JP2016197580A - 有機el表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】Agを用いてアノード電極を形成する場合、Agの加工精度が低い等の問題がある。【解決手段】有機EL表示装置であって、基板側から順に、金属層と、前記反射層上に形成された絶縁層と、前記第1の絶縁層上に形成された第1の電極層と、前記第1の電極層上に形成された有機層と、前記有機層上に形成された第2の電極層と、を有し、前記金属層は、前記第1の電極層及び前記第2の電極層の間に電圧を印加することにより前記有機層から生じる光を、該金属層の表面で反射する反射層として用いられる、ことを特徴とする。【選択図】図4
Description
本発明は、有機EL表示装置に関する。
有機発光ダイオード(OLED:Organic Light Emitting Diode)と呼ばれる自発光体を用いた画像表示装置(以下、「有機EL(Electro-luminescent)表示装置」という。)が実用化されている。有機EL表示装置においては、例えば、絶縁層上に形成されるアノード電極が形成され、当該アノード電極が発光層からの光を反射する反射層としても用いられる場合がある(下記特許文献1参照)。ここで、Agの反射率が高いことから、アノード電極は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)とAgとITOの積層構造とし、発光層からの光がITOを介してAgの表面で反射されるように構成される場合がある。
しかしながら、Agを用いてアノード電極を形成する場合、Agが高価であり、また、その加工過程においてAg残渣が発生するという課題や、Agの加工精度が低いという課題がある。
そこで、本願発明は、アノード電極のパターンの加工精度を向上し、より高精細な表示を行うことのできる有機EL表示装置を実現することを目的とする。
(1)本発明の有機EL表示装置は、基板側から順に、金属層と、前記金属層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された第1の電極層と、前記第1の電極層上に形成された有機層と、前記有機層上に形成された第2の電極層と、を有し、前記金属層は、前記第1の電極層及び前記第2の電極層の間に電圧を印加することにより前記有機層から生じる光を、該金属層の表面で反射する反射層として用いられる、ことを特徴とする。
(2)上記(1)に記載の有機EL表示装置において、前記金属層は、更に、前記第2の電極層の補助配線として用いられることを特徴とする。
(3)上記(1)または(2)に記載の有機EL表示装置において、前記金属層は、更に、前記第1の電極層とともに、前記絶縁層を挟んで付加容量を形成することを特徴とする。
(4)上記(1)乃至(3)のいずれかに記載の有機EL表示装置において、前記金属層は、Al層とMo層の積層構造から形成され、前記有機層から生じる光は、前記Al層の表面で反射することを特徴とする。
(5)上記(1)乃至(3)のいずれかに記載の有機EL表示装置において、前記金属層は、Al層とMo層とITO層の積層構造から形成され、前記有機層から生じる光は、前記Al層の表面で反射することを特徴とする。
(6)上記(1)乃至(5)のいずれかに記載の有機EL表示装置において、前記第1の電極層は、ITOで形成されることを特徴とする。
(7)本発明の有機EL表示装置の製造方法は、基板側から順に、金属層を形成し、前記金属層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上に第1の電極層を形成し、前記第1の電極層上に有機層を形成し、前記有機層上に第2の電極層を形成する、ことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法であって、前記金属層は、前記第1の電極層及び前記第2の電極層の間に電圧を印加することにより前記有機層から生じる光を、該金属層の表面で反射する反射層として用いられる、ことを特徴とする。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面については、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
図1は、本発明の実施形態に係る有機EL表示装置1を示す概略図である。有機EL表示装置1は、上フレーム2と、下フレーム3と、上フレーム2と下フレーム3とで挟まれるように固定された有機ELパネル10とから構成されている。なお、図1に示した概略図は一例であって、本実施の形態はこれに限定されるものではない。例えば、上フレーム2と下フレーム3がない有機ELパネル単体で有機EL表示装置1を構成しても良い。
図2は、図1に示した有機EL表示装置の回路構成の概要について説明するための図である。有機ELパネル10は、データ駆動回路12及び走査駆動回路13によって、基板100上の表示領域11に形成された各画素を制御し、画像を表示する。ここで、例えば、データ駆動回路12は、各画素に送るデータ信号を生成・発信するIC(Integrated Circuit)であり、走査駆動回路13は、画素に備えられたTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)へのゲート信号を生成・発信するICである。なお、図2において、データ駆動回路12及び走査駆動回路13は、2箇所に形成されるものとして記載されているが、一つのICに組み込まれていてもよいし、基板100上に直接配線された回路によって形成されたものであってもよい。
走査駆動回路13からの信号を伝える走査線14は、図3に示すようにスイッチトランジスタ30のゲート電極に接続される。また、データ駆動回路12からの信号を伝えるデータ線15は、スイッチトランジスタ30のソース・ドレイン電極に接続される。電位配線16には、有機発光ダイオード60に発光させるための基準電位が印加され、ドライバトランジスタ20のソース・ドレイン電極に接続される。第1の電位供給配線17及び第2の電位供給配線18は電位供給源に接続され、トランジスタを介して電位配線16に接続される。なお、図2に示した回路構成は一例であって、本実施の形態は上記に限定されるものではない。
図3は、本実施の形態に係る有機EL表示装置の回路図である。有機ELパネル10の表示領域11には、データ線15がD1からDnまでn本形成されており、走査線14がG1からGmまでm本形成されている。複数の画素PXがマトリクス状に、走査線14の延在方向及びデータ線15延在方向に配置されている。例えば、G1とG2、D1とD2で囲まれる部分に画素PXが形成される。
第1の走査線G1はスイッチトランジスタ30のゲート電極に接続されており、走査駆動回路13から信号が印加されると、スイッチトランジスタ30がオン状態になる。そこでデータ駆動回路12から第1のデータ線D1に信号が印加されると、蓄積容量40に電荷が蓄積され、ドライバトランジスタ20のゲート電極に電圧が印加されて、ドライバトランジスタ20がオン状態になる。ここでスイッチトランジスタ30がオフ状態となっても、蓄積容量40に蓄えられた電荷により、一定期間はドライバトランジスタ20がオン状態になる。有機発光ダイオード60の陽極はドライバトランジスタ20のソース・ドレイン間を通じて電位配線16に接続されており、有機発光ダイオード60の陰極は基準電位Vcに固定されているから、ドライバトランジスタ20のゲート電圧に応じて有機発光ダイオード60に電流が流れ、有機発光ダイオード60が発光する。また、付加容量50が有機発光ダイオード60の陽極と陰極との間に形成される。付加容量50は、蓄積容量40に書き込まれる電圧を安定させる効果を発揮し、有機発光ダイオード60の安定動作に寄与する。具体的には、蓄積容量40の静電容量よりも付加容量50の静電容量が大きくなるようにすることで当該効果が発揮される。
図4は、有機EL表示装置の断面の一部を模式的に示す図である。なお、図4は、図6のIV−IV断面の概要を示す。図4に示すように、基板100上には、画素を駆動するためのTFT等が形成されたTFT層401が設けられる。
図5は、TFT層401の断面の概要を示す図である。図4及び図5から分かるように、基板100上に、例えば、SiNx等からなる第1の下地膜110が形成され、さらに例えば、SiOx等からなる第2の下地膜120が形成される。第2の下地膜120の上には、ドレイン電極層21、ソース電極層22、チャネル層23が形成される。そして、ドレイン電極層21、ソース電極層22、チャネル層23、及び、第2の下地膜120を覆うようにゲート絶縁膜24を形成した後、チャネル層23の上方にゲート電極層25が形成される。ゲート電極層25及びゲート絶縁膜24を覆うように第1の層間絶縁膜130が積層され、ドレイン電極層21とソース電極層22にそれぞれ到達するスルーホールが形成される。それぞれのスルーホールには、ドレイン電極26及びソース電極27が形成される。
そして、図4に示すように、ドレイン電極26、ソース電極27、及び第1の層間絶縁膜130を覆うように平坦層402が積層される。平坦層402上には、順に金属層403、絶縁層404、アノード電極405が形成される。ここで、金属層403は、例えば、Mo層上にAl層が積層された積層構造により形成され、当該金属層403(Al層)の表面で発光層からの光を反射する。当該金属層403は、表面で所定の反射率以上を確保できる限りその他の構成であってもよい。具体的には、例えば、金属層403は、例えば図4の下側から順にITO層、Mo層、Al層が積層されて構成されてもよい。
当該金属層403と後述するカソード電極409を電気的に接続することにより、当該金属層403はカソード電極409の電源配線の補助配線として用いられる。また、金属層403とアノード電極405で絶縁層404を挟んで容量層(付加容量50)を形成する。当該金属層403とカソードの電気的接続は、例えば、表示領域の外側でスルーホールを設けて行う。
絶縁層404は、例えばSiNで形成される。また、アノード電極405は、Agを含まず、例えば、ITOで形成される。なお、アノード電極405の材料としては、その他の材料、例えば、IZO(Indium Tin Oxide)やZnO(Zinc Oxide)を用いてもよい。
また、平坦層402には、図4に示すようにソース電極27上にスルーホールが形成される。当該スルーホールの底部にはITO層406が形成され、また、スルーホールの発光領域側の側面には、絶縁層404及びアノード電極405が積層される。また、スルーホールの逆側の側面にはアノード電極405が積層される。
また、上記構造上には画素を分離するRIB層407が形成される。そして、当該RIB層407及びアノード電極405上に有機層408が形成される。ここで、アノード電極405と有機層408が接触する領域が発光領域となり、RIB層407は、発光領域の外縁を規定する。
有機層408の上には、カソード電極409が形成される。カソード電極409は、例えばITOやIZOなどの透明電極で形成される。また、カソード電極409は画素PXの幾つか、或いはマトリクス状に配置された画素PXの全部に、跨って形成されてもよい。なお、有機層408は、例えばアノード電極405側から順にホール輸送層、発光層、電子輸送層を積層して形成されるが、周知であるので、詳細な説明については省略する。
カソード電極409上には、封止層410を設け、当該封止層410の上方に封止部材412を設けられる。そして、当該封止層410と封止部材412との間には樹脂材料等から構成される充填材411が封入される。
図6は、図5に示した断面の平面図を模式的に示す図である。なお、上記図4は、図6のIV−IV断面の概要を示す。図6に示すように、図4下側からみて、金属層403、アノード電極405、RIB層407の順に積層される。図6において、主に、601は、金属層403が形成された範囲を表し、602はアノード電極405が形成された範囲を表す。603は、主にRIB層407によって規定される発光領域を表す。主に、604は、ソース電極27が形成された範囲を表し、605は、ITO406が形成された範囲を表す。主に、606は、平坦層402によって規定されたスルーホールを表し、607は、絶縁層404によって規定されたスルーホールを表す。
次に、本実施の形態における有機EL表示装置の動作について説明する。カソード電極409とアノード電極405との間に電圧を印加すると、アノード電極405から有機層408のホール輸送層にホールが注入される。また、カソード電極409側から有機層408の電子輸送層に電子が注入される。注入された電子とホールは、それぞれ有機層408の発光層に到達し、電子とホールの再結合が生じて、所定の波長の光を生じる。発光層で生じた光の一部はカソード側に放出され、観察者に視認される。また、発光層で生じた光のうちアノード電極405側に放出された光は、金属層403の表面で反射されてカソード側に向かう。なお、アノード電極405側に放出された光は、アノード電極405の表面で部分的に反射されてカソード電極409側に向かう。カソード電極409側から入射した外光についても同様である。
次に、本実施の形態における有機EL表示装置の製造方法の概要について説明する。TFT等が形成されたTFT層401上に平坦層402を形成する。次に、当該平坦層402上であって、画素領域に対応する領域に金属層403を形成する。ここで、当該金属層403は、図6に示すように発光領域より面積が広い。次に、当該金属層403上に絶縁層404を形成する。次に、当該絶縁層404上にアノード電極405を形成する。次に、当該アノード電極405にRIB層407を形成する。その後、上記のようにRIB層407に発行領域を規定するためのスルーホールの形成や有機層408層の形成過程等を経て、有機EL表示装置1を実現する。なお、TFT層401の形成やRIB層407上の有機層408等の形成等については、周知であるので、説明を省略する。
本実施の形態によれば、例えば金属層403における表面(本実施の形態においてはAl層の表面)を反射層として用いることができ、例えば、アノード電極405にAg等を含む反射層を形成する場合と比較して、Agの形成や加工が不要となる。これにより、有機EL表示装置1の製造工程における工程数を削減できる。また、Agを含むアノード電極405を形成する場合と比べて、アノード電極405にAgを含めないで形成することができることから、アノード電極405の加工精度を高めることができ、より高精細な画像表示を行うことが可能となる。また、Agと比べて本実施の形態で用いられるAl等の反射率は低いが、反射層としてAgの表面を用いた場合と比較して、上記のようにアノード電極405の加工精度を高めることができる。これにより、反射層にAgを用いないことによる反射率の低下を補うことができる。更に、アノード電極405にAg層等を設けることが不要となることから、より薄くかつ低コストな有機EL表示装置1を実現することができる。
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。なお、特許請求の範囲における第1の電極層は、例えば、上記アノード電極405に相当し、第2の電極層は、カソード電極409に相当する。
1 有機EL表示装置、2 上フレーム、3 下フレーム、10 有機ELパネル、11 表示領域、12 データ駆動回路、13 走査駆動回路、14 走査線、15 データ線、16 電位配線、17 第1の電位供給配線、18 第2の電位供給配線、20 ドライバトランジスタ、21 ドレイン電極層、22 ソース電極層、23 チャネル層、24 ゲート絶縁膜、25 ゲート電極層、26 ドレイン電極、27 ソース電極、30 スイッチトランジスタ、40 蓄積容量、50 付加容量、60 有機発光ダイオード、100 基板、110 第1の下地膜、120 第2の下地膜、401 TFT層、402 平坦層、403 金属層、404 絶縁層、405 アノード電極、406 ITO層、407 RIB層、408 有機層、409 カソード電極、410 封止層、411 充填材、412 封止部材。
Claims (7)
- 基板側から順に、
金属層と、
前記金属層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層上に形成された有機層と、
前記有機層上に形成された第2の電極層と、
を有し、
前記金属層は、前記第1の電極層及び前記第2の電極層の間に電圧を印加することにより前記有機層から生じる光を、該金属層の表面で反射する反射層として用いられる、
ことを特徴とする有機EL表示装置。 - 前記金属層は、更に、前記第2の電極層の補助配線として用いられることを特徴とする請求項1記載の有機EL表示装置。
- 前記金属層は、更に、前記第1の電極層とともに、前記絶縁層を挟んで付加容量を形成することを特徴とする請求項1または2記載の有機EL表示装置。
- 前記金属層は、Al層とMo層の積層構造から形成され、
前記有機層から生じる光は、前記Al層の表面で反射することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の有機EL表示装置。 - 前記金属層は、Al層とMo層とITO層の積層構造から形成され、
前記有機層から生じる光は、前記Al層の表面で反射することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の有機EL表示装置。 - 前記第1の電極層は、ITOで形成されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の有機EL表示装置。
- 基板側から順に、
金属層を形成し、
前記金属層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に第1の電極層を形成し、
前記第1の電極層上に有機層を形成し、
前記有機層上に第2の電極層を形成する、
ことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法であって、
前記金属層は、前記第1の電極層及び前記第2の電極層の間に電圧を印加することにより前記有機層から生じる光を、該金属層の表面で反射する反射層として用いられる、
ことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。
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