化リチウム（ＬｉＦ），ポリイミド樹脂，アクリル樹脂，フッ素樹脂，シリコーン樹脂，フッ素系ポリマーまたはシリコン系ポリマーを含む
　請求項１に記載の表示装置。
　前記補助電極は、チタン（Ｔｉ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ）およびアルミニウム（Ａｌ）のうちの少なくとも１種を含む
　請求項１に記載の表示装置。
　前記補助電極は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化チタン（ＴｉＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミニウムを添加した酸化亜鉛（ＡＺＯ），フッ素（Ｆ）を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｆ），フッ素を添加した酸化錫（ＦＴＯ）およびフッ素を添加した酸化シリコン（ＳｉＯ₂：Ｆ）のうちの少なくとも１種を含む
　請求項１に記載の表示装置。
　前記有機層は、単一の発光層または積層された複数の発光層を有する
　請求項１に記載の表示装置。
　各々が、第１電極の上に発光層を含む有機層と第２電極とをこの順に有する複数の画素を形成し、
　各画素の周囲に光反射面を有するリフレクタ層を形成し、
　前記リフレクタ層上に、前記光反射面の上端から張り出す補助電極を形成し、
　前記リフレクタ層と前記補助電極とを形成したのちに、前記有機層と前記第２電極とを形成する
　表示装置の製造方法。
　前記第１電極上にリフレクタ材料を介して前記補助電極を形成したのち、
　前記補助電極をマスクとした等方性のエッチングを行うことにより、前記リフレクタ層を形成する
　請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
　前記第２電極を、スパッタ法または原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）
法により形成する
　請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
　各々が、第１電極の上に発光層を含む有機層と第２電極とをこの順に有する複数の画素と、
　各画素の周囲に光反射面を有するリフレクタ層と、
　前記リフレクタ層上に、前記光反射面の上端から張り出して設けられた補助電極と
　を備え、
　前記補助電極の一部が前記有機層から露出し、この露出した部分が前記第２電極により覆われている
　表示装置
　を有する電子機器。