JP2010503166A - 有機発光デバイス用基板、基板の使用法およびを製造プロセス、ならびに有機発光デバイス - Google Patents

Abstract

本発明は、有機発光デバイス（１０）用の基板（１）、特に、第１の主要面（１１）に下部電極コーティング（３）を備える透明ガラス基板に関し、電極コーティング（３）は、連続した、少なくとも、金属酸化物および／または金属窒化物をベースとする接触層（３１）と、固有の導電特性を有する金属機能性層（３２）と、特に、上記電極コーティングの仕事関数に整合する金属酸化物および／または金属窒化物をベースとする上層（３４）と、を備える薄膜多層からなり、上記基板は基層（２）を含み、この基層（２）は上記主要面（１１）を覆う。

Description

本発明の主題は、多層電極、その酸エッチング、および多層電極を組み入れた有機発光デバイスである。

知られている有機発光システム、すなわちＯＬＥＤは、有機エレクトロルミネッセンス材料、または一般にその側方に位置する２つの導電層の形の電極によって給電される有機エレクトロルミネッセンス材料の多層コーティングを備える。

これらの導電層は、通常、酸化インジウム、略称ＩＴＯとしてより広く知られる一般にスズをドープした酸化インジウムをベースとした層を備える。ＩＴＯ層は特に綿密に検討されている。ＩＴＯ層は、酸化物ターゲット（非反応性スッパタリング）を用いるか、あるいはインジウムとスズ（酸素型酸化剤の存在下での反応性スパッタリング）をベースとするターゲットを用いたマグネトロンスパッタリングによって容易に蒸着され得るものであり、その厚さはおよそ１００から１５０ｎｍである。しかし、このＩＴＯ層はいくつかの欠点を有する。第１に、導電率を改善するための材料と高温（３５０℃）蒸着プロセスは、コストの増大を生じる。層の厚さが１５０ｎｍを超えて増加されない限り、シート抵抗は比較的高く（ほぼ１０Ω／□程度）保たれ、このことが透明度の低下と表面粗さの増加をもたらすことになる。

したがって、新たな電極構造が開発されつつある。例えば、特開２００５−０３８６４２号公報は、アクティブマトリクスを形成するために、赤色光、緑色光、および青色光をそれぞれ発生する上面発光型エレクトロルミネッセンスシステムを備えるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）駆動の発光フラットスクリーンを教示している。

各有機発光デバイスには、いわゆる、下記を備える後部または下部の電極が備えられる：
− 例えば、ＩＴＯで作られた接着層、
− 厚さが少なくとも５０ｎｍの、特に、銀またはアルミニウムをベースとする、あるいは、アルミニウムを含有する銀で作られた（半）反射性金属層、
− 例えば、ＩＴＯで作られた、仕事関数に整合する上層。

本発明の目的は、導電層の導電特性または導電層の光学的品質、あるいは導電層を組み入れたデバイスの性能を犠牲にせずに、そしてまた製造上の難しさを生じることなく、堅固で（特に、安定性ならびに／または機械抵抗および耐熱性に関して）信頼性の高い電極を形成するために導電層のアセンブリを得ることができるようにすることである。

本発明の目的は、導電層の導電特性、導電層の光学的品質、あるいはＯＬＥＤの光学的性能を犠牲にせずに、そしてまた製造上の難しさを生じることなく、特に、信頼性の高い堅固なエレクトロルミネッセンスシステムの下部電極を形成する導電層のアセンブリを得ることができるようにすることである。

「下部電極」という用語は、本発明に関連する範囲内でキャリア基板とＯＬＥＤシステムとの間に挿入される電極を意味するものと理解されるべきである。

さらに、上記の目的は、本発明に関する有機発光システムの知られている構成を乱さずに最低限のコストで実現されるべきである。

このためには、基本的に透明であるか、あるいは透明でかつ反射性があるか、あるいは基本的に反射性がある電極の開発を必要とし、この電極は、アクティブマトリクスおよびパッシブマトリクスＯＬＥＤ画面を形成するＯＥＬＤ、あるいはビデオ画面バックライティングデバイスまたは一般的な（建築および／または装飾）照明アプリケーション、または表示アプリケーション、または、さらに他の電子的なアプリケーションで使用されるデバイスを形成するＯＬＥＤに同様によく適合する。

この新規な電極膜は、特に、フェイスプレート、すなわち、ＯＬＥＤシステムによって生成される光がデバイスを経由してこれを離れる面として使用するのに適した光学的特性を有する可能性がある。特に、この新規な電極膜は、最低限の吸収率と相まって十分な光透過率を有する可能性がある。この理由は、この電極膜がＯＬＥＤデバイスの出口において最大光パワーを得るために最大限の光透過率を有することを目標とすることが不要と思われるのに対して、フェイスプレートの場合は最低限の吸収率を有する必要があることである。

したがって、本発明は、有機発光デバイスを製造するプロセスに適合しており、特に、ＯＬＥＤシステムが蒸着される前にエッチングによって下部電極を形成するステップに適合している薄膜多層コーティングを選択することにある。

本発明の目的は、有機発光デバイス用の下部電極膜の製造に適した新規な解決策を提案することによって先行技術の欠点を是正することである。

このために、本発明の主題は、請求項１に記載の基板、基板の使用法であって、特に、請求項２２に記載のこの基板の使用法、この基板を備えるかまたは請求項２４に記載のこの基板を用いた有機発光デバイス、および請求項２９に記載のこの基板の製造プロセスである。

上記請求項に従属する請求項は、本発明の有利な代案を規定するものである。

したがって、本発明の１つの主題は、最も広い意味で、有機発光デバイス用の基板であって、特に、透明ガラス基板であり、第１の主要面上に下部電極膜を含み、下部電極膜は少なくとも：
− 金属酸化物および／または金属窒化物をベースとする接触層と、
− 固有の導電特性を有する金属機能性層と、
− 特に、上記電極膜の仕事関数に整合する、金属酸化物および／または金属窒化物をベースとする上層と、
を連続的に備える薄膜多層コーティングから形成され、基板は基層を含み、この基層は基板の上記主要面を覆う。

本発明による基層は、２つの効果を有する。すなわち、基層は基板に由来する可能性のあるアルカリ金属に対するバリアとＯＬＥＤシステムの微小空洞にとって不可欠な反射防止層との両方を形成する。

したがって、本発明による電極膜は、特に、銀（すなわち、銀で作られるかまたは主に銀を含有する金属合金で作られる）をベースとする少なくとも１つの金属機能性層を備える薄膜多層コーティングと、基板とこの金属機能性層の間に置かれた少なくとも１つの下部反射防止膜とからなり、この反射防止膜は少なくとも１つの反射防止誘電体層、すなわち、基層を備える。

「膜」という用語は、本発明に関連する範囲内で単一の材料で作られる１つの層、または各々が異なる材料で作られる複数の層があってもよいことを意味するものと理解されるべきである。

基板に面し基板と接触する金属機能性層の真下にあるこの反射防止膜の目的は、わずかに波長選択性があり、わずかに視角に依存するＯＬＥＤシステムによって光を放出させることである。

これは、この反射防止膜がない場合に、一方では、ＯＬＥＤから放出される光が放射波長、すなわち、ＯＬＥＤシステムの非常に狭い範囲の放射波長に非常に集中し、他方では、この光の色とパワーが視角によって大きく変化するからである。

この種の薄膜多層コーティングは、「低放射率、すわわち、低Ｅ」および／または「太陽光調整」タイプの断熱強化グレージングを生産する建築用または自動車用ガラスの分野で知られている。

したがって、本発明者らは、低Ｅグレージングに使用される一定の多層コーティングは、特に有機発光デバイスの基層と電極膜、特に、これらデバイスのフェイスプレート用の基層と電極膜の生成に使用され得ることに注目した。

「強化可能な」多層コーティング、または「強化すべき」コーティングとして知られる多層コーティングは、言わば、多層コーティングを備える基板に強化熱処理を施したいときに使用されるものとして特に適している。これは、有機発光デバイス用の基板がこのデバイスに実装される場合に熱処理を受けていないか、あるいは、ガラス基板上で強化処理を行なうためにいずれの場合も十分な急冷を伴う十分に高温な熱処理を受けていないのでなおさら意外である。

したがって、本発明の主題は、有機発光デバイス用の本発明による基板を生成するために、さらに、建築グレージング用に薄膜多層コーティングを使用すること、あるいは建築グレージング用の薄膜多層コーティングが施された基板、特に、低Ｅ多層コーティングまたは被覆基板および／または、特に、「強化可能な」多層コーティングまたは被覆基板または「強化すべき」基板を使用することである。

「強化可能な」多層コーティングまたは基板という用語は、本発明に関連する範囲内で基本的な光学的特性および温度特性（放射率に直接関係する単位面積当たりの抵抗によって表わされる）が熱処理中に維持されることを意味するものと理解されるべきである。

したがって、両方とも同じ多層コーティングが被覆されていて、反射光の色および／または光反射／透過を目視観測しただけでは互いに区別できない強化基板と非強化基板を組み込んだ、例えば、同一の建物のファサードにグレージングパネルを互いに近づけて置くことが可能である。

例えば、熱処理直後に以下の変化を有する多層コーティングまたは多層コーティングが被覆された基板は、これらの変化が目に見えないので強化するべきであると判断されることになる：
− ３％未満、またはさらに２％未満の光透過率の小さな変化ΔＴ_Ｌ、および／または、
− ３％未満、またはさらに２％未満の光反射率の小さな変化ΔＲ_Ｌ、および／または、
− ３未満、または２未満の色の小さな変化

「強化すべき」多層コーティングまたは基板は、本発明の範囲内で、被覆基板の光学的特性および温度特性が熱処理後に受け入れられるが、以前には受け入れられなかったか、あるいは、いかなる場合も全く受け入れられなかったことを意味するものと理解されるべきである。

例えば、熱処理後に以下の特性を有する多層コーティングまたは多層コーティングが被覆された基板は、本発明に関連する範囲内で「強化すべき」であると判断されることになるが、熱処理前には以下の特性の少なくとも１つが満たされなかった場合である：
− 少なくとも５０％、あるいはさらに少なくとも６０％または６５％、あるいはさらに７０％、あるいはさらに少なくとも７５％、およびさらに好ましくは少なくとも８０％の高い光透過率Ｔ_Ｌ、ならびに／あるいは
− 通常の厚さを有するＩＴＯの単位面積当たりの抵抗と少なくとも同じ単位面積当たりの抵抗Ｒ_□、特に２０Ω／□、あるいはさらに１５Ω／□未満。

重要な点は、フェイスプレートに使用される電極膜が、ＯＬＥＤシステムの蒸着前に少なくとも５０％、好ましくは６０から７０％の光透過率を有するように十分に透明である一方で、ＯＬＥＤシステムの蒸着前に１５％以下、あるいはさらに１０％以下、あるいはさらに８％以下、あるいはさらに５％以下の１−Ｒ_Ｌ−Ｔ_Ｌとであるとして定義される吸収率を有するような非常に低い吸収度を有することである。

７０％より大きい光透過率の値を得ようとすると金属機能性層がＯＬＥＤシステムから離れすぎることによって金属機能性層とＯＬＥＤシステム（上層および場合によっては他の層）との間にある薄膜コーティングの厚さがＯＬＥＤの性能を損ないがちなあまりにも大きい厚さを有することになる場合には、このような光透過率を避ける必要がある。

基層は以下をベースとしてもよい：
− 酸化ケイ素（一般化学式ＳｉＯの）、
− 酸炭化ケイ素（一般化学式ＳｉＯＣの）、
− 窒化ケイ素（一般化学式ＳｉＮの）、特にＳｉ_３Ｎ_４、
− 酸窒化ケイ素（一般化学式ＳｉＯＮの）、
− 酸炭窒化ケイ素（一般化学式ＳｉＯＮＣの）。

基層をわずかに半化学量論的に窒化することは可能である。

好ましくは、基層は１０から１５０ｎｍの厚さを有し、さらに好ましくは２０から１００ｎｍの厚さを有する。

基層は、本発明による電極に多くの優位性を与える。第１に、基層は電極の下方のアルカリ金属に対するバリアである。基層は、上方にある接触層を汚染（汚染は層間剥離などの機械的欠陥を引き起こす可能性がある）から保護し、さらに、金属機能性層の導電率を維持する。また、基層は、ＯＬＥＤデバイスの有機的構造のアルカリ金属による汚染を抑制するが、結果的に、ＯＬＥＤの寿命を著しく短縮する。

アルカリ金属の移動は、デバイスの製造中に起こり、信頼性の欠如、または以後における寿命の短縮、あるいはこれら両方をもたらす可能性がある。

基層は、１層または複数層が基層と接触層との間に介在する場合でも、多層コーティング全体の粗さをそれほど増加させることなく接触層の固着性を改善する。

当然ながら、本発明は、特に、透明または超透明なソーダ石灰石英ガラスなど、アルカリ金属を放出しがちなキャリア基板のできる限り近くにある電極にとって特に有益である。

さらに、この特別な多層コーティング構造体は、信頼性の高い電極を得ることを可能にして生産性の著しい向上を実現することができる。

さらに、低コストで得られるものは、表面特性と有機発光システムの適合性を示すと同時に、必要に応じて、特に、金属層またはその他の層の厚さおよび／または蒸着条件を変えることによって調整され得る導電率および／または透明度あるいは反射率をさらに有する電極である。

ＯＬＥＤデバイスの所与の有機的構造体では、本発明の電極はＯＬＥＤのｌｍ／Ｗの効率を、通常の厚さのＩＴＯ電極と比較して５００ｃｄ／ｍ^２を超える輝度に対して５から１０％、最大１５％、あるいはさらに２０％改善することができる。

電極膜は、好ましくは、基層と接触層、特に、酸化スズをベースとする層との間にエッチング停止層を含んでもよく、このエッチング停止層は特に１０から１００ｎｍの厚さ、さらに好ましくは２０から６０ｎｍの厚さを有する。

特に、簡素化するために、エッチング停止層は、基層の一部を形成しても基層であってもよく、好ましくは、エッチング停止層は窒化ケイ素をベースとしてもよく、酸化ケイ素をベースとし、あるいは酸窒化ケイ素をベースとし、あるいは酸炭化ケイ素をベースとし、あるいはさらには酸炭窒化ケイ素をベースとして、エッチング耐性、一般的な化学式ＳｎＳｉＯＣＮの層によって補強するスズを有する層であってもよい。

エッチング停止層は、化学エッチングまたは反応性プラズマエッチングの場合に基板を保護する働きをする。

エッチング停止層のおかげで、基層はパターン化区域にも依然として存在する。したがって、パターン化区域の基板と隣接電極部（または、さらに有機構造体）の間のエッジ効果によるアルカリ金属の移動は停止されることがある。

最も特に好ましいのは、ドープされたあるいは非ドープの窒化ケイ素Ｓｉ_３Ｎ_４で（基本的に）作られた基層／エッチング停止層である。窒化ケイ素は、きわめて迅速に蒸着されて優れたアルカリ金属バリアを形成する。さらに、キャリア基板と比較して高い光学的指標のおかげで、窒化ケイ素は、好ましくはこの基層／エッチング停止層の厚さを変えることによって、電極の光学的特性を適合させることができる。したがって、こうして、キャリア基板からの対面がミラーであるときに電極が透明であるかまたは反射しているとき、例えば、透過光の色を調整することが可能である。

好ましくは、機能性層は、銀、金、アルミニウム、および銅から選択された純粋な材料をベースとし、あるいは、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｏ、およびＳｎから選択された別の材料と合金化またはその材料でドープした上記材料をベースとし、特に、金／銀合金または金／銅合金をベースとする。

電極膜を形成する薄膜コーティングは、好ましくは、機能性単層膜、すなわち、単一の機能性層である。ただし、この薄膜コーティングは、複数の機能性層、および、特に、２つの機能性層を備えるコーティングであってもよい。

複数の機能性層を備える電極膜を生成するために、基層と場合によってはエッチング停止層にｎ回蒸着され、ここでｎは１に等しいかまたは１より大きい整数であり、エッチング停止層は接触層と金属機能性層からなる構造体であり、この構造体は少なくとも接触層／金属機能性層／上層からなる連続した層が順番に重ねられる。

本発明による電極は、大きい面積、例えば、０．０２ｍ^２以上の面積、あるいはさらに０．５ｍ^２以上の面積、あるいは１ｍ^２以上の面積を有してもよい。

有利には、本発明による電極は以下を有してもよい：
− 好ましくは以下の光学的特性を併せ持つ、６ｎｍ以上の機能性層の厚さに対する１０Ω／□以下、好ましくは、１０ｎｍ以上の機能性層の厚さに対する５Ω／□以下の単位面積当たりの抵抗：
− ５０％以上、および好ましくは６０％から７０％、または光透過率がＯＬＥＤの発光性能を損なわない場合はさらに高い光透過率Ｔ_Ｌ、
− 透明電極としての使用を特に満足なものとする、１５％以下、または１０％以下、またはさらに好ましくは８％以下、またはさらに５％の吸収率、
− 反射電極としての使用を特に満足なものとする、好ましくは、７０％以上、さらに好ましくは８０％の光透過率Ｒ_Ｌを併せ持つことが好ましい、５０ｎｍ以上の機能性層の厚さに対する１Ω／□以下、好ましくは０．６Ω／□以下の単位面積当たりの抵抗、
− 透明／反射電極としての使用を特に満足なものとする、好ましくは、０．１から０．７のＴ_Ｌ／Ｒ_Ｌ比を合わせ持ち、２０ｎｍ以上の機能性層の厚さに対する３Ω／□以下、好ましくは１．８Ω／□以下の単位面積当たりの抵抗。

選択される銀ベースの金属機能性層（または、これらの層の全て）の厚さは、電極の場合、３から２０ｎｍ（全体で）、好ましくは、５から１５ｎｍであってもよい。この厚さ範囲では、電極は十分に透明である可能性があり、前のパラグラフで述べたように、銀ベースの（または、各銀ベースの）金属機能性層の下に反射防止膜があるおかげで、特に満足な透明電極を生成され得る。

しかし、特に、有機発光システムが反射または上面発光によって動作する場合、選択された銀ベースの金属機能性層（または、全てのこれらの層）に著しく大きい厚さを持たせることは得策でない。電極に関してこの場合に選択された銀ベースの金属機能性層（または、全てのこれらの層）の厚さは、前述のように、特に満足な反射電極が生成され得るように、５０から１５０ｎｍ（全体で）、好ましくは８０から１００ｎｍであってもよい。

電極に関して選択された銀ベースの機能性層（または、全てのこれらの層）の厚さは、前述のように、特に満足な透明／反射電極が生成され得るように、電極を透過と反射の両方で動作させるためにさらに２０から５０ｎｍ（全体で）であってもよい。

金属（または、各金属）、特に、銀ベースの機能性層は、好ましくは結晶である薄い誘電体層の表面にやはり結晶形態で蒸着されることが好ましい。したがって、接触層は、上方に蒸着される金属層の適切な結晶配向を促進する。

したがって、機能性層は、好ましくは上方に蒸着され、さらに酸化物ベースの接触層、特に酸化亜鉛をベースとする１つの層に直接的に蒸着され、場合によってはドープされ、場合によってはアルミニウムがドープされる（「ドープされる」という表現は、通常、層の中で金属元素が１０重量％未満の量で元素の存在にさらされていることを意味するものと理解され、「ベースとする」という表現は、通常、その材料を主に含有する、すなわち、その材料の少なくとも５０重量％を含有する層を意味するものと理解され、したがって、「ベースとする」という表現はドーピングを網羅している）。

接触層の幾何学的（実際の）厚さは、好ましくは３から３０ｎｍであり、さらに好ましくは４から２０ｎｍである。

金属機能性層の真下の反射防止膜における接触層の影響は、場合によっては無視されてもよく、特に、この層の指標が基板の指標に近くかつ／またはこの層が小さい厚さを有し典型的にこれが１０ｎｍ未満であるときは無視されてもよい。

接触層は、金属窒化物をベースとしてもよく、この場合、特に基層が窒化ケイ素をベースとするときは基層と一致してもよい。

好ましくは、接触層は、以下の金属酸化物の少なくとも１つをベースとし、この金属酸化物は酸化クロム、酸化インジウム、場合によっては半化学量論的な酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、酸化スズ、酸化タンタル、および酸化ケイ素が場合によってはドープされる（単純化のため、ここではケイ素は金属と見なされる）。

典型的に、金属酸化物は、０．５から５％でドープされてもよい。特に、金属酸化物は、蒸着プロセスの安定性を良くするために、Ａｌドープの酸化亜鉛（ＡＺＯ）、Ｇａドープの酸化亜鉛（ＧＺＯ）、またはさらにＢドープ、Ｓｃドープ、またはＳｂドープの酸化亜鉛であってもよく、あるいはさらにＦドープまたはＳドープの酸化スズであってもよい。

接触層は、混合酸化物、特に、非晶相としての一般的な非化学量論的な亜鉛スズ混合酸化物Ｓｎ_ｘＺｎ_ｙＯ_ｚをベースとしてもよく、あるいはインジウムスズ混合酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛混合酸化物（ＩＺＯ）をベースとしてもよい。

好ましくは１よりも小さく、さらに好ましくは０．８８から０．９８であり、特に０．９０から０．９５であるｘを有する酸化亜鉛ＺｎＯ_ｘの層が好ましい。この層は、純粋な層、あるいはＡｌまたはＧａがドープされた層であってもよい。

スタックは、一般に、スパッタリング、場合によってはマグネトロンスパッタリングなどの真空技術によって行なわれる一連の蒸着工程によって得られる。また、特に、銀をベースとする各金属機能性層の各面の真下または表面に蒸着される「遮断膜」と呼ばれる１つまたは２つの非常に薄い膜、接合膜、核形成膜、および／または保護膜として基板の方向の機能性層の下方にある膜、および金属機能性層を重ねる層から腐食および／または酸素の移動による、あるいはさらに金属機能性層を重ねる層が酸素の存在下でスパッタリングによって蒸着される場合に酸素の移動による金属機能性層の損傷を防止するために保護膜または「犠牲」膜として機能性層の上方にある膜を提供することが可能である。

したがって、金属機能性層は、少なくとも１つの下方にある遮断膜の真上および／または少なくとも１つの上方にある遮断膜の真下に置かれてもよく、各膜は好ましくは０．５から５ｎｍの厚さを有する。

本発明のもとで層または膜（１つまたは複数の層を備える）の被着物が別の被着物の真下または表面に形成されるよう指定されるとき、これら２つの被着物間にいかなる層の介在もあってはならない。

少なくとも１つの遮断膜は、金属Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗの少なくとも１つをベースとする、あるいは上記材料の少なくとも１つの合金をベースとする金属、金属窒化物、および／または金属酸化物の層を備えることが好ましい。

例えば、遮断膜は、ニオブ、タンタル、チタン、クロム、またはニッケルをベースとする層、あるいはニッケルクロム合金などの上記金属の少なくとも２つから形成される合金をベースとする層からなってもよい。

薄い遮断層は、保護層またはさらに「犠牲」層を形成し、この層は特に以下の構成の１つまたは複数において金属機能性層の金属の損傷を防止する：
− 機能性層を重ねる層は、反応性（酸素、窒素など）プラズマを用いて蒸着される場合、例えば、機能性層を重ねる酸化物層がスパッタリングによって蒸着される場合、
− 機能性層を重ねる層の組成物が製造中に変化しがちである場合（ターゲット消耗タイプの蒸着条件の変動など）、特に、酸化物および／および窒化物タイプの層が化学量論的に変化する場合、したがって、機能性層の性質、ひいては電極の特性（表面抵抗、光透過率など）を変更する場合、
− 電極コーティングが蒸着後に熱処理を受ける場合。

この保護層または犠牲層は、電極の電気的および光学的特性の再現性を著しく改善する。これは、電極の特性にごくわずかなばらつきしか容認されない業界の取り組みにとって非常に重要である。

ニオブＮｂ、タンタルＴａ、チタンＴｉ、クロムＣｒ、およびニッケルＮｉから選択される金属をベースとする薄い遮断層、あるいはこれらの金属の少なくとも２つから形成される合金、特に、ニオブ／タンタル（Ｎｂ／Ｔａ）合金、ニオブ／クロム（Ｎｉ／Ｃｒ）合金、またはタンタル／クロム（Ｔａ／Ｃｒ）合金、またはニッケル／クロム（Ｎｉ／Ｃｒ）合金をベースとする薄い遮断層は、特に好ましい。少なくとも１つの金属をベースとするこの種の層は、特に強力なゲッタリング効果を有する。

薄い金属遮断層は機能性層を損傷せずに容易に製造され得る。この金属層は、希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ、Ａｒ、Ｋｒ）からなる不活性雰囲気（すなわち、酸素または窒素が意図的に導入されていない雰囲気）において蒸着されることが好ましい。金属酸化物をベースとする層を後で蒸着する際にこの金属層の表面が酸化することは考慮されなくもないが、問題にもならない。

また、このような薄い金属遮断層は、優れた機械的挙動（特に、耐摩耗性および引っ掻き抵抗性）を示す。このことは、熱処理を受け、したがって、この処理中に酸素または窒素が実質的に拡散する多層コーティングに特に当てはまる。

ただし、金属遮断層を使用する場合、透明電極に対して十分な光透過率を維持するために、金属層の厚さ、したがって、光吸収率を制限する必要がある。

薄い遮断層は部分的に酸化されてもよい。この層は、非金属の形態で蒸着され、したがって、化学量論的な形態で蒸着されずにＭＯ_ｘ型の半化学量論的な形態で蒸着され、ここで、Ｍは金属を表わし、ｘは金属の酸化物の化学量論的な数よりも小さい数（ｎｕｍｂｅｒ ｂｏｔｔｏｍ）であり、あるいは２つの金属ＭおよびＮ（または、２つよりも多くの）の酸化物の場合はＭＮＯ_ｘ型の半化学量論的な形態で蒸着される。例えば、ＴｉＯ_ｘおよびＮｉＣｒＯ_ｘを挙げてもよい。

好ましくは、ｘは、酸化物の化学量論的な正常数の０．７５から０．９９倍である。一酸化物の場合、ｘは、０．５から０．９８となるように特に選択されてもよく、二酸化物の場合、１．５から１．９８であってもよい。

１つの具体的な変形例において、薄い遮断層は、ＴｉＯ_ｘをベースとし、ここで、ｘは特に１．５≦ｘ≦１．９８、または１．５＜ｘ＜１．７、またはさらに１．７≦ｘ≦１．９５であってもよい。

薄い遮断層は部分的に窒化されてもよい。したがって、薄い窒化層は、化学量論的な形態で蒸着されずにＭＮ_ｙ型の半化学量論的な形態で蒸着され、ここで、Ｍは金属を表わし、ｙは金属の窒化物の化学量論的な数よりも小さい数である。ｙは窒化物の化学量論的な正常数の０．７５倍から０．９９倍であることが好ましい。

同様に、薄い遮断層は部分的に酸窒化されてもよい。

この薄い酸化および／または窒化された遮断層は、機能化層を損傷せずに容易に製造され得る。この遮断層は、好ましくは希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ、Ａｒ、またはＫｒ）からなる非酸化雰囲気においてセラミックターゲットを用いて蒸着されることが好ましい。

薄い遮断層は、電極の電気的および光学的な特性の再現性をさらに高めるために半化学量論的な窒化物および／または酸化物で作られることが好ましい。

選択される薄い半化学量論的な酸化物および／または窒化物の遮断層は、金属Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗの少なくとも１つから選択される金属、またはこれらの金属の少なくとも１つをベースとする半化学量論的な合金の酸化物をベースとすることが好ましい。

特に好ましいのは、ニオブＮｂ、タンタルＴａ、チタンＴｉ、クロムＣｒ、またはニッケルＮｉから選択される金属の酸化物または酸窒化物、あるいはこれらの金属の少なくとも２つから形成される合金、特に、ニオブ／タンタル（Ｎｂ／Ｔａ）合金、ニオブ／クロム（Ｎｂ／Ｃｒ）合金、タンタル／クロム（Ｔａ／Ｃｒ）合金、またはニッケル／クロム（Ｎｉ／Ｃｒ）合金をベースとする層である。

半化学量論的な金属窒化物として、窒化ケイ素ＳｉＮ_ｘ、または窒化アルミニウムＡｌＮ_ｘ、または窒化クロムＣｒＮ_ｘ、または窒化チタンＴｉＮ_ｘ、またはＮｉＣｒＮ_ｘなどの複数金属の窒化物で作られる層を選択することも可能である。

薄い遮断層は、酸化勾配、例えば、ｘｉが変化するＭ（Ｎ）Ｏ_ｘｉを有してもよく、機能性層と接触する遮断層の当該部分が、特別な蒸着雰囲気を用いて、機能性層から最も離れた遮断層の当該部分よりも酸化が少なくされている。

また、遮断層は、多層であってもよく、特に以下を備える：
− 一方で、上記機能性層と直接的に接触している「界面」層であって、上記のような非化学量論的な金属酸化物、金属窒化物、または金属酸窒化物をベースとする材料で作られる界面層、
− 他方で、上記のような金属材料で作られる少なくとも１つの層であって、上記の「界面」層と直接的に接触している層。

界面層は、場合によっては隣接金属層に存在する１つまたは複数の金属の酸化物、窒化物、または酸窒化物であってもよい。

本発明による電極膜の上層は、場合によってはドープされた金属酸化物の酸化クロム、酸化インジウム、場合によっては半化学量論的な酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、酸化スズ、酸化タンタル、および酸化ケイ素の少なくとも１つをベースとすることが好ましく、この上層は３から５０ｎｍの厚さを有することが好ましい。

この上層は、例えば、Ｆ、Ｓｂがドープされた酸化スズ、またはアルミニウムがドープされた酸化亜鉛であってもよく、あるいは場合によっては混合酸化物、特に、インジウムスズ混合酸化物、インジウム亜鉛混合酸化物、または亜鉛スズ混合酸化物をベースとしてもよい。

基層および電極膜で被覆された本発明による基板は、上層のピークバレー間隔が１０ｎｍ以下になるような小さい粗さを有することが好ましい。

基層および電極膜で被覆される本発明による基板は、特にＯＬＥＤの寿命と信頼性を大幅に低下させることになるスパイク欠陥を回避するために、上層で、３ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ以下、さらに好ましくは１．５ｎｍ以下、または１ｎｍ以下のＲＭＳ粗さを有することが好ましい。

ＲＭＳ粗さは、二乗平均平方根粗さを意味する。これは粗さのＲＭＳ偏差の尺度である。したがって、このＲＭＳ粗さは、粗さのピークとトラフとの高さを平均高さと比較した平均的な数値で明確に表わす。このため、２ｎｍのＲＭＳ粗さは、２倍のピーク平均振幅を意味する。

ＲＭＳ粗さは、例えば、原子力間顕微鏡法、機械的スタイラスシステム（例えば、ＶＥＥＣＯ社がＤＥＫＴＡＫという名で販売している計測装置を用いた）、および光干渉法など、様々な方法で測定されてもよい。測定は、一般に、原子力間顕微鏡法では１μｍ^２の面積にわたって行なわれ、機械的スタイラスシステムではおよそ５０μｍ×２ｍｍの比較的大きい面積にわたって行なわれる。

この小さい粗さは、特に、基板が基層と接触層の間に混合酸化物で作られた非晶質の平滑層を備えるときに実現され、この平滑層は上記接触層の真下に置かれており接触層の材料とは異なる材料で作られている。

好ましくは、平滑層は、金属Ｓｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｚｎ、Ｇａ、およびＩｎの１つまたは複数の酸化物をベースとする混合酸化物層であり、特に、場合によってはドープされる亜鉛およびスズをベースとする混合酸化物層、またはインジウムスズ混合酸化物（ＩＴＯ）層、またはインジウム亜鉛混合酸化物（ＩＺＯ）層である。

好ましくは、平滑層は、０．１から３０ｎｍ、さらに好ましくは０．２から１０ｎｍの幾何学的厚さを有する。

ただし、基板は、好ましくは下部電極膜の上方に下部バス電極構造体を含み、このバス電極構造体は上記電極膜と電気的に接触している。

下部バス電極構造体は、エッチングの前に電流供給層の形をとる。好ましくは、下部バス電極構造体は、０．５から１０μｍの厚さを有し、好ましくは、金属Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｄ、またはＭｏＣｒ、ＡｌＮｄなどの合金の１つの単層の形、またはＭｏＣｒ／Ａｌ／ＭｏＣｒなどの多層の形をとる。

ＯＬＥＤデバイスの生産では、基板は、基板の第１の主要面から始めて：
− 下部電極膜の上方にあるＯＬＥＤシステムと、
− 上記ＯＬＥＤシステムの上方にある上部電極膜と、
− 上記上部電極膜と電気的に接触している、上部電極膜の上方にある上部バス電極構造と、
をこの順序で備える。

具体的な一実施形態において、基層と下部電極膜とによって形成されるアセンブリは、建築グレージング用の多層コーティング、特に、「強化可能な」多層コーティングまたは 「強化すべき」多層コーティングおよび／または、特に、低Ｅ多層コーティング、特に以下のタイプの多層コーティングからなる：
− 金属酸化物および／または金属窒化物をベースとする基層および／または金属窒化物／（エッチング停止層）／（平滑層）／酸化物接触層／（アンダーブロッカー膜）／金属機能性層／（オーバーブロッカー膜）／金属酸化物および／または金属窒化物をベースとする上層、
− 基層、および金属窒化物をベースとする接触層／（アンダーブロッカー膜）／金属機能性層／（オーバーブロッカー膜）／金属窒化物をベースとする上層。

具体的な別の実施形態において、基層および下部電極膜で被覆された基板は、建築グレージング用基板、特に、「強化可能な」建築用グレージングまたは「強化すべき」建築用グレージング向けの基板からなり、これは薄膜多層コーティングおよび／または、特に、低Ｅ多層コーティングで被覆されており、上記基板は薄い層の蒸着後に強化されないことが好ましい。

追加の実施形態において、本発明による基板は、第２の主要面に、反射防止多層、防曇層または防汚層、紫外線フィルタ、特に、酸化チタン層、蛍光体層、ミラー層、および散乱光抽出区域から選択された機能性膜を含む。

平坦基板は、透明であってもよい（特に、基板を通る放射に関して）。平坦基板は、リジッド、フレキシブル、セミフレキシブルのいずれであってもよい。

平坦基板は、好ましくは、ガラス、特に、ソーダ石灰石英ガラスであってもよい。有利には、基板は、ＯＬＥＤ放射波長において、２．５ｍ^−１未満、好ましくは０．７ｍ^−１未満の吸収係数を有するガラスであってもよい。

例えば、Ｆｅ（ＩＩＩ）すなわちはＦｅ_２Ｏ_３が０．０５％未満のソーダ石灰石英ガラスとして、特に、Ｓａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ Ｇｌａｓｓ社製のガラスＤｉａｍａｎｔ、Ｐｉｌｋｉｎｇｔｏｎ社製のガラスＯｐｔｉｗｈｉｔｅ、またはＳｃｈｏｔｔ社製のガラスＢ２７０が選択される。国際公開第０４／０２５３３４号パンフレットに記載された全ての超透明ガラス組成物が選択されてもよい。

透明基板の厚さを通るＯＬＥＤシステムの放射に関して選択される構成において、放出された放射の一部は基板内で誘導される。

さらに、本発明の有利な設計において、選択されるガラス基板の厚さは、少なくとも１ｍｍ、例えば、好ましくは、少なくとも５ｍｍであってもよい。これによって、内部反射の回数が低減されて、ガラスの中で誘導される放射のより多くを抽出することが可能になり、発光区域の輝度が増す。

また、基板の端縁は、反射されて、誘導された放射を最適に再利用するために好ましくはミラーを有してもよく、または、より広い抽出領域にわたって放射の方向を変えるために、この端縁はＯＬＥＤシステムに関連する主要面と９０°を超えるが１３０°以下、好ましくはおよそ１００°の内角をなしてもよく、あるいはこの両方が行われてもよい。したがって、基板の端縁は傾けられてもよい。

特開２００５−０３８６４２号公報において電極を電気的に分離する場合、下部電極は様々な酸を含む様々なエッチング速度の複数のエッチングステップで構成される。したがって、最初に仕事関数に整合する層、ついで金属層、最後に接着層がエッチングされる。

本発明の１つの目的は、導電層の導電特性または導電層の光学的品質あるいは導電層を組み入れるデバイスの性能を犠牲にせずに、そしてまた、特に、ウェットエッチングに関して製造上の難しさを招くことなく、堅固で（特に、安定性ならびに／または耐熱性および機械抵抗に関して）信頼性の高い電極を形成するために導電層のアセンブリを得ることができるようにすることである。

したがって、本発明は、基板、特に、好ましくは窒化ケイ素、酸化ケイ素、または酸窒化ケイ素をベースとする基層を含むガラス基板に対する多層電極の酸エッチング用プロセスを提供する。

また、本発明は、本発明による基板を製造するプロセスに関し、このプロセスでは、少なくとも基層および電極膜が、好ましくは少なくとも部分的に、スパッタリングタイプ、場合によってはマグネトロンスパッタリングの真空技術によって基板に蒸着され、この後、少なくとも電極膜を１ステップでエッチングするために基板はエッチングを受ける。

電極膜の全ての層は、真空蒸着技術によって蒸着されることが好ましいが、第１の層または多層コーティングの層が別の技術、例えば、パイロリシスタイプの熱分解法によって蒸着され得ることを除外するものではない。

デバイスを製造するプロセスのもとで、電極膜が直ちに必要な電極構造体を有しない場合、電極膜は、電極構造体を生成する目的で、ＩＴＯベースの電極膜に関してその原理が周知であるステップなど、例えば、化学（好ましくは酸）スクリーン印刷ステップまたはレーザエッチングステップなどのエッチングステップを受ける。

本発明による電極膜は、特に、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）、あるいはさらに好ましくはウェットエッチング（大気圧で製造段階に容易に組み入れられ得るプロセス）によってエッチング可能であってもよい。

機能性層を含む、接触層から上層までの層の全ては、好ましくは同一のエッチングパターンで、かつ好ましくは１回のエッチング工程で、すなわち、基層そのものがエッチングされずにエッチングされる。エッチング停止層が存在する場合、この層はそのままであることが好ましいが、例えば、その初期の厚さの１／１０にわたってわずかにエッチングされてもよい。同じことが、エッチング停止層が存在しない場合の基層にも当てはまる。

さらに、ＯＬＥＤシステムの蒸着前に電極膜にバス電極を備えることが一般に好ましい。バス電極を形成する層は、電極膜と同時にエッチングされることが好ましい。

したがって、本発明は、基板、特に、ガラス基板上に多層電極を酸エッチングするプロセスを提供するものであり、ガラス基板は、酸エッチング停止層、好ましくは窒化ケイ素および／または酸化ケイ素をベースとする酸エッチング停止層を含み、このエッチングは純粋な硝酸ＨＮＯ_３、または塩酸ＨＣｌと硝酸の混合液、あるいは純粋な塩酸、または三塩化鉄ＦｅＣｌ_３を混合した塩酸、別名Ｆｅ（ＩＩＩ）塩化物から選択される１つの酸性溶液を用いて１ステップで実施される。

したがって、幅と間隔がアプリケーションに応じて変化するエッチングパターンがエッチングされてもよい。

エッチングは、好ましくは、金属Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、ＮｄまたはＭｏＣｒ、ＡｌＮｄ、などの合金の１つをベースとする単層の形態で、あるいはＭｏＣｒ／Ａｌ／ＭｏＣｒなどの多層をベースとして少なくとも１つの金属製電流供給ストリップの存在下で行なわれてもよい。

また、本発明は、上記のような下部電極、すなわち、キャリア基板に最も近い電極と上部電極との間に置かれた少なくとも１つの有機エレクトロルミネッセンス層を備える少なくとも１つのキャリア基板、特に、ガラス基板を備える有機発光デバイスに関する。

ＯＬＥＤデバイスは、単色光、特に、青色光および／または緑色光および／または赤色光を発生してもよく、あるいは白色光を発生するように適合されてもよい。

白色光を発生するために、単一層における化合物（赤色、緑色、青色の発光）の混合、３つの有機構造体（赤色、緑色、青色の発光）または２つの有機構造体（黄色と青色）の電極の表面のスタッキング、一連の３つの隣接する有機構造体（赤色、緑色、青色の発光）、電極の表面における単色の１つの有機構造体と他の表面における適切な蛍光体層、などのいくつもの方法が可能である。

ＯＬＥＤデバイスは、各々が白色を発光する複数の隣接する有機発光システムを備えてもよく、あるいは、赤色光、緑色光、および青色光を発生する一連の３つの有機発光システムが例えば直列に接続されてもよい。

デバイスは、複層グレージングユニット、特に、真空グレージングユニットまたは空気層やその他の気体層を有するグレージングユニットの一部を形成してもよい。デバイスは、より小型および／またはより軽量となるように、モノリシック構造であり、かつモノリシックグレージングユニットを備えてもよい。

ＯＬＥＤシステムは、積層中間層、特に、超透明中間層を用いたガラスなどの好ましくは透明の、カバーと呼ばれる、別の平坦基板に結合されてもよく、あるいはこの平坦基板とともに積層されることが好ましい。

積層グレージングユニットは、通常、間に熱可塑性高分子シートまたはこのようなシートが重ね合わせられて置かれた２つの硬質基板からなる。また、本発明は、ガラスタイプの特に硬質キャリア基板と、被覆基板としての１つまたは複数の保護高分子シートとを用いた、いわゆる「非対称」積層グレージングユニットを含む。

また、本発明は、エラストマータイプ（すなわち、通常の用語の意味での積層工程、すなわち、熱可塑性中間層シートを軟化させてこれを接着るために一般には加圧下での加熱を必要とする積層を必要としないタイプ）の片面または両面接着性高分子をベースとする少なくとも１つの中間層シートを有する積層グレージングユニットを含む。

この構成において、カバーをキャリア基板に取り付ける手段は、この場合、積層中間層、特に、熱可塑性の、例えば、ポリウレタン（ＰＵ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、またはエチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）、あるいは熱硬化性の単一成分または多成分樹脂（エポキシ、ＰＵ）または紫外線硬化性の単一成分または多成分樹脂（エポキシ、アクリル樹脂）などのシートであってもよい。好ましくは、シートはカバーおよび基板と（実質的に）同じ寸法を有する。

積層中間層は、特に、例えば、０．５ｍ^２を超える面積を有する大きいデバイスに対してカバーの屈曲を阻止する可能性がある。

ＥＶＡは、特に：
− ＥＶＡは容積比で表せるほどの（ｂｙ ｖｏｌｕｍｅ）水をほとんどまたは全く含まない、
− ＥＶＡはその処理に必ずしも高い圧力を必要としない、
などの、多くの利点をもたらす。

注型樹脂は実装が比較的容易でかつ経済的でもあり、おそらく比較的不浸透性であるので、熱可塑性積層には注型樹脂製のカバーが選択されてもよい。

中間層は、カバーの内側面で上部電極および／あるいは導電層または導電ストリップに向けて中間層の内側面に配置された導電線のアレイを場合によっては含む。

ＯＬＥＤシステムは、不活性ガス（例えば、アルゴン）などの気体の層を有する複層グレージングユニットの内側に置かれることが好ましい。

上部電極は、金属酸化物、特に、以下の材料から有利に選択される導電層であってもよい：
− ドープされた酸化亜鉛、特に、アルミニウムがドープされた酸化亜鉛ＺｎＯ：Ａｌまたはガリウムがドープされた酸化亜鉛ＺｎＯ：Ｇａ、
− または、ドープされた酸化インジウム、特に、スズがドープされた酸化インジウム（ＩＴＯ）または亜鉛がドープされた酸化インジウム（ＩＺＯ）。

さらに一般的に、任意のタイプの透明な導電層、例えば、２０から１０００ｎｍの厚さを有する、例えば、ＴＣＯ（透明導電性酸化物）層を使用することが可能である。

また、例えば、所望の光透過／反射に応じて、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ａｕで作られ典型的に５から１５０ｎｍの厚さを有するＴＣＣ（透明導電性コーティング）と呼ばれる薄い金属層を使用することも可能である。

電極は必ずしも連続的でない。上部電極は、複数の導電ストリップまたは導電線（メッシュ）を備えてもよい。

さらに、本発明に従って電極を担持する基板の対面に、あるいは追加基板に所与の機能性を有する膜を追加することが有利であるかもしれない。この膜は、防曇層（親水性層を用いた）または防汚層（アナターゼの形態で少なくとも部分的に結晶化した、ＴｉＯ_２を備える光触媒コーティング）、あるいは、例えば、Ｓｉ_３Ｎ_４／ＳｉＯ_２／Ｓｉ_３Ｎ_４／ＳｉＯ_２タイプの反射防止多層コーティング、あるいは、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ_２）などのＵＶフィルタであってもよい。また、この膜は、１つまたは複数の蛍光体層、ミラー層、または少なくとも１つの散乱光抽出区域であってもよい。

また、本発明は、これらのＯＬＥＤデバイスが供され得る様々なアプリケーションに関し、このデバイスは屋外と屋内の両アプリケーション用に設置されて、透明性および／または反射性（ミラー機能）のある１つまたは複数の発光面を形成する。

デバイスは、代替的にまたは組合せによって、照明、装飾、建築などのシステム、あるいは、例えば、図面、ロゴ、または英数字表示タイプの表示ディスプレイパネル、特に、非常口パネルを形成してもよい。

ＯＬＥＤデバイスは、特に、一様な照明用の均一な光を生成するように、あるいは、同じ強度または異なる強度の様々な発光区域を生成するように配置されてもよい。

反対に、分化照明（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｔｅｄ ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）が求められてもよい。有機発光システム（ＯＬＥＤ）は直射光区域を生成し、もう１つの発光区域は、ガラス製として選択される基板の厚さの中で全反射によって誘導されるＯＬＥＤ放射を抽出することによって得られる。

この他の発光区域を形成するために、抽出区域はＯＬＥＤシステムに隣接してもよく、基板と反対側にあってもよい。抽出区域は、例えば、特に、建築照明用あるいは発光パネル表示用の直射区域によって提供される照明を強くする働きをしてもよい。抽出区域は、１つまたは複数の、特に、均一な光の帯の形であることが好ましく、これらは面の１つの周囲に置かれることが好ましい。これらの帯は、例えば、光度の高いフレームを形成し得る。

抽出は、抽出区域に置かれる手段、すなわち、好ましくは鉱物粒子をベースとし好ましくは鉱物結合剤を有する拡散層と、拡散するように作られた基板、特に、きめの細かいまたは粗い基板の少なくとも一方によって実現される。

２つの主要面は、各々、直射光区域を有してもよい。

ＯＬＥＤシステムの電極と有機構造体が透明なものとして選択されると、照明用窓が特別に生成され得る。この場合、部屋の照明の改善は、光透過率に悪影響を及ぼすほどではない。さらに、特に、照明用窓の外側で光反射を制限することによって、例えば、建築物の壁に対して有効な眩輝防止規格を満足するように反射レベルを調整することも可能である。

概ね、デバイス、特に、部分的または全体的に透明なデバイスは、以下のようなものであってもよい：
− 外部照明ガラス、内部照明仕切り、または照明ガラスドア（または、ドアの一部）、特に、スライディングドアなど、建築物を対象とするもの、
− 陸上、海上、または航空輸送機関（自動車、トラック、航空機、ボートなど）の照明屋根、照明側窓（または、窓の一部）、内部照明仕切りなど、輸送機関を対象とするもの
− バス待合所案内板、陳列台の壁、宝石類の陳列またはショーウィンドウ、温室の壁、または、照明タイルなど、アーバンまたはプロフェッショナルファニチャーを対象とするもの、
− 棚またはキャビネット要素、キャビネットの前面、照明タイル、天井、冷蔵庫の照明棚、水槽の壁など、室内家具を対象とするもの、
− 電子機器のバックライト、特に、テレビ画面またはコンピュータ画面、タッチセンサ式画面など、ディスプレイ画面、場合によってはダブル画面を対象とするもの。

例えば、様々なサイズを有する両面画面のバックライトを構想することが可能であり、小さい画面が光を一点に集めるフレネルレンズに使われていることが好ましい。

照明ミラーを形成するために、電極の１つが反射してもよく、あるいは直射光区域の片側のみに優先的な照明が要求される場合は、ミラーがＯＬＥＤシステムの対面に置かれてもよい。

照明ミラーはミラーであってもよい。発光パネルは、浴室の壁または厨房の調理台の照明として役割を果たしてもよく、天井であってもよい。

ＯＬＥＤは、一般に、使用される有機材料に応じて２つの広範な群に分けられる。

エレクトロルミネッセンス層が小分子から形成される場合、デバイスはＳＭ−ＯＬＥＤ（小分子有機発光ダイオード）と呼ばれる。薄い層の有機エレクトロルミネッセンス材料は、例えば、錯体ＡｌＱ_３（トリス（８−ヒドリキシキノリン）アルミニウム）、ＤＰＶＢｉ（４，４^□−（ジフェニルビニレン）ビフェニル）、ＤＭＱＡ（ジメチルキナクリドン）、またはＤＣＭ（４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（４−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン）の蒸発分子など、蒸発分子からなる。また、放出層は、例えば、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）がドープされた４，４’４”−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）の層であってもよい。

一般に、ＳＭ−ＯＬＥＤの構造体は、ＨＩＬ（ホール注入層）およびホール輸送層（ＨＴＬ）、放出層およびＥＴＬ（電子輸送層）のスタックからなる。

ホール注入層の例は、銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）であり、ホール輸送層は、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフサ−１−イル）−Ｎ、Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン（アルファ−ＮＰＢ）であってもよい。

電子輸送層は、トリス−（８−ヒドリキシキノリン）アルミニウム（ＡｌＱ_３）またはバソフェナンスロリン（Ｂｐｈｅｎ）から構成されてもよい。

上部電極はＭｇ／ＡｌまたはＬｉＦ／Ａｌ層であってもよい。

有機発光スタックの例は、例えば、米国特許第６６４５６４５号明細書に記載されている。

有機エレクトロルミネッセンス層が高分子である場合、デバイスはＰＬＥＤ（高分子発光ダイオード）と呼ばれる。

薄い層の有機エレクトロルミネッセンス材料は、例えば、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）、ＰＰＰ（ポリ（パラ−フェニレン））、ＤＯ−ＰＰＰ（ポリ（２−デシロキシ−１，４−フェニレン））、ＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ［２−（２^□−エチルヘキシロキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］）、ＣＮ−ＰＰＶ（ポリ［２，５−ビス（ヘキシロキシ）−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）］）またはＰＤＡＦ（ポロジアルキルフルオレン）を表わすＰＰＶなどの高分子（ＰＬＥＤ）からなり、高分子層には、例えば、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレン−ジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルフォネート））からなるホール注入（ＨＩＬ）を促進する層が使われている。

ＰＬＥＤの１つの例は、以下のスタックからなる：
− ５０ｎｍの厚さを有するポリ（スチレン−スルフォネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）がドープされたポリ（２，４−エチレンジオキシチオフェン）の層、
− ５０ｎｍの厚さを有するフェニルポリ（ｐ−フェニレンビニレン）Ｐｈ−ＰＰＶの層。

上部電極はＣａの層であってもよい。

本発明は、限定されない例と図を用いて以下にさらに詳しく説明される。

均一（背面）照射用の有機発光デバイスの概略断面図であり、有機発光デバイスは本発明による第１の実施形態の下部電極を含む。 上記の下部電極をさらに詳しく示す部分図である。 上記の電極の製造とエッチングとを行なうプロセスを示す。 均一（背面）照射用の有機発光デバイスの概略断面図を示しており、有機発光デバイスは複数の区域に配置され、本発明による第２の実施形態の下部電極を含む。 第２の実施形態で使用される電極と類似した電極を電気的に接続するダイアグラムを示す概略上面図を示す。 第２の実施形態で使用される電極と類似した電極を電気的に接続するダイアグラムを示す概略上面図を示す。 分化照明に使用される有機発光デバイスの概略側面断面図である。

図示される対象（角度を含む）の様々な要素は、分かりやすくするために必ずしも一定の縮尺で描かれていないことに注目されたい。

図１は意図的にきわめて概略的に描かれている。この図は、有機発光デバイス１０（下面発光型デバイス、すなわち、基板を通して発光する）を断面で示しており：
− 厚さが２．１ｍｍで、第１および第２の主要面１１、１２を有する透明または超透明なソーダ石灰石英ガラスの平坦基板１であって、第１の主要面１１は以下の層を有する、平坦基板１と、
− 第１の主要面１１の表面に直接蒸着され、エッチング停止層としても作用し、１０ｎｍから８０ｎｍの厚さを有する窒化ケイ素で作られ、第１の主要面１１の実質的に全部を覆う基層２と、
− 基層２の表面に直接蒸着され、エッチングされて透明であるように選択される下部電極（または、電極膜）３であって：
− Ｓｎ_ｙＺｎ_ｚＯ_ｘ、ＩＴＯ、またはＩＺＯがドープされた、またはドープされていないＺｎＯ_ｘから選択される接触層３１と、
− 銀、好ましくは純粋な銀で作られる能性層３２と、
− 機能性層３２のすぐ上方にある場合によっては遮断膜３２’と、
− ＺｎＯ_ｘ、Ｓｎ_ｙＺｎ_ｚＯ_ｘ、ＩＴＯ、またはＩＺＯから選択される保護層３３であって、水および／または酸素に対して保護する接触層と保護層とは同じ性質のものである、保護層３３と、
− 上層３４、特に、仕事関数に整合する上層３４と、
を備えるタイプの多層コーティング（図２参照）を含み、
すなわち、好ましくは、多層コーティングＺｎＯ：Ａｌ／Ａｇ／ＴｉまたはＮｉＣｒ／ＺｎＯ：Ａｌ／ＩＴＯは、それぞれ、ＺｎＯ：Ａｌが５から２０ｎｍ、銀が５から１５ｎｍ、ＴｉまたはＮｉＣｒが０．５から２ｎｍ、ＺｎＯ：Ａｌが５から２０ｎｍ、ＩＴＯが５から２０ｎｍの厚さを有する、下部電極３と、
− 有機発光システム４、例えば：
− アルファ−ＮＰＤ層、
− ＴＣＴＡ＋Ｉｒ（ｐｐｙ）_３層、
− Ｂｐｈｅｎ層、
− ＬｉＦ層、
の構造体のＳＭ−ＯＬＥＤと、
− 特に銀またはアルミニウムをベースとする反射型の、特に、金属上部電極５と、
を連続的に備える。

基層２と膜３を生成する多層コーティングの蒸着の一連の例は、一般に１から４ｍｍの厚さの基板上で、室温においてマグネトロンスパッタリングによって実施された。

後述の表は、これらの例の様々な層の性質およびｎｍ単位の厚さと、これらの例の主な特性とを示す。

ＲＭＳ粗さ（すなわち、Ｒｑ）は、原子力間顕微鏡法によって測定された。

層の各々に関する蒸着条件は、以下の通りであった：
− Ｓｉ_３Ｎ_４：Ａｌをベースとする層は、アルゴン／窒素雰囲気中で０．２５Ｐａの圧力で、アルミニウムをドープしたケイ素ターゲットを用いて反応性スパッタリングによって蒸着された。
− ＳｎＺｎ：ＳｂＯ_ｘをベースとする層は、アルゴン／酸素雰囲気中で０．２Ｐａの圧力で、６５重量％のＳｎ、３４重量％のＺｎ、および１重量％のＳｂを備えるアンチモンをドープした酸化スズ亜鉛ターゲットを用いて反応性スパッタリングによって蒸着された。
− 銀をベースとする層は、純粋なアルゴン雰囲気中で０．８Ｐａの圧力で銀ターゲットを用いて蒸着された。
− Ｔｉ層は、純粋なアルゴン雰囲気中で０．８Ｐａの圧力でチタンターゲットを用いて蒸着された。
− ＺｎＯ：Ａｌをベースとする層は、アルゴン／酸素雰囲気中で０．２Ｐａの圧力で、アルミニウムをドープした亜鉛ターゲットを用いて反応性スパッタリングによって蒸着された。
− ＩＴＯをベースとする上層は、アルゴン／酸素雰囲気中で０．２Ｐａの圧力で、セラミックターゲットを用いて蒸着された。

この構造体において、本発明の電極は、ＩＴＯ電極と比較して５００ｃｄ／ｍ^２を超える輝度に対して、ＯＬＥＤのｌｍ／Ｗ単位の効率を少なくとも５から１０％、そしてさらに最大で２０％まで改善することができる。

第１の（下部）電極は、変形例として、上方の遮断膜３２’と同様に、好ましくは中性プラズマと金属ターゲットを用いて得られる金属層、または好ましくは中性プラズマとセラミックターゲット用いて得られるＴｉ、Ｎｉ、およびＣｒなどの１つまたは複数の金属の窒化物および／または酸化物で作られた層を特に備える下方の遮断膜３１’を含んでもよい。

１から６の例において、電極は、被覆基板の光透過率が５０％以上であり、５０％から９０％の範囲にある透明電極であった。本発明による例１から４では、この光透過率が高く７５から８５％である。やはり本発明による例５では、光透過率は明らかに最低であるものの、それでも５０％よりも高いが、吸収率が非常に低いのでこれが必ずしも欠点にはならない。これらの例１から６は、光反射率が７０％未満であるので反射電極として使用することができないだけでなく、そのＴ_Ｌ／Ｒ_Ｌ比が０．１から０．７の範囲にないので透明／反射電極としても使用することができない。

例４および５では、透明電極が平滑層３０を含むが、例１から３では、このような平滑層がない。この平滑層は、多層コーティング全体の粗さを上層３４における測定値で約１０％低減することができ、多層コーティングのシート抵抗がそれでも約５％改善される。

例５は、反例、すなわち、ＴＣＯ（ＩＴＯ）電極を有する例６と比較し得るように最適化された例を構成するものである。あるいは上述の表から分かるように、例５の全てのシート抵抗、粗さ、性能、および寿命の各特性は、例６の各特性よりも優れていた。

例７では、被覆基板は、０．２のＴ_Ｌ／Ｒ_Ｌ比を有し、これは、０．１から０．７の範囲にあるので透明／反射電極として使用されてもよい。さらに、この被覆基板は、５０％以下の光透過率を有し、したがって、透明電極の生産用としては受け入れられないが、その光反射率が７０％を超えるため反射電極の生産用として受け入れられる可能性がある。

また、第１の電極は基本的に反射電極であってもよい。

下部電極３は、基板１の片側に沿って延びる。したがって、上層３４の境界には、好ましくは０．５から１０μｍ、例えば、５μｍの厚さを有し、金属Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｄ、またはＭｏＣｒ、ＡｌＮｄなどの合金、またはＭｏＣｒ／Ａｌ／ＭｏＣｒなどの多層の１つで作られた層の形態の、第１の金属製電流供給ストリップ６１が重ねられている。

下部電極３は、変形例として、ｎ回繰り返される構造体を有してもよく、ここで、ｎは１または１より大きい整数であり、この構造体は接触層／機能性層／（薄い遮断層）／（水および／または酸素バリア層）である。

この構造体は、接触層／機能性層／（水および／または酸素バリア層）／上記上層が備えられ、この順番で重ねられている。

例えば、赤色、緑色、および青色を発光する有機構造体のスタックの場合、白色光を作り出すために、全ての要素３、４、５を３回繰り返すことも可能であり、あるいは追加下部電極にＡｌ／ＩＴＯ、またはＡｇ／場合によっては薄い同様の遮断層／ＩＴＯ、またはＡｇ／場合によっては薄い同様の遮断層／ＺｎＯ／ＩＴＯを備える多層を単に使用することも可能である。

上部電極は、基板１とは反対側に沿って延びる。上部電極５のこの境界には、好ましくは第１の金属ストリップに類似した第２の金属製電流供給ストリップが場合によっては重ねられる。上部電極が５０ｎｍ以下の厚さを有する場合は、この第２のストリップが好ましい。

また、第２の電極は、変形例として、実際には透明または半透明電極であってもよく、例えば、第１の電極と同じかまたはこれに類似してもよい。場合によっては、この場合、反射体、例えば、厚さが１５０ｎｍの金属層が第２の面１２に追加される。

基板１を好ましくは基板１と同じ特性を有する別のガラスペインに積層するために、ＥＶＡシートが使用され得る。場合によっては、ＥＶＡシートの方に向けられたガラスペイン１の面１２は、後述する所与の機能性の多層コーティングが施される。

下部電極３は、エッチング区域３１０で分離された２つの部分で構成される。

下部電極３をデバイス１０の上部電極５から電気的に分離するために、ウェットエッチングが採用される。

下部電極全体（接触層、機能性層、場合によっては上方の遮断膜または層、場合によっては保護層および上層）を１つの同じエッチングパターンで、一工程で、エッチングするために、耐酸性の粘着テープを使用するか、または変形例として写真マスクを使用して事前に部分的にマスクされた層は、以下の酸性溶液の１つにさらされる：
− ＨＣｌ（例えば、４０％濃度）、
− または、ＨＣｌ（例えば、４％濃度）、
− または、ＨＣｌ（例えば、４％濃度）／ＨＮＯ_３（例えば、７％濃度）の混合液、
− または、ＨＣｌ／ＦｅＣｌ_３混合液、
− または、ＨＮＯ_３（１０から１８％の濃度）。

塩酸によるエッチングは、均一なエッチングプロファイルをもたらす。硝酸／塩酸の混合液によるエッチングも、有用な結果をもたらす。ＨＣｌ／ＦｅＣｌ_３混合液は、ＩＴＯの場合に都合よく使用される。

エッチングプロファイル、エッチング時間、および溶解は、２つの酸の混合液を使用し濃度を変えることによって適合されてもよい。

したがって、アプリケーションに応じて幅と間隔が変わるパターンをエッチングすることが可能である。

小型のパッシブマトリクスＯＬＥＤ画面（電子装置、例えば、携帯電話、ディスプレイ、電子手帳、ＭＰ３リーダーなどのディスプレイ用）では、各エッチング区域の幅は典型的に１０から２０μｍであってもよく、各エッチング区域は１０から５０μｍ、例えば、３５μｍ（各電極区域の幅に対応する）だけ隔てられる。

大型のパッシブマトリクスＯＬＥＤ画面、例えば、広告ディスプレイや表示ディスプレイの場合、各エッチング区域の幅はおよそ０．５ｍｍであってもよく、各電極区域の幅は数ｍｍ、数ｃｍ以上などであってもよい。

均一な照明の場合、各エッチング区域の幅は、画面のサイズと関係なく、１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下であってもよい。

図３は、この電極の製造とエッチングとのプロセスを示す。

基層２の後、電極３と金属電流供給層６（単層または多層のいずれか）が蒸着されており、この層６は電極をエッチングしない溶液、例えば、水酸化ナトリウムでエッチングされ（ステップＥ１）、次いで、下部電極３が既に指摘済みのように単一ステップでエッチングされ（ステップＥ２）、この後に、ＯＬＥＤシステム４と、例えば、Ａｌ製の上部電極５との蒸着が続く（ステップＥ３）。

図４は、均一（背面）照明用の有機発光デバイス１０の概略断面図であり、有機発光デバイスは複数の区域に配置され、本発明による第２の実施形態の下部電極を備える。

この第２のデバイスは、以下に記載される要素が存在する点で第１のデバイスとは異なる。

図４に示されるデバイス１０は、２つの隣接する有機発光システム４ａおよび４ｂを備え、各々は白色光、あるいは変形例として、一連の３つの赤色、緑色、および青色の光を発生することが好ましい。システム４ａおよび４ｂは直列に接続される。下部電極は、主に、およそ１０ｃｍの辺を有する２つの長方形または正方形３ａ、３ｂに分割されており、各々は片側（図の左側の）でＯＬＥＤシステムを越えて延びる。これらの電極区域は、エッチング区域３１０によって分離される。第２の電極区域３ｂは、エッチング区域３２０だけ、「残る」下部電極区域（図の右側の）から分離される。第１の下部電極区域３ａは、母線を形成する第１の金属ストリップで部分的に覆われており、バス電極構造体６１を生成する。

上部電極も分割されている。第１の上部電極区域５ａは、右側に向かって延びて第２の下部電極区域３ｂの左端を覆う。第２の上部電極区域５ｂは、右端に向かって延びて残る下部電極区域の左端を覆っており、母線を形成する第２の金属ストリップによって覆われ、バス電極構造体６２を生成する。

エッチング区域３１０、３２０は、肉眼ではほとんど見えないような、例えば、幅が２０から５０μｍのストリップである。

図５および図６は、第２の実施形態で使用される電極と類似した電極を電気的に接続する２つの案を示す概略上面図を示す。

図５において、３つの有機発光システム４ａから４ｃは直列に接続される。エッチング区域３１０および３２０は、肉眼ではほとんど見えないような幅が２０から５０μｍのストリップである。

下部電極は、各々がおよそ１０ｃｍ幅の辺を有する３つの長方形に分割され、各長方形は片側（図の左側）で延びる。これらの長方形は、エッチング区域３１０、３２０によって分離される。上部電極５ａから５ｃも３つに分割される。第１の下部電極区域は、母線を形成する第１の金属ストリップによって部分的に覆われており、バス電極構造体６１を生成する。

第１の２つの上部電極区域５ａ、５ｂは、右側に向かって延びており、隣接する下部電極区域の左端を覆う。第３の上部電極区域５ｃは右側に向かって延びており、残る下部電極区域の左端を覆っており、母船を形成する第２の金属ストリップによって部分的に覆われ、バス電極構造体６２を生成する。

図６において、６つの有機発光システム４ａ、から４ｃ、４ａ’から４ｃ’は、２つの互いに並列の列に接続される（図の上部における３つシステム４ａから４ｃの１つの列と、図の下部における３つのシステム４ａ’から４ｃ’の１つの列）。エッチング区域３１０から３３０は、横方向３１０、３２０と縦方向３３０の両方であり、肉眼ではほとんど見えないような幅が２０から５０μｍのストリップである。

下部電極は、およそ１０ｃｍの辺を有する６つの正方形に分割されており、各々は片側（図の左側）で延びている。下部電極区域は、エッチング区域３１０から３３０によって分離される。母線を形成する第１のストリップは、図の左側の２つのバス電極構造体６１、６１’の２つのストリップとともに電流コレクタを形成するように切断される。

上部電極５ａから５ｃ、５ａ’から５ｃ’も６つに分割される。第１の２つの上部上部電極区域５ａおよび５ｂ（図の左上にある）は、右側に向かって延びており、隣接する下部電極の第３の区域の左端を覆う。

第３の上部電極区域５ｃは、右側に向かって延びており、残る下部電極区域の左端を覆っており、バス電極構造体６２を生成し、第３の上部電極区域５ｃおよび５ｃ’（図の右にある）間の電気相互接続を形成する金属ストリップによって覆われる。

第１の２つの下部上部電極区域５’ａおよび５’ｂ（図の左下にある）は、右側に向かって延びており、隣接する下部電極の第３の下部区域の左端を覆う。

図７は、分化照明に使用される有機発光デバイス１０の概略側面断面図を示す。

このデバイス１０は、まず、可視領域において２．５ｍ^−１以下の吸収係数を有し、例えば、厚さが４または６ｍｍの好ましくは厚いガラスシートからなることが好ましい、平坦透明基板１を備える。可視領域において０．７ｍ^−１未満の吸収係数を有する超透明ソーダ石灰ガラスを選択することが好ましい。このガラスは、第１および第２の並列主要面１１、１２と端面１３を備える。デバイスは、その下部においてカバー（ここでは図示せず）で閉鎖される。

ＯＬＥＤタイプの発光デバイス１０は、第１の主要面１１に置かれた２５ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４基層上にＺｎＯ：Ａｌ_２０ｎｍ／Ａｇ_１２ｎｍ／Ｔｉ_１ｎｍ／ＺｎＯ：Ａｌ_２０ｎｍ／ＩＴＯ_２０ｎｍタイプの下部電極を有するＯＬＥＤシステム４を含む。基板１の両側で第１の直射光区域７１、７２が規定される。

第１の直射光区域７１は、基板１に対してＯＬＥＤシステム４とは反対側にあり、第２の主要面１２の中央部分を覆う。第２の直射光区域７２は、ＯＬＥＤシステム４と同じ側にあり、第１の主要面１１全体の真下で延びる。

デバイス１０の特性は、第１の直射光区域７１の輝度Ｌ１が好ましくは第２の直射光区域７２の輝度Ｌ２よりも大きくなるように（太い矢印Ｆ１と細い矢印Ｆ２によって象徴的に示されるように）が適合される。

したがって、Ｌ２よりも大きいＬ１を有するために、デバイス１０は、主に下部電極から発光する。例えば、Ｌ１は約１０００ｃｄ／ｍ^２に等しくなるように選択され、Ｌ２は視覚的に快適であるよう約５００ｃｄ／ｍ^２に等しくなるように選択される。

デバイス１０は、内部の全反射によって基板１の厚さの中を誘導される放射源でもある。誘導される放射は、例えば、鉱物結合剤中で分散される鉱物散乱粒子に基づく拡散層７によって第２の面１２の端縁から抽出される。したがって、周囲の発光フレームを形成する第３の光区域７３が規定される。変形例としての拡散層７は、水平帯または周辺垂直帯のみを形成する。

誘導される放射の抽出を容易にするために、端面１３を形成する端縁の各々は、第１の主要面１１と９０°よりも大きい約１００°の内角をなし、ミラー、例えば、金属銀または金属銅の層を含む。

第３の光区域７３の輝度Ｌ３は、第１の直射光区域７１の輝度Ｌ１よりも大きいこと（非常に太い矢印Ｆ３によって象徴的に示されるように）が好ましい。

デバイス１０は、照明用窓、照明ドア、温室の壁またはガラス屋根、あるいは車の側窓または照明屋根など、建築物を対象としてもよい。第２の面１２は内面（最も明るい面）である。

デバイス１０が照らされると、中央の直射光区域７１は室内や夜間のパッセンジャーコンパートメントや暗い環境に居る人のプライバシーを守ることができる。そのために必要なことは、グレージングによって供給される光束が部屋によって反射されて戻される光束に少なくとも等しいということだけである。

デバイス１０は複層グレージングユニットを形成してもよく、デバイス１０は基板１と場合によっては比較的薄い追加ガラスペインとの間のガス入りの内部空間にあることが好ましい。

このように設計されたデバイス１０は、照明付き透明棚、冷蔵庫の照明棚、２部屋間の照明付き透明仕切り、または水槽の壁としての役割を果たしてもよい。したがって、デバイス１０の特性は、第１の直射光区域７１の輝度Ｌ１が第２の直射光区域７２の輝度Ｌ２にほぼ等しくなるように適合されてもよい。

光区域７１、７２は均一である。変形例としてのデバイス１０は、不連続でありかつ／またはデザイン、ロゴ、または表示を形成する少なくとも１つの直射光区域を有してもよい。

追加機能
前述の通り、キャリア基板１の第２の面（有機発光システムの反対側にある）を機能的にすることは賢明であるかもしれない。

したがって、周囲の影響とは関係なく、すなわち、表面特性と外観を長期間にわたって維持するとともに、特に、指紋や大気中の蒸発性の有機物、さらには汗や汚染粉塵の汚れなど、特に、基板の表面に集まる有機起源の汚れを徐々に排除することに成功することによって、清浄作業の間隔をさらに開けることができるようにするために基板をできる限りきれいに保つことができることを例えば含むなど、具体的な性質を付与することを目的として表面に薄い層が蒸着される。

グレージング機能を有する基板の分野では、基板表面に光触媒薄膜を使用することが知られており、これは「驚くべき」顕著な効果を有し工業規模で製造され得る。これらの光触媒薄膜は、一般に、特に、数（３または４）ｎｍから１００ｎｍ、好ましくは約５０ｎｍのサイズを有し、基本的にアナターゼまたはアナターゼ／リチルの形の結晶化された粒子の形態でこの膜に組み入れられる、少なくとも部分的に結晶質の酸化チタンを含有する。

これは、酸化チタンが、表面に堆積される有機物を可視領域または紫外領域の光の作用で分解させる半導体の１つであるからである。

したがって、第１の例示的な実施形態によると、光触媒特性を有する膜は、ＴｉＯ_２ナノ粒子とメソ多孔質シリカ（ＳｉＯ_２）結合剤をベースとする溶液から得られる。

第２の例示的な実施形態によると、光触媒特性を有する膜は、ＴｉＯ_２ナノ粒子と非構造化シリカ（ＳｉＯ_２）結合剤をベースとする溶液から得られる。

さらに、光触媒薄膜は非結晶質の酸化チタンよりも光触媒特性に関してはるかに有効であることが分かっているため、酸化チタン粒子に関する光触媒薄膜の実施形態とは関係なく、これらは少なくとも部分的に結晶質の酸化チタンに基づいて選択されている。好ましくは、この酸化物は、アナターゼの形、リチルの形、またはアナターゼ／リチル混合物の形で結晶化される。

また、光触媒特性を有する膜は、酸化チタンは別として、少なくとも１つの他種の無機質材料、特に、非結晶質または部分的な酸化物結晶、例えば、酸化ケイ素（または、酸化物の混合物）、酸化チタン、酸化スズ、酸化ジルコニウム、または酸化アルミニウムを含んでもよい。この無機物質は、結晶ＴｉＯ_２に比べて光触媒効果が小さいが、それ自体が一定の光触媒効果を有することによって結晶酸化チタンの光触媒効果に関与してもよく、このことは非結晶質または部分的な結晶酸化チタンの場合にも当てはまる。

膜の厚さは、数ｎｍから数μｍ、典型的には５０ｎｍから１０μｍの範囲で変化し得る。

実際に、厚さの選択は、様々なパラメータ、特に、基板の想定されるアプリケーション、あるいは膜内のＴｉＯ_２微結晶のサイズによって異なってもよい。また、膜は、比較的円滑な表面を有するように選択されてもよく、こうすると、より大きい光触媒活性領域を発現し得る場合に表面粗さの小さいことが有利になる可能性があるためである。一方、あまりに顕著な粗さは汚れの堆積と付着を助長するので有害な場合がある。

別の変形例によると、基板の他の面に備えられる機能性は反射防止膜によって形成されてもよい。

以下に示すのは、４つの多層反射防止コーティングの幾何学的厚さと指標の好ましい範囲であり、このコーティングはＡと呼ばれる：
− ｎ_１および／またはｎ_３は、２．００から２．３０であり、特に、２．１５から２．２５であり、好ましくは２．２０に近い。
− ｎ_２および／またはｎ_４は、１．３５から１．６５である。
− ｅ_１は、５から５０ｎｍであり、特に、１０から３０ｎｍであり、または１５から２５ｎｍである。
− ｅ_２は、５から５０ｎｍであり、特に、３５ｎｍまたは３０ｎｍ以下であり、特に、１０から３５ｎｍである。
− ｅ_３は、４０から１８０ｎｍであり、好ましくは４５から１５０ｎｍである。
− ｅ_４は、４５から１１０ｎｍであり、好ましくは７０から１０５ｎｍである。

反射防止コーティングＡの第１および／または第３の層、すなわち、高い指標を有する層を形成するのに最も相応しい材料は、窒化ケイ素、または窒化ジルコニウム、またはこれら窒化物の混合物をベースとするものである。

変形例として、これら高い指標の層は、窒化ケイ素、または窒化タンタル、またはこれらの混合物をベースとする。これら全ての材料は、その化学的および／または電気的抵抗特性を改善するように場合によってはドープされてもよい。

コーティングＡの第２および／または第４の層、すなわち、低い指標を有する層を形成するのに最も相応しい材料は、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素および／または酸炭化ケイ素、あるいはケイ素アルミニウム混合酸化物をベースとするものである。このような混合酸化物は、純粋なＳｉＯ_２よりも優れた耐久性、特に、化学的耐久性を有する傾向がある（この例は欧州特許出願公開第７９１５６２号明細書に記載されている）。層の屈折率を過度に増加させずに期待される耐久性を改善するために、２つの酸化物のそれぞれの割合が調整されてもよい。

この反射防止コーティングの好ましい実施形態は、基板／Ｓｉ_３Ｎ_４／ＳｉＯ_２／Ｓｉ_３Ｎ_４／ＳｉＯ_２の形態のものである。

本発明が例に記載されたもの以外の発光デバイスを用いたシステムにも同様に適用可能であることは言うまでもない。

本発明は、これまで例として記載されている。当然ながら、当業者は特許請求の範囲によって規定される特許の範囲から逸脱することなく、本発明の様々な代替形態を想到し得るであろう。

Claims (31)

1. 有機発光デバイス（１０）用の基板（１）、特に、透明ガラス基板であって、透明ガラス基板が第１の主要面（１１）に下部電極膜（３）を含み、下部電極膜（３）が薄膜多層コーティングから形成され、薄膜多層コーティングが、連続した、少なくとも：
   − 金属酸化物および／または金属窒化物をベースとする接触層（３１）と、
   − 固有の導電特性を有する金属機能性層（３２）と、
   − 特に、前記電極膜の仕事関数に整合する金属酸化物および／または金属窒化物をベースとする上層（３４）と、
   を備え、
   基層（２）を含み、前記基層（２）が前記主要面（１１）を覆うことを特徴とする、
   基板（１）。
2. 基層（２）が酸化ケイ素または酸炭化ケイ素をベースとする材料、あるいは窒化ケイ素または酸窒化ケイ素または酸炭窒化ケイ素をベースとする材料で作られる層であり、前記基層の材料が場合によってはドープされ、前記基層が好ましくは１０から１５０ｎｍの厚さを有することを特徴とする、請求項１に記載の基板（１）。
3. 基板が基層（２）と接触層（３１）との間にエッチング停止層、特に、酸化スズをベースとする層を含むことを特徴とし、あるいはエッチング停止層が基層（２）の一部または基層（２）を形成し、好ましくは窒化ケイ素をベースとし、または酸化ケイ素をベースとし、または酸窒化ケイ素をベースとし、または酸炭化ケイ素をベースとし、または酸炭窒化ケイ素をベースとし、前記エッチング停止層が場合によってはドープされるかまたはスズと合金される基層を形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の基板（１）。
4. 接触層（３１）、上層（３４）、および機能性層（３２）を含む、これら２つの層の間にある全ての層からなる層の組合せが同じエッチングパターンで好ましくは単一エッチングステップでエッチングされることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の基板（１）。
5. 基板が、一方で５０％以上の光透過率Ｔ_Ｌ、他方で１５％以下の１−Ｒ_Ｌ−Ｔ_Ｌとして定義される吸収率を有することを特徴とし、基板が７０％以上の光反射率Ｒ_Ｌを有することを特徴とし、基板が０．１から０．７のＴ_Ｌ／Ｒ_Ｌ比を有することを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の基板（１）。
6. 基板が、上層（３４）に３ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ以下、またはさらに１ｎｍ以下のＲＭＳ粗さを有することを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の基板（１）。
7. 機能性層（３２）が銀、金、アルミニウム、および銅から選択される純粋な材料をベースとすること、あるいはＡｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｏ、およびＳｎから選択される別の材料と合金化またはその材料でドープされる前記材料をベースとすること、ならびに、特に、金／銀合金または金／銅合金をベースとすることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の基板（１）。
8. 接触層（３１）が場合によってはドープされる金属酸化物の酸化クロム、酸化インジウム、場合によっては半化学量論的な酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、酸化スズ、酸化タンタル、および酸化ケイ素の少なくとも１つをベースとすることを特徴とし、接触層が好ましくは３から３０ｎｍの厚さを有することを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の基板（１）。
9. 上層（３４）が場合によってはドープされる金属酸化物の酸化クロム、酸化インジウム、場合によっては半化学量論的な酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化ジルコニウム、酸化アンチモン、酸化スズ、酸化タンタル、および酸化ケイ素の少なくとも１つをベースとすることを特徴とし、上層が好ましくは３から５０ｎｍの厚さを有することを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の基板（１）。
10. 金属機能性層（３２）が少なくとも１つの下方にある遮断膜（３１’）を直接ベースとし、かつ／または少なくとも１つの上方にある遮断膜（３２’）の真下にあることを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の基板（１）。
11. 少なくとも１つの遮断膜（３１’、３２’）が金属Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＷの少なくとも１つをベースとするか、または前記材料の少なくとも１つの合金をベースとする金属層、金属窒化物層および／または金属酸化物層を備えることを特徴とする、請求項１０に記載の基板（１）。
12. 基板が基層（２）と接触層（３１）との間に混合酸化物で作られた非晶質の平滑層（３０）を含み、前記平滑層（３０）が前記接触層（３１）の真下に置かれ接触層の材料以外の材料でつくられることを特徴とする、請求項１から１１のいずれか一項に記載の基板（１）。
13. 平滑層（３０）が金属Ｓｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎの１つまたは複数の酸化物をベースとする混合酸化物層であり、特に、亜鉛およびスズをベースとする場合によってはドープされた混合酸化物層、またはインジウムスズ混合酸化物（ＩＴＯ）の層、またはインジウム亜鉛混合酸化物（ＩＺＯ）の層であることを特徴とする、請求項１２に記載の基板（１０）。
14. 基層（２）と場合によってはエッチング停止層にｎ回蒸着され、ここでｎは１に等しいかまたは１より大きい整数であり、エッチング停止層が接触層（３１）と金属機能性層（３２）からなる構造体であり、構造体が少なくとも接触層（３１）／金属機能性層（３２）／上層（３４）からなる連続した層が順番に重ねられることを特徴とする、請求項１から１３のいずれか一項に記載の基板（１）。
15. 基板が下部電極膜（３）の上方に下部バス電極構造体（６１、６１’）を含み、前記下部バス電極構造体（６１、６１’）が前記下部電極膜（３）と電気的に接触していることを特徴とする、請求項１から１４のいずれか一項に記載の基板（１）。
16. 基板が電極膜（３）の上方にＯＬＥＤシステム（４）を含むことを特徴とする、請求項１から１５のいずれか一項に記載の基板（１）。
17. 基板が前記ＯＬＥＤシステム（４）の上方に上部電極膜（５）を含むことを特徴とする、請求項１から１６のいずれか一項に記載の基板（１）。
18. 基板が上部電極膜（５）の上方に上部バス電極構造体（６２）を含み、前記上部バス電極構造体（６２）が前記上部電極膜（５）と電気的に接触していることを特徴とする、請求項１７に記載の基板（１）。
19. 基層（２）と下部電極膜（３）によって形成されるアセンブリが建築グレージング用多層コーティング、特に、「強化可能な」多層コーティングまたは「強化すべき」多層コーティングおよび／または、特に、低Ｅ多層コーティングからなることを特徴とする、請求項１から１８のいずれか一項に記載の基板（１）。
20. 基層（２）と下部電極膜（３）が被覆された基板が、建築グレージング用の基板、特に、「強化可能な」基板または「強化すべき」基板からなり、基板が薄膜多層コーティングおよび／または、特に、低Ｅ多層コーティングで被覆されることを特徴とする、請求項１から１９のいずれか一項に記載の基板（１）。
21. 基板が、第２の主要面（１２）に、反射防止多層、防曇層または防汚層、紫外線フィルタ、特に、酸化チタン層、蛍光体層、ミラー層、および散乱光抽出区域（７３）から選択される機能性膜を含むことを特徴とする、請求項１から２０のいずれか一項に記載の基板（１）。
22. 有機発光デバイス（１０）用の基板（１）、特に請求項１から２１のいずれか一項に記載の基板を製造するための、建築グレージング用薄膜多層コーティング、特に、低Ｅ多層コーティングおよび／または、特に、「強化可能な」多層コーティングまたは「強化すべき」多層コーティングの使用法であって、前記基板、特に、透明ガラス基板が、第１の主要面（１１）に下部電極膜（３）を含み、下部電極膜（３）が連続した少なくとも：
    − 金属酸化物および／または金属窒化物をベースとする接触層（３１）と、
    − 固有の導電特性を有する金属機能性層（３２）と、
    − 特に、前記電極膜の仕事関数に整合する金属酸化物および／または金属窒化物をベースとする上層（３４）と、
    を備える薄膜多層コーティングから形成され、
    前記基板が基層（２）を備え、前記基層（２）が前記主要面（１１）を覆う、
    使用法。
23. 前記基板（１）が下部バス電極構造体（６１、６１’）、下部電極膜（３）の上方のＯＬＥＤ層（４）、前記ＯＬＥＤシステム（４）の上方の上部電極膜（５）、および上部バス電極構造体（６２）を含む、請求項２２に記載の使用法。
24. 請求項１から２１のいずれか一項に記載の基板（１）または請求項２２および２３のいずれかにおけるように使用される基板（１）を組み入れる上面発光型および／または下面発光型有機発光デバイス（１０）。
25. グレージングユニットおよび、特に、複層グレージングまたは積層グレージングユニットに一体化される、請求項２４に記載の有機発光デバイス（１０）。
26. 有機発光デバイスが複数の隣接する有機発光システムを備え、各々が白色光または一連の３つのシステムによって赤色光、緑色光、および青色光を発生し、前記システムが直列に接続されることを特徴とする、請求項２４または２５に記載の有機発光デバイス（１０）。
27. 有機発光デバイスが１つまたは複数の反射および／または透明発光面、特に、照明、装飾、または建築システム、あるいは、例えば、図面、ロゴ、または英数字表示タイプの表示ディスプレイパネルを形成し、システムが、特に、ガラス基板で誘導光抽出によって分化される均一な光または分化発光区域を生成することを特徴とする、請求項２４から２６のいずれか一項に記載の有機発光デバイス（１０）。
28. 有機発光デバイスが、
    − 外部照明ガラス、内部照明仕切り、または照明ガラスドア（または、ドアの一部）、特に、スライディングドアなどの建物を対象とし、
    − 陸上、海上または航空輸送機関の発光屋根、発光側窓（または、窓の一部）、内部照明仕切りなどの輸送機関を対象とし、
    − バス待合所案内板、陳列台またはショーウィンドウの壁、温室の壁、または、照明タイルなど、アーバンまたはプロフェッショナルファニチャーを対象とし、
    − 棚またはキャビネット要素、キャビネットのファサード、照明タイル、天井、冷蔵庫の照明棚、水槽の壁など、室内家具を対象とし、
    − 電子機器のバックライト、特に、テレビ画面またはコンピュータ画面、タッチセンサ式画面などの、ディスプレイ画面、場合によっては２画面を対象とし、
    − 特に、浴室の壁または厨房の調理台の照明用、あるいは天井用の照明ミラーを対象とする、ことを特徴とする、請求項２４から２７のいずれか一項に記載の有機発光デバイス（１０）。
29. 少なくとも基層（２）と電極膜（３）が、基板にスパッタリングタイプ、場合によってはマグネトロンスパッタリングの真空技術によって好ましくは少なくとも部分的に蒸着されることを特徴とし、基板がその際にエッチングを受けることを特徴とする、請求項１から２１のいずれか一項に記載の基板（１）を製造するプロセス。
30. エッチングが酸エッチング工程であり、このエッチングが１ステップで、純粋な硝酸ＨＮＯ_３または塩酸ＨＣｌと混合された硝酸、あるいは純粋な塩酸または三塩化鉄ＦｅＣｌ_３と混合された塩酸から選択される酸性溶液を用いて行なわれることを特徴とする、請求項２９に記載のプロセス。
31. エッチングが、好ましくは金属Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｄ、またはＭｏＣｒ、ＡｌＮｄなどの合金の１つをベースとする単層の形態、あるいはＭｏＣｒ／Ａｌ／ＭｏＣｒなどの多層の形態の少なくとも１つの金属製電流供給ストリップの存在下で行われることを特徴とする、請求項２９または３０に記載のプロセス。

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