KR20050039014A - 유기 발광 소자용 전극 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents
유기 발광 소자용 전극 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050039014A KR20050039014A KR1020030074361A KR20030074361A KR20050039014A KR 20050039014 A KR20050039014 A KR 20050039014A KR 1020030074361 A KR1020030074361 A KR 1020030074361A KR 20030074361 A KR20030074361 A KR 20030074361A KR 20050039014 A KR20050039014 A KR 20050039014A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- light emitting
- metal
- emitting device
- organic light
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Abstract
본 발명은 전극의 상부 및/또는 하부 표면에, 전기 전도도가 전극과 같거나 더 우수한 금속이 전극과 전극 패드의 연결 부분으로부터 멀어지는 방향으로 선형으로 배열되어 것을 특징으로 하는 전극을 제공한다. 또한, 본 발명은 전극 재료와, 전극 재료로 사용된 물질과 상이한 전기 전도성 금속 화합물이 번갈아 적층되어 있는 구조를 갖는 전극을 제공한다. 본 발명의 전극은 투명성 뿐만 아니라 전기 전도도도 우수하다. 본 발명은 상기 전극을 포함하는 유기 발광 소자도 제공한다.
Description
본 발명은 유기 발광 소자용 전극 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자는 두 개의 반대 전극과 그 사이에 존재하는 다층의 반도체적 성질을 갖는 유기물의 박막들로 구성되어 있다. 이와 같은 구성의 유기 발광 소자는 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상, 즉 유기 발광 현상을 이용한다. 구체적으로, 양극과 음극 사이에 유기물층을 위치시킨 구조에 있어서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 된다. 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되고, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자에서는 유기물층에서 생성된 빛이 광투과성 전극을 통하여 방출하게 되며, 유기 발광 소자는 통상 전면발광(top emission), 후면발광(bottom emisstion) 및 양면발광형으로 분류할 수 있다. 전면 또는 후면발광형의 경우는 두 개의 전극 중 하나가 광투과성 전극이어야 하며, 양면발광형의 경우는 두 개의 전극이 모두 광투과성 전극이어야 한다.
상기와 같은 유기 발광 소자에 대해서는 다층 구조를 사용하는 경우 저전압에서 구동할 수 있다는 코닥사의 발표 이래 많은 연구가 집중되어 왔으며, 최근에는 유기 발광 소자를 이용한 천연색 디스플레이가 휴대용 전화기에 부착되어 상용화되고 있다.
또한, 최근의 유기 발광 소자는 기존의 형광 물질을 이용하는 대신 인광 물질의 이용에 대한 연구가 진행되면서 효율의 향상이 급격히 이루어지고 있으며, 가까운 미래에는 기존의 조명을 대체할 수 있다는 예상도 나오고 있다.
유기 발광 소자가 조명으로 이용되기 위해서는 기존의 천연색 디스플레이와는 달리 고휘도에서 소자를 구동하여야 하며, 기존의 조명과 같이 일정한 휘도를 유지하여야 한다. 유기 발광 소자의 휘도를 충분히 향상시키기 위해서는 넓은 면적에서 발광이 이루어져야 하고, 이와 같이 넓은 면적에서 발광이 이루어지게 하기 위해서는 높은 구동 전류를 이용해야 한다. 또한, 넓은 면적에서 일정한 휘도를 유지하기 위해서는 상기와 같은 높은 전류가 넓은 면적의 소자에 균일하게 주입되어야 한다.
일반적으로 유기 발광 소자의 양극 물질로는 주로 일함수가 큰 금속 산화물이 사용된다. 그러나, 금속 산화물은 전기 전도도가 비교적 높지 않다. 따라서, 이와 같은 금속 산화물이 표시 면적이 작은 유기 EL이나 LCD에 사용되는 경우에는 문제점이 없으나, 조명기기에 사용하기 위한 대면적 유기 EL에 사용되는 경우에는 높은 전류에 의한 전압 강하가 커서 전류가 발광면에 고르게 주입되지 않으므로 소자의 발광이 균일하게 일어나지 않는다. 예컨대, 도 1및 2에 나타낸 바와 같이 전극을 구동회로와 전기적으로 결선시킨 부분의 근처에서만 발광을 하고(발광 영역 1), 나머지 영역에서는 약한 발광이 일어나거나 발광이 일어나지 않을 수 있다(발광 영역 2).
한편, 유기 발광 소자의 음극 물질로는 주로 일함수가 작은 금속 또는 이들의 합금이 사용된다. 이와 같은 금속은 물질 자체의 전기 전도도는 높을 수 있으나, 유기 발광 소자의 특성상 전극의 투명성이 요구되는 경우에 박막으로 형성된다면 전기 전도도가 감소한다. 따라서, 이와 같은 경우에도 전류가 발광면에 고르게 주입되지 않으므로 소자의 발광이 균일하게 일어나지 않을 수 있다.
따라서, 유기 발광 소자를 조명기기로 사용하기 위해서는 전극의 저항을 줄여 넓은 면적의 소자에서 고휘도의 발광이 균일하게 일어나도록 하는 것이 필요하다.
또한, 전극의 저항을 줄이는 것은 대면적 유기 발광 소자 뿐만 아니라 수동구동형(passive matrix) 디스플레이 소자의 제조에도 유용하게 사용될 수 있다. 수동구동형 디스플레이는 능동구동형(active matrix)과 같이 비정질 혹은 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(amorphous or poly-silicon transistor) 후면판(back plate)이 필요 없으므로 제조 단가가 매우 저렴하다. 그러나, 현재는 수동구동형 유기 EL 디스플레이가 여러 가지 문제를 가지고 있으므로, 수동구동형 유기 EL 디스플레이보다는 능동구동형 유기 EL 디스플레이가 상용화 후보로 떠오르고 있다. 수동구동형 유기 EL 디스플레이의 주요한 문제의 하나는, 수동구동형 유기 EL 디스플레이 소자의 제조에는 우수한 광투과성 및 전기 전도도를 갖는 전극을 제조하는 것이 필수적인 기술이나, 현재 사용되고 있는 전극의 저항이 크고 이로 인하여 디스플레이 크기가 증가하면 전극에서의 전압 강하가 심각하여 디스플레이 영상의 구현이 어렵다는 것이다.
따라서, 유기 발광 소자 분야에서는 전극의 저항을 줄이는 기술의 개발이 요구되고 있다.
본 발명자들은 전극 상부 및/또는 하부에 전기 전도도가 전극 재료와 같거나 더 우수한 금속을 배치하거나, 전극 재료와 전기전도성 금속화합물을 적층시킴으로써, 투명성이 유지되는 동시에 저항이 감소된 유기 발광 소자용 전극을 제조할 수 있다는 사실을 밝혀내어 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명은 전극의 상부 및/또는 하부 표면에, 전기 전도도가 전극과 같거나 더 우수한 금속이 전극과 전극 패드의 연결 부분으로부터 멀어지는 방향으로 선형으로 배열되어 것을 특징으로 하는 전극을 제공한다.
또한, 본 발명은 전극 재료와, 전극 재료로 사용된 물질과 상이한 전기전도성 금속화합물이 번갈아 적층되어 있는 구조를 갖는 전극을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 전극을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
이하에서 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 하나의 실시 상태에서는 전극의 상부 및/또는 하부에, 전기 전도도가 전극과 같거나 더 우수한 금속이 전극과 전극 패드의 연결 부분으로부터 멀어지는 방향으로 선형으로 배열되어 있는 전극을 제공한다.
예컨대, 도 3에 나타낸 바와 같이 전극 패드가 전극의 한쪽 측면에 위치하고 있는 경우, 상기 금속은 전극의 상부 및/또는 하부에 전극 패드에 수직한 방향의 선형으로 배치될 수 있다. 이때 배치된 금속의 선폭은 약 50 ~ 1000 ㎛이고, 배치된 금속선들간의 간격은 각각 약 500 ~ 5000 ㎛인 것이 바람직하다.
상기 본 발명의 실시 상태에서 사용될 수 있는 전기 전도도가 전극 재료와 같거나 더 우수한 금속의 예로는 알루미늄, 은, 금, 팔라듐, 니켈, 크롬, 티탄, 몰리브덴, 백금 등이 있으나, 이들에만 한정된 것은 아니다.
상기 실시 상태에 있어서, 전극에 전기 전도도가 전극과 같거나 더 우수한 금속을 배치하는 방법으로는 예컨대 쉐도우 마스크 및 진공 증착법을 이용하는 방법이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기와 같이, 전극의 상부 및/또는 하부에 금속을 전극과 전극 패드의 연결 부분으로부터 멀어지는 방향으로 적절한 선폭으로 배치하는 경우, 전류는 도 4에 나타낸 바와 같이 흐를 수 있다. 구체적으로 말하면, 전극 패드를 통하여 공급된 전류의 대부분은 선형으로 배치된 금속을 통하여 전극 패드로부터 멀어지는 방향으로 흐르게 되고, 선형으로 배치된 금속들 사이의 전극 영역에서는 선형 금속에 수직한 방향으로 전류가 흐르게 된다. 이와 같은 방식으로 전류가 전극과 전극 패드가 연결된 부분과 먼 영역까지 균일하게 주입될 수 있으며, 이에 의하여 전극에서의 전압 강하를 최소화할 수 있다.
본 발명의 또 하나의 실시 상태에서는 전극 재료와, 전극 재료로 사용된 물질과 상이한 전기전도성 금속산화물이 번갈아 적층되어 있는 구조를 갖는 전극을 제공한다.
금속이나 금속 산화물 등으로 이루어진 전극이 소정의 두께 이하의 박막으로 제조되는 경우에는 높은 광투과도를 가지지만, 이것의 두께가 증가할수록 물질 고유의 가시광 영역 흡수에 의하여 지수적으로 광투과도가 감소한다.
그러나, 상기 금속이나 금속 산화물 등으로 이루어진 전극을 적절한 두께로 분할하여 다른 금속이나 금속 산화물과 함께 다층으로 형성하는 경우에는 상기 단일막의 경우와 상이한 특성을 나타낸다. 즉, 불투명한 단일막과 동일한 두께를 가지고 있다고 할지라도 상기와 같은 다층 구조를 갖는 경우는 투명할 수 있다. 이와 같은 현상은 다층 구조로 형성하는 경우 각 층으로부터 반사된 빛이 광간섭 효과에 의하여 소멸됨으로써 광투과성이 향상되기 때문이다.
본 발명자들은 상기와 같은 특성을 이용하여 금속이나 금속 산화물 등으로 이루어진 전극 재료를 전극 재료로 사용된 물질과 상이한 전기전도성 금속화합물과 함께 적층하여 다층 구조, 예컨대 2층 내지 9층 구조를 형성하였다.
이와 같이 제조된 전극은 종래 투명성을 위하여 박막으로 제조된 전극보다 두께가 두껍지만 상기와 같은 원리에 의하여 투명성을 유지할 수 있다. 또한, 전극 재료가 다층 구조로 형성됨에 따라 전극 재료의 총 두께가 증가되고 이에 의하여 전기 전도도가 향상될 수 있다. 그리고, 상기 전극 재료의 두께를 분할하기 위하여 사용된 전기전도성 금속 화합물에 의하여 전기 전도도가 향상될 수 있다.
상기 실시 상태에서 사용될 수 있는 전기전도성 금속 화합물의 예로는 알루미늄, 은, 금, 팔라듐, 니켈, 크롬, 티탄, 몰리브덴, 백금 등의 금속 또는 이들의 산화물 등이 있으나, 이들에만 한정된 것은 아니다.
상기와 같은 다층 구조의 증착은 종래에 알려진 증착 방법, 예컨대 플라즈마 스퍼터링(sputtering)이 이용될 수 있다. 상기 방법을 이용하는 경우, 증착시의 진공도, 기판의 온도, 플라즈마 전력(plasma power), 전극 재료의 조성비 등의 다양한 변수들에 의하여 전극 재료와 금속의 굴절율은 어느 정도 차이를 나타내므로 굴절율의 변화에 따라 각 층의 최적의 두께는 약간의 편차를 가진다.
상기 실시 상태에 의하여 제조되는 전극은 양극 또는 음극일 수 있다. 상기 전극이 양극인 경우 전극 재료의 한 층의 두께는 300~1200 Å인 것이 바람직하고, 전극 재료로 사용된 물질과 상이한 전기전도성 금속화합물의 한 층의 두께는 50~150 Å인 것이 바람직하다. 상기 전극이 음극인 경우 상기 양극과 반대로 전극 재료의 한 층의 두께는 50~150 Å인 것이 바람직하고, 전극 재료로 사용된 물질과 상이한 전기전도성 금속화합물의 한 층의 두께는 300~1200 Å인 것이 바람직하다.
도 5는 상기와 같은 다층 구조의 양극을 포함하는 유기 발광 소자의 구조를 예시한 것이고, 도 6은 9층 구조를 갖는 전극을 예시한 것이다.
예컨대, 유리 기판 위에 전극 재료로서 ITO(인듐 주석 산화물)와 금속으로서 Ag를 사용하여 9층으로 적층된 전극을 제조하는 경우, 유기 기판을 포함한 광투과도는 5500 Å의 가시광 영역에서 약 60% 이상을 나타내며, 면저항은 약 1.5 Ω/□의 우수한 결과를 나타낸다.
본 발명에서 사용할 수 있는 양극 전극 재료의 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금, 은과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 주석 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 불소 도핑된 주석 산화물, 루테늄 산화물과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서 사용될 수 있는 음극 전극 재료의 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 금, 팔라듐, 니켈, 크롬, 티탄, 몰리브덴, 백금, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명은 전극의 상부 및/또는 하부 표면에, 전기 전도도가 전극과 같거나 더 우수한 금속이 전극과 전극 패드의 연결 부분으로부터 멀어지는 방향으로 선형으로 배열되어 것을 특징으로 하는 전극을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 전극 재료와, 전극 재료로 사용된 물질과 상이한 전기전도성 금속화합물이 번갈아 적층되어 있는 구조를 갖는 전극을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 유기 발광 소자의 전극 및 유기물층은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 당기술 분야에 알려져 있는 재료 및 구조를 가질 수 있다.
이하에서 본 발명을 실시예를 통하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명이 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
실시예
실시예 1
본 실시예는 전극에 전기 전도성 금속을 선형으로 배치하여 전극의 전기 전도도를 향상시킨 실시예이다.
먼저 초기 세척 과정을 거친 100×100 mm2 크기의 유리 기판 상에 쉐도우 마스크를 이용하여 2500 Å 두께의 알루미늄을 도 3에 예시된 형태로 금속선으로써 진공 증착하였다. 알루미늄 금속선의 폭과 금속선 간의 간격은 각각 0.3 mm 와 2.5 mm로 하였다. 금속선을 형성한 후 양극 전극의 형성을 위하여 1750 Å 두께의 ITO를 스퍼터링으로 증착하였다.
양극 전극의 형성 후 200 ~ 500 Å의 두께를 갖는 유기막을 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층의 순으로 증착하였다. 음극 전극으로는 LiF층을 10 Å 증착한 후 알루미늄을 2000 Å의 두께로 증착하였다. 제조된 소자를 대기와 격리시키기 위한 봉합(encap) 공정으로 소자 제조를 마쳤다.
제조된 소자의 양극 전극의 평균적인 광투과도는 약 70% 정도이다. 이와 같은 결과는 ITO 만을 전극으로 이용한 경우의 광투과도인 약 80%와 크게 차이 나지 않는다. 또한, 알루미늄 금속선의 방향과 나란한 방향에서 측정된 전기전도도는 약 1.2 Ω/□으로 우수한 값을 나타내었다. 제조된 소자는 5 V 와 1.1 A의 소자 동작에서 발광영역 전면에서 균일한 빛을 방출하였다.
실시예 2
본 실시예는 전극재료와 전기전도성 금속을 다층구조로 형성하여 전극의 전기 전도도를 향상시킨 실시예이다.
먼저 초기 세척 과정을 거친 100×100 mm2 크기의 유리 기판 상에 스퍼터링을 이용하여 9 층의 구조를 갖는 양극 전극을 형성 하였다. 각 층의 물질과 두께는 유리 기판에 증착된 순서로, ITO 400Å, Ag 100 Å, ITO 800Å, Ag 100 Å, ITO 800Å, Ag 100 Å, ITO 800Å, Ag 100 Å, 그리고 ITO 400Å 이다.
양극 전극의 형성 후 200 ~ 500 Å의 두께를 갖는 유기막을 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 의 순으로 증착하였다. 음극 전극으로는 LiF층을 10 Å 증착한 후 알루미늄을 2000 Å의 두께로 증착하였다. 제조된 소자를 대기와 격리 시키기 위한 봉합 (encap) 공정으로 소자 제조를 마쳤다.
제조된 소자의 양극 전극은 5500 Å의 가시광 영역에서 약 60% 이상의 광투과도와 약 1.5 Ω/□의 우수한 전기전도도를 나타내었다. Ag의 경우, 4 층의 100 Å을 하나의 두께로 하여 400 Å 두께의 Ag층으로 제조할 경우 전기전도도는 조금 더 우수한 값을 나타낼 수 있으나 가시광은 거의 투과할 수 없게 된다. 그러나, 본 실시예에서는 Ag 층을 100 Å씩 분할하여 4층으로 적층함으로써 우수한 광투과도를 나타낼 수 있었다.
상기 9 층의 다층 전극으로 제조된 소자는 발광 면적이 약 60 cm2 일 때 전체 발광면에서 거의 균일한 밝기를 나타내었다. 이 때 소자의 동작 전압과 전류는 각각 5 V 와 1.1 A 이었다.
비교예 1
양극을 종래에 주로 사용되는 1750 Å 두께의 ITO로 대체한 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
광투과도는 5500 Å의 가시광 영역에서 약 80% 정도로 우수한 특성을 나타내었으나, 전기전도도가 약 20 Ω/□의 값을 나타내었다. 또한, 5 V 와 1.1 A의 소자 동작시 직류전원과 유리 기판의 양극 전극이 연결된 부분 근처에서만 빛이 발생되어 전극연결부에서 2 cm 이상 떨어진 발광영역에서는 거의 빛의 방출이 없었다.
본 발명에 따른 전극은 투명성을 가질 뿐만 아니라 저항이 작으므로, 본 발명의 전극을 포함하는 대면적 유기 발광 소자에서는 높은 전류를 대면적에 균일하게 주입할 수 있고, 이에 의하여 고휘도의 빛을 균일하게 방출할 수 있다. 따라서, 본 발명의 전극을 이용하는 경우 조명기기 등에 사용할 수 있는 대면적 유기 발광 소자를 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 전극은 투명성 및 전기 전도도가 우수하므로 수동구동형 유기 EL 디스플레이 소자의 제조에도 유용하게 사용될 수 있다.
도 1은 일반적인 대면적 유기 발광 소자의 평면도를 예시한 것이다.
도 2는 일반적인 대면적 유기 발광 소자의 단면도를 예시한 것이다.
도 3은 본 발명의 하나의 실시 상태에 따라 제조한 유기 발광 소자의 평면도이다.
도 4는 도 3 중 A 영역에서의 전류 흐름을 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 또 하나의 실시 상태에 따라 제조한 유기 발광 소자의 단면도이다.
도 6은 도 5에 나타낸 유기 발광 소자 중 양극 구조의 확대도이다.
Claims (10)
- 전극의 상부 및/또는 하부 표면에, 전기 전도도가 전극과 같거나 더 우수한 금속이 전극과 전극 패드의 연결 부분으로부터 멀어지는 방향으로 선형으로 배열되어 것을 특징으로 하는 전극.
- 제1항에 있어서, 상기 선형으로 배열된 금속선의 선폭은 50 ~ 1000 ㎛이고, 배치된 금속선들간의 간격은 500 ~ 5000 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 전극.
- 제1항에 있어서, 상기 전지 전도도가 전극과 같거나 더 우수한 금속은 알루미늄, 은, 금, 팔라듐, 니켈, 크롬, 티탄, 몰리브덴, 백금으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전극.
- 전극 재료와, 전극 재료로 사용된 물질과 상이한 전기전도성 금속화합물이 번갈아 적층되어 있는 구조를 갖는 전극.
- 제4항에 있어서, 상기 전극은 양극이고, 상기 전극 재료의 한 층의 두께는 300~1200 Å이고, 상기 금속의 한 층의 두께는 50~150 Å인 것을 특징으로 하는 전극.
- 제4항에 있어서, 상기 전극은 음극이고, 상기 전극 재료의 한 층의 두께는 50~150 Å이고, 상기 금속의 한 층의 두께는 300~1200 Å인 것을 특징으로 하는 전극.
- 제4항에 있어서, 상기 전극은 2층 내지 9층으로 적층된 것을 특징으로 하는 전극.
- 제4항에 있어서, 상기 전극 재료로 사용된 물질과 상이한 전기전도성 금속화합물은 알루미늄, 은, 금, 팔라듐, 니켈, 크롬, 티탄, 몰리브덴, 백금 및 이들의 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전극.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극 재료는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금, 은 및 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 주석 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 불소 도핑된 주석 산화물, 루테늄 산화물; ZnO:Al 및 SnO2:Sb; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린을 포함하는 양극 재료, 및 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 금, 팔라듐, 니켈, 크롬, 티탄, 몰리브덴, 백금, 주석, 납 및 이들의 합금; LiF/Al 및 LiO2/Al을 포함하는 음극 재료로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전극.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항의 전극을 포함하는 유기 발광 소자.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030074361A KR20050039014A (ko) | 2003-10-23 | 2003-10-23 | 유기 발광 소자용 전극 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| TW093132027A TWI246360B (en) | 2003-10-23 | 2004-10-21 | Electrode for organic light emitting device and organic light emitting device comprising the same |
| PCT/KR2004/002692 WO2005041620A1 (en) | 2003-10-23 | 2004-10-21 | Electrode for organic light emitting device and organic light emitting device comprising the same |
| US10/971,318 US7170224B2 (en) | 2003-10-23 | 2004-10-22 | Electrode for organic light emitting device and organic light emitting device comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030074361A KR20050039014A (ko) | 2003-10-23 | 2003-10-23 | 유기 발광 소자용 전극 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050039014A true KR20050039014A (ko) | 2005-04-29 |
Family
ID=34511044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030074361A KR20050039014A (ko) | 2003-10-23 | 2003-10-23 | 유기 발광 소자용 전극 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7170224B2 (ko) |
| KR (1) | KR20050039014A (ko) |
| TW (1) | TWI246360B (ko) |
| WO (1) | WO2005041620A1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100821068B1 (ko) * | 2006-05-16 | 2008-04-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| KR20150010665A (ko) | 2013-07-19 | 2015-01-28 | 주식회사 엘지화학 | 전극 적층체 및 유기 발광 소자 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4393125B2 (ja) * | 2003-07-22 | 2010-01-06 | 株式会社東芝 | 高分子型有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| EP2381745A1 (fr) | 2006-09-07 | 2011-10-26 | Saint-Gobain Glass France | Substrat pour dispositif electroluminescent organique, utilisation et procede de fabrication de ce substrat, ainsi que dispositif electroluminescent organique |
| JP5261397B2 (ja) | 2006-11-17 | 2013-08-14 | サン−ゴバン グラス フランス | 有機発光素子用の電極、その酸エッチング、及び、それを組み込んだ有機発光素子 |
| FR2913146B1 (fr) * | 2007-02-23 | 2009-05-01 | Saint Gobain | Electrode discontinue, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et leurs fabrications |
| FR2924274B1 (fr) | 2007-11-22 | 2012-11-30 | Saint Gobain | Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et sa fabrication |
| FR2925981B1 (fr) | 2007-12-27 | 2010-02-19 | Saint Gobain | Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant. |
| CN101577272B (zh) * | 2008-05-06 | 2013-04-10 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 发光模组 |
| JP2010056075A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-03-11 | Sony Corp | 発光素子及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| FR2936358B1 (fr) | 2008-09-24 | 2011-01-21 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'un masque a ouvertures submillimetriques pour grille electroconductrice submillimetrique, masque a ouverture submillimetriques, grille electroconductrice submillimetrique. |
| FR2936362B1 (fr) | 2008-09-25 | 2010-09-10 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'une grille submillimetrique electroconductrice revetue d'une grille surgrille, grille submillimetrique electroconductrice revetue d'une surgrille |
| FR2944145B1 (fr) | 2009-04-02 | 2011-08-26 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'une structure a surface texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et structure a surface texturee |
| FR2955575B1 (fr) | 2010-01-22 | 2012-02-24 | Saint Gobain | Substrat verrier revetu d'une couche haut indice sous un revetement electrode et dispositif electroluminescent organique comportant un tel substrat. |
| KR101084271B1 (ko) * | 2010-02-09 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2012014759A1 (en) | 2010-07-26 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device |
| TWI407411B (zh) * | 2010-10-29 | 2013-09-01 | Au Optronics Corp | 光源裝置 |
| JP6608354B2 (ja) * | 2013-04-01 | 2019-11-20 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光素子およびその製造方法 |
| US11320110B2 (en) * | 2018-05-24 | 2022-05-03 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Vehicle lamp |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4142117B2 (ja) * | 1995-10-06 | 2008-08-27 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JPH10162961A (ja) | 1996-10-02 | 1998-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| JP3691192B2 (ja) | 1997-01-31 | 2005-08-31 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH11339970A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Tdk Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2000231985A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Denso Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP2000277252A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機電場発光パネルとその製造方法 |
| US6392339B1 (en) * | 1999-07-20 | 2002-05-21 | Xerox Corporation | Organic light emitting devices including mixed region |
| US6910933B1 (en) | 1999-10-05 | 2005-06-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light emitting element and producing method thereof, and display device and lighting device using the same |
| JP2002318553A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | 自己発光型表示装置 |
-
2003
- 2003-10-23 KR KR1020030074361A patent/KR20050039014A/ko not_active Application Discontinuation
-
2004
- 2004-10-21 TW TW093132027A patent/TWI246360B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-10-21 WO PCT/KR2004/002692 patent/WO2005041620A1/en active Application Filing
- 2004-10-22 US US10/971,318 patent/US7170224B2/en active Active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100821068B1 (ko) * | 2006-05-16 | 2008-04-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| US7960910B2 (en) | 2006-05-16 | 2011-06-14 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
| KR20150010665A (ko) | 2013-07-19 | 2015-01-28 | 주식회사 엘지화학 | 전극 적층체 및 유기 발광 소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200527970A (en) | 2005-08-16 |
| US20050162071A1 (en) | 2005-07-28 |
| TWI246360B (en) | 2005-12-21 |
| WO2005041620A1 (en) | 2005-05-06 |
| US7170224B2 (en) | 2007-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20050039014A (ko) | 유기 발광 소자용 전극 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 | |
| JP6043401B2 (ja) | 有機発光素子およびその製造方法 | |
| KR100527191B1 (ko) | 저저항 캐소드를 사용하는 유기 전계 발광 소자 | |
| KR101582719B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 | |
| KR101127767B1 (ko) | 유기 발광 장치 | |
| JP6168610B2 (ja) | 有機ｅｌ照明パネル用基板、有機ｅｌ照明パネルおよび有機ｅｌ照明装置 | |
| KR20100063730A (ko) | 유기 전계발광 소자 | |
| KR20130135184A (ko) | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 | |
| KR20140018621A (ko) | 유기 발광 장치 | |
| JP4872805B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2004192890A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2000315582A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JPH03141588A (ja) | 電界発光素子 | |
| KR20130135186A (ko) | 플렉서블 전극 및 이의 제조방법 | |
| JP2004152699A (ja) | 発光装置及び照明装置 | |
| KR101410576B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
| KR100542996B1 (ko) | 투명 유기 전계 발광 표시 장치 | |
| JPH07111192A (ja) | 有機薄膜型電界発光素子 | |
| Liu et al. | The effect of transmittance and luminous efficiency with the application of cathode mesh mask in transparent organic light‐emitting devices | |
| JP2012028108A (ja) | 有機ｅｌパネル | |
| TWI384901B (zh) | 有機發光二極體 | |
| KR20130126270A (ko) | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 | |
| JPH0428196A (ja) | 有機薄膜型電界発光素子 | |
| JPH06215875A (ja) | 有機薄膜電界発光素子 | |
| JPH03141586A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |